JP2017026747A - Display device, and bright spot correcting method - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a part made into a black spot inconspicuous even when the black spot formed part is viewed from an oblique direction toward a display surface.SOLUTION: A display device comprises an active matrix substrate and an opposite substrate facing the active matrix substrate. On the active matrix substrate and the opposite substrate are provided light transmission areas for transmitting light. In at least one light transmission area TA on at least one of the active matrix substrate and the opposite substrate is provided a black spot formed part 800 for blocking light. The black spot formed part 800 has a hole formed on at least one of the active matrix substrate and the opposite substrate, the hole is filled with a light blocking material 811 at its bottom, and the top face of the light blocking material 811 is on the bottom side with respect to the upper end of the hole.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本発明は、表示装置、及び輝点修正方法に関する。   The present invention relates to a display device and a bright spot correction method.

従来より、液晶パネルなどの表示パネルにおける輝点欠陥を黒点化するための様々な輝点修正技術が提案されている。例えば、下記特許文献１には、液晶パネルの表示領域における画素周辺部に黒点化に必要な黒色粉末を封入しておき、輝点欠陥が存在する画素周辺における黒色粉末が封入された領域をレーザで照射することにより、黒色粉末を拡散させ、輝点欠陥画素を黒点化する技術が開示されている。また、下記特許文献２には、輝点画素を不透明材料で覆うことにより黒点化する方法が開示されている。   Conventionally, various bright spot correction techniques for making a bright spot defect black in a display panel such as a liquid crystal panel have been proposed. For example, in Patent Document 1 below, black powder necessary for blackening is enclosed in a pixel peripheral portion in a display region of a liquid crystal panel, and a region in which black powder around a pixel where a bright spot defect is present is sealed with a laser. A technique for diffusing a black powder and making a bright spot defective pixel black by irradiating with is disclosed. Further, Patent Document 2 below discloses a method for making a black spot by covering a bright spot pixel with an opaque material.

特開２０１３−１９９４４号公報JP 2013-19944 A 特開２００３−２２８０３５号公報JP 2003-228035 A

黒点化された修正箇所は、表示面に対して垂直な方向から見た場合に目立たないだけでなく、表示面に対して斜め方向から見ても目立たない方が望ましい。   It is desirable that the black spots are not conspicuous when viewed from a direction perpendicular to the display surface but are not conspicuous when viewed from an oblique direction with respect to the display surface.

本発明は、表示面に対して斜め方向から黒点化された部分を見た場合であっても、黒点化された部分が目立ちにくい表示装置及び輝点修正方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a display device and a bright spot correction method in which a blackened portion is less noticeable even when the blackened portion is viewed from an oblique direction with respect to the display surface.

本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有し、前記遮光性物質の上面は、前記穴の上端より前記底部の側にある。   A display device according to an embodiment of the present invention includes an active matrix substrate and a counter substrate facing the active matrix substrate, and the active matrix substrate and the counter substrate are provided with a light transmission region that transmits light. And at least one light transmission region of at least one of the active matrix substrate and the counter substrate is provided with a black spot forming portion that blocks light, and the black spot forming portion is connected to the active matrix substrate. The light-shielding material is filled in the bottom of a hole formed in at least one of the counter substrates, and the top surface of the light-shielding material is closer to the bottom than the top of the hole.

本発明の構成によれば、表示面に対して斜め方向から黒点化された部分を見た場合であっても、黒点化された部分を目立ちにくくすることができる。   According to the configuration of the present invention, even when a blackened portion is viewed from an oblique direction with respect to the display surface, the blackened portion can be made inconspicuous.

図１は、第１の実施の形態における表示装置の構成例を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a display device according to the first embodiment. 図２は、図１に示す表示装置の一部の領域における等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram in a partial region of the display device shown in FIG. 図３は、図１に示す表示装置の概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the display device shown in FIG. 図４は、１つの画素におけるシャッター機構の構成例を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration example of a shutter mechanism in one pixel. 図５は、シャッター機構の平面図である。FIG. 5 is a plan view of the shutter mechanism. 図６は、図５のＶ−Ｖ線における断面図である。6 is a cross-sectional view taken along line VV in FIG. 図７は、シャッター機構の平面図である。FIG. 7 is a plan view of the shutter mechanism. 図８は、図７のＶＩＩ−ＶＩＩ線における断面図である。8 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. 図９は、アクティブマトリクス基板の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of an active matrix substrate. 図１０は、アクティブマトリクス基板における輝点画素に形成された黒点化部の平面図である。FIG. 10 is a plan view of the black spot forming portion formed in the bright spot pixel in the active matrix substrate. 図１１は、図１０のＩ−Ｉ線における概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view taken along the line II of FIG. 図１２Ａは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、アクティブマトリクス基板に第１の穴部が形成された状態を示す図である。FIG. 12A is a cross-sectional view illustrating a process of forming a black spot portion, and shows a state where a first hole is formed in the active matrix substrate. 図１２Ｂは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、図１２Ａに示す第１の穴部に遮光性物質が充填された状態を示す図である。FIG. 12B is a cross-sectional view illustrating a process of forming a black spot portion, and is a diagram illustrating a state where the first hole portion illustrated in FIG. 12A is filled with a light-shielding substance. 図１２Ｃは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、図１２Ｂに示すアクティブマトリクス基板に第２の穴部が形成された状態を示す図である。FIG. 12C is a cross-sectional view illustrating a process of forming a black spot portion, and is a diagram illustrating a state in which a second hole is formed in the active matrix substrate illustrated in FIG. 12B. 図１２Ｄは、黒点化部を形成する工程を説明する断面図であって、図１２Ｃに示す第２の穴部に透過性物質が充填された状態を示す図である。FIG. 12D is a cross-sectional view illustrating a process of forming a black spot portion, and is a diagram illustrating a state in which the second hole portion illustrated in FIG. 12C is filled with a permeable substance. 図１３は、変形例１における黒点化部を説明する断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view illustrating the black spot portion in the first modification. 図１４は、変形例４における黒点化部を説明する断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a black spot portion in Modification 4.

本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有し、前記遮光性物質の上面は、前記穴の上端より前記底部の側にある（第１の構成）。   A display device according to an embodiment of the present invention includes an active matrix substrate and a counter substrate facing the active matrix substrate, and the active matrix substrate and the counter substrate are provided with a light transmission region that transmits light. And at least one light transmission region of at least one of the active matrix substrate and the counter substrate is provided with a black spot forming portion that blocks light, and the black spot forming portion is connected to the active matrix substrate. A light-shielding substance filled in a bottom portion of a hole formed in at least one of the counter substrates, and an upper surface of the light-shielding substance is closer to the bottom portion than an upper end of the hole (first configuration) ).

第１の構成によれば、表示装置は、アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の光透過領域に黒点化部を備える。黒点化部は、アクティブマトリクス基板と対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有する。遮光性物質の上面は、穴の上端より底部側にある。つまり、黒点化部において、遮光性物質の上面から穴の上端までは遮光性物質が充填されておらず、光が透過する。そのため、穴全体に遮光性物質が充填されている場合と比べ、遮光性物質が充填された部分の長さが短くなる。その結果、斜め方向から表示面を見た場合であっても、黒点化された部分が目立ちにくくなる。   According to the first configuration, the display device includes the black spot forming portion in at least one light transmission region in at least one of the active matrix substrate and the counter substrate. The black spotting portion has a light shielding material filled in the bottom of a hole formed in at least one of the active matrix substrate and the counter substrate. The upper surface of the light shielding material is on the bottom side from the upper end of the hole. That is, in the black spot portion, the light shielding material is not filled from the upper surface of the light shielding material to the upper end of the hole, and light is transmitted. Therefore, compared with the case where the whole hole is filled with the light shielding material, the length of the portion filled with the light shielding material is shortened. As a result, even when the display surface is viewed from an oblique direction, the blackened portion is less noticeable.

第１の構成において、前記黒点化部は、さらに、前記穴において、当該穴の上端と前記遮光性物質との間に充填された透光性物質を有することとしてもよい（第２の構成）。   In the first configuration, the black spot forming unit may further include a translucent material filled between the upper end of the hole and the light shielding material in the hole (second configuration). .

第２の構成によれば、透光性物質によって遮光性物質を保護することができる。   According to the second configuration, the light shielding material can be protected by the translucent material.

第１又は第２の構成において、前記穴において、前記遮光性物質が充填された部分の直径より、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの部分の直径が大きいこととしてもよい（第３の構成）。   In the first or second configuration, in the hole, a diameter of a portion from an upper surface of the light shielding material to an upper end of the hole may be larger than a diameter of a portion filled with the light shielding material. 3 configuration).

第３の構成によれば、遮光性物質の上面から穴の上端までの間に遮光性物質が付着せず、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。   According to the third configuration, the light blocking material does not adhere between the upper surface of the light blocking material and the upper end of the hole, and the blackened portion can be made less noticeable.

第２又は第３の構成において、前記穴において、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの表面は、エッチング加工されていることとしてもよい（第４の構成）。   In the second or third configuration, the surface of the hole from the upper surface of the light-shielding substance to the upper end of the hole may be etched (fourth configuration).

第４の構成によれば、遮光性物質が充填されていない部分の光の屈折率が略均一化されるため、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。   According to the fourth configuration, the refractive index of the light in the portion not filled with the light shielding substance is made substantially uniform, so that the blackened portion can be made less noticeable.

本発明の一実施形態におけるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）表示装置は、第１から第４のいずれかの構成における前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板と、さらに、反射板を有し、前記光を照射する照射部とを備え、前記アクティブマトリクス基板は、前記アクティブマトリクス基板の透過領域の光の透過を制御するシャッター機構をさらに備え、前記対向基板は、前記照射部と前記アクティブマトリクス基板との間に配置され、さらに、前記対向基板の透過領域以外の領域に、金属材料で構成された前記光を遮光する遮光領域をさらに有し、前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板に設けられている（第５の構成）。   A MEMS (Micro Electro Mechanical System) display device according to an embodiment of the present invention includes the active matrix substrate and the counter substrate in any one of the first to fourth configurations, and further includes a reflector, An irradiating unit that irradiates, the active matrix substrate further including a shutter mechanism that controls transmission of light in a transmission region of the active matrix substrate, and the counter substrate is disposed between the irradiating unit and the active matrix substrate. And further having a light shielding region for shielding the light made of a metal material in a region other than the transmission region of the counter substrate, and the black spot portion is provided in the active matrix substrate. (Fifth configuration).

第５の構成によれば、黒点化部が対向基板に設けられる場合と比べ、反射板と対向基板における遮光領域との間の光の反射の影響を受けにくく、斜め方向から表示面を見た場合に遮光性物質を目立ちにくくすることができる。   According to the fifth configuration, compared to the case where the black spot portion is provided on the counter substrate, the display surface is viewed from an oblique direction, which is less affected by light reflection between the reflecting plate and the light shielding region of the counter substrate. In this case, the light shielding material can be made inconspicuous.

第５の構成において、前記穴における前記遮光性物質の底面の位置は、前記アクティブマトリクス基板において前記穴が形成された面より前記対向基板側の面に近い位置にあることとしてもよい（第６の構成）。   In the fifth configuration, the position of the bottom surface of the light-shielding substance in the hole may be closer to the surface on the counter substrate side than the surface where the hole is formed in the active matrix substrate (sixth configuration). Configuration).

本発明の一実施形態に係る輝点修正方法は、透光性を有する透光性基板と、当該透光性基板上に形成された複数の透過領域をそれぞれ有するアクティブマトリクス基板と対向基板とを備える表示装置において、黒色を表示した際に輝点となっている輝点領域を黒点化する輝点修正方法であって、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の透光性基板において、前記輝点領域に第１の穴部を形成し、前記第１の穴部に遮光性物質を充填するステップと、前記第１の穴部に重ねて第２の穴部を形成するステップと、を備え、前記遮光性物質の上面は、前記透光性基板における前記第１の穴部及び前記第２の穴部が形成された面よりも前記透光性基板の内部側に位置する（第７の構成）。   A bright spot correcting method according to an embodiment of the present invention includes a translucent substrate having translucency, and an active matrix substrate and a counter substrate each having a plurality of transmissive regions formed on the translucent substrate. In a display device comprising, a bright spot correction method for blackening a bright spot region that is a bright spot when displaying black, in the translucent substrate of at least one of the active matrix substrate and the counter substrate, Forming a first hole in the bright spot region, filling the first hole with a light shielding material, and forming a second hole overlapping the first hole; And the upper surface of the light-shielding substance is located on the inner side of the light-transmitting substrate with respect to the surface of the light-transmitting substrate on which the first hole and the second hole are formed (first 7 configuration).

第７の構成によれば、遮光性物質が充填された第１の穴部に重ねて第２の穴部が形成されることにより、第１の穴部と第２の穴部が連結される。そして、第２の穴部の形成によって、第１の穴部の一部に遮光性物質が残る。そのため、１つの穴の全体に遮光性物質を充填して輝点領域を黒点化する場合と比べ、遮光性物質が充填された部分の長さが短くなる。その結果、斜め方向から表示面を見た場合であっても、黒点化された部分が目立ちにくくなる。   According to the seventh configuration, the first hole and the second hole are connected by forming the second hole so as to overlap the first hole filled with the light-shielding substance. . Then, the formation of the second hole portion leaves the light-shielding substance in a part of the first hole portion. For this reason, the length of the portion filled with the light shielding material is shortened as compared to the case where the whole region is filled with the light shielding material to make the bright spot region black. As a result, even when the display surface is viewed from an oblique direction, the blackened portion is less noticeable.

第７の構成において、前記第２の穴部を形成するステップの後、さらに、前記第２の穴部の内側にエッチング加工を行うステップを備えることとしてもよい（第８の構成）。   In the seventh configuration, after the step of forming the second hole portion, a step of performing an etching process inside the second hole portion may be further provided (eighth configuration).

第８の構成によれば、第２の穴部の内側の面の光の屈折率が略均一化されるため、黒点化された部分をより目立ちにくくすることができる。   According to the eighth configuration, the refractive index of the light on the inner surface of the second hole is made substantially uniform, so that the blackened portion can be made less noticeable.

第７又は第８の構成において、さらに、前記第２の穴部に、透過性物質を充填するステップを備えることとしてもよい（第９の構成）。   The seventh or eighth configuration may further include a step of filling the second hole with a permeable substance (ninth configuration).

第９の構成によれば、透過性物質により遮光性物質を保護することができる。   According to the ninth configuration, the light shielding material can be protected by the transmissive material.

以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated. In addition, in order to make the explanation easy to understand, in the drawings referred to below, the configuration is shown in a simplified or schematic manner, or some components are omitted. Further, the dimensional ratio between the constituent members shown in each drawing does not necessarily indicate an actual dimensional ratio.

以下では、本発明による表示装置を透過型のＭＥＭＳディスプレイ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ Ｄｉｓｐｌａｙ）に適用した実施形態について説明する。   Hereinafter, an embodiment in which a display device according to the present invention is applied to a transmissive MEMS display (Micro Electro Mechanical System Display) will be described.

図１は、一実施形態における表示装置１０の構成例を示す斜視図である。図２は、表示装置１０の一部の領域における等価回路図である。   FIG. 1 is a perspective view illustrating a configuration example of a display device 10 according to an embodiment. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram in a partial region of the display device 10.

表示装置１０は、アクティブマトリクス基板１１、対向基板２１及び照射部３１が順に積層された構成を有する。   The display device 10 has a configuration in which an active matrix substrate 11, a counter substrate 21, and an irradiation unit 31 are sequentially stacked.

アクティブマトリクス基板１１には、画像を表示するための複数の画素Ｐが配置される表示領域１３が設けられている。表示領域１３には、後述するように、光を透過する光透過領域と、光を遮光する遮光領域とが存在する。また、アクティブマトリクス基板１１には、各画素Ｐの光の透過を制御する信号を供給するソースドライバ１２及びゲートドライバ１４が設けられている。   The active matrix substrate 11 is provided with a display area 13 in which a plurality of pixels P for displaying an image are arranged. As will be described later, the display area 13 includes a light transmitting area that transmits light and a light blocking area that blocks light. Further, the active matrix substrate 11 is provided with a source driver 12 and a gate driver 14 for supplying a signal for controlling light transmission of each pixel P.

図２に示すように、アクティブマトリクス基板１１には、複数のデータ線１５及び複数のゲート線１６が設けられている。データ線１５は、第１の方向に延伸しており、第１の方向と直交する第２の方向に所定の間隔で複数設けられている。ゲート線１６は、第２の方向に延伸しており、第１の方向に所定の間隔で複数設けられている。   As shown in FIG. 2, the active matrix substrate 11 is provided with a plurality of data lines 15 and a plurality of gate lines 16. The data line 15 extends in the first direction, and a plurality of data lines 15 are provided at a predetermined interval in a second direction orthogonal to the first direction. The gate lines 16 extend in the second direction, and a plurality of gate lines 16 are provided at predetermined intervals in the first direction.

画素Ｐは、データ線１５とゲート線１６とによって区切られた領域に形成されている。各画素Ｐには、シャッター機構Ｓが設けられている。なお、シャッター機構Ｓの詳細な説明は後述するものとする。   The pixel P is formed in a region delimited by the data line 15 and the gate line 16. Each pixel P is provided with a shutter mechanism S. A detailed description of the shutter mechanism S will be described later.

各データ線１５はソースドライバ１２に接続され、各ゲート線１６はゲートドライバ１４に接続されている。ゲートドライバ１４は、各ゲート線１６に、ゲート線１６を選択又は非選択の状態に切り替えるゲート信号を順次入力することにより、ゲート線１６を走査する。ソースドライバ１２は、ゲート線１６の走査に同期して、各データ線１５にデータ信号を入力する。これにより、選択されたゲート線１６に接続された各画素Ｐのシャッター機構Ｓに、所望の信号電圧を印加する。   Each data line 15 is connected to the source driver 12, and each gate line 16 is connected to the gate driver 14. The gate driver 14 scans the gate lines 16 by sequentially inputting to each gate line 16 a gate signal for switching the gate line 16 to a selected or non-selected state. The source driver 12 inputs a data signal to each data line 15 in synchronization with the scanning of the gate line 16. Thereby, a desired signal voltage is applied to the shutter mechanism S of each pixel P connected to the selected gate line 16.

図３は、１つの画素Ｐにおけるアクティブマトリクス基板１１、対向基板２１、及び照射部３１の概略断面図である。なお、便宜上、図３において、アクティブマトリクス基板１１におけるシャッター機構Ｓの図示を省略しているが、アクティブマトリクス基板１１の対向基板２１側の面にはシャッター機構Ｓが配置されている。   FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the active matrix substrate 11, the counter substrate 21, and the irradiation unit 31 in one pixel P. For convenience, the shutter mechanism S in the active matrix substrate 11 is not shown in FIG. 3, but the shutter mechanism S is disposed on the surface of the active matrix substrate 11 on the counter substrate 21 side.

図３に示すように、アクティブマトリクス基板１１における１つの画素Ｐは、照射部３１からの光を遮光する遮光膜２０１が形成され、遮光膜２０１と遮光膜２０１の間に、光を透過する２つの光透過領域ＴＡが形成されている。   As shown in FIG. 3, in one pixel P in the active matrix substrate 11, a light shielding film 201 that shields light from the irradiation unit 31 is formed, and light is transmitted between the light shielding film 201 and the light shielding film 201. Two light transmission regions TA are formed.

対向基板２１は、例えば、ガラスなどの透光性基板２１０と遮光膜２１１とを備える。遮光膜２１１は、透光性基板２１０のアクティブマトリクス基板１１側の面に所定の間隔で設けられている。これにより、対向基板２１において、照射部３１からの光を透過させる光透過領域ＴＢと、光を遮光する遮光領域とが形成される。光透過領域ＴＢは、アクティブマトリクス基板１１の光透過領域ＴＡに対向する位置に形成される。また、遮光膜２１１の材料としては、例えば、チタン、クロム等の金属膜が用いられる。   The counter substrate 21 includes a light-transmitting substrate 210 such as glass and a light shielding film 211, for example. The light shielding films 211 are provided at predetermined intervals on the surface of the translucent substrate 210 on the active matrix substrate 11 side. Thereby, in the counter substrate 21, a light transmission region TB that transmits light from the irradiation unit 31 and a light shielding region that blocks light are formed. The light transmission region TB is formed at a position facing the light transmission region TA of the active matrix substrate 11. Moreover, as a material of the light shielding film 211, for example, a metal film such as titanium or chromium is used.

照射部３１は、例えば、赤色（Ｒ）光源、緑色（Ｇ）光源、及び青色（Ｂ）の各色の光源を有するバックライト３１１と、バックライト３１１から照射された各色の光を対向基板２１の方向へ反射させる反射板３１２とを有する。照射部３１は、入力されるバックライト用制御信号に基づいて、所定の光源を発光させ、画素Ｐにバックライト光を照射する。光源は、例えば冷陰極管（ＣＣＦＬ）、ＬＥＤ、有機ＥＬ、無機ＥＬ等である。   The irradiation unit 31 includes, for example, a backlight 311 having a red (R) light source, a green (G) light source, and a blue (B) light source, and light of each color emitted from the backlight 311 on the counter substrate 21. And a reflecting plate 312 that reflects in the direction. The irradiation unit 31 emits a predetermined light source based on the input backlight control signal, and irradiates the pixel P with backlight light. The light source is, for example, a cold cathode tube (CCFL), an LED, an organic EL, an inorganic EL, or the like.

照射部３１から照射されたバックライト光は、後述するシャッター機構Ｓの制御に応じて、対向基板２１における光透過領域ＴＢとアクティブマトリクス基板１１における光透過領域ＴＡを透過したり、シャッター機構Ｓによって遮光されたりする。以下、シャッター機構Ｓについて具体的に説明する。   The backlight light emitted from the irradiation unit 31 is transmitted through the light transmission region TB in the counter substrate 21 and the light transmission region TA in the active matrix substrate 11 according to the control of the shutter mechanism S described later, or by the shutter mechanism S. It is shielded from light. Hereinafter, the shutter mechanism S will be specifically described.

（シャッター機構Ｓ）
図４は、１つの画素Ｐにおけるシャッター機構Ｓの詳細な構成例を示す斜視図である。シャッター機構Ｓは、シャッター体３と、第１電極部４ａと、第２電極部４ｂとを備える。 (Shutter mechanism S)
FIG. 4 is a perspective view illustrating a detailed configuration example of the shutter mechanism S in one pixel P. The shutter mechanism S includes a shutter body 3, a first electrode portion 4a, and a second electrode portion 4b.

シャッター体３は、板状の形状を有する。なお、図４では、図示の便宜上、シャッター体３は平面形状を有するように示しているが、実際には、後述する図６や図８の断面図に示すように、シャッター体３の長手方向（Ｙ軸方向）に折り目を有した形状を有する。シャッター体３の長手方向に垂直な方向、すなわち短手方向（Ｘ軸方向）がシャッター体３の駆動方向（移動方向）である。   The shutter body 3 has a plate shape. In FIG. 4, for convenience of illustration, the shutter body 3 is shown as having a planar shape, but actually, as shown in cross-sectional views of FIGS. It has a shape with a fold in the (Y-axis direction). The direction perpendicular to the longitudinal direction of the shutter body 3, that is, the short side direction (X-axis direction) is the driving direction (movement direction) of the shutter body 3.

シャッター体３は、長手方向（Ｙ軸方向）を長辺とする矩形形状の開口３ａを有する。   The shutter body 3 has a rectangular opening 3a having a long side in the longitudinal direction (Y-axis direction).

また、シャッター体３には、第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２の一端が接続されている。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２の他端は、アクティブマトリクス基板１１に固定された支持部である第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２に接続されている。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２は、弾性変形可能である。   In addition, one end of a first shutter beam 51 and a second shutter beam 52 is connected to the shutter body 3. The other ends of the first shutter beam 51 and the second shutter beam 52 are connected to a first shutter beam anchor 81 and a second shutter beam anchor 82 which are support portions fixed to the active matrix substrate 11. The first shutter beam 51 and the second shutter beam 52 can be elastically deformed.

第１シャッタービーム５１は、駆動方向におけるシャッター体３の一方の端部に接続され、第２シャッタービーム５２は、駆動方向におけるシャッター体３の他方の端部に接続されている。すなわち、第２シャッタービーム５２は、第１シャッタービーム５１が接続されているシャッター体３の端部と反対側の端部に接続されている。この例では、シャッター体３の２つの長辺にそれぞれ２本の第１シャッタービーム５１と第２シャッタービーム５２が接続されている。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２はそれぞれ、シャッター体３との接続箇所から外側へ延びて、第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２に接続されている。   The first shutter beam 51 is connected to one end of the shutter body 3 in the driving direction, and the second shutter beam 52 is connected to the other end of the shutter body 3 in the driving direction. That is, the second shutter beam 52 is connected to the end opposite to the end of the shutter body 3 to which the first shutter beam 51 is connected. In this example, two first shutter beams 51 and two second shutter beams 52 are connected to the two long sides of the shutter body 3, respectively. The first shutter beam 51 and the second shutter beam 52 extend outward from the connection portion with the shutter body 3 and are connected to the first shutter beam anchor 81 and the second shutter beam anchor 82, respectively.

このように、第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２は、アクティブマトリクス基板１１に対して固定された第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２と、シャッター体３とを接続する。第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２は可撓性を有するので、シャッター体３は、アクティブマトリクス基板１１に対して可動な状態で支持される。また、シャッター体３は、第１シャッタービームアンカー８１、及び第２シャッタービームアンカー８２と、第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２とを介して、アクティブマトリクス基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。   Thus, the first shutter beam 51 and the second shutter beam 52 connect the first shutter beam anchor 81 and the second shutter beam anchor 82 fixed to the active matrix substrate 11 and the shutter body 3. To do. Since the first shutter beam 51 and the second shutter beam 52 have flexibility, the shutter body 3 is supported in a movable state with respect to the active matrix substrate 11. Further, the shutter body 3 has wiring (provided on the active matrix substrate 11) via the first shutter beam anchor 81, the second shutter beam anchor 82, the first shutter beam 51, and the second shutter beam 52. (Not shown).

第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２は、シャッター体３の駆動方向における両側に隣接して設けられている。第１駆動ビーム６１はシャッター体３の駆動方向における一方の端部に、第２駆動ビーム６２はシャッター体３の駆動方向における他方の端部に対向して設けられている。すなわち、第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２は、シャッター体３に接続された第１シャッタービーム５１、及び第２シャッタービーム５２に対向する位置に配置されている。   The first drive beam 61 and the second drive beam 62 are provided adjacent to both sides in the drive direction of the shutter body 3. The first driving beam 61 is provided at one end portion in the driving direction of the shutter body 3, and the second driving beam 62 is provided to face the other end portion in the driving direction of the shutter body 3. That is, the first drive beam 61 and the second drive beam 62 are arranged at positions facing the first shutter beam 51 and the second shutter beam 52 connected to the shutter body 3.

第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２の端部は、アクティブマトリクス基板１１に固定された第１駆動ビームアンカー７１、及び第２駆動ビームアンカー７２にそれぞれ接続されている。第１駆動ビーム６１、及び第２駆動ビーム６２は、第１駆動ビームアンカー７１、及び第２駆動ビームアンカー７２を介して、アクティブマトリクス基板１１に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。ここでは一例として、第１駆動ビーム６１は一対の駆動ビームで構成されているが、１本の駆動ビームで構成することもできる。第２駆動ビーム６２も同様である。   End portions of the first drive beam 61 and the second drive beam 62 are connected to a first drive beam anchor 71 and a second drive beam anchor 72 fixed to the active matrix substrate 11, respectively. The first drive beam 61 and the second drive beam 62 are electrically connected to wiring (not shown) provided on the active matrix substrate 11 via the first drive beam anchor 71 and the second drive beam anchor 72. It is connected. Here, as an example, the first drive beam 61 is composed of a pair of drive beams, but may be composed of a single drive beam. The same applies to the second drive beam 62.

第１駆動ビーム６１及び第１駆動ビームアンカー７１により、第１電極部４ａが構成されている。また、第２駆動ビーム６２及び第２駆動ビームアンカー７２により、第２電極部４ｂが構成されている。第１電極部４ａ及び第２電極部４ｂには、後述するように、所定の電圧が与えられる。   The first drive beam 61 and the first drive beam anchor 71 constitute the first electrode portion 4a. Further, the second drive beam 62 and the second drive beam anchor 72 constitute the second electrode portion 4b. A predetermined voltage is applied to the first electrode portion 4a and the second electrode portion 4b as described later.

アクティブマトリクス基板１１は、光を透過する光透過領域ＴＡを有する。図４に示す例では、アクティブマトリクス基板１１には、１つの画素につき２つの光透過領域ＴＡが設けられている。光透過領域ＴＡは、シャッター体３の開口３ａに対応した矩形形状を有する。２つの光透過領域ＴＡは、シャッター体３の短手方向（Ｘ軸方向）に並ぶように配置されている。シャッター体３と第１電極部４ａの間、及びシャッター体３と第２電極部４ｂの間に電気的な力が働いていない場合、シャッター体３の開口３ａは、光透過領域ＴＡと部分的に重なっている。   The active matrix substrate 11 has a light transmission area TA that transmits light. In the example shown in FIG. 4, the active matrix substrate 11 is provided with two light transmission regions TA for each pixel. The light transmission area TA has a rectangular shape corresponding to the opening 3 a of the shutter body 3. The two light transmission regions TA are arranged so as to be aligned in the short side direction (X-axis direction) of the shutter body 3. When no electrical force is applied between the shutter body 3 and the first electrode portion 4a and between the shutter body 3 and the second electrode portion 4b, the opening 3a of the shutter body 3 is partially connected to the light transmission region TA. It overlaps with.

本実施形態において、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、第１電極部４ａと第２電極部４ｂに、一定時間ごとに極性の異なる電位を供給している。また、シャッター機構Ｓを制御する駆動回路は、シャッター体３に対して、正の極性または負の極性の固定電位を供給する。   In the present embodiment, the drive circuit that controls the shutter mechanism S supplies potentials having different polarities to the first electrode portion 4a and the second electrode portion 4b at regular time intervals. The drive circuit that controls the shutter mechanism S supplies a positive potential or a fixed potential with a negative polarity to the shutter body 3.

シャッター体３にＨ（Ｈｉｇｈ）レベルの電位が供給されている場合を例に説明すると、第１電極部４ａの駆動ビーム６１の電位がＨレベル、第２電極部４ｂの駆動ビーム６２の電位がＬ（Ｌｏｗ）レベルのとき、静電気力によって、シャッター体３は、Ｌレベルの第２電極部４ｂ側に移動する。ここで、図５は、この状態のシャッター機構Ｓの平面図であり、図６は、図５のＶ−Ｖ線における概略断面図である。図５及び図６に示すように、シャッター体３の開口３ａがアクティブマトリクス基板１１の２つの光透過領域ＴＡのうちの１つと重なり、照射部３１（図３参照）からの光がアクティブマトリクス基板１１を透過する（開状態）。   The case where the potential of the H (High) level is supplied to the shutter body 3 will be described as an example. The potential of the driving beam 61 of the first electrode unit 4a is H level, and the potential of the driving beam 62 of the second electrode unit 4b is At the L (Low) level, the shutter body 3 moves to the second electrode portion 4b side at the L level by electrostatic force. Here, FIG. 5 is a plan view of the shutter mechanism S in this state, and FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along line VV of FIG. As shown in FIGS. 5 and 6, the opening 3a of the shutter body 3 overlaps with one of the two light transmission regions TA of the active matrix substrate 11, and the light from the irradiation unit 31 (see FIG. 3) is reflected by the active matrix substrate. 11 (open state).

一方、第１電極部４ａの電位がＬレベル且つ第２電極部４ｂの電位がＨレベルのときには、シャッター体３は、第１電極部４ａ側に移動する。図７は、この状態のシャッター機構Ｓの平面図であり、図８は、図７のＶＩＩ−ＶＩＩ線における概略断面図である。図７及び図８に示すように、シャッター体３の開口３ａ以外の部分が、光透過領域ＴＡと重なる。この場合、照射部３１（図３参照）からの光がアクティブマトリクス基板１１を透過しない（閉状態）。   On the other hand, when the potential of the first electrode portion 4a is L level and the potential of the second electrode portion 4b is H level, the shutter body 3 moves to the first electrode portion 4a side. FIG. 7 is a plan view of the shutter mechanism S in this state, and FIG. 8 is a schematic sectional view taken along line VII-VII in FIG. As shown in FIGS. 7 and 8, the portion other than the opening 3 a of the shutter body 3 overlaps the light transmission region TA. In this case, light from the irradiation unit 31 (see FIG. 3) does not pass through the active matrix substrate 11 (closed state).

従って、本実施形態のシャッター機構Ｓでは、シャッター体３、第１電極部４ａ、及び第２電極部４ｂの電位を制御することにより、シャッター体３を移動させ、アクティブマトリクス基板１１の光透過領域ＴＡの開状態と閉状態との切り替えを行うことができる。なお、シャッター体３にＬレベルの電位が供給されている場合には、シャッター体３は上記とは逆の動作をする。   Therefore, in the shutter mechanism S of the present embodiment, the shutter body 3 is moved by controlling the potentials of the shutter body 3, the first electrode portion 4a, and the second electrode portion 4b, and the light transmission region of the active matrix substrate 11 is moved. The TA can be switched between an open state and a closed state. When an L level potential is supplied to the shutter body 3, the shutter body 3 performs the reverse operation.

次に、アクティブマトリクス基板１１の詳細な構成について説明する。図９は、アクティブマトリクス基板１１の断面図である。図９に示すように、アクティブマトリクス基板１１は、絶縁基板である透光性基板（例えば、ガラス基板）１００上に、遮光部２００、ＴＦＴ３００、及びシャッター機構Ｓが形成された構成を有する。ＴＦＴ３００及びシャッター機構Ｓは、透光性基板１００上にマトリクス状に配置されている。なお、図９では１つのＴＦＴを示しているが、実際には、単一の画素Ｐに複数のＴＦＴを含んでいる。遮光部２００は、遮光膜２０１及び透明絶縁膜２０２を含む。   Next, a detailed configuration of the active matrix substrate 11 will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view of the active matrix substrate 11. As shown in FIG. 9, the active matrix substrate 11 has a configuration in which a light-shielding portion 200, a TFT 300, and a shutter mechanism S are formed on a translucent substrate (for example, a glass substrate) 100 that is an insulating substrate. The TFT 300 and the shutter mechanism S are arranged in a matrix on the translucent substrate 100. Although one TFT is shown in FIG. 9, a single pixel P actually includes a plurality of TFTs. The light shielding unit 200 includes a light shielding film 201 and a transparent insulating film 202.

ＴＦＴ３００は、ゲート電極３０１、酸化物半導体膜３０２、エッチストッパ層３０３，ソース電極３０４、及びドレイン電極３０５を含む。   The TFT 300 includes a gate electrode 301, an oxide semiconductor film 302, an etch stopper layer 303, a source electrode 304, and a drain electrode 305.

遮光膜２０１は、透光性基板１００上に設けられている。遮光膜２０１は、表示領域１３（図１参照）のうち、光透過領域ＴＡ以外を覆うように形成されている。これにより、視認側から表示装置１０に進入した外光が遮光膜２０１よりも対向基板２１側に入っていくのを抑制することができる。   The light shielding film 201 is provided on the translucent substrate 100. The light shielding film 201 is formed so as to cover the display area 13 (see FIG. 1) except for the light transmission area TA. Thereby, it is possible to prevent external light that has entered the display device 10 from the viewing side from entering the counter substrate 21 side with respect to the light shielding film 201.

遮光膜２０１は、光を反射しにくい材料で形成されている。これにより、視認側から表示装置１０に進入した外光が、遮光膜２０１で反射されて視認側に出射するのを抑制することができる。また、遮光膜２０１は、高抵抗の材料で形成されている。これにより、遮光膜２０１とＴＦＴ３００等を構成する導電膜との間に大きな寄生容量が形成されるのを抑制することができる。また、遮光膜２０１はＴＦＴ製造プロセスよりも前に形成されるので、遮光膜２０１の材料としては、後工程でのＴＦＴ製造プロセス処理においてＴＦＴ特性への影響がなく、かつＴＦＴ製造プロセス処理に耐えうる材料を選択する必要がある。このような条件を満足する遮光膜２０１の材料としては、例えば、カーボン粒子（カーボンブラック）を含有することによって暗色に着色された高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜等が挙げられる。   The light shielding film 201 is formed of a material that hardly reflects light. Thereby, it can suppress that the external light which approached the display apparatus 10 from the visual recognition side is reflected by the light shielding film 201, and is radiate | emitted to the visual recognition side. The light shielding film 201 is made of a high resistance material. Thereby, it is possible to suppress the formation of a large parasitic capacitance between the light shielding film 201 and the conductive film constituting the TFT 300 or the like. Further, since the light shielding film 201 is formed before the TFT manufacturing process, the material of the light shielding film 201 has no influence on the TFT characteristics in the TFT manufacturing process processing in the subsequent process, and is resistant to the TFT manufacturing process processing. It is necessary to select a material that can be obtained. Examples of the material of the light shielding film 201 that satisfies such conditions include a high melting point resin film (such as polyimide) that is colored dark by containing carbon particles (carbon black), an SOG (Spin On Glass) film, and the like. Is mentioned.

光透過膜２０４は、遮光膜２０１が形成されていない領域、すなわち、アクティブマトリクス基板の水平方向から見て、遮光膜２０１の間にのみ設けられている。光透過膜２０４は、例えば、塗布型の材料で形成されている。なお、塗布型の材料とは、塗布により成膜可能な材料を意味する。具体的には、光透過膜２０４は、例えば、透明の高融点樹脂膜（ポリイミドなど）やＳＯＧ膜で形成されている。本実施形態では、遮光膜２０１と、光透過膜２０４の母材は同一である。   The light transmission film 204 is provided only between the light shielding films 201 when viewed from the region where the light shielding film 201 is not formed, that is, from the horizontal direction of the active matrix substrate. The light transmission film 204 is made of, for example, a coating type material. Note that the coating-type material means a material that can be formed by coating. Specifically, the light transmission film 204 is formed of, for example, a transparent high melting point resin film (such as polyimide) or an SOG film. In the present embodiment, the base material of the light shielding film 201 and the light transmission film 204 is the same.

遮光膜２０１の上面には、透明絶縁膜２０２が設けられている。透明絶縁膜２０２が設けられていることにより、遮光膜２０１中のカーボン粒子（カーボンブラック）等の暗色材料が高温アニールにより酸化されて、遮光膜２０１が透明化するのを防ぐことができる。   A transparent insulating film 202 is provided on the upper surface of the light shielding film 201. By providing the transparent insulating film 202, it is possible to prevent the dark material such as carbon particles (carbon black) in the light shielding film 201 from being oxidized by high-temperature annealing and making the light shielding film 201 transparent.

ゲート電極３０１は、第１導電膜Ｍ１で形成されている。第１導電膜Ｍ１は、ＴＦＴ３００のゲート電極３０１の他、配線１１１等も構成している。配線１１１は、例えばゲート線である。また、ソース電極３０４とドレイン電極３０５とは、第２導電膜Ｍ２で形成されている。第２導電膜Ｍ２は、ＴＦＴ３００のソース電極３０４とドレイン電極３０５の他、配線１１２等も構成している。   The gate electrode 301 is formed of the first conductive film M1. The first conductive film M1 constitutes the wiring 111 and the like in addition to the gate electrode 301 of the TFT 300. The wiring 111 is, for example, a gate line. The source electrode 304 and the drain electrode 305 are formed of the second conductive film M2. The second conductive film M2 constitutes the wiring 112 and the like in addition to the source electrode 304 and the drain electrode 305 of the TFT 300.

酸化物半導体膜３０２は、例えば、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうち少なくとも１種の金属元素を含んでもよい。本実施形態では、酸化物半導体膜３０２は、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。このような酸化物半導体膜３０２は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む酸化物半導体膜から形成され得る。なお、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む活性層を有するチャネルエッチ型のＴＦＴを、「ＣＥ−ＩｎＧａＺｎＯ−ＴＦＴ」と呼ぶことがある。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、アモルファスでもよいし、結晶質でもよい。結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体が好ましい。   For example, the oxide semiconductor film 302 may include at least one metal element of In, Ga, and Zn. In this embodiment, the oxide semiconductor film 302 includes, for example, an In—Ga—Zn—O-based semiconductor. Here, the In—Ga—Zn—O-based semiconductor is a ternary oxide of In (indium), Ga (gallium), and Zn (zinc), and a ratio (composition ratio) of In, Ga, and Zn. Is not particularly limited, and includes, for example, In: Ga: Zn = 2: 2: 1, In: Ga: Zn = 1: 1: 1, In: Ga: Zn = 1: 1: 2, and the like. Such an oxide semiconductor film 302 can be formed using an oxide semiconductor film containing an In—Ga—Zn—O-based semiconductor. Note that a channel-etch TFT having an active layer containing an In—Ga—Zn—O-based semiconductor may be referred to as a “CE-InGaZnO-TFT”. The In—Ga—Zn—O-based semiconductor may be either amorphous or crystalline. As the crystalline In—Ga—Zn—O-based semiconductor, a crystalline In—Ga—Zn—O-based semiconductor in which the c-axis is oriented substantially perpendicular to the layer surface is preferable.

ゲート電極３０１は、ゲート絶縁膜１０１で覆われている。ソース電極３０４とドレイン電極３０５は、パッシベーション膜１０２で覆われている。パッシベーション膜１０２は、さらに、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４で覆われている。ＴＦＴ３００は、酸化物半導体を含み、従来公知の構成を有する。   The gate electrode 301 is covered with the gate insulating film 101. The source electrode 304 and the drain electrode 305 are covered with the passivation film 102. The passivation film 102 is further covered with a planarization film 103 and a passivation film 104. The TFT 300 includes an oxide semiconductor and has a conventionally known configuration.

パッシベーション膜１０２、平坦化膜１０３及びパッシベーション膜１０４には、ドレイン電極３０５に達するコンタクトホールＣＨ３が形成されている。パッシベーション膜１０４の上には、配線１１３が形成されている。配線１１３の一部１１３ａは、コンタクトホールＣＨ３の表面を覆って設けられ、ドレイン電極３０５と電気的に接続されている。配線１１３は、第３導電膜Ｍ３で形成されている。配線１１３は、シャッター機構Ｓの第１電極部４ａ、第２電極部４ｂ、シャッター体３等に接続されている。なお、配線１１３の一部１１３ａは、パッシベーション膜１０４の表面に設けられた透明導電膜１１４と電気的に接続されていてもよい。配線１１３は、パッシベーション膜１０５で覆われている。   A contact hole CH3 reaching the drain electrode 305 is formed in the passivation film 102, the planarization film 103, and the passivation film 104. A wiring 113 is formed on the passivation film 104. A part 113a of the wiring 113 is provided so as to cover the surface of the contact hole CH3 and is electrically connected to the drain electrode 305. The wiring 113 is formed of the third conductive film M3. The wiring 113 is connected to the first electrode portion 4a, the second electrode portion 4b, the shutter body 3 and the like of the shutter mechanism S. Note that a part 113 a of the wiring 113 may be electrically connected to the transparent conductive film 114 provided on the surface of the passivation film 104. The wiring 113 is covered with a passivation film 105.

パッシベーション膜１０５の上には、シャッター機構Ｓが設けられている。シャッター機構Ｓの構成は上述の通りである。なお、シャッター体３は、透光性基板１００側のシャッター本体３ｂと金属膜３ｃとが積層された構成を有する。   A shutter mechanism S is provided on the passivation film 105. The configuration of the shutter mechanism S is as described above. The shutter body 3 has a configuration in which a shutter main body 3b on the translucent substrate 100 side and a metal film 3c are laminated.

本実施形態では、例えば、シャッター機構Ｓの動作不良などによって輝点欠陥が存在している画素を黒点化する修正を行う。具体的には、表示装置１０の製造時において、表示領域に黒色を表示させて輝点欠陥が存在している画素（以下、輝点画素）を検出する。そして、その輝点画素における光透過領域ＴＡを黒点化する黒点化部を形成する。以下、黒点化部の詳細について説明する。   In the present embodiment, for example, correction is performed so that a pixel in which a bright spot defect exists due to malfunction of the shutter mechanism S or the like is blackened. Specifically, when the display device 10 is manufactured, black is displayed in the display region to detect a pixel in which a bright spot defect exists (hereinafter, bright spot pixel). Then, a black spot forming portion that blacks the light transmission area TA in the bright spot pixel is formed. Hereinafter, details of the black spot forming unit will be described.

図１０は、図９に示すアクティブマトリクス基板１１を視認側（Ｚ軸負方向）から見た模式図であって、輝点画素の光透過領域ＴＡに形成された黒点化部を示す模式図である。図１０において円形枠８００で示す部分が黒点化部である。また、図１１は、図１０に示すアクティブマトリクス基板１１のＩ−Ｉ断面を示す概略断面図である。   FIG. 10 is a schematic view of the active matrix substrate 11 shown in FIG. 9 as viewed from the viewing side (Z-axis negative direction), and is a schematic view showing a black spot portion formed in the light transmission region TA of the bright spot pixel. is there. In FIG. 10, a portion indicated by a circular frame 800 is a black spot portion. FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing a II cross section of the active matrix substrate 11 shown in FIG.

図１０に示すように、黒点化部８００は、視認側（Ｚ軸負方向）から見て、輝点画素における光透過領域ＴＡを覆う略円形の形状を有する。また、図１１に示すように、黒点化部８００は、透光性基板１００の視認側（Ｚ軸負方向側）の面からＺ軸正方向に向かって形成された深さｄを有する穴に設けられた遮光部８１０と透過部８２０とを備える。具体的には、透過部８２０は、透光性基板１００の穴の上端側（Ｚ軸負方向側）、すなわち、透光性基板１００の視認側（Ｚ軸負方向側）の面に接して設けられている。遮光部８１０は、透光性基板１００の穴の底部側（Ｚ軸正方向側）、すなわち、透過部８２０が設けられる穴の位置より透光性基板１００の内部側に設けられている。   As illustrated in FIG. 10, the black spotting unit 800 has a substantially circular shape that covers the light transmission region TA in the bright spot pixel as viewed from the viewing side (Z-axis negative direction). Further, as shown in FIG. 11, the black spot portion 800 is formed in a hole having a depth d formed from the surface on the viewing side (Z-axis negative direction side) of the translucent substrate 100 toward the Z-axis positive direction. The light shielding unit 810 and the transmission unit 820 are provided. Specifically, the transmissive portion 820 is in contact with the upper end side (Z-axis negative direction side) of the hole of the translucent substrate 100, that is, the surface on the viewing side (Z-axis negative direction side) of the translucent substrate 100. Is provided. The light shielding portion 810 is provided on the bottom side (Z-axis positive direction side) of the hole of the translucent substrate 100, that is, on the inner side of the translucent substrate 100 from the position of the hole where the transmissive portion 820 is provided.

遮光部８１０は、光を遮光する遮光性物質８１１が充填され、透過部８２０は、光を透過する透過性物質８２１が充填されている。つまり、遮光部８１０は、透光性基板１００の穴に充填された遮光性物質８１１の上面が、穴の上端よりも底部側に位置するように、透光性基板１００の内部に設けられている。遮光性物質８１１には、例えば、黒色を有する漆系の合成樹脂等、遮光性を有する材料が用いられる。また、透過性物質８２１には、例えば、透明樹脂等、透光性を有する材料が用いられる。なお、透光性物質は、透光性基板１００と同様の光の屈折率を有する材料が用いられることが望ましい。   The light blocking portion 810 is filled with a light blocking material 811 that blocks light, and the transmission portion 820 is filled with a transparent material 821 that transmits light. That is, the light shielding portion 810 is provided inside the light transmissive substrate 100 so that the upper surface of the light shielding material 811 filled in the hole of the light transmissive substrate 100 is located on the bottom side of the upper end of the hole. Yes. For the light-shielding substance 811, for example, a light-shielding material such as a lacquer synthetic resin having black is used. For the transmissive substance 821, for example, a transparent material such as a transparent resin is used. Note that a material having a light refractive index similar to that of the light-transmitting substrate 100 is preferably used as the light-transmitting substance.

また、図１１において、黒点化部８００の全体の深さｄは約０．４０ｍｍであり、遮光部８１０の深さｄ１は約０．１５ｍｍ、透過部８２０の深さｄ２は約０．２５ｍｍである。この例における、透光性基板１００の厚み（Ｚ軸方向の長さ）は約０．５ｍｍであり、遮光部８１０のＺ軸正方向側の端部から透光性基板１００のＺ軸正方向側の面までの長さは約０．１ｍｍである。   In FIG. 11, the total depth d of the black spotted portion 800 is about 0.40 mm, the depth d1 of the light shielding portion 810 is about 0.15 mm, and the depth d2 of the transmission portion 820 is about 0.25 mm. is there. In this example, the thickness (the length in the Z-axis direction) of the translucent substrate 100 is about 0.5 mm, and the Z-axis positive direction of the translucent substrate 100 from the end on the Z-axis positive direction side of the light shielding portion 810. The length to the side surface is about 0.1 mm.

黒点化部８００は、図１０に示すように、光透過領域ＴＡの長手方向の長さＬよりも大きい直径を有する。本実施形態では、黒点化部８００は、例えば、光透過領域ＴＡの長さＬに対し、１．３倍以上、１．４倍以下の直径を有する。具体的には、この例において、光透過領域ＴＡの長さＬは、例えば約１００μｍ、遮光部８１０の直径Ｌ１は、例えば、約０．１７５ｍｍ以上、０．１８０ｍｍ以下であり、透過部８２０の直径Ｌ２は、例えば、約０．２０ｍｍである。つまり、透過部８２０における穴の直径は、遮光部８１０における穴の直径Ｌ１より大きい。なお、上記の各寸法は、表示装置１０の画素数やサイズ等によって異なり、上記寸法に限定されない。   As shown in FIG. 10, the black spot forming portion 800 has a diameter larger than the length L in the longitudinal direction of the light transmission region TA. In the present embodiment, the black spot forming unit 800 has a diameter that is 1.3 times or more and 1.4 times or less the length L of the light transmission region TA, for example. Specifically, in this example, the length L of the light transmission region TA is, for example, about 100 μm, and the diameter L1 of the light shielding unit 810 is, for example, about 0.175 mm or more and 0.180 mm or less. The diameter L2 is about 0.20 mm, for example. That is, the diameter of the hole in the transmission part 820 is larger than the diameter L1 of the hole in the light shielding part 810. Note that the above dimensions vary depending on the number of pixels, the size, and the like of the display device 10 and are not limited to the above dimensions.

次に、輝点画素を黒点化する輝点修正方法、すなわち、黒点化部８００の形成方法について説明する。   Next, a bright spot correction method for turning a bright spot pixel into a black spot, that is, a method for forming the black spot portion 800 will be described.

（工程Ａ）
まず、例えば、直径０．１７５ｍｍを有するドリルを用い、輝点画素における光透過領域ＴＡを覆うように、透光性基板１００の視認側の面から深さが約０．４ｍｍの穴（以下、第１の穴部）を形成する。これにより、図１２Ａに示すように、アクティブマトリクス基板１１の透光性基板１００の視認側（Ｚ軸負方向側）の面に、直径Ｌ１＝約０．１７５ｍｍ、深さｄ＝約０．４ｍｍの第１の穴部８１０Ｒが形成される。 (Process A)
First, for example, using a drill having a diameter of 0.175 mm, a hole having a depth of about 0.4 mm from the surface on the viewing side of the light-transmitting substrate 100 so as to cover the light transmission region TA in the bright spot pixel (hereinafter, 1st hole part) is formed. As a result, as shown in FIG. 12A, the diameter L1 = about 0.175 mm and the depth d = about 0.4 mm on the surface of the active matrix substrate 11 on the viewing side (Z-axis negative direction side) of the translucent substrate 100. The first hole portion 810R is formed.

（工程Ｂ）
次に、図１２Ａにおける第１の穴部８１０Ｒに、遮光性物質８１１を充填する。これにより、図１２Ｂに示すように、第１の穴部８１０Ｒの全体に遮光性物質８１１が充填される。 (Process B)
Next, the light-shielding substance 811 is filled into the first hole 810R in FIG. 12A. Thereby, as shown in FIG. 12B, the entire first hole 810R is filled with the light-shielding substance 811.

（工程Ｃ）
続いて、例えば、直径０．２０ｍｍを有するドリルを用い、透光性基板１００のＺ軸負方向側の面から深さが約０．２５ｍｍの穴（以下、第２の穴部）を、第１の穴部８１０Ｒに重ねて形成する。これにより、図１２Ｃに示すように、遮光性物質８１１が充填された第１の穴部８１０Ｒは、第１の穴部８１０Ｒの底部側から深さｄ１（＝約０．１５ｍｍ）を残して除去され、遮光部８１０が形成される。そして、直径Ｌ２（＝約０．２０ｍｍ）、深さｄ２（＝約０．２５ｍｍ）の第２の穴部８２０Ｒが形成され、第１の穴部８１０Ｒと連結される。 (Process C)
Subsequently, for example, using a drill having a diameter of 0.20 mm, a hole having a depth of about 0.25 mm from the surface of the translucent substrate 100 on the negative side in the Z-axis (hereinafter referred to as a second hole) is The first hole 810R is formed so as to overlap. Thereby, as shown in FIG. 12C, the first hole 810R filled with the light-shielding substance 811 is removed leaving the depth d1 (= about 0.15 mm) from the bottom side of the first hole 810R. As a result, a light shielding portion 810 is formed. A second hole 820R having a diameter L2 (= about 0.20 mm) and a depth d2 (= about 0.25 mm) is formed and connected to the first hole 810R.

このように、透光性基板１００の断面において、第１の穴部８１０Ｒにおける遮光性物質８１１の底面が、透光性基板１００の第１の穴部８１０Ｒが形成された面よりも対向基板２０側の面に近い位置になるように遮光部８１０は形成される。   Thus, in the cross section of the translucent substrate 100, the bottom surface of the light blocking material 811 in the first hole portion 810 </ b> R is larger than the surface of the translucent substrate 100 where the first hole portion 810 </ b> R is formed. The light shielding portion 810 is formed so as to be close to the side surface.

（工程Ｄ）
次に、第２の穴部８２０Ｒの内部に、例えば、フッ酸を含むエッチング液を塗布し、エッチング液を乾燥させる。これにより、第２の穴部８２０Ｒの内側の面における光の屈折率が略均一となる。なお、エッチング液は、遮光性物質８１１の表面にも塗布されるため、遮光性物質８１１がエッチングされない材料が用いられる。 (Process D)
Next, for example, an etching solution containing hydrofluoric acid is applied to the inside of the second hole 820R, and the etching solution is dried. Thereby, the refractive index of light on the inner surface of the second hole 820R becomes substantially uniform. Note that since the etchant is also applied to the surface of the light-blocking substance 811, a material that does not etch the light-blocking substance 811 is used.

（工程Ｅ）
次に、エッチング加工された第２の穴部８２０Ｒに、透過性物質を充填する。これにより、図１２Ｄに示すように、遮光性物質８１１に接触するように第２の穴部８２０Ｒに透過性物質８２１が充填されて透過部８２０が形成され、黒点化部８００が形成される。 (Process E)
Next, a permeable substance is filled into the etched second hole 820R. Thus, as shown in FIG. 12D, the second hole 820R is filled with the transmissive substance 821 so as to come into contact with the light shielding substance 811 to form the transmissive part 820, and the black spotted part 800 is formed.

このように、上述した第１の実施の形態では、輝点欠陥が生じている画素において、アクティブマトリクス基板１１の視認側の面に形成された穴の底部に遮光性物質８１１が充填された遮光部８１０と、遮光部８１０から穴の上端まで透光性物質８２１が充填された透過部８２０とによって黒点化部８００が形成される。そのため、穴全体に遮光性物質８１１が充填される場合と比べ、遮光部８１０の長さが短くなり、表示面を斜め方向から見た場合でも、黒点化された部分が目立ちにくい。   As described above, in the first embodiment described above, in the pixel in which the bright spot defect occurs, the light shielding material 811 is filled with the light shielding material 811 at the bottom of the hole formed on the viewing side surface of the active matrix substrate 11. The black spotted portion 800 is formed by the portion 810 and the transmissive portion 820 filled with the translucent material 821 from the light shielding portion 810 to the upper end of the hole. Therefore, the length of the light-shielding portion 810 is shorter than when the entire hole is filled with the light-shielding substance 811, and even when the display surface is viewed from an oblique direction, the blackened portion is less noticeable.

また、透過部８２０を形成する際、遮光部８１０を形成するための第１の穴部８１０Ｒよりも直径が大きい第２の穴部８２０Ｒを形成するため、第２の穴部８２０Ｒの内面に遮光性物質８１１が残らない。そのため、透過部８２０の内面に遮光性物質８１１が付着することなく、遮光性物質８１１を所定の長さに保つことができ、遮光部８１０を目立ちにくくすることができる。また、透過部８２０には、透過性物質８２１が充填されているため、透過性物質８２１が充填されていない場合と比べ、透過部８２０から埃等の異物が混入することを防止し、遮光性物質８１１を保護することができる。   Further, when forming the transmission part 820, the second hole part 820R having a diameter larger than that of the first hole part 810R for forming the light shielding part 810 is formed, so that the inner surface of the second hole part 820R is shielded from light. The sex substance 811 does not remain. Therefore, the light shielding material 811 can be kept at a predetermined length without the light shielding material 811 adhering to the inner surface of the transmission part 820, and the light shielding part 810 can be made inconspicuous. In addition, since the transmissive portion 820 is filled with the transmissive substance 821, it prevents the foreign matters such as dust from entering from the transmissive portion 820 as compared with the case where the transmissive substance 821 is not filled. The substance 811 can be protected.

以上、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。   As mentioned above, embodiment mentioned above is only the illustration for implementing this invention. Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented by appropriately modifying the above-described embodiment without departing from the spirit thereof.

（１）上述した実施形態では、では、アクティブマトリクス基板１１に黒点化部８００を形成する例を説明したが、対向基板２１に黒点化部８００を形成してもよい。図１３は、対向基板２１に黒点化部８００を設けた場合の断面図である。この場合も、輝点画素における対向基板２１の光透過領域ＴＢを覆うように、上述した実施形態の工程Ａ〜Ｅを行い、黒点化部８００を形成すればよい。つまり、上記実施形態の工程Ａにおいて、対向基板２１における透光性基板２１０の、バックライト３１１（図３参照）側（Ｚ軸正方向側）の面からＺ軸負方向側に向かって第１の穴部を形成し、工程Ｂにおいて、第１の穴部に遮光性物質を充填する。そして、上記実施形態の工程Ｃ、Ｄを行い、第１の穴部に重ねて、第１の穴部よりも直径が大きい第２の穴部を形成し、第２の穴部にエッチング液を塗布し、エッチング液を乾燥させる。そして、上記実施形態の工程Ｅを行い、第２の穴部に透過性物質を充填する。   (1) In the above-described embodiment, the example in which the black spot forming portion 800 is formed on the active matrix substrate 11 has been described. However, the black spot forming portion 800 may be formed on the counter substrate 21. FIG. 13 is a cross-sectional view of the counter substrate 21 provided with a black spot forming portion 800. In this case as well, the black spots 800 may be formed by performing steps A to E of the above-described embodiment so as to cover the light transmission region TB of the counter substrate 21 in the bright spot pixel. That is, in the process A of the above-described embodiment, the first of the translucent substrate 210 of the counter substrate 21 from the surface on the backlight 311 (see FIG. 3) side (Z-axis positive direction side) toward the Z-axis negative direction side is first. In step B, the first hole is filled with a light-shielding substance. Then, Steps C and D of the above embodiment are performed, and a second hole portion having a diameter larger than that of the first hole portion is formed so as to overlap with the first hole portion, and an etching solution is applied to the second hole portion. Apply and dry the etchant. And the process E of the said embodiment is performed, and a 2nd hole is filled with a permeable substance.

このように、対向基板２１に黒点化部８００を設けた場合であっても、黒点化部８００における遮光性物質は、黒点化部８００の穴の一部に設けられ、穴全体に設けられていないため、表示面を斜め方向から見たときに黒点化された部分が目立ちにくい。   As described above, even when the blackening portion 800 is provided on the counter substrate 21, the light shielding material in the blackening portion 800 is provided in a part of the hole of the blackening portion 800 and is provided in the entire hole. Therefore, when the display surface is viewed from an oblique direction, the blackened portion is not easily noticeable.

なお、図３に示すように、対向基板２１の背面に設けられたバックライト３１１のバックライト光は、反射板３１２と、対向基板２１の遮光膜２１１との間で反射し合う。そのため、本変形例のように、黒点化部８００を対向基板２１に設けた場合、表示面から黒点化部８００を見たときに、黒点化部８００における遮光部８１０の像がＺ軸正方向に重なり合い、実際の遮光部８１０の長さよりも長く見える。そのため、本変形例では、黒点化部８００がアクティブマトリクス基板１１に設けられる場合と比べ、表示面を斜め方向から見たときに、黒点化部８００における遮光部８１０が目立ちやすくなる。従って、視認性をより向上させるためには、黒点化部８００はアクティブマトリクス基板１１に形成する方が望ましい。   As shown in FIG. 3, the backlight light of the backlight 311 provided on the back surface of the counter substrate 21 is reflected between the reflection plate 312 and the light shielding film 211 of the counter substrate 21. Therefore, when the black spot forming unit 800 is provided on the counter substrate 21 as in this modification, when the black spot forming unit 800 is viewed from the display surface, the image of the light shielding unit 810 in the black spot forming unit 800 is in the positive Z-axis direction. Appear to be longer than the actual length of the light shielding portion 810. Therefore, in the present modification, the light shielding portion 810 in the black spotting portion 800 is more conspicuous when the display surface is viewed from an oblique direction as compared with the case where the black spotting portion 800 is provided on the active matrix substrate 11. Therefore, in order to further improve the visibility, it is desirable to form the black spotted portion 800 on the active matrix substrate 11.

（２）上述した実施形態では、黒点化部８００の透過部８２０に透過性物質８２１が充填されている例を説明したが、透過性物質が充填されていなくてもよい。透過性物質が充填されていない場合、透過部８２０は空洞になるため、埃等の異物が混入しやすくなるが、視認性の観点から、黒点化部は、少なくとも、穴の底部側に遮光性物質が充填され、遮光性物質と穴の上端との間に光を透過させる領域が形成されていればよい。   (2) In the above-described embodiment, the example in which the transmissive part 820 of the black spot forming part 800 is filled with the transmissive substance 821 has been described, but the transmissive substance may not be filled. When the transmissive substance is not filled, the transmissive portion 820 is hollow, and foreign matter such as dust is likely to be mixed in. However, from the viewpoint of visibility, the black spotted portion is at least light-shielding on the bottom side of the hole. It suffices that the region is filled with a substance and transmits light between the light-shielding substance and the upper end of the hole.

（３）上述した実施形態では、黒点化部８００を形成する際、第２の穴部８２０Ｒにエッチング加工を行う例を説明したが、第２の穴部８２０Ｒにエッチング加工を行わなくてもよい。但し、エッチング加工を行わない場合、第２の穴部８２０Ｒの内面の光の屈折率はばらつく。そのため、視認性をより向上させるためには、第２の穴部８２０Ｒの内面をエッチング加工することが望ましい。   (3) In the above-described embodiment, the example in which the second hole 820R is etched when forming the black spot 800 has been described. However, the second hole 820R may not be etched. . However, when etching is not performed, the refractive index of light on the inner surface of the second hole 820R varies. Therefore, in order to further improve the visibility, it is desirable to etch the inner surface of the second hole 820R.

（４）上述した実施形態では、透過部８２０の内面に遮光性物質８１１が付着することを防止するために、第１の穴部８１０Ｒより大きい直径を有する第２の穴部８２０Ｒを形成した。しかしながら、第１の穴部８１０Ｒの底部から深さｄ１までの領域のみに遮光性物質８１１を充填し、それ以外の領域に遮光性物質８１１が付着しないように遮光性物質８１１を充填する方法を採用することもできる。この場合には、図１４に示すように、遮光部８１０と透過部８２０の直径を同じにすることができる。つまり、第１の穴部８１０Ｒを形成した後、第１の穴部８１０Ｒの底部から深さｄ１まで遮光性物質８１１を充填し、その後、遮光性物質８１１の表面から第１の穴部８１０Ｒの上端まで透光性物質８２１を充填してもよいし、透光性物質８２１を充填しなくてもよい。このように構成することで、表示面を斜め方向から見た場合に、黒点化された部分を目立ちにくくすることができるとともに、黒点化部を形成するための工程数を削減することができる。   (4) In the embodiment described above, the second hole 820R having a larger diameter than the first hole 810R is formed in order to prevent the light shielding substance 811 from adhering to the inner surface of the transmission part 820. However, there is a method in which only the region from the bottom of the first hole 810R to the depth d1 is filled with the light shielding material 811 and the light shielding material 811 is filled so that the light shielding material 811 does not adhere to other regions. It can also be adopted. In this case, as shown in FIG. 14, the diameters of the light shielding part 810 and the transmission part 820 can be made the same. That is, after forming the first hole 810R, the light blocking material 811 is filled from the bottom of the first hole 810R to the depth d1, and then the first hole 810R is formed from the surface of the light blocking material 811. The translucent substance 821 may be filled up to the upper end, or the translucent substance 821 may not be filled. With this configuration, when the display surface is viewed from an oblique direction, the blackened portion can be made inconspicuous and the number of steps for forming the blackened portion can be reduced.

１０…表示装置、１１…アクティブマトリクス基板、１３…表示領域、２１…対向基板、３１・・・照射部、１００，２１０…透光性基板、２０１，２１１…遮光膜、３１１・・・バックライト、３１２・・・反射板、８００・・・黒点化部、８１０・・・遮光部、８２０・・・透過部、８１０Ｒ・・・第１の穴部、８２０Ｒ・・・第２の穴部、８１１・・・遮光性物質、８２１・・・透過性物質 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Display apparatus, 11 ... Active matrix substrate, 13 ... Display area, 21 ... Opposite substrate, 31 ... Irradiation part, 100, 210 ... Translucent substrate, 201, 211 ... Light-shielding film, 311 ... Backlight , 312 ... reflector, 800 ... dark spot, 810 ... shading part, 820 ... transmission part, 810R ... first hole, 820R ... second hole, 811 ... Light-shielding substance, 821 ... Transparent substance

Claims (9)

アクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板と対向する対向基板と、を備え、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板には、光を透過する光透過領域が設けられており、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板における少なくとも一の前記光透過領域には、光を遮光する黒点化部が設けられ、
前記黒点化部は、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の基板に形成された穴の底部に充填された遮光性物質を有し、前記遮光性物質の上面は、前記穴の上端より前記底部の側にある、表示装置。 An active matrix substrate;
A counter substrate facing the active matrix substrate,
The active matrix substrate and the counter substrate are provided with a light transmission region that transmits light,
At least one of the light transmission regions in at least one of the active matrix substrate and the counter substrate is provided with a black spot portion that blocks light,
The black spot forming part is
A light-shielding material is filled in a bottom of a hole formed in at least one of the active matrix substrate and the counter substrate, and an upper surface of the light-shielding material is closer to the bottom than an upper end of the hole. , Display device. 前記黒点化部は、さらに、前記穴において、当該穴の上端と前記遮光性物質との間に充填された透光性物質を有する、請求項１に記載の表示装置。   2. The display device according to claim 1, wherein the black spotting unit further includes a translucent material filled between the upper end of the hole and the light shielding material in the hole. 前記穴において、前記遮光性物質が充填された部分の直径より、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの部分の直径が大きい、請求項１又は２に記載の表示装置。   3. The display device according to claim 1, wherein a diameter of a portion from an upper surface of the light shielding material to an upper end of the hole is larger than a diameter of a portion filled with the light shielding material in the hole. 前記穴において、前記遮光性物質の上面から前記穴の上端までの表面は、エッチング加工されている、請求項１から３のいずれか一項に記載の表示装置。   4. The display device according to claim 1, wherein a surface of the hole from an upper surface of the light shielding material to an upper end of the hole is etched. 5. 請求項１から４のいずれか一項に記載の前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板と、さらに、反射板を有し、前記光を照射する照射部とを備え、
前記アクティブマトリクス基板は、前記アクティブマトリクス基板の透過領域の光の透過を制御するシャッター機構をさらに備え、
前記対向基板は、前記照射部と前記アクティブマトリクス基板との間に配置され、さらに、前記対向基板の透過領域以外の領域に、金属材料で構成された前記光を遮光する遮光領域をさらに有し、
前記黒点化部は、前記アクティブマトリクス基板に設けられている、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）表示装置。 The active matrix substrate according to any one of claims 1 to 4 and the counter substrate, further comprising a reflector, and an irradiation unit for irradiating the light,
The active matrix substrate further includes a shutter mechanism that controls transmission of light in a transmission region of the active matrix substrate,
The counter substrate is disposed between the irradiation unit and the active matrix substrate, and further includes a light shielding region that shields the light made of a metal material in a region other than the transmission region of the counter substrate. ,
The black spot forming unit is a micro electro mechanical system (MEMS) display device provided on the active matrix substrate. 前記穴における前記遮光性物質の底面の位置は、前記アクティブマトリクス基板において前記穴が形成された面より前記対向基板側の面に近い位置にある、請求項５に記載のＭＥＭＳ表示装置。   The MEMS display device according to claim 5, wherein a position of a bottom surface of the light shielding material in the hole is closer to a surface on the counter substrate side than a surface in which the hole is formed in the active matrix substrate. 透光性を有する透光性基板と、当該透光性基板上に形成された複数の透過領域をそれぞれ有するアクティブマトリクス基板と対向基板とを備える表示装置において、黒色を表示した際に輝点となっている輝点領域を黒点化する輝点修正方法であって、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板の少なくとも一方の透光性基板において、前記輝点領域に第１の穴部を形成し、前記第１の穴部に遮光性物質を充填するステップと、
前記第１の穴部に重ねて第２の穴部を形成するステップと、を備え、
前記遮光性物質の上面は、前記透光性基板における前記第１の穴部及び前記第２の穴部が形成された面よりも前記透光性基板の内部側に位置する、輝点修正方法。 In a display device including a translucent substrate having translucency, an active matrix substrate having a plurality of transmissive regions formed on the translucent substrate, and a counter substrate, a bright spot when displaying black A bright spot correction method for blackening a bright spot area,
A step of forming a first hole in the bright spot region and filling the first hole with a light-shielding substance in at least one of the light transmitting substrate of the active matrix substrate and the counter substrate;
Forming a second hole portion overlying the first hole portion, and
The bright spot correcting method, wherein an upper surface of the light-shielding substance is located on an inner side of the light-transmitting substrate with respect to a surface of the light-transmitting substrate on which the first hole portion and the second hole portion are formed. . 前記第２の穴部を形成するステップの後、さらに、前記第２の穴部の内側にエッチング加工を行うステップを備える、請求項７に記載の輝点修正方法。   The bright spot correction method according to claim 7, further comprising a step of performing an etching process inside the second hole after the step of forming the second hole. さらに、前記第２の穴部に、透過性物質を充填するステップを備える、請求項７又は８に記載の輝点修正方法。   The bright spot correcting method according to claim 7, further comprising a step of filling the second hole with a permeable substance.

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