JP2017036835A - 摺動部材およびすべり軸受 - Google Patents

Abstract

【課題】軟質層から基層内まで疲労破壊が伝播することを防止できる技術を提供する。【解決手段】本発明の摺動部材およびすべり軸受は、マトリクス中に、前記マトリクスよりも軟らかい軟質材料で構成される軟質粒子が析出した基層と、前記軟質材料によって前記基層の表面上に形成された軟質層と、を備える。前記基層と前記軟質層との間の界面において前記軟質粒子の両端を接続する直線のうち、当該両端を結ぶ連続したエッジから１μｍ以内に存在しない部分の長さの割合の最大値が１０％以下である。【選択図】図３

Description

本発明は、摺動面にて相手軸が摺動する摺動部材およびすべり軸受に関する。

Ｃｕ合金の表面を超音波洗浄することにより当該表面に多数の空壁を形成し、当該空壁内およびＣｕ合金の表面上にＢｉのオーバーレイ層をめっきによって形成する技術が知られている（特許文献１、参照。）。これにより、空壁内にＢｉを充填しつつ、空壁内のＢｉがアンカーとなるようにＣｕ合金の表面上にＢｉのオーバーレイ層を形成できる。

特開２００９−２０３５０４号公報

しかしながら、空壁内のＢｉとオーバーレイ層のＢｉとが連続的に成長するため、空壁内のＢｉとオーバーレイ層のＢｉの結晶の方向が揃ってしまうという問題があった。つまり、摺動面に対して垂直な方向において空壁内のＢｉの結晶粒界とオーバーレイ層のＢｉの結晶粒界とが連続することにより、当該連続する結晶粒界に沿ってオーバーレイ層からＣｕ合金まで疲労破壊が伝播するという問題があった。
本発明は、前記課題にかんがみてなされたもので、軟質層から基層内まで疲労破壊が伝播することを防止できる技術を提供することを目的とする。

前記の目的を達成するため、本発明の摺動部材およびすべり軸受は、マトリクス中に、マトリクスよりも軟らかい軟質材料で構成される軟質粒子が析出した基層と、軟質材料によって基層の表面上に形成された軟質層と、を備える。また、基層と軟質層との間の界面において軟質粒子の両端を接続する直線のうち、当該両端のそれぞれに接続するエッジから１μｍ以内に存在しない部分の長さの割合の最大値が１０％以下である。

前記の構成において、基層に析出している軟質粒子のうち、当該基層と軟質層との界面に存在している軟質粒子は、軟質層と接合することとなる。すなわち、基層と軟質層との界面に存在している軟質粒子を構成する軟質材料と、軟質層を構成する軟質材料とが互いに接合することとなる。このように、基層と軟質層との界面に存在している軟質粒子と、軟質層との間において、同一の軟質材料が接合することとなる。本発明では、同一の軟質材料が接合する界面において、軟質粒子に特有の結晶粒構造（結晶粒の大きさ配列方向等）を有する軟質材料の結晶粒と、軟質層に特有の結晶粒構造を有する軟質材料の結晶粒との境界が形成される。従って、軟質層における軟質材料の結晶粒界と、基層中の軟質粒子における軟質材料の結晶粒界とを不連続にすることができ、軟質層にて生じた粒界破壊が基層と軟質層との界面を貫通することを防止できる。すなわち、軟質層にて生じた疲労破壊が軟質粒子を介して基層まで伝播することを防止できる。また、軟質層が含む軟質材料以外の合金成分が結晶粒界に沿って基層中の軟質粒子に拡散することを防止できる。すなわち、軟質層における軟質材料以外の合金成分が軟質粒子を介して基層まで拡散することを防止できる。軟質粒子の両端を接続する直線のうち、当該両端のそれぞれに接続するエッジから１μｍ以内に存在しない部分の長さの割合の最大値が１０％以下である場合に、軟質粒子に特有の結晶粒構造を有する軟質材料の結晶粒と、軟質層に特有の結晶粒構造を有する軟質材料の結晶粒との境界が十分に形成され、軟質層にて生じた疲労破壊が軟質粒子を介して基層まで伝播することを防止できる。

さらに、軟質粒子に特有の結晶粒構造を有する軟質材料の結晶粒と、軟質層に特有の結晶粒構造を有する軟質材料の結晶粒との境界に、軟質材料の酸化膜が形成されてもよい。すなわち、基層の表面上に軟質層を積層する際に、予め基層の表面に露出した軟質粒子を酸化させておくことにより、基層の表面上に露出した軟質粒子から軟質層の軟質材料がエピタキシャル成長することを防止できる。すなわち、基層の表面上に露出している軟質粒子上においても、当該軟質粒子に特有の結晶粒構造とは異なる結晶粒構造を有する軟質粒子の結晶粒を成長させることができる。

また、基層のマトリクスはＣｕ合金であり、軟質材料はＢｉであってもよい。ＢｉはＣｕ合金よりも軟らかいため、Ｂｉの軟質層によってなじみ性を確保できる。Ｃｕ合金とは、Ｃｕを主成分として有する合金である。また、ＢｉはＣｕにほぼ固溶しないため、Ｂｉの軟質粒子をＣｕ合金にて析出させることができる。ただし、基層のマトリクスはＣｕ合金に限られず、相手軸の硬さに応じてマトリクスの材料が選択されればよい。また、軟質材料はマトリクスよりも軟らかく、かつ、マトリクス中に析出可能な材料であればよく、例えばＰｂであってもよい。

摺動部材の斜視図である。 （２Ａ），（２Ｂ）は摺動部材の断面模式図である。 （３Ａ），（３Ｂ）は摺動部材の断面写真である。

ここでは、下記の順序に従って本発明の実施の形態について説明する。
（１）第１実施形態：
（１−１）摺動部材の構成：
（１−２）計測方法：
（１−３）摺動部材の製造方法：
（２）他の実施形態：

（１）第１実施形態：
（１−１）摺動部材の構成：
図１は、本発明の一実施形態にかかる摺動部材１の斜視図である。摺動部材１は、裏金１０とライニング１１とオーバーレイ１２とを含む。摺動部材１は、中空状の円筒を直径方向に２等分した半割形状の金属部材であり、断面が半円弧状となっている。２個の摺動部材１が円筒状になるように組み合わせることにより、すべり軸受Ａが形成される。すべり軸受Ａは内部に形成される中空部分にて円柱状の相手軸２（エンジンのクランクシャフト）を軸受けする。相手軸２の外径はすべり軸受Ａの内径よりもわずかに小さく形成されている。相手軸２の外周面と、すべり軸受Ａの内周面との間に形成される隙間に潤滑油（エンジンオイル）が供給される。その際に、すべり軸受Ａの内周面上を相手軸２の外周面が摺動する。

摺動部材１は、曲率中心から遠い順に、裏金１０とライニング１１とオーバーレイ１２とが順に積層された構造を有する。従って、裏金１０が摺動部材１の最外層を構成し、オーバーレイ１２が摺動部材１の最内層を構成する。裏金１０とライニング１１とオーバーレイ１２とは、それぞれ円周方向において一定の厚みを有している。裏金１０の厚みは１．３ｍｍであり、ライニング１１の厚みは０．２ｍｍであり、オーバーレイ１２の厚みは１０μｍである。オーバーレイ１２の曲率中心側の表面の半径（摺動部材１の内径）４０ｍｍである。以下、内側とは摺動部材１の曲率中心側を意味し、外側とは摺動部材１の曲率中心と反対側を意味することとする。オーバーレイ１２の内側の表面は、相手軸２の摺動面を構成する。

裏金１０は、Ｃを０．１５ｗｔ％含有し、Ｍｎを０．０６ｗｔ％含有し、残部がＦｅからなる鋼で形成されている。なお、裏金１０は、ライニング１１とオーバーレイ１２とを介して相手軸２からの荷重を支持できる材料で形成されればよく、必ずしも鋼で形成されなくてもよい。

ライニング１１は、裏金１０の内側に積層された層であり、本発明の基層を構成する。ライニング１１は、Ｓｎを１０ｗｔ％含有し、Ｂｉを８ｗｔ％含有し、残部がＣｕと不可避不純物とからなる。ライニング１１の不可避不純物はＭｇ，Ｔｉ，Ｂ，Ｐｂ，Ｃｒ等であり、精錬もしくはスクラップにおいて混入する不純物である。不可避不純物の含有量は、全体で１．０ｗｔ％以下である。

図２Ａは、摺動部材１の断面模式図である。なお、図２Ａにおいて、摺動部材１の曲率は無視することとする。ライニング１１において、Ｃｕ−Ｓｎ合金で構成されるマトリクス１１ａ中にＢｉ粒子１１ｂが析出している。Ｂｉ粒子１１ｂは、Ｃｕ−Ｓｎ合金よりも軟らかく、本発明の軟質粒子を構成する。また、Ｂｉは本発明の軟質材料を構成する。硬質のＣｕ−Ｓｎ合金をライニング１１のマトリクス１１ａとして採用することにより、摺動部材１の強度および耐摩耗性を向上させることができる。

ライニング１１の断面におけるＢｉ粒子１１ｂの平均円相当径は１００μｍであった。すなわち、ライニング１１の断面におけるＢｉ粒子１１ｂの平均面積は２５００×πμｍ²であった。また、ライニング１１の断面におけるＢｉ粒子１１ｂの面積割合は１０％であった。ライニング１１におけるＢｉ粒子１１ｂの分布は、均一、かつ、方向依存性を有さないため、ライニング１１とオーバーレイ１２との界面ＸにおけるＢｉ粒子１１ｂの平均円相当径と平均面積と面積割合とは、任意の断面におけるＢｉ粒子１１ｂの平均円相当径と平均面積と面積割合と同じと見なすことができる。

オーバーレイ１２は、ライニング１１の内側の表面上に積層された層であり、本発明の軟質層を構成する。ライニング１１の内側の表面は、ライニング１１とオーバーレイ１２との界面Ｘを構成する。オーバーレイ１２は、Ｂｉと不可避不純物とからなる。オーバーレイ１２の不可避不純物はＳｎ，Ｆｅ，Ｐｂ等であり、オーバーレイ１２のめっき液等から混入する不純物である不可避不純物の含有量は、全体で１．０ｗｔ％以下であり、Ｂｉの含有量は９９％以上である。

オーバーレイ１２におけるＢｉの結晶粒構造は、オーバーレイ１２をライニング１１の表面上に積層する際の結晶成長条件によって決定される。そのため、ライニング１１とオーバーレイ１２との界面Ｘに存在しているＢｉ粒子１１ｂを構成するＢｉの結晶粒構造と、オーバーレイ１２を構成するＢｉの結晶粒構造とは、互いに異なる結晶成長条件によって決定される。従って、ライニング１１とオーバーレイ１２との界面Ｘに存在しているＢｉ粒子１１ｂとオーバーレイ１２とは、互いに同一のＢｉで形成されるが、これらの間には結晶粒構造が異なる結晶粒の境界Ｙが形成されている。すなわち、ライニング１１とオーバーレイ１２との間の界面Ｘにおいて、ライニング１１に析出したＢｉ粒子１１ｂに特有の結晶粒構造を有するＢｉの結晶粒と、オーバーレイ１２に特有の結晶粒構造を有するＢｉの結晶粒との境界Ｙが形成されている。

図２Ｂは、オーバーレイ１２にて疲労破壊Ｄが生じた様子を模式的に示す図である。同図に示すように、オーバーレイ１２にて疲労破壊Ｄが生じた場合でも、Ｂｉ粒子１１ｂとオーバーレイ１２との境界Ｙを疲労破壊Ｄが貫通することを防止できる。Ｂｉ粒子１１ｂとオーバーレイ１２とは互いに結晶粒構造が異なり、Ｂｉ粒子１１ｂとオーバーレイ１２との境界ＹにてＢｉの結晶粒界が不連続となるからである。従って、オーバーレイ１２にて生じた粒界破壊がライニング１１とオーバーレイ１２との界面Ｘを貫通することを防止できる。すなわち、オーバーレイ１２にて生じた疲労破壊ＤがＢｉ粒子１１ｂを介してライニング１１まで伝播することを防止できる。また、オーバーレイ１２が含むＢｉ以外の合金成分が結晶粒界に沿ってＢｉ粒子１１ｂに拡散することを防止できる。すなわち、オーバーレイ１２におけるＢｉ以外の合金成分がＢｉ粒子１１ｂを介してライニング１１まで拡散することを防止できる。
（１−２）計測方法：
上述した実施形態において示した各数値を以下の手法によって計測した。
摺動部材１の各層を構成する元素の質量は、ＩＣＰ発光分光分析装置（島津社製ＩＣＰＳ−８１００）によって計測した。

ライニング１１におけるＢｉ粒子１１ｂの平均円相当径を以下の手順によって計測した。まず、ライニング１１の任意の断面（相手軸２の回転軸方向に垂直な方向に限らない）を粒子径２μｍのアルミナ粒子で研磨した。ライニング１１の断面のうち面積が０．０２ｍｍ²となる任意の観察視野範囲（縦０．１ｍｍ×横０．２ｍｍの矩形範囲）を電子顕微鏡（日本電子製 ＪＳＭ−６６１０Ａ）によって５００倍で撮影することにより、観察画像（反射電子像）の画像データを得た。そして、観察画像を画像解析装置（ニレコ社製 ルーゼックスII）に入力し、観察画像に存在するＢｉ粒子１１ｂの像を抽出した。Ｂｉ粒子１１ｂの像の外縁にはエッジ（明度や彩度や色相角が所定値以上異なる境界）が存在する。そこで、画像解析装置によって、エッジによって閉じられた領域をＢｉ粒子１１ｂの像として観察画像から抽出した。

そして、Ｂｉ粒子１１ｂの像を観察画像から抽出し、画像解析装置によって、観察視野範囲に存在するすべてのＢｉ粒子１１ｂの像について投影面積円相当径（計測パラメータ：ＨＥＹＷＯＯＤ）を計測した。投影面積円相当径とは、Ｂｉ粒子１１ｂの断面積と等しい面積を有する円の直径であり、Ｂｉ粒子１１ｂの像の面積と等しい面積を有する円の直径を倍率に基づいて現実の長さに換算した直径である。さらに、すべてのＢｉ粒子１１ｂの投影面積円相当径の算術平均値（合計値／粒子数）を平均円相当径として計測した。さらに、Ｂｉ粒子１１ｂの平均円相当径と等しい直径を有する円の面積に、観察視野範囲に存在するすべてのＢｉ粒子１１ｂの個数を乗算することにより、ライニング１１の断面上に存在するすべてのＢｉ粒子１１ｂの総面積を算出した。そして、すべてのＢｉ粒子１１ｂの総面積を観察視野範囲の面積で除算することにより、Ｂｉ粒子１１ｂの面積割合を計測した。なお、投影面積円相当径が１．０μｍ未満の場合、投影面積円相当径の信頼度や物質の特定の信頼度が低くなるため、Ｂｉ粒子１１ｂの平均円相当径等を算出する際に考慮しないこととした。

ライニング１１に析出したＢｉ粒子１１ｂに特有の結晶粒構造を有するＢｉの結晶粒と、オーバーレイ１２に特有の結晶粒構造を有するＢｉの結晶粒との境界Ｙを以下の手順によって特定した。まず、摺動部材１を半径方向に切断する断面をクロスセクションポリッシャで研磨した。ライニング１１の断面のうち面積が０．０２ｍｍ²となる任意の観察視野範囲（縦０．１ｍｍ×横０．２ｍｍの矩形範囲）を電子顕微鏡によって７０００倍の倍率で撮影することにより、観察画像を得た。図３Ａ，３Ｂは、観察画像を示す写真である。図３Ａに示すように、観察画像のうちＢｉ粒子１１ｂが界面Ｘに存在する部分を目視によって観察した。さらに、図３Ｂに示すように、界面Ｘ上におけるＢｉ粒子１１ｂの両端を接続する線分Ｌ（破線）を作成し、当該線分Ｌから１μｍ以内の範囲において視認できるエッジを境界Ｙ（一点鎖線）として特定した。

なお、線分Ｌのうち、当該線分Ｌから１μｍ以内の範囲においてエッジが存在している部分と、当該線分Ｌから１μｍ以内の範囲においてエッジが存在していない部分Ｂ（矢印）とを判別し、当該エッジが存在していない部分Ｂの長さを線分Ｌの長さで除算した値であるエピタキシャル度を算出した。また、界面Ｘに存在する複数のＢｉ粒子１１ｂのそれぞれについてエピタキシャル度を算出した。本実施形態の摺動部材１におけるエピタキシャル度の最大値は１０％であった。なお、境界Ｙ上のエッジは観察画像を取り込んだ画像解析装置によって検出してもよい。

（１−３）摺動部材の製造方法：
まず、裏金１０と同じ厚みを有する低炭素鋼の平面板を用意した。
次に、低炭素鋼で形成された平面板上に、ライニング１１を構成する材料の粉末を散布する。具体的に、上述したライニング１１における各成分の質量比となるように、Ｃｕの粉末とＢｉの粉末とＳｎの粉末とを低炭素鋼の平面板上に散布した。ライニング１１における各成分の質量比が満足できればよく、Ｃｕ−Ｂｉ，Ｃｕ−Ｓｎ等の合金粉末を低炭素鋼の平面板上に散布してもよい。粉末の粒径は、試験用ふるい（ＪＩＳ Ｚ８８０１）によって１５０μｍ以下に調整した。

次に、低炭素鋼の平面板と、当該平面板上に散布した粉末とを焼結した。焼結温度を７００〜１０００℃に制御し、不活性雰囲気中で焼結した。焼結後、冷却した。

冷却が完了すると、低炭素鋼の平面板上にＣｕ合金層が形成される。このＣｕ合金層には、冷却中に析出した軟質のＢｉ粒子１１ｂが含まれることとなる。
次に、中空状の円筒を直径方向に２等分した形状となるように、Ｃｕ合金層が形成された低炭素鋼をプレス加工した。このとき、低炭素鋼の外径が摺動部材１の外径と一致するようにプレス加工した。

次に、裏金１０上に形成されたＣｕ合金層の表面を切削加工した。このとき、裏金１０上に形成されたＣｕ合金層の厚みがライニング１１と同一となるように、切削量を制御した。これにより、切削加工後のＣｕ合金層によってライニング１１が形成できる。切削加工は、例えば焼結ダイヤモンドで形成された切削工具材をセットした旋盤によって行った。切削加工後のライニング１１の表面は、ライニング１１とオーバーレイ１２との界面Ｘを構成する。

次に、ライニング１１の表面に露出したＢｉ粒子１１ｂの表面を陽極酸化させることにより、Ｂｉ粒子１１ｂの表面にＢｉの酸化膜を形成した。陽極酸化は以下の手順で行ったまず、電解液中にてライニング１１の表面にマイナスの直流電流を流すことにより、ライニング１１の表面を脱脂した。次に、ライニング１１の表面を水洗した。以上の前処理が完了すると、陽極酸化浴に浸漬させたライニング１１にプラスの電流を供給することにより陽極酸化を行った。１０〜５０ｇ／リットルの水酸化ナトリウムを含む酸化浴の浴組成とした。浴温度は、６０℃とした。さらに、ライニング１１に供給する電流は直流電流とし、その電流密度は０．５〜５．０Ａ／ｄｍ²の条件で陽極酸化した。

次に、陽極酸化後のライニング１１の表面上に軟質材料としてのＢｉを電気めっきによって１０μｍの厚みだけ積層することにより、オーバーレイ１２を形成した。電気めっきの手順は以下のとおりとした。まず、陽極酸化後のライニング１１の表面を水洗した。さらに、ライニング１１の表面を酸洗することにより、ライニング１１の表面から不要な酸化物を除去した。その後、ライニング１１の表面を、再度、水洗した。以上の前処理が完了すると、めっき浴に浸漬させたライニング１１に電流を供給することにより電気めっきを行った。Ｂｉ濃度：１０〜５０ｇ／ｌ、有機スルホン酸：２５〜１００ｇ／ｌ、添加剤：０．５〜５０ｇ／ｌとを含むめっき浴の浴組成とした。めっき浴の浴温度は、２５℃とした。さらに、ライニング１１に供給する電流は直流電流とし、その電流密度は０．５〜５．０Ａ／ｄｍ²とした。

以上のように電気めっきを行うことにより、ライニング１１の表面に存在するＢｉ粒子１１ｂからＢｉがエピタキシャル成長することを防止しつつ、オーバーレイ１２が積層できた。オーバーレイ１２の積層が完了した後に、水洗と乾燥を行うことにより、摺動部材１を完成させた。さらに２個の摺動部材１を円筒状に組み合わせることにより、すべり軸受Ａを形成した。

（２）他の実施形態：
前記実施形態においては、エンジンのクランクシャフトを軸受けするすべり軸受Ａを構成する摺動部材１を例示したが、本発明の摺動部材１によって他の用途のすべり軸受Ａを形成してもよい。例えば、本発明の摺動部材１によってトランスミッション用のギヤブシュやピストンピンブシュ・ボスブシュ等を形成してもよい。むろん、摺動部材１は、軸以外の相手材が摺動する部材であってもよい。また、ライニング１１のマトリクスはＣｕ合金に限られず、相手軸２の硬さに応じてマトリクスの材料が選択されればよい。また、軟質材料はマトリクスよりも軟らかく、かつ、マトリクス中に析出可能な材料であればよく、例えばＰｂ，Ｓｎ，Ｉｎであってもよい。また、界面Ｘに必ずしもＢｉの酸化膜が形成されなくてもよく、例えばオーバーレイ１２を電気めっきする際の印加電圧を大きく設定することにより、ライニング１１のＢｉ粒子１１ｂからＢｉがエピタキシャル成長することを防止してもよい。

１…摺動部材、２…相手軸、１０…裏金、１１…ライニング、１１ａ…マトリクス、１１ｂ…Ｂｉ粒子、１２…オーバーレイ、１２ａ…独自成長部、１２ｂ…エピタキシャル成長部、Ｘ…界面、Ｙ…境界。

Claims (4)

1. マトリクス中に、前記マトリクスよりも軟らかい軟質材料で構成される軟質粒子が析出した基層と、
   前記軟質材料によって前記基層の表面上に形成された軟質層と、を備える摺動部材であって、
   前記基層と前記軟質層との間の界面において前記軟質粒子の両端を接続する直線のうち、当該両端のそれぞれに接続するエッジから１μｍ以内に存在しない部分の長さの割合の最大値が１０％以下である、
   摺動部材。
2. 前記基層の前記マトリクスはＣｕ合金であり、
   前記軟質材料はＢｉである、
   請求項１に記載の摺動部材。
3. マトリクス中に、前記マトリクスよりも軟らかい軟質材料で構成される軟質粒子が析出した基層と、
   前記軟質材料によって前記基層の表面上に形成された軟質層と、を備える摺動部材であって、
   前記基層と前記軟質層との間の界面において前記軟質粒子の両端を接続する直線のうち、当該両端のそれぞれに接続するエッジから１μｍ以内に存在しない部分の長さの割合の最大値が１０％以下である、
   すべり軸受。
4. 前記基層の前記マトリクスはＣｕ合金であり、
   前記軟質材料はＢｉである、
   請求項３に記載のすべり軸受。