JP2017011126A - Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板の載置部及び基板搬送機構が設けられる基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a storage medium provided with a substrate placement unit and a substrate transport mechanism.
半導体装置の製造工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）が、基板処理装置に設けられる複数のモジュール間を基板搬送機構により受け渡され、モジュールにて例えば加熱処理などの処理を受ける。上記の各モジュールは、ウエハに処理を行うために当該ウエハを載置する載置部を備える。この載置部に正常にウエハが受け渡されないと、当該ウエハに対して処理に不具合が生じる場合がある。具体的には、例えば載置部がウエハを加熱処理する熱板である場合、ウエハの面内の温度のばらつきが大きくなってしまう。 In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer), which is a substrate, is transferred between a plurality of modules provided in the substrate processing apparatus by a substrate transport mechanism. Get processed. Each of the modules includes a placement unit for placing the wafer in order to perform processing on the wafer. If the wafer is not normally delivered to the mounting portion, there may be a problem in processing the wafer. Specifically, for example, when the mounting portion is a hot plate that heats the wafer, the temperature variation in the wafer surface becomes large.
そこで載置部におけるウエハの載置状態について検出できるように基板処理装置を構成し、製品の歩留りを高くすることが検討されている。例えば特許文献１には載置部に静電センサが設けられた加熱モジュールが示されており、特許文献２には載置部に光電センサが設けられた露光装置が示されている。これらの加熱モジュール及び露光装置では、静電センサ、光電センサにより、夫々の載置部に対して、ウエハが位置ずれしているか否かが検出されるとされている。
In view of this, it has been studied to configure the substrate processing apparatus so as to detect the wafer mounting state in the mounting section and to increase the product yield. For example,
ところで、特許文献１のように静電センサによる検出を行う場合は、ウエハが帯電していると正確に距離を測定できない可能性がある。従って、静電センサを用いずにウエハの載置部における載置状態を検出することが求められる可能性がある。また、発明の実施の形態の項目で述べるように、ウエハは載置部に対して位置ずれしていなくても、傾いたり反ったりすることによって載置部に正常に載置されない場合がある。そのようにウエハが傾いた場合、特許文献２の光電センサからウエハに照射された光は、本来反射される方向とは異なる方向に反射されてしまい、ウエハの位置の検出精度を十分に高くすることができないおそれがある。
By the way, when performing detection by an electrostatic sensor as in
また、例えば上記のように載置部が熱板である場合、ウエハは載置部に載置されると速やかに処理が行われてしまう。従って、載置部に載置されたウエハの状態を検出する他に、載置部に載置される前の当該載置部の上方領域に位置するウエハの状態について検出し、ウエハの異常な載置を防ぐことも求められる。 Further, for example, when the mounting unit is a hot plate as described above, the wafer is quickly processed when it is mounted on the mounting unit. Therefore, in addition to detecting the state of the wafer placed on the placement unit, the state of the wafer located in the upper region of the placement unit before being placed on the placement unit is detected, and the abnormal state of the wafer is detected. It is also required to prevent placement.
さらに、上記の基板搬送機構は載置されたウエハを保持する保持体を備えている。この載置部である保持体にウエハが正常に載置されないと、モジュールの載置部にウエハが正常に載置されなかったり、保持体からウエハが床に落下するおそれがある。従って、モジュールの載置部におけるウエハの載置状態に限られず、当該保持体におけるウエハの載置状態についても正確に検出することが求められる。 Further, the substrate transport mechanism includes a holding body that holds the placed wafer. If the wafer is not normally placed on the holder, which is the placement unit, the wafer may not be normally placed on the module placement unit, or the wafer may fall from the holder onto the floor. Therefore, it is required to accurately detect the wafer mounting state on the holding body as well as the wafer mounting state on the module mounting portion.
本発明はこのような事情においてなされたものであり、その目的は、基板処理装置における載置部上の基板の状態の異常を正確性高く検出することができる技術を提供することである。 The present invention has been made in such circumstances, and an object of the present invention is to provide a technique capable of accurately detecting an abnormality in the state of the substrate on the mounting portion in the substrate processing apparatus.
本発明の基板を搬送する基板搬送機構を備えた基板処理装置において、
前記基板が載置される載置部と、
前記載置部に複数設けられ、前記基板の互いに異なる箇所に各々超音波を照射して当該箇所との離間距離の推移データを各々取得するための超音波センサと、
前記離間距離の推移データに基づいて、前記載置部上における前記基板の状態が正常であるか否かを判定する判定部と、
を備えることを特徴とする。
In the substrate processing apparatus provided with the substrate transport mechanism for transporting the substrate of the present invention,
A placement section on which the substrate is placed;
A plurality of ultrasonic sensors for obtaining the transition data of the separation distance from each of the substrates by irradiating ultrasonic waves to different portions of the substrate, respectively,
A determination unit that determines whether or not the state of the substrate on the placement unit is normal based on the transition data of the separation distance;
It is characterized by providing.
本発明の基板処理方法は、基板を搬送する基板搬送機構を備えた基板処理装置において、
前記基板を当該基板の載置部に載置する工程と、
前記載置部に複数設けられる超音波センサにより、前記基板の互いに異なる箇所に超音波を連続的に照射して、当該箇所との離間距離の推移データを各々取得する工程と、
前記離間距離の推移データに基づいて、前記載置部上における前記基板の状態が正常であるか否かを判定する工程と、
を備えることを特徴とする。
また本発明の記憶媒体は、基板を搬送する基板搬送機構を備えた基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記プログラムは本発明の基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
The substrate processing method of the present invention is a substrate processing apparatus provided with a substrate transfer mechanism for transferring a substrate.
Placing the substrate on a placement portion of the substrate;
A step of continuously irradiating ultrasonic waves to different locations of the substrate by a plurality of ultrasonic sensors provided in the mounting portion, and obtaining transition data of a separation distance from the locations,
A step of determining whether or not the state of the substrate on the placement unit is normal based on the transition data of the separation distance;
It is characterized by providing.
The storage medium of the present invention is a storage medium storing a computer program used in a substrate processing apparatus provided with a substrate transfer mechanism for transferring a substrate,
The program includes steps for executing the substrate processing method of the present invention.
本発明によれば、基板との離間距離の推移データを取得するための複数の超音波センサが設けられ、この推移データに基づいて、基板の載置部における基板の状態が正常であるか否かが判定される。各超音波センサによって、載置部上を移動する基板の位置を精度高く監視することができるので、載置部上における基板の状態の異常を正確性高く検出することができる。 According to the present invention, there are provided a plurality of ultrasonic sensors for acquiring transition data of the separation distance from the substrate, and based on the transition data, whether or not the state of the substrate in the substrate mounting portion is normal. Is determined. Since each ultrasonic sensor can monitor the position of the substrate moving on the placement unit with high accuracy, an abnormality in the state of the substrate on the placement unit can be detected with high accuracy.
（第１の実施形態）
本発明の基板処理装置の一実施形態である塗布、現像装置について説明する。塗布、現像装置は、円形の基板であるウエハＷを加熱する加熱モジュール１と、当該ウエハＷを加熱モジュール１に対して搬送する基板搬送機構とを備えている。この基板搬送機構はウエハＷの裏面周縁部を保持する保持体２１を含む。例えばウエハＷは、その表面にレジスト膜が形成された状態で保持体２１により加熱モジュール１に搬送され、加熱モジュール１にて加熱されることで、レジスト膜中に残留する溶剤が除去される。
(First embodiment)
A coating and developing apparatus as an embodiment of the substrate processing apparatus of the present invention will be described. The coating and developing apparatus includes a
図１は加熱モジュール１の縦断側面を示し、図２は加熱モジュール１の横断平面と保持体２１の平面とを示している。保持体２１は平面視概ねＣ字をなす水平板状に形成されており、加熱モジュール１に対して前後、左右に移動自在、且つ、鉛直軸周りに回転自在に構成されている。加熱モジュール１は、ウエハＷの載置部をなす水平な円形の熱板１２を備えている。図１中１３は、熱板１２を加熱するためのヒーターである。熱板１２の表面には、複数の支持ピン１４が分散して設けられており、ウエハＷが正常に熱板１２に受け渡された場合、ウエハＷはこれらの支持ピン１４上に水平に支持され、熱板１２から若干浮いた状態で加熱される。支持ピン１４の高さは例えば０．１ｍｍである。
FIG. 1 shows a longitudinal side surface of the
また、熱板１２の表面には、複数の位置規制ピン１５が熱板１２の周縁部に沿って間隔をおいて設けられており、位置規制ピン１５に囲まれる領域は、ウエハＷの載置領域Ｒ１として構成されている。位置規制ピン１５は、この載置領域Ｒ１にウエハＷを載置する際に、載置領域Ｒ１に載置されるようにウエハＷの位置を規制する。さらに熱板１２には厚さ方向に貫通孔が設けられ、この貫通孔内を昇降して熱板１２上にて突没する３本の昇降ピン１６（図１では２本のみ表示している）が設けられている。図１中１７は、昇降ピン１６を昇降させるピン昇降機構である。
A plurality of position restricting pins 15 are provided on the surface of the
熱板１２には、上記の載置領域の周縁部に沿って間隔をおいて４つの孔が設けられ、各孔内には夫々超音波センサ２Ａ〜２Ｄが埋設されている。超音波センサ２（２Ａ〜２Ｄ）は反射型のセンサであり、垂直上方に向けて超音波を照射する。保持体２１により、超音波センサ２Ａ〜２Ｄの上方にウエハＷが位置する場合には、当該ウエハＷに照射された超音波が反射され、この反射波を超音波センサ２Ａ〜２Ｄが受波する。そして、各超音波センサ２Ａ〜２Ｄは、この反射波に基づいた検出信号を、超音波センサ２Ａ〜２Ｄ毎に設けられたアンプ２２を介して後述の判定部をなす制御部３に送信する。
The
この制御部３に送信される検出信号には、各超音波センサ２とその上方のウエハＷとの距離についての情報が含まれており、制御部３は当該検出信号に基づいて各超音波センサ２Ａ〜２ＤとウエハＷとの距離を検出する。このような構成により、例えば、超音波センサ２Ａ〜２Ｄに対して０ｍｍ〜３０ｍｍ離れた位置のウエハＷが検出可能とされる。
The detection signal transmitted to the
上記のように超音波センサ２Ａ〜２Ｄが配置されていることで、ウエハＷが載置領域Ｒ１あるいはその上方に位置しているときには、各超音波センサ２Ａ〜２Ｄと、各超音波センサ２Ａ〜２Ｄ上のウエハＷとの離間距離が検出されることになる。例えば加熱モジュール１の稼働中は、超音波センサ２Ａ〜２Ｄから常時、超音波が出力され、センサ２Ａ〜２Ｂ及びウエハＷ間における離間距離が監視される。ここでいう離間距離の監視には、超音波センサ２Ａ〜２Ｄ上におけるウエハＷの有無の監視も含まれる。
Since the
また、図２では熱板１２の中心、即ちウエハＷの載置領域Ｒ１の中心点をＰで示しており、ウエハＷが正常に熱板１２に載置される場合は、中心点ＰとウエハＷの中心とが一致する。ところで、以降の説明では図２に示すように保持体２１から熱板１２に向かって見て、前方、後方を夫々＋Ｘ方向、−Ｘ方向とし、左方、右方を夫々＋Ｙ方向、−Ｙ方向として記載する場合がある。また、＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に対して４５°傾いた方向を＋Ｊ方向と記載し、＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に４５°傾いた方向を＋Ｋ方向と記載し、＋Ｊ方向、＋Ｋ方向に夫々反対する方向を−Ｊ方向、−Ｋ方向と記載する場合がある。上記の超音波センサ２Ａ〜２Ｄについてはマトリクス状に配置されており、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄは、夫々中心点Ｐに対して、−Ｋ、＋Ｊ、−Ｊ、＋Ｋ方向に離れた位置に設けられている。
ている。
2, the center of the
ing.
図１中２３は昇降自在なシャッタであり、熱板１２を囲む起立した円筒形に構成されている。図中２４は円形の天板であり、熱板１２の上方に設けられる。天板２４の下面中央部には、排気口２５が開口している。ウエハＷが熱板１２に載置されて加熱処理される際には、図１に示すようにシャッタ２３の上端と、天板２４の周縁部との間に若干の隙間が形成された状態で、排気口２５により排気が行われる。それによって、熱板１２の外方から熱板１２上に流れ、排気口２５により排気される大気の気流に曝されて、ウエハＷが加熱される。図１では、矢印でこの気流を示している。保持体２１がウエハＷを熱板１２に対して受け渡すときには、保持体２１の移動を妨げないように、シャッタ２３は図１に示す位置から下降する。
In FIG. 1,
続いて、制御部３について説明する。制御部３は例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、加熱モジュール１の各部の動作の制御、ウエハＷを受け渡すための保持体２１の移動の制御、超音波センサ２Ａ〜２Ｄからの検出信号に基づいた超音波センサ２Ａ〜２ＤとウエハＷとの離間距離の検出、後述する離間距離の経時変化のデータの作成、及び経時変化のデータに基づいた各種の判定など、後述する各種の動作が行えるように命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。そして、当該プログラムによって、制御部３から搬送機構及び加熱モジュール１を含む塗布、現像装置の各部に制御信号が出力されることで、後述の各動作が行われる。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
Next, the
また、制御部３はメモリを備えている。後述のフローに沿ってウエハＷに処理が行われるにあたり、このメモリにはウエハＷのＩＤと、当該ウエハＷが正常に加熱処理されたか否かについての情報とが対応付けられて記憶される。異常な処理が行われた場合には、後述するように熱板２１上の異物の存在による処理異常か、位置規制ピン１５への乗り上げによる処理異常かという情報も記憶される。
また、後述のフローで、センサ２、昇降ピン１６、加熱モジュール１について夫々異常があるものと決定された場合には、その旨も記憶される。また、制御部３は、アラーム発生器を備えている。このアラーム発生器は、例えばモニタやスピーカーであり、ウエハＷに異常な処理が行われたと決定されたり、センサ２、昇降ピン１６、加熱モジュール１について夫々異常があるものと決定された場合に、所定の画面表示や音の出力を行い、ユーザーに異常の発生を報知する。
In addition, the
Further, when it is determined in the flow described later that there is an abnormality in each of the
続いて、正常に熱板１２上に受け渡されるときのウエハＷの様子を、図３〜図５を用いて説明する。また、このときに上記の超音波センサ２Ａ〜２Ｄからの検出信号に基づいて、制御部３が取得する超音波センサ２Ａ〜２ＤとウエハＷとの離間距離の経時変化のデータを、図６のタイミングチャートとして示しており、このチャート上における変化も併せて説明する。このタイミングチャートについて補足して説明しておくと、チャートではセンサ２Ａ〜２Ｄの夫々について、点線の横軸と実線のチャート線との間隔の大きさ（ＬＡ〜ＬＤと表記している）によって、ウエハＷとセンサ２との離間距離を示す。
Next, the state of the wafer W when it is normally transferred onto the
より具体的には、センサ２からの検出信号に応じてチャート線は上下に変動し、横軸とチャート線との間隔が大きいほど、ウエハＷにおいて超音波が照射された箇所と当該超音波を照射したセンサ２との離間距離が大きいことを表す。また、このチャートにおいては、ウエハＷがセンサ２上に無くてセンサ２がウエハＷを検出できない場合は、センサ２によりウエハＷが検出されるときよりもＬＡ〜ＬＤが大きくなるように示している。なお、上記のようにセンサ２上にウエハＷがあるときは、チャート中のＬＡ〜ＬＤはウエハＷとセンサ２との離間距離に対応することから、このＬＡ〜ＬＤを離間距離であるものとして説明する場合がある。
More specifically, the chart line fluctuates up and down in accordance with the detection signal from the
先ず、ウエハＷを保持した保持体２１が熱板１２の外側から前方（＋Ｘ方向）へ移動し（図３）、ウエハＷがセンサ２Ａ〜２Ｄ上に位置する。チャート中の時刻ｔ１、ｔ２は、保持体２１の前進により、ウエハＷが検出できない状態から検出可能な状態に変化した時刻を示している。その後、昇降ピン１６が上昇し（時刻ｔ３）、ウエハＷが昇降ピン１６に水平に支持されて保持体２１から浮き上がった後、保持体２１が後方（−Ｘ方向）へ移動し、熱板１２上から退避する。この退避中は、ウエハＷは熱板１２から一定の高さで静止し、離間距離ＬＡ〜ＬＤは一定となる。この静止時にウエハＷは載置領域Ｒ１に重なっている。然る後、ウエハＷが水平な状態で昇降ピン１６と共に下降し（チャート中時刻ｔ１１、図４）、一定であった離間距離ＬＡ〜ＬＤは減少を開始する。そして、ウエハＷが支持ピン１４上に水平に支持され、載置領域Ｒ１に重なるように載置されると、離間距離ＬＡ〜ＬＤの減少は停止して当該ＬＡ〜ＬＤは一定となり（時刻ｔ１２）、当該ウエハＷは熱板１２の熱により加熱処理される（図５）。
First, the holding
然る後、昇降ピン１６が上昇してウエハＷが水平な状態で支持ピン１４から浮き上がり、一定の状態であった離間距離ＬＡ〜ＬＤが上昇開始する（時刻ｔ２１）。その後、昇降ピン１６の上昇が停止し、離間距離ＬＡ〜ＬＤの上昇が停止する（時刻ｔ２２）。その後、保持体２１の前進による当該保持体２１のウエハＷの下方への移動、昇降ピン１６の下降による保持体２１へのウエハＷの受け渡し、保持体２１の後退によるウエハＷの熱板１２上からの退避が順に行われる。
Thereafter, the raising / lowering
上記のように熱板１２に対するウエハＷの受け渡しが正常に行われる場合、受け渡し中にウエハＷが水平に保たれることで、各センサ２Ａ〜２ＤとウエハＷにおいて各センサ２Ａ〜２Ｄから超音波が照射される位置との距離が、同様に変化する。それによって、上記のセンサ２Ａ〜２Ｄについて、減少開始時刻ｔ１１から離間距離ＬＡ〜ＬＤの減少停止時刻ｔ１２までの時間を距離減少時間Ｔ１Ａ〜Ｔ１Ｄとすると、Ｔ１Ａ＝Ｔ１Ｂ＝Ｔ１Ｃ＝Ｔ１Ｄとなる。またセンサ２Ａ〜２Ｄについて、上昇開始時刻ｔ２１から離間距離ＬＡ〜ＬＤの上昇停止時刻ｔ２２までの時間を距離上昇時間Ｔ２Ａ〜T２Ｄとすると、Ｔ２Ａ＝Ｔ２Ｂ＝Ｔ２Ｃ＝Ｔ２Ｄとなる。そして、時刻ｔ１２〜ｔ２１における離間距離ＬＡ〜ＬＤは、ＬＡ＝ＬＢ＝ＬＣ＝ＬＤとなる。
When the transfer of the wafer W to the
続いて、熱板１２にウエハＷが異常に載置されるときの一例について、ウエハＷの様子を示す図７〜図９を参照しながら、正常に載置される場合との差異点を中心に説明する。また、図１０は、そのようにウエハＷが異常に載置されるにあたって取得される離間距離Ｌの推移を、図６と同様にタイミングチャートとして示したものであり、この図１０も適宜参照する。なお、図１０では図６の時刻ｔ３以降、即ちウエハＷが支持するために昇降ピン１６が上昇してから後のＬの推移を示している。
Subsequently, with respect to an example when the wafer W is abnormally placed on the
例えば保持体２１が正常な位置に対して＋Ｙ方向にずれて熱板１２上に位置し、昇降ピン１６が上昇したことにより、昇降ピン１６上にてウエハＷが正常な位置（載置領域Ｒ１に重なる位置）から＋Ｙ方向にずれて支持される。ただし、ウエハＷは各センサ２上に位置しているものとする。そのようにウエハＷを支持した昇降ピン１６が下降して、離間距離ＬＡ〜ＬＤが減少開始する（時刻ｔ１１、図７）。そして、昇降ピン１６の下降中にウエハＷの一端側（＋Ｙ方向側）が位置規制ピン１５に乗り上げて下降が停止し、ＬＡ、ＬＢの減少が停止する。そして、昇降ピン１６が下降を続けてウエハＷの他端側（−Ｙ方向側）がさらに下降し、支持ピン１４に支持されて下降が停止すると、ＬＣ、ＬＤの減少が停止する（図８、図９）。従って、離間距離Ｌ（ＬＡ〜ＬＤ）の減少停止時刻ｔ１２が互いに異なり、距離減少時間Ｔ１（Ｔ１Ａ〜Ｔ１Ｄ）については、Ｔ１Ａ≒Ｔ１Ｂ＜Ｔ１Ｃ≒Ｔ１Ｄとなる。そして、ウエハＷは熱板２１に対して傾くと共に、載置領域Ｒ１に対して＋Ｙ方向にずれて載置される。さらに、減少停止時刻ｔ１２以降の離間距離ＬＡ〜ＬＤは、ＬＡ≒ＬＢ＞ＬＣ≒ＬＤとなる。
For example, when the holding
このようにウエハＷが載置された後、昇降ピン１６が上昇し、先にウエハＷの他端側が昇降ピン１６に当接して持ち上げられ、ＬＣ、ＬＤが上昇開始し、然る後ウエハＷの一端側が昇降ピン１６に当接して上昇し、ＬＡ、ＬＢが上昇開始する。つまり、離間距離ＬＡ〜ＬＤの上昇開始時刻ｔ２１が互いに異なる。これ以降ウエハＷは、正常に受け渡しが行われた場合と同様に昇降ピン１６から保持体２１に受け渡され、離間距離ＬＡ〜ＬＤの上昇停止時刻ｔ２２は互いに一致する。そのため距離上昇時間Ｔ２（Ｔ２Ａ〜Ｔ２Ｄ）については、Ｔ２Ａ≒Ｔ２Ｂ＜Ｔ２Ｃ≒Ｔ２Ｄとなる。このようにウエハＷの位置規制ピン１５への乗り上げが生じると、距離減少時間Ｔ１、距離上昇時間Ｔ２、時刻ｔ１２〜時刻ｔ２１の離間距離Ｌに夫々大小関係が生じる。
After the wafer W is placed in this manner, the lift pins 16 are raised, and the other end of the wafer W is first lifted by contacting the lift pins 16, and the LC and LD start to rise. One end side of the slidable plate abuts on the lifting pins 16 and rises, and LA and LB start to rise. That is, the rising start times t21 of the separation distances LA to LD are different from each other. Thereafter, the wafer W is transferred from the lift pins 16 to the holding
ところで、上記の例ではウエハＷが載置領域Ｒ１の中心点Ｐから＋Ｙ方向にずれて位置規制ピン１５に乗り上げたことで、距離減少時間Ｔ１、距離上昇時間Ｔ２、時刻ｔ１２〜時刻ｔ２１の離間距離Ｌの夫々についての大小関係が既述のようになったが、この大小関係は、ウエハＷのずれの方向に応じたものとなる。例えばウエハＷが＋Ｊ方向（図９参照）にずれて乗り上げれば、当該＋Ｊ方向の端部が他の方向の端部より先に下降停止し、ウエハＷが熱板１２から上昇する際には、他の端部よりも遅く上昇停止するため、Ｔ１Ｂ＜Ｔ１Ａ≒Ｔ１Ｄ＜Ｔ１Ｃ、Ｔ２Ｂ＜Ｔ２Ａ≒Ｔ２Ｄ＜Ｔ２Ｃ、時刻ｔ１２〜ｔ２１ではＬＢ＞ＬＡ≒ＬＤ＞ＬＣとなる。
By the way, in the above example, the wafer W is shifted in the + Y direction from the center point P of the placement region R1 and rides on the
他の方向にウエハＷがずれた場合のＴ１、Ｔ２、ｔ１２〜ｔ２１のＬの大小の例示については省略するが、どの方向にずれても、センサ２間でＴ１、Ｔ２、Ｌに夫々大小関係、つまりばらつきが生じることで、制御部３は位置規制ピン１５への乗り上げの有無の判定が可能になる。なお、この判定はＴ１、Ｔ２、Ｌのいずれか一つを用いて行ってもよい。ところで、Ｌについてこのように大小関係を取得することは、±Ｘ、±Ｙ、±Ｊ、及び±Ｋ方向のうちのいずれの方向が高くなるようにウエハＷが傾いているかを検出していることに等しい。従って、以下、Ｌについての大小関係の取得＝ウエハＷの傾き検出として説明する場合がある。
Although illustration of the magnitude of L in T1, T2, and t12 to t21 when the wafer W is displaced in the other direction is omitted, the magnitude relationship between T1, T2, and L between the
続いて、熱板１２に対するウエハＷの受け渡しが異常となる他の一例について、ウエハＷの様子を示す図１１〜図１３と、制御部３により取得される離間距離Ｌの経時変化をタイミングチャートとして示す図１４と、を参照しながら説明する。図１４も図１０のチャートと同様、時刻ｔ３以降の離間距離Ｌの推移を示している。この例では、熱板１２上において載置領域の中心点Ｐから＋Ｊ方向にずれた位置に異物Ｈが付着しており、異物Ｈの上端は支持ピン１４の上端よりも高い。先ず、正常に受け渡しが行われる場合と同様に、ウエハＷは保持体２１から上昇した昇降ピン１６に受け渡され、昇降ピン１６が下降し、離間距離ＬＡ〜ＬＤが減少開始する（図１１、時刻ｔ１１）
Subsequently, for another example in which the delivery of the wafer W to the
昇降ピン１６の下降中にウエハＷの裏面が異物Ｈに接触して、異物Ｈを支点としてウエハＷの一端側（＋Ｊ方向側）が上方に向かい、ウエハＷの他端側（−Ｊ方向側）が下方に向かうようにウエハＷが傾き、ＬＡの減少が停止した後でＬＢ、ＬＣの下降が停止する。然る後、ウエハＷの他端部が支持ピン１４に支持されることでＬＤの下降も停止し、ウエハＷは熱板１２に対して傾いて載置される（図１２、図１３）。このようにＬＡ〜ＬＤの減少停止時刻ｔ１２がセンサ２間で異なることで距離減少時間Ｔ１についてはＴ１Ａ＜Ｔ１Ｂ≒Ｔ１Ｃ＜Ｔ１Ｄとなると共に、下降停止時刻ｔ１２以降の離間距離ＬについてはＬＡ＞ＬＢ≒ＬＣ＞ＬＤとなる。
While the elevating
その後、昇降ピン１６が上昇し、先にウエハＷの他端側（−Ｊ方向側）が昇降ピン１６に当接して持ち上げられ、ＬＤが上昇開始し、然る後ＬＢ、ＬＣが上昇開始した後、ウエハＷの一端側（＋Ｊ方向側）も昇降ピン１６に当接して持ち上げられ、ＬＡが上昇開始する。つまり、ＬＡ〜ＬＤの上昇開始時刻ｔ２１が互いに異なる。これ以降、ウエハＷは正常に受け渡しが行われた場合と同様に昇降ピン１６から保持体２１に受け渡される。従って、ＬＡ〜ＬＤの上昇停止時刻ｔ２２は互いに一致するため、距離上昇時間Ｔ２についてはＴ２Ａ＜Ｔ２Ｂ≒Ｔ２Ｃ＜Ｔ２Ｄとなる。このように熱板２１上に上記の大きさの異物Ｈが存在してウエハＷが熱板１２上で傾くと、距離減少時間Ｔ１、距離上昇時間Ｔ２、時刻ｔ１２〜時刻ｔ２１のＬに夫々大小関係が生じるので、制御部３はこの大小関係によって異物Ｈの有無の判定を行うことができる。
Thereafter, the raising / lowering
異物Ｈが中心点Ｐからどの方向にずれた位置に存在するかによって、Ｔ１間の大小関係、Ｔ２間の大小関係、時刻ｔ１２〜時刻ｔ２１におけるＬ間の大小関係が夫々決まる。異物Ｈが他の位置に存在する場合の例を挙げると、中心点Ｐから＋Ｙ方向にずれた位置に異物Ｈが存在すれば、＋Ｙ方向側のウエハＷの端部が、当該ウエハＷが熱板１２に対して下降する際に異物Ｈに接触して他の方向の端部より先に下降停止する。そして、ウエハＷが熱板１２から上昇する際には、他の端部よりも遅く上昇停止する。そのためＴ１Ａ≒Ｔ１Ｂ＜Ｔ１Ｃ≒Ｔ１Ｄ、Ｔ２Ａ≒Ｔ２Ｂ＜Ｔ２Ｃ≒Ｔ２Ｄ、ｔ１２〜ｔ２１ではＬＡ≒ＬＢ＞ＬＣ≒ＬＤとなる。
The magnitude relationship between T1, the magnitude relationship between T2, and the magnitude relationship between L from time t12 to time t21 are determined depending on in which direction the foreign object H is displaced from the center point P. As an example of the case where the foreign matter H exists at another position, if the foreign matter H exists at a position shifted in the + Y direction from the center point P, the end portion of the wafer W on the + Y direction side is heated by the wafer W. When descending with respect to the
他の位置に異物ＨがあるときのＴ１、Ｔ２、Ｌの例示については省略するが、どの方向にずれた位置に異物Ｈがあっても、Ｔ１、Ｔ２、Ｌについて夫々大小関係が生じることで、制御部３は異物Ｈの存在の判定を行うことができる。なお、この判定はＴ１、Ｔ２、Ｌのいずれか一つを用いて行ってもよい。また、Ｔ１、Ｔ２またはＬによって、中心点Ｐに対して異物Ｈがどの方向に存在するかを検出してもよい。
Although illustration of T1, T2, and L when there is a foreign object H at another position is omitted, no matter which direction the foreign object H is located in any direction, a magnitude relationship occurs with respect to T1, T2, and L, respectively. The
ところで、例えば熱板２１に所定の回数ウエハＷを載置したときに、時刻ｔ１２〜時刻ｔ２１におけるＬの大小関係が同じ、即ちウエハＷが同じように傾く場合には、異物Ｈは熱板２１上に固着しているものとして、熱板２１の清掃を促すためのアラームを出力するようにしてもよい。ウエハＷに付着してウエハＷの搬送と共に異物が熱板２１から除去される場合があるので、この判定を行うためにウエハＷを載置する上記の所定の回数は１回でもよいが、複数回であることが好ましい。
By the way, for example, when the wafer W is placed on the hot plate 21 a predetermined number of times, when the magnitude relationship of L from time t12 to time t21 is the same, that is, when the wafer W is tilted in the same way, the foreign matter H becomes
また、位置規制ピン１５の高さは所定の高さであるため、既述のように位置規制ピン１５にウエハＷが乗り上げた場合、ウエハＷは水平面に対して所定の角度となる可能性が高い。従って、時刻ｔ１２〜ｔ２１の離間距離Ｌは上記のようにばらつくと共に、夫々所定の範囲に収まる可能性が高い。そこで、そのように各離間距離ＬＡ〜ＬＤが所定の範囲に収まるようであれば、ＬＡ〜ＬＤは上記の位置規制ピン１５に乗り上げたものとみなし、それ以外の場合は異物Ｈに乗り上げたものとみなしてもよい。後述のフローでは、そのようにみなすことで、各判定を行う。
Further, since the height of the
続いて、正常な位置から比較的大きくずれて保持体２１から支持ピン１４に受け渡されたウエハＷの状態と、そのように受け渡しが行われたときに取得される離間距離Ｌの経時変化とを示す例について、図１５、１６を参照しながら説明する。例えば、図４〜図６で説明した例よりも＋Ｙ方向に大きくずれた位置にウエハＷを保持した保持体２１が位置し（時刻ｔ１、ｔ２）、昇降ピン１６が上昇し（時刻ｔ３）、ウエハＷが昇降ピン１６に支持され、保持体２１が熱板１２上から後退する。図１５はこのときのウエハＷと熱板１２とを示している。支持されたウエハＷが載置領域Ｒ１に重なる正常な位置から比較的大きくずれていることで、センサ２Ｃ、２Ｄによる検出が行われない。図６で説明したように支持されたウエハＷが載置領域Ｒ１に重なるように位置している場合、センサ２のすべてでウエハＷが検出される。従って、制御部３は、このように昇降ピン１６にウエハＷが支持されているときにウエハＷを検出不可のセンサ２が有るか否か判定することで、正常な位置からのウエハＷのずれの有無を検出することができる。
Subsequently, the state of the wafer W transferred from the
センサ２のうちウエハＷを検出不可となるセンサは、上記の正常な位置からのウエハＷのずれた方向に対応する。この正常な位置から＋Ｙ方向以外にウエハＷがずれた例を示すと、＋Ｘ方向にずれた場合はセンサ２Ａ、２Ｃが検出不可となり、−Ｋ方向にずれた場合はセンサ２Ｄが検出不可となる。従ってウエハＷを検出不可となるセンサから、ウエハＷがどの方向にずれて昇降ピン１６に支持されているかを検出することができる。
Among the
このように昇降ピン１６上でのウエハＷのずれの方向について検出されると、保持体２１が前進した後に昇降ピン１６が下降し、保持体２１に再度ウエハＷが受け渡される。そして、保持体２１は、昇降ピン１６に支持されていたときに検出されたウエハＷの位置ずれが解消される方向、即ちずれが検出された方向とは反対方向に所定量移動する。例えば、図１５で示したように＋Ｙ方向へウエハＷがずれていることが検出された場合、当該ウエハＷを受け取った保持体２１は、図１７に示すように＋Ｙ方向とは反対の−Ｙ方向に所定量移動する。なお、上記のように＋Ｘ方向へのずれが検出された場合には−Ｘ方向に、−Ｋ方向へのずれが検出された場合には、＋Ｋ方向に保持体２１が所定量移動する。保持体２１が所定量移動した後は、昇降ピン１６が再度上昇し、当該昇降ピン１６にウエハＷが支持される。保持体２１から昇降ピン１６にウエハＷを受け渡す場合について説明したが、昇降ピン１６から保持体２１にウエハＷを受け渡す場合も同様に、昇降ピン１６上でのウエハＷのずれ方向の検出及び位置補正を行うことができる。
When the direction of wafer W displacement on the lift pins 16 is detected in this way, the lift pins 16 are lowered after the holding
続いて、既述のように保持体２１から昇降ピン１６にウエハＷが受け渡されるときに、図１８、図１９に示すように昇降ピン１６のうちの１本の先端部が破損している場合に取得される離間距離Ｌの経時変化について、図２０のタイミングチャートを参照して説明する。図１８、図１９に示す例では、載置領域Ｒ１の中心点Ｐより−Ｙ方向側の昇降ピン１６が折れている。
保持体２１が熱板１２上に位置した後、昇降ピン１６が上昇する（時刻ｔ３）。昇降ピン１６が折れていることでウエハＷは昇降ピン１６に傾いて支持され、図１９に示すように、−Ｙ方向側の端部が本来の高さより低く、＋Ｙ方向側が本来の高さより高くなる。
Subsequently, as described above, when the wafer W is transferred from the holding
After the holding
然る後、保持体２１が後退して熱板２１上から退避した後も、ウエハＷはそのように傾いたままとされる。従って、図２０のタイミングチャートに示すように時刻ｔ３以降、各センサ２によりウエハＷが検出可能であるが、各離間距離Ｌにはばらつきが生じる。そのため、制御部３は、この離間距離Ｌのばらつきの有無に基づいて、昇降ピン１６の破損の有無を検出することができる。この昇降ピン１６の破損の検出は、保持体２１から昇降ピン１６へのウエハＷの受け渡し時に行うことに限られず、保持体２１にウエハＷを受け渡すために昇降ピン１６が当該ウエハＷを支持して上昇したときにも、同様に行うことができる。
Thereafter, even after the holding
続いて、図２１のフローを参照しながら、保持体２１と加熱モジュール１との間におけるウエハＷの受け渡しと、この受け渡し中に制御部３により行われる各判定とについて、順を追って説明する。先ず、ウエハＷを保持した保持体２１が、熱板１２の外方から熱板１２上に前進移動し（ステップＤ１）、昇降ピン１６が上昇し（ステップＤ２）、当該昇降ピン１６によりウエハＷが保持体２１から突き上げられて支持された後、保持体２１が後退する（ステップＤ３）。保持体２１が後退した後、センサ２により検出される離間距離ＬＡ〜ＬＤがすべて適正値であるか否かの判定が行われる（ステップＤ４）。離間距離ＬＡ〜ＬＤのうち適正値でないものが有る場合は、対処動作が行われる（ステップＤ５）。
Next, the transfer of the wafer W between the
図２２は、このステップＤ５の対処動作を示すフローである。このステップＤ５では、先ず昇降ピン１６上においてウエハＷが熱板２１の載置領域Ｒ１に対して位置ずれしているか否かの判定が行われる。具体的には、図１５、図１６に例示したような、センサ２のうちウエハＷを検出不可のものが１つまたは２つ有るか否か判定される（ステップＥ１）。ステップＥ１でセンサ２のすべてがウエハＷを検出しているか、３つ以上のセンサがウエハＷを検出不可である判定された場合、昇降ピン１６に異常が有るか否かが判定される。具体的には図１８〜図２０に例示したように、センサ２が全てウエハＷを検出しており、且つ離間距離Ｌ間にばらつき、即ち昇降ピン１６上のウエハＷに傾きが有るか否かの判定が行われる（ステップＥ２）。
FIG. 22 is a flowchart showing the handling operation of step D5. In this step D5, it is first determined whether or not the wafer W is displaced with respect to the mounting region R1 of the
ステップＥ２で昇降ピン１６に異常が無い、つまり離間距離Ｌ間にばらつきがないと判定された場合、センサ２に異常が有るものと決定される（ステップＥ３）。その後、加熱モジュール１の各部の動作が停止する（ステップＥ４）。なお、加熱モジュール１に取り残されたウエハＷは、例えば装置のユーザーによって搬出される。
If it is determined in step E2 that there is no abnormality in the lift pins 16, that is, there is no variation between the separation distances L, it is determined that there is an abnormality in the sensor 2 (step E3). Thereafter, the operation of each part of the
上記のステップＥ１でウエハＷが位置ずれしている判定された場合、ウエハＷを検出していないセンサ２から、載置領域Ｒ１に対するウエハＷのずれ方向が検出され、保持体２１が前進及び昇降ピン１６の下降による保持体２１へのウエハＷの受け渡し後、図１７で例示したように検出された位置ずれが解消される方向に保持体２１が所定量移動し、然る後、昇降ピン１６の上昇と、再度の昇降ピン１６上におけるウエハＷの支持と、保持体２１の後退とが順に行われる（ステップＥ５）。このステップＥ５が行われると対処動作Ｄ５が終了し、上記のステップＤ４が再度実行される。従って、上記のステップＥ５の保持体２１の所定量の移動がウエハＷの位置ずれを解消するために不十分である場合には、再度ステップＤ５に進み、当該ステップＥ５の保持体２１による位置補正が再度行われることになる。それによって、ウエハＷの位置ずれが解消される。
When it is determined in step E1 that the wafer W is displaced, the
ステップＥ２で昇降ピン１６に異常が有ると判定された場合、当該加熱モジュール１が異常なモジュールであるものとして決定される（ステップＥ６）。然る後、そのような昇降ピン１６により処理が続行可能か否かの判定が行われる。具体的には例えばＬＡ〜ＬＤの標準偏差が演算され、この標準偏差が基準値より大きいか否かが判定される（ステップＥ７）。処理続行は不可、即ち標準偏差が基準値より大きいと判定された場合、上記のステップＥ４が実施される。処理続行可能、即ち標準偏差が基準値以下であると判定された場合、対処動作Ｄ５が終了し、然る後、ステップＤ４が再度実施される。ただし、再度ステップＤ４が実施されるにあたり、ステップＥ７で異常なモジュールであることが決定されている場合には、離間距離ＬＡ〜ＬＤが適正値ではないと判定されてもステップＤ５には進まず、後述のステップＤ６に進む。
When it is determined in step E2 that the raising / lowering
ステップＤ４で離間距離ＬＡ〜ＬＤがすべて適正値であると判定された場合、昇降ピン１６が下降し（ステップＤ６）、図６、図１０、図１４などで説明したように離間距離Ｌが減少を開始する。そして、ウエハＷが熱板１２上に載置され、離間距離Ｌの値が一定となる。即ち、各センサ２Ａ〜２Ｄについて、離間距離ＬＡ〜ＬＤの減少開始時刻ｔ１１及び減少停止時刻ｔ１２が検出され、それによって時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの距離減少時間Ｔ１Ａ〜Ｔ１Ｄが取得される。さらに時刻ｔ１２以降の一定となったＬＡ〜ＬＤが取得される。そして、取得されたこれらの値について正常か否か、即ちＴ１Ａ＝Ｔ１Ｂ＝Ｔ１Ｃ＝Ｔ１Ｄ、且つ時刻ｔ１２以降でＬＡ＝ＬＢ＝ＬＣ＝ＬＤとなっているか否か判定される（ステップＤ７）。
When it is determined in step D4 that the separation distances LA to LD are all appropriate values, the elevating
ステップＤ７で取得されたＴ１及びＬが正常では無いと判定された場合、昇降ピン１６の下降中にウエハＷが位置ずれし、図７〜図１０で例示したようなウエハＷの位置規制ピン１５への乗り上げが起きたか否か判定される。より具体的にはＴ１Ａ〜Ｔ１Ｄに大小関係が有り、且つ時刻ｔ１２以降のＬＡ〜ＬＤに大小関係が有り、且つ離間距離ＬＡ〜ＬＤが夫々所定の値となっているか否か判定される（ステップＤ８）。
When it is determined that T1 and L acquired in step D7 are not normal, the wafer W is displaced while the elevating
ステップＤ８で位置規制ピン１５に乗り上げていないと判定された場合、図１１〜図１４で例示したウエハＷの異物Ｈが熱板１１上に存在しているか否か判定される。より具体的には、距離減少時間Ｔ１Ａ〜Ｔ１Ｄに大小関係が有り、且つ時刻ｔ１２以降の離間距離ＬＡ〜ＬＤに大小関係が有る状態となっているか否か判定される（ステップＤ９）。ステップＤ９で異物Ｈが存在しないと判定された場合は、センサ２に異常が有るものと決定され（ステップＤ１０）、熱板１２に載置されたウエハＷは異常な熱処理が行われたウエハＷとして決定される（ステップＤ１１）。ステップＤ８で位置規制ピン１５への乗り上げが起きたと判定された場合及びステップＤ９で異物Ｈが存在すると判定された場合も、上記のステップＤ１１が行われる。ステップＤ１１が行われた後は、後述のステップＤ１３が行われる。
If it is determined in step D8 that the
ステップＤ７にて、取得された各Ｔ１及びＬが正常であると判定された場合、熱板１２に載置されたウエハＷは正常な熱処理が行われたとして決定される（ステップＤ１２）。その後、昇降ピン１６が上昇して（ステップＤ１３）、ウエハＷは昇降ピン１６上に支持され、離間距離Ｌが上昇開始する。然る後、昇降ピン１６の上昇が停止し、離間距離Ｌの上昇が停止する。そして図６、図１０、図１４などで説明した離間距離Ｌの上昇停止時刻ｔ２２が検出される。
If it is determined in step D7 that the acquired T1 and L are normal, the wafer W placed on the
然る後、昇降ピン１６の上昇停止後、例えば時刻ｔ２２以降で離間距離ＬＡ〜ＬＤが全て適正値となっているか否かの判定が行われる（ステップＤ１４）。離間距離ＬＡ〜ＬＤのうち適正値では無いものがあると判定された場合、ステップＤ５と同様に、図２２で説明した対処動作が行われる（ステップＤ１５）。ただし、このステップＤ１５の対処動作ではステップＥ５が終了するか、ステップＥ７で処理続行可能と判定された場合は、ステップＤ４の代わりにステップＤ１４に進む。そして、ステップＤ１５の対処動作にてステップＥ６、Ｅ７を経てステップＤ１４に進んだ場合、当該ステップＤ１４では、離間距離ＬＡ〜ＬＤのうち適正値でないものがあっても離間距離ＬＡ〜ＬＤが適正値であるものと判定され、後段のステップＤ１６に進む。ところでステップＤ１５の対処動作中のステップＥ５は、後段のステップＤ１６で保持体２１が正常な位置でウエハＷを受け取るためのステップとなる。つまり、このステップＤ１５のステップＥでは、例えばウエハＷは正常な保持位置からずれた位置でウエハＷを保持し、ウエハＷの位置ずれを補正する。
Thereafter, after the raising and lowering of the lifting pins 16 is stopped, for example, it is determined whether or not the separation distances LA to LD are all appropriate values after time t22 (step D14). When it is determined that there is a separation distance LA to LD that is not an appropriate value, the coping operation described with reference to FIG. 22 is performed in the same manner as in step D5 (step D15). However, in the coping operation of step D15, if step E5 ends or if it is determined in step E7 that the process can be continued, the process proceeds to step D14 instead of step D4. When the countermeasure operation of step D15 proceeds to step D14 via steps E6 and E7, the separation distance LA to LD is an appropriate value in step D14 even if the separation distance LA to LD is not an appropriate value. Is determined, and the process proceeds to the subsequent step D16. By the way, Step E5 during the coping operation of Step D15 is a step for receiving the wafer W at the normal position of the holding
上記のステップＤ１４で、離間距離ＬＡ〜ＬＤがすべて適正値と判定された場合、保持体２１が熱板２１上に前進、昇降ピン１６の下降による保持体２１へのウエハＷの受け渡しが順に行われ、保持体２１により加熱モジュール１からウエハＷが搬出される（ステップＤ１６）。
When it is determined in step D14 that the separation distances LA to LD are all appropriate values, the holding
上記の加熱モジュール１及び保持体２１を含む塗布、現像装置によれば、ウエハＷの周縁部の互いに異なる位置に超音波を照射するセンサ２Ａ〜２Ｄが設けられ、超音波が照射される箇所とセンサ２Ａ〜２Ｄとの離間距離ＬＡ〜ＬＤを取得している。そして、この離間距離ＬＡ〜ＬＤの経時的な推移のデータに基づいて、熱板１２の載置領域Ｒ１及び当該載置領域Ｒ１の上方におけるウエハＷの状態が正常であるか否か検出されるため、これら状態が正常か否かを精度高く検出することができる。
According to the coating and developing apparatus including the
そして、載置領域Ｒ１における載置状態が異常であるウエハＷについては、異常に加熱処理されたウエハＷとして識別されるため、加熱処理後に異常の有無の検査を行う手間が省けることにより、スループットの向上を図ることができる。また、そのような異常なウエハＷについても、昇降ピン１６に異常が無い場合には、保持体２１に受け渡されて加熱モジュール１から搬出される。従って、ユーザーが装置に立ち入ってこの異常なウエハＷを回収する手間を省くことができる。また、カメラなどの比較的高価な機器を用いずに、熱板２１の上方におけるウエハＷの状態を監視することができるので、装置の製造コストを抑えることができるという利点もある。
Since the wafer W in which the mounting state in the mounting region R1 is abnormal is identified as an abnormally heat-treated wafer W, throughput can be reduced by eliminating the trouble of inspecting whether there is an abnormality after the heat processing. Can be improved. Further, even when such an abnormal wafer W is not abnormal, the lifting pins 16 are transferred to the holding
また、この加熱モジュール１では、熱板１２に載置される前のウエハＷが昇降ピン１６に支持された状態で、ウエハＷの位置が正常であるか否かが離間距離ＬＡ〜ＬＤに基づいて検出される。そして、正常では無いと判定されたときには、保持体２１による位置の補正が行われる。従って、ウエハＷに異常な処理が行われることを抑え、歩留りの低下を抑えることができる。さらに、加熱処理後のウエハＷが昇降ピン１６に支持された状態で、ウエハＷの位置が正常であるか否かが離間距離ＬＡ〜ＬＤに基づいて検出され、正常では無いと判定されたときには、保持体２１による位置の補正が行われ、結果として保持体２１の正常な位置にウエハＷが受け渡される。従って、このウエハＷを受け取った保持体２１から当該ウエハＷが落下して破損することを防ぐことができる。
In the
ところで、このように昇降ピン上１６におけるウエハＷの位置を補正可能とすることによって、当該ウエハＷの位置について異常が検出されても、この異常による装置の動作を停止させる必要は無い。従って、加熱モジュール１の動作が停止する頻度を抑えることができるので、装置のスループットの低下を防ぐことができる。
By making it possible to correct the position of the wafer W on the upper and
さらに、離間距離ＬＡ〜ＬＤに基づいて昇降ピン１６の破損の有無が判定され、破損していると判定された場合でも、支持されるウエハＷの傾きの程度が比較的小さい場合には加熱モジュール１での処理が続行される。従って、不要に装置の動作を停止することが抑えられるので、このような点からも装置のスループットの低下を防ぐことができる。
Further, whether or not the lifting pins 16 are damaged is determined based on the separation distances LA to LD, and if the degree of inclination of the wafer W to be supported is relatively small even when it is determined that the
センサ２Ａ〜２Ｄは熱板２１に埋設するように設けることに限られず、熱板２１の表面上に設けてもよい。その場合、センサ２の高さが比較的大きいと、センサ２の上下で温度分布が形成されやすくなることで、ウエハＷから見て、センサ２とその周囲とでは温度差が形成され、ウエハＷの加熱時に当該ウエハＷの面内温度がばらつくおそれがある。従って、図２３に示すようにセンサ２Ａ〜２Ｄ（図中では２Ａ、２Ｂのみ表示）は薄膜状に構成することが好ましい。この薄膜状に構成されたセンサ２Ａ〜２Ｄの高さＨは、例えば０．０５ｍｍ以下である。
The
また、一つのセンサ２から取得される信号に基づいて離間距離Ｌを求めることには限られない。例えば、互いに近接して一のセンサ２、他のセンサ２を配置する。つまり一のセンサ２と他のセンサ２とは、ウエハＷの互いに近接した位置に、夫々超音波を照射する。互いに同じ高さのウエハＷを計測したときに、一のセンサ２の出力信号電圧と他のセンサ２の出力信号電圧とは互いに異なるように設定しておく。そして、一のセンサの出力信号電圧と他のセンサの出力信号電圧との差分値を、離間距離Ｌとして監視する。このようにすることで、センサ２の温度ドリフトが相殺され、離間距離Ｌの検出精度を向上させることができる。
Further, the separation distance L is not limited to being obtained based on a signal acquired from one
また、センサを設ける位置、数としては上記の例に限られない。図２４では、上記のセンサ２Ａ〜２Ｄに加えて、熱板１２の中心部にセンサ２Ａ〜２Ｄと同様に構成されたセンサ２Ｅを設けた例を示している。以下、センサ２Ｅにより取得されるセンサ２ＥとウエハＷとの離間距離をＬＥとする。このようにセンサ２Ａ〜２Ｅを設けることで、熱板１２で加熱されるウエハＷに反りが生じた場合、反りの方向と反りの程度とを検出することができる。反りの方向の検出とは、ウエハＷの周縁部が中心部より高い上反りとなるか、ウエハＷの中心部が周縁部より高い下反りとなるかを検出することである。反りの程度の検出とは、ウエハＷの中心部と周縁部との高さの差を検出することである。
Further, the position and number of sensors are not limited to the above example. FIG. 24 shows an example in which a
図２５は上反りとなったウエハＷの側面図であり、図２６はそのようにウエハＷが反ったことにより取得されるＬＡ〜ＬＥのタイミングチャートである。また、図２７は、下反りとなったウエハＷの側面図であり、図２８はそのようにウエハＷが反ったことにより取得されるＬＡ〜ＬＥのタイミングチャートである。このように反りの検出は、半導体製品となるウエハＷについて行ってもよいし、モジュールでの各種の処理条件を設定するために加熱処理される半導体製品とはならない試験用のウエハＷについて行ってもよい。 FIG. 25 is a side view of the wafer W that has warped, and FIG. 26 is a timing chart of LA to LE acquired when the wafer W is warped. FIG. 27 is a side view of the wafer W that has been warped downward, and FIG. 28 is a timing chart of LA to LE acquired by the wafer W being warped as described above. Thus, the detection of warpage may be performed on the wafer W to be a semiconductor product, or may be performed on a test wafer W that does not become a semiconductor product to be heat-treated in order to set various processing conditions in the module. Also good.
（第２の実施形態）
続いて、第２の実施形態に係る加熱モジュール４について、加熱モジュール１との差異点を中心に説明する。図２９、図３０は夫々加熱モジュール４の縦断側面図、平面図である。加熱モジュール４は、ウエハＷが載置される水平な冷却板４１を備えている。図中Ｒ２は、冷却板４１におけるウエハＷの載置領域である。冷却板４１は図示しない冷媒の流路を備え、当該冷却板４１に載置されたウエハＷは所定の温度に調整される。熱板２１による加熱後のウエハＷが冷却板４１に載置されると、当該ウエハＷは冷却される。シャッタ２３が開放された状態で、駆動機構４２により冷却板４１は熱板２１上と熱板２１の外側の待機位置（図２９及び図３０に示す位置）との間で、既述の±Ｘ方向に移動する。
(Second Embodiment)
Next, the
図中４３は昇降ピンであり、熱板２１の外側に設けられ、昇降機構４０により昇降する。待機位置における冷却板４１と保持体２１との間では、昇降ピン４３によりウエハＷが受け渡される。熱板２１上に移動した冷却板４１と熱板２１との間では上記の昇降ピン１６によりウエハＷが受け渡される。図中４４は冷却板４１の表面に設けられる支持ピンであり、熱板２１上の支持ピン１４と同様に構成されており、冷却板４１上に載置されたウエハＷは、支持ピン４４上に支持される。
In the figure,
また、冷却板４１には、超音波センサ２Ａ〜２Ｄと同様の構成の超音波センサ５Ａ〜５Ｄが埋設されており、アンプ２２を介して制御部３に接続されている。例えばセンサ５（５Ａ〜５Ｄ）もセンサ２と同様にモジュール４の稼働中は常時、上方へ超音波を照射し続け、制御部３は超音波センサ５Ａ〜５ＤとウエハＷとの離間距離（ＲＡ〜ＲＤとする）を取得し続ける。第１の実施形態で述べた離間距離ＬＡ〜ＬＤに基づく載置領域Ｒ１に対するウエハＷの位置ずれ方向の検出、当該位置ずれの補正及び熱板２１上の異物Ｈの検出と同様に、制御部３は載置領域Ｒ２上対するウエハＷの位置ずれの方向の検出、当該位置ずれの補正及び冷却板４１上の異物Ｈの検出を、取得された離間距離ＲＡ〜ＲＤに基づいて行うことができる。また、熱板２１に置かれる前であればウエハＷに形成されたレジスト膜は変質しないため、冷却板４１に置かれたウエハＷについて位置ずれが検出される場合は、昇降ピン４３により冷却板４１から当該ウエハＷを上昇させて、保持体２１により当該ウエハＷの位置の補正を行うことができる。
In addition,
加熱モジュール４の動作について、加熱モジュール１の動作との差異点を中心に説明する。ウエハＷを保持した保持体２１が前進し、待機位置に位置する冷却板４１上に位置する。然る後、図２１のステップＤ２〜Ｄ６と同様のステップが行われる。ただし、昇降ピン１６の動作は昇降ピン４３の動作であるものとし、ウエハＷが載置される対象は熱板２１の代わりに冷却板４１であるものとして読み替える。従って、例えば昇降ピン４３上において冷却板４１の載置領域Ｒ２に対してウエハＷが位置ずれしている場合には、この位置ずれが解消されるように保持体２１による位置補正が行われる。ステップＤ６の昇降ピン４３が下降してウエハＷが冷却板４１に載置されてからのフローを図３１に示している。以下、この図３１も参照しながら説明する。
The operation of the
ステップＤ６実行中に離間距離ＲＡ〜ＲＤが取得され、第１の実施形態の離間距離ＬＡ〜ＬＤと同様、この離間距離ＲＡ〜ＲＤに基づいて距離減少時間Ｔ１Ａ〜Ｔ１Ｄが算出される。また、時刻ｔ１２以降の離間距離ＲＡ〜ＲＤが取得される。これら取得された各値が正常か否か、具体的には例えばＴ１Ａ＝Ｔ１Ｂ＝Ｔ１Ｃ＝Ｔ１Ｄ、且つ時刻ｔ１２以降でＬＡ＝ＬＢ＝ＬＣ＝ＬＤとなっているか否かが判定される（ステップＦ１）。正常ではないと判定された場合、冷却板４１上に異物Ｈが存在するか否か判定される。具体的には、Ｔ１Ａ〜Ｔ１Ｄに大小関係が有り、且つ時刻ｔ１２以降のＲＡ〜ＲＤに大小関係が有るか否かが判定される（ステップＦ２）。異物Ｈが無いと判定された場合、昇降ピン４３の下降中に搬送領域Ｒ２に対してウエハＷが位置ずれしたか否かが判定される。具体的には例えば、センサ５のうち１つまたは２つのセンサがウエハＷを検出していない状態であるか否かが判定される（ステップＦ３）。位置ずれしていないと判定された場合、センサ５に異常があるものと決定され（ステップＦ４）、加熱モジュール４の動作が停止する（ステップＦ５）
Separation distances RA to RD are acquired during execution of step D6, and distance reduction times T1A to T1D are calculated based on the separation distances RA to RD, similarly to the separation distances LA to LD of the first embodiment. Further, the separation distances RA to RD after time t12 are acquired. It is determined whether or not each of these acquired values is normal, specifically, for example, T1A = T1B = T1C = T1D and whether LA = LB = LC = LD after time t12 (step F1). ). When it is determined that it is not normal, it is determined whether or not the foreign matter H exists on the
ステップＦ１で取得された各値が正常であると判定された場合は、冷却板４１に載置されたウエハＷには正常な冷却処理が行われたと決定され（ステップＦ６）、冷却板４１が熱板２１上へ前進する（ステップＦ７）。上記のステップＦ２で異物Ｈが存在すると判定された場合は、冷却板４１に載置されたウエハＷについて異常な冷却処理が行われたものとして決定され（ステップＦ８）、然る後、上記のステップＦ７が行われる。ステップＦ３でウエハＷが位置ずれしたと判定された場合、昇降ピン４３が上昇してウエハＷを突き上げ（ステップＦ９）、対処動作が行われる（ステップＦ１０）。 When it is determined that each value acquired in step F1 is normal, it is determined that normal cooling processing has been performed on the wafer W placed on the cooling plate 41 (step F6). Advance to the hot platen 21 (step F7). If it is determined in step F2 that the foreign matter H is present, it is determined that an abnormal cooling process has been performed on the wafer W placed on the cooling plate 41 (step F8). Step F7 is performed. If it is determined in step F3 that the wafer W has been displaced, the lift pins 43 are raised to push the wafer W (step F9), and a handling operation is performed (step F10).
このステップＦ１０の対処動作は図２１、図２２で説明したステップＥ群からなる対処動作Ｄ５と同様であるが、昇降ピン１６の動作は昇降ピン４３の動作であるものとし、ウエハＷが載置される対象は熱板２１の代わりに冷却板４１であるものとして読み替える。ステップＦ１０の対処動作でステップＥ５のウエハＷの位置補正が行われるか、ステップＥ７で処理続行可能の判定が行われた場合は、昇降ピン４３が下降してウエハＷが再度、冷却板４１上に載置される（ステップＦ１１）。以降はステップＦ７の動作が行われて、ウエハＷが載置された冷却板４１が前進する。
The handling operation in step F10 is the same as the handling operation D5 including the group of steps E described in FIGS. 21 and 22. However, the operation of the lift pins 16 is the operation of the lift pins 43, and the wafer W is placed. The subject to be read is replaced with the cooling
ステップＦ７が行われてウエハＷが載置された冷却板４１が熱板２１上に移動すると、昇降ピン１６が上昇してウエハＷを支持し（ステップＦ１２）、冷却板４１が待機位置へ後退する（ステップＦ１３）。然る後、第１の実施形態のステップＤ４と同様に、センサ２で検出される離間距離ＬＡ〜ＬＤが適正値であるか否か判定され（ステップＦ１４）、適正値であると判定された場合、昇降ピン１６が下降し、ウエハＷが熱板２１に載置される（ステップＦ１５）。以降、第１の実施形態で説明したステップＤ７〜Ｄ１２の動作が行われ、正常にウエハＷが載置されて、熱処理が行われたか否かが判定される。
When step F7 is performed and the cooling
ステップＦ１４で適正値では無いとは安定された場合、対処動作が行われる（ステップＦ１６）。このステップＦ１６の対処動作は、図２２のステップＥ群からなる対処動作と概ね同様に行われるが、差異点としてステップＥ１で位置ずれがあると判定された場合は、冷却板４１が熱板２１上に移動し、昇降ピン１６が下降した後、冷却板４１が待機位置へ戻る。その後、既述のステップＦ９以降の各ステップが行われる。
When it is stabilized that the value is not an appropriate value in step F14, a coping operation is performed (step F16). The coping operation in step F16 is performed in substantially the same manner as the coping operation consisting of the group of steps E in FIG. 22. However, when it is determined that there is a positional deviation in step E1 as a difference, the cooling
続いて、熱板２１から冷却板４１を介してウエハＷを保持体２１に受け渡すときの動作を、図３２のフローを参照しながら説明する。先ず、昇降ピン１６が上昇してウエハＷを突き上げ（ステップＧ１）、第１の実施形態のステップＤ１４と同様に、取得された離間距離ＬＡ〜ＬＤが適正値であるか否か判定される（ステップＧ２）。適正値では無いと判定された場合、対処動作が行われる（ステップＧ３）。このステップＧ３の対処動作は、図２２で説明したステップＤ５の対処動作と異なり、ステップＥ１が行われず、ステップＥ２の昇降ピン１６の異常の判定から開始される。このような差異点を除いてステップＧ３の対処動作は、ステップＤ５の対処動作と同様のステップＥ群により構成され、ステップＥ７で処理が続行可能と判定された場合は、後述のステップＧ４に進む。
Next, an operation when the wafer W is transferred from the
ステップＧ２で離間距離ＬＡ〜ＬＤが適正値であると判定された場合、冷却板４１が熱板２１上に移動し（ステップＧ４）、昇降ピン１６が下降して冷却板４１にウエハＷが受け渡される（ステップＧ５）。そして冷却板４１が待機位置に後退移動し（ステップＧ６）、昇降ピン４３が上昇してウエハＷを突き上げ、離間距離ＲＡ〜ＲＤが上昇後する（ステップＧ７）。その後、昇降ピン４３の上昇が停止し、離間距離ＲＡ〜ＲＤが一定となる。
When it is determined in Step G2 that the separation distances LA to LD are appropriate values, the cooling
そして、第１の実施形態のステップＤ１４と同様に離間距離ＲＡ〜ＲＤが適正値か否か判定される（ステップＧ８）。適正では無いと判定された場合は対処動作が行われる（ステップＧ９）。このステップＧ９の対処動作は、図２２のステップＥ群からなる対処動作と同様である。そして、このステップＧ９の対処動作で、ステップＥ５のウエハＷの位置補正が行われるか、ステップＥ７で処理続行可能の判定が行われた場合は、後述のステップＧ１０が行われる。ステップＧ８にて、各値が適正と判定された場合は、保持体２１のウエハＷ下方への前進、昇降ピン１６の下降による保持体２１へのウエハＷの受け渡し、保持体２１による加熱モジュール４からのウエハＷの搬出が行われる（ステップＧ１０）。
Then, similarly to step D14 of the first embodiment, it is determined whether or not the separation distances RA to RD are appropriate values (step G8). If it is determined that it is not appropriate, a coping operation is performed (step G9). The coping operation at step G9 is the same as the coping operation consisting of the group of steps E in FIG. If the wafer W position correction in step E5 is performed in the handling operation in step G9 or it is determined in step E7 that processing can be continued, step G10 described later is performed. When it is determined in step G8 that each value is appropriate, the holding
この第２の実施形態についても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、第２の実施形態では、保持体２１の移動路（ウエハＷの搬送領域）から見て、比較的大きく離れた位置に熱板２１が設けられる。そのため上記の移動路にカメラなどを設けても、熱板２１の表面状態を観察することが難しいため、既述したように超音波センサ２でウエハＷの状態を検出することが特に有効である。
Also in the second embodiment, the same effect as in the first embodiment can be obtained. In the second embodiment, the
ところで、図３３、図３４に示すように昇降ピン４３が下降して冷却板４１の載置領域Ｒ２に向けてウエハＷが下降中、昇降ピン４３上のウエハＷの位置が−Ｘ方向にずれて、センサ５Ｂ、５ＤがウエハＷを検出不可になるとする。このように５Ｂ、５ＤのウエハＷが検出不可になったときは、そのようにウエハＷの−Ｘ方向への位置ずれが起きたものと判定し、例えば昇降ピン４３の下降に並行して、冷却板４１を−Ｘ方向に移動させる。そして、センサ５Ａ〜５Ｄの全てによりウエハＷが検出可能な位置で冷却板４１を静止させ、図３５に示すようにウエハＷが載置領域Ｒ２に載置されるようにしてもよい。センサ５Ｂ、５Ｄの代わりに５Ａ、５ＣがウエハＷを検出不可になった場合は、−Ｘ方向の位置ずれの代わりに＋Ｘ方向の位置ずれが起きたものと判定し、冷却板４１は＋Ｘ方向に移動させる。また、そのように冷却板４１の位置補正を行うにあたり、昇降ピン４３の下降と並行して冷却板４１の移動を行うことには限られず、位置ずれが起きたと判定されたら昇降ピン４３の下降を停止させ、この停止中に冷却板４１の位置補正を行うようにしてもよい。
By the way, as shown in FIGS. 33 and 34, when the elevating
（第３の実施形態）
第３の実施形態では、図３６、図３７に示すように保持体２１に超音波センサ２、５と同様に構成される超音波センサ６（６Ａ〜６Ｄ）が設けられている。センサ６Ａ〜６Ｄは、保持体２１の内周側面に既述のセンサ２、５と同様にマトリクス状に配置され、上方に超音波を照射する。この保持体２１が、上昇した加熱モジュール１の昇降ピン１６に支持されるウエハＷを受け取るときの動作について説明する。先ず、保持体２１が熱板２１の外方から熱板２１上へ前進し、当該ウエハＷの下方に位置する。このときセンサ６Ａ〜６ＤのうちウエハＷを検出できないセンサがある場合には、その検出できないセンサに応じた方向に保持体２１が所定量移動され、ウエハＷに対する保持体２１の位置が補正される。所定量の移動後、依然としてウエハＷを検出できないセンサがある場合は、そのセンサに応じた方向にさらに所定量、保持体２１が移動される。
(Third embodiment)
In 3rd Embodiment, as shown to FIG. 36, FIG. 37, the ultrasonic sensor 6 (6A-6D) comprised similarly to the
図３６、図３７ではセンサ６Ａ、６ＢによりウエハＷが検出できない状態を示しており、図３８、図３９では、図３２、３３の状態から＋Ｘ方向に保持体２１を移動させてウエハＷに対する位置を補正した例を示している。図４０のタイミングチャートは、そのように補正を行ったときに取得されるウエハＷとセンサ６Ａ〜６Ｄとの離間距離（ＭＡ〜ＭＤとしている）の経時変化を示している。チャート中の時刻ｔ３１は、保持体２１が図３６、３７の位置にある状態、時刻ｔ３２は保持体２１が図３８、３９の位置に移動した状態を示している。
36 and 37 show a state in which the wafer W cannot be detected by the
全てのセンサ６によりウエハＷが検出可能になると、保持体２１が上昇し（時刻ｔ３３）、離間距離ＭＡ〜ＭＤは減少する。そして保持体２１によりウエハＷが保持されると、離間距離ＭＡ〜ＭＤは一定となる（時刻ｔ３４）。その後、保持体２１は、加熱モジュール１の後段のモジュールに移動し、例えばそのモジュールの昇降ピンにより、保持されたウエハＷが保持体２１から突き上げられて離間距離ＭＡ〜ＭＤが上昇し（時刻ｔ３５）、昇降ピンが上昇しきると離間距離ＭＡ〜ＭＤの上昇が停止する（時刻ｔ３６）。然る後、後段のモジュールから保持体２１が後退して退避し、各センサ６はウエハＷを検出不可となる。
When the wafer W can be detected by all the sensors 6, the holding
この第３の実施形態によれば、保持体２１が異常な位置でウエハＷを受け取ることを防ぐことができるため、保持体２１によるウエハＷの搬送中、当該保持体２１からのウエハＷの落下を防ぐことができる。従って、この落下によるウエハＷの破損や、落下したウエハＷを回収するために装置を停止する事態になることを防ぐことができる。
According to the third embodiment, since the holding
上記の加熱モジュール４が適用される塗布、現像装置の一例を図４１〜図４３を用いて例示する。ただし、加熱モジュール４の代わりに加熱モジュール１が適用されてもよい。図４１、４２、４３は夫々当該塗布、現像装置７の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置７は、キャリアブロックＫ１と、処理ブロックＫ２と、インターフェイスブロックＫ３と、を直線状に接続して構成されている。インターフェイスブロックＫ３に前記露光装置Ｋ４が接続されている。以降の説明ではブロックＫ１〜Ｋ３の配列方向を前後方向とする。キャリアブロックＫ１は、キャリアＣを塗布、現像装置１内に対して搬入出し、キャリアＣの載置台７１と、開閉部７２と、開閉部７２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための移載機構７３とを備えている。
An example of a coating and developing apparatus to which the
処理ブロックＫ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＬ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハＷに下層側の反射防止膜を形成する処理を「ＢＣＴ」、ウエハＷにレジスト膜を形成する処理を「ＣＯＴ」、露光後のウエハＷにレジストパターンを形成するための処理を「ＤＥＶ」と夫々表現する場合がある。この例では、図４２に示すように下からＢＣＴ層、ＣＯＴ層、ＤＥＶ層が２層ずつ積み上げられている。同じ単位ブロックにおいて互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。 The processing block K2 is configured by stacking first to sixth unit blocks L1 to E6 for performing liquid processing on the wafer W in order from the bottom. For convenience of explanation, “BCT” is a process for forming a lower antireflection film on the wafer W, “COT” is a process for forming a resist film on the wafer W, and a process for forming a resist pattern on the exposed wafer W is performed. Sometimes expressed as “DEV”. In this example, as shown in FIG. 42, two BCT layers, COT layers, and DEV layers are stacked from the bottom. The wafer W is transferred and processed in parallel in the same unit block.
ここでは単位ブロックのうち代表してＣＯＴ層Ｌ３を、図４１を参照しながら説明する。キャリアブロックＫ１からインターフェイスブロックＫ３へ向かう搬送領域７４の左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置され、他方側には液処理モジュールであるレジスト塗布モジュール８１、保護膜形成モジュール８２が前後方向に並べて設けられている。レジスト塗布モジュール８１はウエハＷの表面にレジストを供給して、レジスト膜を形成する。保護膜形成モジュール８２は、レジスト膜上に所定の処理液を供給し、当該レジスト膜を保護する保護膜を形成する。棚ユニットＵは、上記の加熱モジュール４を備えている。前記搬送領域７４には、ウエハＷの搬送機構Ｍ３が設けられており、この搬送機構Ｍ３が上記の保持体２１を備えている。
Here, as a representative of the unit blocks, the COT layer L3 will be described with reference to FIG. A plurality of shelf units U are arranged in the front-rear direction on the left and right sides of the
ＣＯＴ層Ｌ４はＣＯＴ層Ｌ３と同様に構成されており、レジスト塗布モジュールとして、２Ａの代わりに２Ｂが設けられている。他の単位ブロックＬ１、Ｌ２、Ｌ５及びＬ６は、ウエハＷに供給する薬液が異なることを除き、単位ブロックＬ３、Ｌ４と同様に構成される。単位ブロックＬ１、Ｌ２は、レジスト塗布モジュール８１、８２の代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックＬ５、Ｌ６は、現像モジュールを備える。図４３では各単位ブロックＬ１〜Ｌ６の搬送機構はＭ１〜Ｍ６として示している。
The COT layer L4 is configured in the same manner as the COT layer L3, and 2B is provided as a resist coating module instead of 2A. The other unit blocks L1, L2, L5 and L6 are configured in the same manner as the unit blocks L3 and L4 except that the chemicals supplied to the wafer W are different. The unit blocks L1 and L2 include an antireflection film forming module instead of the resist
処理ブロックＫ２におけるキャリアブロックＫ１側には、各単位ブロックＬ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構である受け渡しアーム７５とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＬ１〜Ｌ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＬ１〜Ｌ６の各搬送機構Ｍ１〜Ｍ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュール、及びウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが含まれている。説明を簡素化するために、前記疎水化処理モジュール、温調モジュール、前記バッファモジュールについての図示は省略している。
On the carrier block K1 side in the processing block K2, a tower T1 that extends vertically across the unit blocks L1 to E6 and a
インターフェイスブロックＫ３は、単位ブロックＬ１〜Ｌ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えており、タワーＴ２とタワーＴ３に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム７６と、タワーＴ２とタワーＴ４に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な受け渡し機構であるインターフェイスアーム７７と、タワーＴ２と露光装置Ｋ４の間でウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム７８が設けられている。
The interface block K3 includes towers T2, T3, and T4 extending up and down across the unit blocks L1 to L6, and is a transfer mechanism that can be moved up and down to transfer the wafer W to and from the tower T2 and the tower T3. An
タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここでは、バッファモジュール及び温調モジュールの図示は省略する。この塗布、現像装置１においては、ウエハＷが載置される場所をモジュールと記載する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にも夫々モジュールが設けられているが、ここでは説明を省略する。
The tower T2 includes a delivery module TRS, a buffer module for storing and retaining a plurality of wafers W before exposure processing, a buffer module for storing a plurality of wafers W after exposure processing, and a temperature for adjusting the temperature of the wafers W. Although the adjustment module and the like are stacked on each other, illustration of the buffer module and the temperature adjustment module is omitted here. In the coating and developing
この塗布、現像装置７及び露光装置Ｋ４からなるウエハＷの搬送経路について説明する。ウエハＷは、キャリアＣから移載機構７３により、処理ブロックＫ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ０からウエハＷは、単位ブロックＬ１、Ｌ２に振り分けられて搬送される。例えばウエハＷを単位ブロックＬ１に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＬ１に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１（搬送アームＦ１によりウエハＷの受け渡しが可能な受け渡しモジュール）に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。またウエハＷを単位ブロックＬ２に受け渡す場合には、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳのうち、単位ブロックＬ２に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ２に対して、前記ＴＲＳ０からウエハＷが受け渡される。これらのウエハＷの受け渡しは、受け渡しアーム７５により行われる。
The conveyance path of the wafer W composed of the coating / developing
このように振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）→反射防止膜形成モジュール→加熱モジュール４→ＴＲＳ１（ＴＲＳ２）の順に搬送され、続いて受け渡しアーム７５により単位ブロックＬ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３と、単位ブロックＬ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ４とに振り分けられる。
The wafer W thus distributed is transported in the order of TRS1 (TRS2) → antireflection film forming module →
このようにＴＲＳ３、ＴＲＳ４に振り分けられたウエハＷは、ＴＲＳ３（ＴＲＳ４）→レジスト塗布モジュール８１→加熱モジュール４→保護膜形成モジュール８２→加熱モジュール４→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳの順で搬送される。然る後、このウエハＷは、インターフェイスアーム７６、７８により、タワーＴ３を介して露光装置Ｋ４へ搬入される。露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム７７によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＬ５、Ｌ６に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５、ＴＲＳ６に夫々搬送される。然る後、加熱モジュール４→現像モジュール→加熱モジュール４→受け渡しモジュールＴＲＳに搬送された後、移載機構７３を介してキャリアＣに戻される。
The wafers W thus distributed to TRS3 and TRS4 are transported in the order of TRS3 (TRS4) → resist
既述の各実施形態で示した例は、互いに組み合わせることができる。また、加熱モジュール及び保持体に超音波センサを設け、ウエハＷの位置を監視する例を説明したが、設ける箇所はそれらに限られない。例えば、ウエハＷに各種の液処理を行うためのレジスト塗布モジュール８１や保護膜形成モジュール８２に超音波センサを設けてウエハＷの位置を監視してもよい。また、モジュール間でウエハＷを受け渡すために、当該ウエハＷが仮置きされる上記の受け渡しモジュールＴＲＳに超音波センサを設けてウエハＷの位置を監視してもよい。また、本発明は、上記の塗布、現像装置に適用することに限られず、ウエハＷの搬送機構と、絶縁膜形成用の薬液や、洗浄液などをウエハＷに供給する液処理モジュールとを備えた基板処理装置に適用してもよいし、ウエハＷの搬送機構とウエハＷにドライエッチングを行うモジュールとを備えた基板処理装置に適用してもよいし、ウエハＷの搬送機構とＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)やＣＶＤ(Chemical Vapor deposition)を行う成膜モジュールとを備えた基板処理装置に適用してもよい。
また、昇降ピンに支持されたウエハＷを熱板１３に載置するにあたり、昇降ピンは昇降せずに熱板１２を昇降機構により上昇させてウエハＷを熱板１２に載置し、このときの離間距離Ｌに基づいてウエハＷの載置状態の異常を判定してもよい。
The examples shown in the above-described embodiments can be combined with each other. Moreover, although the example which provided an ultrasonic sensor in a heating module and a holding body and monitored the position of the wafer W was demonstrated, the location to provide is not restricted to them. For example, the position of the wafer W may be monitored by providing an ultrasonic sensor in the resist
Further, when placing the wafer W supported by the lift pins on the
Ｗ ウエハ
ＬＡ〜ＬＤ 離間距離
Ｒ１ 載置領域
１ 加熱モジュール
１２ 熱板
１４ 支持ピン
１５ 位置規制ピン
１６ 昇降ピン
２Ａ〜２Ｄ 超音波センサ
２１ 保持体
３ 制御部
W Wafers LA to LD Separation distance
Claims (17)
前記基板が載置される載置部と、
前記載置部に複数設けられ、前記基板の互いに異なる箇所に各々超音波を照射して当該箇所との離間距離の推移データを各々取得するための超音波センサと、
前記離間距離の推移データに基づいて、前記載置部上における前記基板の状態が正常であるか否かを判定する判定部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus having a substrate transfer mechanism for transferring a substrate,
A placement section on which the substrate is placed;
A plurality of ultrasonic sensors for obtaining the transition data of the separation distance from each of the substrates by irradiating ultrasonic waves to different portions of the substrate, respectively,
A determination unit that determines whether or not the state of the substrate on the placement unit is normal based on the transition data of the separation distance;
A substrate processing apparatus comprising:
当該モジュールは、基板を支持すると共に昇降して前記基板搬送機構に対して基板を受け渡す昇降部材を備え、
前記判定部により判定される前記基板の状態は、前記昇降部材に支持された前記基板の状態であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。 The above-mentioned mounting part is composed of modules,
The module includes a lifting member that supports the substrate and moves up and down to deliver the substrate to the substrate transport mechanism.
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein the state of the substrate determined by the determination unit is a state of the substrate supported by the elevating member.
前記複数の超音波センサは、前記基板の状態として前記加熱された基板の反りを検出するために、基板の中心部と、周縁部とに各々超音波を照射するように設けられることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置。 The mounting portion is configured by a module including the hot plate that heats the mounted substrate.
The plurality of ultrasonic sensors are provided so as to irradiate ultrasonic waves to a central portion and a peripheral portion of the substrate, respectively, in order to detect warpage of the heated substrate as the state of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記基板を当該基板の載置部に載置する工程と、
前記載置部に複数設けられる超音波センサにより、前記基板の互いに異なる箇所に超音波を連続的に照射して、当該箇所との離間距離の推移データを各々取得する工程と、
前記離間距離の推移データに基づいて、前記載置部上における前記基板の状態が正常であるか否かを判定する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。 In a substrate processing apparatus having a substrate transfer mechanism for transferring a substrate,
Placing the substrate on a placement portion of the substrate;
A step of continuously irradiating ultrasonic waves to different locations of the substrate by a plurality of ultrasonic sensors provided in the mounting portion, and obtaining transition data of a separation distance from the locations,
A step of determining whether or not the state of the substrate on the placement unit is normal based on the transition data of the separation distance;
A substrate processing method comprising:
当該モジュールに設けられ、前記基板搬送機構に対して基板を受け渡すために昇降する昇降部材により基板を支持する工程を含み、
前記基板の状態が正常であるか否かを判定する工程は、前記昇降部材に支持された前記基板の状態が正常であるか否かを判定する工程を含むことを特徴とする請求項９または１０記載の基板処理方法。 The placement unit is configured by a module that transports a substrate by the substrate transport mechanism.
A step of supporting the substrate by an elevating member provided in the module and elevating and lowering to deliver the substrate to the substrate transport mechanism;
The step of determining whether or not the state of the substrate is normal includes the step of determining whether or not the state of the substrate supported by the elevating member is normal. 10. The substrate processing method according to 10.
前記基板が前記載置部に相対的に昇降するときに取得される前記離間距離のデータに基づいて、前記載置部に載置された基板の状態が正常であるか否かを判定する工程を含むことを特徴とする請求項９ないし１３のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The step of determining whether or not the state of the substrate is normal,
A step of determining whether or not the state of the substrate placed on the placement unit is normal based on the data of the separation distance acquired when the substrate moves up and down relative to the placement unit. The substrate processing method according to claim 9, further comprising:
前記複数の超音波センサにより、前記基板の状態として前記加熱された基板の反りを検出するために、基板の中心部と、周縁部とに各々超音波を照射する工程を含むことを特徴とする請求項９ないし１４のいずれか一つに記載の基板処理方法。 The mounting portion is configured by a module including the hot plate that heats the mounted substrate.
In order to detect the warp of the heated substrate as the state of the substrate by the plurality of ultrasonic sensors, the method includes a step of irradiating a central portion and a peripheral portion of the substrate with ultrasonic waves, respectively. The substrate processing method according to claim 9.
前記プログラムは請求項９ないし１６のいずれか一つに記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。 A storage medium storing a computer program used in a substrate processing apparatus having a substrate transfer mechanism for transferring a substrate,
A storage medium characterized in that the program has steps for executing the substrate processing method according to any one of claims 9 to 16.
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