JP2016521643A - ゲッター層を有するmemsデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
(a)共に密閉される第1の層、第2の層及び第3の層と、
(b)第2の層内の開口部によって画定される第2の層内の可動構造体と、
(c)第1の層内の、第2の層の可動構造体に対する開口部を有する少なくとも1つの第1の層のキャビティと、
(d)第3の層内の、第2の層の可動構造体に対する開口部を有する少なくとも1つの第3の層のキャビティであって、第3の層のキャビティ及び第2の層が、MEMSデバイス内の空間を共通して画定する第3の層のキャビティと、
を備えるMEMSデバイスに関する。
(a)3つの層を提供する段階であって、前記層のうちの第1の層が、少なくとも1つの第1の層のキャビティを有し、第2の層が、可動構造体を画定する開口部を有し、第3の層が、少なくとも1つの第3の層のキャビティを有する段階と、
(b)第3の層のキャビティ及び第2の層の上部表面によって画定される領域上にゲッター層を提供する段階と、
(c)少なくとも1つの密閉された内部空間を提供するように3つの層を共に密閉する段階であって、第1の層のキャビティ及び第3の層のキャビティが、第2の層の可動構造体に対するそれらの開口部を有する段階と、
を含む。
2 MEMS層
2.1 上部表面
3 キャップ
4 絶縁層
5 シーリング層
6.1 キャビティ
6.2 キャビティ
7.1 可動構造体
7.2 可動構造体
8.1 開口部
8.2 開口部
9 キャビティ
10.1 ゲッター層
10.2 ゲッター層
11.1 導電体
11.2 導電体
11.3 導電体
12 ポリマー層
13.1 コンタクトパッド
13.2 コンタクトパッド
13.3 コンタクトパッド
21 基板
22 MEMS層
23 キャップ
24 キャビティ
25.1 リセス
25.2 リセス
25.3 リセス
26.1 ゲッター
26.2 ゲッター
26.3 ゲッター
26.4 ゲッター
27.1 可動構造体
27.2 可動構造体
30 ベースプレート
31.1 デバイス構造体
31.2 デバイス構造体
31.3 デバイス構造体
31.4 デバイス構造体
32 フレーム領域
33.1 開口部
33.2 開口部
33.3 開口部
33.4 開口部
33.5 開口部
33.6 開口部
33.7 開口部
34.1 ゲッター層
34.2 ゲッター層
35 キャッププレート
36.1 キャビティ
36.2 キャビティ
36.3 キャビティ
36.4 キャビティ
37 リム領域
40 ベースプレート
41.1 デバイス構造体
41.2 デバイス構造体
41.3 デバイス構造体
41.4 デバイス構造体
42 フレーム領域
44.1 ゲッター層
44.2 ゲッター層
44.3 ゲッター層
44.4 ゲッター層
45 キャッププレート
46.1 キャビティ
46.2 キャビティ
46.3 キャビティ
46.4 キャビティ
47 リム領域
Claims (13)
- MEMSデバイスであって、
(a)共に密閉される第1の層(1)、第2の層(2)及び第3の層(3)と、
(b)前記第2の層内の開口部(8.1、8.2)によって画定される第2の層(2)内の可動構造体(7.1、7.2)と、
(c)前記第1の層(1)内の、前記可動構造体(7.1、7.2)に対する開口部を有する少なくとも1つの第1の層のキャビティ(6.1、6.2)と、
(d)前記第3の層(3)内の、前記可動構造体(7.1、7.2)に対する開口部を有する少なくとも1つの第3の層のキャビティ(9)であって、前記第3の層のキャビティ(9)及び前記第2の層(2)が、前記MEMSデバイス内の空間を取り囲む内表面を画定する第3の層のキャビティ(9)と、
(e)前記内表面に配置される少なくとも1つのゲッター層(10.1、10.2)と、
を備えるMEMSデバイス。 - 前記少なくとも1つのゲッター層(10.1、10.2)が、前記第2の層(2)の表面に配置される、請求項1に記載のMEMSデバイス。
- 前記少なくとも1つのゲッター層(10.1、10.2)が、前記第2の層(2)の固定部に配置される、請求項2に記載のMEMSデバイス。
- 前記第3の層のキャビティ(24)が、少なくとも2つのリセス(25.1、25.2、25.3)を有し、少なくとも2つのゲッター層(26.1、26.2、26.3)が、前記リセス(25.1、25.2、25.3)の表面に配置される、請求項3に記載のMEMSデバイス。
- 前記第3の層のキャビティ(9)が、前記可動構造体より大きく、前記リセスが、前記可動構造体より小さい、請求項1から4の何れか一項に記載のMEMSデバイス。
- 前記第2の層(2)が、セミコンタクターオンインシュレーター(SOI)層である、請求項1から5の何れか一項に記載のMEMSデバイス。
- 前記第1の層(1)が、前記第1の層(1)を貫通する導電構造体(11.1、11.2、11.3)を含む、請求項1から6の何れか一項に記載のMEMSデバイス。
- 請求項1から7の何れか一項に記載の少なくとも2つのMEMSデバイスを備えるMEMSデバイスアレイであって、前記リセスが、前記可動構造体を囲うキャビティの外側にある、MEMSデバイスアレイ。
- (a)3つの層を提供する段階であって、前記3つの層のうちの第1の層が、少なくとも1つの第1の層のキャビティを有し、第2の層が、可動構造体を画定する開口部を有し、第3の層が、少なくとも1つの第3の層のキャビティを有する段階と、
(b)少なくとも1つの密閉された内部空間を提供するように前記3つの層を共に密閉する段階であって、前記第1の層のキャビティ及び前記第3の層のキャビティが、前記第2の層の可動構造体に対するそれらの開口部を有する段階と、
を含み、
(c)前記3つの層を共に密閉する前に、少なくとも1つのゲッター層が、前記内表面に提供される、請求項1に記載のMEMSデバイスの製造方法。 - 前記層が、幾つかの可動構造体、幾つかの第1の層のキャビティ及び幾つかの第3の層のキャビティを有し、その中で、前記3つの層が、複数の密閉された内部空間を提供するために共に密閉される、請求項9に記載の方法。
- 前記密閉された層が、チップに切断され、各チップが、少なくとも1つの可動構造体を備える、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1つのゲッター層(10.1、10.2)が、前記第2の層(2)の表面に配置される、請求項9から11の何れか一項に記載の方法。
- 前記第3の層のキャビティ(24)が、少なくとも2つのリセス(25.1、25.2、25.3)を有し、少なくとも2つのゲッター層(26.1、26.2、26.3)が、前記リセス(25.1、25.2、25.3)の表面に配置される、請求項9から11の何れか一項に記載の方法。
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