JP2017054901A - Group iii nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III nitride semiconductor light emitting device and a manufacturing method of the same, which achieve improvement in light extraction efficiency in a light emitting device emitting white light.SOLUTION: A light emitting device 1 comprises: a substrate 110; a semiconductor layer on the substrate 110; a transparent conducting oxide TE1 on the semiconductor layer; a dielectric film F1 which covers at least part of the semiconductor layer and transparent conducting oxide TE1; and a phosphor resin 200 on the dielectric film F1. A refraction index of the transparent conducting oxide TE1 is larger than a refraction index of the phosphor resin 200. The refraction index of the phosphor resin 200 is larger than a refraction index of the dielectric film F1. The light emitting device 1 has a first region R1 where the phosphor resin 200 is arranged on and in direct contact with the transparent conducting oxide TE1 at an opening W1; and a second region where the dielectric film F1 is arranged on the transparent conducting oxide TE1 and the phosphor resin 200 is arranged on the dielectric film F1.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本明細書の技術分野は、III 族窒化物半導体発光装置とその製造方法に関する。   The technical field of this specification relates to a group III nitride semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing the same.

III 族窒化物半導体発光装置は、電子と正孔とが再結合することにより発光する発光層と、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、を有する。このように発光層では光が発生する。しかし、発生した光は必ずしもIII 族窒化物半導体発光装置の外部に取り出されるとは限らない。III 族窒化物半導体発光装置の各部に吸収されたり、III 族窒化物半導体発光装置の各部で反射されたりするからである。   The group III nitride semiconductor light-emitting device has a light-emitting layer that emits light by recombination of electrons and holes, an n-type semiconductor layer, and a p-type semiconductor layer. Thus, light is generated in the light emitting layer. However, the generated light is not always extracted outside the group III nitride semiconductor light emitting device. This is because the light is absorbed by each part of the group III nitride semiconductor light emitting device or reflected by each part of the group III nitride semiconductor light emitting device.

そのため、III 族窒化物半導体発光装置から好適に光を取り出すための技術が開発されてきている。例えば、特許文献１には、光取出しエレメントＬＥＥのパターンを形成された透明電極層２９を有する発光ダイオードが開示されている（特許文献１の段落［００３９］および図２ａ参照）。光取出しエレメントが光を散乱または反射させることによって光の放出を促進する旨が記載されている（特許文献１の段落［００３９］参照）。   For this reason, techniques for extracting light from a group III nitride semiconductor light-emitting device have been developed. For example, Patent Document 1 discloses a light-emitting diode having a transparent electrode layer 29 on which a pattern of a light extraction element LEE is formed (see paragraph [0039] of FIG. 2 and FIG. 2a). It is described that the light extraction element promotes light emission by scattering or reflecting light (see paragraph [0039] of Patent Document 1).

特開２０１３−５３３６４４号公報JP2013-533644A

このように、半導体発光素子の内部における光取り出し効率の向上を図ったとしても、半導体発光素子から蛍光体樹脂に光が入射する際に光が蛍光体樹脂に反射される場合がある。このような発光装置では、その分だけ光取り出し効率が低い。   As described above, even if the light extraction efficiency inside the semiconductor light emitting device is improved, when light enters the phosphor resin from the semiconductor light emitting device, the light may be reflected by the phosphor resin. In such a light emitting device, the light extraction efficiency is low accordingly.

本明細書の技術は、前述した従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは、白色光を発する発光装置において光取り出し効率を向上させることを図ったIII 族窒化物半導体発光装置とその製造方法を提供することである。   The technique of this specification has been made to solve the problems of the conventional techniques described above. That is, the object is to provide a group III nitride semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing the same, in which light extraction efficiency is improved in a light-emitting device that emits white light.

第１の態様におけるIII 族窒化物半導体発光装置は、白色光を発するIII 族窒化物半導体発光装置である。このIII 族窒化物半導体発光装置は、基板と、基板の上の半導体層と、半導体層の上の透明導電酸化物と、半導体層および透明導電酸化物の少なくとも一部を覆う誘電体膜と、誘電体膜の上の蛍光体樹脂と、を有する。透明導電酸化物の屈折率は、蛍光体樹脂の屈折率よりも大きい。蛍光体樹脂の屈折率は、誘電体膜の屈折率よりも大きい。誘電体膜は、透明導電酸化物の一部を露出させる開口部を有する。III 族窒化物半導体発光装置は、開口部において透明導電酸化物の上に蛍光体樹脂が直接接触して配置された第１の領域と、透明導電酸化物の上に誘電体膜が配置されるとともに誘電体膜の上に蛍光体樹脂が配置された第２の領域と、を有する。   The group III nitride semiconductor light-emitting device in the first embodiment is a group III nitride semiconductor light-emitting device that emits white light. The group III nitride semiconductor light emitting device includes a substrate, a semiconductor layer on the substrate, a transparent conductive oxide on the semiconductor layer, a dielectric film covering at least a part of the semiconductor layer and the transparent conductive oxide, And a phosphor resin on the dielectric film. The refractive index of the transparent conductive oxide is larger than the refractive index of the phosphor resin. The refractive index of the phosphor resin is larger than the refractive index of the dielectric film. The dielectric film has an opening that exposes a part of the transparent conductive oxide. In the group III nitride semiconductor light emitting device, the first region where the phosphor resin is disposed in direct contact with the transparent conductive oxide in the opening and the dielectric film is disposed on the transparent conductive oxide. And a second region in which a phosphor resin is disposed on the dielectric film.

このIII 族窒化物半導体発光装置においては、第１の領域から光が外部に取り出されやすい。第１の領域では、光がほとんど反射されることなく透明導電酸化物から蛍光体樹脂に透過する。そのため、このIII 族窒化物半導体発光装置は、高い発光効率を備えている。   In this group III nitride semiconductor light emitting device, light is easily extracted from the first region to the outside. In the first region, light is transmitted from the transparent conductive oxide to the phosphor resin with almost no reflection. Therefore, this group III nitride semiconductor light emitting device has high luminous efficiency.

第２の態様におけるIII 族窒化物半導体発光装置は、透明導電酸化物の上に形成されたｐコンタクト電極およびｐ配線電極を有する。ｐコンタクト電極およびｐ配線電極は、誘電体膜に覆われている。誘電体膜におけるｐコンタクト電極の端部から開口部までの距離は、透明導電酸化物からのｐ配線電極の高さよりも大きい。   The group III nitride semiconductor light-emitting device in the second embodiment has a p-contact electrode and a p-wiring electrode formed on the transparent conductive oxide. The p contact electrode and the p wiring electrode are covered with a dielectric film. The distance from the end of the p-contact electrode to the opening in the dielectric film is larger than the height of the p-wiring electrode from the transparent conductive oxide.

第３の態様におけるIII 族窒化物半導体発光装置は、透明導電酸化物の上に形成されたｐ配線電極を有する。ｐ配線電極は、誘電体膜に覆われている。誘電体膜におけるｐ配線電極の端部から開口部までの距離は、透明導電酸化物からのｐ配線電極の高さよりも大きい。   The group III nitride semiconductor light-emitting device in the third embodiment has a p-wiring electrode formed on a transparent conductive oxide. The p wiring electrode is covered with a dielectric film. The distance from the end of the p wiring electrode to the opening in the dielectric film is larger than the height of the p wiring electrode from the transparent conductive oxide.

第４の態様におけるIII 族窒化物半導体発光装置は、透明導電酸化物の上に形成されたｐパッド電極を有する。ｐパッド電極の一部は、誘電体膜に覆われている。誘電体膜におけるｐパッド電極の端部から開口部までの距離は、透明導電酸化物からのｐパッド電極の高さよりも大きい。   The group III nitride semiconductor light-emitting device in the fourth embodiment has a p-pad electrode formed on a transparent conductive oxide. A part of the p-pad electrode is covered with a dielectric film. The distance from the end of the p-pad electrode to the opening in the dielectric film is larger than the height of the p-pad electrode from the transparent conductive oxide.

第５の態様におけるIII 族窒化物半導体発光装置の製造方法は、白色光を発するIII 族窒化物半導体発光装置の製造方法である。この製造方法は、基板の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、半導体層の上に透明導電酸化物を形成する透明導電酸化物形成工程と、半導体層および透明導電酸化物の少なくとも一部を誘電体膜で覆う誘電体膜形成工程と、誘電体膜の一部をウェットエッチングにより除去するとともに透明導電酸化物を露出させて開口部を形成する開口部形成工程と、誘電体膜の上に蛍光体樹脂を形成する蛍光体樹脂形成工程と、を有する。そして、蛍光体樹脂形成工程では、開口部に露出している透明導電酸化物の上に蛍光体樹脂を直接接触させて第１の領域を形成するとともに、誘電体膜の上に蛍光体樹脂を直接接触させて第２の領域を形成する。   The method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device in the fifth aspect is a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device that emits white light. The manufacturing method includes a semiconductor layer forming step of forming a semiconductor layer on a substrate, a transparent conductive oxide forming step of forming a transparent conductive oxide on the semiconductor layer, and at least one of the semiconductor layer and the transparent conductive oxide. A dielectric film forming step of covering the portion with a dielectric film, an opening forming step of removing a portion of the dielectric film by wet etching and exposing the transparent conductive oxide to form an opening, and a dielectric film And a phosphor resin forming step of forming a phosphor resin on the top. In the phosphor resin forming step, the phosphor resin is brought into direct contact with the transparent conductive oxide exposed in the opening to form the first region, and the phosphor resin is formed on the dielectric film. The second region is formed by direct contact.

本明細書では、白色光を発する発光装置において光取り出し効率を向上させることを図ったIII 族窒化物半導体発光装置とその製造方法が提供されている。   In the present specification, there are provided a group III nitride semiconductor light-emitting device and a method for manufacturing the same, in which light extraction efficiency is improved in a light-emitting device that emits white light.

実施形態における発光装置の構造を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the light-emitting device in embodiment. ＩＩ−ＩＩ断面を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the II-II cross section. 実施形態における発光装置の第１の領域を示す図である。It is a figure which shows the 1st area | region of the light-emitting device in embodiment. ｐ配線電極Ｐ２の周辺を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the periphery of p wiring electrode P2. 蛍光体樹脂を有さないサンプルにおける開口部の有無による全放射束Ｐｏの変化を比較するグラフである。It is a graph which compares the change of the total radiant flux Po by the presence or absence of the opening part in the sample which does not have fluorescent substance resin. 蛍光体樹脂を有するサンプルにおける開口部の有無による全放射束Ｐｏの変化を比較するグラフである。It is a graph which compares the change of the total radiant flux Po by the presence or absence of the opening part in the sample which has fluorescent resin. 白色ＬＥＤにおける開口部の有無による全放射束Ｐｏの向上の度合いを比較するグラフである。It is a graph which compares the improvement degree of the total radiant flux Po by the presence or absence of the opening part in white LED.

以下、具体的な実施形態について、半導体発光装置とその製造方法を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、これらの実施形態に限定されるものではない。また、後述する半導体発光装置の各層の積層構造および電極構造は、例示である。実施形態とは異なる積層構造であってももちろん構わない。そして、それぞれの図における各層の横幅および厚みは、概念的に示したものであり、実際の厚みを示しているわけではない。また、各材料の屈折率は代表値として挙げたものにすぎない。   Hereinafter, specific embodiments will be described with reference to the drawings, taking a semiconductor light emitting device and a method for manufacturing the same as examples. However, it is not limited to these embodiments. Moreover, the laminated structure and electrode structure of each layer of the semiconductor light emitting device described later are examples. Of course, a laminated structure different from that of the embodiment may be used. The horizontal width and thickness of each layer in each figure are conceptually shown, and do not indicate actual thickness. Moreover, the refractive index of each material is only a typical value.

１．半導体発光装置
図１は、本実施形態の発光装置１の概略構成を示す図である。図２は、発光装置１のＩＩ−ＩＩ断面を示す断面図である。発光装置１は、発光素子１００と、蛍光体樹脂２００と、を有する。発光装置１は、白色光を発するIII 族窒化物半導体発光装置である。発光素子１００は、III 族窒化物半導体から成る複数の半導体層を有するフェイスアップ型の半導体発光素子である。 1. Semiconductor Light Emitting Device FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a light emitting device 1 of the present embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a II-II cross section of the light emitting device 1. The light emitting device 1 includes a light emitting element 100 and a phosphor resin 200. The light emitting device 1 is a group III nitride semiconductor light emitting device that emits white light. The light emitting element 100 is a face-up type semiconductor light emitting element having a plurality of semiconductor layers made of a group III nitride semiconductor.

図１および図２に示すように、発光素子１００は、基板１１０と、ｎ型半導体層１２０と、発光層１３０と、ｐ型半導体層１４０と、電流阻止層ＣＢ１と、透明導電酸化物ＴＥ１と、誘電体膜Ｆ１と、誘電体膜ＦＮ１と、誘電体膜ＦＰ１と、反射膜ＲＮ１と、反射膜ＲＰ１と、ｎコンタクト電極Ｎ１と、ｎ配線電極Ｎ２と、ｎパッド電極ＮＥと、ｐコンタクト電極Ｐ１と、ｐ配線電極Ｐ２と、ｐパッド電極ＰＥと、を有する。   As shown in FIGS. 1 and 2, the light-emitting element 100 includes a substrate 110, an n-type semiconductor layer 120, a light-emitting layer 130, a p-type semiconductor layer 140, a current blocking layer CB1, and a transparent conductive oxide TE1. , Dielectric film F1, dielectric film FN1, dielectric film FP1, reflective film RN1, reflective film RP1, n contact electrode N1, n wiring electrode N2, n pad electrode NE, and p contact electrode P1, a p-wiring electrode P2, and a p-pad electrode PE.

基板１１０は、各半導体層を支持するための支持基板である。また、成長基板を兼ねていてもよい。基板１１０の主面の上には凹凸加工があるとよい。基板１１０の材質は、サファイアである。また、サファイア以外にも、ＳｉＣ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＮなどの材質を用いてもよい。   The substrate 110 is a support substrate for supporting each semiconductor layer. It may also serve as a growth substrate. It is preferable that the main surface of the substrate 110 has a concavo-convex process. The material of the substrate 110 is sapphire. In addition to sapphire, materials such as SiC, ZnO, Si, and GaN may be used.

ｎ型半導体層１２０と、発光層１３０と、ｐ型半導体層１４０とは、基板１１０の上に形成された半導体層である。ｎ型半導体層１２０は、ｎ型コンタクト層と、ｎ側静電耐圧層と、ｎ側超格子層と、を有する。ｎ型半導体層１２０は、ドナーをドープしていないｕｄ−ＧａＮ層等を有していてもよい。ｐ型半導体層１４０は、ｐ側クラッド層と、ｐ型コンタクト層と、を有する。ｐ型半導体層１４０は、アクセプターをドープしていないｕｄ−ＧａＮ層等を有していてもよい。ｎ型半導体層１２０およびｐ型半導体層１４０は、上記以外の構造であってもよい。   The n-type semiconductor layer 120, the light emitting layer 130, and the p-type semiconductor layer 140 are semiconductor layers formed on the substrate 110. The n-type semiconductor layer 120 has an n-type contact layer, an n-side electrostatic withstand voltage layer, and an n-side superlattice layer. The n-type semiconductor layer 120 may include a ud-GaN layer that is not doped with a donor. The p-type semiconductor layer 140 has a p-side cladding layer and a p-type contact layer. The p-type semiconductor layer 140 may include a ud-GaN layer that is not doped with an acceptor. The n-type semiconductor layer 120 and the p-type semiconductor layer 140 may have a structure other than the above.

電流阻止層ＣＢ１は、電極直下に電流が流れるのを阻止するとともに発光面内に電流を拡散させるための層である。電流阻止層ＣＢ１は、ｐ型半導体層１４０と透明導電酸化物ＴＥ１との間に形成されている。透明導電酸化物ＴＥ１は、ｐ型半導体層１４０の上に形成されている。透明導電酸化物ＴＥ１は、透明電極である。透明導電酸化物ＴＥ１として、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＣＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 、ＮｂＴｉＯ2 、ＴａＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 が挙げられる。また、その他の透明な酸化物であってもよい。 The current blocking layer CB1 is a layer for blocking current from flowing directly under the electrode and diffusing the current in the light emitting surface. The current blocking layer CB1 is formed between the p-type semiconductor layer 140 and the transparent conductive oxide TE1. The transparent conductive oxide TE1 is formed on the p-type semiconductor layer 140. The transparent conductive oxide TE1 is a transparent electrode. As a transparent conductive oxide TE1, for example, ITO, IZO, ICO, ZnO , TiO 2, NbTiO 2, TaTiO 2, SnO 2 and the like. Other transparent oxides may also be used.

誘電体膜Ｆ１は、半導体層および透明導電酸化物ＴＥ１の少なくとも一部を覆っている。また、誘電体膜Ｆ１は、配線電極等を覆っている。誘電体膜Ｆ１は、例えば、ＳｉＯ2 である。反射膜ＲＮ１は、発光層１３０からの光をｎ配線電極Ｎ２等に照射させないための膜である。反射膜ＲＰ１は、発光層１３０からの光をｐ配線電極Ｐ２等に照射させないための膜である。誘電体膜ＦＮ１は、反射膜ＲＮ１を覆う膜である。誘電体膜ＦＰ１は、反射膜ＲＰ１を覆う膜である。 The dielectric film F1 covers at least part of the semiconductor layer and the transparent conductive oxide TE1. The dielectric film F1 covers the wiring electrodes and the like. The dielectric film F1 is, for example, SiO 2 . The reflective film RN1 is a film for preventing the light from the light emitting layer 130 from being irradiated to the n-wiring electrode N2. The reflective film RP1 is a film for preventing the light from the light emitting layer 130 from being irradiated onto the p-wiring electrode P2 and the like. The dielectric film FN1 is a film that covers the reflective film RN1. The dielectric film FP1 is a film that covers the reflective film RP1.

ｎコンタクト電極Ｎ１は、ｎ型コンタクト層に接触する電極である。ｎコンタクト電極Ｎ１は、半導体層の側からＮｉ／Ａｕ／Ａｌの順で積層されている。ｎ配線電極Ｎ２は、複数のｎコンタクト電極Ｎ１とｎパッド電極ＮＥとを電気的に接続するための電極である。ｎ配線電極Ｎ２は、ｎコンタクト電極Ｎ１の側からＴｉ／Ａｕ／Ａｌの順で積層されている。ｎパッド電極ＮＥは、外部電源と電気的に接続される電極である。ｎパッド電極ＮＥは、ｎコンタクト電極Ｎ１の側からＴｉ／Ａｕ／Ａｌの順で積層されている。   The n contact electrode N1 is an electrode in contact with the n-type contact layer. The n-contact electrode N1 is stacked in the order of Ni / Au / Al from the semiconductor layer side. The n wiring electrode N2 is an electrode for electrically connecting the plurality of n contact electrodes N1 and the n pad electrode NE. The n wiring electrode N2 is laminated in the order of Ti / Au / Al from the n contact electrode N1 side. The n pad electrode NE is an electrode that is electrically connected to an external power source. The n pad electrode NE is laminated in the order of Ti / Au / Al from the n contact electrode N1 side.

ｐコンタクト電極Ｐ１は、ｐ型コンタクト層に接触する電極である。ｐコンタクト電極Ｐ１は、透明導電酸化物ＴＥ１の側からＮｉ／Ａｕ／Ａｌの順で積層されている。ｐ配線電極Ｐ２は、複数のｐコンタクト電極Ｐ１とｐパッド電極ＰＥとを電気的に接続するための電極である。ｐ配線電極Ｐ２は、ｐコンタクト電極Ｐ１の側からＴｉ／Ａｕ／Ａｌの順で積層されている。ｐパッド電極ＰＥは、外部電源と電気的に接続される電極である。ｐパッド電極ＰＥは、ｐコンタクト電極Ｐ１の側からＴｉ／Ａｕ／Ａｌの順で積層されている。   The p contact electrode P1 is an electrode in contact with the p-type contact layer. The p contact electrode P1 is laminated in the order of Ni / Au / Al from the transparent conductive oxide TE1 side. The p wiring electrode P2 is an electrode for electrically connecting the plurality of p contact electrodes P1 and the p pad electrode PE. The p wiring electrode P2 is laminated in the order of Ti / Au / Al from the p contact electrode P1 side. The p pad electrode PE is an electrode that is electrically connected to an external power source. The p pad electrode PE is laminated in the order of Ti / Au / Al from the p contact electrode P1 side.

また、蛍光体樹脂２００は、誘電体膜Ｆ１の上に形成されている。   The phosphor resin 200 is formed on the dielectric film F1.

これらの半導体の積層構造および電極の積層構造は一例である。そのため、半導体の積層構造および電極の積層構造は、上記以外の構成であってもよい。   The stacked structure of these semiconductors and the stacked structure of electrodes are examples. Therefore, the semiconductor multilayer structure and the electrode multilayer structure may have configurations other than those described above.

２．第１の領域および第２の領域
２−１．第１の領域の構造
図２に示すように、発光装置１は、第１の領域Ｒ１と、第２の領域Ｒ２と、を有する。誘電体膜Ｆ１は、透明導電酸化物ＴＥ１の一部を露出させる開口部Ｗ１を有する。第１の領域Ｒ１では、開口部Ｗ１において透明導電酸化物ＴＥ１の上に蛍光体樹脂２００が直接接触して配置されている。第２の領域Ｒ２では、透明導電酸化物ＴＥ１の上に誘電体膜Ｆ１が配置されるとともに誘電体膜Ｆ１の上に蛍光体樹脂２００が配置されている。また、第２の領域Ｒ２は、透明導電酸化物ＴＥ１を形成されていない領域を含む。 2. First region and second region 2-1. Structure of First Region As shown in FIG. 2, the light emitting device 1 includes a first region R1 and a second region R2. The dielectric film F1 has an opening W1 that exposes a part of the transparent conductive oxide TE1. In the first region R1, the phosphor resin 200 is disposed in direct contact with the transparent conductive oxide TE1 in the opening W1. In the second region R2, the dielectric film F1 is disposed on the transparent conductive oxide TE1, and the phosphor resin 200 is disposed on the dielectric film F1. Further, the second region R2 includes a region where the transparent conductive oxide TE1 is not formed.

図３に示すように、第２の領域Ｒ２は、ｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２に沿って配置されている。つまり、後述するように、ｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２とその周辺については第２の領域Ｒ２である。また、発光素子１００の外縁に沿う領域も第２の領域Ｒ２である。そして、上記以外の領域が第１の領域Ｒ１である。図３では、第１の領域Ｒ１についてスラッシュのハッチングが施されている。   As shown in FIG. 3, the second region R2 is disposed along the n wiring electrode N2 and the p wiring electrode P2. That is, as will be described later, the n wiring electrode N2, the p wiring electrode P2, and the periphery thereof are the second region R2. The region along the outer edge of the light emitting element 100 is also the second region R2. A region other than the above is the first region R1. In FIG. 3, the first region R1 is hatched with a slash.

図４は、ｐ配線電極Ｐ２の周辺を示す模式図である。図４に示すように、発光装置１は、透明導電酸化物ＴＥ１の上に形成されたｐコンタクト電極Ｐ１と、ｐコンタクト電極Ｐ１の上に形成されたｐ配線電極Ｐ２と、を有する。ｐ配線電極Ｐ２は、誘電体膜Ｆ１に覆われている。高さｈは、透明導電酸化物ＴＥ１からのｐ配線電極Ｐ２の高さである。距離ｈ１は、ｐコンタクト電極Ｐ１の端部から誘電体膜Ｆ１の端部までの距離である。つまり、距離ｈ１は、誘電体膜Ｆ１におけるｐコンタクト電極Ｐ１の端部から開口部Ｗ１までの距離に等しい。そして、誘電体膜Ｆ１の距離ｈ１は、ｐ配線電極Ｐ２の高さｈよりも大きい。そのため、誘電体膜Ｆ１は、ｐ配線電極Ｐ２を十分に保護することができる。このように、ｐ配線電極Ｐ２およびｎ配線電極Ｎ２が存在する箇所については誘電体膜Ｆ１で覆う。そして、ｐ配線電極Ｐ２およびｎ配線電極Ｎ２が存在しない箇所については開口部Ｗ１とする。これにより、第１の領域Ｒ１を広くとることができる。   FIG. 4 is a schematic diagram showing the periphery of the p wiring electrode P2. As shown in FIG. 4, the light emitting device 1 includes a p-contact electrode P1 formed on the transparent conductive oxide TE1 and a p-wiring electrode P2 formed on the p-contact electrode P1. The p wiring electrode P2 is covered with a dielectric film F1. The height h is the height of the p wiring electrode P2 from the transparent conductive oxide TE1. The distance h1 is a distance from the end of the p contact electrode P1 to the end of the dielectric film F1. That is, the distance h1 is equal to the distance from the end of the p-contact electrode P1 to the opening W1 in the dielectric film F1. The distance h1 of the dielectric film F1 is larger than the height h of the p wiring electrode P2. Therefore, the dielectric film F1 can sufficiently protect the p wiring electrode P2. Thus, the portion where the p wiring electrode P2 and the n wiring electrode N2 exist is covered with the dielectric film F1. A portion where the p wiring electrode P2 and the n wiring electrode N2 do not exist is defined as an opening W1. Thereby, the first region R1 can be widened.

前述のとおり、第２の領域Ｒ２は、電極に沿って形成されている。第２の領域Ｒ２は、電極に沿う領域と発光素子１００の外縁に沿う領域に形成されている。第２の領域Ｒ２の外縁は、ｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２の外側であってｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２の端部から３μｍ以上１０μｍ以下の範囲内にある。また、第２の領域Ｒ２の外縁は、ｎパッド電極ＮＥおよびｐパッド電極ＰＥの外側であってｎパッド電極ＮＥおよびｐパッド電極ＰＥから３μｍ以上１０μｍ以下の範囲内にあってもよい。また、第２の領域Ｒ２のもう一つ別の外縁は、発光素子１００の外縁に沿って配置されている。   As described above, the second region R2 is formed along the electrode. The second region R <b> 2 is formed in a region along the electrode and a region along the outer edge of the light emitting element 100. The outer edge of the second region R2 is outside the n wiring electrode N2 and the p wiring electrode P2 and within a range of 3 μm or more and 10 μm or less from the ends of the n wiring electrode N2 and the p wiring electrode P2. The outer edge of the second region R2 may be outside the n pad electrode NE and the p pad electrode PE and within a range from 3 μm to 10 μm from the n pad electrode NE and the p pad electrode PE. Further, another outer edge of the second region R <b> 2 is disposed along the outer edge of the light emitting element 100.

２−２．第１の領域および第２の領域における屈折率の関係
ここで、透明導電酸化物ＴＥ１の屈折率は、蛍光体樹脂２００の屈折率よりも大きい。また、蛍光体樹脂２００の屈折率は、誘電体膜Ｆ１の屈折率よりも大きい。透明導電酸化物ＴＥ１の材質は、例えば、ＩＴＯである。ＩＴＯの屈折率は、およそ１．８６である。蛍光体樹脂２００の材質は、例えば、シリコーン樹脂である。シリコーン樹脂の屈折率は、およそ１．５５である。誘電体膜Ｆ１の材質は、例えば、ＳｉＯ2 である。ＳｉＯ2 の屈折率は、およそ１．４６である。なお、半導体層の屈折率は、２．５程度である。 2-2. Relationship of Refractive Index in First Region and Second Region Here, the refractive index of the transparent conductive oxide TE1 is larger than the refractive index of the phosphor resin 200. Further, the refractive index of the phosphor resin 200 is larger than the refractive index of the dielectric film F1. The material of the transparent conductive oxide TE1 is, for example, ITO. The refractive index of ITO is approximately 1.86. The material of the phosphor resin 200 is, for example, a silicone resin. The refractive index of the silicone resin is approximately 1.55. The material of the dielectric film F1 is, for example, SiO 2 . The refractive index of SiO 2 is approximately 1.46. The refractive index of the semiconductor layer is about 2.5.

２−３．第１の領域および第２の領域における光の透過
第１の領域Ｒ１では、光は、発光層１３０（屈折率２．５）から、ｐ型半導体層１４０（屈折率２．５）、透明導電酸化物ＴＥ１（屈折率１．８６）、蛍光体樹脂（屈折率１．５５）の順に入射する。つまり、光が透過するにしたがって、透過する物質の屈折率は小さくなる。よって、第１の領域Ｒ１では、光はほとんど反射することなく透過する。 2-3. Transmission of light in the first region and the second region In the first region R1, light is transmitted from the light emitting layer 130 (refractive index 2.5) to the p-type semiconductor layer 140 (refractive index 2.5), transparent conductive material. The oxide TE1 (refractive index 1.86) and phosphor resin (refractive index 1.55) are incident in this order. That is, as the light is transmitted, the refractive index of the transmitted material is reduced. Therefore, in the first region R1, light is transmitted with almost no reflection.

一方、第２の領域Ｒ２では、光は、発光層１３０（屈折率２．５）から、ｐ型半導体層１４０（屈折率２．５）、透明導電酸化物ＴＥ１（屈折率１．８６）、誘電体膜Ｆ１（屈折率１．４６）、蛍光体樹脂（屈折率１．５５）の順に入射する。よって、第２の領域Ｒ２では、光は誘電体膜Ｆ１から蛍光体樹脂２００に入る際にある程度反射する。   On the other hand, in the second region R2, light is emitted from the light emitting layer 130 (refractive index 2.5) to the p-type semiconductor layer 140 (refractive index 2.5), transparent conductive oxide TE1 (refractive index 1.86), Dielectric film F1 (refractive index 1.46) and phosphor resin (refractive index 1.55) are incident in this order. Therefore, in the second region R2, light is reflected to some extent when entering the phosphor resin 200 from the dielectric film F1.

２−４．第１の領域の割合
このように、第１の領域Ｒ１のほうが第２の領域Ｒ２よりも光を透過しやすい。したがって、本実施形態では、第１の領域Ｒ１の面積を第２の領域Ｒ２の面積よりも大きくする。つまり、第１の領域Ｒ１の占める面積は、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２を合わせた領域の占める面積の５０％以上であるとよい。好ましくは、第１の領域Ｒ１の占める面積は、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２を合わせた領域の占める面積の６５％以上であるとよい。より好ましくは、第１の領域Ｒ１の占める面積は、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２を合わせた領域の占める面積の８０％以上であるとよい。 2-4. Ratio of the first region As described above, the first region R1 transmits light more easily than the second region R2. Therefore, in the present embodiment, the area of the first region R1 is made larger than the area of the second region R2. That is, the area occupied by the first region R1 is preferably 50% or more of the area occupied by the combined region of the first region R1 and the second region R2. Preferably, the area occupied by the first region R1 is 65% or more of the area occupied by the combined region of the first region R1 and the second region R2. More preferably, the area occupied by the first region R1 is 80% or more of the area occupied by the combined region of the first region R1 and the second region R2.

３．III 族窒化物半導体発光装置の製造方法
本実施形態のIII 族窒化物半導体発光装置の製造方法は、白色光を発するIII 族窒化物半導体発光装置の製造方法である。この製造方法は、基板の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、半導体層の上に透明導電酸化物を形成する透明導電酸化物形成工程と、半導体層および透明導電酸化物の少なくとも一部を誘電体膜で覆う誘電体膜形成工程と、誘電体膜の一部をウェットエッチングにより除去するとともに透明導電酸化物を露出させて開口部を形成する開口部形成工程と、誘電体膜の上に蛍光体樹脂を形成する蛍光体樹脂形成工程と、を有する。 3. Method for Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device The method for producing a group III nitride semiconductor light-emitting device of this embodiment is a method for producing a group III nitride semiconductor light-emitting device that emits white light. The manufacturing method includes a semiconductor layer forming step of forming a semiconductor layer on a substrate, a transparent conductive oxide forming step of forming a transparent conductive oxide on the semiconductor layer, and at least one of the semiconductor layer and the transparent conductive oxide. A dielectric film forming step of covering the portion with a dielectric film, an opening forming step of removing a portion of the dielectric film by wet etching and exposing the transparent conductive oxide to form an opening, and a dielectric film And a phosphor resin forming step of forming a phosphor resin on the top.

３−１．半導体層形成工程
基板１１０の上に、ｎ型半導体層１２０、発光層１３０、ｐ型半導体層１４０を形成する。より具体的には、基板１１０の上に、ｎ型コンタクト層、ｎ側静電耐圧層、ｎ側超格子層、発光層、ｐ側クラッド層、ｐ型コンタクト層の順に半導体層を形成する。その際に、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により、各半導体層の結晶をエピタキシャル成長させる。ここで用いるキャリアガスは、水素（Ｈ2 ）もしくは窒素（Ｎ2 ）もしくは水素と窒素との混合気体（Ｈ2 ＋Ｎ2 ）である。窒素源として、アンモニアガス（ＮＨ3 ）を用いる。Ｇａ源として、トリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ3 ）3 ）を用いる。Ｉｎ源として、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ3 ）3 ）を用いる。Ａｌ源として、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3 ）3 ）を用いる。ｎ型ドーパントガスとして、シラン（ＳｉＨ4 ）を用いる。ｐ型ドーパントガスとして、ビス（シクロペンタジエニル）マグネシウム（Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ5 ）2 ）を用いる。また、これら以外のガスを用いてもよい。 3-1. Semiconductor Layer Formation Step An n-type semiconductor layer 120, a light emitting layer 130, and a p-type semiconductor layer 140 are formed on the substrate 110. More specifically, a semiconductor layer is formed on the substrate 110 in the order of an n-type contact layer, an n-side electrostatic withstand voltage layer, an n-side superlattice layer, a light emitting layer, a p-side cladding layer, and a p-type contact layer. At that time, crystals of each semiconductor layer are epitaxially grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). The carrier gas used here is hydrogen (H 2 ) or nitrogen (N 2 ) or a mixed gas of hydrogen and nitrogen (H 2 + N 2 ). Ammonia gas (NH 3 ) is used as a nitrogen source. Trimethylgallium (Ga (CH 3 ) 3 ) is used as the Ga source. Trimethylindium (In (CH 3 ) 3 ) is used as the In source. Trimethylaluminum (Al (CH 3 ) 3 ) is used as the Al source. Silane (SiH 4 ) is used as the n-type dopant gas. Bis (cyclopentadienyl) magnesium (Mg (C 5 H 5 ) 2 ) is used as the p-type dopant gas. Moreover, you may use gas other than these.

３−２．電流阻止層形成工程
次に、ｐ型半導体層１４０のｐ型コンタクト層の上に電流阻止層ＣＢ１を形成する。電流阻止層ＣＢ１は、例えば、ＳｉＯ2 である。その際にＣＶＤ法を用いればよい。電流阻止層ＣＢ１の膜厚は、例えば、１００ｎｍである。また、電流阻止層ＣＢ１を所望の位置および形状で形成するために、フォトリソグラフィ技術を用いればよい。 3-2. Next, a current blocking layer CB1 is formed on the p-type contact layer of the p-type semiconductor layer 140. The current blocking layer CB1 is, for example, SiO 2 . At that time, a CVD method may be used. The film thickness of the current blocking layer CB1 is, for example, 100 nm. Moreover, a photolithography technique may be used to form the current blocking layer CB1 in a desired position and shape.

３−３．透明導電酸化物形成工程
次に、電流阻止層ＣＢ１およびｐ型コンタクト層の上に透明導電酸化物ＴＥ１を形成する。例えば、スパッタリングによりＩＺＯ膜を形成する。透明導電酸化物ＴＥ１の膜厚は、例えば、７０ｎｍである。そして、６５０℃の雰囲気温度で透明導電酸化物ＴＥ１を熱処理する。 3-3. Step of forming transparent conductive oxide Next, the transparent conductive oxide TE1 is formed on the current blocking layer CB1 and the p-type contact layer. For example, an IZO film is formed by sputtering. The film thickness of the transparent conductive oxide TE1 is, for example, 70 nm. Then, the transparent conductive oxide TE1 is heat-treated at an ambient temperature of 650 ° C.

３−４．ｎ型半導体層露出工程
次に、ＩＣＰを用いてｐ型半導体層１４０および発光層１３０の一部を除去する。これにより、ｎ型半導体層１２０の一部を露出させる。 3-4. Next, the p-type semiconductor layer 140 and the light emitting layer 130 are partially removed using ICP. Thereby, a part of the n-type semiconductor layer 120 is exposed.

３−５．コンタクト電極形成工程
次に、ｎコンタクト電極Ｎ１およびｐコンタクト電極Ｐ１を形成する。ここで、蒸着により、５０ｎｍのＮｉ、２５０ｎｍのＡｕ、１０ｎｍのＡｌを順に形成する。そして、酸素雰囲気中で５５０℃の温度下で熱処理する。圧力は１５Ｐａである。 3-5. Contact Electrode Formation Step Next, an n contact electrode N1 and a p contact electrode P1 are formed. Here, 50 nm of Ni, 250 nm of Au, and 10 nm of Al are sequentially formed by vapor deposition. Then, heat treatment is performed at a temperature of 550 ° C. in an oxygen atmosphere. The pressure is 15 Pa.

３−６．反射膜形成工程
次に、誘電体膜ＦＮ１および誘電体膜ＦＰ１を形成する。ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を３００ｎｍの膜厚で形成する。そして、反射膜ＲＮ１および反射膜ＲＰ１を形成する。反射膜ＲＮ１および反射膜ＲＰ１の材質は、例えば、Ａｌである。反射膜ＲＮ１および反射膜ＲＰ１の膜厚は、１００ｎｍである。そして、再度ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を１００ｎｍの膜厚で形成することにより、反射膜ＲＮ１および反射膜ＲＰ１をＳｉＯ2 膜で覆う。 3-6. Next, a dielectric film FN1 and a dielectric film FP1 are formed. SiO 2 is formed with a film thickness of 300 nm by the CVD method. Then, the reflective film RN1 and the reflective film RP1 are formed. The material of the reflective film RN1 and the reflective film RP1 is, for example, Al. The film thickness of the reflective film RN1 and the reflective film RP1 is 100 nm. Then, the reflective film RN1 and the reflective film RP1 are covered with the SiO 2 film by forming SiO 2 with a film thickness of 100 nm again by the CVD method.

３−７．配線電極形成工程
次に、ｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２を形成する。蒸着により、５０ｎｍのＴｉ、１５００ｎｍのＡｕ、１０ｎｍのＡｌを順に形成する。なお、ｎパッド電極ＮＥおよびｐパッド電極ＰＥを別途形成してもよい。 3-7. Wiring electrode forming step Next, an n wiring electrode N2 and a p wiring electrode P2 are formed. By deposition, 50 nm of Ti, 1500 nm of Au, and 10 nm of Al are sequentially formed. Note that the n pad electrode NE and the p pad electrode PE may be formed separately.

３−８．誘電体膜形成工程
次に、電極等を保護する保護膜として誘電体膜Ｆ１を形成する。誘電体膜Ｆ１により、各半導体層および透明導電酸化物ＴＥ１の一部およびｐ配線電極Ｐ２およびｎ配線電極Ｎ２を覆う。ＣＶＤ法によりＳｉＯ2 を１００ｎｍの膜厚で形成する。 3-8. Dielectric Film Forming Step Next, a dielectric film F1 is formed as a protective film for protecting the electrodes and the like. The dielectric film F1 covers each semiconductor layer, a part of the transparent conductive oxide TE1, the p wiring electrode P2, and the n wiring electrode N2. SiO 2 is formed to a thickness of 100 nm by the CVD method.

３−９．開口部形成工程
次に、ウェットエッチングにより誘電体膜Ｆ１の一部を開口させる。これにより、誘電体膜Ｆ１の一部を除去するとともに透明導電酸化物ＴＥ１の一部を露出させる。そして、開口部Ｗ１が形成される。この開口部Ｗ１の領域が第１の領域Ｒ１となる領域である。そして、誘電体膜Ｆ１が残留している領域が第２の領域Ｒ２となる領域である。 3-9. Next, a part of the dielectric film F1 is opened by wet etching. Thereby, a part of the dielectric film F1 is removed and a part of the transparent conductive oxide TE1 is exposed. And the opening part W1 is formed. The region of the opening W1 is a region that becomes the first region R1. The region where the dielectric film F1 remains is the region that becomes the second region R2.

３−１０．素子分離工程
次に、ウエハを分割する。これにより、多数の発光素子１００が製造される。 3-10. Element Isolation Step Next, the wafer is divided. Thereby, many light emitting elements 100 are manufactured.

３−１１．蛍光体樹脂形成工程
次に、発光素子１００の光取り出し面側に蛍光体樹脂２００を形成する。その際に、蛍光体樹脂形成工程では、開口部Ｗ１に露出している透明導電酸化物ＴＥ１の上に蛍光体樹脂２００を直接接触させて第１の領域Ｒ１を形成するとともに、誘電体膜Ｆ１の上に蛍光体樹脂２００を直接接触させて第２の領域Ｒ２を形成する。 3-11. Next, the phosphor resin 200 is formed on the light extraction surface side of the light emitting element 100. At that time, in the phosphor resin forming step, the phosphor resin 200 is directly brought into contact with the transparent conductive oxide TE1 exposed in the opening W1 to form the first region R1, and the dielectric film F1. A second region R2 is formed by directly bringing the phosphor resin 200 into contact therewith.

３−１２．その他の工程
また、各パッド電極に配線する配線工程等その他の工程を実施してもよい。なお、上記の工程は、一例である。そのため、前述した積層構造および数値等はあくまで例である。よって、上記以外の数値等を用いてもよい。 3-12. Other Steps Other steps such as a wiring step for wiring to each pad electrode may be performed. In addition, said process is an example. Therefore, the laminated structure and numerical values described above are merely examples. Therefore, numerical values other than the above may be used.

４．変形例
４−１．コンタクト電極
本実施形態のｎコンタクト電極Ｎ１およびｐコンタクト電極Ｐ１は、ドット形状であってもよいし、その他の形状であってもよい。 4). Modified example 4-1. Contact Electrode The n contact electrode N1 and the p contact electrode P1 of the present embodiment may have a dot shape or other shapes.

４−２．配線電極
本実施形態の発光装置１は、ｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２を有している。しかし、ｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２を有さない発光装置に対しても、本実施形態の技術を適用することができる。その場合には、第２の領域Ｒ２は、パッド電極の周辺に配置されることとなる。 4-2. Wiring Electrode The light emitting device 1 of the present embodiment has an n wiring electrode N2 and a p wiring electrode P2. However, the technique of the present embodiment can also be applied to a light emitting device that does not have the n wiring electrode N2 and the p wiring electrode P2. In that case, the second region R2 is arranged around the pad electrode.

また、ｐ配線電極Ｐ２が透明導電酸化物ＴＥ１に直接形成されていてもよい。そして、ｎ配線電極Ｎ２がｎ型半導体層１２０に直接形成されていてもよい。これらの場合には、配線電極がコンタクト電極の役割を担うこととなる。そして、第２の領域Ｒ２は、配線電極の周辺に配置される。この場合の配線電極として、例えば、半導体層の側からＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ／Ｔｉ／Ａｕ／Ａｌ（３ｎｍ／１０ｎｍ／１０ｎｍ／１００ｎｍ／１５００ｎｍ／１０ｎｍ）を形成すればよい。この場合の発光素子は、透明導電酸化物ＴＥ１の上に形成されたｐ配線電極Ｐ２を有する。ｐ配線電極Ｐ２は、誘電体膜Ｆ１に覆われている。誘電体膜Ｆ１におけるｐ配線電極Ｐ２の端部から開口部Ｗ１までの距離は、透明導電酸化物ＴＥ１からのｐ配線電極Ｐ２の高さよりも大きい。   Further, the p wiring electrode P2 may be formed directly on the transparent conductive oxide TE1. The n wiring electrode N2 may be directly formed on the n-type semiconductor layer 120. In these cases, the wiring electrode serves as a contact electrode. The second region R2 is disposed around the wiring electrode. For example, Cr / Al / Cr / Ti / Au / Al (3 nm / 10 nm / 10 nm / 100 nm / 1500 nm / 10 nm) may be formed from the semiconductor layer side as the wiring electrode in this case. The light emitting device in this case has a p wiring electrode P2 formed on the transparent conductive oxide TE1. The p wiring electrode P2 is covered with a dielectric film F1. The distance from the end of the p wiring electrode P2 to the opening W1 in the dielectric film F1 is larger than the height of the p wiring electrode P2 from the transparent conductive oxide TE1.

４−３．パッド電極
また、発光素子１００は、配線電極を有していなくともよい。つまり、この場合には、ｐパッド電極ＰＥが透明導電酸化物ＴＥ１に直接形成されている。また、ｎパッド電極ＮＥがｎ型半導体層１２０に直接形成されている。この場合の発光素子は、透明導電酸化物ＴＥ１の上に形成されたｐパッド電極ＰＥを有する。ｐパッド電極ＰＥの一部は、誘電体膜Ｆ１に覆われている。この場合、誘電体膜Ｆ１におけるｐパッド電極ＰＥの端部から開口部Ｗ１までの距離は、透明導電酸化物ＴＥ１からのｐパッド電極ＰＥの高さよりも大きい。 4-3. Pad Electrode The light emitting element 100 does not have to have a wiring electrode. That is, in this case, the p pad electrode PE is directly formed on the transparent conductive oxide TE1. An n pad electrode NE is directly formed on the n-type semiconductor layer 120. The light emitting device in this case has a p pad electrode PE formed on the transparent conductive oxide TE1. A part of the p pad electrode PE is covered with a dielectric film F1. In this case, the distance from the end of the p pad electrode PE to the opening W1 in the dielectric film F1 is larger than the height of the p pad electrode PE from the transparent conductive oxide TE1.

５．本実施形態のまとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態の発光装置１は、透明導電酸化物ＴＥ１の上に蛍光体樹脂２００が直接接触して配置された第１の領域Ｒ１と、透明導電酸化物ＴＥ１の上に誘電体膜Ｆ１が配置されるとともに誘電体膜Ｆ１の上に蛍光体樹脂２００が配置された第２の領域Ｒ２と、を有する。そのため、第１の領域Ｒ１からより多くの光を外部に取り出すことができる。つまり、発光効率に優れた発光装置１が実現されている。 5). Summary of the present embodiment As described in detail above, the light emitting device 1 of the present embodiment includes the first region R1 in which the phosphor resin 200 is disposed in direct contact with the transparent conductive oxide TE1, and is transparent. A dielectric film F1 is disposed on the conductive oxide TE1, and a second region R2 in which the phosphor resin 200 is disposed on the dielectric film F1. Therefore, more light can be extracted from the first region R1. That is, the light emitting device 1 having excellent luminous efficiency is realized.

なお、以上に説明した実施形態は単なる例示にすぎない。したがって当然に、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能である。積層体の積層構造については、必ずしも図に示したものに限らない。積層構造や各層の繰り返し回数等、任意に選択してよい。また、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）に限らない。キャリアガスを用いて結晶を成長させる方法であれば、他の方法を用いてもよい。また、液相エピタキシー法、分子線エピタキシー法等、その他のエピタキシャル成長法により半導体層を形成することとしてもよい。   The embodiment described above is merely an example. Therefore, naturally, various improvements and modifications can be made without departing from the scope of the invention. The laminated structure of the laminated body is not necessarily limited to that shown in the drawing. You may select arbitrarily, such as a laminated structure and the repetition frequency of each layer. Moreover, it is not restricted to a metal organic chemical vapor deposition method (MOCVD method). Any other method may be used as long as the crystal is grown using a carrier gas. Further, the semiconductor layer may be formed by other epitaxial growth methods such as a liquid phase epitaxy method and a molecular beam epitaxy method.

１．サンプルの作製
サンプルを次のように作成した。サファイア基板の上にＭＯＣＶＤ法によりｎ型コンタクト層、ｎ側静電耐圧層、ｎ側超格子層、発光層、ｐ側クラッド層、ｐ型コンタクト層、の順に形成した。電流阻止層ＣＢ１として、ＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。透明導電酸化物ＴＥ１として、スパッタリングにより膜厚７０ｎｍのＩＺＯを形成し、６５０℃で熱処理した。次に、ＩＣＰによってｎ型半導体層１２０の一部を露出させた。 1. Sample preparation A sample was prepared as follows. On the sapphire substrate, an n-type contact layer, an n-side electrostatic withstand voltage layer, an n-side superlattice layer, a light emitting layer, a p-side cladding layer, and a p-type contact layer were formed in this order by MOCVD. As the current blocking layer CB1, SiO 2 having a thickness of 100 nm was formed by a CVD method. As the transparent conductive oxide TE1, IZO having a film thickness of 70 nm was formed by sputtering and heat-treated at 650 ° C. Next, a part of the n-type semiconductor layer 120 was exposed by ICP.

ｎコンタクト電極Ｎ１およびｐコンタクト電極Ｐ１として、蒸着によりＮｉ／Ａｕ／Ａｌ（５０ｎｍ／２５０ｎｍ／１０ｎｍ）を形成した。また、５５０℃で熱処理した。反射膜ＲＮ１および反射膜ＲＰ１として、ＣＶＤ法により膜厚３００ｎｍのＳｉＯ2 を成膜した。そして、蒸着により膜厚１００ｎｍのＡｌを形成し、再度ＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 を成膜した。ｎコンタクト電極Ｎ１およびｐコンタクト電極Ｐ１の上面をウェットエッチングにより開口した。次に、ｎ配線電極Ｎ２およびｐ配線電極Ｐ２として、蒸着によりＴｉ／Ａｕ／Ａｌ（５０ｎｍ／１５００ｎｍ／１０ｎｍ）を形成した。誘電体膜Ｆ１として、ＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2 を形成した。そして、ウェットエッチングにより開口部Ｗ１を形成した。そして、素子を分離し、蛍光体樹脂２００を形成した。 Ni / Au / Al (50 nm / 250 nm / 10 nm) was formed by vapor deposition as the n contact electrode N1 and the p contact electrode P1. Moreover, it heat-processed at 550 degreeC. As the reflective film RN1 and the reflective film RP1, 300 nm-thickness SiO 2 was formed by a CVD method. Then, Al having a thickness of 100 nm was formed by vapor deposition, and SiO 2 having a thickness of 100 nm was formed again by the CVD method. The upper surfaces of the n contact electrode N1 and the p contact electrode P1 were opened by wet etching. Next, Ti / Au / Al (50 nm / 1500 nm / 10 nm) was formed by vapor deposition as the n wiring electrode N2 and the p wiring electrode P2. As the dielectric film F1, SiO 2 having a thickness of 100 nm was formed by a CVD method. Then, the opening W1 was formed by wet etching. Then, the element was separated, and the phosphor resin 200 was formed.

また、開口部Ｗ１を形成しないサンプルも作製した。また、蛍光体樹脂２００を形成しないサンプルも作成した。サンプルＡは、蛍光体樹脂２００を有さず開口部Ｗ１を有さないサンプルである。サンプルＢは、蛍光体樹脂２００を有さず開口部Ｗ１を有するサンプルである。サンプルＣは、蛍光体樹脂２００を有するとともに開口部Ｗ１を有さないサンプルである。サンプルＤは、蛍光体樹脂２００を有するとともに開口部Ｗ１を有するサンプルである。   A sample in which the opening W1 is not formed was also produced. Moreover, the sample which does not form fluorescent substance resin 200 was also created. Sample A is a sample that does not have the phosphor resin 200 and does not have the opening W1. The sample B is a sample that does not have the phosphor resin 200 and has the opening W1. Sample C is a sample that has the phosphor resin 200 and does not have the opening W1. The sample D is a sample having the phosphor resin 200 and the opening W1.

２．測定結果
図５は、蛍光体樹脂２００を有さないサンプルにおける開口部の有無による全放射束Ｐｏの変化を比較するグラフである。図５の左側のデータは、サンプルＡの全放射束Ｐｏを示す。図５の右側のデータは、サンプルＢの全放射束Ｐｏを示す。サンプルＡは、蛍光体樹脂２００を有さず開口部Ｗ１を有さないサンプルである。サンプルＢは、蛍光体樹脂２００を有さず開口部Ｗ１を有するサンプルである。 2. Measurement Results FIG. 5 is a graph comparing changes in the total radiant flux Po depending on the presence or absence of openings in a sample that does not have the phosphor resin 200. The data on the left side of FIG. 5 shows the total radiant flux Po of sample A. The data on the right side of FIG. 5 shows the total radiant flux Po of sample B. Sample A is a sample that does not have the phosphor resin 200 and does not have the opening W1. The sample B is a sample that does not have the phosphor resin 200 and has the opening W1.

図５に示すように、サンプルＢの発光装置のほうがサンプルＡの発光装置よりも暗い。これは、蛍光体樹脂２００の代わりに大気（屈折率ｎ＝１）があるためであると考えられる。図５に示すように、白色ＬＥＤにしない場合には、第１の領域Ｒ１を設けることにより、全放射束Ｐｏが０．４％低下する。   As shown in FIG. 5, the light emitting device of sample B is darker than the light emitting device of sample A. This is considered to be because there is air (refractive index n = 1) instead of the phosphor resin 200. As shown in FIG. 5, when the white LED is not used, the total radiant flux Po is decreased by 0.4% by providing the first region R1.

図６は、蛍光体樹脂２００を有するサンプルにおける開口部の有無による全放射束Ｐｏの変化を比較するグラフである。図６の左側のデータは、サンプルＣの全放射束Ｐｏを示す。図６の右側のデータは、サンプルＤの全放射束Ｐｏを示す。サンプルＣは、蛍光体樹脂２００を有するとともに開口部Ｗ１を有さないサンプルである。サンプルＤは、蛍光体樹脂２００を有するとともに開口部Ｗ１を有するサンプルである。   FIG. 6 is a graph comparing changes in the total radiant flux Po depending on the presence or absence of openings in the sample having the phosphor resin 200. The data on the left side of FIG. 6 shows the total radiant flux Po of sample C. The data on the right side of FIG. 6 shows the total radiant flux Po of sample D. Sample C is a sample that has the phosphor resin 200 and does not have the opening W1. The sample D is a sample having the phosphor resin 200 and the opening W1.

図６に示すように、白色ＬＥＤでは、サンプルＤの発光装置のほうがサンプルＣの発光装置よりも明るい。これは、開口部Ｗ１があるため、第１の領域Ｒ１において透明導電酸化物ＴＥ１から蛍光体樹脂２００に光が透過しやすいためであると考えられる。図６に示すように、白色ＬＥＤでは、第１の領域Ｒ１を設けることにより、全放射束Ｐｏが０．２３％向上する。   As shown in FIG. 6, in the white LED, the light emitting device of sample D is brighter than the light emitting device of sample C. This is considered to be because light is easily transmitted from the transparent conductive oxide TE1 to the phosphor resin 200 in the first region R1 because of the opening W1. As shown in FIG. 6, in the white LED, the total radiant flux Po is improved by 0.23% by providing the first region R1.

図７は、白色ＬＥＤにおける開口部の有無による全放射束Ｐｏの向上の度合いを比較するグラフである。図７の左側のデータは、サンプルＡの全放射束Ｐｏに対するサンプルＣの全放射束Ｐｏの比（Ｃ／Ａ）である。図７の右側のデータは、サンプルＢの全放射束Ｐｏに対するサンプルＤの全放射束Ｐｏの比（Ｄ／Ｂ）である。つまり、図７は、開口部Ｗ１を設けるとともに蛍光体樹脂２００で封止すると、どの程度全放射束Ｐｏが改善するかを示す。   FIG. 7 is a graph comparing the degree of improvement in the total radiant flux Po depending on whether or not there is an opening in the white LED. The data on the left side of FIG. 7 is the ratio (C / A) of the total radiant flux Po of sample C to the total radiant flux Po of sample A. The data on the right side of FIG. 7 is the ratio (D / B) of the total radiant flux Po of sample D to the total radiant flux Po of sample B. That is, FIG. 7 shows how much the total radiant flux Po is improved when the opening W1 is provided and sealed with the phosphor resin 200.

図７に示すように、蛍光体樹脂２００による封止をしない場合に比べて、蛍光体樹脂２００により白色ＬＥＤにする場合には、全放射束Ｐｏが０．６４％向上する。   As shown in FIG. 7, the total radiant flux Po is improved by 0.64% when the white LED is formed by the phosphor resin 200 as compared with the case where the phosphor resin 200 is not used for sealing.

１…発光装置
１００…発光素子
１１０…基板
１２０…ｎ型半導体層
１３０…発光層
１４０…ｐ型半導体層
ＣＢ１…電流阻止層
ＴＥ１…透明導電酸化物
Ｆ１…誘電体膜
ＦＮ１、ＦＰ１…誘電体膜
ＲＮ１、ＲＰ１…反射膜
Ｎ１…ｎコンタクト電極
Ｎ２…ｎ配線電極
ＮＥ…ｎパッド電極
Ｐ１…ｐコンタクト電極
Ｐ２…ｐ配線電極
ＰＥ…ｐパッド電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light-emitting device 100 ... Light-emitting element 110 ... Substrate 120 ... N-type semiconductor layer 130 ... Light-emitting layer 140 ... P-type semiconductor layer CB1 ... Current blocking layer TE1 ... Transparent conductive oxide F1 ... Dielectric film FN1, FP1 ... Dielectric film RN1, RP1 ... reflective film N1 ... n contact electrode N2 ... n wiring electrode NE ... n pad electrode P1 ... p contact electrode P2 ... p wiring electrode PE ... p pad electrode

Claims (5)

白色光を発するIII 族窒化物半導体発光装置において、
基板と、
前記基板の上の半導体層と、
前記半導体層の上の透明導電酸化物と、
前記半導体層および前記透明導電酸化物の少なくとも一部を覆う誘電体膜と、
前記誘電体膜の上の蛍光体樹脂と、
を有し、
前記透明導電酸化物の屈折率は、前記蛍光体樹脂の屈折率よりも大きく、
前記蛍光体樹脂の屈折率は、前記誘電体膜の屈折率よりも大きく、
前記誘電体膜は、
前記透明導電酸化物の一部を露出させる開口部を有し、
前記III 族窒化物半導体発光装置は、
前記開口部において前記透明導電酸化物の上に前記蛍光体樹脂が直接接触して配置された第１の領域と、
前記透明導電酸化物の上に前記誘電体膜が配置されるとともに前記誘電体膜の上に前記蛍光体樹脂が配置された第２の領域と、
を有すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光装置。 In a group III nitride semiconductor light emitting device that emits white light,
A substrate,
A semiconductor layer on the substrate;
A transparent conductive oxide on the semiconductor layer;
A dielectric film covering at least a part of the semiconductor layer and the transparent conductive oxide;
A phosphor resin on the dielectric film;
Have
The refractive index of the transparent conductive oxide is larger than the refractive index of the phosphor resin,
The refractive index of the phosphor resin is larger than the refractive index of the dielectric film,
The dielectric film is
An opening exposing a portion of the transparent conductive oxide;
The group III nitride semiconductor light-emitting device is
A first region in which the phosphor resin is disposed in direct contact on the transparent conductive oxide in the opening;
A second region in which the dielectric film is disposed on the transparent conductive oxide and the phosphor resin is disposed on the dielectric film;
A Group III nitride semiconductor light-emitting device comprising: 請求項１に記載のIII 族窒化物半導体発光装置において、
前記透明導電酸化物の上に形成されたｐコンタクト電極およびｐ配線電極を有し、
前記ｐコンタクト電極および前記ｐ配線電極は、
前記誘電体膜に覆われており、
前記誘電体膜における前記ｐコンタクト電極の端部から前記開口部までの距離は、
前記透明導電酸化物からの前記ｐ配線電極の高さよりも大きいこと
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光装置。 The group III nitride semiconductor light-emitting device according to claim 1,
A p-contact electrode and a p-wiring electrode formed on the transparent conductive oxide;
The p contact electrode and the p wiring electrode are
Covered with the dielectric film,
The distance from the end of the p-contact electrode to the opening in the dielectric film is
A group III nitride semiconductor light emitting device, wherein the height of the p wiring electrode from the transparent conductive oxide is larger. 請求項１に記載のIII 族窒化物半導体発光装置において、
前記透明導電酸化物の上に形成されたｐ配線電極を有し、
前記ｐ配線電極は、
前記誘電体膜に覆われており、
前記誘電体膜における前記ｐ配線電極の端部から前記開口部までの距離は、
前記透明導電酸化物からの前記ｐ配線電極の高さよりも大きいこと
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光装置。 The group III nitride semiconductor light-emitting device according to claim 1,
Having a p-wiring electrode formed on the transparent conductive oxide;
The p wiring electrode is
Covered with the dielectric film,
The distance from the end of the p wiring electrode to the opening in the dielectric film is:
A group III nitride semiconductor light emitting device, wherein the height of the p wiring electrode from the transparent conductive oxide is larger. 請求項１に記載のIII 族窒化物半導体発光装置において、
前記透明導電酸化物の上に形成されたｐパッド電極を有し、
前記前記ｐパッド電極の一部は、
前記誘電体膜に覆われており、
前記誘電体膜における前記ｐパッド電極の端部から前記開口部までの距離は、
前記透明導電酸化物からの前記ｐパッド電極の高さよりも大きいこと
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光装置。 The group III nitride semiconductor light-emitting device according to claim 1,
A p-pad electrode formed on the transparent conductive oxide;
A part of the p-pad electrode is
Covered with the dielectric film,
The distance from the end of the p-pad electrode to the opening in the dielectric film is
A group III nitride semiconductor light-emitting device, wherein the height of the p-pad electrode from the transparent conductive oxide is larger. 白色光を発するIII 族窒化物半導体発光装置の製造方法において、
基板の上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層の上に透明導電酸化物を形成する透明導電酸化物形成工程と、
前記半導体層および前記透明導電酸化物の少なくとも一部を誘電体膜で覆う誘電体膜形成工程と、
前記誘電体膜の一部をウェットエッチングにより除去するとともに前記透明導電酸化物を露出させて開口部を形成する開口部形成工程と、
前記誘電体膜の上に蛍光体樹脂を形成する蛍光体樹脂形成工程と、
を有し、
前記蛍光体樹脂形成工程では、
前記開口部に露出している前記透明導電酸化物の上に前記蛍光体樹脂を直接接触させて第１の領域を形成するとともに、
前記誘電体膜の上に前記蛍光体樹脂を直接接触させて第２の領域を形成すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光装置の製造方法。 In a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device that emits white light,
A semiconductor layer forming step of forming a semiconductor layer on the substrate;
A transparent conductive oxide forming step of forming a transparent conductive oxide on the semiconductor layer;
A dielectric film forming step of covering at least a part of the semiconductor layer and the transparent conductive oxide with a dielectric film;
An opening forming step of removing a part of the dielectric film by wet etching and exposing the transparent conductive oxide to form an opening;
A phosphor resin forming step of forming a phosphor resin on the dielectric film;
Have
In the phosphor resin forming step,
Forming the first region by directly contacting the phosphor resin on the transparent conductive oxide exposed in the opening,
A method of manufacturing a group III nitride semiconductor light emitting device, wherein the second region is formed by directly contacting the phosphor resin on the dielectric film.
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