JP2017017366A - Electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電子部品の電極形成方法に関し、特に、磁気コアを有し、回路基板上への面実装が可能な小型化されたインダクタ等の電子部品に適用して良好な電極形成方法に関する。 The present invention relates to a method for forming an electrode of an electronic component, and more particularly to a method for forming an electrode suitable for application to an electronic component such as a miniaturized inductor having a magnetic core and capable of being surface-mounted on a circuit board.
従来、携帯型の電子機器における電源の昇降圧回路用コイルや高周波回路で用いられるチョークコイル等として磁気コアを有するインダクタが知られている。
このようなインダクタとしては、例えば特許文献１に記載されているように、フェライトコアにコイル導線を巻回し、該コイル導線の両端をフェライトコアの該表面に設けられた一対の端子電極に接続した構造のものが知られている。ここで、フェライトコアは、巻芯部と該巻芯部の上端及び下端に設けられた一対の鍔部とを有する、いわゆるドラム型の形状を有している。このような構造を有するインダクタは、一般に外形寸法（特に高さ寸法）の小型化が可能であることから、回路基板上への高密度実装や低背実装に適しているという特長を有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, an inductor having a magnetic core is known as a coil for a step-up / down circuit of a power source in a portable electronic device, a choke coil used in a high-frequency circuit, or the like.
As such an inductor, for example, as described in
近年、電子機器の小型薄型化や高機能化に伴って、インダクタ特性及び信頼性を向上させつつ、さらなる高密度実装や低背実装が可能な巻線型インダクタが求められている。
本発明は、所望の電気特性及び高い信頼性を有しつつ、回路基板上への良好な高密度実装や低背実装が可能なインダクタ等に良好に適用することができる電子部品の電極形成方法を提供することを目的とする。
In recent years, with the downsizing and thinning and high functionality of electronic devices, there has been a demand for a wound inductor that can be mounted at higher density and lower profile while improving inductor characteristics and reliability.
The present invention provides a method of forming an electrode for an electronic component that can be suitably applied to an inductor that can be mounted on a circuit board with high density and low profile while having desired electrical characteristics and high reliability. The purpose is to provide.
請求項１記載の発明に係る電子部品の電極形成方法は、
電子部品の多孔質の基体の表層に、電極材料又は電極接合材料又は接着剤の浸透を防止する浸透防止材料を含浸又はコーティングし、前記浸透防止材料を前記多孔質の基体の空孔部分に浸透させて充填する工程と、
前記浸透防止材料が含浸又はコーティングされた前記電子部品の前記多孔質の基体の表面に、電極を形成する工程と、
を含み、
前記多孔質の基体は軟磁性合金の粒子からなり、
前記空孔部分は前記多孔質の基体の粒子間の空孔部分である
ことを特徴とする。
An electrode forming method for an electronic component according to the invention of
The surface layer of the porous substrate of the electronic component is impregnated or coated with a permeation preventive material that prevents permeation of the electrode material, the electrode bonding material or the adhesive, and the permeation preventive material penetrates into the pores of the porous substrate. Filling and filling,
Forming an electrode on the surface of the porous substrate of the electronic component impregnated or coated with the penetration preventing material;
Including
The porous substrate is made of soft magnetic alloy particles,
The void portion is a void portion between particles of the porous substrate.
請求項２記載の発明は、請求項１記載の電子部品の電極形成方法において、
前記浸透防止材料は、所定の成分を有するガラス材料であって、
前記電子部品の表層に、前記ガラス材料を含浸又はコーティングしたのち、所定の温度で焼き付け処理を行うことを特徴とする。
The invention according to
The penetration preventing material is a glass material having a predetermined component,
The surface layer of the electronic component is impregnated or coated with the glass material, and then baked at a predetermined temperature.
請求項３記載の発明は、請求項１記載の電子部品の電極形成方法において、
前記浸透防止材料は、所定の成分を有する樹脂材料であって、
前記電子部品の表層に、前記樹脂材料を含浸又はコーティングしたのち、硬化処理を行うことを特徴とする。
The invention according to
The penetration preventing material is a resin material having a predetermined component,
The surface layer of the electronic component is impregnated or coated with the resin material, and then a curing process is performed.
請求項４記載の発明は、請求項２記載の電子部品の電極形成方法において、
前記電極は、前記電極材料もしくは前記電極材料と前記電極接合材料を焼成処理することにより形成されることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for forming an electrode of an electronic component according to the second aspect,
The electrode is formed by baking the electrode material or the electrode material and the electrode bonding material.
請求項５記載の発明は、請求項２又は３記載の電子部品の電極形成方法において、
前記電極は、前記電極材料からなる板状部材を接着剤を用いて貼付処理することにより形成されることを特徴とする。
Invention of
The electrode is formed by subjecting a plate member made of the electrode material to a sticking process using an adhesive.
請求項６記載の発明は、請求項２又は３記載の電子部品の電極形成方法において、
前記電極は、前記電極材料をスパッタリング法や蒸着法等を用いて形成された金属薄膜により形成されることを特徴とする。
The invention according to
The electrode is formed of a metal thin film formed by sputtering or vapor deposition of the electrode material.
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の電子部品の電極形成方法において、
前記電子部品は、吸水率が１．０％以上、又は、空孔率が１０〜２５％の金属粉の成形体であることを特徴とする。
The invention described in claim 7 is the method of forming an electrode of an electronic component according to any one of
The electronic component is a metal powder molded body having a water absorption rate of 1.0% or more or a porosity of 10 to 25%.
請求項８記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の電子部品の電極形成方法において、
前記電子部品は、鉄、ケイ素、及び、鉄よりも酸化しやすい元素を含有する軟磁性合金の粒子群から構成され、各軟磁性合金粒子の表面には当該軟磁性合金粒子を酸化して形成した酸化層が生成され、当該酸化層は当該軟磁性合金粒子に比較して鉄より酸化しやすい元素を多く含み、粒子同士は前記酸化層を介して結合されていることを特徴とする。
Invention of Claim 8 is the electrode formation method of the electronic component in any one of
The electronic component is composed of iron, silicon, and a group of soft magnetic alloy particles containing elements that are more easily oxidized than iron, and is formed by oxidizing the soft magnetic alloy particles on the surface of each soft magnetic alloy particle. The oxidized layer is characterized in that the oxidized layer contains more elements that are easier to oxidize than iron compared to the soft magnetic alloy particles, and the particles are bonded together via the oxidized layer.
請求項９記載の発明は、請求項８記載の電子部品の電極形成方法において、
前記鉄よりも酸化しやすい元素は、クロムであって、
前記軟磁性合金は、少なくとも、クロムが２〜１５ｗｔ％含有することを特徴とする。
The invention according to claim 9 is the method of forming an electrode of an electronic component according to claim 8,
The element that oxidizes more easily than iron is chromium,
The soft magnetic alloy contains at least 2 to 15 wt% chromium.
本発明によれば、所望の電気特性及び高い信頼性を有しつつ、回路基板上への良好な高密度実装や低背実装が可能なインダクタ等の良好に適用することができる電子部品の電極形成方法を提供することができ、当該電子部品を搭載する電子機器の小型薄型化や高機能化に加え、信頼性の向上に寄与することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the electrode of the electronic component which has favorable electrical characteristics and high reliability, and can be applied suitably, such as an inductor which can be mounted on a circuit board with high density and low profile A forming method can be provided, which can contribute to improvement in reliability in addition to downsizing and thinning and high functionality of an electronic device on which the electronic component is mounted.
以下、本発明に係る電子部品の電極形成方法について、実施形態を示して詳しく説明する。
ここで、本発明に係る電子部品の電極形成方法は、所定の吸水率、又は、所定の空孔率を有する多孔質の基体の表面に、電極材料や電極接合材料の浸透を防止する浸透防止材料を含浸又はコーティングする下地処理を施した後、電極を形成することを特徴としている。
Hereinafter, an electrode forming method for an electronic component according to the present invention will be described in detail with reference to embodiments.
Here, the method for forming an electrode of an electronic component according to the present invention is a permeation prevention for preventing permeation of an electrode material or an electrode bonding material on the surface of a porous substrate having a predetermined water absorption rate or a predetermined porosity. An electrode is formed after a base treatment for impregnating or coating the material is performed.
まず、本発明に係る電子部品の電極形成方法が適用される多孔質の基体について説明する。
本発明に係る電子部品の電極形成方法が適用される電子部品は、吸水率が概ね１．０％以上、又は、空孔率が概ね１０〜２５％の多孔質の基体を有している。具体的には、電子部品の基体として、例えば鉄（Ｆｅ）と、ケイ素（Ｓｉ）と、鉄よりも酸化しやすい元素を含有する軟磁性合金の粒子群から構成され、各軟磁性合金粒子の表面には、当該軟磁性合金粒子が酸化した酸化層が形成され、当該酸化層は当該軟磁性合金粒子に比較して、上記鉄より酸化しやすい元素を多く含み、粒子同士が当該酸化層を介して結合された、金属粉の成形体を良好に適用することができる。なお、本実施形態において、上記鉄よりも酸化しやすい元素としては、クロム（Ｃｒ）やアルミニウム（Ａｌ）等を適用することができる。
First, the porous substrate to which the electrode forming method for electronic parts according to the present invention is applied will be described.
An electronic component to which the electrode forming method for an electronic component according to the present invention is applied has a porous substrate having a water absorption rate of approximately 1.0% or more or a porosity of approximately 10 to 25%. Specifically, the base of the electronic component is composed of, for example, a group of soft magnetic alloy particles containing iron (Fe), silicon (Si), and an element that is easier to oxidize than iron. An oxidized layer formed by oxidizing the soft magnetic alloy particles is formed on the surface, and the oxidized layer contains more elements that are more easily oxidized than the iron compared to the soft magnetic alloy particles, and the particles include the oxidized layer. It is possible to satisfactorily apply a metal powder compact that is bonded to each other. In this embodiment, chromium (Cr), aluminum (Al), or the like can be applied as an element that is more easily oxidized than iron.
ここで、軟磁性合金粒子の組成や含有率等を適宜調整することにより、高い飽和磁束密度Ｂｓ（例えば１．２Ｔ以上）と高い透磁率μ（例えば３７以上）を実現することができるとともに、１００ｋＨｚ以上の周波数においても、粒子内で渦電流損失が生じることを抑制することができる。したがって、このような磁気特性を有する多孔質の基体を、インダクタ等の電子部品のコア部材として良好に適用することができる。
このような多孔質の基体を有する電子部品において、電極を形成する方法の実施形態を次に示す。
Here, by appropriately adjusting the composition and content of the soft magnetic alloy particles, a high saturation magnetic flux density Bs (for example, 1.2 T or more) and a high permeability μ (for example, 37 or more) can be realized. Even at a frequency of 100 kHz or higher, eddy current loss can be suppressed from occurring in the particles. Therefore, a porous substrate having such magnetic characteristics can be favorably applied as a core member of an electronic component such as an inductor.
An embodiment of a method for forming an electrode in an electronic component having such a porous substrate will be described below.
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明に係る電子部品の電極形成方法の第１の実施形態を示すフローチャートである。
第１の実施形態に係る電子部品の電極形成方法は、図１に示すように、概略、ガラススラリー準備工程Ｓ１０１と、ガラスコーティング工程Ｓ１０２と、脱バインダ工程Ｓ１０３と、ガラス焼き付け工程Ｓ１０４と、電極形成工程Ｓ１０５と、を有している。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a flowchart showing a first embodiment of an electrode forming method for an electronic component according to the present invention.
As shown in FIG. 1, the electrode forming method of the electronic component according to the first embodiment is roughly as follows: a glass slurry preparation step S101, a glass coating step S102, a binder removal step S103, a glass baking step S104, an electrode Forming step S105.
ガラススラリー準備工程Ｓ１０１においては、バインダ樹脂及び溶剤に所定の比率でガラス粉末（ガラスフリット）を混合したものを、ボールミルにて所定時間攪拌させて、ガラススラリー（スラリー状のガラス）を生成する。具体的には、ガラススラリーに使用されるガラス粉末は、平均粒径が例えば０．１〜１０μｍ程度であり、軟化点が概ね８００℃以下であることが好ましい。また、バインダ樹脂としては、例えばポリビニルアルコールやその変性体を良好に適用することができる。また、溶剤としては、水を含んでいることが好ましく、さらに例えばエタノールやイソプロピルアルコール等の水溶性のアルコールを一定割合で混合したものであってもよい。また、ガラススラリー中のガラス粉末及びバインダ樹脂からなる固形分量は、例えばガラススラリーの重量に対して、０．１〜２０wt％程度に設定されていることが好ましく、さらに、ガラス粉末及びバインダ樹脂の合計重量に対するバインダ樹脂の重量は、例えば１〜２０wt％程度に設定されていることが好ましい。ボールミルによる攪拌時間は、例えば１６時間程度に設定される。このようにして生成されるガラススラリーの粘度は、例えば０．００１〜０．０１Ｐａ・ｓ程度に設定される。 In the glass slurry preparation step S101, a glass resin (slurry glass) is produced by mixing a binder resin and a solvent with glass powder (glass frit) in a predetermined ratio and stirring the mixture for a predetermined time with a ball mill. Specifically, the glass powder used for the glass slurry preferably has an average particle size of, for example, about 0.1 to 10 μm and a softening point of about 800 ° C. or less. As the binder resin, for example, polyvinyl alcohol or a modified product thereof can be favorably applied. Moreover, it is preferable that the solvent contains water, and for example, a water-soluble alcohol such as ethanol or isopropyl alcohol may be mixed at a certain ratio. Moreover, it is preferable that the solid content amount which consists of the glass powder and binder resin in a glass slurry is set to about 0.1-20 wt% with respect to the weight of a glass slurry, for example, Furthermore, glass powder and binder resin The weight of the binder resin relative to the total weight is preferably set to about 1 to 20 wt%, for example. The stirring time by the ball mill is set to about 16 hours, for example. The viscosity of the glass slurry thus produced is set to about 0.001 to 0.01 Pa · s, for example.
ガラスコーティング工程Ｓ１０２においては、上述したような電子部品の多孔質の基体を温調バレルスプレー装置のバレル内に投入し、当該バレルを所定の回転数で回転させつつ、基体にガラススラリーを吹き付けて基体表面に薄いガラス塗膜を形成する。具体的には、バレル内に例えば１００００〜２００００個の電子部品の基体を投入し、スプレー法により１２０ｃｃのガラススラリーを３０〜５０分程度吹き付ける。ここで、基体にガラススラリーを吹き付ける際の、ガラススラリーの温度は、溶剤の組成にもよるが例えば４０〜１００℃程度に設定される。 In the glass coating step S102, the porous substrate of the electronic component as described above is put into the barrel of the temperature control barrel spray device, and glass slurry is sprayed onto the substrate while rotating the barrel at a predetermined rotation speed. A thin glass coating is formed on the substrate surface. Specifically, for example, 10,000 to 20,000 electronic component bases are placed in a barrel, and 120 cc of glass slurry is sprayed for about 30 to 50 minutes by a spray method. Here, the temperature of the glass slurry at the time of spraying the glass slurry on the substrate is set to, for example, about 40 to 100 ° C. although it depends on the composition of the solvent.
脱バインダ工程Ｓ１０３においては、ガラス塗膜が形成された基体を焼成炉内で所定の温度で熱処理することにより、ガラス塗膜に含まれる樹脂成分を除去（脱バインダ処理）する。具体的には、基体の脱バインダ処理は、例えば６００℃で１２０分程度熱処理を行う。 In the binder removal step S103, the substrate on which the glass coating film is formed is heat-treated at a predetermined temperature in a firing furnace, thereby removing the resin component contained in the glass coating film (debinding process). Specifically, for the binder removal treatment of the substrate, for example, heat treatment is performed at 600 ° C. for about 120 minutes.
ガラス焼き付け工程Ｓ１０４においては、脱バインダ処理された基体を焼成炉内で所定の温度で熱処理することにより、基体表面にガラス膜を形成（ガラス焼き付け処理）する。具体的には、ガラス焼き付け処理は、大気中又はＮ２ガス雰囲気中で、例えば７００〜８００℃で２０分程度熱処理を行う。これにより、少なくとも基体の電極形成領域にガラス膜が形成される。 In the glass baking step S104, the substrate subjected to the binder removal treatment is heat-treated at a predetermined temperature in a baking furnace, thereby forming a glass film on the substrate surface (glass baking treatment). Specifically, the glass baking treatment is performed in the air or in an N 2 gas atmosphere, for example, at 700 to 800 ° C. for about 20 minutes. Thereby, a glass film is formed at least in the electrode formation region of the substrate.
電極形成工程Ｓ１０５においては、ガラス焼き付け処理された基体の所定の領域（電極形成領域）に、電極を形成する。具体的には、電極は、上記基体に、例えば電極材料にガラスを添加した電極ペーストを塗布し、所定の温度で焼成して得られる焼成電極を良好に適用することができる。また、電極の他の形態としては、例えば電極材料からなる導電性の板状部材（フレーム）を接着剤を用いて基体表面に接着して形成される電極フレームも良好に適用することができる。また、電極のさらに他の形態としては、例えば電極材料をスパッタリング法や蒸着法等を用いて、基体表面に金属薄膜を形成して得られる電極膜も良好に適用することができる。ここで、上述した焼成電極においては、電極材料として、例えば銀（Ａｇ）、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）の合金、銀（Ａｇ）と白金（Ｐｔ）の合金、銅（Ｃｕ）等を良好に適用することができる。また、上述した電極フレームにおいては、電極材料として、例えばリン青銅板等を良好に適用することができ、基体に接着するための接着剤として、例えばエポキシ系の樹脂を良好に適用することができる。さらに、上述した電極膜においては、電極材料として、例えばチタン（Ｔｉ）や、チタン（Ｔｉ）を含む合金等を良好に適用することができる。さらに、電極として、上述した焼成電極や電極膜を適用する場合には、その表面に電解メッキにより金属メッキ層が形成されているものであってもよい。 In the electrode forming step S105, an electrode is formed in a predetermined region (electrode forming region) of the substrate subjected to the glass baking process. Specifically, for the electrode, for example, an electrode paste in which glass is added to an electrode material is applied to the substrate, and a fired electrode obtained by firing at a predetermined temperature can be favorably applied. As another form of the electrode, for example, an electrode frame formed by adhering a conductive plate-like member (frame) made of an electrode material to the surface of the substrate using an adhesive can also be favorably applied. As another form of the electrode, for example, an electrode film obtained by forming a metal thin film on the surface of the substrate by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method for the electrode material can also be favorably applied. Here, in the fired electrode described above, as an electrode material, for example, silver (Ag), an alloy of silver (Ag) and palladium (Pd), an alloy of silver (Ag) and platinum (Pt), copper (Cu), and the like. Can be applied well. In the electrode frame described above, for example, a phosphor bronze plate can be favorably applied as an electrode material, and, for example, an epoxy resin can be favorably applied as an adhesive for adhering to a substrate. . Furthermore, in the electrode film described above, for example, titanium (Ti), an alloy containing titanium (Ti), or the like can be favorably applied as the electrode material. Furthermore, when the above-described fired electrode or electrode film is applied as the electrode, a metal plating layer may be formed on the surface by electrolytic plating.
なお、本実施形態においては、電子部品の基体へのガラスコーティングの方法として、回転するバレル内で、基体にガラススラリーを吹き付けて、基体の全面にガラス塗膜を形成する手法を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、基体にガラス塗膜を形成する手法としては、上述したようなスプレー法のほか、印刷やローラー、刷毛塗り、真空含浸、ポッティング等の種々の手法を良好に適用することができる。そして、このような手法により、基体の全面、もしくは、少なくとも電極形成領域にガラス塗膜を良好に形成することができる。 In the present embodiment, as a method of glass coating on the substrate of the electronic component, a method of spraying glass slurry on the substrate in a rotating barrel and forming a glass coating on the entire surface of the substrate has been described. The present invention is not limited to this. That is, as a method for forming a glass coating film on the substrate, various methods such as printing, roller, brush coating, vacuum impregnation, and potting can be favorably applied in addition to the spray method described above. And by such a method, a glass coating film can be satisfactorily formed on the entire surface of the substrate, or at least on the electrode formation region.
＜第２の実施形態＞
図２は、本発明に係る電子部品の電極形成方法の第２の実施形態を示すフローチャートである。
第２の実施形態に係る電子部品の電極形成方法は、図２に示すように、概略、樹脂溶液準備工程Ｓ２０１と、樹脂含浸工程Ｓ２０２と、乾燥工程Ｓ２０３と、硬化工程Ｓ２０４と、電極形成工程Ｓ２０５と、を有している。
<Second Embodiment>
FIG. 2 is a flowchart showing a second embodiment of an electrode forming method for an electronic component according to the present invention.
As shown in FIG. 2, the method for forming an electrode of an electronic component according to the second embodiment is roughly a resin solution preparation step S201, a resin impregnation step S202, a drying step S203, a curing step S204, and an electrode forming step. S205.
樹脂溶液準備工程Ｓ２０１においては、所定の比率の樹脂材料を含む樹脂溶液を準備する。ここで、樹脂溶液は、固形フィラーの添加がない、もしくは、添加が微少の有機系樹脂材料（例えばシリコン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等）や無機系材料からなることが好ましい。具体的には、例えば３０wt％のシリコン樹脂をトルエンで希釈したものを樹脂溶液として良好に適用することができる。このような樹脂溶液には、適宜硬化剤等が添加される。 In the resin solution preparation step S201, a resin solution containing a predetermined ratio of resin materials is prepared. Here, the resin solution is preferably made of an organic resin material (for example, a silicon resin, an epoxy resin, an acrylic resin, or the like) or an inorganic material to which no solid filler is added or a small amount is added. Specifically, for example, a solution obtained by diluting 30 wt% silicon resin with toluene can be favorably applied as a resin solution. A curing agent or the like is appropriately added to such a resin solution.
樹脂含浸工程Ｓ２０２においては、多孔質の電子部品の基体を樹脂溶液に浸し、基体を真空状態にすることにより、基体の内部の空気を追い出し、樹脂溶液を含浸（真空含浸）させる。具体的には、真空含浸時の圧力は、例えば２０Torr（２６hpa）以下まで減圧することが好ましい。 In the resin impregnation step S202, the substrate of the porous electronic component is immersed in the resin solution, and the substrate is brought into a vacuum state, thereby expelling air inside the substrate and impregnating (vacuum impregnation) with the resin solution. Specifically, the pressure during vacuum impregnation is preferably reduced to, for example, 20 Torr (26 hpa) or less.
乾燥工程Ｓ２０３においては、基体を乾燥処理して、表面及び内部の樹脂溶液を乾燥させる。具体的には、例えば１時間程度、自然放置することにより、基体表面及び内部の樹脂溶液を風乾する。 In the drying step S203, the substrate is dried, and the resin solution on the surface and inside is dried. Specifically, for example, the substrate surface and the resin solution on the inside are air-dried by leaving it naturally for about 1 hour.
硬化工程Ｓ２０４においては、基体を所定の温度で熱処理することにより、基体に含浸した樹脂溶液を硬化させる。具体的には、湿気雰囲気中で、例えば２００℃、１時間程度、基体を熱処理する。熱処理後、例えば３０分以上、基体を放置して自然冷却する。 In the curing step S204, the resin solution impregnated in the substrate is cured by heat-treating the substrate at a predetermined temperature. Specifically, the substrate is heat-treated in a humid atmosphere, for example, at 200 ° C. for about 1 hour. After the heat treatment, the substrate is left to cool naturally, for example, for 30 minutes or more.
電極形成工程Ｓ２０５においては、樹脂溶液が含浸、硬化した基体の所定の領域（電極形成領域）に、電極を形成する。具体的には、電極は、上記基体に、例えば電極材料からなる導電性の板状部材（フレーム）を接着剤を用いて基体表面に接着して形成される電極フレームを良好に適用することができる。また、電極の他の形態としては、例えば電極材料をスパッタリング法や蒸着法等を用いて、基体表面に金属薄膜を形成して得られる電極膜も良好に適用することができる。ここで、上述した電極フレームにおいては、電極材料として、例えばリン青銅板等を良好に適用することができ、基体に接着するための接着剤として、例えばエポキシ系の樹脂を良好に適用することができる。また、上述した電極膜においては、電極材料として、例えばチタン（Ｔｉ）や、チタン（Ｔｉ）を含む合金等を良好に適用することができる。さらに、電極として、上述した電極膜を適用する場合には、その表面に電解メッキにより金属メッキ層が形成されているものであってもよい。 In the electrode forming step S205, an electrode is formed in a predetermined region (electrode forming region) of the substrate impregnated and cured with the resin solution. Specifically, for the electrode, an electrode frame formed by adhering a conductive plate member (frame) made of, for example, an electrode material to the surface of the substrate using an adhesive may be preferably applied to the substrate. it can. As another form of the electrode, for example, an electrode film obtained by forming a metal thin film on the surface of the substrate by using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method for the electrode material can also be favorably applied. Here, in the above-described electrode frame, for example, a phosphor bronze plate can be favorably applied as an electrode material, and for example, an epoxy resin can be favorably applied as an adhesive for adhering to a substrate. it can. In the electrode film described above, for example, titanium (Ti), an alloy containing titanium (Ti), or the like can be favorably applied as the electrode material. Furthermore, when applying the electrode film mentioned above as an electrode, the metal plating layer may be formed in the surface by electrolytic plating.
なお、本実施形態においては、電子部品の基体への樹脂溶液の含浸方法として、基体を樹脂溶液に浸して真空含浸させ、基体の全面に樹脂溶液を含浸させる手法を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、基体に樹脂溶液を含浸させる手法としては、スプレーや印刷、ローラー、刷毛塗り、ポッティング等の種々の手法を良好に適用することができる。そして、このような手法により、基体の全面、もしくは、少なくとも電極形成領域に樹脂溶液を良好に含浸させることができる。 In the present embodiment, as a method for impregnating the substrate of the electronic component with the resin solution, the method of immersing the substrate in the resin solution and vacuum impregnating and impregnating the entire surface of the substrate with the resin solution has been described. It is not limited to this. That is, various methods such as spraying, printing, roller, brush coating, and potting can be favorably applied as a method for impregnating the substrate with the resin solution. By such a method, the resin solution can be satisfactorily impregnated over the entire surface of the substrate, or at least the electrode formation region.
また、本実施形態においては、樹脂溶液としてシリコン樹脂を適用した場合について、説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば７５wt％のエポキシ樹脂を樹脂溶液として適用するものであってもよい。この場合、硬化工程における熱処理は、例えば１８０℃、１時間程度に設定される。 In the present embodiment, the case where the silicon resin is applied as the resin solution has been described. However, the present invention is not limited to this, and, for example, 75 wt% epoxy resin is applied as the resin solution. May be. In this case, the heat treatment in the curing step is set at, for example, 180 ° C. for about 1 hour.
また、本発明においては、さらに他の樹脂溶液として、例えばシリコン樹脂の原料となるアルコキシシラン化合物を主成分とした無溶剤１液型の無機系封孔剤（例えば株式会社ディーアンドディ製の「パーミエイト ＨＳ−１００」（商品名））を良好に適用することもできる。この種の無機系封孔剤は、アルコキシシラン化合物又はその部分加水分解縮合物と、無機顔料、無機添加剤、硬化触媒からなる。 Further, in the present invention, as another resin solution, for example, a solventless one-component inorganic sealant (for example, “D & D Co., Ltd. Permeate HS-100 "(trade name) can also be applied satisfactorily. This type of inorganic sealing agent comprises an alkoxysilane compound or a partially hydrolyzed condensate thereof, an inorganic pigment, an inorganic additive, and a curing catalyst.
そして、このような無機系封孔剤を樹脂溶液として使用した場合の、電子部品の基体への含浸方法は、まず、無機系封孔剤と基体を真空中で５〜１０分程度、脱泡処理したのち、真空中で無機系封孔剤と基体を混合する。次いで、真空状態を解除させて、基体に無機系封孔剤を含浸させる。その後、基体の脱液処理を行い、湿気雰囲気中に例えば２４時間放置することにより、基体に含浸した無機系封孔剤を良好に硬化させることができる。 And when such an inorganic sealing agent is used as a resin solution, the method for impregnating the substrate of an electronic component is first to defoam the inorganic sealing agent and the substrate for about 5 to 10 minutes in a vacuum. After the treatment, the inorganic sealing agent and the substrate are mixed in a vacuum. Next, the vacuum state is released and the substrate is impregnated with an inorganic sealing agent. Thereafter, the substrate is drained and left in a humid atmosphere for, for example, 24 hours, whereby the inorganic sealing agent impregnated in the substrate can be cured satisfactorily.
（作用効果の検証）
次に、上述した各実施形態に係る電子部品の電極形成方法における作用効果について説明する。
(Verification of effects)
Next, the effect in the electrode formation method of the electronic component which concerns on each embodiment mentioned above is demonstrated.
ここでは、本実施形態に係る電子部品の電極形成方法における作用効果を検証するために、比較対象として、電子部品の基体が周知のフェライトからなり、上述した各実施形態に示したような下地処理を施していない場合を示す。なお、フェライトからなる基体を有する電子部品は、例えばインダクタ等をはじめとして、既に一般に市販されて種々の電子機器に搭載されているものであって、固着強度をはじめ、様々な信頼性試験において、市場の高い評価を受けているものである。 Here, in order to verify the operational effects of the method for forming an electrode of an electronic component according to the present embodiment, the substrate of the electronic component is made of a well-known ferrite as a comparison target, and the ground treatment as shown in each of the embodiments described above. The case where is not given is shown. In addition, electronic parts having a base made of ferrite, for example, including inductors and the like, which are already commercially available and are mounted on various electronic devices, such as fixing strength, in various reliability tests, It is highly evaluated by the market.
図３は、本実施形態に係る電子部品の基体に適用される金属粉の成形体とフェライトとにおける、樹脂溶液の含浸に関する特性を示す図である。ここで、図３（ａ）は、本実施形態に係る基体と、フェライトからなる基体とにおける吸水率、密度（見かけ密度、真密度）、空孔率の違いを示す表であり、図３（ｂ）は、本実施形態に係る基体と、フェライトからなる基体とにおける吸水率の違いを示す図である。また、図４は、本実施形態に係る基体と、フェライトからなる基体とにおける表面近傍の断面を示す模式図である。図４（ａ）は、本実施形態に係る基体における表面近傍の断面を示す模式図であり、図４（ｂ）は、フェライトからなる基体における表面近傍の断面を示す模式図である。図５は、本実施形態に係る基体における表面近傍の断面を説明するための拡大模式図である。 FIG. 3 is a diagram showing characteristics relating to the impregnation of the resin solution in the metal powder compact and ferrite applied to the substrate of the electronic component according to the present embodiment. Here, FIG. 3A is a table showing the difference in water absorption, density (apparent density, true density), and porosity between the substrate according to the present embodiment and the substrate made of ferrite. (b) is a figure which shows the difference in the water absorption rate in the base | substrate which concerns on this embodiment, and the base | substrate which consists of ferrite. FIG. 4 is a schematic diagram showing a cross section in the vicinity of the surface of the base according to the present embodiment and a base made of ferrite. FIG. 4A is a schematic diagram showing a cross section near the surface of the substrate according to the present embodiment, and FIG. 4B is a schematic diagram showing a cross section near the surface of the substrate made of ferrite. FIG. 5 is an enlarged schematic view for explaining a cross section in the vicinity of the surface of the substrate according to the present embodiment.
上述したように、本実施形態に係る電子部品の基体に適用される金属粉の成形体は多孔質であるため、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、緻密な結晶構造を有する周知のフェライトと比較して、吸水率や空孔率が高い。具体的には、本実施形態に係る基体においては、真密度が７．６ｇ／ｃｍ３の基体が見かけ密度６．２ｇ／ｃｍ３のとき、吸水率が２％、空孔率が１８．４％と高い値を示す。これに対して、フェライトからなる基体においては、真密度が５．３５ｇ／ｃｍ３の基体が見かけ密度５．３４ｇ／ｃｍ３のとき、吸水率が０．２％、空孔率が０．２％と、本実施形態に係る基体に比較して概ね１／１０以下の低い値を示す。この状態を図４、図５に示す。 As described above, since the metal powder molded body applied to the base of the electronic component according to the present embodiment is porous, it has a dense crystal structure as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). Compared with known ferrites, it has a high water absorption rate and porosity. Specifically, in the substrate according to the present embodiment, when the substrate having a true density of 7.6 g / cm 3 has an apparent density of 6.2 g / cm 3 , the water absorption is 2% and the porosity is 18.4. % Is a high value. In contrast, in the substrate made of a ferrite, when true density of the density 5.34 g / cm 3 apparent substrate 5.35 g / cm 3, water absorption of 0.2%, a porosity of 0.2 %, A low value of about 1/10 or less compared to the substrate according to the present embodiment. This state is shown in FIGS.
すなわち、図４（ａ）に示すように、本実施形態に係る基体においては、金属粉の表面に酸化膜が形成され、該酸化膜を介して金属粉同士が結合した構造を有しているため、基体表面から内部にかけて略同様に、金属粉間に比較的大きな空孔が存在する。これに対して、図４（ｂ）に示すように、周知のフェライトからなる基体においては、緻密な結晶構造を有しているため、基体内部には空孔が略皆無の状態になっている。 That is, as shown in FIG. 4A, the substrate according to the present embodiment has a structure in which an oxide film is formed on the surface of the metal powder and the metal powders are bonded to each other through the oxide film. For this reason, there are comparatively large pores between the metal powders from the surface of the substrate to the inside. On the other hand, as shown in FIG. 4B, the base made of known ferrite has a dense crystal structure, so that there are almost no voids inside the base. .
上述した各実施形態においては、このような多孔質の基体に対して、電極形成工程に先立って、ガラス又は樹脂を含浸又はコーティングし、焼き付け処理又は硬化処理を施すことにより、空孔部分にガラス又は樹脂が浸透して充填され、少なくとも基体の表面又は表層における多孔質性が改善される。 In each of the above-described embodiments, glass or resin is impregnated or coated on such a porous substrate prior to the electrode formation step, and subjected to baking treatment or curing treatment, whereby glass is formed in the pores. Alternatively, the resin is infiltrated and filled, and at least the porosity of the substrate surface or surface layer is improved.
次に、多孔質の基体に電極を形成した場合の固着強度について検証する。
図６は、第１の実施形態に係る電子部品の電極形成方法を適用した場合の固着強度の測定結果を示す表であり、図７は、第２の実施形態に係る電子部品の電極形成方法を適用した場合の固着強度の測定結果を示す表である。
Next, the adhesion strength when an electrode is formed on a porous substrate will be verified.
FIG. 6 is a table showing measurement results of the adhesion strength when the electronic component electrode forming method according to the first embodiment is applied, and FIG. 7 is an electronic component electrode forming method according to the second embodiment. It is a table | surface which shows the measurement result of the adhesion strength at the time of applying.
まず、固着強度の測定方法について説明する。
まず、基体の表面に電極を形成し、例えばガラス−エポキシ樹脂基板上に形成された銅箔からなる実装ランド上に、上記電極を半田接合することにより、基体を基板上にして実装した。ここで、基板上への基体の実装方法は、基板上にクリーム半田を印刷した後、実装ランド上に基体を搭載し、２４５℃に加熱してリフロー半田付け処理して実装した。そして、基体が実装された基板に対して、基体の側面から基板の上面に平行な方向に剥離強度試験装置の治具で基体を加圧して、その剥離強度を測定し、これを固着強度として評価を行った。
First, a method for measuring the fixing strength will be described.
First, an electrode was formed on the surface of the substrate, and the substrate was mounted on the substrate by soldering the electrode on a mounting land made of, for example, a copper foil formed on a glass-epoxy resin substrate. Here, the substrate was mounted on the substrate by printing cream solder on the substrate, mounting the substrate on the mounting land, and heating the substrate to 245 ° C. to perform reflow soldering. Then, the substrate is pressed against the substrate on which the substrate is mounted in the direction parallel to the upper surface of the substrate from the side surface of the substrate with a jig of a peel strength test apparatus, and the peel strength is measured. Evaluation was performed.
次に、第１の実施形態に係る電極形成方法を適用して得られた電極を有する基体の固着強度について、図６を参照しながら検証する。ここでは、多孔質の基体として金属粉の成形体を適用した場合について、下地処理の有無と固着強度、及び、基体として金属粉の成形体を適用した場合とフェライトを適用した場合の固着強度について検証した。 Next, the fixing strength of the substrate having the electrode obtained by applying the electrode forming method according to the first embodiment will be verified with reference to FIG. Here, regarding the case where a metal powder compact is applied as the porous substrate, the presence or absence of the base treatment and the fixing strength, and the fixing strength when the metal powder compact is applied as the substrate and when ferrite is applied Verified.
第１の実施形態に示したように、基体として金属粉の成形体を適用し、下地処理としてガラスコーティングを行い、銅（Ｃｕ）からなる電極材料を所定の焼成条件（焼き付け温度、焼き付け雰囲気；図６参照）で焼成して、焼成電極を形成した場合の、基体の固着強度は、２９１Ｎであった。これに対して、基体として金属粉の成形体を適用し、下地処理を行わず、銅（Ｃｕ）からなる電極材料を所定の焼成条件（焼き付け温度、焼き付け雰囲気；図６参照）で焼成して、焼成電極を形成した場合の、基体の固着強度は、５４Ｎ、９５Ｎであった。すなわち、本実施形態に係る基体は、下地処理を行わなかった場合に比較して、概ね３倍以上の固着強度を有していることが確認された。 As shown in the first embodiment, a metal powder molded body is applied as a substrate, glass coating is performed as a base treatment, and an electrode material made of copper (Cu) is subjected to predetermined firing conditions (baking temperature, baking atmosphere; When the fired electrode was formed by firing in FIG. 6), the fixing strength of the substrate was 291N. On the other hand, a metal powder molded body is applied as a base, and an electrode material made of copper (Cu) is fired under predetermined firing conditions (baking temperature, baking atmosphere; see FIG. 6) without performing a base treatment. When the sintered electrode was formed, the fixing strength of the substrate was 54N and 95N. That is, it was confirmed that the substrate according to the present embodiment has approximately three times or more fixing strength as compared with the case where the base treatment is not performed.
また、基体としてフェライトを適用し、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）からなる電極材料を所定の焼成条件（焼き付け温度、焼き付け雰囲気；図６参照）で焼成して、焼成電極を形成した場合の、基体の固着強度は、それぞれ、２４４Ｎ、３３６Ｎであった。すなわち、本実施形態に係る基体は、フェライトを適用した場合と比較して、同等程度の固着強度を有していることが確認された。 In addition, when ferrite is applied as a substrate and an electrode material made of silver (Ag) or copper (Cu) is fired under predetermined firing conditions (baking temperature, baking atmosphere; see FIG. 6), a fired electrode is formed. The fixing strength of the substrate was 244N and 336N, respectively. That is, it was confirmed that the substrate according to the present embodiment has the same degree of fixing strength as compared with the case where ferrite is applied.
次に、第２の実施形態に係る電極形成方法を適用して得られた電極を有する基体の固着強度について、図７を参照しながら検証する。ここでも、多孔質の基体として金属粉の成形体を適用した場合について、下地処理の有無と固着強度、及び、基体として金属粉の成形体を適用した場合とフェライトを適用した場合の固着強度について検証した。 Next, the fixing strength of the substrate having the electrode obtained by applying the electrode forming method according to the second embodiment will be verified with reference to FIG. Again, regarding the case where a metal powder compact is applied as the porous substrate, the presence or absence of the base treatment and the fixing strength, and the fixing strength when the metal powder compact is applied as the substrate and when ferrite is applied Verified.
第２の実施形態に示したように、基体として金属粉の成形体を適用し、下地処理としてエポキシ樹脂の含浸を行い、リン青銅からなる板状部材を、エポキシ系樹脂の接着剤を用いて接着して、電極フレームを形成した場合の、基体の固着強度は、１４１Ｎであった。また、同様に、下地処理としてシリコン樹脂の含浸を行い、リン青銅からなる板状部材を、エポキシ系樹脂の接着剤を用いて接着して、電極フレームを形成した場合の、基体の固着強度は、１３９Ｎであった。これに対して、基体として金属粉の成形体を適用し、下地処理を行わず、リン青銅からなる板状部材を、エポキシ系樹脂の接着剤を用いて接着して、電極フレームを形成した場合の、基体の固着強度は、６９Ｎであった。すなわち、本実施形態に係る基体は、下地処理を行わなかった場合に比較して、概ね２倍以上の固着強度を有していることが確認された。 As shown in the second embodiment, a metal powder molded body is applied as a base, an epoxy resin is impregnated as a base treatment, and a plate member made of phosphor bronze is bonded using an epoxy resin adhesive. When the electrode frame was formed by bonding, the fixing strength of the substrate was 141N. Similarly, when the base frame is impregnated with silicon resin, and a plate member made of phosphor bronze is bonded using an epoxy resin adhesive to form an electrode frame, the fixing strength of the base is 139N. On the other hand, when an electrode frame is formed by applying a metal powder molded body as a substrate, without performing base treatment, and bonding a plate-like member made of phosphor bronze using an epoxy resin adhesive The fixing strength of the substrate was 69N. That is, it was confirmed that the substrate according to the present embodiment has approximately twice or more fixing strength as compared with the case where the base treatment is not performed.
また、基体としてフェライトを適用し、リン青銅からなる板状部材を、エポキシ系樹脂の接着剤を用いて接着して、電極フレームを形成した場合の、基体の固着強度は、１４２Ｎであった。すなわち、本実施形態に係る基体は、フェライトを適用した場合と比較して、同等程度の固着強度を有していることが確認された。 Further, when the electrode frame was formed by applying ferrite as a substrate and bonding a plate-like member made of phosphor bronze using an epoxy resin adhesive, the bonding strength of the substrate was 142N. That is, it was confirmed that the substrate according to the present embodiment has the same degree of fixing strength as compared with the case where ferrite is applied.
このように、上述した各実施形態に係る電子部品の電極形成方法によれば、電極形成前に、基体にガラス又は樹脂材料を含浸又はコーティングし、焼き付け又は硬化させる下地処理を施すことにより、ガラスや樹脂材料が多孔質の基体の空孔部分に浸透して充填されるため、基体の表面又は表層の多孔質性が改善される。これにより、電極形成時に電極材料や接着剤（電極接合材料）等が基体に浸透してしまい、基体と電極の接合性や密着性が低下することを抑制することができるので、概ねフェライトを基体に適用した場合と同等の固着強度を実現することができ、このような電子部品を搭載した電子機器の信頼性の向上に寄与することができる。 As described above, according to the electrode forming method for an electronic component according to each of the above-described embodiments, glass is formed by impregnating or coating a substrate with glass or a resin material, and baking or curing the substrate before electrode formation. Since the resin material penetrates and fills the pores of the porous substrate, the porosity of the surface or surface layer of the substrate is improved. As a result, it is possible to prevent the electrode material or adhesive (electrode bonding material) or the like from penetrating into the base during electrode formation, thereby reducing the bondability and adhesion between the base and the electrode. As a result, it is possible to achieve the same fixing strength as that applied to the electronic device and contribute to the improvement of the reliability of an electronic device equipped with such an electronic component.
（適用例）
上述した各実施形態に示した電極形成方法は、例えば面実装型のインダクタ等の電子部品に良好に適用することができる。以下、適用例について簡単に説明する。なお、ここで示す構成は、本発明が適用可能な一例を示すものであって、これに何ら限定されるものではない。
(Application example)
The electrode forming method shown in each of the above-described embodiments can be favorably applied to electronic components such as a surface mount type inductor. Hereinafter, application examples will be briefly described. In addition, the structure shown here shows an example to which the present invention can be applied, and is not limited to this.
図８は、本発明に係る電極形成方法を適用可能な電子部品の第１の構成例（第１の適用例）を示す概略斜視図である。ここで、図８（ａ）は、本適用例に係る電子部品を上面側（上鍔部側）から見た概略斜視図であり、図８（ｂ）は、本適用例に係る電子部品を底面側（下鍔部側）から見た概略斜視図である。図９は、第１の適用例に係る電子部品の内部構造を示す概略断面図である。ここで、図９は、図８に示したＡ−Ａ線に沿った電子部品の断面を示す図である。 FIG. 8 is a schematic perspective view showing a first configuration example (first application example) of an electronic component to which the electrode forming method according to the present invention can be applied. Here, FIG. 8A is a schematic perspective view of the electronic component according to the application example as viewed from the upper surface side (upper collar side), and FIG. 8B is the electronic component according to the application example. It is the schematic perspective view seen from the bottom face side (lower collar part side). FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the internal structure of the electronic component according to the first application example. Here, FIG. 9 is a diagram showing a cross-section of the electronic component along the line AA shown in FIG.
第１の適用例に係る電子部品は、図８、図９に示すように、ドラムコア構造を有する巻線型インダクタ１０であって、コア部材１１と、該コア部材１１に巻回されたコイル導線１２と、コイル導線１２の端部１３Ａ、１３Ｂが接続される一対の端子電極１６Ａ、１６Ｂと、上記巻回されたコイル導線１２の外周を被覆する、磁性粉含有樹脂からなる外装部材１８と、を有している。
As shown in FIGS. 8 and 9, the electronic component according to the first application example is a
コア部材１１は、図８（ａ）、図９に示すように、コイル導線１２が巻回される柱状の巻芯部１１ａと、該巻芯部１１ａの図面上端に設けられた上鍔部１１ｂと、巻芯部１１ａの図面下端に設けられた下鍔部１１ｃとを備え、その外観はドラム型の形状を有している。ここで、コア部材１１は、上述した各実施形態に示した基体に対応し、例えば、鉄（Ｆｅ）と、ケイ素（Ｓｉ）と、鉄よりも酸化しやすい元素を含有する軟磁性合金の粒子群から構成される多孔質の成形体が適用される。特に、本適用例に係る巻線型インダクタにおいては、上記鉄よりも酸化しやすい元素として、クロム（Ｃｒ）を２〜１５ｗｔ％含有した軟磁性合金粒子を使用することにより、優れたインダクタ特性（インダクタンス−直流重畳特性：Ｌ−Ｉdc特性）を実現することができる。
As shown in FIGS. 8A and 9, the
また、図８（ｂ）、図９に示すように、コア部材１１の下鍔部１１ｃの底面（外表面）１１Ｂには、巻芯部１１ａの中心軸ＣＬの延長線を挟んで一対の端子電極１６Ａ、１６Ｂが形成されている。ここで、底面１１Ｂには、一対の端子電極１６Ａ、１６Ｂが形成される領域（電極形成領域）に、例えば図８（ｂ）、図９に示すように、溝１５Ａ、１５Ｂが形成されているものであってもよい。
Further, as shown in FIGS. 8B and 9, a pair of terminals is sandwiched between the bottom surface (outer surface) 11B of the lower collar portion 11c of the
コイル導線１２は、図９に示すように、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）等からなる金属線１３の外周に、ポリウレタン樹脂やポリエステル樹脂等からなる絶縁被覆１４が形成された被覆導線が適用される。そして、コイル導線１２は、上記コア部材１１の柱状の巻芯部１１ａの周囲に巻回されるとともに、図８（ｂ）、図９に示すように、一方及び他方の端部１３Ａ、１３Ｂが、絶縁被覆１４が除去された状態で、上記端子電極１６Ａ、１６Ｂにそれぞれ半田１７Ａ、１７Ｂにより導電接続されている。
As shown in FIG. 9, the coil conductor 12 is a coated conductor in which an insulating
ここで、コイル導線１２は、例えば直径０．１〜０．２ｍｍの被覆導線が、コア部材１１の巻芯部１１ａの周囲に３．５〜１５．５回巻回されている。コイル導線１２に適用される金属線１３は、単線に限定されるものではなく２本以上の線や、撚り線であってもよい。また、該コイル導線１２の金属線１３は、円形の断面形状を有するものに限定されるものではなく、例えば長方形の断面形状を有する平角線や、正方形の断面形状を有する四角線等を用いることもできる。また、上記端子電極１６Ａ、１６Ｂが溝１５Ａ、１５Ｂの内部に設けられる場合には、コイル導線１２の端部１３Ａ、１３Ｂの直径が、溝１５Ａ、１５Ｂの深さよりも大きくなるように設定されていることが好ましい。
Here, as for the coil conducting wire 12, for example, a coated conducting wire having a diameter of 0.1 to 0.2 mm is wound around the core portion 11 a of the
一対の端子電極１６Ａ、１６Ｂには、コイル導線１２の両端部１３Ａ、１３Ｂが、絶縁被覆１４が除去された状態で、それぞれ半田１７Ａ、１７Ｂにより導電接続されている。ここで、端子電極１６Ａ、１６Ｂは、上述した各実施形態に示した電極に対応し、基体である多孔質のコア部材１１の底面１１Ｂに、上述した各実施形態に示した電極形成方法を用いて形成される。すなわち、端子電極１６Ａ、１６Ｂの形成工程に先立って、ガラス又は樹脂を含浸又はコーティングし、焼き付け又は硬化させる下地処理を施すことにより、多孔質のコア部材１１の空孔部分にガラス又は樹脂が浸透して充填され、少なくとも電極形成領域のコア部材１１の表面又は表層における多孔質性が改善される。ここで、端子電極１６Ａ、１６Ｂは、上述したように、コア部材１１の電極形背領域に電極ペーストを塗布し、所定の温度で焼成して得られる焼成電極や、導電性の板状部材を接着剤を用いて接着する電極フレーム、電極材料をスパッタリングや蒸着により薄膜形成して得られる電極膜を適用することができる。
Both ends 13A and 13B of the coil conductor 12 are conductively connected to the pair of terminal electrodes 16A and 16B by solders 17A and 17B, respectively, with the insulating
なお、端子電極１６Ａ、１６Ｂとして、銅（Ｃｕ）や銀（Ａｇ）の焼成電極を適用する場合、又は、純銅、リン青銅からなる電極フレームを適用する場合にあっては、コア部材１１として、例えば粒度６〜２３μｍの金属粉（例えばアトミクス株式会社製の4.5Ｃｒ3ＳｉＦｅ）を成形（例えば６．０〜６．６ｇ／ｃｍ３→理論空孔率２２〜１３％）、研削、焼き付けしたものを用いることにより、上述した作用効果の検証に示したように、コア部材１１と端子電極１６Ａ、１６Ｂとの高い固着強度を実現することができる。
In addition, when applying the sintered electrode of copper (Cu) or silver (Ag) as the terminal electrodes 16A and 16B, or when applying an electrode frame made of pure copper or phosphor bronze, as the
図１０は、本発明に係る電極形成方法を適用可能な電子部品の第２の構成例（第２の適用例）を示す概略構成図である。ここで、図１０（ａ）は、第１の適用例に係る電子部品の概略斜視図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示したＢ−Ｂ線に沿った電子部品の断面を示す図である。図１１は、第２の適用例に係る電子部品の分解斜視図である。 FIG. 10 is a schematic configuration diagram showing a second configuration example (second application example) of an electronic component to which the electrode forming method according to the present invention can be applied. Here, FIG. 10A is a schematic perspective view of the electronic component according to the first application example, and FIG. 10B is an electronic component along the line BB shown in FIG. FIG. FIG. 11 is an exploded perspective view of the electronic component according to the second application example.
第２の適用例に係る電子部品は、図１０、図１１に示すように、積層型インダクタ２０であって、直方体形状の部品本体２１と、該部品本体２１の長さ方向の両端部に設けられた一対の端子電極２４、２５と、を有している。
As shown in FIGS. 10 and 11, the electronic component according to the second application example is a
部品本体２１は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、直方体形状の磁性体部２２と、該磁性体部２２によって被覆された螺旋状のコイル部２３と、を有しており、該コイル部２３の一端は端子電極２４に接続され、他端は端子電極２５に接続されている。
As shown in FIGS. 10A and 10B, the component
磁性体部２２は、図１１に示すように、例えば計２０層の磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ６を積層して一体化した構造を有している。ここで、磁性体部２２は、上述した各実施形態に示した基体に対応し、鉄（Ｆｅ）と、ケイ素（Ｓｉ）と、クロム（Ｃｒ）を含有する軟磁性合金の粒子群から構成される多孔質の成形体が適用される。
As shown in FIG. 11, the
また、コイル部２３は、例えば銀（Ａｇ）粒子群を主体として構成され、図１１に示すように、複数のコイルセグメントＣＳ１〜ＣＳ５と、該コイルセグメントＣＳ１〜ＣＳ５を接続する中継セグメントＩＳ１〜ＩＳ４とが、螺旋状に一体化してコイル構造を有している。
Moreover, the
各コイルセグメントＣＳ１〜ＣＳ４は帯状を有し、図１１に示すように、それぞれ所定の平面パターンを有している。また、各中継セグメントＩＳ１〜ＩＳ４は磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ４を貫通する柱状を有している。そして、図１０（ｂ）、図１１に示すように、最上層のコイルセグメントＣＳ１は、連続的に形成された引出部分ＬＳ１を介して端子電極２４に接続され、また、最下層のコイルセグメントＣＳ５は、連続的に形成された引出部分ＬＳ２を介して端子電極２５に接続されている。
Each of the coil segments CS1 to CS4 has a strip shape and has a predetermined plane pattern as shown in FIG. Each relay segment IS1 to IS4 has a column shape penetrating the magnetic layers ML1 to ML4. As shown in FIGS. 10B and 11, the uppermost coil segment CS1 is connected to the
一対の端子電極２４、２５は、コイル部２３と同様に、例えば銀（Ａｇ）粒子群を主体として構成され、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、部品本体２１の長さ方向の各端面と該端面近傍の４側面に形成されている。ここで、端子電極２４、２５は、上述した各実施形態に示した電極に対応し、基体である多孔質の部品本体２１の長さ方向の両端部に、上述した各実施形態に示した電極形成方法を用いて形成される。すなわち、端子電極２４、２５の形成工程に先立って、ガラス又は樹脂を含浸又はコーティングし、焼き付け又は硬化させる下地処理を施すことにより、多孔質の部品本体２１の空孔部分にガラス又は樹脂が浸透して充填され、少なくとも電極形成領域の部品本体２１の表面又は表層における多孔質性が改善される。
The pair of
以上のように、上述した各適用例によれば、回路基板上への面実装が可能な各種のインダクタにおいて、電極形成時に電極材料又は電極接合材料又は接着剤等が基体であるコア部材や部品本体に浸透してしまい、端子電極の接合性や密着性が低下することを抑制することができる。したがって、インダクタの基体と端子電極との高い固着強度を実現することができるので、このようなインダクタを搭載した電子機器の製造歩留まりや信頼性の向上に寄与することができる。 As described above, according to each application example described above, in various inductors that can be surface-mounted on a circuit board, a core member or component whose base is an electrode material, an electrode bonding material, or an adhesive during electrode formation It can suppress that it penetrate | infiltrates into a main body and the bondability and adhesiveness of a terminal electrode fall. Therefore, a high adhesion strength between the inductor substrate and the terminal electrode can be realized, which can contribute to the improvement of the manufacturing yield and reliability of the electronic device equipped with such an inductor.
なお、上述した適用例においては、インダクタの端子電極に本発明を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、本発明に係る電子部品の電極形成方法は、多孔質の基体を有する電子部品に、電極材料や電極接合材料を用いて電極を形成するものであれば、他の電子部品であっても良好に適用することができる。 In the application example described above, the case where the present invention is applied to the terminal electrode of the inductor has been described, but the present invention is not limited to this. That is, the method for forming an electrode of an electronic component according to the present invention can be applied to other electronic components as long as the electrode is formed using an electrode material or an electrode bonding material on an electronic component having a porous substrate. Can be applied well.
本発明は、回路基板上への面実装が可能な小型化されたインダクタ等の電子部品に適用して好適である。特に、多孔質の基体を有する電子部品において、当該基体に良好に電極を形成することができ極めて有効である。 The present invention is suitable for application to electronic components such as miniaturized inductors that can be surface-mounted on a circuit board. In particular, in an electronic component having a porous substrate, an electrode can be satisfactorily formed on the substrate, which is extremely effective.
１０ 巻線型インダクタ
１１ コア部材
１１ａ 巻芯部
１１ｂ 上鍔部
１１ｃ 下鍔部
１２ コイル導線
１６Ａ、１６Ｂ 端子電極
１８ 外装部材
２０ 積層型インダクタ
２１ 部品本体
２２ 磁性体部
２３ コイル部
２４、２５ 端子電極
Ｓ１０１ ガラススラリー準備工程
Ｓ１０２ ガラスコーティング工程
Ｓ１０３ 脱バインダ工程
Ｓ１０４ ガラス焼き付け工程
Ｓ１０５ 電極形成工程
Ｓ２０１ 樹脂溶液準備工程
Ｓ２０２ 樹脂含浸工程
Ｓ２０３ 乾燥工程
Ｓ２０４ 硬化工程
Ｓ２０５ 電極形成工程
DESCRIPTION OF
本発明は、電子部品に関し、特に、磁気コアを有し、回路基板上への面実装が可能な小型化されたインダクタ等の電子部品に関する。The present invention relates to an electronic component , and more particularly, to an electronic component such as a miniaturized inductor having a magnetic core and capable of surface mounting on a circuit board.
近年、電子機器の小型薄型化や高機能化に伴って、インダクタ特性及び信頼性を向上させつつ、さらなる高密度実装や低背実装が可能な巻線型インダクタが求められている。
本発明は、所望の電気特性及び高い信頼性を有しつつ、回路基板上への良好な高密度実装や低背実装が可能なインダクタ等に良好に適用することができる電子部品を提供することを目的とする。In recent years, with the downsizing and thinning and high functionality of electronic devices, there has been a demand for a wound inductor that can be mounted at higher density and lower profile while improving inductor characteristics and reliability.
The present invention provides an electronic component that can be suitably applied to an inductor that can be mounted on a circuit board with high density and low profile while having desired electrical characteristics and high reliability. With the goal.
請求項１記載の発明に係る電子部品は、
多孔質の基体を有する電子部品であって、
前記基体はその表層に、電極材料又は電極接合材料又は接着剤の浸透を防止する浸透防止材料を含浸又はコーティングしているとともに、前記浸透防止材料を前記多孔質の基体の空孔部分に浸透させて充填されており、かつ、前記浸透防止材料が含浸又はコーティングされた前記多孔質の基体の表面に電極を形成していること、及び、前記多孔質の基体は軟磁性合金の粒子からなり、前記空孔部分は前記多孔質の基体の粒子間の空孔部分であることを特徴とする。The electronic component according to the invention of
An electronic component having a porous substrate,
Penetrates into the surface layer of the substrate Waso, with is impregnated or coated with a permeation preventing material for preventing the penetration of the electrode material or the electrode bonding material or adhesive, the permeation-preventing material pore portion of the substrate of the porous It is filled by, and the possible penetration inhibiting material forms an electrode on the surface of the substrate impregnated or coated the porous, and the substrate of the porous consists of particles of soft magnetic alloy The hole portion is a hole portion between particles of the porous substrate.
請求項２記載の発明は、請求項１記載の電子部品において、前記浸透防止材料は、所定の成分を有するガラス材料であって、前記電子部品の表層に、前記ガラス材料を含浸又はコーティングし、さらに、所定の温度で焼き付け処理が行われたものであることを特徴とする。The invention according to
請求項３記載の発明は、請求項１記載の電子部品において、前記浸透防止材料は、所定の成分を有する樹脂材料であって、前記電子部品の表層に、前記樹脂材料を含浸又はコーティングし、さらに、硬化処理が行われたものであることを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the electronic component according to the first aspect , the penetration preventing material is a resin material having a predetermined component, and a surface layer of the electronic component is impregnated or coated with the resin material, further characterized in that the curing process is that we row.
請求項４記載の発明は、請求項２記載の電子部品において、前記電極は、前記電極材料もしくは前記電極材料と前記電極接合材料を焼成処理することにより形成されたものであることを特徴とする。The invention of
請求項５記載の発明は、請求項２又は３記載の電子部品において、前記電極は、前記電極材料からなる板状部材を接着剤を用いて貼付処理することにより形成されたものであることを特徴とする。Invention of
請求項６記載の発明は、請求項２又は３記載の電子部品において、前記電極は、前記電極材料をスパッタリング法や蒸着法等を用いて形成された金属薄膜により形成されたもの であることを特徴とする。According to a sixth aspect of the invention, the electronic component according to
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の電子部品において、前記電子部品は、吸水率が１．０％以上、又は、空孔率が１０〜２５％の金属粉の成形体であることを特徴とする。The invention according to claim 7 is the electronic component according to any one of
請求項８記載の発明は、請求項１乃至７のいずれかに記載の電子部品において、前記電子部品は、鉄、ケイ素、及び、鉄よりも酸化しやすい元素を含有する軟磁性合金の粒子群から構成され、各軟磁性合金粒子の表面には当該軟磁性合金粒子を酸化して形成した酸化層が生成され、当該酸化層は当該軟磁性合金粒子に比較して鉄より酸化しやすい元素を多く含み、粒子同士は前記酸化層を介して結合されていることを特徴とする。The invention according to claim 8 is the electronic component according to any one of
請求項９記載の発明は、請求項８記載の電子部品において、前記鉄よりも酸化しやすい元素は、クロムであって、前記軟磁性合金は、少なくとも、クロムが２〜１５ｗｔ％含有することを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the electronic component according to the eighth aspect, the element that is more easily oxidized than iron is chromium, and the soft magnetic alloy contains at least 2 to 15 wt% of chromium. Features.
本発明によれば、所望の電気特性及び高い信頼性を有しつつ、回路基板上への良好な高密度実装や低背実装が可能なインダクタ等の良好に適用することができる電子部品を提供することができ、当該電子部品を搭載する電子機器の小型薄型化や高機能化に加え、信頼性の向上に寄与することができる。
According to the present invention, it is possible to provide an electronic component that can be applied well, such as an inductor that can be mounted on a circuit board with high density and low profile while having desired electrical characteristics and high reliability. In addition to reducing the size and thickness of the electronic device on which the electronic component is mounted and increasing the functionality, it is possible to contribute to the improvement of reliability.
Claims (9)
前記浸透防止材料が含浸又はコーティングされた前記電子部品の前記多孔質の基体の表面に、電極を形成する工程と、
を含み、
前記多孔質の基体は軟磁性合金の粒子からなり、
前記空孔部分は前記多孔質の基体の粒子間の空孔部分である
ことを特徴とする電子部品の電極形成方法。 The surface layer of the porous substrate of the electronic component is impregnated or coated with a permeation preventive material that prevents permeation of the electrode material, the electrode bonding material or the adhesive, and the permeation preventive material penetrates into the pores of the porous substrate. Filling and filling,
Forming an electrode on the surface of the porous substrate of the electronic component impregnated or coated with the penetration preventing material;
Including
The porous substrate is made of soft magnetic alloy particles,
The method for forming an electrode of an electronic component, wherein the hole portion is a hole portion between particles of the porous substrate.
前記電子部品の表層に、前記ガラス材料を含浸又はコーティングしたのち、所定の温度で焼き付け処理を行うことを特徴とする請求項１記載の電子部品の電極形成方法。 The penetration preventing material is a glass material having a predetermined component,
2. The method of forming an electrode for an electronic component according to claim 1, wherein after the glass material is impregnated or coated on a surface layer of the electronic component, a baking process is performed at a predetermined temperature.
前記電子部品の表層に、前記樹脂材料を含浸又はコーティングしたのち、硬化処理を行うことを特徴とする請求項１記載の電子部品の電極形成方法。 The penetration preventing material is a resin material having a predetermined component,
2. The method of forming an electrode for an electronic component according to claim 1, wherein the resin material is impregnated or coated on a surface layer of the electronic component, followed by curing treatment.
前記軟磁性合金は、少なくとも、クロムが２〜１５ｗｔ％含有することを特徴とする請求項８記載の電子部品の電極形成方法。 The element that oxidizes more easily than iron is chromium,
9. The method of forming an electrode for an electronic component according to claim 8, wherein the soft magnetic alloy contains at least 2 to 15 wt% chromium.
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