JP2016207870A - 発光素子 - Google Patents
発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016207870A JP2016207870A JP2015088856A JP2015088856A JP2016207870A JP 2016207870 A JP2016207870 A JP 2016207870A JP 2015088856 A JP2015088856 A JP 2015088856A JP 2015088856 A JP2015088856 A JP 2015088856A JP 2016207870 A JP2016207870 A JP 2016207870A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- extending
- extending portion
- emitting element
- semiconductor layer
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の実施形態に係る発光素子は、平面視において正六角形状を有する半導体層と、半導体層上に設けられた正負一対の第1電極及び第2電極と、を有し、第1電極は、第1パッド部と、第1パッド部から延伸して略矩形状に形成された第1延伸部と、を有し、第1延伸部を構成する4つ辺のうちの1つである第1辺が、半導体層のいずれかの角部と対向しており、第2電極は、第1延伸部よりも内側に配置されている。
【選択図】図1A
Description
図1Aは、実施形態1に係る発光素子100を模式的に示す平面図である。図1Bは、実施形態1に係る発光素子100を模式的に示す図1AのA−A’線における断面図である。
半導体層20は、発光素子100における発光部であり、例えば、第1導電型半導体層20c及び第2導電型半導体層20aと、これら第1導電型半導体層20c及び第2導電型半導体層20aの間に配置された活性層20bによって構成されているものが挙げられる。第1導電型半導体層20c及び第2導電型半導体層20aは、互いに異なる導電型を有する。第1導電型半導体層20c及び第2導電型半導体層20aは、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。積層構造の場合は、第1導電型半導体層20c又は第2導電型半導体層20aを構成する全ての層が第1導電型又は第2導電型を示すものでなくてもよい。活性層20bは、量子効果が生ずる薄膜に形成された単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造のいずれでもよい。半導体層20に用いる材料は、特に限定されず、例えば、InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)等が挙げられる。
第1電極40,41,44及び第2電極50,42,43は、外部から半導体層20に対して電流を供給するための部材であり、半導体層20の同一面側に正負一対の電極として、互いに半導体層20を介して対向して配置される。実施形態1においては、第1電極40,41,44をp側電極とし、第2電極50,42,43をn側電極としているが、これに限定されず、第1電極40,41,44をn側電極、第2電極50,42,43をp側電極とすることもできる。また、第1電極40,41,44及び第2電極50,42,43に用いられる材料としては、例えば、Ni、Rh、Ru、Cr、Au、W、Pt、Ti、及びAl等の金属、又はこれら金属による合金を挙げることができ、その中でも、Ti/Pt/AuやCrRh/Pt/Au等の順番に積層した多層構造を用いることが好ましい。
実施例1に係る発光素子は、実施形態1に係る発光素子100と実質的に同じ構造を有するため、図1A及び図1Bに基づいて説明する。なお、同じ構造については、説明を適宜省略する。
実施例2に係る発光素子は、実施形態2に係る発光素子200と実質的に同じ構造を有するため、図2に基づいて説明する。
比較例に係る発光素子300は、図3に示すように、半導体層20(20a,20b,20c)の平面形状が正方形である以外、実施例1と実質的に同様の構造を有する。なお、平面視において、半導体層20の1辺の長さは約800μmであり、半導体層20の面積は実施例1と同じである。
次に、実施例1、実施例2及び比較例の発光素子における電流密度分布を、それぞれ有限要素法を用いたシミュレーションソフトにより解析した。その結果を、図4(実施例1)、図5(実施例2)及び図6(比較例)に示す。なお、図4、図5及び図6は、いずれも濃淡が濃い程に電流密度が高いことを示す。
次に、実施例1、実施例2及び比較例の発光素子において、それぞれ電流65mAを印加し、順方向電圧[V]、光出力[mW]及び電力変換効率[%]の値を測定した。なお、電力効率WPE[%]の値は、式(1)により求めることができる。
10 基板
20 半導体層
20a 第2導電型半導体層
20b 活性層
20c 第1導電型半導体層
21c 第1半導体辺
21f 第2半導体辺
30 透光性電極
40 第1パッド部
41 第1延伸部
41a 第1辺
41b 第2辺
41c 第3辺
41d 第4辺
41e、41f、41g、41h 角部
42 第2延伸部
43 第3延伸部
44 第4延伸部
50 第2パッド部
60 保護膜
Claims (17)
- 平面視において正六角形状を有する半導体層と、前記半導体層上に設けられた正負一対の第1電極及び第2電極と、を有し、
前記第1電極は、第1パッド部と、前記第1パッド部から延伸して略矩形状に形成された第1延伸部と、を有し、
前記第1延伸部を構成する4つ辺のうちの1つである第1辺が、前記半導体層のいずれかの角部と対向しており、
前記第2電極は、前記第1延伸部よりも内側に配置されている発光素子。 - 前記第1パッド部は、前記第1延伸部の前記第1辺に配置されている請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1パッド部は、前記第1延伸部の前記第1辺に隣接する第2辺に配置されている請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1延伸部の前記第2辺は、前記半導体層を構成する6つの辺のうち前記角部を構成する辺に隣接する辺である第1半導体辺と対向しており、
前記第1延伸部の前記第1辺は、前記第1半導体辺の端部のうち前記第1辺に近い側の端部と、前記第1半導体辺と対向する第2半導体辺の前記第1辺に近い側の端部と、を結ぶ第1直線よりも外側に配置され、
前記第1延伸部の前記第1辺と対向する第3辺は、前記第1半導体辺の端部のうち前記第3辺に近い側の端部と、前記第2半導体辺の前記第3辺に近い側の端部と、を結ぶ第2直線よりも外側に配置されている請求項3に記載の発光素子。 - 前記第2電極は、第2パッド部と、前記第2パッド部から前記第1延伸部に沿って延伸する2つの第2延伸部と、を有し、
前記第2延伸部の一方は、前記第1直線よりも外側を前記第1延伸部の前記第1辺を沿って延伸し、
前記第2延伸部の他方は、前記第2直線よりも外側を前記第1延伸部の前記第3辺を沿って延伸する請求項4に記載の発光素子。 - 前記第1延伸部の前記第2辺に対向する第4辺は、離間領域を有しており、前記離間領域と対向するように前記第2パッド部が配置されている請求項5に記載の発光素子。
- 前記第1延伸部の前記第1辺に隣接する前記第4辺と、該第4辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離は、前記第1延伸部の前記第1辺と、該第1辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離よりも長い請求項6に記載の発光素子。
- 前記第1延伸部の前記第3辺に隣接する前記第4辺と、該第4辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離は、前記第1延伸部の前記第1辺と、該第1辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離よりも長い請求項6又は7に記載の発光素子。
- 前記第1延伸部の前記第1辺に沿って延伸する前記第2延伸部の先端と、前記第1延伸部の前記第1辺と前記第2辺を接続する角部との最短距離は、前記第1延伸部の前記第1辺と、前記第1辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離よりも長い請求項5乃至8のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第1延伸部の前記第3辺に沿って延伸する前記第2延伸部の先端と、前記第1延伸部の前記第3辺と前記第2辺を接続する角部との最短距離は、前記第1延伸部の前記第3辺と、前記第3辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離よりも長い請求項5乃至9のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第2電極は、前記第2パッド部から、2つの前記第2延伸部の間を延伸する第3延伸部を有し、
前記第1電極は、前記第1パッド部から、前記第3延伸部と2つの前記第2延伸部との間のそれぞれに延伸する2つの第4延伸部を有する請求項5乃至8のいずれか1つに記載の発光素子。 - 前記第1延伸部の前記第2辺に平行な前記半導体層の対角線上において、隣り合う前記第1延伸部と前記第2延伸部との距離は、隣り合う前記第2延伸部と前記第4延伸部との距離よりも短い請求項11に記載の発光素子。
- 前記第1延伸部の前記第2辺に平行な前記半導体層の対角線上において、前記第3延伸部と前記第4延伸部との距離は、隣り合う前記第2延伸部と前記第4延伸部との距離よりも長い請求項11又は12に記載の発光素子。
- 前記第4延伸部の先端と、前記第1延伸部の前記第2辺に対向する第4辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離は、前記第1延伸部の前記第4辺と、前記第1延伸部の前記第4辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離よりも長い請求項11乃至13のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第4延伸部の先端と、前記第1延伸部の前記第2辺に対向する第4辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離は、前記第1パッド部と前記第3延伸部の先端との最短距離よりも短い請求項11乃至14のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第2延伸部の先端と、前記第1延伸部の前記第2辺との最短距離は、前記第4延伸部の先端と、前記第1延伸部の前記第2辺に対向する第4辺に沿って延伸する前記第2延伸部の部位との最短距離よりも短い請求項11乃至15のいずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第1延伸部を構成する4つの角部は、それぞれ湾曲した形状を有する請求項1乃至16のいずれか1つに記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015088856A JP6428467B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015088856A JP6428467B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016207870A true JP2016207870A (ja) | 2016-12-08 |
JP6428467B2 JP6428467B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=57490311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015088856A Active JP6428467B2 (ja) | 2015-04-24 | 2015-04-24 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6428467B2 (ja) |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52115676A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-28 | Masato Kouho | Delta light emitting diode element |
JPH11340576A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体デバイス |
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2001345480A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
US6642548B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-11-04 | Emcore Corporation | Light-emitting diodes with loop and strip electrodes and with wide medial sections |
JP2004056010A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006135309A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
JP2011124323A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法および発光デバイス素材の加工装置 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2012054525A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2013161851A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
WO2013161208A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
US20140034974A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
JP2014225539A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
US20140367730A1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
-
2015
- 2015-04-24 JP JP2015088856A patent/JP6428467B2/ja active Active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52115676A (en) * | 1976-03-24 | 1977-09-28 | Masato Kouho | Delta light emitting diode element |
JPH11340576A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化ガリウム系半導体デバイス |
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2001345480A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-12-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体素子 |
US6642548B1 (en) * | 2000-10-20 | 2003-11-04 | Emcore Corporation | Light-emitting diodes with loop and strip electrodes and with wide medial sections |
JP2004056010A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006135309A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Showa Denko Kk | 半導体素子の製造方法 |
JP2011124323A (ja) * | 2009-12-09 | 2011-06-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光デバイス、発光デバイスの製造方法および発光デバイス素材の加工装置 |
JP2012028749A (ja) * | 2010-07-22 | 2012-02-09 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 発光ダイオード |
JP2012054525A (ja) * | 2010-08-04 | 2012-03-15 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
JP2013161851A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
WO2013161208A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
US20140034974A1 (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-06 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
JP2014225539A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
US20140367730A1 (en) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6428467B2 (ja) | 2018-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6458463B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5170325B2 (ja) | 発光素子 | |
JP6176032B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP7001728B2 (ja) | 光電素子 | |
JP6102677B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5652234B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US11063183B2 (en) | Light emitting element | |
JP2014127565A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5948915B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2013258174A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6070406B2 (ja) | 発光素子 | |
JP6428467B2 (ja) | 発光素子 | |
JP6331906B2 (ja) | 発光素子 | |
JP5741164B2 (ja) | 発光素子 | |
JP6146460B2 (ja) | 発光素子 | |
WO2016152397A1 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2016072479A (ja) | 発光素子 | |
JP5754269B2 (ja) | 発光素子 | |
TW515111B (en) | LED device having electrodes at opposed edge and the manufacturing method thereof | |
JP2015056476A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2010238824A (ja) | 発光ダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171018 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180717 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180727 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181002 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181015 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6428467 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |