JP2017064676A - 触媒の製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
12、52 チャンバ
14、54 装置本体
16、56 基板ホルダ
18、62 原料ガス供給部
20、64 プラズマ生成部
22 放電室
24 放電用ガス供給器
26 プラズマ源
28 接続口
30 プラズマ導入部
32 リング状電極
34 対向電極
36 磁場生成部
38 永久磁石
39 コイル
40、80 スパッタリング部
42、82 保持部材
44、84 パルス電源
46、86 制御部
58 キャリア
60 排気口
66 アレイアンテナ
68 高周波電源
70 給電部
72 同軸ケーブル
90 単セル
92 高分子電解質膜
94 カソード電極
96 アノード電極
97 膜電極接合体
98 カソード側セパレータ
100 アノード側セパレータ
Claims (3)
- 炭素ナノ材料からなる触媒の製造装置であって、
前記触媒を形成する基板を収容するチャンバを有する装置本体を備え、
前記装置本体に設けられ、前記チャンバに、炭素源ガスを含む原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記装置本体に設けられ、前記チャンバにプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記装置本体に設けられ、遷移金属源を含むターゲットを保持する保持部材と、前記装置本体に設けられ、前記ターゲットに負のパルス電圧を印加するパルス電源と、を有し、プラズマ中のイオン粒子で前記ターゲットをスパッタリングするスパッタリング部と、を有し、
前記原料ガス及び前記ターゲットの少なくとも一方に、第15族元素源を含むことを特徴とする触媒の製造装置。 - 請求項1に記載の触媒の製造装置であって、
前記プラズマ発生手段は、
前記装置本体に設けられ、前記チャンバと連通する放電室と、前記放電室に設けられ、前記放電室に放電用ガスを供給する放電用ガス供給器と、前記放電室に設けられ、前記放電室にプラズマを発生させるプラズマ源と、を有するプラズマ生成部と、
前記放電室に設けられる一対のリング状電極と、前記一対のリング状電極と対向させて前記チャンバに設けられる対向電極と、を有し、前記放電室に発生させたプラズマを、前記チャンバに導入するプラズマ導入部と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバと前記放電室とを接続する接続口を挟んで対向して配置される一対の永久磁石を有し、前記チャンバに導入されるプラズマをシート状に整形する磁場生成部と、
を備えることを特徴とする触媒の製造装置。 - 請求項1に記載の触媒の製造装置であって、
前記プラズマ発生手段は、
前記チャンバに配置され、複数の誘導結合型アンテナを一平面内に配置したアレイアンテナと、前記装置本体に設けられ、前記アレイアンテナに高周波電力を供給してプラズマを発生させる高周波電源と、を有するプラズマ生成部を備えることを特徴とする触媒の製造装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019049921A1 (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 株式会社Ihi | 炭素繊維複合素材及びその製造方法、並びに炭素繊維複合素材の製造装置、プリプレグ、炭素繊維強化樹脂複合材料 |
JP2019073788A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社不二越 | プラズマスパッタリング成膜装置 |
WO2021125334A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 国立大学法人東海国立大学機構 | カーボンナノウォールとその製造方法および気相成長装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001262335A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜の被覆方法 |
JP2005076105A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Bridgestone Corp | 酸窒化チタン膜の成膜方法 |
WO2005110599A1 (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | 光触媒性積層膜 |
JP2006036593A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Univ Waseda | 単層カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置 |
JP2006144052A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 金属ドープTiO2膜の成膜方法 |
JP2008056546A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Ihi Corp | 炭素構造体の製造装置及び製造方法 |
JP2008106362A (ja) * | 2002-10-04 | 2008-05-08 | Ihi Corp | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池 |
JP2013087293A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のcvdプラズマ装置 |
WO2014157738A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | カーボンナノチューブ成長方法 |
-
2015
- 2015-10-02 JP JP2015196651A patent/JP6656656B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001262335A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜の被覆方法 |
JP2008106362A (ja) * | 2002-10-04 | 2008-05-08 | Ihi Corp | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池 |
JP2005076105A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Bridgestone Corp | 酸窒化チタン膜の成膜方法 |
WO2005110599A1 (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | 光触媒性積層膜 |
JP2006036593A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Univ Waseda | 単層カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置 |
JP2006144052A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 金属ドープTiO2膜の成膜方法 |
JP2008056546A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Ihi Corp | 炭素構造体の製造装置及び製造方法 |
JP2013087293A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のcvdプラズマ装置 |
WO2014157738A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | カーボンナノチューブ成長方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019049921A1 (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 株式会社Ihi | 炭素繊維複合素材及びその製造方法、並びに炭素繊維複合素材の製造装置、プリプレグ、炭素繊維強化樹脂複合材料 |
JPWO2019049921A1 (ja) * | 2017-09-11 | 2020-11-19 | 株式会社Ihi | 炭素繊維複合素材及びその製造方法、並びに炭素繊維複合素材の製造装置、プリプレグ、炭素繊維強化樹脂複合材料 |
US11346046B2 (en) | 2017-09-11 | 2022-05-31 | Ihi Corporation | Carbon fiber complex material and manufacturing method thereof, manufacturing apparatus for carbon fiber complex material, prepreg, and carbon fiber reinforced plastic composite material |
JP2019073788A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社不二越 | プラズマスパッタリング成膜装置 |
WO2021125334A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 国立大学法人東海国立大学機構 | カーボンナノウォールとその製造方法および気相成長装置 |
JP2021098624A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 国立大学法人東海国立大学機構 | カーボンナノウォールとその製造方法および気相成長装置 |
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