JP2016225360A - 貫通電極基板並びに貫通電極基板を用いたインターポーザ及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る貫通電極基板の概要を示す平面図である。図2は、図1に示した貫通電極基板におけるA領域の拡大図である。図3は、図2に示した貫通電極基板におけるA領域の斜視図である。
図6〜図23を用いて、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の構成及び製造方法について説明する。本実施形態では、インターポーザ60の貫通電極基板として第1の実施形態で説明した貫通電極基板10を用いた例について説明する。
図8〜図23を用いて、本発明の第2の実施形態に係るインターポーザ60の製造方法を説明する。図8〜図23は、図7と同様に、図6示した本発明に係るインターポーザのB−B’に沿ってx方向から見た断面図である。図8〜図23において、図7に示す構成と同じ又は類似の構成には同一の符号を付した。ここで、貫通電極基板としてガラス基板を使用したガラスインターポーザの製造方法について説明する。
第3の実施形態では、第1の実施形態に示す貫通電極基板10又は第2の実施形態に示すインターポーザ60を用いて製造される半導体装置について説明する。以下の説明では、第1の実施形態に示す貫通電極基板10を用いた半導体装置について説明するが、貫通電極基板10をインターポーザ60に置き換えてもよい。
101、600:基板
101a、601:第1面
101b、603:第2面
103、605:貫通孔
105、613:側壁
107、607:貫通電極
401、609:シード層
403、611:めっき層
615:第1絶縁層
625:第2絶縁層
619:第1配線
629:第2配線
2400、2500、2600:半導体装置
Claims (9)
- 第1面及び前記第1面に対向する第2面を有する基板と、
前記第1面及び前記第2面を貫通し、平面視において長径及び短径を有する形状を有する貫通孔と、
前記貫通孔に配置され、前記第1面側に配置された配線と前記第2面側に配置された配線とを電気的に接続する貫通電極と、
を備える、貫通電極基板。 - 前記貫通孔は、平面視において楕円形状である、請求項1に記載の貫通電極基板。
- 前記貫通孔の前記長径に対する孔の深さのアスペクト比が4以下である、請求項1又は請求項2に記載の貫通電極基板。
- 請求項1乃至3の何れか一項に記載の前記貫通電極基板と、
前記貫通電極基板の前記第1面側に配置された前記配線に接続された第1配線構造体と、
前記貫通電極基板の前記第2面側に配置された前記配線に接続された第2配線構造体と、
を備えるインターポーザ。 - 請求項1乃至3の何れか一項に記載の前記貫通電極基板と、
前記貫通電極基板に並んで配置された他の基板またはチップと、
を備える半導体装置。 - 第1面及び前記第1面に対向する第2面を有する基板の一部に変質層を形成し、
前記変質層をエッチングして、前記第1面及び前記第2面を貫通し、平面視において長径及び短径を有する形状の有する貫通孔を形成し、
前記貫通孔にシード層を形成し、
前記シード層上にめっき層を形成すること、
を含む貫通電極基板の製造方法。 - 前記貫通孔は、平面視において楕円形状である、請求項6に記載の貫通電極基板の製造方法。
- 前記貫通孔の前記長径に対する孔の深さのアスペクト比が4以下である、請求項6又は請求項7に記載の貫通電極基板の製造方法
- 前記シード層は、スパッタリング法によって形成される、請求項6乃至8の何れか一項に記載の貫通電極基板の製造方法。
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