JP2016528530A - Ｅｕｖ光学リソグラフィ装置用の放射源及び当該放射源を備えるリソグラフィ装置 - Google Patents

Abstract

放射源は極端紫外線放射を生成する。放射源は、燃料が放射ビームに接触してプラズマを形成することになる位置に位置付けられるプラズマ形成部位を含む。受け構造は、その表面上で、プラズマの形成により生成されるデブリ粒子を捕捉するために設けられる。受け構造は、受け面を加熱するためのロッド状のヒータ要素を有し、このデバイスは、大きな燃料の液滴が、受け面上に形成されるのを防止する。その代わりに、捕捉された燃料は受け面から溶け落ちる。【選択図】図４

Description

［関連出願の相互参照］
[0001] 本願は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる、２０１３年６月２８日出願の米国仮特許出願第６１／８４０，８７８号の利益を主張する。

[0002] 本発明は、リソグラフィ装置用の動力源と、関連のリソグラフィ装置と、に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。

[0004] リソグラフィは、ＩＣ並びに他のデバイス及び／又は構造の製造における重要な工程の１つとして広く認識されている。しかしながら、リソグラフィを使用して作られるフィーチャの寸法が小さくなるにつれ、リソグラフィは、小型のＩＣ又は他のデバイス及び／若しくは構造を製造可能にするためのより重要な要因になってきている。
パターンプリンティングの限界は、式（１）に示す解像度についてのレイリー基準によって、理論的に推測することができる：

上の式で、λは、使用される放射の波長であり、ＮＡは、パターンを印刷するために使用される投影システムの開口数であり、ｋ_１は、レイリー定数とも呼ばれているプロセス依存調節係数であり、ＣＤは、印刷されたフィーチャのフィーチャサイズ（又はクリティカルディメンジョン）である。式（１）から、フィーチャの最小印刷可能サイズは、露光波長λを短くすること、開口数ＮＡを大きくすること、又は、ｋ_１の値を小さくすること、の３つの方法によって小さくすることができると言える。

[0005] 露光波長を短くするため、ひいては、最小印刷可能サイズを小さくするために、極端紫外線（ＥＵＶ）放射源を使用することが提案されてきた。ＥＵＶ放射は、５〜２０ｎｍの範囲内、例えば１３〜１４ｎｍの範囲内の波長を有する電磁放射である。さらに、１０ｎｍ未満の波長、例えば、６．７ｎｍ又は６．８ｎｍといった５〜１０ｎｍの範囲内の波長を有するＥＵＶ放射が使用できることが提案されてきた。そのような放射は、極端紫外線又は軟ｘ線放射と呼ばれる。考えられる放射源としては、例えば、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源、又は、電子蓄積リング（Electron Storage Ring）によって提供されるシンクロトロン放射に基づく放射源が含まれる。

[0006] ＥＵＶ放射は、プラズマを使用して生成可能である。ＥＵＶ放射を生成するための放射源装置は、燃料を励起してプラズマを提供するレーザと、プラズマを収容するための放射源コレクタモジュールと、を備え得る。プラズマは、例えば、好適な材料（例えば、スズ）の粒子、又は、Ｘｅガス若しくはＬｉ蒸気といった好適なガス若しくは蒸気の流れなどの燃料にレーザビームを誘導することにより作り出すことができる。結果として生じるプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は放射コレクタによって集光される。放射コレクタは、鏡面仕上げの法線入射放射コレクタであってよく、放射を受けてビームへと集束させる。放射源コレクタ装置は、プラズマを支持するための真空環境を提供するように配置された閉鎖構造又はチャンバを備え得る。このような放射源装置は、通常、レーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）源と呼ばれる。

[0007] 必要とされるＥＵＶ放射だけでなく、プラズマ生成の副生成物として、蒸気、塵、液滴の形の燃料材料のデブリがあらゆる方向に射出される。放射源装置は、通常、この材料を管理するための多くの構造及びサブシステムを含み、これらの構造及びサブシステムが無ければ、光学表面は即座に汚染され、性能は劣化する。そのような対策の１つとして、ビームを囲み、燃料デブリを遮断及び捕捉する受け構造を設けることが挙げられる。この構造は、動作中、時々あるいは連続的に、デブリが環境から除去され得るように、デブリが溶融して排液チャネルへと流れ込む温度まで加熱され得る。このような装置の例は、米国特許出願公開第２００８１７９５４８号に開示されている。燃料としてスズが使用されている場合に、デブリを液化するためには、受け構造表面の温度は、およそ３００℃になり得る。

[0008] 遮断表面を最大化し、デブリの環境内への跳ね返りを防ぐために、受け構造は、通常、例えば、フィン又は羽根又は他の局所構造要素に覆われた回旋状表面を有する。これらすべての要素を正確な温度に加熱するには、多くの難題が伴う。米国特許出願公開第２００８１７９５４８号は、抵抗加熱、又は、水若しくは液体ガリウムを使用した流体加熱について言及している。多数の局所構造要素がそれら自体の加熱を必要とするため、加熱システムは非常に複雑になる。普及している抵抗加熱法の例として、各加熱要素から受け構造内への熱伝導接続を要するものがある。この要素及び接続に使用される材料は、ＥＵＶ及び真空に適合しなくてはならないため、材料の選択が制限される。構造への熱伝達が非効率であるということは、要素自体の温度がさらに高い温度に達することを示唆する。これにより、材料の選択と信頼性とにさらなる難題がもたらされる。

[0009] 加熱要素を制御することが望ましい。
本発明の第１態様では、燃料をプラズマへと励起することにより放射ビームを生成するように構成された放射源装置であって、放射レーザビームが燃料に接触してプラズマを形成する位置に位置付けられるプラズマ形成部位と、プラズマの形成に伴って生成された燃料デブリを捕捉するための受け面を有する受け構造と、燃料デブリが表面に沿って装置の別の部分へと流れることができるように、燃料デブリを液化するのに十分な温度まで受け構造の１つ以上の受け面を加熱するための加熱構成と、を備え、加熱構成は、受け面を加熱するためのヒータ要素を備え、ヒータ要素の一部分は、ヒータ要素を加熱制御するための調節可能な長さを有する、放射源装置が提供される。

[0010] 本発明のさらなる態様では、ＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された、第１態様の放射源を備えるリソグラフィ装置が提供される。

[0011] リソグラフィ装置はＥＵＶ光学装置の一例に過ぎない。本発明ではさらに、ＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された、上述の本発明の第１態様に係る放射源と、ビームを受け、調整して、ターゲット部分に送るように構成されたＥＵＶ光学システムと、を備える光学装置が提供される。

[0012] 本発明の別の実施形態では、極端紫外線放射を生成する方法であって、燃料を放射ビームに接触させることによりプラズマ形成部位にプラズマを形成することと、プラズマの形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉するように構成された受け面を有する受け構造を提供することと、受け構造の開口部内に挿入された加熱要素により受け面を加熱することと、を含む、方法が提供される。

[0013] 本発明のさらなる特徴及び利点、並びに、本発明の多様な実施形態の構造及び動作は、添付の図面を参照して以下に詳細に説明される。なお、本発明は、本明細書に記載される特定の実施形態に限定されない。それらの実施形態は、単に例示のみを目的として本明細書に示されている。当業者には、本発明の教示に基づきさらなる実施形態が明らかになるであろう。

[0014] 本明細書に組み込まれ、かつ本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を例示し、本記載と共に、本発明の原理をさらに説明し、関連技術の当業者が本発明を行い、かつ、使用することを可能にするものである。
反射型投影光学系を有するリソグラフィ装置を概略的に示す。 プラズマベースの放射源装置を備えた、図１の装置をより詳細に示す図である。 代替的な放射源である。 羽根の形の局所構造要素を多数含んだ（汚染トラップなどの）受け構造を有する放射源装置の拡大概略図である。 図４の受け構造の一部として、加熱要素を有する１つの羽根を概略的に示し、本発明の実施形態において図４の受け構造に適用される加熱構成の原理を説明する図である。 加熱要素を収容するための長手方向の開口部を含む１つの羽根の形態を概略的に示す。 本発明の実施形態に係る加熱構成のための加熱要素の形態を概略的に示す。

[0015] 本発明の特徴及び利点は、これらの図面と併せて以下に記載される詳細な説明からより明らかになるであろう。図面において、同じ参照記号は、全体を通じて対応する要素を特定する。図面において、同じ参照番号は、基本的に、同一の、機能的に同様な及び／又は構造的に同様な要素を示す。

[0016] 本明細書は、本発明の特徴を取り入れた１つ以上の実施形態を開示する。開示される実施形態は、単に本発明を例示するものである。本発明の範囲は、開示される実施形態に限定されない。本発明は、添付の請求の範囲によって規定される。

[0017] 説明される（１つ以上の）実施形態及び明細書中の「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」等への言及は、説明される実施形態が特定の特徴、構造又は特性を含み得ることを示すが、必ずしもすべての実施形態がその特定の特徴、構造又は特性を含んでいなくてもよい。また、かかる表現は、必ずしも同じ実施形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造又は特性がある実施形態に関連して説明される場合、かかる特徴、構造又は特性を他の実施形態との関連においてもたらすことは、それが明示的に説明されているか否かにかかわらず、当業者の知識内のことであると理解される。

[0018] このような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的な環境を提示することが有益である。

[0019] 図１は、本発明の一実施形態に係る放射源モジュールＳＯを備えるリソグラフィ装置１００を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
‐放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
‐パターニングデバイス（例えば、マスク又はレチクル）ＭＡを支持するように構築され、かつ、パターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
‐基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ、基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
‐パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、反射型投影システム）ＰＳと、を備える。

[0020] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型又はその他のタイプの光学コンポーネント、あるいは、それらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学コンポーネントを含むことができる。

[0021] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定式又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。

[0022] 「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用することができるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応し得る。

[0023] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0024] 投影システムは、照明システムと同様に、使われている露光放射にとって、あるいは、真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型又はその他の型の光学コンポーネント、又は、それらのあらゆる組合せなどのあらゆる型の光学コンポーネントを含むことができる。ＥＵＶ放射では、他のガスが放射を吸収し過ぎるおそれがあるため、真空を使用することが望ましい場合がある。従って、真空壁及び真空ポンプを使って、ビームパス全体に真空環境を提供してもよい。

[0025] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射型マスクを採用しているもの）である。

[0026] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、又は、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。

[0027] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源モジュールＳＯから極端紫外線放射ビームを受ける。ＥＵＶ光を生成する方法としては、例えば、キセノン、リチウム又はスズなどの少なくとも１つの元素を有し、ＥＵＶ範囲内の１つ以上の輝線を有する材料をプラズマ状態へと変換することが含まれるが、必ずしもこれに限定されない。そのような方法のうちの１つであり、しばしばレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）と呼ばれる方法では、所望の輝線を放出する元素を有する材料の液滴、流れ又はクラスタなどの燃料を、レーザビームで照射することにより所望のプラズマを生成することができる。放射源モジュールＳＯは、燃料を励起するレーザビームを提供するためのレーザ（図１中図示なし）を含むＥＵＶ放射源装置の一部であり得る。結果として生じたプラズマは、例えばＥＵＶ放射などの出力放射を放出し、この出力放射は、放射源モジュール内に配置される放射コレクタを使って集光される。例えば、ＣＯ_２レーザを使用して燃料励起のためのレーザビームを提供する場合、レーザと放射源モジュールとは別個の構成要素とすることができる。

[0028] そのような場合には、レーザは、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、レーザから放射源モジュールへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が、しばしばＤＰＰと呼ばれる放電生成プラズマＥＵＶジェネレータである場合、放射源は放射源モジュールの一体部分とすることもできる。

[0029] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、ファセットフィールド（facetted field）及び瞳ミラーデバイスなどのさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。

[0030] 放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射された後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷ及び位置センサＰＳ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭ及び別の位置センサＰＳ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。

[0031] 図２は、放射源モジュールＳＯ、照明システムＩＬ及び投影システムＰＳを備えるリソグラフィ装置１００の実施形態をより詳細に示している。本例の放射源モジュールは、放射源としてレーザ生成プラズマを使用するタイプの放射源装置４２を備える。ＥＵＶ放射は、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気若しくはＳｎ蒸気、気体ターゲット材料、液体ターゲット材料、若しくはスズの塊、テープ、ワイヤなどの固体ターゲット材料のジェットといった、ガス又は蒸気によって生成され得る。このガス又は蒸気内では、非常に高温のプラズマが作り出され、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲の放射を放出する。非常に高温のプラズマは、例えば、ＣＯ_２レーザ光を使用した光学励起によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生じさせることによって作り出される。放射を効率的に生成するためには、例えば１０Ｐａの分圧のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又は他の任意の好適なガス若しくは蒸気が必要になり得る。ある実施形態では、ＥＵＶ範囲の放射を放出するために、スズ（Ｓｎ）を使用してプラズマが作られる。

[0032] 放射源装置４２は、図１の装置における放射源ＳＯの機能を具現化したものである。放射源装置４２は放射源チャンバ４７を備える。放射源チャンバ４７は、本実施形態では、ＥＵＶ放射の放射源だけでなく、図２の例において法線入射コレクタ、例えば、多層ミラーであるコレクタ５０も実質的に囲む。

[0033] ＬＰＰ放射源の一部として、レーザシステム６１（以下、より詳細に説明される）は、コレクタ５０に設けられたアパーチャ６７を介してビームデリバリシステム６５によって送られるレーザビーム６３を提供するように構築及び配置される。また、この装置は、ターゲット材料源７１によって供給されるＳｎ又はＸｅなどのターゲット材料６９も含む。本実施形態のビームデリバリシステム６５は、所望のプラズマ形成位置７３上に実質的に合焦されるビームパスを構築するように配置される。

[0034] 動作中、燃料とも呼ぶことができるターゲット材料６９は、ターゲット材料源７１によって液滴の形で供給される。このようなターゲット材料６９の液滴がプラズマ形成位置７３に到達すると、レーザビーム６３は、液滴に衝突し、放射源チャンバ４７の内部にＥＵＶ放射を放出するプラズマが形成される。パルス型レーザの場合、この形成には、位置７３を通る液滴の通過に合わせてレーザ放射パルスのタイミングを取ることが含まれる。上述したように、燃料は、例えば、キセノン（Ｘｅ）、スズ（Ｓｎ）又はリチウム（Ｌｉ）であってよい。これらの燃料は、数十ｅＶの電子温度を有する高度にイオン化されたプラズマを作り出す。例えばＴｂ及びＧｄなどの他の燃料材料により、より高エネルギのＥＵＶ放射を生成することもできる。これらイオンの脱励起及び再結合中に生成されるエネルギ放射は、位置７３でプラズマから放出される望ましいＥＵＶ放射を含む。プラズマ形成位置７３及びアパーチャ５２は、それぞれ、コレクタ５０第１の焦点位置及び第２焦点位置に位置付けられ、ＥＵＶ放射は、法線入射コレクタ５０により、中間焦点ＩＦ上に合焦される。

[0035] 放射源チャンバ４７から発出した放射ビームは、図２において放射ビーム５６により示されるように、いわゆる法線入射リフレクタ５３、５４を介して照明システムＩＬを横断する。法線入射リフレクタは、ビーム５６を、サポート（例えば、レチクルテーブル又はマスクテーブル）ＭＴ上に位置決めされたパターニングデバイス（例えば、レチクル又はマスク）上へと誘導する。パターン付きビーム５７が形成され、反射要素５８、５９を介して、投影システムＰＳによって、ウェーハステージ又は基板テーブルＷＴにより搬送される基板上に結像される。照明システムＩＬ及び投影システムＰＳ内には、通常、図示されるよりも多くの要素が存在し得る。例えば、図２に示した２つの要素５８及び５９よりも１つ、２つ、３つ、４つ、さらにはそれ以上多くの反射要素が存在してもよい。放射コレクタ５０と同様の放射コレクタが従来技術から公知である。

[0036] 熟達した読者には明らかなように、参照軸Ｘ、Ｙ及びＺは、装置の幾何学的形状及び挙動、装置の様々なコンポーネント並びに放射ビーム５５、５６、５７を測定及び説明するために定義され得る。装置の各部において、Ｘ、Ｙ及びＺ軸の局所的な参照フレームが定義され得る。Ｚ軸は、システム内の所与の点において光軸Ｏの方向と大まかに一致し、パターニングデバイス（レチクル）ＭＡの平面におおむね垂直であり、基板Ｗの平面に垂直である。放射源コレクタモジュール４２において、Ｘ軸は、（後述する）燃料の流れ６９の方向と大まかに一致し、Ｙ軸は、この燃料の流れ６９の方向に直交し、図２に示される紙面外の方に向いている。一方、レチクルＭＡを保持するサポート構造ＭＴの近傍では、Ｘ軸は、Ｙ軸に一致したスキャン方向を概ね横断する。矢印８０及び８２は、それぞれ、レチクルＭＡ及び基板Ｗのスキャン方向を示す。説明の便宜上、図２の概略図のこの領域において、Ｘ軸は、印により示されるように、紙面外に向けられている。これらの指定は、当該技術において慣行的であり、便宜上、本明細書で採用している。原則的には、装置及びその挙動を説明するために任意の参照フレームを選択することができる。

[0037] 例えば、液体スズなどの燃料を送るために、液滴ジェネレータ又はターゲット材料源７１は、放射源チャンバ４７内に配置され、液滴の流れをプラズマ形成位置７３に向けて発射する。動作中、レーザビーム６３は、ターゲット材料源７１の動作と同期して送られ、放射のインパルスを送ることで各燃料液滴をプラズマへと変化させる。液滴が送られる周波数は、数キロヘルツであってよく、数十キロヘルツ又は数百キロヘルツであってもよい。通常、この構成では、レーザビーム６３は、レーザシステム６１によって少なくとも２つのパルスで送られ得る。すなわち、制限されたエネルギを有するプリパルスＰＰは、燃料材料を、好ましくはパンケーキ状又はシガー状又は小さいクラウドに変形（幾何学的形状の変化）又は蒸発させる（液滴のプリコンディショニング）ために、液滴がプラズマ位置に到達する前に液滴に送られ、その後、レーザエネルギのメインパルスＭＰは、所望の位置でクラウドに送られて、プラズマを生成する。典型的な例では、プラズマの直径は約２〜３ｍｍである。トラップ７２は、閉鎖構造４７内の反対側に設けられ、何らかの理由でプラズマに変化されなかった燃料を捕捉する。

[0038] レーザシステム６１は、例えば、ＭＯＰＡ（主発振器パワー増幅器（Master Oscillator Power Amplifier））型であり得る。このようなレーザシステム６１は、パワー増幅器システムＰＡに先立って、レーザエネルギのメインパルスを、膨張した液滴クラウドに向けて発射するための「マスタ」レーザ又は「シード」レーザを備える。ビームデリバリシステム２４は、レーザエネルギ６３を放射源チャンバ４７内に送るために設けられる。レーザシステム６１、ターゲット材料源７１、及び他のコンポーネントは、（別途図示されない）コントローラによって制御され得る。コントローラは、多くの制御機能を実行し、システムの様々な要素に対するセンサ入力及び制御出力を有する。センサは、装置４２の要素内及び要素周辺と、任意で、リソグラフィ装置内の別の場所とに位置付けられ得る。

[0039] 一つの代替的なＬＰＰ源では、メインパルスレーザビームは、集光されたＥＵＶ放射が、おおよそメインレーザパルスが受けられた方向に放出されるように、中間焦点ＩＦの方向から燃料液滴上に誘導される。その場合、メインパルスビームは、少なくとも１つの（レンズ又は折り畳みミラーなどの）光学要素を介してプラズマ生成部位に送られ得る。ＥＵＶ放射は、放電生成プラズマ（ＤＰＰ）源で使用されるような斜入射コレクタによって集光され得る。実用においては、多様な付属コンポーネントが含まれ得る。例えば、デブリトラップは、１つ以上の静止フォイルトラップ及び／又は回転フォイルトラップを備え得る。

[0040] 図３は、このような代替的なレーザ生成プラズマ（ＬＰＰ）放射源ＳＯであって、図２に示した放射源に代わる構成を有する放射源ＳＯを示している。放射源ＳＯは、燃料をプラズマ形成領域４に送るように構成された燃料エミッタ３を備える。燃料は、例えば、スズであり、以下の説明ではスズについて言及する。ただし、任意の好適な燃料を使用することができる。プリパルスレーザ１６は、スズに入射するプリパルスレーザビーム１７を放出する。プリパルスレーザビーム１７は、スズを予熱するように作用することにより、スズのサイズ及び／又は形状と言った特性を変化させる。メインレーザ１８は、プリパルスレーザビーム１７の後にスズに入射するメインレーザビーム１９を放出する。メインレーザビームは、エネルギをスズに送ることにより、スズをＥＵＶ放射放出プラズマ７へと変換する。

[0041] 斜入射コレクタであり得る放射コレクタ２０は、ＥＵＶ放射を集光し、このＥＵＶ放射を、一般に中間焦点と呼ばれる点６に合焦させる。従って、放射放出プラズマ７の像は、中間焦点６に形成される。放射源ＳＯの閉鎖構造２１は、中間焦点６の位置又は中間焦点６付近に開口部２２を有する。ＥＵＶ放射は、この開口部２２を通過し、リソグラフィ装置照明システムに向かう。放射コレクタ２０は、斜入射リフレクタ２３、２４、及び２５を有する入れ子型コレクタ（nested collector）として図示されている。斜入射リフレクタ２３、２４及び２５は、光軸Ｏを中心に軸対称に配置される。図示された放射コレクタ２０は、単に例として示されており、他の放射コレクタを使用してもよい。

[0042] デブリトラップ２６は、プラズマ形成領域４と放射コレクタ２０との間に位置付けられる。デブリトラップ２６は、例えば、回転フォイルトラップであってもよく、あるいは、任意の他の好適な形態のデブリトラップであってもよい。実施形態によっては、デブリトラップ２６が使用されないこともある。

[0043] 閉鎖構造２１は、プリパルスレーザビーム１７がプラズマ形成領域４へと通過することができるウィンドウ２７と、メインレーザビーム１９がプラズマ形成領域へと通過することができるウィンドウ２８と、を含む。ミラー２９は、メインレーザビーム１９がデブリトラップ２６の開口部を通り、プラズマ形成領域４に到るように誘導するために使用される。

[0044] ガス（例えば、水素又は窒素）は、（例えば、光路の外側に）ガス流を構築することができるように、放射源チャンバ４７内の様々な位置にある、放射源ＳＯ内にガスを導入するための１つ以上の入口から供給され得る。このガス流は、デブリが出口を介して放射源ＳＯ出るようにデブリを引きつけることにより、コレクタ及びリソグラフィ装置の他の反射面の汚染を減少させることができる。このガスは、さらに、特に多様な通路などの密集した開口部において、局所的に熱輸送を助け得る。

[0045] 図示は省略されているが、典型的な装置内には、追加のコンポーネントが多数存在し得る。これらのコンポーネントには、例えば、燃料材料の付着により、コレクタ５０又は２０及び他の光学系の性能を損なったり低下させたりすることを防止するために、閉鎖された真空内の汚染の影響を減少又は緩和させるための構成が含まれる。環境の圧力及び構成物を制御し、さらに、最も重要で、及び／又は、最も弱い場所から汚染を遠ざけるためのガス流を作り出すために、ガスを搬送及び抽出するための各種システムもまた含まれ得る。例えば、分子及び／又は原子の形態の水素ガスは、その洗浄特性により使用することができる。詳細には記載されてないが、存在している他の特徴は、全て、リソグラフィ装置の多様なコンポーネント及びサブシステムの制御に使用されるセンサ、コントローラ及びアクチュエータである。

[0046] 燃料デブリを遮断及び捕捉するように配置される受け構造に関する問題は、スズの堆積が大きな液滴（＞１０μｍからミリメートル単位の液滴）の形成を引き起こすことである。これらの大きな液滴は、放射源内の保護ガス流によって一掃されず、重力の影響によりコレクタ上に落下することになる。コレクタからこれらの液滴を除去するには、システムをシャットダウンする必要がある。

[0047] 図４は、図２の放射源装置４２を示す拡大概略図であり、特に、放射源チャンバ４７内でＥＵＶビーム５５を囲む受け構造３００を示している。受け構造３００は多くの形を取り得るが、典型的には、プラズマから射出された燃料材料を捕捉するための局所的な受け面を付与する局所構造要素が裏張りされた円錐台璧３０２を備える。本例の局所構造要素は、円錐璧の内周に沿って斜めに延在する羽根３０４を備える。例えば、５０個、６０個、あるいはそれ以上の数の羽根が存在し得る。冒頭で説明したように、羽根は、後述する手段によって加熱され、燃料デブリが確実に羽根の表面に付着したまま、溶融して液滴を形成し、羽根と羽根との間をこれらの羽根に沿って流れてチャンバ４７の外で回収及び除去されるようになっている。燃料は、一例として、スズであることが想定される。羽根及び他のチャネルは、落下するスズを、ドレイン３０６へ、さらにはスズコレクタ３０８内へと案内するように成形及び方向付けされる。ドレイン及び任意のコレクタも、スズ材料に液流を維持するために加熱されてもよい。燃料としてスズを使用する実施形態において、羽根（及びドレインなどの他の加熱された表面）は、３００℃程度に維持されることになる。同一のスズコレクタ３０８が、別のドレイン３１０に接続されるトラップ７２に共有されてもよい。スズコレクタは、チャンバ４７の内側にあっても、外側にあってもよい。回収されたスズは、精製され、液滴ジェネレータ７１で再利用されてもよく、あるいは、他の用途用に処分されてもよい。

[0048] 図５は、受け構造３００の設計における単体の羽根３０４を示している。図５（ａ）は側面図であり、図５（ｂ）は端面図である。この羽根は、一枚のシートメタルを、図示されたようにＶ字型に折り曲げて壁３２０、３２２を形成し、羽根を中空にすることで内部空間が開口部を形成するようにすることにより有効に形成される。この開口部により、放射源チャンバ内に存在するガスが羽根の内側にも存在するようになり、それによりヒータ要素からＶ字型の羽根壁への熱伝達を高めることができる。壁と壁との間の空間には、後述する抵抗ワイヤのコイルを有するヒータロッドであり得るヒータ要素３２４が存在する。外部接続３２６を介して、ＤＣ電流３２８が抵抗ワイヤに注入され、抵抗ワイヤ及びロッド３２４が加熱される。熱は、羽根に放射される。複数の羽根用のヒータ要素（図５には図示なし）が、直列若しくは並列に接続されてもよく、あるいは、ヒータ要素は個々に提供されてもよい。これにより、ヒータロッドが加熱される。複数の羽根用のヒータ要素（図５には図示なし）が、直列若しくは並列に接続されてもよく、あるいは、ヒータ要素は個々に提供されてもよい。図５の羽根は、熱の大部分がＶ字表面を介して輸送されるように、開放空間を有するＶ字型として図示されている。この代わりに、羽根は、より高い熱伝導性と、ひいては、より均一な加熱を羽根の体積全体に提供するために、熱伝導性のバルク材料から構成され、１つのヒータ要素、又は、直列若しくは並列に接続された、若しくは相互接続されていない複数のヒータ要素を挿入するための開口部を有してもよい。羽根の形状は、Ｕ字型又は矩形形状など、任意の形であってよい。図５の構成は、市販のリソグラフィ装置向けのＥＵＶ放射源装置に使用され得る。

[0049] 図６は、長手方向の通路などの開口部が設けられた熱伝導性材料を含む、又は、該熱伝導性材料から成る、羽根のアッセイの一つのセグメントを表す。羽根は、１０ｍｍの厚さを有し、通路は、例えば、ヒータ要素が摺動できるように８ｍｍの直径を有しる。（Ｖ字型構成の）羽根の縁部は、燃料（例えば、スズ）に対する撥水性を有し、大きな液滴の（再）形成を防止し、抵抗力により液滴の効率的な捕捉を補助するように形成され得る。あるいは、開口部は、羽根を横断するように設けてもよく、傾斜させて設けてもよい。従って、外部の温度要因によって引き起こされる特定の温度勾配に応じて必要となり得るあらゆる開口部の向きが想定される。

[0050] このような羽根には上記のごとく通路などの開口部が設けられ、この開口部内には、ヒータ要素が、各羽根セグメントを均一に加熱するように設けられ得る。この要件は、限られた許容温度範囲に起因するものである。すなわち、羽根セグメントは、スズの溶融温度（２３２℃）を超える温度まで加熱する必要がある一方、ステンレス鋼セグメントの急速な化学的腐食を防止するために、３５０℃を超える温度レベルは避けなくてはならない。結果として、均一加熱の要件は、かなり厳しくなる。

[0051] 受け構造は、真空に近い環境内に位置付けられるため、市販のヒータ要素が使用されている場合、伝導又は対流による熱伝達は不十分なことがある。羽根は、プラズマから提供される熱によって加熱（過熱）され得るが、そのような加熱は局所的であるため、スズデブリを溶融させるために、プラズマ形成により生成される燃料デブリを捕捉するための受け面に沿った均一かつ制御された加熱を提供する用途にはあまり適していない。

[0052] 羽根を３００℃などの所望の温度まで加熱するためには、例えば、ヒータ要素をさらに高い温度（例えば、６００℃又はそれ以上）にする必要があり得る。これは、温度差が大きくなった場合にのみ、放射による熱伝達が効率的になるためである。熱伝達を促進するために他の用途に使用される熱伝導性フィラー材料は、例えば、ガス放出などにより、一般的には真空環境内での使用には適さない。ＥＵＶに適合性のある熱性フィラーは選択が限られており、例えば、衝撃に弱く、容易にひび割れを起こすセラミック材料などが含まれる。他のヒータ要素は、電球フィラメントなどのタングステンワイヤであり得るが、そのようなワイヤは、所望の加熱を提供するのに十分な長さを持たず、さらに寿命が短いため、それらのワイヤが焼けた場合に、放射源装置内にさらに多くの汚染をもたらす恐れがある。誘導ヒータ要素は、代替物にはなり得るが、複雑な加熱構成が必要となり得る。

[0053] 市販のヒータ要素の別の例として、例えば、Ｔｈｅｒｍｏｃｏａｘ社から入手可能なヒータロッドなどの抵抗ヒータロッドがある。そのようなヒータロッドは、例えば、成形され、加熱構成内に組み込まれるように設計された小径の、それぞれ異なる電気抵抗を有する複数のヒータ要素である。それらのヒータ要素は、可撓性の金属シース内に設けられ、互いから、かつシースから電気的に絶縁された１つ以上の直線的な電流搬送コアを備え得る。抵抗コアは、両端部において、抵抗が大幅に低い別の材料により伸張され、低温端部構造（cold-end construction）が得られる。抵抗ヒータロッドは、このように、低温端部を有する単一のコア加熱抵抗ワイヤによって形成することができる。端部は、コネクタに装着され得る。低温部は、高温部よりも低い電気抵抗を有してもよく、あるいは、熱的に分離されていてもよい。

[0054] 外側のシースは連続的であり、内側のコア構造のみ変化し得る。抵抗ワイヤを有するヒータロッドは、その絶縁又はシースのいずれも悪化させることなく、実質的に任意の形状を与えられ得る。熱接触、ひいては熱伝達を高めるために、抵抗ワイヤは、所望の位置で変形、ろう付け又は溶接され得る。加熱要素は、絶縁体又は金属に関わらず、任意の種類の材料上に装着することができる。効果的には、加熱要素は、屈曲し、部品に巻き付けられ、溝付け又はろう付けがなされ得る。従って、熱交換を容易にするための、いくつかの好適な装着方法が存在する。以下、効率性の低い方から順に、溝内への挿入、金属溶射、鋳造（例えば、亜鉛合金、アルミニウム）などが挙げられる。しかし、抵抗ワイヤを固定のピッチで巻き付けると、温度勾配が生じることがある。高温の長さを測定し、ピッチを変化させるには、費用及び時間がかかる。

[0055] このようなヒータ要素のさらなる問題として、真空内の腐食があり、この腐食は動作不良のヒータの原因となり得る。そのような市販のヒータ要素を使用した場合に、羽根の均一加熱に影響し得る別の問題として、ヒータ要素の長さの許容値（１０％）がある。ワイヤの長さの許容値により、ヒータワイヤを含むヒータロッドの高温部は、同一パーセンテージで変動することになる。これは、それ自体の内部に温度勾配を生じさせ、ヒータロッドとヒータロッドとの間に差を生じさせ得る。しかし、ヒータ要素の高温部を羽根内部に維持し、低温部（端部）を外部に維持することは、良好な温度制御にとって好都合である。

[0056] 市販のヒータ要素の加熱効率もまた、比較的低く、電力消費は望ましいレベルよりも高いことがある。標準ＰＴＦＥケーブル絶縁は、配線時に高温を要するため、使用するのが望ましくない。

[0057] 従って、上述したような従来のヒータを使用した加熱は、いくつもの制限を受ける。本特許出願は、電力が熱として（遠隔ヒータ要素ではなく）羽根自体の内部で損失されるといった加熱の概念を開示する。ヒータ要素は、受け面の均一加熱を確実にするために、調節可能な長さＬを有する部分を有している。この部分は、ヒータ要素の全長を含み得る（つまり、ヒータ要素全体が調節可能な長さを有してもよい）。例えば、ヒータ要素の該部分は、バネのような形状を有し得る。長さは、より高い電気抵抗を有する高温部を羽根の内部に、より低い電気抵抗を有する低温部を羽根の外部に収容するように、調節可能であってもよい。高温部は、羽根の均一加熱を確実にする限り、部分的に羽根の外部にあってもよい（例えば、数ミリメートルほど外部に延在する分には問題ないが、１ｃｍ以上外部に延在してしまうと、均一加熱を損なう恐れがある）。しかしながら、ヒータ要素の低温部は、羽根の外部にあることが望ましい。そのような構造により、羽根は、（プラズマにより生成される制御性のより低い加熱源に加えて）制御性の高い加熱源になる、熱伝達及び高温の問題は、より適切に回避することができる。

[0058] 調節可能な長さのヒータ要素は、羽根に設けられた開口部内に導入され、それらの長さは、ヒータ要素の高温部が羽根を均一に加熱する（かつ、低温部が羽根の外部に位置する）ように調節される。このように、受け構造は、最も汚染されやすい場所において組を形成する所与数の羽根、又は、受け構造に含まれる最大数の羽根の均一加熱によって、汚染トラップによって捕捉されるデブリ粒子が液体状態で維持されるのに十分に高い温度まで加熱され得る。ヒータ要素は、単に、重力、クランプ、又は当該技術分野で公知の他の手段によって、開口部内に固定され得る。

[0059] 上述したように、加熱抵抗ワイヤ（又は、テープ、一束の抵抗ワイヤなどの、他の代替的な形態の導電体）を固定のピッチで巻き付けると、望ましくない温度勾配を引き起こすことがある。温度勾配は、同様に熱を生成し、燃料受け面を局所的に加熱し得るプラズマによっても引き起こされることがあり、そのような温度勾配は、例えば、羽根の端部に現れることがある。従って、局所的な温度変化を相殺し、補償するように抵抗ワイヤのピッチを調整（つまり、局所的に配置）することが有益であり得る。このように、ヒータ要素によって提供される局所加熱が、ヒータの全長にわたり均一でなくても、最終的な結果として、他の動乱要因に関わらず、羽根のスズ受け面に均一加熱が提供される。

[0060] 一例において、抵抗ワイヤのピッチは、ヒータ要素の端部のピッチよりも、このヒータ要素の中心部のピッチの方が大きいことが想定される。あるいは、別の例では、ピッチは、中心部が小さくなるように局所的に調節されてもよい。ヒータ要素の長さに沿った大きな温度勾配は、受け面上に及ぼされる他の（外部からの）熱的影響を補償するのに必要である限り、許容可能な場合もある。温度センサ及び制御ループは、加熱プロセスを制御するために、受け構造に連結される多様な場所に提供され得る。

[0061] しかし、調節可能な長さを有する効果的なヒータ要素を設計する際に、いくつかの要求が干渉する。第１の例では、抵抗ワイヤの高温部は、搬送コア（ロッド）を囲むシース材と、その全長にわたって、良好に熱接触し、ホットスポットを防止することが好ましい。第２の例では、ワイヤは、過熱を防ぐために、シース材に連結（例えば、ろう付け）されることが好ましく、十分な放射表面を有することが好ましい。第３の例では、ヒータ要素、特にシース材の全長にわたる温度勾配は、最小化されることが好ましい。

[0062] 図７（ａ）は、本発明に係る加熱構成に適したヒータ要素の一部を示し、抵抗ワイヤ（ワイヤは不図示）を保持するためのシース材料の壁には二重らせん形状の溝が設けられている。あるいは、ワイヤを等間隔で配置することによって均一加熱が実現される（図示なし）限り、他の（つまり、らせん形状ではない）形状の溝もまた想定され得る。抵抗ワイヤは、らせん形の溝上に設けられ、例えば、ろう付けにより該溝に連結されて、溝に固定され得る。

[0063] 図７（ｂ）は、本発明に係るヒータ要素のより大きい部分を示している。図７（ｂ）に図示されるヒータ要素は、図７（ａ）に図示されたような（ステンレス鋼シリンダ又はロッドなどの）搬送コアを囲むシース材を使用して構築されたヒータロッドである。抵抗ワイヤは、上述したように、シース材に巻き付けられ、連結されて、ヒータ要素の高温部を形成している。軸方向の調節可能な長さを有する軸方向に可撓性のあるヒータ要素を提供するために、コイル状の抵抗ワイヤの形状に追従した単一の切り込み、又はいくつかの小さい切込み（いずれのオプションの切込みも、任意で溝に設けられた抵抗ワイヤ間のシース材内に設けられ得る）が、等間隔で設けられ得る。このような切込みが設けられたシース材を引っ張る又は押すことにより、ヒータ要素の軸方向の長さは、手動でも又は機械的にも、容易に制御可能である。図７（ｂ）において、赤いらせんは、レーザ切断されたシート材料を示すが、シース材を切断する任意の手段が好適に使用され得る。ヒータロッドは、このように軸方向に可撓性を有し、所望の軸方向長さで、その両端が中心のロッドに接続され得る。逆巻きのために屈折させた際に抵抗ワイヤを誘導するために、エンドキャップを設けてもよい（図示なし）。中心ロッドの端部及びエンドキャップは、ヒータ要素の低温部の例である。

[0064] 抵抗ワイヤは、シースの全長に沿って適切な熱接触が生じるように、溝を介して、シース材と接触していることが好ましい。これは、シース内の温度勾配が回避されるため、有益である。抵抗ワイヤに提供される電力は、シース材に温度勾配を生じさせないようなものであることが好ましい。

[0065] シース面積は、ヒータ要素の能力を調整するために使用可能なパラメータである。理想的には、抵抗ワイヤは、所望の温度レベルに有効なワイヤ長を確実にするピッチで設けられる。２つの連続した溝間の好適なピッチ長さは、２〜１５ｍｍの範囲、好ましくは、３〜１０ｍｍの範囲、例えば５ｍｍである。

[0066] ヒータ要素の長さＬ、幅Ｄ及びシース面積は、燃料の溶融温度を超える温度で羽根を完全かつ均一に加熱するのに十分なものであるべきである。好適なヒータ要素の軸方向長さＬは、例えば、５〜２００ｃｍの範囲、好ましくは１０〜１００ｃｍの範囲、さらに好ましくは３０〜８０ｃｍ、例えば約５０ｃｍである。好適なヒータ要素の幅Ｄは、例えば、２〜１５ｃｍの範囲、好ましくは５〜１０ｃｍの範囲、例えば８ｃｍである。ヒータ要素を開口部内に容易に挿入するために、シース材と開口部の壁との間の距離は、０．５〜３ｃｍの範囲、例えば１ｃｍであり得る。従って、放射源チャンバ内に存在し得るガスは、開口部内に入り、シース材と羽根材料との間の誘導的な熱輸送を補助することができる。

[0067] 抵抗ワイヤ長ｌ及び幅ｄは、６００〜１０００℃の温度を提供するのに十分なものであるべきである。好適なワイヤ長ｌは、５０ｃｍ〜５ｍ、例えば１〜３ｍであり得る。抵抗ワイヤ直径ｄは、例えば、０．３ｍｍ〜２ｍｍの範囲、好ましくは０．５〜１．５ｍｍの範囲、例えば１ｍｍであり得る。

[0068] 本発明に係るヒータロッドは、抵抗ワイヤを溝付けされたシース材内にろう付けすること、抵抗ワイヤの巻取ピッチを十分な放射面が利用できるように選択すること、好ましくは可能な限り長い高温部が開口部内に完全に嵌合されるように、一定のピッチで溝付けされたシリンダ内にワイヤをろう付けすること（図７（ａ）又は（ｂ）を参照）、抵抗ワイヤの巻き線間のシース材に切り込みを入れ、任意で、結果として得られたヒータ要素を所望の長さまで引っ張り、このヒータ要素を内側の搬送コア上に固定すること、といった工程の１つ以上に従って製造することができる。

[0069] 上記の例では、抵抗ワイヤが所望の加熱を提供するように説明されたが、当然のことながら、本明細書では、テープ／ストリップ若しくは束の抵抗ワイヤ、又は、当該技術分野で公知の熱を供給するのに適した他の代替的な形態の導電体など、あらゆる形態の導電材料が想定されている。さらに、そのような導電体は、必ずしもシース材上にろう付けされなくてもよく、接着又は溶射などの代替的な手段によってシースに連結されてもよい。

[0070] 本システムの主な利点は、十分な放射面と、可能な限り小さい温度勾配を有しつつ、良好な熱接触が実現されることである。これにより、十分な放射面及び良好な熱接触が提供される。また、本明細書の概念により、反射面上への汚染粒子の堆積を防止するだけでなく、汚染の影響を受けやすい放射源内に含まれるセンサ／ディテクタを保護することができる。

[0071] 本明細書内で開示される概念は、特にＬＰＰ源との組み合わせにおいて説明されたが、ＤＰＰ源など他の放射源にも適用可能である。汚染トラップもまた、図示されたもの以外の形態を取ってもよく、例えば、羽根の代わりに複数の先細ブロック又は異なる配置の複数の羽根を含んでもよい。

[0072] 上述した点を考慮して、本開示は、真空内で熱伝達を得るという課題を解決する、燃料デブリの受け構造用の加熱機構を提供することができる。本発明の実施形態は、従来の間接加熱と比較して、高い効率と、それ故の低い電力消費と、を有し得る。内部のコンポーネント及びインタコネクタへの高い内部温度が回避されることにより、例えば、標準のＰＴＦＥケーブル絶縁の使用が可能になる。

[0073] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又は、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0074] さらに、記載した放射源は、リソグラフィ装置だけでなく、他の光学システム内のＥＵＶ放射用の放射源構成に適用することもできる。例として、短波長の利点を享受するＥＵＶ放射を使用したメトロロジー装置が挙げられる。

[0075] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上記以外の態様で実施できることが明らかである。上記の説明は、本発明を制限ではなく例示を意図したものである。従って、当業者には、以下に記載する請求の範囲から逸脱しない限り、上述の本発明に変形を加えることができることが明らかであろう。

Claims (20)

1. プラズマへの燃料の励起により放射ビームを生成する放射源装置であって、
   放射レーザビームが燃料に接触してプラズマを形成する位置に配置されるプラズマ形成部位と、
   前記プラズマの前記形成に伴って生成される燃料デブリを捕捉するための受け面を有する受け構造と、
   前記燃料デブリが前記面に沿って前記装置の別の部分に流れることができるように、前記燃料デブリを液化するために十分な温度まで前記受け構造の１以上の前記受け面を加熱するための加熱構成であって、前記加熱構成は、前記受け面を加熱するためのヒータ要素を備え、前記ヒータ要素の一部は、前記ヒータ要素を加熱制御するための調節可能な長さを有する、加熱構成と、を備える放射源装置。
2. 前記ヒータ要素の前記一部はバネ状の形状を有する、請求項１に記載の装置。
3. 前記受け構造は、複数の局所構造要素を備え、各局所構造要素には、前記ヒータ要素を挿入可能に構築された少なくとも１つの開口部が設けられる、請求項１又は２に記載の装置。
4. 前記局所構造要素のうちの前記少なくともいくつかは、実質的に互いに平行かつ前記放射ビームの方向に対して斜めの角度で延在する細長い羽根を備える、請求項３に記載の装置。
5. 前記受け構造は、前記放射ビームのパスを囲む実質的に円筒状又は円錐台形の構造を備え、複数の局所構造要素によって裏張りされており、各要素には、前記羽根を加熱するための１以上のヒータ要素が設けられる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
6. 前記局所構造要素の外周部は、前記燃料をはじく特性を有する材料から形成される、又は、当該材料により被覆される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
7. 前記受け構造は前記放射源装置の壁に連結され、前記受け構造の前記受け面は、前記放射源の前記壁から前記放射源のコレクタ上に散乱又は飛散するデブリ粒子の量を減少させるように構成される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
8. 前記受け構造は、前記コレクタによって形成されるＥＵＶ放射円錐の外側境界の外側に設けられる、請求項７に記載の装置。
9. 前記ヒータ要素は、
   搬送コアを囲むシース材と、
   前記シース材に巻き付けられかつ連結される電線と、を備えるヒータロッドである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
10. 前記電線は、前記燃料デブリが前記面に沿って前記装置の別の部分に流れることができるように前記燃料デブリを液化させるのに十分な温度レベルのために有効なワイヤ長を確実にするピッチで前記シース材に巻き付けられた抵抗ワイヤである、請求項９に記載の装置。
11. 前記シース材には、前記ピッチに追従する溝が設けられ、前記抵抗ワイヤは、前記溝に連結される、請求項１０に記載の装置。
12. 前記巻き付けられた抵抗ワイヤの対応箇所の間の前記シース材には１つ以上の切り込みが設けられる、請求項１０又は１１に記載の装置。
13. 前記切込みは、前記シース材の全長に沿って設けられ、前記ヒータ要素の軸方向に沿って調節可能なシース長さを提供する、請求項１２に記載の装置。
14. 前記ピッチは、前記受け面の局所的な温度変化を補償するように、前記ヒータ要素の前記長さに沿って調整される、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の装置。
15. 前記加熱構成は、前記面を、２５０℃〜５００℃の範囲の温度、例えば、２８０℃を超えかつ３５０℃未満の温度まで加熱する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の装置。
16. 前記燃料は、レーザ放射により励起され、前記ＥＵＶ放射ビームを生成する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の放射源装置。
17. ＥＵＶ放射ビームを生成する請求項１〜１６のいずれか１項に記載の放射源と、前記ビームを受け、前記ビームを使用してパターニングデバイスから基板にパターンを転写するＥＵＶ光学システムと、を備えるリソグラフィ装置。
18. ＥＵＶ放射ビームを生成する請求項１〜１７のいずれか１項に記載の放射源と、前記ビームを受け、調整して、ターゲット部分へ送るように構成されたＥＵＶ光学システムと、を備える光学装置。
19. 極端紫外線放射を生成する方法であって、
    燃料を放射ビームに接触させることにより、プラズマ形成部位にプラズマを形成することと、
    前記プラズマの前記形成によって生成されるデブリ粒子を捕捉する受け面を有する受け構造を提供することと、
    前記受け構造の開口部内に挿入された加熱要素により前記受け面を加熱することと、を含む、方法。
20. 前記受け面によって捕捉されたデブリを溶融するのに十分な温度まで前記受け面を加熱することをさらに含む、請求項１９に記載の方法。