JP2016207909A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP2016207909A
JP2016207909A JP2015089990A JP2015089990A JP2016207909A JP 2016207909 A JP2016207909 A JP 2016207909A JP 2015089990 A JP2015089990 A JP 2015089990A JP 2015089990 A JP2015089990 A JP 2015089990A JP 2016207909 A JP2016207909 A JP 2016207909A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
support
resin part
semiconductor device
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015089990A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
伸康 後藤
Nobuyasu Goto
伸康 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2015089990A priority Critical patent/JP2016207909A/en
Publication of JP2016207909A publication Critical patent/JP2016207909A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device which can reduce an impact on a semiconductor chip while reducing the number of components and manufacturing man-hour.SOLUTION: A semiconductor device comprises: a first resin part 300 formed in a rectangular shape; a lead frame 100 having a first support part 150 which extends from a first lateral face 310 of the first resin part 300 and a second support part 160 which extends from a second lateral face 320 on the side opposite to the first lateral face 310 to the side opposite to the first support part 150, in which the first resin part 300 molds one ends 151, 161 of respective support parts 150, 160; and a second resin part 400 which molds the other ends 152, 162 of respective support parts 150, 160 so as to expose a part of each of the other ends 152, 162, in which exposed parts 101 out of support parts 150, 160, which are exposed from the first resin part 300 and the second resin part 400 have a spring function for relatively displacing the first resin part 300 and the second resin part 400.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、リードフレームに実装された半導体チップを備えた半導体装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device including a semiconductor chip mounted on a lead frame.

従来より、半導体チップが封止材に封止された半導体パッケージを備えた半導体装置が、例えば特許文献１で提案されている。半導体パッケージは、バネピンを介して実装基板に実装されている。これにより、実装基板から半導体パッケージに伝わる衝撃や振動がバネピンで減衰されるようになっている。   Conventionally, for example, Patent Document 1 proposes a semiconductor device including a semiconductor package in which a semiconductor chip is sealed with a sealing material. The semiconductor package is mounted on the mounting substrate via spring pins. Thereby, the impact and vibration transmitted from the mounting substrate to the semiconductor package are attenuated by the spring pins.

特開２００３−２７３２８２号公報JP 2003-273282 A

しかしながら、上記従来の技術では、バネピンは半導体パッケージ及び実装基板とは別部品として用意しなければならないので、半導体装置の部品点数が増加してしまうという問題がある。   However, in the above conventional technique, the spring pin must be prepared as a separate component from the semiconductor package and the mounting substrate, and there is a problem that the number of components of the semiconductor device increases.

また、半導体チップを実装基板に直接実装するのではなく、半導体パッケージと実装基板との間にバネピンを実装しなければならないので、バネピンに対する専用の製造工程が必要である。したがって、半導体装置の製造工数が増加してしまうという問題がある。   In addition, since a spring pin must be mounted between the semiconductor package and the mounting substrate instead of directly mounting the semiconductor chip on the mounting substrate, a dedicated manufacturing process for the spring pin is required. Therefore, there is a problem that the number of manufacturing steps of the semiconductor device increases.

本発明は上記点に鑑み、部品点数及び製造工数を削減しつつ、半導体チップに対する衝撃や振動を低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of reducing impact and vibration on a semiconductor chip while reducing the number of parts and the number of manufacturing steps.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、１枚の金属板がプレス加工されたことで構成されていると共に、アイランド部（１１０）及び支持部（１５０〜１９３）を有するリードフレーム（１００）と、リードフレーム（１００）のアイランド部（１１０）に実装された半導体チップ（２００）と、アイランド部（１１０）、半導体チップ（２００）、及び支持部（１５０〜１９３）の一端部（１５１、１６１）をモールドした第１樹脂部（３００）と、を備えている。   In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a lead having an island portion (110) and a support portion (150 to 193) is formed by pressing one metal plate. One end of the frame (100), the semiconductor chip (200) mounted on the island part (110) of the lead frame (100), the island part (110), the semiconductor chip (200), and the support part (150 to 193) A first resin part (300) molded with the parts (151, 161).

また、第１樹脂部（３００）とは分離されており、リードフレーム（１００）のうちの支持部（１５０〜１９３）の他端部（１５２、１６２）の一部が露出するように当該他端部（１５２、１６２）をモールドした第２樹脂部（４００）を備えている。   Further, the other part is separated from the first resin part (300), and the other part (152, 162) of the support part (150-193) of the lead frame (100) is exposed. A second resin portion (400) in which the end portions (152, 162) are molded is provided.

そして、支持部（１５０〜１９３）のうちの第１樹脂部（３００）及び第２樹脂部（４００）から露出した露出部（１０１）が、第１樹脂部（３００）と第２樹脂部（４００）とを相対的に変位させるバネ機能を有していることを特徴とする。   And the exposed part (101) exposed from the 1st resin part (300) of the support parts (150-193) and the 2nd resin part (400) is the 1st resin part (300) and the 2nd resin part ( 400), and has a spring function of relatively displacing.

これによると、第１樹脂部（３００）が第２樹脂部（４００）に対して支持部（１５０〜１９３）を介して支持された状態になる。このため、第２樹脂部（４００）が受けた衝撃や振動をリードフレーム（１００）の一部である支持部（１５０〜１９３）の露出部（１０１）で減衰させることができる。   According to this, the 1st resin part (300) will be in the state supported via the support part (150-193) with respect to the 2nd resin part (400). For this reason, the impact and vibration which the 2nd resin part (400) received can be attenuated by the exposed part (101) of the support part (150-193) which is a part of lead frame (100).

また、リードフレーム（１００）の一部である支持部（１５０〜１９３）にバネ機能を持たせているので、別部品が不要である。さらに、別部品が不要になるので、別部品を組み付けるための専用の製造工程も不要である。したがって、部品点数及び製造工数を削減しつつ、半導体チップ（２００）に対する衝撃を低減することができる。   Moreover, since the support part (150-193) which is a part of lead frame (100) is made to have a spring function, another part is unnecessary. Furthermore, since no separate parts are required, a dedicated manufacturing process for assembling the separate parts is also unnecessary. Therefore, the impact on the semiconductor chip (200) can be reduced while reducing the number of parts and the number of manufacturing steps.

なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in this column and the claim shows the correspondence with the specific means as described in embodiment mentioned later.

本発明の第１実施形態に係る半導体装置の平面図である。1 is a plan view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. 図１のII−II断面図である。It is II-II sectional drawing of FIG. 図１のIII−III断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 1. 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device concerning a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device concerning a 3rd embodiment of the present invention. 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device concerning a 4th embodiment of the present invention. 本発明の第５実施形態に係る半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device concerning a 5th embodiment of the present invention. 本発明の第６実施形態に係る半導体装置の平面図である。It is a top view of the semiconductor device concerning a 6th embodiment of the present invention.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals in the drawings.

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置は、例えば加速度等の物理量を検出するためのセンサ装置として構成されている。図１〜図３に示されるように、半導体装置は、リードフレーム１００、半導体チップ２００、第１樹脂部３００、及び第２樹脂部４００を備えて構成されている。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The semiconductor device according to the present embodiment is configured as a sensor device for detecting a physical quantity such as acceleration, for example. As shown in FIGS. 1 to 3, the semiconductor device includes a lead frame 100, a semiconductor chip 200, a first resin part 300, and a second resin part 400.

リードフレーム１００は、図示しない１枚の金属板が所定の形状に打ち抜き加工（プレス加工）されて形成されたものである。金属板はＣｕ等の金属材料で形成されたものである。このようなリードフレーム１００は、アイランド部１１０、複数のリード１２０〜１４０、第１支持部１５０、及び第２支持部１６０を有している。   The lead frame 100 is formed by punching (pressing) a single metal plate (not shown) into a predetermined shape. The metal plate is formed of a metal material such as Cu. Such a lead frame 100 includes an island part 110, a plurality of leads 120 to 140, a first support part 150, and a second support part 160.

アイランド部１１０は、半導体チップ２００が実装される部分である。各リード１２０〜１４０は配線として機能する部分である。例えば、リード１２０が電源用として機能し、リード１３０が信号用として機能し、リード１４０がグランド用として機能する。   The island part 110 is a part where the semiconductor chip 200 is mounted. Each of the leads 120 to 140 is a part that functions as a wiring. For example, the lead 120 functions as a power source, the lead 130 functions as a signal, and the lead 140 functions as a ground.

第１支持部１５０は各リード１２０〜１４０を挟むように第１樹脂部３００から２本延び出ている。第２支持部１６０は、第１樹脂部３００から２本の第１支持部１５０とは反対側に２本延び出ている。そして、各支持部１５０、１６０の一端部１５１、１６１はアイランド部１１０に一体化されている。これにより、アイランド部１１０及び各支持部１５０、１６０はＨ形状を構成している。   Two first support portions 150 extend from the first resin portion 300 so as to sandwich the leads 120 to 140. Two second support portions 160 extend from the first resin portion 300 to the side opposite to the two first support portions 150. Then, one end portions 151 and 161 of the support portions 150 and 160 are integrated with the island portion 110. Thereby, the island part 110 and each support part 150,160 comprise H shape.

半導体チップ２００は、半導体基板に図示しないセンサエレメントやセンサエレメントで検出された信号を処理するための回路部が形成された半導体デバイスである。本実施形態では、センサエレメントは例えば加速度を検出するように構成されている。   The semiconductor chip 200 is a semiconductor device in which a circuit element for processing a sensor element (not shown) and a signal detected by the sensor element is formed on a semiconductor substrate. In this embodiment, the sensor element is configured to detect acceleration, for example.

また、半導体チップ２００はリードフレーム１００のアイランド部１１０に接着剤で固定されている。そして、半導体チップ２００は図示しないボンディングパットを有し、各リード１２０〜１４０に対してボンディングワイヤ２１０、２２０、２３０を介して電気的に接続されている。   The semiconductor chip 200 is fixed to the island part 110 of the lead frame 100 with an adhesive. The semiconductor chip 200 has a bonding pad (not shown) and is electrically connected to the leads 120 to 140 via bonding wires 210, 220, and 230.

第１樹脂部３００は、アイランド部１１０、半導体チップ２００、各リード１２０〜１４０のうちのアイランド部１１０側の一端部１２１、１３１、１４１、及び各支持部１５０、１６０のうちのアイランド部１１０側の一端部１５１、１６１をモールドしたものである。   The first resin part 300 includes the island part 110, the semiconductor chip 200, one end part 121, 131, 141 on the island part 110 side of the leads 120 to 140, and the island part 110 side of the support parts 150, 160. One end portions 151 and 161 are molded.

なお、本実施形態では、第１樹脂部３００は、アイランド部１１０のうち半導体チップ２００が実装された面とは反対側の面が露出するようにアイランド部１１０をモールドしている。これは第１樹脂部３００の形態の一例であり、第１樹脂部３００がアイランド部１１０の全体をモールドしていても構わない。   In the present embodiment, in the first resin portion 300, the island portion 110 is molded so that the surface of the island portion 110 opposite to the surface on which the semiconductor chip 200 is mounted is exposed. This is an example of the form of the first resin part 300, and the first resin part 300 may mold the entire island part 110.

本実施形態では、第１樹脂部３００は直方体状に成形されている。したがって、各リード１２０〜１４０及び２本の第１支持部１５０は、第１樹脂部３００の第１側面３１０から延び出ている。一方、２本の第２支持部１６０は、第１側面３１０とは反対側の第２側面３２０から２本の第１支持部１５０とは反対側に延び出ている。   In this embodiment, the 1st resin part 300 is shape | molded by the rectangular parallelepiped shape. Accordingly, each of the leads 120 to 140 and the two first support portions 150 extends from the first side surface 310 of the first resin portion 300. On the other hand, the two second support portions 160 extend from the second side surface 320 opposite to the first side surface 310 to the opposite side to the two first support portions 150.

第２樹脂部４００は、第１樹脂部３００とは分離された部分である。すなわち、図１に示されるように、第２樹脂部４００は第１樹脂部３００を一定距離離れた状態で囲むように四角形の枠状に成形されている。つまり、第２樹脂部４００は中空部分を有し、この中空部分に第１樹脂部３００を配置させている。   The second resin part 400 is a part separated from the first resin part 300. That is, as shown in FIG. 1, the second resin part 400 is formed in a rectangular frame shape so as to surround the first resin part 300 at a certain distance. That is, the second resin part 400 has a hollow part, and the first resin part 300 is arranged in this hollow part.

また、図２及び図３に示されるように、第２樹脂部４００は、各リード１２０〜１４０の他端部１２２、１３２、１４２及び各支持部１５０、１６０の他端部１５２、１６２の一部が露出するように各他端部１２２、１３２、１４２、１５２、１６２をモールドしている。したがって、第１樹脂部３００は、各リード１２０〜１４０及び各支持部１５０、１６０の支持によって第２樹脂部４００の中空部分に浮いた状態になっている。   As shown in FIGS. 2 and 3, the second resin portion 400 includes one of the other end portions 122, 132, 142 of the leads 120 to 140 and one of the other end portions 152, 162 of the support portions 150, 160. The other end portions 122, 132, 142, 152, 162 are molded so that the portions are exposed. Therefore, the first resin part 300 is in a state of floating in the hollow portion of the second resin part 400 by the support of the leads 120 to 140 and the support parts 150 and 160.

ここで、第１樹脂部３００のうち第１側面３１０及び第２側面３２０に隣接する第３側面３３０と、この第３側面３３０とは反対側の第４側面３４０と、からは各支持部１５０、１６０が突出していない。しかしながら、第２樹脂部４００はこれら第３側面３３０及び第４側面３４０に対向する位置にも設けられている。これは、第２樹脂部４００のハンドリングを向上させるためである。   Here, from the third side surface 330 adjacent to the first side surface 310 and the second side surface 320 of the first resin portion 300 and the fourth side surface 340 opposite to the third side surface 330, each support portion 150 is provided. , 160 does not protrude. However, the second resin portion 400 is also provided at a position facing the third side surface 330 and the fourth side surface 340. This is to improve the handling of the second resin part 400.

なお、本実施形態では、第２樹脂部４００は、各リード１２０〜１４０の他端部１２２、１３２、１４２及び各支持部１５０、１６０の他端部１５２、１６２のうち半導体チップ２００側の面とは反対側の面が露出するようにこれらをモールドしている。これは第１樹脂部３００の形態の一例であり、例えば第２樹脂部４００が各リード１２０〜１４０の他端部１２２、１３２、１４２及び各支持部１５０、１６０の他端部１５２、１６２の先端が露出するようにこれらをモールドしていても構わない。   In the present embodiment, the second resin portion 400 is a surface on the semiconductor chip 200 side among the other end portions 122, 132, 142 of the leads 120 to 140 and the other end portions 152, 162 of the support portions 150, 160. These are molded so that the opposite surface is exposed. This is an example of the form of the first resin part 300. For example, the second resin part 400 is formed of the other end parts 122, 132, 142 of the leads 120 to 140 and the other end parts 152, 162 of the support parts 150, 160. These may be molded so that the tip is exposed.

図２及び図３に示されるように、各リード１２０〜１４０の他端部１２２、１３２、１４２及び各支持部１５０、１６０の他端部１５２、１６２は、はんだ５００によって回路基板５１０の図示しないパッドにはんだ付けされている。これにより、半導体チップ２００は、各リード１２０〜１４０を介して回路基板５１０に設けられた電気回路に電気的に接続されている。なお、回路基板５１０において、各支持部１５０、１６０の他端部１５２、１６２に対応したパッドは例えばダミーのパッドである。   As shown in FIGS. 2 and 3, the other end portions 122, 132, 142 of the leads 120 to 140 and the other end portions 152, 162 of the support portions 150, 160 are not illustrated on the circuit board 510 by the solder 500. Soldered to the pad. Thereby, the semiconductor chip 200 is electrically connected to the electric circuit provided on the circuit board 510 via the leads 120 to 140. In the circuit board 510, pads corresponding to the other end portions 152 and 162 of the support portions 150 and 160 are, for example, dummy pads.

また、回路基板５１０は第２樹脂部４００の中空部分に対応した部分に設けられた貫通孔５１１を有している。貫通孔５１１は、第１樹脂部３００が振動した際に、第１樹脂部３００が回路基板５１０に接触することを防止する役割を果たす。   Further, the circuit board 510 has a through hole 511 provided in a portion corresponding to the hollow portion of the second resin portion 400. The through hole 511 plays a role of preventing the first resin part 300 from contacting the circuit board 510 when the first resin part 300 vibrates.

なお、第１樹脂部３００が回路基板５１０に接触しなければ良いので、回路基板５１０が完全に貫通していなくても良い。例えば、回路基板５１０のうち第１樹脂部３００に対向する部分に溝部が形成されていても良い。一方、回路基板５１０と各リード１２０〜１４０との間に導電性のスペーサを設けることで回路基板５１０に対する第１樹脂部３００の位置を調整しても良い。これにより、回路基板５１０に貫通孔５１１や溝部が不要になる。   Since the first resin part 300 does not need to contact the circuit board 510, the circuit board 510 may not penetrate completely. For example, a groove portion may be formed in a portion of the circuit board 510 that faces the first resin portion 300. On the other hand, the position of the first resin part 300 relative to the circuit board 510 may be adjusted by providing a conductive spacer between the circuit board 510 and each of the leads 120 to 140. Thereby, the through-hole 511 and a groove part become unnecessary in the circuit board 510.

上記のように、リードフレーム１００が第１樹脂部３００と第２樹脂部４００とにモールドされているので、リードフレーム１００は第１樹脂部３００及び第２樹脂部４００から露出した部分である露出部１０１を有している。この露出部１０１は、第１樹脂部３００と第２樹脂部４００とを相対的に変位させるバネ機能を有している。すなわち、露出部１０１は、第１樹脂部３００をリードフレーム１００において半導体チップ２００の設置面に対して垂直な方向に変位させることができる。各露出部１０１のバネ定数は同じになるようにリードフレーム１００が設計されている。つまり、バネ機能はリードフレーム１００の材質に基づいている。   As described above, since the lead frame 100 is molded in the first resin part 300 and the second resin part 400, the lead frame 100 is an exposed part that is exposed from the first resin part 300 and the second resin part 400. Part 101. The exposed portion 101 has a spring function that relatively displaces the first resin portion 300 and the second resin portion 400. That is, the exposed portion 101 can displace the first resin portion 300 in the direction perpendicular to the installation surface of the semiconductor chip 200 in the lead frame 100. The lead frame 100 is designed so that the spring constant of each exposed portion 101 is the same. That is, the spring function is based on the material of the lead frame 100.

これにより、回路基板５１０や第２樹脂部４００が受けた衝撃や振動を露出部１０１で減衰させることができる。本実施形態では、各支持部１５０、１６０だけでなく、電気配線として機能する各リード１２０〜１４０の露出部１０１によっても振動や衝撃を吸収することができる。したがって、半導体チップ２００に対する衝撃を低減することができる。上述のように、半導体チップ２００は加速度等を測定するセンサとして構成されているので、半導体チップ２００に対する不要な衝撃や振動から半導体チップ２００を保護することができる。   Thereby, the impact and vibration received by the circuit board 510 and the second resin part 400 can be attenuated by the exposed part 101. In the present embodiment, vibrations and impacts can be absorbed not only by the support portions 150 and 160 but also by the exposed portions 101 of the leads 120 to 140 that function as electrical wiring. Therefore, the impact on the semiconductor chip 200 can be reduced. As described above, since the semiconductor chip 200 is configured as a sensor for measuring acceleration and the like, the semiconductor chip 200 can be protected from unnecessary impact and vibration on the semiconductor chip 200.

そして、リードフレーム１００の一部が衝撃や振動を減衰させるバネ機能を有しているので、当該バネ機能を有する別部品は不要である。つまり、リードフレーム１００とは異なる別部品を用いずに半導体装置を構成することができる。   Since a part of the lead frame 100 has a spring function that attenuates shock and vibration, a separate part having the spring function is unnecessary. That is, the semiconductor device can be configured without using a separate component different from the lead frame 100.

さらに、バネ機能を有する別部品が不要であるので、別部品を組み付けるための専用の製造工程も不要である。すなわち、各支持部１５０、１６０はリードフレーム１００の形成時に各リード１２０〜１４０やアイランド部１１０と同時に形成されると共に、各リード１２０〜１４０と共に第１樹脂部３００及び第２樹脂部４００にモールドされる。このため、各支持部１５０、１６０に対する専用の製造工程が不要である。したがって、半導体装置の部品点数及び製造工数を削減しつつ、半導体チップ２００に対する衝撃を低減することができる。   Furthermore, since a separate part having a spring function is unnecessary, a dedicated manufacturing process for assembling the separate part is also unnecessary. That is, the support parts 150 and 160 are formed at the same time as the leads 120 to 140 and the island part 110 when the lead frame 100 is formed, and are molded to the first resin part 300 and the second resin part 400 together with the leads 120 to 140. Is done. For this reason, the manufacturing process for exclusive use with respect to each support part 150 and 160 is unnecessary. Therefore, the impact on the semiconductor chip 200 can be reduced while reducing the number of parts and the number of manufacturing steps of the semiconductor device.

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。図４に示されるように、第２樹脂部４００は、各リード１２０〜１４０及び２本の第１支持部１５０をモールドする部分と、２本の第２支持部１６０をモールドする部分とに分離されている。なお、図４では回路基板５１０を省略している。以下の図も同様である。 (Second Embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first embodiment will be described. As shown in FIG. 4, the second resin part 400 is separated into a part for molding each of the leads 120 to 140 and the two first support parts 150 and a part for molding the two second support parts 160. Has been. In FIG. 4, the circuit board 510 is omitted. The same applies to the following figures.

このように、第２樹脂部４００は、第１樹脂部３００を一周囲むように成形されていなくても良い。すなわち、第２樹脂部４００は、各リード１２０〜１４０及び各支持部１５０、１６０をモールドしていれば、複数に分割されていても良い。   Thus, the 2nd resin part 400 does not need to be shape | molded so that the 1st resin part 300 may be surrounded. That is, the second resin part 400 may be divided into a plurality of parts as long as the leads 120 to 140 and the support parts 150 and 160 are molded.

（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態と異なる部分について説明する。図５に示されるようにリードフレーム１００は、各リード１２０〜１４０、第１支持部１５０、第２支持部１６０の他に、第３支持部１７０及び第４支持部１８０を有している。第３支持部１７０は第１樹脂部３００の第３側面３３０から１本延び出ており、第４支持部１８０は第４側面３４０から第３支持部１７０とは反対側に１本延び出ている。 (Third embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first and second embodiments will be described. As shown in FIG. 5, the lead frame 100 includes a third support part 170 and a fourth support part 180 in addition to the leads 120 to 140, the first support part 150, and the second support part 160. One third support portion 170 extends from the third side surface 330 of the first resin portion 300, and one fourth support portion 180 extends from the fourth side surface 340 to the opposite side of the third support portion 170. Yes.

これにより、第３支持部１７０及び第４支持部１８０によって第１支持部１５０及び第２支持部１６０のねじれを防止することができる。また、第１支持部１５０及び第２支持部１６０によって第３支持部１７０及び第４支持部１８０のねじれを抑制することができる。   Accordingly, the third support part 170 and the fourth support part 180 can prevent the first support part 150 and the second support part 160 from being twisted. Further, the first support part 150 and the second support part 160 can suppress the twisting of the third support part 170 and the fourth support part 180.

（第４実施形態）
本実施形態では、第１〜第３実施形態と異なる部分について説明する。図６に示されるように、リードフレーム１００は各リード１２０〜１４０及び第１支持部１５０を有している。第２支持部１６０等の他の支持部は設けられていない。このため、第１樹脂部３００は、第１支持部１５０によって第２樹脂部４００に片持ち支持されている。 (Fourth embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first to third embodiments will be described. As shown in FIG. 6, the lead frame 100 includes leads 120 to 140 and a first support portion 150. Other support portions such as the second support portion 160 are not provided. For this reason, the first resin part 300 is cantilevered by the second resin part 400 by the first support part 150.

これによると、第２樹脂部４００から第１樹脂部３００への衝撃や振動の伝達経路が制限されるので、回路基板５１０や第２樹脂部４００から第１樹脂部３００への衝撃や振動を遮断しやすくすることができる。また、半導体チップ２００のセンシングの精度を確保することができる。   According to this, since the transmission path of the shock and vibration from the second resin part 400 to the first resin part 300 is limited, the shock and vibration from the circuit board 510 and the second resin part 400 to the first resin part 300 are prevented. It can be made easy to shut off. Also, the sensing accuracy of the semiconductor chip 200 can be ensured.

（第５実施形態）
本実施形態では、第１〜第４実施形態と異なる部分について説明する。図７に示されるように、リードフレーム１００は、各リード１２０〜１４０の他に、支持部として第１対角部１９０及び第２対角部１９１を有している。 (Fifth embodiment)
In the present embodiment, parts different from the first to fourth embodiments will be described. As shown in FIG. 7, the lead frame 100 includes a first diagonal portion 190 and a second diagonal portion 191 as support portions in addition to the leads 120 to 140.

第１対角部１９０は、第１樹脂部３００の第２側面３２０と第２側面３２０に隣接する第３側面３３０とで構成される第１角部３５０から第１樹脂部３００を中心として放射状に１本延び出ている。すなわち、第１対角部１９０は第１樹脂部３００の第１角部３５０と第２樹脂部４００のうち第１角部３５０に対向する角部とを繋いでいる。   The first diagonal portion 190 is a radial shape from the first corner portion 350 formed by the second side surface 320 of the first resin portion 300 and the third side surface 330 adjacent to the second side surface 320 around the first resin portion 300. One of them is extended. That is, the first diagonal portion 190 connects the first corner portion 350 of the first resin portion 300 and the corner portion of the second resin portion 400 that faces the first corner portion 350.

また、第２対角部１９１は、第３側面３３０とは反対側の第４側面３４０と第２側面３２０とで構成される第２角部３６０から第１樹脂部３００を中心として放射状に１本延び出ている。第２対角部１９１についても同様に、第１樹脂部３００の第２角部３６０と第２樹脂部４００のうち第２角部３６０に対向する角部とを繋いでいる。   In addition, the second diagonal portion 191 is a radial one centering on the first resin portion 300 from the second corner portion 360 formed by the fourth side surface 340 and the second side surface 320 opposite to the third side surface 330. The book extends. Similarly, the second diagonal portion 191 connects the second corner portion 360 of the first resin portion 300 and the corner portion of the second resin portion 400 that faces the second corner portion 360.

そして、第１対角部１９０及び第２対角部１９１のうち第１樹脂部３００及び第２樹脂部４００から露出した露出部１０１がバネ機能を有している。このように、第１樹脂部３００の角部から第１対角部１９０及び第２対角部１９１が延び出ていても良い。   And the exposed part 101 exposed from the 1st resin part 300 and the 2nd resin part 400 among the 1st diagonal part 190 and the 2nd diagonal part 191 has a spring function. As described above, the first diagonal portion 190 and the second diagonal portion 191 may extend from the corner portion of the first resin portion 300.

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、第２側面３２０が特許請求の範囲の「一側面」に対応し、第３側面３３０が特許請求の範囲の「他側面」に対応する。また、第４側面３４０が特許請求の範囲の「反対側面」に対応する。   Regarding the correspondence between the description of the present embodiment and the description of the claims, the second side surface 320 corresponds to “one side surface” of the claims, and the third side surface 330 corresponds to “ Corresponds to "other aspects". The fourth side surface 340 corresponds to an “opposite side surface” in the claims.

（第６実施形態）
本実施形態では、第５実施形態と異なる部分について説明する。図８に示されるように、リードフレーム１００は、さらに第３対角部１９２及び第４対角部１９３を有している。 (Sixth embodiment)
In the present embodiment, parts different from the fifth embodiment will be described. As shown in FIG. 8, the lead frame 100 further includes a third diagonal portion 192 and a fourth diagonal portion 193.

第３対角部１９２は、第１樹脂部３００の第１側面３１０と第３側面３３０とで構成される第３角部３７０から第１樹脂部３００を中心として放射状に１本延び出ている。また、第４対角部１９３は、第１樹脂部３００の第１側面３１０と第４側面３４０とで構成される第４角部３８０から第１樹脂部３００を中心として放射状に１本延び出ている。以上のように、第１樹脂部３００の４つの角部３５０〜３８０に対応して支持部である各対角部１９０〜１９３を設けても良い。   One third diagonal portion 192 extends radially from the third corner portion 370 formed by the first side surface 310 and the third side surface 330 of the first resin portion 300 around the first resin portion 300. . Also, one fourth diagonal portion 193 extends radially from the fourth corner portion 380 formed by the first side surface 310 and the fourth side surface 340 of the first resin portion 300 around the first resin portion 300. ing. As described above, the diagonal portions 190 to 193 that are support portions may be provided corresponding to the four corner portions 350 to 380 of the first resin portion 300.

なお、本実施形態の記載と特許請求の範囲の記載との対応関係については、第３対角部１９２及び第４対角部１９３が特許請求の範囲の「支持部」に対応する。   As for the correspondence between the description of the present embodiment and the description of the claims, the third diagonal portion 192 and the fourth diagonal portion 193 correspond to the “support portion” of the claims.

（他の実施形態）
上記各実施形態で示された半導体装置の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、リードフレーム１００にはアイランド部１１０が設けられていなくても良い。また、半導体チップ２００は物理量を検出する素子に限られず、信号処理を行う回路が形成されたＩＣチップでも良い。 (Other embodiments)
The configurations of the semiconductor devices described in the above embodiments are examples, and the present invention is not limited to the configurations described above, and other configurations that can realize the present invention may be employed. For example, the island portion 110 may not be provided in the lead frame 100. Further, the semiconductor chip 200 is not limited to an element that detects a physical quantity, and may be an IC chip on which a circuit that performs signal processing is formed.

各支持部１５０〜１８０はアイランド部１１０に一体化されていなくても良い。各対角部３５０〜３８０についても同じである。また、各支持部１５０〜１８０や各対角部３５０〜３８０の本数についても１本や２本に限られず、３本以上設けられていても良い。一方、各リード１２０〜１４０は支持部として機能させなくても良い。すなわち、各リード１２０〜１４０の他端部１２２、１３２、１４２は第２樹脂部４００にモールドされていなくても良い。   Each of the support portions 150 to 180 may not be integrated with the island portion 110. The same applies to the diagonal portions 350 to 380. Further, the number of the support portions 150 to 180 and the diagonal portions 350 to 380 is not limited to one or two, and three or more may be provided. On the other hand, the leads 120 to 140 need not function as support portions. That is, the other end portions 122, 132, and 142 of the leads 120 to 140 may not be molded in the second resin portion 400.

上記各実施形態では、第１樹脂部３００は直方体状に成形されていたが、これは第１樹脂部３００の形態の一例である。したがって、第１樹脂部３００は直方体状に限られず、他の形状に成形されていても良い。第２樹脂部４００の形状についても同じである。   In each said embodiment, although the 1st resin part 300 was shape | molded by the rectangular parallelepiped shape, this is an example of the form of the 1st resin part 300. FIG. Therefore, the 1st resin part 300 is not restricted to a rectangular parallelepiped shape, You may shape | mold in the other shape. The same applies to the shape of the second resin portion 400.

１００ リードフレーム
１０１ 露出部
１５０、１６０ 支持部
１５１、１６１ 一端部
１５２、１６２ 他端部
２００ 半導体チップ
３００ 第１樹脂部
４００ 第２樹脂部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Lead frame 101 Exposed part 150,160 Support part 151,161 One end part 152,162 Other end part 200 Semiconductor chip 300 1st resin part 400 2nd resin part

Claims (5)

１枚の金属板がプレス加工されたことで構成されていると共に、アイランド部（１１０）及び支持部（１５０〜１９３）を有するリードフレーム（１００）と、
前記リードフレーム（１００）の前記アイランド部（１１０）に実装された半導体チップ（２００）と、
前記アイランド部（１１０）、前記半導体チップ（２００）、及び前記支持部（１５０〜１９３）の一端部（１５１、１６１）をモールドした第１樹脂部（３００）と、
前記第１樹脂部（３００）とは分離されており、前記リードフレーム（１００）のうちの前記支持部（１５０〜１９３）の他端部（１５２、１６２）の一部が露出するように当該他端部（１５２、１６２）をモールドした第２樹脂部（４００）と、
を備え、
前記支持部（１５０〜１９３）のうちの前記第１樹脂部（３００）及び前記第２樹脂部（４００）から露出した露出部（１０１）が、前記第１樹脂部（３００）と前記第２樹脂部（４００）とを相対的に変位させるバネ機能を有していることを特徴とする半導体装置。 A lead frame (100) that is configured by pressing one metal plate, and has an island part (110) and a support part (150 to 193),
A semiconductor chip (200) mounted on the island part (110) of the lead frame (100);
A first resin portion (300) in which one end portions (151, 161) of the island portion (110), the semiconductor chip (200), and the support portions (150 to 193) are molded;
It is separated from the first resin part (300), and the lead frame (100) is exposed such that a part of the other end part (152, 162) of the support part (150 to 193) is exposed. A second resin part (400) molded with the other end part (152, 162);
With
An exposed portion (101) exposed from the first resin portion (300) and the second resin portion (400) of the support portions (150 to 193) is the first resin portion (300) and the second resin portion. A semiconductor device having a spring function of relatively displacing the resin portion (400). 前記第１樹脂部（３００）は、直方体状に成形されており、
前記支持部は、前記第１樹脂部（３００）の第１側面（３１０）から延びる第１支持部（１５０）と、前記第１側面（３１０）とは反対側の第２側面（３２０）から前記第１支持部（１５０）とは反対側に延びる第２支持部（１６０）と、を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 The first resin part (300) is formed in a rectangular parallelepiped shape,
The support portion includes a first support portion (150) extending from the first side surface (310) of the first resin portion (300) and a second side surface (320) opposite to the first side surface (310). The semiconductor device according to claim 1, further comprising a second support portion (160) extending to the opposite side of the first support portion (150). 前記第１樹脂部（３００）は、直方体状に成形されており、
前記支持部は、前記第１樹脂部（３００）の第１側面（３１０）から延びる第１支持部（１５０）と、前記第１側面（３１０）とは反対側の第２側面（３２０）から前記第１支持部（１５０）とは反対側に延びる第２支持部（１６０）と、前記第１側面（３１０）及び前記第２側面（３２０）に隣接する第３側面（３３０）から延びる第３支持部（１７０）と、前記第３側面（３３０）とは反対側の第４側面（３４０）から前記第３支持部（１７０）とは反対側に延びる第４支持部（１８０）と、を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 The first resin part (300) is formed in a rectangular parallelepiped shape,
The support portion includes a first support portion (150) extending from the first side surface (310) of the first resin portion (300) and a second side surface (320) opposite to the first side surface (310). A second support part (160) extending to the opposite side of the first support part (150) and a third side surface (330) adjacent to the first side face (310) and the second side face (320). A third support portion (170) and a fourth support portion (180) extending from the fourth side surface (340) opposite to the third side surface (330) to the opposite side of the third support portion (170), The semiconductor device according to claim 1, comprising: 前記第１樹脂部（３００）は、前記支持部（１５０〜１９３）によって前記第２樹脂部（４００）に片持ち支持されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 1, wherein the first resin part (300) is cantilevered by the second resin part (400) by the support parts (150 to 193). 前記第１樹脂部（３００）は、直方体状に成形されており、
前記支持部は、前記第１樹脂部（３００）の一側面（３２０）と前記一側面（３２０）に隣接する他側面（３３０）とで構成される第１角部（３５０）から前記第１樹脂部（３００）を中心として放射状に延びる第１対角部（１９０）と、前記他側面（３３０）とは反対側の反対側面（３４０）と前記一側面（３２０）とで構成される第２角部（３６０）から前記第１樹脂部（３００）を中心として放射状に延びる第２対角部（１９１）と、を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 The first resin part (300) is formed in a rectangular parallelepiped shape,
The support portion includes a first corner portion (350) including a first side surface (320) of the first resin portion (300) and a second side surface (330) adjacent to the first side surface (320). A first diagonal portion (190) extending radially around the resin portion (300), an opposite side surface (340) opposite to the other side surface (330), and a first side surface (320). 2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising: a second diagonal portion (191) extending radially from a corner portion (360) about the first resin portion (300).
JP2015089990A 2015-04-27 2015-04-27 Semiconductor device Pending JP2016207909A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015089990A JP2016207909A (en) 2015-04-27 2015-04-27 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015089990A JP2016207909A (en) 2015-04-27 2015-04-27 Semiconductor device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016207909A true JP2016207909A (en) 2016-12-08

Family

ID=57487909

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015089990A Pending JP2016207909A (en) 2015-04-27 2015-04-27 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016207909A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9263395B2 (en) Sensor having damping
KR20070036668A (en) Semiconductor device
JP5847385B2 (en) PRESSURE SENSOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE PROVIDED WITH THE DEVICE, AND METHOD FOR MOUNTING THE DEVICE
JP3173006U (en) Sensor element
US20200266151A1 (en) Electronic package structure
KR101331737B1 (en) Semiconductor package
JP2010166061A (en) Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing electronic module
JP2016207909A (en) Semiconductor device
KR20130101192A (en) Semiconductor package having pcb multi-substrate and method for manufacturing same
JP5154275B2 (en) Magnetic sensor package
JP2015029055A (en) Electronic device
US11105692B2 (en) Force sensor having first and second circuit board arrangements
KR20080020137A (en) Stack package having a reverse pyramidal shape
JP6149982B2 (en) Electronic equipment
US10260974B2 (en) Electronic part with sensor exposed to ambient air
JP4923937B2 (en) Sensor device
JP6273189B2 (en) Sensor package
JP2014202562A (en) Dynamic quantity sensor
JP2010190873A (en) Physical quantity detection device
JP4580304B2 (en) Semiconductor device
KR100910223B1 (en) Stacked semiconductor package
JP2012235243A (en) Piezoelectric device
KR101389716B1 (en) Input apparatus, terminal and packaging method
JP6416704B2 (en) Resin-sealed sensor device
JP2006153724A (en) Acceleration sensor module