JP2016511938A - 単結晶窒化アルミニウム基板を組み込む光電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
実施形態1:紫外線光を放出するよう適応された光電子デバイスであって、基板の転位密度は約105個/cm2よりも小さく、且つ(002)結晶面および(102)結晶面に対する2軸ロッキング曲線の半値全幅(FWHM)は約200アークセカントよりも小さい、窒化アルミニウム単結晶基板と、
窒化アルミニウム単結晶基板上に重なる紫外線発光ダイオード構造であって、n型半導体層に電気的に接続された第1電極およびp型半導体層に電気的に接続された第2電極を含む、紫外線発光ダイオード構造と、
を含む、光電子デバイス。
実施形態2:基板の転位密度は104個/cm2よりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態3:基板の転位密度は103個/cm2よりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態4:基板の転位密度は102個/cm2よりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態5:(002)結晶面および(102)結晶面に対する2軸ロッキング曲線のFWHMは約100アークセカントよりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態6:(002)結晶面および(102)結晶面に対する2軸ロッキング曲線のFWHMは約50アークセカントよりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態7:(002)結晶面および(102)結晶面に対する2軸ロッキング曲線のFWHMは約25アークセカントよりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態8:紫外線発光ダイオード構造はn型半導体層とp型半導体層との間で延長する多重井戸活性領域をさらに含む、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態9:−10Vにおいて約10−5A/cm2より小さい逆方向リーク電流を有する、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態10:−10Vにおいて約10−6A/cm2より小さい逆方向リーク電流を有する、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態11:光電子デバイスの発光波長は約150nm〜約300nmの範囲内である、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態12:光電子デバイスの発光波長は約250nm〜約290nmの範囲内である、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態13:n型半導体層はn−Al0.75Ga0.25Nを含み、p型半導体層はp−GaNを含む、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態14:紫外線発光ダイオード構造は有機金属気相成長により基板上に堆積される、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態15:窒化アルミニウム単結晶基板は物理的蒸気輸送により調製される、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態16:28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約2000時間のL80を有する、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態17:28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約5000時間のL80を有する、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態18:基板の転位密度は約103個/cm2より小さく、(002)結晶面および(102)結晶面に対する2軸ロッキング曲線の半値全幅(FWHM)は約50アークセカントより小さく、光電子デバイスの発光波長は約150〜約300nmの範囲にあり、ダイオード構造はn型層とp型層との間で延長する多重井戸活性領域を含み、(i)−10Vにおいて約10−5A/cm2より小さい逆方向リーク電流、および(ii)28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約2000時間のL80、のうちの少なくとも1つにより特徴付けられる、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態19:(i)−10Vにおいて約10−6A/cm2より小さい逆方向リーク電流、および(ii)28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約5000時間のL80、のうちの少なくとも1つにより特徴付けられる、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態20:光電子デバイスの発光波長は約250nm〜約290nmの範囲内である、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態21:(002)結晶面および(102)結晶面に対する2軸ロッキング曲線のFWHMは約25アークセカントよりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
実施形態22:基板の転位密度は102個/cm2よりも小さい、任意の前述または後続の実施形態に記載の光電子デバイス。
を含むが、これらに限定されない。
低い欠陥密度を有するIII族窒化物半導体物質は、高性能光電子デバイスを製作するために使用することが可能である。基板の格子定数とデバイス層の格子定数との間の差異を最小化することにより、転位密度はデバイス全域において低減される。したがってAlNまたはGaNの単結晶をIII族窒化物ベースのデバイス用の基板として使用することが望ましい。なぜなら、これらの天然のIII族窒化物基板を使用することにより、基板の格子定数とデバイス層の格子定数との間の差異が最小化されるためである。またAlN基板およびGaN基板は高い熱伝導率も有し、したがって発光層において電流注入のプロセスにより生成されるジュール熱の消散を支援することが可能である。デバイス層の製作の間の熱消散によりデバイスの長寿命化が図られることが理解される。
発光デバイスなどの半導体デバイスはベース基板上に形成された多層構造を含む。発光効率を増大化するにあたっては、転位および点欠陥がほとんど存在しない高い結晶度が各層において必要となる。一般にLEDは多層構造を含み、多層構造は基板ベースの他に活性領域も含む。この活性領域は、n電極に電気的に接続されたn型半導体層と、p電極に電気的手に接続されたp型半導体層と、の間に存在する。活性領域全域にわたり低い欠陥密度を達成することは、窒化物ベースの半導体デバイスの効率および寿命のために不可欠である。上述のように、本明細書で説明する高品質基板が、低い欠陥密度および望ましい性能特性を有する光電子デバイスを構築するために使用される。
本明細書で説明する発光構造は、当該技術分野で周知のエピタキシャル成長プロセス(例えば、分子線エピタキシー(MBE:molecular−beam epitaxy)、有機金属気相成長(MOCVD:metal organic chemical vapor deposition)、ハイドライド気相成長(HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy)、液相エピタキシー(LPE:liquid phase epitaxy))、またはその他により、形成され得る。MOCVDプロセスが、デバイス層の肉厚およびドーパントの組み込みを制御するにあたり好適である。n型接点層またはMQW構造を形成するための代表的な前駆体は、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、アンモニア、シラン、またはテトラエチルシラン、およびキャリアガスとして水素ガスならびに窒素を含む。p型接点層に対する代表的な前駆体は、トリメチルアルミニウム、トリメチルガリウム、アンモニア、ビス・シクロペンタジエニル・マグネシウム、およびキャリアガスとして水素ガスならびに窒素を含む。所望により、最終的なLED構造の紫外線透過性を改善するにあたり、AlN基板は、その肉厚の大部分が除去されるまで、研磨されてもよい。例えば最終的な基板肉厚は、約100ミクロンより小さくなってもよく、さらに一般的には約75ミクロンより小さくなってよく、または約50ミクロンより小さくなる場合さえもある。
透過電子顕微鏡法(「TEM」:transmission electron microscopy)は基板内およびデバイス層内の格子歪みを特徴付けるために使用される、別の標準的方法である。結晶内の転位は、極めて薄い基板試料内を透過される電子ビームを使用することにより、直接的に撮像が可能である。画像は試料を透過される電子の相互作用から形成される。
本発明のIII族窒化物ベースの紫外線光発光デバイスは、消毒ならびに殺菌、貨幣識別、本人確認、光リソグラフィー、光線療法において、または体液もしくは他の有機物の検出に対して、UV光が使用される任意の産業分野において有用となり得る。例えば米国特許公開第2009/0250626(A1)号では、主に2つ以上の別個のUV波長で電磁放射を放出する1つまたは複数のLEDを含む液体浄化装置が開示される。なお同特許の全開示は参照することにより援用される。米国特許公開第2010/0314551(A1)号では、少なくとも1つのUV・LEDを使用して流動液体をUV放射に曝露することにより当該液体を浄化して所望の殺菌効果を生じさせるための方法およびシステムが開示される。なお同特許の全開示は参照することにより援用される。
UV発光デバイスはHexaTech社から入手可能なAlN単結晶基板15を利用して図5に示すように形成される。このAlN基板は、低い欠陥密度を含む高品質特性を有する。特にAlN基板は、約104個/cm2より小さい基板の平均拡張欠陥密度と、日常的には50アークセカントより小さく頻繁には20アークセカントより小さいXRDロッキング曲線と、を有する。
Claims (22)
- 窒化アルミニウム単結晶基板であって、前記基板の転位密度は105個/cm2よりも小さく、且つ(002)結晶面および(102)結晶面に対する2軸ロッキング曲線の半値全幅(FWHM)は約200アークセカントよりも小さい、窒化アルミニウム単結晶基板と、
前記窒化アルミニウム単結晶基板上に重なる紫外線発光ダイオード構造であって、n型半導体層に電気的に接続された第1電極およびp型半導体層に電気的に接続された第2電極を含む、紫外線発光ダイオード構造と、
を含む、紫外線光を放出するよう適応された光電子デバイス。 - 前記基板の前記転位密度は104個/cm2よりも小さい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記基板の前記転位密度は103個/cm2よりも小さい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記基板の前記転位密度は102個/cm2よりも小さい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記(002)結晶面および前記(102)結晶面に対する前記2軸ロッキング曲線の前記FWHMは約100アークセカントよりも小さい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記(002)結晶面および前記(102)結晶面に対する前記2軸ロッキング曲線の前記FWHMは約50アークセカントよりも小さい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記(002)結晶面および前記(102)結晶面に対する前記2軸ロッキング曲線の前記FWHMは約25アークセカントよりも小さい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記紫外線発光ダイオード構造は前記n型半導体層と前記p型半導体層との間で延長する多重井戸活性領域をさらに含む、請求項1に記載の光電子デバイス。
- −10Vにおいて約10−5A/cm2より小さい逆方向リーク電流を有する、請求項1に記載の光電子デバイス。
- −10Vにおいて約10−6A/cm2より小さい逆方向リーク電流を有する、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記光電子デバイスの発光波長は約150nm〜約300nmの範囲内である、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記光電子デバイスの前記発光波長は約250nm〜290nmの範囲内である、請求項11に記載の光電子デバイス。
- 前記n型半導体層はn−Al0.75Ga0.25Nを含み、前記p型半導体層はp−GaNを含む、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記紫外線発光ダイオード構造は有機金属気相成長により前記基板上に堆積される、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記窒化アルミニウム単結晶基板は物理的蒸気輸送により調製される、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約2000時間のL80を有する、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約5000時間のL80を有する、請求項16に記載の光電子デバイス。
- 前記基板の前記転位密度は約103個/cm2より小さく、前記(002)結晶面および前記(102)結晶面に対する前記2軸ロッキング曲線の前記半値全幅(FWHM)は約50アークセカントより小さく、前記光電子デバイスの発光波長は約150〜約300nmの範囲にあり、前記ダイオード構造は前記n型層と前記p型層との間で延長する多重井戸活性領域を含み、前記光電子デバイスは、(i)−10Vにおいて約10−5A/cm2より小さい逆方向リーク電流、および(ii)28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約2000時間のL80、のうちの少なくとも1つにより特徴付けられる、請求項1に記載の光電子デバイス。
- (i)−10Vにおいて約10−6A/cm2より小さい逆方向リーク電流、および(ii)28A/cm2の注入電流密度において少なくとも約5000時間のL80、のうちの少なくとも1つにより特徴付けられる、請求項18に記載の光電子デバイス。
- 前記光電子デバイスの前記発光波長は約250nm〜290nmの範囲内である、請求項18に記載の光電子デバイス。
- 前記(002)結晶面および前記(102)結晶面に対する前記2軸ロッキング曲線の前記FWHMは約25アークセカントよりも小さい、請求項18に記載の光電子デバイス。
- 前記基板の前記転位密度は102個/cm2よりも小さい、請求項18に記載の光電子デバイス。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022028712A (ja) * | 2016-11-29 | 2022-02-16 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | 薄膜および基板除去iii族窒化物ベースのデバイスおよび方法 |
WO2023187882A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 日本碍子株式会社 | AlN単結晶基板 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160005919A1 (en) * | 2013-02-05 | 2016-01-07 | Tokuyama Corporation | Nitride semiconductor light emitting device |
EP3267498B1 (en) * | 2015-03-06 | 2021-03-24 | Stanley Electric Co., Ltd. | Group iii nitride semiconductor light emitting element and wafer containing element structure |
WO2016143653A1 (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物積層体、及び該積層体を有する発光素子 |
JP2017028076A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物発光素子の製造方法 |
WO2018038105A1 (ja) | 2016-08-26 | 2018-03-01 | スタンレー電気株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US11071853B2 (en) | 2017-06-21 | 2021-07-27 | Uv Light Care, Inc. | System and method for sterilization using ultraviolet radiation |
TW201933625A (zh) * | 2018-01-19 | 2019-08-16 | 晶元光電股份有限公司 | 發光元件及其製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7678195B2 (en) * | 2005-04-07 | 2010-03-16 | North Carolina State University | Seeded growth process for preparing aluminum nitride single crystals |
US20100264460A1 (en) * | 2007-01-26 | 2010-10-21 | Grandusky James R | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
WO2012056928A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社トクヤマ | 光学素子の製造方法 |
Family Cites Families (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523589A (en) | 1994-09-20 | 1996-06-04 | Cree Research, Inc. | Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime |
US5592501A (en) | 1994-09-20 | 1997-01-07 | Cree Research, Inc. | Low-strain laser structures with group III nitride active layers |
US5858086A (en) | 1996-10-17 | 1999-01-12 | Hunter; Charles Eric | Growth of bulk single crystals of aluminum nitride |
US5954874A (en) | 1996-10-17 | 1999-09-21 | Hunter; Charles Eric | Growth of bulk single crystals of aluminum nitride from a melt |
US5900212A (en) | 1997-01-27 | 1999-05-04 | Hydro-Photon, Inc. | Hand-held ultraviolet water purification system |
US20070086912A1 (en) | 1997-08-26 | 2007-04-19 | Color Kinetics Incorporated | Ultraviolet light emitting diode systems and methods |
US6045612A (en) | 1998-07-07 | 2000-04-04 | Cree, Inc. | Growth of bulk single crystals of aluminum nitride |
CN1181561C (zh) | 2000-03-03 | 2004-12-22 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置 |
US6579495B1 (en) | 2000-07-27 | 2003-06-17 | Hydro Photon, Inc. | Hand-held ultraviolet water purification system using solid state devices |
JP4374156B2 (ja) | 2000-09-01 | 2009-12-02 | 日本碍子株式会社 | Iii−v族窒化物膜の製造装置及び製造方法 |
US7501023B2 (en) | 2001-07-06 | 2009-03-10 | Technologies And Devices, International, Inc. | Method and apparatus for fabricating crack-free Group III nitride semiconductor materials |
US20060005763A1 (en) | 2001-12-24 | 2006-01-12 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
US8545629B2 (en) * | 2001-12-24 | 2013-10-01 | Crystal Is, Inc. | Method and apparatus for producing large, single-crystals of aluminum nitride |
US7638346B2 (en) | 2001-12-24 | 2009-12-29 | Crystal Is, Inc. | Nitride semiconductor heterostructures and related methods |
US6888170B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-05-03 | Cornell Research Foundation, Inc. | Highly doped III-nitride semiconductors |
US6953740B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-10-11 | Cornell Research Foundation, Inc. | Highly doped III-nitride semiconductors |
JP2006501059A (ja) | 2002-09-26 | 2006-01-12 | ハイドロ−フォトン,インコーポレイテッド | 断続動作可能な流液型のハイドレーションシステムのためのuvledベースの浄水モジュール |
US20050000913A1 (en) | 2003-07-03 | 2005-01-06 | Mark Betterly | Fluid treatment system |
US7355284B2 (en) | 2004-03-29 | 2008-04-08 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element |
US7431463B2 (en) | 2004-03-30 | 2008-10-07 | Goldeneye, Inc. | Light emitting diode projection display systems |
GB2415707A (en) | 2004-06-30 | 2006-01-04 | Arima Optoelectronic | Vertical hydride vapour phase epitaxy deposition using a homogenising diaphragm |
US7678198B2 (en) | 2004-08-12 | 2010-03-16 | Cardinal Cg Company | Vertical-offset coater |
US20060138443A1 (en) | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Iii-N Technology, Inc. | Encapsulation and packaging of ultraviolet and deep-ultraviolet light emitting diodes |
US20060216193A1 (en) | 2005-03-22 | 2006-09-28 | Johnson Kaj A | Cleaning tools with UV flash unit |
JP4895520B2 (ja) | 2005-03-28 | 2012-03-14 | 日本電信電話株式会社 | ショットキーダイオードおよびその製造方法 |
ATE520634T1 (de) | 2005-04-06 | 2011-09-15 | Univ North Carolina State | Verfahren zur herstellung von dichten, geformten gegenständen aus einem feuerfesten material |
JP2006290662A (ja) | 2005-04-08 | 2006-10-26 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | アルミニウム系iii族窒化物結晶の製造方法並びに製造装置 |
WO2006124067A1 (en) | 2005-05-11 | 2006-11-23 | North Carolina State University | Controlled polarity group iii-nitride films and methods of preparing such films |
DE102005023026B4 (de) | 2005-05-13 | 2016-06-16 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleiterbauelement mit Plattenkondensator-Struktur |
JP4980594B2 (ja) * | 2005-08-03 | 2012-07-18 | 京セラ株式会社 | P型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 |
US20070096239A1 (en) | 2005-10-31 | 2007-05-03 | General Electric Company | Semiconductor devices and methods of manufacture |
EP1960570A2 (en) | 2005-11-28 | 2008-08-27 | Crystal Is, Inc. | Large aluminum nitride crystals with reduced defects and methods of making them |
EP1954857B1 (en) | 2005-12-02 | 2018-09-26 | Crystal Is, Inc. | Doped aluminum nitride crystals and methods of making them |
US20070131872A1 (en) | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Shearer Jon D | Water-purification device for a potable water system |
US7931859B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-04-26 | Intelligent Hospital Systems Ltd. | Ultraviolet sanitization in pharmacy environments |
KR100658970B1 (ko) | 2006-01-09 | 2006-12-19 | 주식회사 메디아나전자 | 복합 파장의 광을 발생시키는 발광 다이오드 소자 |
WO2007123735A1 (en) | 2006-03-30 | 2007-11-01 | Crystal Is, Inc. | Methods for controllable doping of aluminum nitride bulk crystals |
GB0606604D0 (en) | 2006-04-01 | 2006-05-10 | P W Circuts Ltd | Treatment apparatus |
TW200804635A (en) | 2006-05-08 | 2008-01-16 | Univ California | Method and meterials for growing III-nitride semiconductor compounds containing aluminum |
US8232091B2 (en) | 2006-05-17 | 2012-07-31 | California Institute Of Technology | Thermal cycling system |
EP2038456B1 (en) | 2006-06-09 | 2014-03-05 | Soitec | System and process for high volume deposition of gallium nitride |
US7498645B2 (en) | 2006-10-04 | 2009-03-03 | Iii-N Technology, Inc. | Extreme ultraviolet (EUV) detectors based upon aluminum nitride (ALN) wide bandgap semiconductors |
US8323406B2 (en) | 2007-01-17 | 2012-12-04 | Crystal Is, Inc. | Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth |
US9437430B2 (en) | 2007-01-26 | 2016-09-06 | Crystal Is, Inc. | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
US7862728B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-01-04 | Water Of Life, Llc. | Ultraviolet water purification system |
JPWO2009090821A1 (ja) | 2008-01-16 | 2011-05-26 | 国立大学法人東京農工大学 | Al系III族窒化物単結晶層を有する積層体の製造方法、該製法で製造される積層体、該積層体を用いたAl系III族窒化物単結晶基板の製造方法、および、窒化アルミニウム単結晶基板 |
JP5324110B2 (ja) | 2008-01-16 | 2013-10-23 | 国立大学法人東京農工大学 | 積層体およびその製造方法 |
US20090250626A1 (en) | 2008-04-04 | 2009-10-08 | Hexatech, Inc. | Liquid sanitization device |
EP2309040A4 (en) | 2008-07-01 | 2014-08-13 | Sumitomo Electric Industries | PROCESS FOR THE PRODUCTION OF ALXGA (1-X) N MONOCRYSTAL, MONOCRYSTAL OF ALXGA (1-X) N AND OPTICAL LENSES |
US7915178B2 (en) | 2008-07-30 | 2011-03-29 | North Carolina State University | Passivation of aluminum nitride substrates |
US8633493B2 (en) | 2008-08-04 | 2014-01-21 | Goldeneye, Inc. | Large area thin freestanding nitride layers and their use as circuit layers |
JP2010042950A (ja) | 2008-08-11 | 2010-02-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | AlN結晶の製造方法、AlN基板の製造方法および圧電振動子の製造方法 |
US7842974B2 (en) | 2009-02-18 | 2010-11-30 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Gallium nitride heterojunction schottky diode |
JP4565042B1 (ja) | 2009-04-22 | 2010-10-20 | 株式会社トクヤマ | Iii族窒化物結晶基板の製造方法 |
US8552562B2 (en) | 2009-06-01 | 2013-10-08 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Profiled contact for semiconductor device |
US20100314551A1 (en) | 2009-06-11 | 2010-12-16 | Bettles Timothy J | In-line Fluid Treatment by UV Radiation |
EP2508656A4 (en) * | 2009-11-30 | 2013-08-07 | Univ Tohoku | PROCESS FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE ALUMINUM NITRIDE |
KR20110080318A (ko) * | 2010-01-05 | 2011-07-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
WO2012003304A1 (en) | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Crystal Is, Inc. | Growth of large aluminum nitride single crystals with thermal-gradient control |
KR20130078281A (ko) | 2011-12-30 | 2013-07-10 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 소자 및 이의 제조방법 |
US8796082B1 (en) | 2013-02-22 | 2014-08-05 | The United States Of America As Represented By The Scretary Of The Army | Method of optimizing a GA—nitride device material structure for a frequency multiplication device |
-
2014
- 2014-01-28 KR KR1020157023114A patent/KR102115752B1/ko active IP Right Grant
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2016
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7678195B2 (en) * | 2005-04-07 | 2010-03-16 | North Carolina State University | Seeded growth process for preparing aluminum nitride single crystals |
US20100264460A1 (en) * | 2007-01-26 | 2010-10-21 | Grandusky James R | Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers |
WO2012056928A1 (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | 株式会社トクヤマ | 光学素子の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022028712A (ja) * | 2016-11-29 | 2022-02-16 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | 薄膜および基板除去iii族窒化物ベースのデバイスおよび方法 |
JP7216790B2 (ja) | 2016-11-29 | 2023-02-01 | パロ アルト リサーチ センター インコーポレイテッド | 薄膜および基板除去iii族窒化物ベースのデバイスおよび方法 |
WO2023187882A1 (ja) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | 日本碍子株式会社 | AlN単結晶基板 |
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Publication number | Publication date |
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