JP2016225588A - Plasma processing device and focus ring - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の種々の側面及び実施形態は、プラズマ処理装置およびフォーカスリングに関する。 Various aspects and embodiments of the present invention relate to a plasma processing apparatus and a focus ring.
従来、プラズマ処理装置では、チャンバの内部に配置された載置台に被処理体を載置する。載置台には、載置面に載置された被処理体を囲むように導電エッジリング（フォーカスリングとも呼ばれる）が設けられる。このようなフォーカスリングとしては、例えば、載置台の載置面よりも低い第１の平坦部と、第１の平坦部および被処理体の被処理面よりも高い第２の平坦部とが内周側から外周側へ向けて順に形成されたフォーカスリングが知られている（例えば、下記特許文献１参照）。 Conventionally, in a plasma processing apparatus, an object to be processed is mounted on a mounting table disposed inside a chamber. The mounting table is provided with a conductive edge ring (also referred to as a focus ring) so as to surround the object to be processed mounted on the mounting surface. Examples of such a focus ring include a first flat portion that is lower than the mounting surface of the mounting table, and a second flat portion that is higher than the first flat portion and the processing surface of the target object. A focus ring formed in order from the peripheral side to the outer peripheral side is known (for example, see Patent Document 1 below).
ところで、被処理体への処理が繰り返されると、フォーカスリングが消耗する。フォーカスリングが消耗すると、フォーカスリングの形状が変わり、フォーカスリングの上方に形成されるプラズマシースと、被処理体の上方に形成されるプラズマシースとの間の高さの大小関係が変動する。そのため、フォーカスリングの消耗により、プラズマ中のイオン等の粒子が被処理体へ入射する傾きが変動することになる。 By the way, when the process on the object to be processed is repeated, the focus ring is consumed. When the focus ring is consumed, the shape of the focus ring changes, and the height relationship between the plasma sheath formed above the focus ring and the plasma sheath formed above the object to be processed changes. Therefore, the tilt at which particles such as ions in the plasma are incident on the object to be processed varies due to the consumption of the focus ring.
フォーカスリングの消耗に伴って、プラズマ中のイオン等の粒子が被処理体へ入射する傾きの変動が大きくなると、ホールの傾きのばらつきを予め定められたスペック内に抑えることが困難となる。そのため、ホールの傾きのばらつきが予め定められたスペックを超える前に、フォーカスリングを交換することになる。フォーカスリングを頻繁に交換すると、そのたびにプロセスを停止させることになり、プロセスのスループットが低下する。 As the focus ring is consumed, if the variation in the inclination of the particles such as ions in the plasma entering the object to be processed becomes large, it becomes difficult to suppress the variation in the inclination of the hole within a predetermined specification. For this reason, the focus ring is replaced before the variation in the inclination of the hole exceeds a predetermined specification. If the focus ring is changed frequently, the process is stopped each time, and the throughput of the process is lowered.
本発明の一側面は、例えばプラズマ処理装置であって、チャンバと、載置台と、フォーカスリングとを備える。チャンバは、被処理体をプラズマ処理する。載置台は、チャンバの内部に設けられ、被処理体が載置される載置面を有する。フォーカスリングは、載置面に載置された被処理体を囲むように載置台の周囲に設けられ、載置面よりも低い第１の平坦部と、第１の平坦部よりも低い第２の平坦部と、第１の平坦部よりも高い第３の平坦部とが内周側から外周側へ向けて順に形成される。 One aspect of the present invention is, for example, a plasma processing apparatus, which includes a chamber, a mounting table, and a focus ring. The chamber performs plasma processing on the object to be processed. The mounting table is provided inside the chamber and has a mounting surface on which the object to be processed is mounted. The focus ring is provided around the mounting table so as to surround the object to be processed mounted on the mounting surface, and has a first flat portion lower than the mounting surface and a second lower than the first flat portion. The flat portion and the third flat portion higher than the first flat portion are sequentially formed from the inner peripheral side toward the outer peripheral side.
本発明の種々の側面および実施形態によれば、フォーカスリングの消耗に伴うホールの傾きの変動を抑制することができる。 According to various aspects and embodiments of the present invention, it is possible to suppress fluctuations in the inclination of the hole due to wear of the focus ring.
開示するプラズマ処理装置は、１つの実施形態において、チャンバと、載置台と、フォーカスリングとを備える。チャンバは、被処理体をプラズマ処理する。載置台は、チャンバの内部に設けられ、被処理体が載置される載置面を有する。フォーカスリングは、載置面に載置された被処理体を囲むように載置台の周囲に設けられたフォーカスリングであって、載置面よりも低い第１の平坦部と、第１の平坦部よりも低い第２の平坦部と、第１の平坦部よりも高い第３の平坦部とが内周側から外周側へ向けて順に形成される。 In one embodiment, the disclosed plasma processing apparatus includes a chamber, a mounting table, and a focus ring. The chamber performs plasma processing on the object to be processed. The mounting table is provided inside the chamber and has a mounting surface on which the object to be processed is mounted. The focus ring is a focus ring provided around the mounting table so as to surround the target object mounted on the mounting surface, and includes a first flat portion lower than the mounting surface and a first flat surface. A second flat portion lower than the first flat portion and a third flat portion higher than the first flat portion are sequentially formed from the inner peripheral side toward the outer peripheral side.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、第１の平坦部と第２の平坦部との間には、フォーカスリングの内周側から外周側へ進むに従って低くなる傾斜面が設けられてもよい。 In one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, an inclined surface is provided between the first flat portion and the second flat portion, which decreases as the focus ring advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side. May be.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、第２の平坦部と第３の平坦部との間には、フォーカスリングの内周側から外周側へ進むに従って高くなる傾斜面が設けられてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, an inclined surface that increases as it advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring is provided between the second flat portion and the third flat portion. May be.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、第２の平坦部と第３の平坦部との間には、フォーカスリングの厚さ方向に第２の平坦部から第１の高さまで延伸する壁面部が設けられてもよく、傾斜面は、第１の高さから第３の平坦部までの間に設けられてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, the second flat portion and the third flat portion are extended from the second flat portion to the first height in the thickness direction of the focus ring. A wall surface portion may be provided, and the inclined surface may be provided between the first height and the third flat portion.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、第１の高さは、第２の平坦部から第１の平坦部までの高さと同じかそれよりも高くてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, the first height may be equal to or higher than the height from the second flat portion to the first flat portion.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、フォーカスリングの径方向において、第１の平坦部の幅は、第２の平坦部の幅より狭くてもよい。 In one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, the width of the first flat portion may be narrower than the width of the second flat portion in the radial direction of the focus ring.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、フォーカスリングの径方向において、第２の平坦部の幅は、第３の平坦部の幅より狭くてもよい。 In one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, the width of the second flat portion may be narrower than the width of the third flat portion in the radial direction of the focus ring.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、第３の平坦部は、載置台の載置面に載置された被処理体の被処理面よりも高い位置に設けられてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, the third flat portion may be provided at a position higher than the processing surface of the target object placed on the mounting surface of the mounting table.
また、開示するプラズマ処理装置の１つの実施形態において、第１の平坦部は、載置台の載置面よりも低い位置に設けられてもよい。 Moreover, in one embodiment of the disclosed plasma processing apparatus, the first flat portion may be provided at a position lower than the placement surface of the placement table.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態は、被処理体をプラズマ処理するためのチャンバの内部に設けられ、載置台の載置面に載置された被処理体を囲むように載置台の周囲に設けられたフォーカスリングであって、載置面よりも低い第１の平坦部と、第１の平坦部よりも低い第２の平坦部と、第１の平坦部よりも高い第３の平坦部とを備え、第１の平坦部、第２の平坦部、および第３の平坦部は、フォーカスリングの内周側から外周側へ向けて順に配置される。 In addition, one embodiment of the disclosed focus ring is provided in a chamber for plasma processing a target object, and includes a mounting table that surrounds the target object mounted on the mounting surface of the mounting table. A focus ring provided around the first flat portion that is lower than the mounting surface, a second flat portion that is lower than the first flat portion, and a third flat portion that is higher than the first flat portion. The first flat portion, the second flat portion, and the third flat portion are sequentially arranged from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、第１の平坦部と第２の平坦部との間には、フォーカスリングの内周側から外周側へ進むに従って低くなる傾斜面が設けられてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed focus ring, an inclined surface that decreases as it advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring is provided between the first flat portion and the second flat portion. Also good.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、第２の平坦部と第３の平坦部との間には、フォーカスリングの内周側から外周側へ進むに従って高くなる傾斜面が設けられてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed focus ring, an inclined surface that increases as it advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring is provided between the second flat portion and the third flat portion. Also good.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、第２の平坦部と第３の平坦部との間には、フォーカスリングの厚さ方向に第２の平坦部から第１の高さまで延伸する壁面部が設けられてもよく、傾斜面は、第１の高さから第３の平坦部までの間に設けられてもよい。 In one embodiment of the disclosed focus ring, the second flat portion extends from the second flat portion to the first height in the thickness direction of the focus ring between the second flat portion and the third flat portion. A wall surface portion may be provided, and the inclined surface may be provided between the first height and the third flat portion.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、第１の高さは、第２の平坦部から第１の平坦部までの高さと同じかそれよりも高くてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed focus ring, the first height may be equal to or higher than the height from the second flat portion to the first flat portion.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、フォーカスリングの径方向において、第１の平坦部の幅は、第２の平坦部の幅より狭くてもよい。 In one embodiment of the disclosed focus ring, the width of the first flat portion may be smaller than the width of the second flat portion in the radial direction of the focus ring.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、フォーカスリングの径方向において、第２の平坦部の幅は、第３の平坦部の幅より狭くてもよい。 In one embodiment of the disclosed focus ring, the width of the second flat portion may be smaller than the width of the third flat portion in the radial direction of the focus ring.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、第３の平坦部は、載置台の載置面に載置された被処理体の被処理面よりも高い位置に設けられてもよい。 Moreover, in one embodiment of the disclosed focus ring, the third flat portion may be provided at a position higher than the processing target surface of the target object mounted on the mounting surface of the mounting table.
また、開示するフォーカスリングの１つの実施形態において、第１の平坦部は、載置台の載置面よりも低い位置に設けられてもよい。 Further, in one embodiment of the disclosed focus ring, the first flat portion may be provided at a position lower than the placement surface of the placement table.
以下に、開示するプラズマ処理装置およびフォーカスリングの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示される発明が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。 Hereinafter, embodiments of the disclosed plasma processing apparatus and focus ring will be described in detail based on the drawings. In addition, the invention disclosed by this embodiment is not limited. In addition, the embodiments can be appropriately combined within a range that does not contradict processing contents.
［プラズマ処理装置１００の構成］
図１は、プラズマ処理装置１００全体の概略構成の一例を模式的に示す断面図である。図１に示すように、プラズマ処理装置１００は、内部を気密に閉塞可能に構成された処理室を構成する円筒状のチャンバ１を有する。チャンバ１は、例えばアルミニウム等で形成される。チャンバ１の内部には、被処理体である半導体ウエハＷが載置され、下部電極としても機能する載置台２が設けられている。載置台２は、例えばアルミニウム等の導電性材料によりブロック状に形成される。
[Configuration of Plasma Processing Apparatus 100]
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an example of a schematic configuration of the entire plasma processing apparatus 100. As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 100 includes a cylindrical chamber 1 that constitutes a processing chamber that can be hermetically closed. The chamber 1 is made of, for example, aluminum. Inside the chamber 1, there is provided a mounting table 2 on which a semiconductor wafer W as an object to be processed is mounted and also functions as a lower electrode. The mounting table 2 is formed in a block shape from a conductive material such as aluminum.
載置台２は、セラミックなどの絶縁板３を介してチャンバ１内に支持されている。載置台２の上面には、半導体ウエハＷを吸着するための静電チャック９が設けられている。静電チャック９は、絶縁体で形成され、内部に電極９ｂを有する。電極９ｂは、直流電源１０に接続される。静電チャック９の上面には、半導体ウエハＷを保持する保持面９ａが形成されている。静電チャック９は、直流電源１０から電極９ｂに印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、保持面９ａにおいて半導体ウエハＷを吸着保持する。 The mounting table 2 is supported in the chamber 1 via an insulating plate 3 such as ceramic. An electrostatic chuck 9 for adsorbing the semiconductor wafer W is provided on the upper surface of the mounting table 2. The electrostatic chuck 9 is made of an insulator and has an electrode 9b inside. The electrode 9b is connected to the DC power supply 10. A holding surface 9 a for holding the semiconductor wafer W is formed on the upper surface of the electrostatic chuck 9. The electrostatic chuck 9 sucks and holds the semiconductor wafer W on the holding surface 9a by a Coulomb force generated by a DC voltage applied from the DC power supply 10 to the electrode 9b.
静電チャック９の保持面９ａは、載置台２の載置面に相当する。したがって、以下では、静電チャック９、絶縁性部材３１、導電性部材３２、および載置台２を併せて「載置台２」と適宜表記し、載置台２の載置面を「静電チャック９の保持面９ａ」と適宜表記する。 The holding surface 9 a of the electrostatic chuck 9 corresponds to the mounting surface of the mounting table 2. Therefore, hereinafter, the electrostatic chuck 9, the insulating member 31, the conductive member 32, and the mounting table 2 are collectively referred to as “mounting table 2” as appropriate, and the mounting surface of the mounting table 2 is referred to as “electrostatic chuck 9. Of the holding surface 9a ".
静電チャック９の外周には、周辺肩部９ｃが形成されている。周辺肩部９ｃの上面は、保持面９ａよりも低い。静電チャック９の周辺肩部９ｃの外側面には、例えば石英等で形成された絶縁性部材３１が配置される。また、静電チャック９の周辺肩部９ｃの上面には、例えばアルミニウム等で形成された導電性部材３２が配置される。 A peripheral shoulder 9 c is formed on the outer periphery of the electrostatic chuck 9. The upper surface of the peripheral shoulder 9c is lower than the holding surface 9a. An insulating member 31 made of, for example, quartz is disposed on the outer surface of the peripheral shoulder 9c of the electrostatic chuck 9. Further, a conductive member 32 made of, for example, aluminum is disposed on the upper surface of the peripheral shoulder 9c of the electrostatic chuck 9.
また、載置台２の内部には、温度制御のための熱媒体である絶縁性流体を循環させるための流路４と、ヘリウムガス等の温度制御用のガスを半導体ウエハＷの裏面に供給するためのガス流路５が設けられている。流路４内に所定温度に制御された絶縁性流体を循環させることによって、載置台２を所定温度に制御し、この載置台２と半導体ウエハＷの裏面との間にガス流路５を介して温度制御用のガスを供給してこれらの間の熱交換を促進することにより、載置台２は、載置面に載置された半導体ウエハＷを精度良くかつ効率的に所定温度に制御することができる。 Further, inside the mounting table 2, a flow path 4 for circulating an insulating fluid, which is a heat medium for temperature control, and a temperature control gas such as helium gas are supplied to the back surface of the semiconductor wafer W. A gas flow path 5 is provided. By circulating an insulating fluid controlled to a predetermined temperature in the flow path 4, the mounting table 2 is controlled to a predetermined temperature, and the gas flow path 5 is interposed between the mounting table 2 and the back surface of the semiconductor wafer W. Then, by supplying a temperature control gas and promoting heat exchange between them, the mounting table 2 accurately and efficiently controls the semiconductor wafer W mounted on the mounting surface to a predetermined temperature. be able to.
載置台２には、整合器６を介して、高周波電源７が接続されている。高周波電源７は、所定の周波数の高周波電力を、整合器６を介して載置台２に供給する。 A high frequency power source 7 is connected to the mounting table 2 via a matching unit 6. The high frequency power source 7 supplies high frequency power having a predetermined frequency to the mounting table 2 via the matching unit 6.
また、図１に示すように、プラズマ処理装置１００は、載置台２の載置面、すなわち、静電チャック９の保持面９ａに載置された半導体ウエハＷを囲むように載置台２の周囲に設けられたフォーカスリング８を有する。フォーカスリング８は、例えば、シリコン、カーボン、ＳｉＣ等の導電性材料によりリング状に形成される。 As shown in FIG. 1, the plasma processing apparatus 100 is arranged around the mounting table 2 so as to surround the semiconductor wafer W mounted on the mounting surface of the mounting table 2, that is, the holding surface 9 a of the electrostatic chuck 9. The focus ring 8 is provided. The focus ring 8 is formed in a ring shape from a conductive material such as silicon, carbon, SiC, or the like.
また、フォーカスリング８の外側には、環状に形成された排気リング１１が設けられる。排気リング１１には、多数の排気孔が形成されている。排気リング１１を介して、排気ポート１２に接続された真空ポンプ等の排気装置１３により、チャンバ１内の処理空間が真空排気される。 In addition, an exhaust ring 11 formed in an annular shape is provided outside the focus ring 8. A number of exhaust holes are formed in the exhaust ring 11. The processing space in the chamber 1 is evacuated by an exhaust device 13 such as a vacuum pump connected to the exhaust port 12 through the exhaust ring 11.
一方、載置台２の上方のチャンバ１の天井部分には、シャワーヘッド１４が、載置台２に対向するように設けられている。シャワーヘッド１４および載置台２は、一対の電極（上部電極と下部電極）として機能する。また、シャワーヘッド１４には、整合器１５を介して高周波電源１６が接続されている。 On the other hand, a shower head 14 is provided on the ceiling portion of the chamber 1 above the mounting table 2 so as to face the mounting table 2. The shower head 14 and the mounting table 2 function as a pair of electrodes (an upper electrode and a lower electrode). A high frequency power supply 16 is connected to the shower head 14 via a matching unit 15.
シャワーヘッド１４は、下面に多数のガス吐出孔１７が設けられており、その上部にガス導入部１８を有している。シャワーヘッド１４の内部にはガス拡散用空隙１９が形成されている。ガス導入部１８にはガス供給配管２０の一端が接続されており、ガス供給配管２０の他端には、ガス供給系２１が接続されている。ガス供給系２１は、ガス流量を制御するためのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２２と、例えばエッチング用の処理ガス等を供給するための処理ガス供給源２３とを有する。 The shower head 14 is provided with a large number of gas discharge holes 17 on the lower surface, and has a gas introduction part 18 on the upper part thereof. A gas diffusion space 19 is formed in the shower head 14. One end of a gas supply pipe 20 is connected to the gas introduction part 18, and a gas supply system 21 is connected to the other end of the gas supply pipe 20. The gas supply system 21 includes a mass flow controller (MFC) 22 for controlling the gas flow rate and a processing gas supply source 23 for supplying a processing gas for etching, for example.
［フォーカスリング８の詳細］
次に、図２を用いて、図１に示したフォーカスリング８について更に説明する。図２は、フォーカスリング８、半導体ウエハＷ、静電チャック９、および載置台２の位置関係の一例を模式的に示す拡大断面図である。
[Details of Focus Ring 8]
Next, the focus ring 8 shown in FIG. 1 will be further described with reference to FIG. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view schematically showing an example of the positional relationship among the focus ring 8, the semiconductor wafer W, the electrostatic chuck 9, and the mounting table 2.
例えば図２に示すように、フォーカスリング８には、第１の平坦部８ａと、第２の平坦部８ｂと、第３の平坦部８ｃとが、フォーカスリング８の内周側（図２の左側）から外周側（図２の右側）へ向けて順に形成されている。第１の平坦部８ａは、載置台２の載置面、すなわち、静電チャック９の保持面９ａよりも低く、一部が半導体ウエハＷの下に配置される。第２の平坦部８ｂは、第１の平坦部８ａよりも低い位置に配置される。第３の平坦部８ｃは、第１の平坦部８ａよりも高い位置に配置される。本実施形態において、第３の平坦部８ｃは、静電チャック９の保持面９ａに載置された半導体ウエハＷの被処理面よりも高い位置に配置される。 For example, as shown in FIG. 2, the focus ring 8 includes a first flat portion 8a, a second flat portion 8b, and a third flat portion 8c on the inner peripheral side of the focus ring 8 (FIG. 2). It is formed in order from the left side to the outer peripheral side (right side in FIG. 2). The first flat portion 8 a is lower than the mounting surface of the mounting table 2, that is, the holding surface 9 a of the electrostatic chuck 9, and a part thereof is disposed below the semiconductor wafer W. The 2nd flat part 8b is arrange | positioned in the position lower than the 1st flat part 8a. The 3rd flat part 8c is arrange | positioned in the position higher than the 1st flat part 8a. In the present embodiment, the third flat portion 8 c is disposed at a position higher than the surface to be processed of the semiconductor wafer W placed on the holding surface 9 a of the electrostatic chuck 9.
また、本実施形態のフォーカスリング８では、フォーカスリング８の径方向（図２の左右方向）において、第１の平坦部８ａの幅Ｌ１は、第２の平坦部８ｂの幅Ｌ２よりも狭い。また、フォーカスリング８の径方向において、第２の平坦部８ｂの幅Ｌ２は、第３の平坦部８ｃの幅Ｌ３よりも狭い。 In the focus ring 8 of the present embodiment, the width L1 of the first flat portion 8a is narrower than the width L2 of the second flat portion 8b in the radial direction of the focus ring 8 (the left-right direction in FIG. 2). In the radial direction of the focus ring 8, the width L2 of the second flat portion 8b is narrower than the width L3 of the third flat portion 8c.
ここで、第１の平坦部８ａ、第２の平坦部８ｂ、および第３の平坦部８ｃがフォーカスリング８に形成される理由について、従来のフォーカスリングＦＲと、本実施形態におけるフォーカスリング８とを対比しながら説明する。図３は、従来のフォーカスリングＦＲの消耗に伴うイオンの入射方向の傾きの変動を示す説明図である。図４は、実施形態におけるフォーカスリング８の消耗に伴うイオンの入射方向の傾きの変動を示す説明図である。なお、図３に示したフォーカスリングＦＲには、載置台２の載置面、すなわち、静電チャック９の保持面９ａよりも低い第１の平坦面８ｉと、半導体ウエハＷの被処理面よりも高い第２の平坦面８ｋとがフォーカスリングＦＲの内周側から外周側へ向けて順に形成されている。また、第１の平坦面８ｉと第２の平坦面８ｋとの間には、フォーカスリングＦＲの内周側から外周側へ進むに従って高くなる傾斜面８ｊが形成されている。 Here, the reason why the first flat portion 8a, the second flat portion 8b, and the third flat portion 8c are formed on the focus ring 8 will be described with reference to the conventional focus ring FR and the focus ring 8 in the present embodiment. A description will be given while comparing. FIG. 3 is an explanatory diagram showing fluctuations in the tilt of the incident direction of ions accompanying the consumption of the conventional focus ring FR. FIG. 4 is an explanatory diagram showing fluctuations in the inclination of the incident direction of ions accompanying the consumption of the focus ring 8 in the embodiment. Note that the focus ring FR shown in FIG. 3 includes a mounting surface of the mounting table 2, that is, a first flat surface 8 i lower than the holding surface 9 a of the electrostatic chuck 9 and a surface to be processed of the semiconductor wafer W. The higher second flat surface 8k is formed in order from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring FR. Further, an inclined surface 8j is formed between the first flat surface 8i and the second flat surface 8k. The inclined surface 8j becomes higher as the focus ring FR advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side.
まず、図３を用いて、従来のフォーカスリングＦＲについて説明する。フォーカスリングＦＲが消耗していない場合には、例えば図３の（ａ）に示すように、フォーカスリングＦＲの上方のプラズマシースは、半導体ウエハＷの上方のプラズマシースよりも高い位置に形成される。この場合、半導体ウエハＷの周縁部付近では、プラズマ中のイオンが半導体ウエハＷの被処理面の中心部から周縁部に向けて斜めに入射する。これにより、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部付近に形成されるホールの形状は、鉛直方向に対して半導体ウエハＷの被処理面の周縁部に向けて斜めに傾く。 First, a conventional focus ring FR will be described with reference to FIG. When the focus ring FR is not consumed, the plasma sheath above the focus ring FR is formed at a higher position than the plasma sheath above the semiconductor wafer W, for example, as shown in FIG. . In this case, in the vicinity of the peripheral edge of the semiconductor wafer W, ions in the plasma are obliquely incident from the center of the surface to be processed of the semiconductor wafer W toward the peripheral edge. Thereby, the shape of the hole formed in the vicinity of the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W is inclined obliquely toward the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W with respect to the vertical direction.
そして、フォーカスリングＦＲがプラズマにより消耗すると、フォーカスリングＦＲの高さが低くなる。これにより、例えば図３の（ｂ）に示すように、フォーカスリングＦＲの上方のプラズマシースの位置が低くなり、半導体ウエハＷの中心部付近の上方に形成されたプラズマシースよりも、半導体ウエハＷの周縁部付近の上方に形成されたプラズマシースの位置が低くなる。これにより、半導体ウエハＷの周縁部付近において、プラズマ中のイオンが半導体ウエハＷの被処理面の周縁部から中心部に向けて斜めに入射する。これにより、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部付近に形成されるホールの形状は、鉛直方向に対して半導体ウエハＷの被処理面の中心部に向けて斜めに傾く。 When the focus ring FR is consumed by the plasma, the height of the focus ring FR is lowered. As a result, for example, as shown in FIG. 3B, the position of the plasma sheath above the focus ring FR is lowered, and the semiconductor wafer W is lower than the plasma sheath formed near the center of the semiconductor wafer W. The position of the plasma sheath formed in the vicinity of the peripheral edge of the lower portion becomes lower. Thereby, in the vicinity of the periphery of the semiconductor wafer W, ions in the plasma are incident obliquely from the periphery of the surface to be processed of the semiconductor wafer W toward the center. As a result, the shape of the hole formed near the peripheral edge of the surface to be processed of the semiconductor wafer W is inclined obliquely toward the center of the surface to be processed of the semiconductor wafer W with respect to the vertical direction.
従来のフォーカスリングＦＲでは、図３（ａ）に例示したプラズマシースの分布において、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部付近に形成されるホールは、鉛直方向に対して半導体ウエハＷの被処理面の周縁部に向けて例えば１度傾き、図３（ｂ）に例示したプラズマシースの分布において、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部付近に形成されるホールは、鉛直方向に対して半導体ウエハＷの被処理面の中心部に向けて例えば１度傾く。この場合、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部側をプラスの角度として、フォーカスリングＦＲが所定量消耗した場合のホールの傾きの変動量は、１度−（−１度）＝２度となる。 In the conventional focus ring FR, in the distribution of the plasma sheath illustrated in FIG. 3A, holes formed in the vicinity of the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W are processed in the vertical direction. For example, in the distribution of the plasma sheath illustrated in FIG. 3B, the holes formed near the periphery of the surface to be processed of the semiconductor wafer W are semiconductors with respect to the vertical direction. For example, the wafer W is inclined by 1 degree toward the center of the surface to be processed. In this case, when the focus ring FR is consumed by a predetermined amount with the peripheral edge side of the surface to be processed of the semiconductor wafer W as a positive angle, the fluctuation amount of the tilt of the hole is 1 degree − (− 1 degree) = 2 degrees. Become.
次に、図４を用いて、実施形態におけるフォーカスリング８について説明する。フォーカスリング８が消耗していない場合には、例えば図４の（ａ）に示すように、フォーカスリング８の上方のプラズマシースは、半導体ウエハＷの上方のプラズマシースよりも高い位置に形成され、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部付近では、プラズマ中のイオンが半導体ウエハＷの被処理面の中心部から周縁部に向けて斜めに入射する。これにより、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部付近に形成されるホールは、鉛直方向に対して半導体ウエハＷの被処理面の周縁部に向けて斜めに傾く。なお、図４（ａ）では、図３（ａ）との比較のために、フォーカスリング８が消耗していない場合に、半導体ウエハＷの周縁部付近に形成されるホールの傾きが図３（ａ）と同じ傾きとなるフォーカスリング８の形状を仮定している。 Next, the focus ring 8 in the embodiment will be described with reference to FIG. When the focus ring 8 is not consumed, for example, as shown in FIG. 4A, the plasma sheath above the focus ring 8 is formed at a position higher than the plasma sheath above the semiconductor wafer W. In the vicinity of the periphery of the surface to be processed of the semiconductor wafer W, ions in the plasma are incident obliquely from the center of the surface to be processed of the semiconductor wafer W toward the periphery. Thereby, the hole formed in the vicinity of the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W is inclined obliquely toward the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W with respect to the vertical direction. In FIG. 4A, for comparison with FIG. 3A, when the focus ring 8 is not consumed, the inclination of the holes formed near the peripheral edge of the semiconductor wafer W is as shown in FIG. The shape of the focus ring 8 having the same inclination as that in a) is assumed.
そして、フォーカスリング８が、プラズマにより、図３（ｂ）に示した従来のフォーカスリングＦＲと同程度の消耗量となった場合、例えば図４（ｂ）に示すように、第３の平坦部８ｃの高さが低くなる。これにより、例えば図４の（ｂ）に示すように、第３の平坦部８ｃの上方のプラズマシースの位置が低くなる。これにより、半導体ウエハＷの周縁部付近において、プラズマ中のイオンが半導体ウエハＷの被処理面の周縁部から中心部に向けて斜めに入射する。これにより、半導体ウエハＷの被処理面の周縁部付近に形成されるホールは、鉛直方向に対して半導体ウエハＷの被処理面の中心部に向けて斜めに傾く。 When the focus ring 8 is consumed by plasma at the same level as the conventional focus ring FR shown in FIG. 3B, for example, as shown in FIG. The height of 8c becomes low. Thereby, for example, as shown in FIG. 4B, the position of the plasma sheath above the third flat portion 8c is lowered. Thereby, in the vicinity of the periphery of the semiconductor wafer W, ions in the plasma are incident obliquely from the periphery of the surface to be processed of the semiconductor wafer W toward the center. Thereby, the hole formed in the vicinity of the peripheral edge of the surface to be processed of the semiconductor wafer W is inclined obliquely toward the center of the surface to be processed of the semiconductor wafer W with respect to the vertical direction.
ここで、本実施形態におけるフォーカスリング８は、プラズマにより全体的に消耗するが、フォーカスリング８の断面形状は維持される。そのため、本実施形態におけるフォーカスリング８では、プラズマにより消耗した場合であっても、第２の平坦部８ｂの上方で低く、第３の平坦部８ｃの上方で高いプラズマシースの分布は維持される。そのため、従来のフォーカスリングＦＲと同程度の消耗量となった場合であっても、半導体ウエハＷの周縁部付近において、プラズマ中のイオンが半導体ウエハＷの被処理面の周縁部から中心部に向けて斜めに入射する角度は、従来のフォーカスリングＦＲに比べて小さくなる。 Here, the focus ring 8 in the present embodiment is entirely consumed by the plasma, but the cross-sectional shape of the focus ring 8 is maintained. Therefore, in the focus ring 8 according to the present embodiment, the distribution of the plasma sheath that is low above the second flat portion 8b and high above the third flat portion 8c is maintained even when it is consumed by plasma. . Therefore, even in the case where the consumption amount is about the same as that of the conventional focus ring FR, in the vicinity of the peripheral portion of the semiconductor wafer W, ions in the plasma move from the peripheral portion of the processing surface of the semiconductor wafer W to the central portion. The angle at which the light is incident obliquely becomes smaller than that of the conventional focus ring FR.
本実施形態のフォーカスリング８では、プラズマによる消耗がない場合、半導体ウエハＷの周縁部付近のホール形状が半導体ウエハＷの周縁部に向けて例えば１度傾き、プラズマによる消耗量が図３（ｂ）に示した従来のフォーカスリングＦＲと同程度になると、例えば図４（ｂ）に示すように、ホール形状が半導体ウエハＷの中心部に向けて例えば０．５度傾く。この場合、フォーカスリング８が所定量消耗した場合のホールの傾きの変動量は、１度−（−０．５度）＝１．５度となる。 In the focus ring 8 of the present embodiment, when the plasma is not consumed, the hole shape in the vicinity of the peripheral portion of the semiconductor wafer W is inclined, for example, by 1 degree toward the peripheral portion of the semiconductor wafer W, and the consumption amount due to the plasma is shown in FIG. 4), the hole shape is inclined by, for example, 0.5 degrees toward the center of the semiconductor wafer W, as shown in FIG. 4B, for example. In this case, the fluctuation amount of the tilt of the hole when the focus ring 8 is consumed by a predetermined amount is 1 degree − (− 0.5 degrees) = 1.5 degrees.
このように、本実施形態のフォーカスリング８は、第１の平坦部８ａと、第２の平坦部８ｂと、第３の平坦部８ｃとが内周側から外周側へ向けて順に形成されており、第２の平坦部８ｂは、第１の平坦部８ａよりも低く、第３の平坦部８ｃは、第１の平坦部８ａよりも高い。これにより、プラズマによりフォーカスリング８が消耗した場合であっても、半導体ウエハＷの被処理面の上方に形成されるプラズマシースの分布の変動を低く抑えることができる。そのため、半導体ウエハＷの被処理面に形成されるホールの傾きの変動量を、従来のフォーカスリングＦＲよりも少なく抑えることができる。従って、フォーカスリング８の交換頻度を少なくすることができ、プロセスのスループットを向上させることができる。 As described above, in the focus ring 8 of the present embodiment, the first flat portion 8a, the second flat portion 8b, and the third flat portion 8c are formed in order from the inner peripheral side to the outer peripheral side. The second flat portion 8b is lower than the first flat portion 8a, and the third flat portion 8c is higher than the first flat portion 8a. Thereby, even when the focus ring 8 is consumed by the plasma, the fluctuation in the distribution of the plasma sheath formed above the surface to be processed of the semiconductor wafer W can be suppressed to a low level. Therefore, the fluctuation amount of the inclination of the holes formed on the surface to be processed of the semiconductor wafer W can be suppressed as compared with the conventional focus ring FR. Therefore, the replacement frequency of the focus ring 8 can be reduced, and the process throughput can be improved.
［シミュレーション結果］
次に、第２の平坦部８ｂの厚さおよび第３の平坦部８ｃの厚さ等と、イオンの入射方向の傾きの改善率との関係について行ったシミュレーション結果について説明する。図５は、実施形態におけるフォーカスリングの一例を示す断面図である。シミュレーションでは、例えば図５に示すように、第１の平坦部８ａの部分におけるフォーカスリング８の厚さをＴ１、第２の平坦部８ｂの部分におけるフォーカスリング８の厚さをＴ２、第３の平坦部８ｃの部分におけるフォーカスリング８の厚さをＴ３と定義する。また、例えば図５に示すように、フォーカスリング８の内周面によって描かれる円の中心から、第２の平坦部８ｂと第３の平坦部８ｃとの間の壁面８ｄまでの距離をφと定義する。
[simulation result]
Next, a simulation result performed on the relationship between the thickness of the second flat portion 8b, the thickness of the third flat portion 8c, and the like, and the improvement rate of the inclination in the incident direction of ions will be described. FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an example of the focus ring in the embodiment. In the simulation, for example, as shown in FIG. 5, the thickness of the focus ring 8 in the portion of the first flat portion 8a is T1, the thickness of the focus ring 8 in the portion of the second flat portion 8b is T2, and the third The thickness of the focus ring 8 in the flat portion 8c is defined as T3. For example, as shown in FIG. 5, the distance from the center of the circle drawn by the inner peripheral surface of the focus ring 8 to the wall surface 8d between the second flat portion 8b and the third flat portion 8c is φ. Define.
また、本実施形態において、対象となるフォーカスリング８におけるホールの傾きの変動量の改善率Ｉ（％）は、基準となるフォーカスリングにおけるホールの傾きの変動量をθ１、対象となるフォーカスリング８におけるホールの傾きの変動量をθ２とした場合、Ｉ＝｛（θ１／θ２）−１｝×１００と定義する。基準となるフォーカスリングは、例えば図３に例示した従来のフォーカスリングＦＲを用いた。 Further, in this embodiment, the improvement rate I (%) of the variation amount of the hole inclination in the target focus ring 8 is θ1 as the variation amount of the hole inclination in the reference focus ring, and the target focus ring 8. Is defined as I = {(θ1 / θ2) −1} × 100, where θ2 is the amount of change in the inclination of the hole. For example, the conventional focus ring FR illustrated in FIG. 3 is used as the reference focus ring.
図６は、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２、第３の平坦部８ｃの厚さＴ３、およびフォーカスリング８の中心から壁面８ｄまでの距離φと、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉとの関係のシミュレーション結果の一例を示す図である。図６において、左側の縦軸は、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２を示しており、右側の縦軸は、第３の平坦部８ｃの厚さＴ３を示しており、いずれも第１の平坦部８ａの厚さＴ１に対する比で表されている。また、図６における実線は、第３の平坦部８ｃの厚さＴ３を示している。また、図６において横軸は、フォーカスリング８の中心から壁面８ｄまでの距離φを示しており、フォーカスリング８の内径に対する比で表されている。また、図６では、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉは、所定の値の範囲毎に異なるハッチングで表されている。 FIG. 6 shows the improvement rate of the thickness T2 of the second flat portion 8b, the thickness T3 of the third flat portion 8c, the distance φ from the center of the focus ring 8 to the wall surface 8d, and the variation amount of the inclination of the hole. It is a figure which shows an example of the simulation result of the relationship with I. In FIG. 6, the left vertical axis indicates the thickness T2 of the second flat portion 8b, and the right vertical axis indicates the thickness T3 of the third flat portion 8c. Is expressed as a ratio to the thickness T1 of the flat portion 8a. Further, the solid line in FIG. 6 indicates the thickness T3 of the third flat portion 8c. In FIG. 6, the horizontal axis indicates the distance φ from the center of the focus ring 8 to the wall surface 8 d and is expressed as a ratio to the inner diameter of the focus ring 8. Further, in FIG. 6, the improvement rate I of the variation amount of the hole inclination is represented by different hatching for each predetermined value range.
図６に示したシミュレーション結果を参照すると、例えば、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２が第１の平坦部８ａの厚さＴ１の約０．９倍、フォーカスリング８の中心から壁面８ｄまでの距離φが約１．０６５、第３の平坦部８ｃの厚さＴ３が第１の平坦部８ａの厚さＴ１の約２．２倍であるＡ点では、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉが４０〜５０％の範囲内の値となっている。 Referring to the simulation result shown in FIG. 6, for example, the thickness T2 of the second flat portion 8b is about 0.9 times the thickness T1 of the first flat portion 8a, and from the center of the focus ring 8 to the wall surface 8d. At a point A where the distance φ is about 1.065 and the thickness T3 of the third flat portion 8c is about 2.2 times the thickness T1 of the first flat portion 8a. The rate I is a value within the range of 40 to 50%.
図６に示したシミュレーション結果から明らかなように、図６の上から下へ向かう程、即ち、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２が薄くなる程、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉが向上している。そして、例えば、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２が第１の平坦部８ａの厚さＴ１よりも薄くなる、即ち、第２の平坦部８ｂの位置が第１の平坦部８ａの位置よりも低くなると、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉを４０％以上にすることが可能となることが分かる。 As is clear from the simulation results shown in FIG. 6, the improvement rate I of the fluctuation amount of the inclination of the hole becomes smaller as the thickness T2 of the second flat portion 8b is reduced from the top to the bottom of FIG. Has improved. For example, the thickness T2 of the second flat portion 8b is thinner than the thickness T1 of the first flat portion 8a. That is, the position of the second flat portion 8b is more than the position of the first flat portion 8a. It can be seen that the improvement rate I of the fluctuation amount of the inclination of the hole can be made 40% or more when the value is also lowered.
このように、図１および図２に示した形状のフォーカスリング８において、第２の平坦部８ｂの位置を第１の平坦部８ａの位置よりも低くすることにより、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉを４０％以上にすることが可能となる。 As described above, in the focus ring 8 having the shape shown in FIGS. 1 and 2, the position of the second flat portion 8b is made lower than the position of the first flat portion 8a, so that the variation amount of the inclination of the hole can be reduced. The improvement rate I can be 40% or more.
また、図６に示したシミュレーション結果から明らかなように、図６の左上から右下へ向かう程、即ち、フォーカスリング８の中心から壁面８ｄまでの距離φが長くなり、かつ、第１の平坦部８ａの厚さＴ１に対して第３の平坦部８ｃの厚さＴ３が厚くなる程、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉが向上している。そして、例えば、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２が第１の平坦部８ａの厚さＴ１よりも薄くなると、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉを４０％とすることが可能となる。そして、例えば、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２が第１の平坦部８ａの厚さＴ１よりも薄く、かつ、フォーカスリング８の中心から壁面８ｄまでの距離φが約１．０６５よりも長く、かつ、第３の平坦部８ｃの厚さＴ３が第１の平坦部８ａの厚さＴ１の約２．２倍以上になると、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉが４０％以上になることが分かる。 Further, as is clear from the simulation result shown in FIG. 6, the distance φ from the center of the focus ring 8 to the wall surface 8d increases as it goes from upper left to lower right in FIG. As the thickness T3 of the third flat portion 8c increases with respect to the thickness T1 of the portion 8a, the improvement rate I of the variation amount of the hole inclination increases. For example, when the thickness T2 of the second flat portion 8b is thinner than the thickness T1 of the first flat portion 8a, the improvement rate I of the variation amount of the hole inclination can be made 40%. . For example, the thickness T2 of the second flat portion 8b is thinner than the thickness T1 of the first flat portion 8a, and the distance φ from the center of the focus ring 8 to the wall surface 8d is more than about 1.065. If the length T3 of the third flat portion 8c is longer than about 2.2 times the thickness T1 of the first flat portion 8a, the improvement rate I of the variation amount of the hole inclination becomes 40% or more. I understand that
このように、図１および図２に示した形状のフォーカスリング８において、第２の平坦部８ｂの厚さＴ２を第１の平坦部８ａの厚さＴ１よりも薄くし、かつ、フォーカスリング８の中心から壁面８ｄまでの距離φを約１．０６５よりも長くし、かつ、第３の平坦部８ｃの厚さＴ３を第１の平坦部８ａの厚さＴ１の約２．２倍以上にすることにより、ホールの傾きの変動量の改善率Ｉを４０％以上にすることが可能となる。 As described above, in the focus ring 8 having the shape shown in FIGS. 1 and 2, the thickness T2 of the second flat portion 8b is made thinner than the thickness T1 of the first flat portion 8a, and the focus ring 8 The distance φ from the center of the substrate to the wall surface 8d is longer than about 1.065, and the thickness T3 of the third flat portion 8c is about 2.2 times the thickness T1 of the first flat portion 8a. By doing so, the improvement rate I of the fluctuation amount of the inclination of the hole can be made 40% or more.
以上、一実施形態について説明した。上記説明から明らかなように、本実施形態のプラズマ処理装置１００によれば、フォーカスリング８の消耗に伴うホールの傾きの変動を抑制することができる。 The embodiment has been described above. As is clear from the above description, according to the plasma processing apparatus 100 of the present embodiment, fluctuations in the tilt of the holes accompanying the consumption of the focus ring 8 can be suppressed.
なお、開示の技術は、上記した実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で数々の変形が可能である。 Note that the disclosed technique is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the gist.
例えば他の例として、フォーカスリング８の断面形状は、図７〜図９に示すような形状であってもよい。図７〜図９は、フォーカスリング８の断面形状の他の例を示す図である。例えば図７に例示したフォーカスリング８では、第１の平坦部８ａと第２の平坦部８ｂとの間に、フォーカスリング８の内周側から外周側へ進むに従って低くなる傾斜面８ｅが設けられている。また、例えば図８に例示したフォーカスリング８では、第２の平坦部８ｂと第３の平坦部８ｃとの間に、フォーカスリング８の内周側から外周側へ進むに従って高くなる傾斜面８ｆが設けられている。また、例えば図９に例示したフォーカスリング８では、第１の平坦部８ａと第２の平坦部８ｂとの間に、フォーカスリング８の内周側から外周側へ進むに従って低くなる傾斜面８ｅが設けられると共に、第２の平坦部８ｂと第３の平坦部８ｃとの間に、フォーカスリング８の内周側から外周側へ進むに従って高くなる傾斜面８ｆが設けられている。 For example, as another example, the cross-sectional shape of the focus ring 8 may be a shape as shown in FIGS. 7 to 9 are diagrams showing other examples of the cross-sectional shape of the focus ring 8. For example, in the focus ring 8 illustrated in FIG. 7, an inclined surface 8e is provided between the first flat portion 8a and the second flat portion 8b. The inclined surface 8e decreases as the focus ring 8 advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side. ing. For example, in the focus ring 8 illustrated in FIG. 8, an inclined surface 8 f that increases between the second flat portion 8 b and the third flat portion 8 c as it advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring 8. Is provided. For example, in the focus ring 8 illustrated in FIG. 9, an inclined surface 8 e that becomes lower between the first flat portion 8 a and the second flat portion 8 b as it advances from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring 8. An inclined surface 8f is provided between the second flat portion 8b and the third flat portion 8c. The inclined surface 8f increases as the focus ring 8 moves from the inner peripheral side to the outer peripheral side.
また、例えば他の例として、フォーカスリング８の断面形状は、図１０に示すような形状であってもよい。図１０は、フォーカスリング８の断面形状の他の例を示す図である。例えば図１０に例示したフォーカスリング８では、第２の平坦部８ｂと第３の平坦部３ｃとの間には、フォーカスリング８の厚さ方向に第２の平坦部８ｂから高さｈ１まで延伸する壁面部８ｇが設けられている。また、壁面部８ｇの高さｈ１の位置から第３の平坦部３ｃまでの間には、傾斜面８ｆが設けられている。また、図１０に例示したフォーカスリング８において、壁面部８ｇの高さｈ１は、第２の平坦部８ｂから第１の平坦部８ａまでの高さｈ２よりも高い。なお、壁面部８ｇの高さｈ１は、第２の平坦部８ｂから第１の平坦部８ａまでの高さｈ２と同じ高さであってもよい。 For example, as another example, the cross-sectional shape of the focus ring 8 may be a shape as shown in FIG. FIG. 10 is a diagram illustrating another example of the cross-sectional shape of the focus ring 8. For example, in the focus ring 8 illustrated in FIG. 10, the second flat portion 8b extends from the second flat portion 8b to the height h1 in the thickness direction of the focus ring 8 between the second flat portion 8b and the third flat portion 3c. A wall surface portion 8g is provided. An inclined surface 8f is provided between the height h1 of the wall surface portion 8g and the third flat portion 3c. Further, in the focus ring 8 illustrated in FIG. 10, the height h1 of the wall surface portion 8g is higher than the height h2 from the second flat portion 8b to the first flat portion 8a. The height h1 of the wall surface portion 8g may be the same height as the height h2 from the second flat portion 8b to the first flat portion 8a.
また、図１０に例示したフォーカスリング８において、第１の平坦部８ａと第２の平坦部８ｂとの間には、例えば図１１に示すように、フォーカスリング８の内周側から外周側へ進むに従って低くなる傾斜面８ｅが設けられていてもよい。図１１は、フォーカスリング８の断面形状の他の例を示す図である。 Further, in the focus ring 8 illustrated in FIG. 10, between the first flat portion 8 a and the second flat portion 8 b, for example, as shown in FIG. 11, from the inner peripheral side to the outer peripheral side of the focus ring 8. There may be provided an inclined surface 8e that becomes lower as it advances. FIG. 11 is a diagram illustrating another example of the cross-sectional shape of the focus ring 8.
また、上記した実施形態では、半導体ウエハＷに対してプラズマを用いたエッチングを行うプラズマ処理装置１００を例に説明したが、開示の技術はこれに限られない。フォーカスリング８の断面形状が図１〜図２または図７〜図１１に示した形状であれば、プラズマを用いて成膜を行う装置や、半導体ウエハＷ上に積層された膜をプラズマを用いて改質する装置等においても、上記したフォーカスリング８を適用することができる。 In the above-described embodiment, the plasma processing apparatus 100 that performs etching using plasma on the semiconductor wafer W has been described as an example, but the disclosed technique is not limited thereto. If the cross-sectional shape of the focus ring 8 is the shape shown in FIGS. 1 to 2 or FIGS. 7 to 11, an apparatus for forming a film using plasma or a film laminated on the semiconductor wafer W is used for plasma. The above-described focus ring 8 can also be applied to a device for reforming.
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者には明らかである。また、そのような変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。 As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be made to the above-described embodiment. In addition, it is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.
Ｗ 半導体ウエハ
１００ プラズマ処理装置
１ チャンバ
２ 載置台
８ フォーカスリング
８ａ 第１の平坦部
８ｂ 第２の平坦部
８ｃ 第３の平坦部
９ 静電チャック
９ａ 保持面
W Semiconductor wafer 100 Plasma processing apparatus 1 Chamber 2 Mounting table 8 Focus ring 8a First flat portion 8b Second flat portion 8c Third flat portion 9 Electrostatic chuck 9a Holding surface
Claims (18)
前記チャンバの内部に設けられ、前記被処理体が載置される載置面を有する載置台と、
前記載置面に載置された前記被処理体を囲むように前記載置台の周囲に設けられたフォーカスリングであって、前記載置面よりも低い第１の平坦部と、前記第１の平坦部よりも低い第２の平坦部と、前記第１の平坦部よりも高い第３の平坦部とが内周側から外周側へ向けて順に配置されたフォーカスリングと
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 A chamber for plasma processing a workpiece;
A mounting table provided inside the chamber and having a mounting surface on which the object to be processed is mounted;
A focus ring provided around the mounting table so as to surround the object mounted on the mounting surface, wherein the first flat part is lower than the mounting surface, and the first And a focus ring in which a second flat part lower than the flat part and a third flat part higher than the first flat part are sequentially arranged from the inner peripheral side toward the outer peripheral side. Plasma processing equipment.
前記傾斜面は、前記第１の高さから前記第３の平坦部までの間に設けられることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。 A wall surface portion extending from the second flat portion to the first height in the thickness direction of the focus ring is provided between the second flat portion and the third flat portion,
The plasma processing apparatus according to claim 3, wherein the inclined surface is provided between the first height and the third flat portion.
前記載置面よりも低い第１の平坦部と、
前記第１の平坦部よりも低い第２の平坦部と、
前記第１の平坦部よりも高い第３の平坦部と
を備え、
前記第１の平坦部、前記第２の平坦部、および前記第３の平坦部が、前記フォーカスリングの内周側から外周側へ向けて順に配置されることを特徴とするフォーカスリング。 A focus ring provided in a chamber for plasma processing the object to be processed and provided around the mounting table so as to surround the processing object mounted on the mounting surface of the mounting table,
A first flat portion lower than the placement surface;
A second flat portion lower than the first flat portion;
A third flat portion higher than the first flat portion,
The focus ring, wherein the first flat portion, the second flat portion, and the third flat portion are sequentially arranged from an inner peripheral side to an outer peripheral side of the focus ring.
前記傾斜面は、前記第１の高さから前記第３の平坦部までの間に設けられることを特徴とする請求項１２に記載のフォーカスリング。 A wall surface portion extending from the second flat portion to the first height in the thickness direction of the focus ring is provided between the second flat portion and the third flat portion,
The focus ring according to claim 12, wherein the inclined surface is provided between the first height and the third flat portion.
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