JP2016215183A - 紫外光照射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】効率良く流体に紫外光を照射できる紫外光照射装置を提供する。
【解決手段】流体に紫外光１２を照射する紫外光照射装置３０であって、深紫外光発光素子３１、紫外光フィルタ３２、および、サイクロン構造体３３を備える。深紫外光発光素子３１は、上方に向けて深紫外光を発光する素子であり、放電空間１０で発生した励起光を受けて紫外光を発光する発光層４を有する。紫外光フィルタ３２は、波長が２００ｎｍ以下の光の８０％以上を吸収または反射する。サイクロン構造体３３は、外部から流入された流体を旋回させる筒状構造体１４と筒状構造体１４で旋回した流体を外部に流出させるように導く錐状構造体１３とを有する。
【選択図】図１

Description

本開示は、紫外光照射装置に関し、特に、流体に紫外光を照射する紫外光照射装置に関する。

紫外光（紫外線）、特に、波長が約２００〜３５０ｎｍである深紫外光（深紫外線）は、有機物を分解する作用を有することから、殺菌、脱臭、洗浄、浄水、リソグラフ、照明などの様々な分野で利用されている。

従来、紫外光の光源としては、水銀をグロー放電させる水銀ランプが広く使われている（特許文献１参照）。特許文献１によれば、水銀ランプから発せられる波長２５４ｎｍの深紫外光によって露光装置のマスク等に付着した炭素コンタミネーションを光学系にダメージを与えることなく効率的に分解して除去している。

特開２０１２−１４６７１２号公報

本開示は、効率良く流体に紫外光を照射できる紫外光照射装置を提供する。

本開示の一形態に係る紫外光照射装置は、主面を有する第１基体と、前記第１基体の前記主面に位置する複数の電極と、前記複数の電極を覆う誘電体層と、前記誘電体層に対向して位置し紫外光を透過する材料を含む第２基体と、前記第１基体と前記第２基体との間に密閉された放電空間が形成されるように、前記第１基体と前記第２基体とを接合し、前記第１基体および前記第２基体とともに前記放電空間を封じる封着材と、前記誘電体層の上方、および／または前記第２基体の前記放電空間側の面の上方に位置し、前記放電空間で発生した励起光を受けて紫外光を発光する発光層と、前記第２基体の前記放電空間側とは反対側の面の上方に設けられた反応槽とを備える。前記反応槽は、筒状構造体と、前記反応槽の外部から流入した流体を前記筒状構造体の内部に導く導入路と、前記筒状構造体の内部から流出した流体を前記反応槽の外部に導く導出路とを備える。前記筒状構造体の内部の底面の内接円の直径をｈａ、前記筒状構造体の内部の高さをｈｃとすると、ｈａ／ｈｃは５以上且つ１０以下である。

本開示によれば、効率良く流体に紫外光を照射できる紫外光照射装置が実現される。

実施の形態１における紫外光照射装置の構成を示す模式断面図である。 図１に示されるサイクロン構造体の構造を示す図である。 図１に示される深紫外光発光素子を製造するための封着・排気用加熱炉の概要を示す模式図である。 図３に示される封着・排気用加熱炉の温度プロファイルの一例を示す図である。 図３に示される封着・排気用加熱炉による封着工程における放電空間でのガスおよびそのガスの流れを示す図である。 紫外光フィルタ無しの構成と紫外光フィルタ有りの構成を備える紫外光照射装置で得られる発光スペクトルを示す比較図である。 実施の形態１の変形例における紫外光照射装置の構成を示す模式断面図である。 水銀ランプの発光スペクトルを示す図である。 実施の形態２における紫外光照射装置の構成を示す模式断面図である。 図９に示される反応槽の構造を示す図である。 実施の形態３における紫外光照射装置の構成を示す模式断面図である。 発光層の透過率、反射率および膜厚の関係を示すグラフである。

（本開示の基礎となった知見）
はじめに、本開示の基礎となった知見について説明する。環境負荷の観点から、例えば欧州のＷＥＥＥ＆ＲｏＨＳ指令のような、水銀などの環境有害物質に対する規制が厳しくなっている。このため、水銀ランプに代わる紫外光の光源の開発が望まれている。

図８に、水銀ランプの発光スペクトルを示す。図８から明らかなように、水銀ランプの発光スペクトルは、１８５ｎｍ付近の波長における発光がみられ、これがオゾンを発生させる原因となっている。このように、水銀ランプを用いた紫外光照射装置は、紫外光のみならず、オゾンによる殺菌および分解作用を併用して利用している。この為オゾンの発生を抑えようとして水銀ランプの出力を抑制することが考えられるが、その場合には、紫外光による殺菌および分解能力が低下してしまうという課題を有している。

また、従来の紫外光照射装置では、効率よく流体に紫外光を照射できないという問題もある。紫外光を照射する対象となる流体の流路に紫外光照射装置を取り付けることが困難であったり、流路に紫外光照射装置を取り付けた場合であっても、流体に対して、むらなく必要な時間だけ紫外光が照射されることを確保するのが困難であったりするケースが多いからである。

以下、実施の形態における紫外光照射装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な本開示の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序等は、一例であり、本開示を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。また、異なる図面であっても、同一の構成要素については、同一の符号を付し、その説明の繰り返しを行わない。

（実施の形態１）
図１は、実施の形態１における紫外光照射装置３０の構造を示す模式断面図である。紫外光照射装置３０は、流体（液体または気体）に紫外光（より特定的には深紫外光）１２を照射する装置であって、深紫外光発光素子３１、深紫外光発光素子３１の上に設けられた紫外光フィルタ３２、および、紫外光フィルタ３２の上に設けられたサイクロン構造体３３を備える。

深紫外光発光素子３１は、上方（すなわち、紫外光フィルタ３２及びサイクロン構造体３３が設けられた方向）に向けて紫外光（より特定的には深紫外光）を発光する素子である。深紫外光発光素子３１は主要な構成要素として、第１基体２と、第１基体２の主面に位置する複数の電極７と、複数の電極７を覆う誘電体層６と、誘電体層６に対向して位置し紫外光を透過する材料を含む第２基体３と、第１基体２と第２基体３との間に密閉された放電空間１０が形成されるように第１基体２と第２基体３とを接合して第１基体２および第２基体３とともに放電空間１０を封じる封着材８とを有する。さらに、深紫外光発光素子３１は、誘電体層６の放電空間１０側の面の上方および／または第２基体３の放電空間１０側の面の上方に位置して放電空間１０で発生した励起光を受けて紫外光を発光する発光層４を有する。

紫外光フィルタ３２は、第２基体３とサイクロン構造体３３との間に設けられ、波長が２００ｎｍ以下の光の８０％以上を吸収または反射するフィルタである。

サイクロン構造体３３は、紫外光１２が照射される流路を形成する構造物であり、第２基体３の放電空間１０側とは反対側の面の上方に設けられ、外部から流入された流体を旋回させる筒状構造体１４と、筒状構造体１４で旋回した流体を外部に流出させるように導く錐状構造体１３とを有する。

このような構成により、波長が２００ｎｍ以下の光が抑制された紫外光（より特定的には深紫外光）１２がサイクロン構造体３３内の流体に照射されるので、水銀ランプとは異なり、オゾンの発生が抑制された紫外光（より特定的には深紫外光）が流体に照射される。さらに、サイクロン構造体３３において、流体は旋回しながら紫外光を受けるので、効率よく紫外光を受け、有機物の分解反応における実効的な反応時間が増加し、高効率に有機物が分解される。

以下、深紫外光発光素子３１、紫外光フィルタ３２およびサイクロン構造体３３について、より詳細に説明する。

［深紫外光発光素子３１］
深紫外光発光素子３１は、全体として、角筒構造（例えば、縦が５〜１０ｃｍ、横が５〜１０ｃｍ、高さが３〜５ｃｍ）を有し、第１基体２と第２基体３とを封着材８を介して接合した構成を有する。第１基体２には、放電空間１０で放電を発生させるため電圧を印加するための複数の電極７が配設され、電極７を覆うように誘電体層６が積層されている。誘電体層６上の放電空間１０側には、イオン衝撃から誘電体層６を保護する保護層５と、深紫外光を発光する発光層４が形成されている。なお、保護層５は構成要素として必須ではなく、形成されていなくてもよい。

第１基体２と第２基体３は、封着材８などによって外周部を気密封着されている。気密封着によって形成された放電空間１０には、キセノン（Ｘｅ）、塩化クリプトン（ＫｒＣｌ）、フッ素（Ｆ_２）、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、一酸化炭素（ＣＯ）、窒素（Ｎ_２）などの放電ガスが所定の圧力で封入されている。

なお、発光層４に、後述する酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の粉末を用いた場合は、放電ガスとしては、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスが適している。酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の粉末はバンドギャップが広い材料であるため、波長が１５０ｎｍ付近の励起光で最も効率良く発光する。塩化クリプトン（ＫｒＣｌ）やキセノン（Ｘｅ）単体の放電ガスを用いた場合、励起光の波長は１７２ｎｍよりも長い波長の割合が多くなる。一方、ネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスにおいては、波長が１４７ｎｍの励起光の割合が高いため、発光層４に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の粉末を用いた深紫外光発光素子には、放電ガスとしてネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを用いるのが望ましい。

第２基体３は、発光層４で発生した深紫外光を深紫外光発光素子３１の外部（ここでは、上方）に取り出すため、深紫外光を透過する材料から成る。深紫外光を透過する材料としては、紫外光を透過しやすい特殊ガラス、石英ガラス（ＳｉＯ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）フッ化リチウム（ＬｉＦ）、サファイアガラス（Ａｌ_２Ｏ_３）、などが挙げられる。これらの材料のうち、熱膨張係数が、一般的なガラスや保護層５に用いるＭｇＯ薄膜やＣａＯ薄膜に近いサファイアを、深紫外光を透過する材料として用いてもよい。サファイアを第２基体３の材料として用いた場合、保護層５や封着材８での割れや亀裂を防ぐことができる。

もう一方の第１基体２の材料としては、第２基体３と同じ材料でもよいが、一般的な高歪点ガラスを用いてもよい。

発光層４に用いる材料は、発光効率と作製プロセスの容易さの観点から、深紫外光を発光する蛍光体が使用される。蛍光体としては、希土類の発光中心をドープしたＹＰＯ_４：Ｐｒ、ＹＰＯ_４：Ｎｄ、ＬａＰＯ_４：Ｐｒ、ＬａＰＯ_４：Ｎｄ、ＹＦ_３：Ｃｅ、ＳｒＢ_６Ｏ_１０：Ｃｅ、ＹＯＢｒ：Ｐｒ、ＬｉＳｒＡｌＦ_６：Ｃｅ、ＬｉＣａＡｌＦ_６：Ｃｅ、ＬａＦ_３：Ｃｅ、Ｌｉ_６Ｙ（ＢＯ_３）_３：Ｐｒ、ＢａＹ_２Ｆ_８：Ｎｄ、ＹＯＣｌ：Ｐｒ、ＹＦ_３：Ｎｄ、ＬｉＹＦ_４：Ｎｄ、ＢａＹ_２Ｆ_８：Ｐｒ、Ｋ_２ＹＦ_５：Ｐｒ、ＬａＦ_３：Ｎｄや、結晶中の欠陥やバンドギャップで発光するＭｇＯ、ＺｎＯ、ＡｌＮ、ダイヤモンド、ＢＮ等がある。

特に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の粉末は、特許文献２（特開２０１０―８０４４０号公報）でも開示されているように、波長が２００ｎｍから３００ｎｍの間に発光強度のピークを有する、具体的には、波長が２３０ｎｍ付近にピークを持つ深紫外光を発するため、発光層４の材料として好適である。さらに、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）は二次電子放出特性が高い材料であるため、希土類の発光中心をドープした蛍光体材料を発光層４に用いることより、低い放電開始電圧を実現することができる。さらに、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）は、耐イオン衝撃が高いため、イオン衝撃による発光層４の変質も小さいと考えられる。このため、深紫外光発光素子３１において、発光層４に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の粉末を用いることは非常に有効であると考えられる。

なお、発光層４として粉末の膜を用いた場合には、膜の密着性が問題となる。このため、発光層４を形成する面には、発光層４の材料となる粉末の膜形状が維持し易いよう、凹凸を設けもよい。これにより、発光層４と基体（第１基体２及び第２基体３）との密着性を高めることができる。

また、発光層４は、電極７を覆う誘電体層６上、または誘電体層６上に形成される保護層５上に形成される。しかしながら、放電強度を高めるために、第１基体２だけではなく、第２基体３の放電空間１０側や放電空間１０とは反対側（第２基体３と紫外光フィルタ３２との間）に形成してもよい。

発光層４の下層には、薄膜の酸化マグネシウム層（ＭｇＯ）、酸化カルシウム層（ＣａＯ）、酸化バリウム層（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム層（ＳｒＯ）やこれらの混相層などのから成る保護層５を設けてもよい。特に、薄膜の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）は、高い耐イオン衝撃性を持つことから、保護層５として用いることで、経時的な放電強度の低下が非常に小さい深紫外光発光素子を得ることができる。

誘電体層６は、酸化鉛（ＰｂＯ）または酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）または酸化燐（ＰＯ_４）を主成分とする低融点ガラスがスクリーン印刷法等により約３０μｍの膜厚で形成された層である。ここで、主成分とは誘電体層６の材料全体の５０重量％以上の成分であることを意味する。誘電体層６により、電極７は絶縁材料で被覆される構成となるため、放電の形態は誘電体バリア放電となる。誘電体バリア放電は、電極７にイオンが直接曝されないため、連続点灯による経時的な発光強度の変化が小さく、連続点灯時間の長い殺菌デバイスやリソグラフへの用途に適している。また、誘電体層６の膜厚は、放電空間１０に与える電界強度に影響するため、深紫外光発光素子３１のサイズや求める特性に応じて変更することができる。

なお、誘電体層６を電極７上のみに形成してもよい。これにより、誘電体層６で吸収される深紫外光を抑制し、発光層４で発生した深紫外光を高効率に深紫外光発光素子３１の外部に放出することができる。誘電体層６を電極７上のみに形成するように誘電体層６をパターニングする方法として、電極領域のみ塗布するパターンのスクリーンマスク等を用いて低融点ガラスを主成分としたペーストを電極上にパターン塗布したのち焼成する方法が挙げられる。

電極７は、第１基体２の主面において、帯状（長尺状）の電極を２本で１対として平行にそれぞれ複数対配置された電極の集合から構成されている。電極７に用いる材料としては、Ａｇ厚膜、Ａｌ薄膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜などが挙げられる。各対の電極７には、矩形波や正弦波等の交流波形が印加される。一般的には、１対の電極のそれぞれに位相が反対の電圧を印加することで、強い発光を得ることができる。また、１対の内の１本の電極７に矩形波の電圧を印加し、もう一方の電極７を接地させることでも放電が可能である。電極７は必ず２本で１対となっているのではなく、放電空間１０の位置・形状の変更や放電が開始される電圧を下げるために複数本を１対として構成する場合もある。

封着材８は、Ｂｉ_２Ｏ_３やＶ_２Ｏ_５を主成分としたフリットを用いる。Ｂｉ_２Ｏ_３を主成分とするフリットとしては、例えば、Ｂｉ_２Ｏ_３−Ｂ_２Ｏ_３−ＲＯ−ＭＯ系（ここでＲは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇのいずれかであり、Ｍは、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｆｅのいずれかである。）のガラス材料に、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いる材料が挙げられる。また、Ｖ_２Ｏ_５を主成分とするフリットとしては、例えば、Ｖ_２Ｏ_５−ＢａＯ−ＴｅＯ−ＷＯ系のガラス材料に、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ２、コージライト等酸化物からなるフィラーを加えたものを用いることができる。

チップ管９は、第１基体２または第２基体３（ここでは、第１基体２のみ）に封着材８を用いて接合される管である。また、接合する基体（ここでは、第１基体２）には放電ガスを封入できるように貫通孔１１が設けられる。チップ管９は、放電空間１０を排気する際と放電空間１０に放電ガスを封入する際に使用され、放電ガスの封入後に放電ガスが放電空間１０から漏れないよう先端を加熱して封止されている。なお、排気と封入の工程に応じてチップ管９を複数設ける場合もある。

以上のように構成された深紫外光発光素子３１により、電極７に電圧が印加されることで、発光層４から上方（紫外光フィルタ３２）に向けて、紫外光（より特定的には深紫外光）１２が発光される。つまり、電極７には、隣接する１対のそれぞれの電極に位相が相反する矩形波または正弦波の電圧が印加され、これにより、２本の電極間には非常に高い電界が生じ、放電空間１０に充填された放電ガスが放電する。放電ガスに含まれるキセノン（Ｘｅ）や塩化クリプトン（ＫｒＣｌ）は、放電に伴う励起によって真空紫外光や深紫外光の励起光を発生させ、この励起光が発光層４に照射されることで発光層４から紫外光（より特定的には深紫外光）１２が発せられる。発光層４からの紫外光は第２基体３を透過する。

［紫外光フィルタ３２］
紫外光フィルタ３２は、深紫外光発光素子３１の上に設けられ、波長が２００ｎｍ以下の光の８０％以上を吸収または反射するフィルタである。本実施の形態では、紫外光フィルタ３２は、平面視（図面における上方から下方を見たとき）において深紫外光発光素子３１（あるいは、第２基体３）と略同じ外形を有し、深紫外光発光素子３１（より厳密には、第２基体３）の上に重なるように、封着材８と同じ材料（封着材料）等を用いて深紫外光発光素子３１と接合されている。

この紫外光フィルタ３２の材料として、チタンを含有するガラスを用いることで、２００ｎｍ以下の非常に波長の短い紫外光を減衰させオゾンの発生を低下させることが出来る。

［サイクロン構造体３３］
サイクロン構造体３３は、深紫外光発光素子３１から紫外光フィルタ３２を透過してきた紫外光１２が照射される流路を形成する構造物であり、紫外光フィルタ３２の上に設けられ、例えば、金属（ステンレスまたはアルミニウムなど）で構成される。サイクロン構造体３３は、外部から流入された流体を旋回させる筒状構造体１４と、筒状構造体１４で旋回した流体を外部に流出させるように導く錐状構造体１３とを有する。

図２は、図１に示されるサイクロン構造体３３の構造を示す図であり、図２の（ａ）は、上方から見た（すなわち平面視した）ときのサイクロン構造体３３の外観図であり、図２の（ｂ）は、図１のＩＩｂ−ＩＩｂ線を含む面（すなわち紙面に垂直な面）でサイクロン構造体３３を切断して得られる切断面を平面視した図である。

筒状構造体１４は、平面視において深紫外光発光素子３１および紫外光フィルタ３２と略同じ外形を有し、紫外光フィルタ３２の上に重なるように封着材８と同じ材料（すなわち封着材料）等を用いて紫外光フィルタ３２と接合され、本実施の形態では、下面（すなわち底面）および上面が開放された角筒構造を有する。筒状構造体１４には、流体を内部に導入するための流入口１５、及び、４つの角部（すなわち四隅）に、流体の渦流による滞留を防止するための曲面の内壁（すなわち曲面壁１７）が設けられている。流入口１５は、図１及び図２に示されるように、筒状構造体１４の側面を貫通するパイプで構成される。曲面壁１７は、４つの角の内壁を覆う湾曲した板体で構成される。

錐状構造体１３は、平面視において深紫外光発光素子３１および紫外光フィルタ３２と略同じ外形を有し、筒状構造体１４の上に重なるように溶接等で筒状構造体１４に接合され、本実施の形態では、下面（すなわち底面）が開放された四角錐構造を有する。錐状構造体１３の頂点には、流体を外部に排出するための流出口１６が設けられている。

このようなサイクロン構造体３３によって、深紫外光発光素子３１の上方（より厳密には、紫外光フィルタ３２の上）に、殺菌、分解洗浄を行う空気や水などの流体を通過させる流路を形成し、流体がサイクロン構造体３３内に留まる滞在時間を増加させることで実効的な紫外光照射時間を増加させることが出来る。これによって、より少ない紫外光の出力（量）で効率よく殺菌、分解洗浄を行うことが可能となる。さらに、流路がサイクロン構造となっているので、流体のサイクロン構造体３３での滞在時間を、流路を形成していない場合に比べて１桁以上増加させることが可能となる。

筒状構造体１４の底面の内接円の直径をｈａ、高さをｈｃとすると、そのアスペクト比ｈａ／ｈｃは、５以上３０以下であり、望ましくは、６以上２０以下であり、更に望ましくは７以上１０以下である。また、筒状構造体１４の高さｈｃは、２ｍｍ以上３０ｍｍ以下、望ましくは４ｍｍ以上２０ｍｍ以下、さらに望ましくは５ｍｍ以上１０ｍ以下である。筒状構造体１４の高さｈｃを２ｍｍ以上にすることにより、流体の流量を十分確保して処理効率を高めることができる。また、筒状構造体１４の高さｈｃを３０ｍｍ以下とすることにより、筒状構造体１４の上部でも深紫外光の減衰を十分小さくして殺菌することができる。また、アスペクト比ｈａ／ｈｃを５以上とすることにより深紫外光発光素子３１から流体までの距離を短く押さえることができるため錐状構造体１３の頂点付近でも深紫外光の減衰を小さくして殺菌することができる。また、アスペクト比ｈａ／ｈｃを３０以下とすることによりサイクロン構造特有の旋回流を発生させることができ面発光の深紫外光発光素子３１からの紫外線を均一に流体に照射し効率よく流体を殺菌することができる。

次に、以上のように構成される本実施の形態における紫外光照射装置３０の製造方法を説明する。

まず、第１基体２に電極７を形成する。電極７の形成方法としては、露光プロセス、印刷プロセスや蒸着プロセスなど公知の形成法によりパターニングして形成する。

次に、第１基体２に形成した電極７を覆うように、第１基体２上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト（誘電体材料）層を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって、塗布された誘電体ペースト層の表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより電極７を覆う誘電体層６が形成される。なお、誘電体ペーストは、例えば、ガラス粉末などの誘電体材料、バインダ及び溶剤を含む塗料である。

次に、誘電体層６の上に発光層４を設ける。発光層４は、発光材料を含むペーストを任意の領域に塗布し、乾燥と焼成をすることで形成する。

第２基体３には、第１基体２で形成した発光層の膜厚よりも薄い膜厚で発光層４を形成する。形成方法は、第１基体２の発光層４の形成方法と同じでよい。

また、必要に応じて、誘電体層６と発光層４との間に保護層５を形成する。保護層５は放電が形成される電圧（放電開始電圧）を下げる働きと、放電に伴うイオン衝撃から誘電体層６や電極７を保護する働きを持つ。一般的な保護層５は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、及び酸化バリウム（ＢａＯ）の単独材料のペレットや、それらの材料を混合したペレットを原料とした薄膜成膜方法によって形成される。薄膜成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などの公知の方法を適用できる。一例として、スパッタリング法では１Ｐａ、蒸着法の一例である電子ビーム蒸着法では０．１Ｐａが実際上取り得る圧力の上限と考えられる。

次に、第１基体２または第２基体３の少なくとも一方に封着材８を塗布し、その後、封着材料の樹脂成分等を除去するために３５０℃程度の温度で仮焼成する。

次に、以上のようにして作製した第１基体２と第２基体３とを貼り合わせて封着する。

ここでの封着工程で用いる封着・排気用加熱炉について説明する。図３は、実施の形態１における深紫外光発光素子３１を製造する封着・排気用加熱炉１００の概要を示す模式図である。

封着・排気用加熱炉１００は、内部にヒータ５１を有する加熱炉５２を備えている。図３の加熱炉５２の内部には、第２基体３の上に仮焼成された封着材８およびチップ管９（ここでは、複数のチップ管９ａ、９ｂ）を有する第１基体２が重ね合わされている様子が示されている。

第１基体２と第２基体３、第１基体２とチップ管９ａ、９ｂとはそれぞれ、例えばクリップ等の固定手段（図示せず）によって固定された状態となっている。

チップ管９ａには配管５３が接続され、配管５３は、加熱炉５２の外部に設けられた乾燥ガス供給装置７１にバルブ６１を介して接続されている。配管５３にはガス逃がし弁６２が設けられている。

チップ管９ｂには配管５４が接続され、配管５４は、加熱炉５２の外部に設けられた排気装置７２にバルブ６３を介して接続されている。また、配管５４は、加熱炉５２の外部に設けられた放電ガス供給装置７３にバルブ６４を介して接続されている。さらに配管５４は、バルブ６５を介して配管５３にも接続されている。加えて配管５４には圧力計６６が設けられている。

図４は、図３に示される封着・排気用加熱炉１００の温度プロファイルの一例を示す図である。

封着工程およびそれに続く排気工程、放電ガス供給工程のプロファイルの詳細は、順を追って以下に説明するが、説明の便宜上、封着工程と、それに続く排気工程、放電ガス供給工程とを、温度の観点から次の５つの期間に分割する。

すなわち、室温から軟化点まで上昇させる期間（期間１）、軟化点から封着温度まで上昇させる期間（期間２）、封着温度以上の温度で一定時間保持した後、軟化点まで低下させる期間（期間３）（以上、封着工程）、軟化点温度付近またはそれよりやや低い温度で一定時間保持した後、室温まで低下させる期間（期間４：排気工程）、および、室温まで低下した後の期間（期間５：放電ガス供給工程）である。

ここで、軟化点とは、封着材８が軟化する温度を指す。例えば酸化ビスマス（Ｂｉ_２Ｏ_３）系の封着材料の軟化点温度は、４３０℃程度である。

また封着温度とは、第１基体２と第２基体３とが封着材８により、また、第１基体２とチップ管９とが封着材料（図示せず）により、密閉される状態となる温度を指す。本実施の形態における封着温度は、例えば４９０℃程度である。なお、上記の封着温度は以下のようにしてあらかじめ確認することができる。

すなわち、第１基体２と第２基体３とを重ね合わせ、バルブ６１、６４、６５を閉じ、バルブ６３のみを開いて、排気装置７２によってチップ管９ｂを介して放電空間１０を排気しながら、ヒータ５１をオンにして加熱炉５２内部の温度を上昇させる。すると、ある温度で圧力計６６において確認される放電空間１０の圧力がステップ状に減少し、かつバルブ６３を閉じても放電空間１０の圧力が大きく上昇しなくなる。このときの温度は、放電空間１０が密封される封着温度である。

ここで、図５を用いて封着工程の詳細について説明する。図５の（ａ）〜図５の（ｅ）は、それぞれ上述の期間１〜期間５における放電空間１０のガスおよびその流れを示す図である。

まず、第１基体２と第２基体３とを位置決めして重ね合わせる。そして図５の（ａ）に示すように、バルブ６１とバルブ６５とを開いて、乾燥ガスを両方の貫通孔１１（１１ａ及び１１ｂ）から放電空間１０に吹き込みながら、ヒータ５１をオンにして加熱炉５２内部の温度を封着材８の軟化点温度まで上昇させる。

このとき、放電空間１０に吹き込まれた乾燥ガスは、図示される乾燥ガス２００のように、第１基体２または第２基体３とその上に形成された封着材８との隙間を介して放電空間１０から外部へ漏れ出る状態となる。

なお、乾燥ガスとして、露点が−４５℃以下の乾燥窒素ガスを用い、その流量は５Ｌ／ｍｉｎが一般的である（期間１）。

次に、加熱炉５２内部の温度が封着用フリットの軟化点温度以上になると、図５の（ｂ）に示すように、バルブ６５を閉じるとともにバルブ６１を調節して乾燥ガスの流量を期間１における流量の半分以下の２Ｌ／ｍｉｎにする。そしてガス逃がし弁６２を開いて、放電空間１０の圧力が、加熱炉５２内部の圧力よりも僅かに陽圧となるようにする。そして加熱炉５２内部の温度を封着温度まで上昇させる（期間２）。

次に、加熱炉５２内部の温度が封着温度以上の温度に到達し、封着材８が溶融し、第１基体２と第２基体３との封着、および第１基体２とチップ管９ａ、９ｂとの接合が行われると、図５の（ｃ）に示すように、排気装置７２を動作させバルブ６３を調整して、放電空間１０の圧力を僅かに陰圧、例えば８．０×１０^４Ｐａにする。このようにしてチップ管９ａからは乾燥ガスを供給するとともにチップ管９ｂから乾燥ガスを排気することによって、放電空間１０の圧力を僅かに陰圧に保ちつつ放電空間１０に乾燥した窒素ガスを流し続ける。

そしてヒータ５１を制御して加熱炉５２内部の温度を封着温度以上の温度に約３０分保持する。この間に溶融した封着材が僅かに流動し、放電空間１０の圧力が僅かに陰圧に保たれていることから、第１基体２と第２基体３との封着、および第１基体２とチップ管９ａ、９ｂとの接合が精度よく行われる。その後、ヒータ５１をオフにして加熱炉５２の温度を軟化点以下の温度まで下げる（期間３）。

（排気工程）
排気工程は、放電空間１０のガスを排気する工程である。加熱炉５２内部の温度が軟化点温度以下になると、図５の（ｄ）に示すように、バルブ６１を閉じ、バルブ６３およびバルブ６５を開いて、複数の貫通孔１１（１１ａ及び１１ｂ）からチップ管９ａ、９ｂを通して放電空間１０を排気する。そしてヒータ５１を制御して加熱炉５２内部の温度を所定の時間保持しながら、排気を継続して行う。その後、ヒータ５１をオフにして加熱炉５２内部の温度を室温まで低下させる。この間も排気を継続して行う（期間４）。

（放電ガス供給工程）
放電ガス供給工程は、真空排気された放電空間１０にネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）等を主成分とする放電ガスを供給する工程である。加熱炉５２内部の温度が室温まで低下した後、図５の（ｅ）に示すように、バルブ６３を閉じ、バルブ６４およびバルブ６５を開いて、チップ管９ａ、９ｂから複数の貫通孔１１（１１ａ及び１１ｂ）を通して放電ガスを所定の圧力となるように供給する。その後、チップ管９ａ、９ｂの先端（それぞれ、配管５３、５４）との接続箇所を加熱して封止する。

以上のようにして、所定の構成部材を備えた第１基体２と第２基体３とを固定し、その周囲を封着材８で封着して放電空間１０にキセノン（Ｘｅ）とネオン（Ｎｅ）などを含む放電ガスを封入して深紫外光発光素子３１が完成する。

最後に、完成した深紫外光発光素子３１の上に、封着材８と同じ材料（封着材料）等を用いて紫外光フィルタ３２を接合し、さらに、紫外光フィルタ３２の上に、封着材８と同じ材料（封着材料）等を用いてサイクロン構造体３３を接合する。

このような工程によって、紫外光照射装置３０が完成する。

次に、以上の実施の形態１に従って構成した紫外光照射装置３０と比較例に係る深紫外光発光素子とを試作し、特性を比較する実験を行ったので、実施例として説明する。試作した紫外光照射装置の作製方法は、前述した通りである。

試作した紫外光照射装置の構造は図１に示される通りである。第２基体３には深紫外光を透過するサファイアガラスを用い、第２基体３の放電空間１０側の面上に発光層４を設けた。サファイアガラスは片面のみ研磨しており、発光層４を形成する第２基体３の放電空間１０側の面を未研磨面とすることで発光層４の膜の第２基体３への密着性を向上させている。

第２基体３のサファイアガラス上に紫外光フィルタ３２としてチタン含有ガラスを配置し、更にその上部に、流路としてサイクロン構造体３３を設けた。

深紫外光発光素子３１の放電空間１０には、放電ガスとして、Ｎｅ９５％とＸｅ５％の混合ガスを、１０ｋＰａで封入した。

誘電体層６上の保護層５については、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を電子ビーム真空蒸着法にて１μｍの厚さで製膜した。

電極７に印加する電圧は、３０ｋＨｚの矩形波を用いた。１対の電極７には、それぞれ相反する位相の矩形波の電圧を印加した。測定方法としては、まず、電極７に印加する矩形波の電圧を９５０Ｖまで上げ、深紫外光発光素子３１を発光させる。その後、０Ｖまで電圧を下げて深紫外光発光素子３１全体における発光を一旦消し、再度電圧を上げて放電空間１０全体に放電が広がった電圧を放電開始電圧として測定した。

発光スペクトルは、サイクロン構造体３３を配置する前に、第２基体３上の最表面をマルチチャンネル分光器（浜松ホトニクス製 Ｃ１００２７−０１）にて測定し、紫外光フィルタ３２無しの場合と紫外光フィルタ３２有りの場合で比較した。図６に紫外光フィルタ３２無しの場合と紫外光フィルタ３２有りの場合の発光スペクトルの比較図を示す。２３０ｎｍ付近に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からの深紫外光の発光が見られ、紫外光フィルタ３２を入れることで、２００ｎｍ付近の発光強度が低下していることが分かる。

紫外光照射装置による有機物分解能力を測定し比較する為に、流路またはサイクロン構造体３３にガス量：１２リットル／ｍｉｎの臭気成分含有空気（被処理ガス）を流通して脱臭試験を実施した。臭気成分の濃度は、硫化水素：１０ｐｐｍ、メチルメルカプタン：０．５ｐｐｍ、およびアンモニア：２ｐｐｍとした。オゾン濃度は、臭気成分を流通しないブランクの条件において、フィルタ無しでは３０ｐｐｍであった。

本実施例で試作した４種類の紫外光照射装置の構成（比較例１、２、実施例１、２）について表１に示す。

表２から明らかなように、紫外光フィルタの無い比較例１に対して、紫外光フィルタを備えた比較例２は、排気口でのオゾンの濃度が１桁低下しているが、それにともなって臭気成分の分解率も約１桁低下した。一方、実施例１においては、比較例１に対して、排気口でのオゾンの濃度が２０分の１に減少しているにもかかわらず、臭気の分解率は２割程度向上し、分解反応が進んでいることがわかる。更に、筒状構造体の四隅の内壁に曲面壁を設けた実施例２においては、排気口でのオゾンの存在が見られなかったにもかかわらず、硫化水素とメチルメルカプタンはほぼ完全に分解され、アンモニアも６０％以上分解されており、分解率が非常に向上している。これは、サイクロン流路内での壁面での空気抵抗が低減され、旋回流の回転モーメントが増加したためサイクロン流路内での滞在時間が増加し反応が促進されたためと考えられる。

以上の結果から、本実施の形態における実施例１および２の構成を用いることによって、人体に有害なオゾンの発生を抑えると同時に臭気成分を分解する効果が非常に高い紫外光照射装置を実現できることがわかる。

なお、上記実施の形態１における紫外光照射装置３０では、別個の構造物である第２基体３と紫外光フィルタ３２とが貼り合わされたが、これらが一体で形成されていてもよい。

図７は、第２基体と紫外光フィルタとが一体で形成された、実施の形態１の変形例における紫外光照射装置３０ａの構造を示す模式断面図である。紫外光照射装置３０ａは、上記実施の形態１における第２基体３と紫外光フィルタ３２とに代えて、紫外光フィルタとしての機能を有する第２基体３ａを備える点で、上記実施の形態１における紫外光照射装置３０と異なる。すなわち、本変形例の深紫外光発光素子３１ａは第２基体３ａを備える。他の構成要素については、上記実施の形態１における紫外光照射装置３０と同じである。本変形例における第２基体３ａは、上記実施の形態１における第２基体３と紫外光フィルタとしての役割を果たす構造物である。つまり、第２基体３ａは、波長が２００ｎｍ以下の光の８０％以上を吸収または反射するとともに深紫外光を透過しやすい構造物である。第２基体３ａは、チタンを含有した、紫外光を透過しやすい特殊ガラス、石英ガラス（ＳｉＯ_２）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ_２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）フッ化リチウム（ＬｉＦ）、サファイアガラス（Ａｌ_２Ｏ_３）などで形成される。

このような変形例により、第２基体と紫外光フィルタとが一体化され、上記実施の形態１における紫外光照射装置３０と同じ効果を奏し、かつ、よりも簡易な構造をもつ紫外光照射装置３０ａが実現される。

（実施の形態２）
図９は、実施の形態２における紫外光照射装置９０の構成を示す模式断面図である。図１０は、図９に示される反応槽３３ａの構造を示す図、つまり、図９のＸ−Ｘ線を含む面（すなわち紙面に垂直な面）で反応槽３３ａを切断して得られる切断面を平面視した図である。上述した実施の形態１およびその変形例では、サイクロン構造体３３が、外部から流入した流体に紫外線を照射するための反応槽として用いられていた。実施の形態２の紫外光照射装置９０は、サイクロン構造体３３に代えて反応槽３３ａを備えている点で実施の形態１の紫外光照射装置３０と異なる。実施の形態２の紫外光照射装置９０の他の構成は、実施の形態１と同一である。本実施の形態において、実施の形態１と同様の部分については同一の符号を付し、その説明を省略する場合がある。

反応槽３３ａは、外部から流入した流体に紫外線を照射するために、筒状構造体１４と、流入路１５ａと、流出路１６ａと、蓋１３ａとを備える。筒状構造体１４の上面は、蓋１３ａによって塞がれている。蓋１３ａは、筒状構造体１４と一体に形成されていてもよい。筒状構造体１４の下面は紫外光フィルタ３２によって塞がれている。流入路１５ａおよび流出路１６ａは、筒状構造体１４の側面を貫通するパイプで構成される。流入路１５ａは、反応槽３３ａの外部から流入した流体を筒状構造体１４の内部に導く。流出路１６ａは、筒状構造体１４の内部から流出した流体を反応槽３３ａの外部に導く。この構成により、外部から流入した流体は、筒状構造体１４内部に十分な時間滞留する。滞留する流体に対して紫外光フィルタ３２を介して紫外線が照射される。紫外線をより長い時間照射するために、流入路１５ａおよび流出路１６ａを筒状構造体１４の体対角に配置してもよい（図９および１０参照）。

（実施の形態３）
以下、本開示の実施の形態３に係る紫外光照射装置２０１の構成について、図１１を用いて説明する。図１１は、本実施の形態に係る紫外光照射装置２０１の構成を示す断面図である。本実施の形態において、実施の形態１と同様の部分については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する場合がある。

本実施の形態に係る紫外光照射装置２０１と実施の形態１に係る紫外光照射装置３０との相違点は、電極７の直上の領域の少なくとも一部を含む領域４６に位置する第１の発光層４１の膜厚が、領域４６とは異なる領域４７に位置する第２の発光層４２の膜厚より薄いことである。例えば、第１の発光層４１の膜厚は１０μｍ未満であり、第２の発光層４２の膜厚は約２０μｍ〜３０μｍである。第２基体３上に第３の発光層４３があってもよい。

以下では、本実施の形態に係る紫外光照射装置２０１について、その特徴及び効果を説明する。電極の直上方向に発光層を設けた紫外光発光素子において、連続点灯させた際に発光強度が経時的に低下する課題がある。本発明者らは、この課題の要因が、放電で発生するイオン衝撃により電極の直上方向の発光層の発光強度が低下することと、電極の直上方向の発光層の二次電子放出特性が変化して放電強度が小さくなることとの２つが同時に起こっていることを新たに見出した。

この課題の解決法として、本実施の形態に係る紫外光照射装置２０１は、第１の主面および第１の主面の反対側の第２の主面を有する第１基体２と、第１基体２の第１の主面に対向して位置する第２基体３と、第１基体２の第１の主面上に位置する複数の電極７と、第１基体２の第１の主面上に位置し、複数の電極７を覆う誘電体層６と、誘電体層６上に位置し誘電体層６を保護する保護層５と、紫外光を発する第１〜第３の発光層４１、４２および４３とを備える。第１の発光層４１は、保護層５上において複数の電極７の直上の領域の少なくとも一部を含む領域４６に位置する。第２の発光層４２は、保護層５上において領域４６とは異なる領域４７に位置する。第１の発光層４１は、第２の発光層４２よりも薄い。これにより、第１および第２の発光層４１および４２は、放電空間１０側に凹凸形状を形成する。第３の発光層４３は、第２基体３の第１基体２側の表面に位置する。第１基体２と第２基体３との間の放電空間１０には、所定のガスが充填され、第１〜第３の発光層４１、４２および４３は、ガス中における複数の電極７間の放電によって紫外光を発する。

これにより、複数の電極７の直上の領域において第１の発光層４１が薄いので、深紫外光発光素子３１ｂ全体の発光強度における複数の電極７の直上の領域の発光強度が占める割合を小さくすることができる。したがって、複数の電極７の直上の領域における第１の発光層４１の発光強度が経時的に低下したとしても、深紫外光発光素子３１ｂ全体の発光強度に与える影響を小さくすることができる。すなわち、深紫外光発光素子３１ｂにおける紫外光の発光強度の経時的な低下を抑制することができる。

また、複数の電極７の直上の領域における第１の発光層４１が薄いので、誘電体層６又は保護層５上の発光層による被覆率が下がる。このため、放電開始電圧は、第１の発光層４１の下層にある誘電体層６又は保護層５の二次電子放出特性の影響を受けやすくなる。誘電体層６又は保護層５は、第１の発光層４１よりも二次電子放出特性の経時的な変化が小さい。このため、連続点灯による二次電子放出特性の変化も小さくなり、放電強度の低下を抑制することもできる。

また、本実施の形態において、複数の電極７の直上の領域では、第１の発光層４１が薄いので、第１の発光層４１の下層の二次電子放出特性の影響を受けやすくなる。このため、図１１に示すように、第１の発光層４１の下に保護層５を設けることは、非常に有効である。保護層５としては、高い二次電子放出特性と耐イオン衝撃性とを持つ材料を用いることができる。例えば、薄膜のＭｇＯは、安定で高い耐イオン衝撃性を持つことから、経時的な放電強度の変化が非常に小さく、発光強度の高い紫外光発光素子を得ることができる。

また、第１の発光層４１として粉末の発光材料を用いた場合、複数の電極７の直上方向の領域における第１の発光層４１の膜厚は、１０μｍ未満としてもよい。図１２は、発光層に粉末状のＭｇＯを用いた場合の透過率と反射率との膜厚依存性を示すグラフである。図１２に示すように、膜厚が１０μｍ未満になると、透過率が急に高くなることが分かる。このため、第１の発光層４１が１０μｍ以下の膜厚では、第１の発光層４１の表面で発生する紫外光の一部が電極７側に透過し、誘電体層６で吸収し始める。このため、深紫外光発光素子３１ｂが発する紫外光の強度における複数の電極７の直上方向の領域の発光強度の占める割合をより小さくすることができる。

第１および第２の発光層４１および４２は、マスクを用いて作成することができる。詳細には、まず、保護層５上の全体に第１の発光層４１と同じ膜厚の発光層を作成する。次に、第１の領域４６にマスクを形成して第２の領域４７に第２の発光層４２を作成し、その後にマスクを除去する。

上記では、保護層５を設けたが、保護層５は必須ではなく省略してもよい。また、図１１では、第１の領域４６の平面視が複数の電極７の平面視と一致しているが、第１の領域４６が複数の電極７よりも広い範囲であってもよいし、狭い範囲であってもよい。また、第１の領域４６に第１の発光層４１を設けず、保護層５または誘電体層６が放電空間１０に露出するようにしてもよい。これにより、深紫外光発光素子３１ｂにおける紫外光の発光強度の経時的な低下を更に抑制することができる。また、第２の領域４７が誘電体層６および保護層５に覆われておらず、第１基体２に直接接して第２の発光層４２が設けられていてもよい。これにより、第１基体２が紫外光を透過する場合に、深紫外光発光素子３１ｂの両面から紫外光を射出することができる。この場合、紫外光照射装置２０１は、さらに、第１基体２の第２の主面上にサイクロン構造体３３および紫外光フィルタ３２を備えてもよい。

以上、一つまたは複数の態様に係る紫外光照射装置について、実施の形態１〜３および変形例に基づいて説明したが、本開示は、これらの実施の形態１〜３および変形例に限定されるものではない。本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態または変形例に施したものや、異なる実施の形態および変形例における構成要素を組み合わせて構築される形態も、一つまたは複数の態様の範囲内に含まれてもよい。例えば、実施の形態２および３の紫外光照射装置９０および２０１は、それぞれ、第２基体３および紫外光フィルタ３２に代えて、実施の形態１の変形例の第２基体３ａを備えてもよい。また、実施の形態２の紫外光照射装置９０は、深紫外光発光素子３１に代えて、実施の形態３の深紫外光発光素子３１ｂを備えてもよい。

また、例えば、上記実施の形態１〜３および変形例において、放電ガスにネオン（Ｎｅ）とキセノン（Ｘｅ）の混合ガスを用いたが、これに限らず、キセノン（Ｘｅ）の単体ガスや塩化クリプトン（ＫｒＣｌ）等他のハロゲン希ガスを用いてもよい。

また、上記実施の形態１〜３において、紫外光フィルタ３２は、必ずしも必須の構成要素ではなく、紫外光照射装置に備えられていなくてもよい。上記実施の形態では、紫外光の光源として、放電空間１０で発生した励起光によって深紫外光を発光する発光層４が用いられている。よって、紫外光フィルタ３２を備えない紫外光照射装置であっても、図６の「紫外光フィルタ無し」のグラフに示されるように、水銀ランプに比べ、１８５ｎｍ付近の波長における発光が抑制されているので、人体に有害なオゾンの発生が抑制される。つまり、上記実施の形態における紫外光照射装置において、紫外光フィルタが備えられなくても、水銀ランプを用いた装置に比べ、オゾンの発生を抑制し、かつ、効率良く流体に紫外光を照射できる紫外光照射装置が実現される。

また、上記実施の形態１〜３および変形例において、筒状構造体１４及びその内部は四角柱状で、その平面視が正方形状であった。しかし、筒状構造体１４およびその内部の形状はこれに限定されない。例えば、筒状構造体１４及びその内部は、四角柱状であって、その平面視が長方形状又は他の四角形状であってもよい。また、筒状構造体１４及びその内部は、他の多角柱状であって、その平面視が他の多角形状であってもよい。また、筒状構造体１４及びその内部は、円柱状であって、その平面視が円形状または長円形状であってもよい。この明細書で多角形は三つ以上の辺を有する形状である。また、この明細書で正方形状、長方形状、四角形状および多角形状は、角部が曲線の正方形、長方形、四角形および多角形を含む。また、この明細書で、四角柱状および多角柱状は、角部が曲面の四角柱および多角柱を含む。

本開示は、紫外光照射装置として、特に、オゾンの発生を抑制し、かつ、効率良く流体に紫外光を照射できる紫外光照射装置として、例えば、深紫外光で有機物を分解する処理装置、具体的には、殺菌、脱臭、洗浄、浄水、リソグラフ、照明などの用途に用いられる処理装置として有用である。

２ 第１基体
３、３ａ 第２基体
４、４１、４２、４３ 発光層
５ 保護層
６ 誘電体層
７ 電極
８ 封着材
９、９ａ、９ｂ チップ管
１０ 放電空間
１１、１１ａ、１１ｂ 貫通孔
１２ 紫外光（より特定的には深紫外光）
１３ 錐状構造体
１３ａ 蓋
１４ 筒状構造体
１５ 流入口
１５ａ 流入路
１６ 流出口
１６ａ 流出路
１７ 曲面壁
３０、３０ａ、９０、２０１ 紫外光照射装置
３１、３１ａ、３１ｂ 深紫外光発光素子
３２ 紫外光フィルタ
３３ サイクロン構造体
３３ａ 反応槽
５１ ヒータ
５２ 加熱炉
５３、５４ 配管
６１、６３、６４、６５ バルブ
６２ ガス逃がし弁
６６ 圧力計
７１ 乾燥ガス供給装置
７２ 排気装置
７３ 放電ガス供給装置
１００ 封着・排気用加熱炉
２００ 乾燥ガス

Claims (8)

1. 主面を有する第１基体と、
   前記第１基体の前記主面に位置する複数の電極と、
   前記複数の電極を覆う誘電体層と、
   前記誘電体層に対向して位置し紫外光を透過する材料を含む第２基体と、
   前記第１基体と前記第２基体との間に密閉された放電空間が形成されるように、前記第１基体と前記第２基体とを接合し、前記第１基体および前記第２基体とともに前記放電空間を封じる封着材と、
   前記誘電体層の上方、および／または前記第２基体の前記放電空間側の面の上方に位置し、前記放電空間で発生した励起光を受けて紫外光を発光する発光層と、
   前記第２基体の前記放電空間側とは反対側の面の上方に設けられた反応槽とを備え、
   前記反応槽は、筒状構造体と、前記反応槽の外部から流入した流体を前記筒状構造体の内部に導く導入路と、前記筒状構造体の内部から流出した流体を前記反応槽の外部に導く導出路とを備え、
   前記筒状構造体の内部の底面の内接円の直径をｈａ、前記筒状構造体の内部の高さをｈｃとすると、ｈａ／ｈｃは５以上且つ１０以下である紫外光照射装置。
2. 前記導入路および前記導出路は、前記筒状構造の中心部に対して体対角に位置する請求項１に記載の紫外光照射装置。
3. 前記筒状構造体は、前記導入路が当該筒状構造体の内部に導いた前記流体を旋回させ、
   前記反応槽は、更に、前記筒状構造体の内部で旋回した流体を前記導出路に流出させる錐状構造体を備える請求項１に記載の紫外光照射装置。
4. 前記筒状構造体は、角筒構造を有し、角部には、曲面の内壁を有する、請求項１〜３の何れか１項に記載の紫外光照射装置。
5. 前記第２基体と前記反応槽との間に設けられ、波長が２００ｎｍ以下の光の８０％以上を吸収または反射する紫外光フィルタをさらに備える、請求項１〜４の何れか１項に記載の紫外光照射装置。
6. 前記第２基体は、波長が２００ｎｍ以下の光の８０％以上を吸収または反射する紫外光フィルタである、請求項１〜５の何れか１項に記載の紫外光照射装置。
7. 前記発光層は、２００ｎｍから３００ｎｍの間に発光強度のピークを有する酸化マグネシウムの粉末である、請求項１〜６の何れか１項に記載の紫外光照射装置。
8. 前記発光層は、前記誘電体層の前記放電空間側の面の上方に位置する請求項１〜７の何れか１項に記載の紫外光照射装置。

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