JP2017050377A - Wafer processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、表面に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハ、特に、表面に一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１の分割予定ラインと、第１の分割予定ラインと直交する方向に形成され第１の分割予定ラインとＴ字路となって交わる領域を有する複数の第２の分割予定ラインとを備え、第１の分割予定ラインと第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、分割予定ライン沿って分割するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a wafer in which devices are formed in a plurality of regions defined by a plurality of division lines formed on the surface, in particular, a plurality of first division schedules formed on the surface in parallel with each other in one direction. And a plurality of second scheduled division lines formed in a direction orthogonal to the first scheduled division line and having a region intersecting with the first scheduled division line as a T-junction, The present invention relates to a wafer processing method for dividing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by a line and a second division line, along the division line.
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。 In the semiconductor device manufacturing process, a plurality of areas are defined by division lines formed in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs and LSIs are formed in the partitioned areas. . Then, the semiconductor wafer is cut along the planned dividing line to divide the region where the device is formed to manufacture individual semiconductor chips. In addition, optical device wafers with gallium nitride compound semiconductors laminated on the surface of sapphire substrates are also divided into individual optical devices such as light-emitting diodes and laser diodes by cutting along the planned division lines, and are widely used in electrical equipment. It's being used.
近年、円板形状のウエーハに出来るだけ多くのデバイスを形成するために、表面に一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインと直交する方向に形成され第１の分割予定ラインとＴ字路となって交わる領域を有する複数の第２の分割予定ラインとを備え、第１の分割予定ラインと第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハが実用化されている。 In recent years, in order to form as many devices as possible on a disk-shaped wafer, a plurality of first division lines formed parallel to each other in one direction on the surface and orthogonal to the first division lines A plurality of second scheduled division lines having a region that intersects with the first scheduled division line and forms a T-junction, and is partitioned by the first scheduled division line and the second scheduled division line. Semiconductor wafers in which devices are formed in a plurality of regions have been put into practical use.
半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハの分割予定ラインに沿った切断は、通常ダイサーと呼ばれる切削装置によって行われている。しかるに、表面に出来るだけ多くのデバイスを形成するために、表面に一方の方向に互いに平行に連続して形成された複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインと直交する方向に非連続して形成され第１の分割予定ラインとＴ字路となって交わる複数の第２の分割予定ラインとを備えたウエーハにおいては分割予定ラインがジグザグになっていることから、切削装置による切削加工が不可能であるため、レーザー加工が用いられている。 Cutting along a division line of a wafer such as a semiconductor wafer or an optical device wafer is usually performed by a cutting apparatus called a dicer. However, in order to form as many devices as possible on the surface, a plurality of first division lines that are continuously formed parallel to each other in one direction on the surface and orthogonal to the first division lines In a wafer provided with a plurality of second scheduled division lines formed discontinuously in the direction and intersecting with the first scheduled division line as a T-junction, the planned division line is zigzag. Laser machining is used because cutting with an apparatus is impossible.
ウエーハを分割予定ラインに沿ってレーザー加工を施すことによって分割する方法として、ウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することにより破断の起点となるレーザー加工溝を形成し、この破断の起点となるレーザー加工溝が形成された分割予定ラインに沿って外力を付与することにより割断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 As a method of dividing the wafer by laser processing along the planned dividing line, a laser processing groove that becomes the starting point of breakage by irradiating the wafer along the planned dividing line with a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer. There has been proposed a method of forming and cleaving by applying an external force along a planned dividing line in which a laser-processed groove serving as a starting point of breakage is formed (see, for example, Patent Document 1).
しかるに、ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成すると、デブリが発生してデバイスの表面に付着し、デバイスの品質が低下するという問題がある。 However, when a laser processing groove is formed by irradiating a laser beam along a predetermined division line formed on the surface of the wafer, there is a problem that debris is generated and adheres to the surface of the device, thereby deteriorating the quality of the device.
このような問題を解消するために、デバイスが形成されていないウエーハの裏面側からウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を内部に位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成することにより、ウエーハを改質層が形成されることによって強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿って分割する加工方法が下記特許文献２に開示されている。 In order to solve such a problem, the condensing point of the laser beam having a wavelength having transparency to the wafer from the back side of the wafer on which no device is formed is positioned inside and irradiated along the planned division line. The following patent document discloses a processing method for dividing a wafer along a planned division line whose strength has been reduced by forming the modified layer along the planned division line inside the wafer. 2 is disclosed.
しかるに、表面に一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインと直交する方向に形成され第１の分割予定ラインとＴ字路となって交わる領域を有する複数の第２の分割予定ラインとを備え、第１の分割予定ラインと第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハにおいては、第１の分割予定ラインと第２の分割予定ラインがＴ字路となって交わる領域に後からレーザー光線を照射して改質層を形成する際に、次のような問題が発生する。
即ち、第１の分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成した後に、第２の分割予定ラインに沿って内部に改質層を形成すると、レーザー光線の集光点がＴ字路の交差点に近づくに連れて先に形成された改質層によって予期せぬ方向に反射せしめられたレーザー光線が０．５ｍｍ程の漏れ光となって発生する。この漏れ光が特にＴ字路の反対側に第１の分割予定ラインに沿って形成されたデバイスに作用して、デバイスを損傷しデバイスの品質を低下させるという問題がある。
However, a plurality of first division lines that are formed on the surface in parallel with each other in one direction, and a first division line that is formed in a direction perpendicular to the first division line and a T-junction. In a wafer comprising a plurality of second scheduled division lines having regions intersecting with each other, and a device is formed in a plurality of regions partitioned by the first scheduled division line and the second scheduled division line, The following problems occur when a modified layer is formed by irradiating a laser beam to a region where the planned dividing line and the second planned dividing line intersect with each other as a T-junction.
That is, when a modified layer is formed along the second planned division line after the modified layer is formed along the first planned division line, the condensing point of the laser beam becomes the intersection of the T-junction. As the laser beam approaches, a laser beam reflected in an unexpected direction by the previously formed modified layer is generated as leakage light of about 0.5 mm. There is a problem in that this leaked light acts on the device formed along the first division line on the opposite side of the T-junction, and damages the device and degrades the device quality.
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、表面に一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインと直交する方向に形成され第１の分割予定ラインとＴ字路となって交わる領域を有する複数の第２の分割予定ラインとを備え、第１の分割予定ラインと第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハであっても、デバイスを損傷させることなく第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って確実に分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and a main technical problem thereof is that a plurality of first division planned lines formed on the surface in parallel with each other in one direction and the first division planned lines. And a plurality of second scheduled division lines having a region that intersects with the first scheduled division line and forms a T-junction, and includes the first division planned line and the second scheduled division line. Processing of a wafer that can be reliably divided along the first division line and the second division line without damaging the device even if the wafer is a device in which devices are formed in a plurality of partitioned areas. It is to provide a method.
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインと直交する方向に形成され該第１の分割予定ラインとＴ字路となって交わる領域を有する複数の第２の分割予定ラインとを備え、該第１の分割予定ラインと該第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、該第１の分割予定ラインと該第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面側から内部に位置付けて該第２の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該第２の分割予定ラインに沿って改質層を形成する第１の改質層形成工程と、
該第１の改質層形成工程が実施されたウエーハに、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面側から内部に位置付けて該第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該第１の分割予定ラインに沿って改質層を形成する第２の改質層形成工程と、
該第１の改質層形成工程および該第２の改質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a plurality of first division lines formed on the surface in parallel with each other in one direction and a direction orthogonal to the first division line are formed. A plurality of second scheduled division lines having a region intersecting with the first scheduled division line as a T-junction, and partitioned by the first scheduled division line and the second scheduled division line A wafer processing method for dividing a wafer in which devices are formed in a plurality of regions into individual devices along the first division line and the second division line,
A condensing point of a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is positioned from the back side of the wafer to the inside and irradiated along the second division line, and the second division line is applied to the inside of the wafer. A first modified layer forming step of forming a modified layer along the line;
On the wafer on which the first modified layer forming step has been performed, a condensing point of a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is positioned from the back side of the wafer to the inside, along the first division line. A second modified layer forming step of forming a modified layer along the first division planned line inside the wafer,
An external force is applied to the wafer on which the first modified layer forming step and the second modified layer forming step have been performed, and the wafer is divided into a first division line and a second division on which the modified layer is formed. Splitting into individual devices along a planned line, and
A method for processing a wafer is provided.
本発明は、表面に一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１の分割予定ラインと、該第１の分割予定ラインと直交する方向に形成され第１の分割予定ラインとＴ字路となって交わる領域を有する複数の第２の分割予定ラインとを備え、第１の分割予定ラインと第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、第１の分割予定ラインと第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面側から内部に位置付けて第２の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に第２の分割予定ラインに沿って改質層を形成する第１の改質層形成工程と、該第１の改質層形成工程が実施されたウエーハに、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面側から内部に位置付けて第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に第１の分割予定ラインに沿って改質層を形成する第２の改質層形成工程と、第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程とを含んでいるので、第２の改質層形成工程において第１の分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射する際に、第２の分割予定ラインに沿って形成された改質層によって反射した漏れ光が発生するが、漏れ光は第１の分割予定ラインに沿ってレーザー光線の集光点の移動方向前方に形成されるので、デバイス側には漏れ光が発生しない。従って、第１の分割予定ラインに沿って形成されたデバイス側に漏れ光がアタックしてデバイスに損傷を与えることが防止される。 The present invention includes a plurality of first division lines formed on the surface in parallel to each other in one direction, a first division line formed in a direction orthogonal to the first division line, and a T-junction. A plurality of second scheduled division lines having regions that intersect with each other, and a wafer in which devices are formed in a plurality of regions partitioned by the first scheduled division line and the second scheduled division line, A method of processing a wafer that is divided into individual devices along a predetermined division line and a second division line, wherein a condensing point of a laser beam having a wavelength transmissive to the wafer is formed from the back side of the wafer. A first modified layer forming step of irradiating along the second scheduled division line and forming a modified layer along the second scheduled line inside the wafer, and the first modified layer Layer formation process is carried out The wafer is irradiated with a condensing point of a laser beam having a wavelength transparent to the wafer from the back side of the wafer along the first division line, and the first division is scheduled inside the wafer. A second modified layer forming step for forming a modified layer along the line, an external force is applied to the wafer on which the first modified layer forming step and the second modified layer forming step are performed, And a dividing step of dividing the device into individual devices along the first scheduled dividing line on which the modified layer is formed and the second scheduled dividing line. When irradiating the laser beam along the planned division line, leakage light reflected by the modified layer formed along the second division line is generated, but the leakage light is generated along the first division line. Condensing point of laser beam Because it is formed in the moving direction forwardly, light leakage does not occur on the device side. Therefore, it is possible to prevent leakage light from attacking the device side formed along the first planned dividing line and damaging the device.
以下、本発明によるウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。 Preferred embodiments of a wafer processing method according to the present invention will be described below in more detail with reference to the accompanying drawings.
図１には、本発明によるウエーハの加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向であるＸ軸方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット４とを具備している。 FIG. 1 is a perspective view of a laser processing apparatus for carrying out the wafer processing method according to the present invention. A laser processing apparatus 1 shown in FIG. 1 includes a stationary base 2 and a chuck table mechanism that is disposed on the stationary base 2 so as to be movable in the X-axis direction, which is a machining feed direction indicated by an arrow X, and holds a workpiece. 3 and a laser beam irradiation unit 4 as a laser beam irradiation means disposed on the base 2.
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上にＸ軸方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上にＸ軸方向に移動可能に配設された第１の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上にＸ軸方向と直交する矢印Ｙで示す割り出し送り方向であるＹ軸方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持された支持テーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１の上面である保持面上に被加工物である例えば円形状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、半導体ウエーハ等の被加工物をダイシングテープを介して支持する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。 The chuck table mechanism 3 includes a pair of guide rails 31 and 31 disposed in parallel along the X-axis direction on the stationary base 2, and is arranged on the guide rails 31 and 31 so as to be movable in the X-axis direction. A first slide block 32 provided, and a second slide arranged on the first slide block 32 so as to be movable in the Y-axis direction which is an indexing feed direction indicated by an arrow Y orthogonal to the X-axis direction. A block 33, a support table 35 supported by a cylindrical member 34 on the second sliding block 33, and a chuck table 36 as a workpiece holding means are provided. The chuck table 36 includes a suction chuck 361 made of a porous material, and holds, for example, a circular semiconductor wafer as a workpiece on a holding surface which is the upper surface of the suction chuck 361 by suction means (not shown). It is supposed to be. The chuck table 36 configured as described above is rotated by a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 34. The chuck table 36 is provided with a clamp 362 for fixing an annular frame that supports a workpiece such as a semiconductor wafer via a dicing tape.
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面にＹ軸方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動させるためのＸ軸方向移動手段３７を具備している。Ｘ軸方向移動手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第１の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿ってＸ軸方向に移動せしめられる。 The first sliding block 32 has a pair of guided grooves 321 and 321 fitted to the pair of guide rails 31 and 31 on the lower surface thereof, and is parallel to the upper surface along the Y-axis direction. A pair of formed guide rails 322 and 322 are provided. The first sliding block 32 configured in this manner moves in the X-axis direction along the pair of guide rails 31, 31 when the guided grooves 321, 321 are fitted into the pair of guide rails 31, 31. Configured to be possible. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment includes X-axis direction moving means 37 for moving the first slide block 32 in the X-axis direction along the pair of guide rails 31, 31. The X-axis direction moving means 37 includes a male screw rod 371 disposed in parallel between the pair of guide rails 31 and 31, and a drive source such as a pulse motor 372 for rotationally driving the male screw rod 371. Yes. One end of the male screw rod 371 is rotatably supported by a bearing block 373 fixed to the stationary base 2, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 372 by transmission. The male screw rod 371 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the first sliding block 32. Therefore, the first slide block 32 is moved in the X-axis direction along the guide rails 31 and 31 by driving the male screw rod 371 forward and backward by the pulse motor 372.
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６のＸ軸方向位置を検出するためのＸ軸方向位置検出手段３７４を備えている。Ｘ軸方向位置検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４ａと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４ａに沿って移動する読み取りヘッド３７４ｂとからなっている。このＸ軸方向位置検出手段３７４の読み取りヘッド３７４ｂは、図示の実施形態においては１μｍ毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のＸ軸方向位置を検出する。なお、上記Ｘ軸方向移動手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６のＸ軸方向位置を検出することもできる。また、上記Ｘ軸方向移動手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のＸ軸方向位置を検出することもできる。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes X-axis direction position detecting means 374 for detecting the X-axis direction position of the chuck table 36. The X-axis direction position detecting means 374 is a linear scale 374a disposed along the guide rail 31 and a reading that is disposed along the linear scale 374a together with the first sliding block 32 disposed along the first sliding block 32. It consists of a head 374b. In the illustrated embodiment, the reading head 374b of the X-axis direction position detecting means 374 sends a pulse signal of 1 pulse to the control means described later for every 1 μm. The control means described later detects the position of the chuck table 36 in the X-axis direction by counting the input pulse signals. When the pulse motor 372 is used as the drive source for the X-axis direction moving means 37, the drive pulse of the control means, which will be described later, that outputs a drive signal to the pulse motor 372 is counted. An axial position can also be detected. Further, when a servo motor is used as a drive source for the X-axis direction moving means 37, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to the control means described later, and the control means inputs it. By counting the pulse signal, the position of the chuck table 36 in the X-axis direction can also be detected.
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、Ｙ軸方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿ってＹ軸方向に移動させるためのＹ軸方向移動手段３８を具備している。Ｙ軸方向移動手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿ってＹ軸方向に移動せしめられる。 The second sliding block 33 is provided with a pair of guided grooves 331 and 331 which are fitted to a pair of guide rails 322 and 322 provided on the upper surface of the first sliding block 32 on the lower surface thereof. By fitting the guided grooves 331 and 331 to the pair of guide rails 322 and 322, the guided grooves 331 and 331 are configured to be movable in the Y-axis direction. The chuck table mechanism 3 in the illustrated embodiment has a Y-axis direction movement for moving the second sliding block 33 along the pair of guide rails 322 and 322 provided in the first sliding block 32 in the Y-axis direction. Means 38 are provided. The Y-axis direction moving means 38 includes a male screw rod 381 disposed in parallel between the pair of guide rails 322 and 322, and a drive source such as a pulse motor 382 for rotationally driving the male screw rod 381. Yes. One end of the male screw rod 381 is rotatably supported by a bearing block 383 fixed to the upper surface of the first sliding block 32, and the other end is connected to the output shaft of the pulse motor 382. The male screw rod 381 is screwed into a penetrating female screw hole formed in a female screw block (not shown) provided on the lower surface of the central portion of the second sliding block 33. Therefore, by driving the male screw rod 381 forward and backward by the pulse motor 382, the second slide block 33 is moved along the guide rails 322 and 322 in the Y-axis direction.
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３のＹ軸方向位置を検出するためのＹ軸方向位置検出手段３８４を備えている。Ｙ軸方向位置検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４ａと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４ａに沿って移動する読み取りヘッド３８４ｂとからなっている。このＹ軸方向位置検出手段３８４の読み取りヘッド３８４ｂは、図示の実施形態においては１μｍ毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のＹ軸方向位置を検出する。なお、上記Ｙ軸方向移動手段３８の駆動源としてパルスモータ３８２を用いた場合には、パルスモータ３８２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６のＹ軸方向位置を検出することもできる。また、上記Ｙ軸方向移動手段３８の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６のＹ軸方向位置を検出することもできる。 The laser processing apparatus in the illustrated embodiment includes Y-axis direction position detecting means 384 for detecting the Y-axis direction position of the second sliding block 33. The Y-axis direction position detecting means 384 is a linear scale 384a disposed along the guide rail 322, and a reading which is disposed along the linear scale 384a together with the second sliding block 33 disposed along the second sliding block 33. And a head 384b. In the illustrated embodiment, the reading head 384b of the Y-axis direction position detecting means 384 sends a pulse signal of one pulse every 1 μm to the control means described later. The control means described later detects the position of the chuck table 36 in the Y-axis direction by counting the input pulse signals. When the pulse motor 382 is used as a drive source for the Y-axis direction moving means 38, the drive pulse of the control means, which will be described later, that outputs a drive signal to the pulse motor 382 is counted. An axial position can also be detected. When a servo motor is used as a drive source for the Y-axis direction moving means 38, a pulse signal output from a rotary encoder that detects the rotation speed of the servo motor is sent to the control means described later, and the control means inputs it. By counting the pulse signal, the position of the chuck table 36 in the Y-axis direction can also be detected.
上記レーザー光線照射ユニット４は、上記基台２上に配設された支持部材４１と、該支持部材４１によって支持され実質上水平に延出するケーシング４２と、該ケーシング４２に配設されたレーザー光線照射手段５と、ケーシング４２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段６を具備している。なお、撮像手段６は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。 The laser beam irradiation unit 4 includes a support member 41 disposed on the base 2, a casing 42 supported by the support member 41 and extending substantially horizontally, and a laser beam irradiation disposed on the casing 42. Means 5 and imaging means 6 that is disposed at the front end of the casing 42 and detects a processing region to be laser processed are provided. In addition, in the illustrated embodiment, the imaging unit 6 is irradiated with an infrared illumination unit that irradiates a workpiece with infrared rays, in addition to a normal imaging device (CCD) that captures an image with visible light, and the infrared illumination unit. An optical system that captures infrared light and an image sensor (infrared CCD) that outputs an electrical signal corresponding to the infrared light captured by the optical system, and the like, send the captured image signal to a control means described later.
上記レーザー光線照射手段５について、図２を参照して説明する。
レーザー光線照射手段５は、パルスレーザー光線を発振するパルスレーザー光線発振手段５１と、パルスレーザー光線発振手段５１が発振したパルスレーザー光線を集光して上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器５２と、パルスレーザー光線発振手段５１と集光器５２との間に配設されパルスレーザー光線発振手段５１が発振したパルスレーザー光線を集光器５２とレーザー光線吸収手段５３に選択的に偏向する音響光学偏向手段５４を具備している。
The laser beam irradiation means 5 will be described with reference to FIG.
The laser beam irradiating means 5 includes a pulse laser beam oscillating means 51 that oscillates a pulse laser beam, and a condenser that condenses the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillating means 51 and irradiates the workpiece held on the chuck table 36. 52, an acousto-optic deflection unit that is disposed between the pulse laser beam oscillation unit 51 and the condenser 52 and selectively deflects the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillation unit 51 to the collector 52 and the laser beam absorption unit 53. 54.
上記パルスレーザー光線発振手段５１は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５１１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段５１２とから構成されている。パルスレーザー光線発振器５１１は、繰り返し周波数設定手段５１２によって設定された所定周波数のパルスレーザー光線（ＬＢ）を発振する。繰り返し周波数設定手段５１２は、パルスレーザー光線発振器５１１が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する。 The pulse laser beam oscillating means 51 includes a pulse laser beam oscillator 511 composed of a YAG laser oscillator or a YVO4 laser oscillator, and a repetition frequency setting means 512 attached thereto. The pulse laser beam oscillator 511 oscillates a pulse laser beam (LB) having a predetermined frequency set by the repetition frequency setting unit 512. The repetition frequency setting means 512 sets the repetition frequency of the pulse laser beam oscillated by the pulse laser beam oscillator 511.
上記音響光学偏向手段５４は、レーザー光線発振手段５１が発振したレーザー光線（ＬＢ）の光軸を集光器５２とレーザー光線吸収手段５３に選択的に偏向する音響光学素子５４１と、該音響光学素子５４１に印加するＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を生成するＲＦ発振器５４２と、該ＲＦ発振器５４２によって生成されたＲＦのパワーを増幅して音響光学素子５４１に印加するＲＦアンプ５４３と、ＲＦ発振器５４２によって生成されるＲＦの周波数を調整する偏向角度調整手段５４４と、ＲＦ発振器５４２によって生成されるＲＦの振幅を調整する出力調整手段５４５を具備している。上記音響光学素子５４１は、印加されるＲＦの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるＲＦの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記偏向角度調整手段５４４および出力調整手段５４５は、後述する制御手段によって制御される。 The acoustooptic deflecting means 54 includes an acoustooptic element 541 that selectively deflects the optical axis of the laser beam (LB) oscillated by the laser beam oscillating means 51 to the condenser 52 and the laser beam absorbing means 53, and the acoustooptic element 541. An RF oscillator 542 that generates an RF (radio frequency) to be applied, an RF amplifier 543 that amplifies the power of the RF generated by the RF oscillator 542 and applies it to the acoustooptic device 541, and an RF generated by the RF oscillator 542 Deflection angle adjusting means 544 for adjusting the frequency of the output, and output adjusting means 545 for adjusting the amplitude of the RF generated by the RF oscillator 542. The acoustooptic device 541 can adjust the angle of deflecting the optical axis of the laser beam in accordance with the frequency of the applied RF and adjust the output of the laser beam in accordance with the amplitude of the applied RF. Can do. The deflection angle adjusting unit 544 and the output adjusting unit 545 are controlled by a control unit described later.
上記集光器５２は、上記音響光学偏向手段５４によって偏向されたパルスレーザー光線を下方に向けて方向変換する方向変換ミラー５２１と、該方向変換ミラー５２１によって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ５２２を具備している。 The concentrator 52 condenses the direction changing mirror 521 that changes the direction of the pulse laser beam deflected by the acoustooptic deflecting unit 54 downward, and the laser beam changed in direction by the direction changing mirror 521. A lens 522 is provided.
図示の実施形態におけるレーザー照射手段５は以上のように構成されており、以下その作用について図２を参照して説明する。
音響光学偏向手段５４の偏向角度調整手段５４４に後述する制御手段から光軸偏向信号が印加されない場合には、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器５２に導かれる。一方、偏向角度調整手段５４４に後述する制御手段から例えば５Ｖの電圧が印加され、音響光学素子５４１に５Ｖに対応する周波数のＲＦが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段５３に導かれる。
The laser irradiation means 5 in the illustrated embodiment is configured as described above, and the operation thereof will be described below with reference to FIG.
When the optical axis deflection signal is not applied to the deflection angle adjusting means 544 of the acousto-optic deflection means 54 from the control means described later, the optical axis of the pulse laser beam oscillated from the pulse laser beam oscillation means 51 is a solid line in FIG. As shown, it is led to a collector 52. On the other hand, when a voltage of, for example, 5 V is applied to the deflection angle adjusting unit 544 from a control unit described later, and an RF having a frequency corresponding to 5 V is applied to the acoustooptic device 541, the pulse laser beam oscillation unit 51 oscillates. The pulsed laser beam is guided to the laser beam absorbing means 53 as indicated by the broken line in FIG.
図示のレーザー加工装置１は、図３に示す制御手段７を具備している。制御手段７はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）７１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）７２と、後述する被加工物の設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３と、入力インターフェース７４および出力インターフェース７５とを備えている。制御手段７の入力インターフェース７４には、上記加工送り量検出手段３７４、割り出し送り量検出手段３８４および撮像手段６等からの検出信号が入力される。そして、制御手段７の出力インターフェース７５からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、レーザー光線照射手段５のパルスレーザー光線発振手段５１および音響光学偏向手段５４等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３は、後述する検出値のデータや加工条件のデータを記憶する記憶領域を備えている。 The illustrated laser processing apparatus 1 includes a control means 7 shown in FIG. The control means 7 is constituted by a computer, and a central processing unit (CPU) 71 that performs arithmetic processing according to a control program, a read only memory (ROM) 72 that stores a control program and the like, and a design value of a workpiece to be described later. A readable / writable random access memory (RAM) 73 for storing data, calculation results, and the like, and an input interface 74 and an output interface 75 are provided. Detection signals from the machining feed amount detection means 374, the index feed amount detection means 384, the imaging means 6 and the like are input to the input interface 74 of the control means 7. A control signal is output from the output interface 75 of the control means 7 to the pulse motor 372, the pulse motor 382, the pulse laser beam oscillation means 51 of the laser beam irradiation means 5, the acousto-optic deflection means 54, and the like. The random access memory (RAM) 73 includes a storage area for storing detection value data and processing condition data, which will be described later.
次に、上述したレーザー加工装置１によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハについて、図４を参照して説明する。図４に示す半導体ウエーハ１０は、例えば厚さが１００μｍのシリコンウエーハからなっており、ウエーハ基板１００の表面１００ａに一方の方向に互いに平行に連続して形成された複数の第１の分割予定ライン１０１と、該第１の分割予定ライン１０１と直交する第２の方向に形成され第１の分割予定ライン１０１とＴ字路となって交わる領域を有する複数の第２の分割予定ライン１０２とを備えている。このように、複数の第１の分割予定ライン１０１と複数の第２の分割予定ライン１０２によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０３が形成されている。デバイス１０３は図示の実施形態においては平面が長方形状に形成されており、長辺が第１の分割予定ライン１０１と平行に形成され短辺が第２の分割予定ライン１０２に平行に形成されている。 Next, a semiconductor wafer as a wafer processed by the laser processing apparatus 1 described above will be described with reference to FIG. A semiconductor wafer 10 shown in FIG. 4 is made of, for example, a silicon wafer having a thickness of 100 μm, and a plurality of first division planned lines formed continuously on the surface 100a of the wafer substrate 100 in parallel in one direction. 101 and a plurality of second scheduled division lines 102 having a region intersecting with the first scheduled division line 101 and forming a T-junction in a second direction orthogonal to the first scheduled division line 101. I have. In this manner, devices 103 such as ICs and LSIs are formed in a plurality of regions partitioned by the plurality of first division planned lines 101 and the plurality of second division planned lines 102, respectively. In the illustrated embodiment, the device 103 has a rectangular plane, a long side formed in parallel with the first planned division line 101 and a short side formed in parallel with the second planned division line 102. Yes.
図４に示す半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の表面１００ａに形成された第１の分割予定ライン１０１と第２の分割予定ライン１０２の設計値であるＸ，Ｙ座標値が、上記制御手段７のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３に格納される。なお、図示の実施形態においては、図５の（ａ）および（ｂ）に示すように半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の裏面１００ｂからみた第１の分割予定ライン１０１と第２の分割予定ライン１０２のＸ，Ｙ座標値が制御手段７のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３に格納される。なお、図５の（ａ）に示す制御マップは半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００に形成された第１の分割予定ライン１０１がＸ座標と平行に位置付けられた状態を示しており、図５の（ｂ）に示す制御マップは半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００に形成された第２の分割予定ライン１０２がＸ座標と平行に位置付けられた状態を示している。 The X and Y coordinate values, which are the design values of the first scheduled dividing line 101 and the second scheduled divided line 102 formed on the surface 100a of the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 shown in FIG. It is stored in a random access memory (RAM) 73. In the illustrated embodiment, as shown in FIGS. 5A and 5B, the first scheduled dividing line 101 and the second scheduled divided line 102 as viewed from the back surface 100 b of the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10. Are stored in a random access memory (RAM) 73 of the control means 7. The control map shown in FIG. 5A shows a state where the first division line 101 formed on the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 is positioned parallel to the X coordinate. The control map shown in b) shows a state in which the second scheduled division line 102 formed on the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 is positioned parallel to the X coordinate.
次に、上述した半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の表面１００ａに形成された第１の分割予定ライン１０１と第２の分割予定ライン１０２に沿ってレーザー光線を照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第１の分割予定ライン１０１および第２の分割予定ライン１０２に沿って改質層を形成するレーザー加工方法について説明する。
先ず、上述した半導体ウエーハ１０は、図６に示すように環状のフレームＦに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなるダイシングテープＴに表面１００ａ側を貼着する。従って、半導体ウエーハ１０は、裏面１００ｂが上側となる。
Next, a laser beam is irradiated along the first scheduled dividing line 101 and the second scheduled divided line 102 formed on the surface 100 a of the wafer substrate 100 of the semiconductor wafer 10 described above, and the first inside the semiconductor wafer 10 is irradiated. A laser processing method for forming a modified layer along the scheduled division line 101 and the second scheduled line 102 will be described.
First, the semiconductor wafer 10 described above is bonded to the surface 100a side on a dicing tape T made of a synthetic resin sheet such as polyolefin mounted on an annular frame F as shown in FIG. Accordingly, the back surface 100b of the semiconductor wafer 10 is on the upper side.
図６に示すように、環状のフレームＦにダイシングテープＴを介して支持された半導体ウエーハ１０は、図１に示すレーザー加工装置１のチャックテーブル３６上にダイシングテープＴ側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ１０は、ダイシングテープＴを介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレームＦは、クランプ３６２によって固定される。このようにしてチャックテーブル３６上に吸引保持された半導体ウエーハ１０は、図５の（ａ）に示す座標値に位置付けられたことになる。 As shown in FIG. 6, the semiconductor wafer 10 supported on the annular frame F via the dicing tape T places the dicing tape T side on the chuck table 36 of the laser processing apparatus 1 shown in FIG. Then, by operating a suction means (not shown), the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 via the dicing tape T. The annular frame F is fixed by a clamp 362. The semiconductor wafer 10 sucked and held on the chuck table 36 in this way is positioned at the coordinate values shown in FIG.
上述したようにチャックテーブル３６上に半導体ウエーハ１０を吸引保持したならば、加工送り手段３７を作動してチャックテーブル３６を撮像手段６の直下に位置付ける。チャックテーブル３６が撮像手段６の直下に位置付けられると、撮像手段６および制御手段７によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段６および制御手段７は、半導体ウエーハ１０の第１の分割予定ライン１０１と、第１の分割予定ライン１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメント工程を遂行する。また、半導体ウエーハ１０に形成されている第２の分割予定ライン１０２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ１０の第１の分割予定ライン１０１および第２の分割予定ライン１０２が形成されている表面１００ａは下側に位置しているが、撮像手段６が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面１００ｂから透かして第１の分割予定ライン１０１および第２の分割予定ライン１０２を撮像することができる。 If the semiconductor wafer 10 is sucked and held on the chuck table 36 as described above, the machining feed means 37 is operated to position the chuck table 36 directly below the imaging means 6. When the chuck table 36 is positioned immediately below the image pickup means 6, the image pickup means 6 and the control means 7 execute an alignment operation for detecting a processing region to be laser processed of the semiconductor wafer 10. That is, the imaging unit 6 and the control unit 7 are positioned at the first division line 101 of the semiconductor wafer 10 and the condenser 52 of the laser beam irradiation unit 5 that irradiates the laser beam along the first division line 101. Image processing such as pattern matching for matching is performed, and an alignment process of the laser beam irradiation position is performed. Similarly, the alignment of the laser beam irradiation position is also performed on the second scheduled division line 102 formed on the semiconductor wafer 10. At this time, the surface 100a of the semiconductor wafer 10 on which the first planned division line 101 and the second planned division line 102 are formed is positioned on the lower side, but the imaging means 6 is the infrared illumination means as described above. And an image pickup means (infrared CCD) that outputs an electric signal corresponding to the infrared light and an optical system that captures the infrared light, and the like. Can be imaged.
上述したアライメント工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を半導体ウエーハ１０の裏面側から内部に位置付けて第２の分割予定ライン１０２に沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第２の分割予定ライン１０２に沿って改質層を形成する第１の改質層形成工程を実施する。この第１の改質層形成工程を実施するには、チャックテーブル３６に吸引保持されている半導体ウエーハ１０に形成された第２の分割予定ライン１０２を加工送り方向であるＸ軸方向と平行に位置付けるウエーハ位置付け工程を実施する。もし、第２の分割予定ライン１０２が加工送り方向であるＸ軸方向と平行でない場合には、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６を回動して第２の分割予定ライン１０２が加工送り方向であるＸ軸方向と平行になるように位置付ける。 If the alignment process described above is performed, the condensing point of the laser beam having a wavelength that is transmissive to the semiconductor wafer 10 is positioned from the back surface side of the semiconductor wafer 10 and irradiated along the second scheduled dividing line 102. Then, a first modified layer forming step is performed in which a modified layer is formed along the second scheduled division line 102 inside the semiconductor wafer 10. In order to perform the first modified layer forming step, the second scheduled dividing line 102 formed on the semiconductor wafer 10 sucked and held by the chuck table 36 is parallel to the X-axis direction that is the processing feed direction. A wafer positioning process is performed. If the second scheduled division line 102 is not parallel to the X-axis direction, which is the machining feed direction, the chuck table 36 that sucks and holds the semiconductor wafer 10 is rotated so that the second scheduled division line 102 is fed by machining. It is positioned so as to be parallel to the X-axis direction.
上述したウエーハ位置付け工程を実施したならば、図７の（ａ）で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第２の分割予定ライン１０２の一端（図７の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５の集光器５２の直下に位置付ける。次に、集光器５２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の厚み方向中間部に位置付ける。そして、集光器５２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図７の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（第１の改質層形成工程）。この第１の改質層形成工程を実施する際に、第１の分割予定ライン１０１とＴ字路となって交わる領域を有する第２の分割予定ライン１０２に対しては、集光器５２から照射されるパルスレーザー光線を次のように制御する。 When the wafer positioning step described above is performed, the chuck table 36 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 52 of the laser beam irradiation means 5 for irradiating the laser beam is positioned as shown in FIG. One end (the left end in FIG. 7A) of the second scheduled division line 102 is positioned directly below the condenser 52 of the laser beam irradiation means 5. Next, the condensing point P of the pulsed laser beam irradiated from the concentrator 52 is positioned at the intermediate portion in the thickness direction of the semiconductor wafer 10. Then, the chuck table 36 is moved at a predetermined feed speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 1 modified layer forming step). When the first modified layer forming step is performed, the second dividing line 102 having a region intersecting with the first dividing line 101 as a T-junction is supplied from the condenser 52. The irradiated pulsed laser beam is controlled as follows.
即ち、図７の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ１０に形成された第２の分割予定ライン１０２がレーザー光線照射手段５の集光器５２の直下を移動している際には、制御手段７はレーザー光線照射手段５の偏向角度調整手段５４４への電圧の印加を停止するように制御する。従って、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器５２に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０に形成された第２の分割予定ライン１０２に沿って照射される（第１の改質層形成工程）。この結果、図７の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ１０の内部には第２の分割予定ライン１０２に沿って改質層１１０が形成される。そして、図７の（ｂ）に示すように第２の分割予定ライン１０２と第１の分割予定ライン１０１とのＴ字路となって交わる交差点に達したら、制御手段７はレーザー光線照射手段５の偏向角度調整手段５４４に５Ｖの電圧を印加するように制御し、音響光学素子５４１に５Ｖに対応する周波数のＲＦを印加する。この結果、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段５３に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０には照射されない。そして、デバイス１０３を跨いで次の第２の分割予定ライン１０２と第１の分割予定ライン１０１とのＴ字路となって交わる交差点が集光器５２の直下に達したら、制御手段７はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段５４４への電圧の印加を停止するように制御する。この結果、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器５２に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０に照射され、図７の（ｂ）に示すように第２の分割予定ライン１０２に沿って改質層１１０が形成される。この第１の改質層形成工程を半導体ウエーハ１０に形成された全ての第２の分割予定ライン１０２に沿って実施することにより、半導体ウエーハ１０の内部には図８に示すように全ての第２の分割予定ライン１０２に沿って改質層１１０が形成される。なお、上記制御手段７によるレーザー光線照射手段５の偏向角度調整手段５４４への電圧制御は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図５の（ｂ）に示す制御マップおよび加工送り量検出手段３７４からの検出信号に基づいて実施される。 That is, as shown in FIG. 7B, when the second scheduled division line 102 formed on the semiconductor wafer 10 is moving immediately below the condenser 52 of the laser beam irradiation means 5, the control means 7 Controls to stop the application of voltage to the deflection angle adjusting means 544 of the laser beam irradiation means 5. Accordingly, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 51 is guided to the condenser 52 as shown by the solid line in FIG. 2 and is formed on the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36. Irradiation is performed along two scheduled division lines 102 (first modified layer forming step). As a result, as shown in FIG. 7B, the modified layer 110 is formed along the second scheduled division line 102 inside the semiconductor wafer 10. Then, as shown in (b) of FIG. 7, when reaching the intersection where the second scheduled division line 102 and the first scheduled division line 101 intersect as a T-junction, the control means 7 determines the laser beam irradiation means 5. Control is performed so that a voltage of 5 V is applied to the deflection angle adjusting means 544, and RF having a frequency corresponding to 5 V is applied to the acoustooptic device 541. As a result, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 51 is guided to the laser beam absorbing means 53 as shown by a broken line in FIG. 2, and is not irradiated to the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36. . When the intersection where the next second division planned line 102 and the first planned division line 101 intersect with each other as a T-junction crossing the device 103 reaches just below the condenser 52, the control means 7 Control is performed to stop the application of voltage to the deflection angle adjusting means 544 of the irradiation means 52. As a result, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 51 is guided to the condenser 52 with its optical axis shown by the solid line in FIG. As shown in FIG. 7B, the modified layer 110 is formed along the second scheduled dividing line 102. By performing this first modified layer forming step along all the second scheduled division lines 102 formed on the semiconductor wafer 10, all the second modified layers are formed inside the semiconductor wafer 10 as shown in FIG. The modified layer 110 is formed along the two division lines 102. Note that the voltage control to the deflection angle adjusting unit 544 of the laser beam irradiation unit 5 by the control unit 7 is performed by the control map and the processing feed amount detection shown in FIG. 5B stored in the random access memory (RAM) 83. This is performed based on the detection signal from the means 374.
なお、上記第１の改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
波長 ：１０６４ｎｍ、１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力 ：０．５Ｗ
集光スポット径 ：φ３μｍ
加工送り速度 ：２００ｍｍ／秒
The processing conditions in the first modified layer forming step are set as follows, for example.
Wavelength: 1064 nm, 1342 nm
Repetition frequency: 100 kHz
Average output: 0.5W
Condensing spot diameter: φ3μm
Processing feed rate: 200 mm / sec
上述したように第１の改質層形成工程を半導体ウエーハ１０に形成された全ての第２の分割予定ライン１０２に沿って実施したならば、半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を半導体ウエーハ１０の裏面側から内部に位置付けて第１の分割予定ラインに沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第１の分割予定ラインに沿って改質層を形成する第２の改質層形成工程を実施する。この第２の改質層形成工程を実施するには、上記第１の改質層形成工程が実施された半導体ウエーハ１０を保持しているチャックテーブル３６を９０度回動して第１の分割予定ライン１０１を加工送り方向であるＸ軸方向と平行になるように位置付ける（ウエーハ位置付け工程）。 As described above, if the first modified layer forming step is performed along all the second scheduled division lines 102 formed on the semiconductor wafer 10, a laser beam having a wavelength that is transmissive to the semiconductor wafer 10. The condensing point is positioned inside from the back side of the semiconductor wafer 10 and irradiated along the first division line, and a modified layer is formed inside the semiconductor wafer 10 along the first division line. The modified layer forming step 2 is performed. In order to perform the second modified layer forming step, the chuck table 36 holding the semiconductor wafer 10 on which the first modified layer forming step is performed is rotated 90 degrees to perform the first division. The planned line 101 is positioned so as to be parallel to the X-axis direction that is the machining feed direction (wafer positioning step).
上述したウエーハ位置付け工程を実施したならば、図９の（ａ）で示すようにチャックテーブル３６をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５の集光器５２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の第１の分割予定ライン１０１の一端（図９の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５の集光器５２の直下に位置付ける。次に、集光器５２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ１０の厚み方向中間部に位置付ける。そして、制御手段７はレーザー光線照射手段５のパルスレーザー光線発振手段５１を作動するとともに偏向角度調整手段５４４への電圧の印加を停止するように制御する。この結果、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器５２に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０に照射される。このようにして、集光器５２からシリコンウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル３６を図９の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめる（第２の改質層形成工程）。そして、第１の分割予定ライン１０１の他端がレーザー光線照射手段５の集光器５２の直下に達したら、制御手段７はレーザー光線照射手段５の偏向角度調整手段５４４に５Ｖの電圧を印加するように制御し、音響光学素子５４１に５Ｖに対応する周波数のＲＦを印加する。この結果、パルスレーザー光線発振手段５１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段５３に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０には照射されない。また、制御手段７はチャックテーブル３６の移動を停止する。なお、上記制御手段７によるレーザー光線照射手段５の偏向角度調整手段５４４への電圧制御は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）７３に格納されている図５の（ａ）に示す制御マップおよび加工送り量検出手段３７４からの検出信号に基づいて実施される。また、第２の改質層形成工程における加工条件は、上記第１の改質層形成工程の加工条件と同様に設定されている。 When the wafer positioning step described above is performed, the chuck table 36 is moved to the laser beam irradiation region where the condenser 52 of the laser beam irradiation means 5 for irradiating the laser beam is positioned as shown in FIG. One end of the first scheduled division line 101 (left end in FIG. 9A) is positioned directly below the condenser 52 of the laser beam irradiation means 5. Next, the condensing point P of the pulsed laser beam irradiated from the concentrator 52 is positioned at the intermediate portion in the thickness direction of the semiconductor wafer 10. Then, the control unit 7 controls the pulsed laser beam oscillation unit 51 of the laser beam irradiation unit 5 to operate and stops the application of voltage to the deflection angle adjustment unit 544. As a result, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 51 is guided to the condenser 52 with its optical axis shown by the solid line in FIG. . In this manner, the chuck table 36 is moved at a predetermined feed speed in the direction indicated by the arrow X1 in FIG. 9A while irradiating the pulse laser beam having a wavelength that is transmissive to the silicon wafer from the condenser 52. (Second modified layer forming step). When the other end of the first scheduled dividing line 101 reaches just below the condenser 52 of the laser beam irradiation means 5, the control means 7 applies a voltage of 5V to the deflection angle adjustment means 544 of the laser beam irradiation means 5. And RF having a frequency corresponding to 5 V is applied to the acoustooptic device 541. As a result, the pulsed laser beam oscillated from the pulsed laser beam oscillating means 51 is guided to the laser beam absorbing means 53 as shown by a broken line in FIG. 2, and is not irradiated to the semiconductor wafer 10 held on the chuck table 36. . Further, the control means 7 stops the movement of the chuck table 36. The voltage control to the deflection angle adjusting means 544 of the laser beam irradiation means 5 by the control means 7 is performed in the control map and machining feed amount detection shown in FIG. 5A stored in the random access memory (RAM) 73. This is performed based on the detection signal from the means 374. Further, the processing conditions in the second modified layer forming step are set similarly to the processing conditions in the first modified layer forming step.
上述したように第２の改質層形成工程を実施することにより、図９の（ｂ）に示すように第１の分割予定ライン１０１に沿って改質層１１０が形成される。この第２の改質層形成工程を実施する際には第２の分割予定ライン１０２に沿って形成された改質層１１０によって反射した漏れ光ＬＢ１が発生するが、この漏れ光ＬＢ１は第１の分割予定ライン１０１に沿ってパルスレーザー光線の集光点の移動方向前方（半導体ウエーハ１０を保持したチャックテーブル３６の移動方向Ｘ１と反対の方向）に形成されるので、デバイス側には漏れ光が発生しない。従って、第１の分割予定ライン１０１と長辺が平行に形成されたデバイス１０３側に漏れ光がアタックしてデバイス１０３に損傷を与えることが防止される。 By performing the second modified layer forming step as described above, the modified layer 110 is formed along the first scheduled dividing line 101 as shown in FIG. 9B. When the second modified layer forming step is performed, leaked light LB1 reflected by the modified layer 110 formed along the second scheduled division line 102 is generated. The leaked light LB1 is the first leaked light LB1. Is formed in front of the moving direction of the condensing point of the pulse laser beam (in the direction opposite to the moving direction X1 of the chuck table 36 holding the semiconductor wafer 10) along the scheduled division line 101, so that leakage light is generated on the device side. Does not occur. Therefore, it is possible to prevent leakage light from attacking the device 103 side having the long side parallel to the first division line 101 and damaging the device 103.
以上のようにして、第１の改質層形成工程および第２の改質層形成工程が実施されたならば、半導体ウエーハ１０に外力を付与し、半導体ウエーハ１０を改質層１１０が形成された第１の分割予定ライン１０１および第２の分割予定ライン１０２に沿って個々のデバイスに分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図１０に示す分割装置６を用いて実施する。図１０に示す分割装置６は、上記環状のフレームＦを保持するフレーム保持手段６１と、該フレーム保持手段６１に保持された環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴを拡張するテープ拡張手段６２と、ピックアップコレット６３を具備している。フレーム保持手段６１は、環状のフレーム保持部材６１１と、該フレーム保持部材６１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６１２とからなっている。フレーム保持部材６１１の上面は環状のフレームＦを載置する載置面６１１ａを形成しており、この載置面６１１ａ上に環状のフレームＦが載置される。そして、載置面６１１ａ上に載置された環状のフレームＦは、クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６１は、テープ拡張手段６２によって上下方向に進退可能に支持されている。 When the first modified layer forming step and the second modified layer forming step are performed as described above, an external force is applied to the semiconductor wafer 10, and the modified layer 110 is formed on the semiconductor wafer 10. Further, a dividing step of dividing the device into individual devices along the first scheduled dividing line 101 and the second scheduled dividing line 102 is performed. This dividing step is performed using a dividing device 6 shown in FIG. 10 includes a frame holding means 61 for holding the annular frame F and a tape extending means 62 for expanding the dicing tape T attached to the annular frame F held by the frame holding means 61. And a pickup collet 63. The frame holding means 61 includes an annular frame holding member 611 and a plurality of clamps 612 as fixing means provided on the outer periphery of the frame holding member 611. An upper surface of the frame holding member 611 forms a placement surface 611a on which the annular frame F is placed, and the annular frame F is placed on the placement surface 611a. The annular frame F placed on the placement surface 611a is fixed to the frame holding member 611 by the clamp 612. The frame holding means 61 configured in this manner is supported by the tape expanding means 62 so as to be able to advance and retract in the vertical direction.
テープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１の内側に配設される拡張ドラム６２１を具備している。この拡張ドラム６２１は、環状のフレームＦの内径より小さく該環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴに貼着されている半導体ウエーハ１０の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム６２１は、下端に支持フランジ６２２を備えている。図示のテープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１を上下方向に進退可能な支持手段６２３を具備している。この支持手段６２３は、上記支持フランジ６２２上に配設された複数のエアシリンダ６２３ａからなっており、そのピストンロッド６２３ｂが上記環状のフレーム保持部材６１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６２３ａからなる支持手段６２３は、図１１の（ａ）に示すように環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、図１１の（ｂ）に示すように拡張ドラム６２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。 The tape expansion means 62 includes an expansion drum 621 disposed inside the annular frame holding member 611. The expansion drum 621 has an inner diameter and an outer diameter smaller than the inner diameter of the annular frame F and larger than the outer diameter of the semiconductor wafer 10 attached to the dicing tape T attached to the annular frame F. Further, the expansion drum 621 includes a support flange 622 at the lower end. The illustrated tape expansion means 62 includes support means 623 capable of moving the annular frame holding member 611 up and down in the vertical direction. The support means 623 includes a plurality of air cylinders 623 a disposed on the support flange 622, and the piston rod 623 b is connected to the lower surface of the annular frame holding member 611. As described above, the support means 623 including the plurality of air cylinders 623a is configured such that the annular frame holding member 611 is placed at the reference position where the mounting surface 611a is substantially at the same height as the upper end of the expansion drum 621 as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 11 (b), it is moved in the vertical direction between the extended positions below the upper end of the expansion drum 621 by a predetermined amount.
以上のように構成された分割装置６を用いて実施する分割工程について図１１を参照して説明する。即ち、半導体ウエーハ１０が貼着されているダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを、図１１の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し、クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する（フレーム保持工程）。このとき、フレーム保持部材６１１は図１１（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段６２を構成する支持手段６２３としての複数のエアシリンダ６２３ａを作動して、環状のフレーム保持部材６１１を図１１の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に固定されている環状のフレームＦも下降するため、図１１の（ｂ）に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム６２１の上端縁に接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、ダイシングテープＴに貼着されている半導体ウエーハ１０には放射状に引張力が作用するため、半導体ウエーハ１０は改質層１１０が形成され強度が低下せしめられた第１の分割予定ライン１０１および第２の分割予定ライン１０２に沿って個々のデバイス１０３に分割されるとともに、デバイス１０３間に間隔（ｓ）が形成される。 A dividing process performed using the dividing apparatus 6 configured as described above will be described with reference to FIG. That is, the annular frame F on which the dicing tape T to which the semiconductor wafer 10 is attached is attached to the mounting surface 611a of the frame holding member 611 constituting the frame holding means 61 as shown in FIG. It is placed on and fixed to the frame holding member 611 by the clamp 612 (frame holding step). At this time, the frame holding member 611 is positioned at the reference position shown in FIG. Next, the plurality of air cylinders 623a as the supporting means 623 constituting the tape extending means 62 are operated to lower the annular frame holding member 611 to the extended position shown in FIG. Accordingly, since the annular frame F fixed on the mounting surface 611a of the frame holding member 611 is also lowered, the dicing tape T attached to the annular frame F is an expansion drum as shown in FIG. Expansion is performed in contact with the upper edge of 621 (tape expansion process). As a result, since the tensile force acts radially on the semiconductor wafer 10 adhered to the dicing tape T, the semiconductor wafer 10 is formed with the modified layer 110 and the first division planned line 101 in which the strength is lowered. In addition, the device is divided into individual devices 103 along the second division line 102 and a space (s) is formed between the devices 103.
次に、図１１の（ｃ）に示すようにピックアップコレット６３を作動してデバイス１０３を吸着して、ダイシングテープＴから剥離してピックアップし、図示しないトレーまたはダイボンディング工程に搬送する。なお、ピックアップ工程においては、上述したようにダイシングテープＴに貼着されている個々のデバイス１０３間の間隔（ｓ）が形成されているので、隣接するデバイス１０３と接触することなく容易にピックアップすることができる。 Next, as shown in FIG. 11C, the pick-up collet 63 is operated to attract the device 103, peel off from the dicing tape T, pick up, and transport to a tray or die bonding process (not shown). In the pick-up process, as described above, since the interval (s) between the individual devices 103 attached to the dicing tape T is formed, the pick-up process can be easily performed without contacting the adjacent devices 103. be able to.
１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット
５：レーザー光線照射手段
５１：パルスレーザー光線発振手段
５２：集光器
５３：レーザー光線吸収手段
５４：音響光学偏向手段
６：撮像手段
７：制御手段
１０：半導体ウエーハ
１０１：第１の分割予定ライン
１０２：第２の分割予定ライン
１０３：デバイス
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：ダイシングテープ
1: Laser processing device 2: Stationary base 3: Chuck table mechanism 36: Chuck table 37: Processing feed means 38: Indexing feed means 4: Laser beam irradiation unit 5: Laser beam irradiation means 51: Pulse laser beam oscillation means 52: Condenser 53: Laser beam absorbing means 54: Acousto-optic deflection means 6: Imaging means 7: Control means 10: Semiconductor wafer 101: First division planned line 102: Second division planned line 103: Device F: Ring frame T: Dicing tape
Claims (1)
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面側から内部に位置付けて該第２のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該第２の分割予定ラインに沿って改質層を形成する第１の改質層形成工程と、
該第１の改質層形成工程が実施されたウエーハに、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの裏面側から内部に位置付けて該第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に該第１の分割予定ラインに沿って改質層を形成する第２の改質層形成工程と、
該第１の改質層形成工程および該第２の改質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された第１の分割予定ラインおよび第２の分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。 A plurality of first planned dividing lines formed on the surface in parallel with each other in one direction, and formed in a direction orthogonal to the first planned dividing line and the first planned dividing line and a T-junction. A wafer having a plurality of second division lines having intersecting areas, and a device in which devices are formed in a plurality of areas defined by the first division lines and the second division lines. A method of processing a wafer that is divided into individual devices along the line to be divided and the second line to be divided,
A condensing point of a laser beam having a wavelength that is transparent to the wafer is positioned along the second street from the back side of the wafer and irradiated along the second divided line along the second division line. A first modified layer forming step of forming a modified layer;
On the wafer on which the first modified layer forming step has been performed, a condensing point of a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer is positioned from the back side of the wafer to the inside, along the first division line. A second modified layer forming step of forming a modified layer along the first division planned line inside the wafer,
An external force is applied to the wafer on which the first modified layer forming step and the second modified layer forming step have been performed, and the wafer is divided into a first division line and a second division on which the modified layer is formed. Splitting into individual devices along a planned line, and
A method for processing a wafer.
Priority Applications (1)
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| JP2015171874A JP2017050377A (en) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | Wafer processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015171874A JP2017050377A (en) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | Wafer processing method |
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ID=58280253
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| JP2015171874A Pending JP2017050377A (en) | 2015-09-01 | 2015-09-01 | Wafer processing method |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021022708A (en) * | 2019-07-30 | 2021-02-18 | 株式会社ディスコ | Chip manufacturing method |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123723A (en) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser processing method of wafer |
-
2015
- 2015-09-01 JP JP2015171874A patent/JP2017050377A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010123723A (en) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | Laser processing method of wafer |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021022708A (en) * | 2019-07-30 | 2021-02-18 | 株式会社ディスコ | Chip manufacturing method |
| JP7349841B2 (en) | 2019-07-30 | 2023-09-25 | 株式会社ディスコ | Chip manufacturing method |
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