JP2017046014A

JP2017046014A - 光半導体装置

Info

Publication number: JP2017046014A
Application number: JP2016234164A
Authority: JP
Inventors: 三木　倫英; Michihide Miki; 倫英三木; 玉置　寛人; Hiroto Tamaoki; 寛人玉置; 高尾　大輔; Daisuke Takao; 大輔高尾
Original assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Current assignee: Nichia Chemical Industries Ltd
Priority date: 2016-12-01
Filing date: 2016-12-01
Publication date: 2017-03-02

Abstract

【課題】薄型で光取り出し効率の高い光半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】第１の導電部材及び第２の導電部材と、前記第１の導電部材及び第２の導電部材の間に配置される基体と、前記第１の導電部材及び前記第２の導電部材上に、導電性ワイヤを用いずに接合された発光素子とを備える光半導体装置であって、前記第１の導電部材及び前記第２の導電部材は、前記光半導体装置の下面において外表面を構成しており、かつ鍍金を備え、該鍍金の湾曲した面が前記基体と密着し、前記第１の導電部材及び前記第２導電部材は、前記発光素子との直接接続に必要な面積を有している光半導体装置。【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、光半導体装置に関する。

近年、電子機器の小型化・軽量化に伴い、それらに搭載される光半導体装置（発光ダイ
オード）、受光装置（ＣＣＤ）等の光半導体装置も小型化されたものが種々開発されてい
る。これらの光半導体装置は、例えば、絶縁基板の両面にそれぞれ形成された一対の金属
導体パターンを有する両面スルーホールプリント基板上に、発光素子、受光素子等の光半
導体素子を載置し、ワイヤ等を用いて金属導体パターンと光半導体素子とを電気的に導通
させた構造を有している。

しかし、両面スルーホールプリント基板は、少なくとも０．１ｍｍ程度以上の厚みがあ
るため、表面実装型光半導体装置の徹底した薄型化を阻害する要因となっている。そのた
め、このようなプリント基板を使用しない構造の光半導体装置が開発されている（例えば
、特許文献１）。

特許文献１に開示されている光半導体装置は、基板に蒸着等によって薄い金属膜を形成
し、これを電極とし、発光素子とともに透光性樹脂で封止することで、従来の表面実装型
の光半導体装置に比べて薄型化が可能となっている。
しかし、透光性樹脂のみを用いているため、光が発光素子から下面方向に抜け、光の取
り出し効率が低下しやすい。また、ディスプレイ等に用いる場合、コントラストが悪くな
り易い。

また、特許文献１には、基板に凹凸を設け、その凹凸表面に擂鉢状の金属膜を設けるこ
とによって、光を反射させる構造が開示されている。
しかし、光半導体装置の小型化に伴って、基板の凹凸も極めて微細なものになり、加工
が困難になるだけでなく、凹凸構造により基板の剥離時に破損しやすく、歩留まりが低下
する等の問題が生じやすい。

一方、従来から、光半導体装置の封止樹脂の一例として、熱可塑性樹脂からなるリフレ
クタを光半導体素子の外周に配置するとともに、光半導体素子を載置するリードフレーム
表面の一部上にもリフレクタの一部を配置させる光半導体装置が提案されている（例えば
、特許文献２）。
このようなリフレクタは、通常、リードフレームを、射出工具に挟んで射出することに
よって形成されるが、熱可塑性樹脂は、流動特性上、ある程度の厚みでしか形成すること
ができない。よって、光半導体素子自体の小型化・軽量化が進む近年の要求を十分満足さ
せることができないという課題がある。

特開２００５−７９３２９号公報特表２００２−５２０８２３号公報

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、光の取り出し効率の向上とともに、よ
り小型化・軽量化を実現することができる光半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の光半導体装置の製造方法は、
支持基板上に、互いに離間する第１及び第２の導電部材を形成し、該第１及び第２の導
電部材の上面の少なくとも一部を保護膜で被覆する第１の工程と、
前記第１及び第２の導電部材の間に遮光性の熱硬化性樹脂を含む基体を形成する第２の
工程と、
前記保護膜を除去し、該保護膜を除去した前記第１及び／又は第２の導電部材上に光半
導体素子を載置し、前記光半導体素子を、透光性樹脂からなる封止部材で被覆する第３の
工程と、
前記支持基板を除去する第４の工程と、
前記基体を分割して光半導体装置を得る第５の工程を含むことを特徴とする。

このような光半導体装置の製造方法では、前記第２の工程において、基体を形成すると
ともに、前記保護膜で被覆されていない第１及び第２の導電部材の上面を遮光性の熱硬化
性樹脂で被覆する被覆層を形成することが好ましい。
前記第１及び／又は第２の導電部材は、２５μｍ以上２００μｍ以下の厚みであること
が好ましい。
前記第２の工程において、前記基体及び／又は被覆層を、前記支持基板の線膨張係数±
３０％の線膨張係数となるように形成することが好ましい。

また、本発明の光半導体装置は、光半導体素子と、
上面に前記光半導体素子が載置され、下面が光半導体装置の外表面を形成する第１の導
電部材と、
該第１の導電部材から離間し、下面が光半導体装置の外表面を形成する第２の導電部材
と、
前記第１の導電部材と前記第２の導電部材との間に配置する遮光性樹脂を含む基体と、
前記光半導体素子を封止する透光性樹脂からなる封止部材とを備える光半導体装置であ
って、
前記第１及び第２の導電部材は、上面の一部を残して被覆する遮光性樹脂を含む被覆層
を有する鍍金からなることを特徴とする。

このような光半導体装置では、前記第１の導電部材及び／又は前記第２の導電部材は、
側面に突起部を有することが好ましい。
前記第１の導電部材及び／又は前記第２の導電部材の突起部は、上面及び下面が前記基
体及び／又は被覆層に接触していることが好ましい。
前記被覆層が、１２５μｍ以下の厚みであることが好ましい。
前記第１及び第２の導電部材は、２５μｍ以上２００μｍ以下の厚みであることが好ま
しい。
前記被覆層が、熱硬化樹脂を含んでなることが好ましい。

本発明によれば、より小型化・軽量化を実現した光半導体装置を簡便かつ確実に、歩留
まりよく製造することが可能となる。
また、本発明の光半導体装置は、取り出し効率を最大限に向上させることができるとと
もに、より小型化・軽量化を実現することができる。

本発明の光半導体装置を示す斜視図である。図１Ａの光半導体装置のＡ−Ａ’線断面図及び部分拡大図である。本発明の光半導体装置の製造方法を説明する工程図である。本発明の光半導体装置の製造方法を説明する工程図である。本発明の別の光半導体装置を示す断面図である。本発明の別の光半導体装置の製造方法を説明する工程図である。本発明のさらに別の光半導体装置の製造方法を説明する工程図である。

本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、
以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための光半導体装置及びその製造方法
を例示するものであって、以下に限定されるものではない。特に、各実施形態において説
明した各事項は、特に断りのない限り、他の実施形態にもそのまま適用することができる
。

また、本明細書は、特許請求の範囲に示される部材を、実施の形態の部材に特定するも
のではない。特に、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対
的配置等は、特定する記載がない限りは、本発明の範囲をそれのみに限定するものではな
く、単なる説明例にすぎない。
各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることが
ある。
さらに以下の説明において、同一の名称、符号については同一又は同質の部材を示して
おり、詳細説明を適宜省略する。

＜実施の形態１：光半導体装置１＞
本実施の形態の光半導体装置１００を、図１Ａ、図１Ｂに示す。図１Ａは光半導体装置
１００の斜視図、図１Ｂは、図１Ａに示す光半導体装置１００のＡ−Ａ’線断面図である
。

この光半導体装置１００は、発光素子１０３と、発光素子１０３の載置領域及び電気的
に接続される領域以外の領域に被覆層１０６ｂを有する第１の導電部材１０２と、第１の
導電部材１０２から離間し、発光素子１０３の接続領域以外の領域に被覆層１０６ｂを有
する第２の導電部材１０１と、発光素子１０３等を被覆する封止部材１０４とを有してい
る。光半導体装置には、さらに保護素子を設けることができる。

（第１の導電部材／第２の導電部材）
第１及び第２の導電部材は、光半導体素子（以下「発光素子等」と記することがある）
を載置する及び／又は光半導体素子へ通電させるための一対の電極として機能するもので
ある。

第１の導電部材は、発光素子等がその上面に直接又はサブマウント等の別部材を介して
間接的に載置される。第１の導電部材は、単に発光素子が載置されるのみで通電に寄与し
なくてもよいし、発光素子及び／又は保護素子等への通電に寄与してもよい。つまり、電
極として機能させるものであってもよい。
例えば、図１Ｂに示すように、第１の導電部材１０２は、発光素子１０３が載置される
上面と、光半導体装置１００の外表面を形成する下面とを有している。このため、第１の
導電部材１０２の上面は、発光素子１０３が載置可能な面積以上の大きさであればよい。
その形状は、例えば、上面視が略四角形、多角形、これらの形状に切り欠きを有する形状
等、種々のものとすることができる。また、発光素子１０３を載置させる領域は、平坦な
面とするのが好ましい。

第２の導電部材は、発光素子と、導電ワイヤを用いて又はバンプ等を用いて電気的に接
続するものであり、外部から電力を供給させるための電極として機能させるものである。
図１Ａに示すように、第２の導電部材１０１は、第１の導電部材１０２に対向するよう
に設けることができる。ここでは第１の導電部材１０２と第２の導電部材１０１とで正負
一対の電極となるように機能させている。

第２の導電部材１０１は、発光素子１０３と導電性ワイヤ１０５、１０５’を介して又
は導電性ワイヤを用いず、発光素子の電極と直接電気的に接続される上面と、光半導体装
置１００の外表面を形成する下面を有するよう、すなわち、基体１０６で被覆されずに外
部に露出しているように設けられている。第２の導電部材１０１の上面は、導電ワイヤ１
０５、１０５’との接合又は発光素子との直接接続に必要な面積を有していればよい。
また、第２の導電部材１０１の上面は、図１Ｂ等に示すように、平坦な平面としてもよ
いし、微細な凹凸、溝、孔等を有していてもよい。
第１及び第２の導電部材の下面は、光半導体装置の外表面として、実質的に平坦な面と
するのが好ましいが、微細な凹凸等が形成されていてもよい。特に、第１及び第２の導電
部材は、後述する基体の下面と面一であることが適している。

第１及び第２の導電部材の側面は、平坦な面でもよいが、後述する基体との密着性等を
考慮して、図１Ｂに示すような突起部Ｘを有する形状とすることが好ましい。この突起部
Ｘは、第１及び第２の導電部材の下面から離間した位置に設けるのが好ましい。突起部の
突出長さ、突出形状等は特に限定されず、その製造方法、第１及び第２の導電部材の材料
等によって適宜調整することができる。
突起部Ｘは、例えば、図１Ｂのｃ−ｃ’線の断面図（縦断面図）において、基体１０６
及び／又は被覆層１０６ａに挟まれるように、言い換えると、突起部Ｘにおける上面及び
下面がともに基体１０６及び／又は被覆層１０６ａに接触するように配置していることが
好ましい。
突起部Ｘは、第１及び第２の導電部材の周囲の任意の位置に設けることができる。例え
ば、上面視四角形の導電部材の対向する２つの側面にのみ設ける等、部分的に設けてもよ
いが、第１及び第２の導電部材の周囲全体に渡って形成していることが好ましい。これに
より、確実に基体からの脱落を防止することができる。光半導体装置の側面に第１及び第
２の導電部材が露出する場合は、この露出する側面以外の導電部材の周囲全体に突起部を
形成していることが好ましい。これにより、基体から脱落することを防止することができ
るとともに、はんだ等が接合し易くなる。
また、突起部ではなく、下面側に側面が傾斜するように第１の導電部材及び／又は第２
の導電部材の側面を傾斜させる形状であってもよい。このような形状によっても、
第１及び第２の導電部材が基体から脱落することを有効に防止することができる。

なお、図１Ａに示すように、第１又は第２の導電部材１０２、１０１の側面Ｓは、全て
が基体１０６で被覆されている、つまり、光半導体装置１００の側面から離間するように
設けられることが適している。これにより、切断によって個片化した光半導体装置を得る
際に、切断刃が導電部材と接触しないように切断できるため、切断が容易となる。
ただし、第１及び第２の導電部材は、その側面の一部において、光半導体装置１００の
外表面を形成するよう、つまり、光半導体装置１００の側面に達するように設けられてい
てもよい（図示せず）。これにより、面積を大きくし、かつ露出面を増加させることによ
り、発光素子に起因する熱を、有効に逃がすことができる。

第１及び第２の導電部材は、互いに異なる材料によって形成されていてもよいが、同じ
材料によって形成されていることが好ましい。これにより、より簡便に製造することがで
きる。
例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブ
デン等の金属又は合金（例えば、鉄−ニッケル合金、りん青銅、鉄入り銅、Ａｕ−Ｓｎ等
の共晶はんだ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＣｕＩｎ等のはんだ等）、酸化物導電体（例えば
、ＩＴＯ等）等が挙げられる。第１及び第２の導電部材は、単層及び積層のいずれでもよ
い。特に、第１及び第２の導電部材は、鍍金であることが好ましく、鍍金の積層構造とす
ることがより好ましい。

具体的には、半導体素子として発光素子を用いる場合、最上面（発光素子の載置側）に
は、発光素子からの光を反射可能又は高反射率、高光沢であるものが好ましい。具体的に
は可視域の反射率が７０％程度以上であるものが好ましい。このために、金、銀、銅、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ等が適しており、なかでもＡｇ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等が好ましい。
表面光沢は、例えば、光沢度が０．５程度以上であることが適しており、１．０程度以
上が好ましい。光沢度は、日本電色製微小面色差計ＶＳＲ３００Ａを用い、４５°照
射、垂直受光で得られる値である。

下面は、回路基板等への実装に有利なＡｕ、Ｓｎ、Ｓｎ合金、ＡｕＳｎ等の共晶はんだ
による鍍金等が好ましい。
第１及び第２の導電部材を構成する積層構造の具体例としては、下面から上面（発光素
子側）の順に、Ａｕ／Ｃｕ／Ａｇ、Ａｕ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ａｇ、
Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｇ等が挙げられる。

第１及び第２の導電部材の膜厚は、互いに異なっていてもよいが、略等しい膜厚とする
のが好ましい。具体的には２００μｍ程度以下が適しており、１００μｍ程度以下が好ま
しい。また、２５μｍ程度以上が適している。特に、１００μｍ程度以下とすることによ
り、従来から用いられているリードフレームでは実現できない極薄い厚みであるため、光
半導体装置のより小型化・軽量化を図ることができる。

（基体）
基体１０６は、発光素子１０３からの光を遮光可能な樹脂を含んでなり、第１の導電部
材１０２と第２の導電部材１０１との間に配置されている。このような位置に遮光性の基
体１０６を設けることにより、発光素子１０３からの光が、光半導体装置１００の下面側
から外部に漏れ出すのを防止することができ、上面方向への光の取り出し効率を向上させ
ることができる。また、光半導体装置１００の下面において、第２の導電部材１０１及び
第１の導電部材１０２を、その外表面として露出させることができ、従来のリードフレー
ムのように、水平方向又は裏面からのリードの突出する構造とすることなく、また突出し
たリードを屈曲させて下方又は側面に引き回す構造とすることなく、より小型化・軽量化
を図ることができる。

基体１０６を構成する樹脂は、特に限定されるものではなく、発光素子からの光が遮光
可能なものであればよく、発光素子からの光を反射するものがより好ましい。また、後述
する支持基板等の線膨張係数との差が小さいものが好ましい。
基体を構成する樹脂として、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等の樹脂を用いるこ
とができる。具体的にはエポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エ
ポキシ樹脂等の変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコー
ン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、変性ポリイミド樹脂組成物、アクリル樹脂組成物
等が挙げられる。

特に、特開２００６−１５６７０４の段落７３〜８１に記載されている樹脂、例えば、
熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂
、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂等）が好ましく、具体的には、トリグリシジルイソシ
アヌレート、水素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテルからなるエポキシ樹脂と、ヘ
キサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、４−メチルヘキサヒド
ロ無水フタル酸からなる酸無水物とを、エポキシ樹脂へ当量となるよう溶解混合した無色
透明な混合物を含む固形状エポキシ樹脂組成物を用いるのが好ましい。さらに、これら混
合物１００重量部へ、硬化促進剤としてＤＢＵ（1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7）
を０．５重量部、助触媒としてエチレングリコールを１重量部、酸化チタン顔料を１０重
量部、ガラス繊維を５０重量部添加し、加熱により部分的に硬化反応させ、Ｂステージ化
した固形状エポキシ樹脂組成物が好適に挙げられる。

また、ＷＯ２００７／０１５４２６の段落２３〜５２に記載されているトリアジン誘導
体エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂を含有する熱硬化性エポキシ樹脂組成物が好ましい。

トリアジン誘導体エポキシ樹脂としては、例えば、１，３，５−トリアジン核誘導体エ
ポキシ樹脂が適している。特に、イソシアヌレート環を有するエポキシ樹脂は、耐光性や
電気絶縁性に優れており、一つのイソシアヌレート環に対して、２価の、より好ましくは
３価のエポキシ基を有することが好ましい。具体的には、トリス（２，３−エポキシプロ
ピル）イソシアヌレート、トリス（α−メチルグリシジル）イソシアヌレート等を用いる
ことができる。トリアジン誘導体エポキシ樹脂の軟化点は９０〜１２５℃であることが好
ましい。このトリアジン誘導体エポキシ樹脂には、水素添加エポキシ樹脂や、その他のエ
ポキシ樹脂等を併用してもよい。さらに、シリコーン樹脂組成物の場合、メチルシリコー
ンレジンを含むシリコーン樹脂が好ましい。

トリアジン誘導体エポキシ樹脂を用いる場合には、硬化剤として作用する酸無水物を用
いるのが好ましい。酸無水物としては、非芳香族であり、かつ、炭素−炭素二重結合を有
さないものを用いることで耐光性を向上させることができる。例えば、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、
水素化メチルナジック酸無水物等が挙げられる。特に、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸
が好ましい。
また、酸化防止剤を用いることが好ましい。酸化防止剤としては、例えば、フェノール
系、硫黄系の酸化防止剤を使用することができる。また、硬化触媒は、当該分野で公知の
ものを使用することができる。
なお、これらの樹脂には、必要に応じて各種の添加剤を配合することができる。
熱硬化性樹脂は、１５０〜１９０℃（樹脂を成形する際の温度）にて、粘度が５〜５０
０Ｐａ・ｓのものが好ましく、より好ましくは１０〜２００Ｐａ・ｓであり、さらに好ま
しくは１５〜１００Ｐａ・ｓである。

これら樹脂には、充填材（フィラー）としてＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ
、ＭｇＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、Ｍｇ（ＯＨ）_２、Ｃａ（ＯＨ）_２等の微粒子等を添加しても
よい。これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。このような充填材を用
いることにより、光の透過率を調整することができ、例えば、発光素子からの光の約６０
％以上を遮光するよう、より好ましくは約９０％を遮光するように調節することができる
。

特に、光半導体装置を照明等の用途に用いる場合は、反射させることによって遮光する
ことが好ましい。そのため、発光素子からの光に対する反射率が６０％以上であるものが
適しており、７０％以上反射するものが好ましく、８０％以上反射するものがより好まし
く、９０％以上反射するものがさらに好ましい。
例えば、白色フィラー（例えば、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、Ｓｂ_２Ｏ
_３、Ａｌ（ＯＨ）_３、ＢａＳＯ_４、ＭｇＣＯ_３、ＢａＣＯ_３等）を用いることが好ましい
。この場合、基体を構成する全材料に対して、白色フィラーを５０〜９０ｗｔ％程度、好
ましくは７０〜９０ｗｔ％配合することが適している。

ディスプレイ等に用いる場合であって、コントラストを向上させたい場合は、発光素子
からの光の吸収率は６０％以上が適しており、９０％以上が好ましい。このような場合、
充填材としては、黒色フィラー、例えば、アセチレンブラック、活性炭、黒鉛等のカーボ
ン、酸化鉄、二酸化マンガン、酸化コバルト、酸化モリブデン等の遷移金属酸化物又は有
色有機顔料等を目的に応じて利用することが好ましい。また、樹脂の線膨張係数を低減さ
せる目的として、コントラストを損なわない範囲で、ＳｉＯ_２等の白色フィラーを充填さ
せることもできる。
これらの化合物は、基体を構成する全材料に対して、５０〜９０ｗｔ％、好ましくは７
０〜９０ｗｔ％配合することが適している。カーボン等の導電性を有する材料を添加する
際は、成形体に導電性を示さない範囲で添加する必要がある。

充填材を用いることにより、光の透過率及び／又は反射率を調整することができるのみ
でなく、後述するように、基体の線膨張係数を調整するが可能となる。
つまり、基体は、第１及び第２の導電部材の線膨張係数との差が小さくなるような線膨
張係数に制御されていることが好ましい。例えば、基体は、第１及び第２の導電部材の線
膨張係数の±４０％の線膨張係数を有するような材料によって形成されていることが適し
ており、第１及び第２の導電部材の線膨張係数の±２０％の線膨張係数であることが好ま
しい。これにより、個片化後の光半導体装置において、第１及び第２の導電部材と基体と
が剥離するのを抑制し、信頼性に優れた光半導体装置を得ることができる。

別の観点から、基体は、後述する個片化する前に除去（剥離）される支持基板の線膨張
係数との差が小さくなるような線膨張係数に制御されていることが好ましい。例えば、基
体は、支持基板の線膨張係数±３０％の線膨張係数を有するような材料によって形成され
ていることが適しており、支持基板の線膨張係数±１０％の線膨張係数であることが好ま
しい。これにより、支持基板と基体との残留応力を制御（緩和）することができ、個片化
する前の光半導体装置の集合体の反りを少なくすることができる。これによって、導電性
ワイヤの切断等内部損傷を低減し、個片化する際の位置ズレを抑制して歩留まりを向上さ
せることができる。

さらに別の観点から、基体は、支持基板との線膨張係数の差が２０ｐｐｍ以下の線膨張
係数を有するような材料によって形成されていることが適しており、１０ｐｐｍ以下であ
ることがより好ましい。
このために、例えば、支持基板としてＳＵＳ板を用いる場合、基体中に充填材を７０ｗ
ｔ％以上配合することが適しており、８５ｗｔ％以上配合することが好ましい。
基体は、第１及び第２の導電部材との線膨張係数の差が２０ｐｐｍ以下の線膨張係数を
有するような材料によって形成されていることが適しており、１０ｐｐｍ以下であること
がより好ましい。

基体は、例えば、５〜３０×１０^−６／℃の線膨張係数を有することが好ましく、７〜
２０×１０^−６／℃の線膨張係数を有することがさらに好ましい。このような線膨張係数
を選択することにより、支持基板、導電性部材等の種類にかかわらず、通常、当該分野で
使用される材料を利用することが可能となる。

基体１０６の厚さは、光半導体装置１００の下面側への光の漏れを防止できる厚さであ
ればよい。特に、後述する封止部材１０４が、第１の導電部材１０２と基体１０６との間
及び／又は第２の導電部材１０１と基体１０６との間に介在しない厚さ、つまり、第１及
び第２の導電部材の厚みと同等以上の厚みとすることが好ましい。

（被覆層）
第１及び第２の導電部材１０１、１０２の上面には、その上面の一部を残して被覆層１
０６ａが形成されている。ここで、「その上面の一部を残して」とは、第１及び第２の導
電部材の上面において、被覆層１０６ａに被覆されない領域が存在することを意味してお
り、上述したように、光半導体素子を載置する領域及びその近傍と、光半導体素子に電気
的接続を取るための接続領域及びその近傍において、被覆層が形成されていないことを意
味する。この被覆層１０６ａに被覆されない領域は、光半導体素子の載置及び接続に必要
最小限の大きさとすることが好ましい。

被覆層は、第１及び第２の導電部材の上面での光半導体素子からの光の吸収を最小限に
とどめて、より反射しやすくするためのものである。そのために、被覆層は、遮光性樹脂
によって形成されていればよく、上述した基体を構成する材料と同一の材料で形成されて
いることが適している。
被覆層は、後述する封止樹脂からの酸素又は水分等の透過による第１及び第２導電部材
の劣化に起因する光の吸収の増加を防止することもできる。そのために、基体１０６とは
別個に形成してもよいが、基体１０６を形成する際に、基体１０６と一体的に形成するこ
とが好ましい。これにより、基体１０６との界面を実質的になくして、基体ならびに第１
及び第２の導電部材とより強固に結合させることができる。
この被覆層によって、基体を、発光素子に近い位置で厚くすることができるため、発光
素子からの光が底面側に漏れ出すことを抑制することができ、より効率よく光を反射させ
ることができる。

特に、被覆層は、熱硬化性樹脂又はこれにフィラー等の添加剤を含有させた熱硬化性樹
脂組成物によって形成されることが好ましい。このような樹脂は、加熱により顕著に粘度
が低下して、第１及び第２の導電部材の上面に流動して広がり、硬化することにより、薄
膜状で均一な被覆層を形成することができる。

被覆層を構成する熱硬化性樹脂又はその樹脂組成物は、線膨張係数が、上述した値を示
すものが好ましい。このような線膨張係数を示すものを用いることにより、製造過程にお
ける加熱、冷却ならびに光半導体装置の輸送、保管における温度変化、光半導体装置の駆
動時の発熱等によって、被覆層が、基体ならびに／又は第１及び第２の導電部材から剥離
することを回避することができる。

被覆層の厚みは特に限定されるものではなく、その材料、光半導体素子の大きさ、光半
導体装置の大きさ等によって適宜調整することができる。例えば、光半導体素子の第１又
は第２の導電部材への実装高さ程度以下であることが適している。これにより、光半導体
素子の上面のみから光が放出され、より効率よく光を取り出すことができる。具体的には
、１２５μｍ程度以下が適しており、１００μｍ程度以下が好ましい。また、２５μｍ程
度以上が適しており、５０μｍ程度以上が好ましい。
被覆層の側面は、上面に向かって広がるように形成されていてもよい。このように、側
面を傾斜のある面とするようにすることで、光を光半導体装置の上面方向へ効率よく反射
させることができる。また、被覆層の側面は、上面に向かって狭くなるように形成されて
いてもよい。このようにすることで、被覆層と封止部材とが剥離するのを抑制することが
できる。また、被覆層の側面は湾曲を有する面として形成してもよい。

（封止部材）
封止部材は、第１の導電部材及び第２の導電部材ならびに基体の上面において、光半導
体素子を被覆するものであり、発光素子、受光素子、保護素子、さらにこれらに対する導
電性ワイヤ等の電子部品等を、塵芥、水分、外力等から保護する部材である。

封止部材の材料としては、発光素子からの光に対して透光性で、かつ、耐光性及び絶縁
性を有するものが好ましい。具体的には、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組
成物、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等、シリコー
ン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂及びこれらの樹脂を少なくとも１種以上
含むハイブリッド樹脂、ガラス、シリカゾル等の無機物等が挙げられる。

封止部材は、着色剤、光拡散剤、光反射材、各種フィラー、波長変換材（例えば、蛍光
体）等を含有していてもよい。

封止部材は、光半導体装置に用いられる場合には、上述したように透光性を有するもの
が好ましいが、例えば、受光装置に用いられる場合、光の入射効率を高める、受光装置内
部での２次反射を抑制する等の目的で、白又は黒色等の有色フィラーを含有していてもよ
い。特に、赤外線光半導体装置、赤外線検知装置等には、可視光の影響を避けるために黒
色の有色フィラーを含有する封止部材を用いるのが好ましい。

半導体発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍
光体を含有させていてもよい。
蛍光体としては、半導体発光素子からの光を、それより短波長に変換させるものでもよ
いが、光取り出し効率の観点から長波長に変換させるものが好ましい。蛍光体は、１種の
蛍光体を含有する単層、２種以上の蛍光体が混合された単層、２種以上の蛍光体が別々の
層に含有された２層以上の積層、２種以上の蛍光物質等がそれぞれ混合された単層の２層
以上の積層のいずれであってもよい。

蛍光体としては、例えば、Ｅｕ、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物
系蛍光体や酸窒化物系蛍光体、より具体的には、（ａ）Ｅｕ賦活されたα又はβサイアロ
ン型蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化シリケート蛍光体、各種アルカリ土類金属窒化ア
ルミニウムケイ素蛍光体、（ｂ）Ｅｕ等のランタノイド系の元素、Ｍｎ等の遷移金属系の
元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類の
ハロシリケート蛍光体、アルカリ土類金属シリケート蛍光体、アルカリ土類金属ホウ酸ハ
ロゲン蛍光体、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類金属ケイ酸塩、アル
カリ土類金属硫化物、アルカリ土類金属チオガレート、アルカリ土類金属窒化ケイ素、ゲ
ルマン酸塩、（ｃ）Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩、
希土類ケイ酸塩、アルカリ土類金属希土類ケイ酸塩、（ｄ）Ｅｕ等のランタノイド系元素
で主に賦活される有機及び有機錯体等から選ばれる少なくともいずれか１以上であること
が好ましい。なかでも、Ｃｅ等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸
塩蛍光体であるＹＡＧ系蛍光体が好ましい。ＹＡＧ系蛍光体は、Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ
、（Ｙ_０．８Ｇｄ_０．２）_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｙ_３（Ａｌ_０．８Ｇａ_０．２）_５Ｏ_１
_２：Ｃｅ、（Ｙ，Ｇｄ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２などの組成式で表される。また、Ｙの
一部又は全部をＴｂ、Ｌｕ等で置換したＴｂ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ、Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２
：Ｃｅ等でもよい。

封止部材は、単層構造でもよいし、封止部材の材料又は添加剤の種類又は量等が異なる
積層構造でもよい。

封止樹部材の形状は、特に限定されるものではなく、上記素子及び電子部品を完全に被
覆する形状であればよい。また、配光特性等を考慮して、例えば、上面を凸状レンズ形状
、凹状レンズ形状、フレネルレンズ形状等としてもよいし、別個にレンズ形状の部材を併
設してもよい。

封止部材の全部又は一部に蛍光体を含有させて板状又はドーム状等にしてもよいし、別
個に板状又はドーム状の部材を併設してもよい。例えば、ガラス、樹脂組成物等他の成形
体に蛍光体を塗布したもの；蛍光体含有ガラス、ＹＡＧ焼結体、ＹＡＧとＡｌ_２Ｏ_３、Ｓ
ｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３等の焼結体、無機融液中でＹＡＧを析出させた結晶化無機バルク体等の
蛍光体含有成形体が挙げられる。

（光半導体素子）
光半導体素子は、同一面又は異なる面に正負電極が形成された半導体層の積層体によっ
て構成される素子であり、例えば、発光素子又は発光ダイオード、受光素子等を包含する
。

発光素子としては、任意の波長のものを選択することができる。発光素子の組成（半導
体層の材料、混晶度）、発光色（発光波長）、大きさ、個数等は目的に応じて適宜選択す
ることができる。

受光素子としては、フォトＩＣ、フォトダイオード、フォトトランジスタ、ＣＣＤ（電
荷結合素子）イメージセンサー、ＣＭＯＳイメージセンサー、Ｃｄセル等が挙げられる。
また、発光素子及び／又は受光素子等を単独で又は２種以上を組み合わせて搭載しても
よい。

（接合部材）
光半導体素子を、第１及び／又は第２の導電部材上に載置し、接続させるために、接合
部材が用いられる。結合部材は、導電性接合部材及び絶縁性接合部材のいずれでもよい。
例えば、光半導体素子の基板が絶縁基板である場合、具体的には、サファイア上に窒化物
半導体層を積層させた半導体発光素子の場合、接合部材は絶縁性及び導電性のいずれでも
よい。ＳｉＣ基板等の導電性基板である場合は、導電性接合部材を用いることで導通を図
ることができる。

絶縁性接合部材としては、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹
脂組成物及びその変性樹脂、ハイブリッド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂を
用いる場合は、半導体発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面にＡｌ
やＡｇ膜等の反射率の高い金属層及び／又は誘電体反射膜を設けることが好ましい。

導電性接合部材としては、銀、金、パラジウム等の導電性ペースト、Ａｕ−Ｓｎ共晶等
のはんだ、低融点金属等のろう材等を用いることができる。
また、接合部材のうち、特に透光性の接合部材を用いる場合は、その中に半導体発光素
子からの光を吸収して異なる波長の光を発光する蛍光部材を含有させてもよい。

（導電性ワイヤ）
導電性ワイヤは、光半導体素子の電極と、第１及び／又は第２の導電部材とを電気的に
接続するものであり、通常、金、銅、白金、アルミニウム等の金属及びそれらの合金を用
いたワイヤが用いられる。特に、熱抵抗等に優れた金を用いるのが好ましい。

（突出部）
隣接する第２の導電部材１０１と第１の導電部材１０２の間には、発光素子１０３から
離間する位置において、第２の導電部材１０１及び第１の導電部材１０２の上面ならびに
発光素子１０３の上面よりも高い突出部材１０６ｃを有している。

この突出部材１０６ｃは、図１Ｂに示すように、上面に向かって広がるような凹部Ｓ１
として形成されている。このように、内面を傾斜のある面とするようにすることで、光を
光半導体装置の上面方向へ反射させることができる。従って、光半導体装置１００の側面
側に光が放出されるのを抑制し、上面方向に効率的に光を取り出すことができる。ただし
、この突出部は必ずしも存在しなくてもよい。
被覆層１０６ｂ、基体１０６ａ及び突出部材１０６ｃは、同一の遮光性の熱硬化性樹脂
により形成されている。

＜実施の形態２：光半導体装置の製造方法１＞
本発明の光半導体装置の製造方法について、図面を用いて説明する。図２Ａ、図２Ｂは
、光半導体装置の集合体１０００を形成する工程を説明する図であり、この集合体１００
０を切断して個片化することで、実施の形態１において説明した光半導体装置１００を得
ることができる。

第１の工程
まず、図２Ａ（ａ）に示すように、支持基板１０７０を準備する。
（支持基板）
支持基板は、第１及び第２の導電部材を形成するために用いられる板状又はシート状の
部材であり、光半導体装置を個片化する前に除去されるため、光半導体装置には具備され
ていない部材である。
支持基板としては、特に限定されず、導電性を有する基板であることが好ましい。例え
ば、ＳＵＳ、鉄、銅、銀、コバール、ニッケル板等の金属板、ポリイミド等の絶縁性基板
にスパッタ法及び蒸着法等によって導電膜を形成したもの、導電膜等を貼り付け可能な絶
縁性基板等が挙げられる。

支持基板は、工程の最終段階において除去するため、屈曲が容易な材料を用いることが
好ましい。また、形成する第１及び第２の導電部材の表面光沢を上げるために、支持基板
表面は平滑であることが好ましい。例えば、支持基板としてＳＵＳを用いる場合は、３０
２等の結晶粒界の比較的小さな３００番台のＳＵＳを用いることが適している。また、寸
法精度が要求される場合には、線膨張係数の低い４００番台を使用することが好ましい。
膜厚は、例えば、１０μｍ〜３００μｍ程度が挙げられる。
後述する樹脂による成形後の反りを緩和するためにスリット、溝、波形状の加工が施さ
れていてもよい。

支持基板の表面に、第２の保護膜としてレジスト１０８０を塗布する。このレジスト１
０８０の厚みによって後に形成される第１及び第２の導電部材の厚みを調整することがで
きる。例えば、レジストの厚みは、１０〜２００μｍ程度、例えば、１００μｍとするこ
とができる。ここでは、支持基板１０７０の上面（第１の導電部材等を形成する面）にの
みレジスト１０８０を設けているが、下面（反対側の面）に形成してもよい。その場合、
反対側の面のほぼ全面にレジストを設けることで、第１及び第２の導電部材を鍍金で形成
する場合に、下面に導電部材が形成されるのを防ぐことができる。

用いる第２の保護膜がレジストの場合、ポジ型及びネガ型のいずれを用いてもよい。ま
た、ポジ型、ネガ型を組み合わせて用いてもよい。また、スクリーン印刷により形成し得
るレジスト、シート状のレジストを貼り付ける等の方法を用いてもよい。

塗布したレジストを乾燥し、その上方に、互いに離間する開口部を複数有するマスク１
０９０を直接又は間接的に配置し、図中の矢印のように紫外線を照射して露光する。ここ
で用いる紫外線は、レジスト１０８０の感度等によって適した波長を選択することができ
る。

その後、エッチング剤で処理し、図２Ａ（ｂ）に示すように、開口部Ｋを有するレジス
ト１０８０を形成する。

次いで、金属を用いて鍍金することで、図２Ａ（ｃ）に示すようにレジスト１０８０の
開口部Ｋ内に第１及び第２の導電部材１０１０を形成する。鍍金条件を調整することによ
って、レジスト１０８０の膜厚よりも厚くなるように鍍金することができる。これにより
、導電部材を第２の保護膜の上面にまで形成し、図２Ｂに示すような突起部Ｘを形成する
ことができる。
具体的には、支持基板側から、Ａｕ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｇの鍍金による積層構造が挙げら
れる。鍍金条件は、当該分野で公知のパラメータを任意に設定して調整することができる
。

まず、酸性クリーナで前処理を行う。前処理は、室温〜５０℃程度の範囲で行うことが
好ましい。酸性クリーナは、市販品を用いることができる。酸溶液としては、希硫酸、希
塩酸、希硝酸等が挙げられる。なかでも希硫酸が好ましい。
続いて、支持基板上に、Ａｕ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ａｇの順にめっきを行う。めっきは、例え
ば、室温から７５℃程度の範囲で行うことが適している。
Ａｕは、支持基板の剥離後に電極として接合面になることから、実装の容易を考慮して
形成する。膜厚は、例えば、０．１〜１．０μｍ程度が適している。なお、Ａｕめっき前
にストライク浴にて処理することで、密着性をコントロールすることができる。
Ｎｉめっきは、低応力・厚膜電鋳形成に優れるスルファミン酸浴が好ましい。添加剤に
よる光沢膜を５〜２０μｍ程度形成することがより好ましい。Ｎｉ膜は、Ｃｕ拡散を防止
するバリヤ、後のエッチングでのマスクとしても機能し得る。
Ａｇめっきは、無光沢〜高光沢まで形成可能な浴によって、短時間で行うことが好まし
い。膜厚は、２〜５μｍ程度が適している。
各めっきの前後に、支持基板及びめっき膜を水洗及び／又は乾燥することが好ましい。

鍍金後、レジスト１０８０を洗浄して除去することにより、図２Ａ（ｄ）に示すように
、互いに離間する第１及び第２の導電部材１０１０を形成する。

なお、第１及び第２の導電部材は、エッチングにより形成してもよい。例えば、ポリイ
ミド等の絶縁性部材からなる板状の支持基板に、銅箔等の導電性部材の薄膜を貼り付け、
この導電性部材上に、シート状の保護膜（ドライレジストシート等）を貼り付け、開口部
を有するマスクを用いて露光し、弱アルカリ溶液等の洗浄液を用いて露光された部分の保
護膜を除去する。これにより、開口部を有する保護膜が導電性部材上に形成される。次い
で、導電性部材がエッチング可能なエッチング液に支持基板ごと浸積して導電部材をエッ
チングする。最後に保護膜を除去することにより、支持基板上に互いに離間する第１及び
第２の導電部材が形成される。このような方法で第１及び第２導電部材を形成する場合で
も、上述した鍍金による導電部材と同程度に、均一かつ同程度の薄膜状に形成することが
できる。

ここで、第１及び第２の導電部材の側面を湾曲に加工してもよい。つまり、保護膜（レ
ジスト１０８０）を除去することにより、第１及び第２の導電部材の側面が露出されるた
め、この側面を加工する。この際の加工は、当該分野で公知の方法、例えば、異方性ドラ
イエッチング、ウェットエッチング等を用いて行うことができる。なかでも、積層構造の
鍍金のうちの一部のみをエッチングし得るエッチャントを用いたウェットエッチングを行
うことが好ましい。
このウェットエッチングのエッチャント、エッチング条件等は、鍍金の材料等によって
適宜調整することができる。特に、浸漬処理、スプレー等が有利である。
例えば、エッチャントとして、主にＣｕを湾曲に加工するために、過硫酸塩又は過酸化
水素と無機酸とからなる一般的な銅ソフトエッチング液を用いることが適している。これ
により、例えば、１０〜３０μｍのサイドエッチにより湾曲を形成することができる。
このような湾曲を形成することにより、第１及び第２の導電部材への基体のアンカー効
果を発揮させることができ、両者の密着を確実にすることができる。

次いで、図２Ｂ（ａ）に示すように、第１及び第２の導電部材１０１０上面の一部に、
保護膜１１００を形成する。この保護膜１１００は、上述した第２の保護膜と同様の材料
を用いて、同様にパターニングすることにより形成することができる。この保護膜１１０
０は、後述する基体及び被覆層を形成しない領域を規定するために利用することができる
。ここでは、後工程において、光半導体素子を載置するために光半導体素子より若干大き
めの領域と、光半導体素子と電気的接続を取るためのワイヤボンディング領域とを保護膜
１１００で被覆している。

第２の工程
第１及び第２の導電部材１０１０の間に、発光素子からの光を反射可能な基体１０６０
ａを形成する。また、同時に、保護膜１１００で被覆されていない第１の導電部材１０１
０の上面に被覆層１０６０ｂを形成することができる。
基体１０６０ａ及び被覆層１０６０ｂの形成は、遮光性の熱硬化性樹脂を加熱して粘度
を低下させた後、第１及び第２の導電部材１０１０が形成された支持基板１０７０の全上
面にトランスファーモールド等によって成形することにより形成することができる。加熱
温度及び加熱時間は、適宜調整することができる。
基体及び被覆層を構成する材料は、具体的には、充填材としてＳｉＯ_２や白色顔料とし
てＴｉＯ_２を含有したエポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂組成物、シリコ
ーン樹脂組成物を用いることができる。成形時の金型との離型性を向上させるために、離
型材を樹脂中に添加することも可能であり、金型へ離型材の噴きつけや、離型シート等を
用いることもできる。また、充填性の面から成形時の樹脂粘度が５〜５００Ｐａ・ｓの樹
脂組成物が好ましく、１０〜２００Ｐａ・ｓ、１５〜１００Ｐａ・ｓの樹脂組成物がさら
に好ましい。また、成形物の反りを低減する点から線膨張係数が５〜３０×１０^−６／℃
の樹脂組成物を用いることが好ましく、７〜２０×１０^−６／℃の樹脂組成物を用いるこ
とがさらに好ましい。
このような材料により、厚み１００μｍ程度の基体を形成することができる。また、厚
み２５μｍ程度の被覆層をも同時に形成することができる。

このような工程により、熱硬化性樹脂の特性を利用して、薄膜状で均一な被覆層１０６
０ａと基体１０６０とを、簡便にかつ精度よく形成することができる。
このよう被覆層１０６０ｂが、基体１０６０ａと一体的に形成されている場合には、後
述するように、支持基板１０７０を除去する際に、第１及び第２導電部材と基体とが剥が
れるのを防止することができる。

突出部材１０６０ｃは、金型を用いたトランスファーモールド等によって、図２Ｂ（ａ
）に示すように形成することができる。なお、このトランスファーモールドの際に、基体
１０６０ａ、被覆層１０６０ｂを同時に形成してもよい。
基体１０６０ａ、被覆層１０６０ｂ及び突出部材２０６０ｃは、同様の材料で形成する
ことが好ましいが、目的や用途に応じて、異なる遮光性樹脂を用いてもよい。

このように、通常、金型を用いると、上下金型の締結状態、樹脂の粘度などの要因によ
って、キャビティから樹脂漏れが生じ、第１及び第２の導電部材におけるワイヤボンディ
ング等を行う領域にまで極薄膜状の樹脂層又はバリ等が形成され、電気的接続に支障をき
たす場合がある。しかし、本発明の方法、つまり、保護膜による第１及び第２の導電膜の
上面の一部被覆によって、接続領域への樹脂の進入を効果的に阻止することができ、歩留
まりを向上させることができる。

第３の工程
次いで、保護膜１１００を除去する。この保護膜１１００の除去は、上述した第２の保
護膜の除去と同様に行うことができる。

図２Ｂ（ｂ）に示すように、突出部材１０６０ｃに囲まれた領域の第１の導電部材１０
１０上に発光素子１０３０を載置させ、導電性ワイヤ１０５０を、同じ突出部材１０６０
ｃで囲まれた領域の第１の導電部材１０１０の上面に接合部材（図示せず）を用いて接合
させる。この接合は、当該分野で公知の材料及び方法を利用して行うことができる。

次に、発光素子１０３０、導電性ワイヤ１０５０を被覆するように封止部材１０４０を
トランスファーモールド、ポッティング、印刷等の公知の方法によって形成する。

なお、封止部材１０４０は、突出部材１０６０ｃと略同一高さに設けるが、突出部材よ
りも低く又は高くなるよう形成してもよい。また、このように上面が平坦な面としてもよ
いし、中央が凹んだ又は突出したような曲面状に形成してもよい。

第４の工程
封止部材１０４０を硬化後、図２Ｂ（ｃ）に示すように支持基板１０７０を剥離して除
去する。この支持基板の剥離は、保護膜１１００の除去後、発光素子１０３０の搭載の前
に行ってもよい。つまり、この基板除去工程は、第２の工程以降のいずれの段階、例えば
、保護膜を除去する工程の後に行ってもよい。

第５の工程
以上のような工程を経て、図２Ｂ（ｄ）に示すような半導体装置（光半導体装置）の集
合体１０００を得ることができる。最後に、図２Ｃ（ｄ）に示す破線部、つまり、突出部
材１０６０ｃを切断するような位置で切断することで個片化し、図２Ａに示すような光半
導体装置１００とする。ここでは、突出部材１０６０ｂを切断し、封止部材１０４０が切
断されないような位置としていることで、光の取り出し方向を、光半導体装置１００の上
方向のみに限定することができる。これにより、上方向への光の取り出しが効率よく行わ
れる。ここでは、突出部材１０６０ｃを切断しているが、封止部材１０４０を切断する位
置で切断してもよい。また、導電部材を含む位置で切断すると、光半導体装置の側面にも
導電部材が露出しているようになり、はんだ等が接合し易くなる。

個片化の方法としては、ブレードによるダイシング、レーザ光によるダイシング等種々
の公知の方法を用いることができる。

図２Ｂ（ｄ）では、導電部材を含む位置で切断しているが、これに限らず、導電部材か
ら離間する位置、つまり、導電部材を切断することなく封止部材１０４０を切断してもよ
い。
この場合には、切断されるのが基体や封止部材等の樹脂のみとなるため、導電部材と樹
脂とを合わせて切断することに比較して容易に切断することができる。

このように、支持基板を用いて第１及び第２の導電部材を形成し、その後、支持基板を
除去するという一連の工程によって光半導体装置を製造する場合には、従来のようなリー
ドフレームを用いたり、リードとして、水平方向からリードを突出させたり、屈曲させた
りする構成のリード形状に加工したりするものと比較して、飛躍的に歩留まりを向上させ
ることができる。つまり、通常、１単位の光半導体装置を製造するためのリードとして、
突出及び／又は屈曲させる長さを確保して、リード上に光半導体素子が配置されるが、本
発明では、光半導体装置の製造の初期段階から、１単位の光半導体装置が占有する面積を
、上述した突出及び／又は屈曲等の長さを確保することなく、最小限に設定することがで
きる。そのため、１つの所定の大きさの支持基板での光半導体装置の製造数を飛躍的に増
大させることができる。

通常リードフレームは、巻回体として供給されるため、使用に際して平坦化しても、わ
ずかな湾曲が残存することとなる。そのため、製造工程におけるレジストの塗布、パター
ニング、金型への挟持、封止などの工程において、湾曲に起因する精度の低減、樹脂の漏
れなどが発生することとなる。しかし、本発明では、巻回体として供給することのない、
所定の大きさの平坦な支持基板を利用することができるため、上述した製造工程における
不具合を回避して、より一層の歩留まり増加を図ることができる。

さらに、基体及び／又は被覆層等を導電部材の間又は上に形成する場合、樹脂の粘度な
どの要因によって、所望の部位から樹脂漏れが生じ、第１及び第２の導電部材におけるワ
イヤボンディング等を行う領域にまで極薄膜状の樹脂層又はバリ等が形成され、電気的接
続に支障をきたす場合がある。しかし、本発明の方法、つまり、保護膜による第１及び第
２の導電膜の上面の一部被覆によって、接続領域への樹脂の進入を効果的に阻止すること
ができ、歩留まりを向上させることができる。

＜実施の形態３：光半導体装置２＞
図３は本発明の光半導体装置２００を示す断面図である。
この光半導体装置２００は、発光素子２０３が、導電性ワイヤを用いず、発光素子２０
３の正負電極を、導電性接合部材を用いて直接第１及び第２の導電部材２０１、２０２に
接合している以外、実質的に図２Ａに示す光半導体装置１００と同様の構成であり、同様
に製造することができる。

このように、光半導体素子を直接接合することにより、ワイヤの変形等を防止すること
ができる。

第１及び第２の導電部材２０１、２０２には、発光素子２０３の載置領域以外の領域に
被覆層２０６ｂが形成されている。被覆層２０６ａに被覆されない領域は、光半導体素子
の載置に必要最小限の大きさとすることが好ましい。これにより、第１及び第２の導電部
材の上面での光半導体素子からの光の吸収を最小限にとどめて、より反射しやすくするこ
とができる。

＜実施の形態４：光半導体素子の製造方法２＞
この実施形態における光半導体素子の製造方法では、図４に示すように、実施の形態２
の製造方法１での第１の工程において、第１及び第２の導電部材１０２０、１０１０の上
面の全部を保護膜１１１０で被覆し、第２の工程において、基体１０６０ａのみを形成し
、被覆層を形成しない以外は、実質的に、実施の形態２の製造方法１と同様である。

図４では、基体１０６０の厚みが、実質的に第１及び第２の導電部材１０２０、１０１
０と同じ厚みとしているが、基体の厚みを、第１及び第２の導電部材と保護膜との合計厚
みとしてもよいし、それ以下の任意の厚みとしてもよい。
このような製造方法によって、第１及び第２の導電部材１０２０、１０１０の上面に被
覆層が形成されていない以外は、実質的に実施の形態１の光半導体装置１００と同様の構
成の光半導体装置を得ることができる。

＜実施の形態５：光半導体素子の製造方法３＞
この実施形態における光半導体素子の製造方法では、図５に示すように、実施の形態４
の製造方法２での第１の工程において、後工程で突出部材１０６０ｃを設ける領域以外の
第１及び第２の導電部材１０１０上面の全部を保護膜２２２０で被覆し、第２の工程にお
いて、基体１０６０ａと突出部材１０６０ｃを形成し、被覆層を形成しない以外は、実質
的に、実施の形態４の製造方法２と同様である。

図５では、基体１０６０ａの厚みが、実質的に第１及び第２の導電部材１０１０と同じ
厚みとしているが、基体の厚みを、第１及び第２の導電部材と保護膜との合計厚みとして
もよいし、それ以下の任意の厚みとしてもよい。
このような製造方法によって、第１及び第２の導電部材２０１、２０２の上面に被覆層
が形成されていない以外は、実質的に実施の形態３の光半導体装置２００と同様の構成の
光半導体装置を得ることができる。

本発明の光半導体装置の製造方法は、小型で軽量であって、且つ、光取り出し効率の高
い光半導体装置や、コントラストに優れた光半導体装置を容易に得ることができる。これ
らの光半導体装置は、各種表示装置、照明器具、ディスプレイ、液晶ディスプレイのバッ
クライト光源、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画
像読取装置、プロジェクタ装置等の種々の装置に広範に利用することができる。

１００、２００光半導体装置
１０１、２０１第２の導電部材
１０２、２０２第１の導電部材
１０３、２０３光半導体素子（発光素子）
１０４、２０４封止部材
１０５、１０５’ 導電ワイヤ
１０６ａ、２０６ａ基体
１０６ｂ、２０６ｂ被覆層
１０６ｃ、２０６ｃ突出部材
１０００光半導体装置の集合体
１０１０第２の導電部材
１０２０第１の導電部材
１０３０光半導体素子（発光素子）
１０４０封止部材
１０５０導電性ワイヤ
１０６０ａ基体
１０６０ｂ被覆層
１０６０ｃ突出部材
１０７０支持基板
１０８０第２保護膜（レジスト）
１０９０マスク
１１００、１１１０保護膜（レジスト）
Ｘ突起部
Ｓ１凹部

Claims

第１の導電部材及び第２の導電部材と、
前記第１の導電部材及び第２の導電部材の間に配置される基体と、
前記第１の導電部材及び前記第２の導電部材上に、導電性ワイヤを用いずに接合された発光素子と、を備える光半導体装置であって、
前記第１の導電部材及び前記第２の導電部材は、前記光半導体装置の下面において外表面を構成しており、かつ鍍金を備え、該鍍金の湾曲した面が前記基体と密着し、
前記第１の導電部材及び前記第２導電部材は、前記発光素子との直接接続に必要な面積を有している光半導体装置。
前記鍍金は、積層構造である請求項１記載の光半導体装置。
前記鍍金は、最表面が銀を含む請求項２記載の光半導体装置。
前記第１の導電部材及び前記第２の導電部材は、側面に突起部を備える請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体装置。
前記基体は熱硬化性樹脂を含む請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体装置。
前記第１の導電部材及び第２の導電部材は、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル、コバルト、モリブデン等の金属又は合金及び酸化物導電体からなる群から選択された１種以上により形成されてなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の光半導体装置。
前記基体は、５〜３０×１０−６／℃の線膨張係数を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の光半導体装置。
前記基体は、７〜２０×１０−６／℃の線膨張係数を有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の光半導体装置。
前記基体は、樹脂と酸化チタンとを含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の光半導体装置。
さらに、光半導体装置は、前記第１の導電部材及び前記第２の導電部材の上に被覆層を有し、前記被覆層は、前記光半導体素子の前記第１の導電部材及び前記第２の導電部材への実装高さ以下に相当する厚みを有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の光半導体装置。