JP2016199417A - Single crystal manufacturing method - Google Patents
Single crystal manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016199417A JP2016199417A JP2015079535A JP2015079535A JP2016199417A JP 2016199417 A JP2016199417 A JP 2016199417A JP 2015079535 A JP2015079535 A JP 2015079535A JP 2015079535 A JP2015079535 A JP 2015079535A JP 2016199417 A JP2016199417 A JP 2016199417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal
- crucible
- raw material
- grown
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
本発明は、単結晶の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a single crystal.
従来から各種単結晶が半導体装置等の材料に用いられている。単結晶として、例えば酸化アルミニウム単結晶は、青色ＬＥＤや白色ＬＥＤを作製する際のエピタキシャル成長用結晶基板として多く利用されている。これらのＬＥＤは、省エネルギーの観点で照明分野への普及が拡大することが予想されており多方面から注目されている。 Conventionally, various single crystals have been used as materials for semiconductor devices and the like. As a single crystal, for example, an aluminum oxide single crystal is often used as a crystal substrate for epitaxial growth when producing a blue LED or a white LED. These LEDs are expected to spread in the lighting field from the viewpoint of energy saving, and are attracting attention from various fields.
単結晶として良質で大型の単結晶を製造する方法には、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ−Ｍｅｔｈｏｄ）、キロプロス法（Ｋｙｒｏｐｏｕｌｕｓ−Ｍｅｔｈｏｄ）などがあり工業的に用いられている。特にチョクラルスキー法は汎用性があり、技術的完成度が高いことから最も広く用いられている。 As a method for producing a large single crystal of good quality as a single crystal, there are a Czochralski method (Czochralski-Method), a Kiloporus method (Kyroporus-Method), and the like, which are used industrially. In particular, the Czochralski method is most widely used because of its versatility and high technical perfection.
チョクラルスキー法によって単結晶を製造するには、まず坩堝に単結晶用原料を入れて、坩堝を加熱し原料を溶融する。そして、単結晶用原料が溶融した後、所定の結晶方位に切り出した種結晶を原料融液表面に接触させ、種結晶を所定の回転速度で回転させながら所定の速度で上方に引上げて単結晶を成長させる。 In order to produce a single crystal by the Czochralski method, first, a raw material for a single crystal is put in a crucible, and the crucible is heated to melt the raw material. Then, after the single crystal raw material is melted, the seed crystal cut in a predetermined crystal orientation is brought into contact with the surface of the raw material melt, and the single crystal is pulled upward at a predetermined speed while rotating the seed crystal at a predetermined rotation speed. Grow.
しかし、単結晶をチョクラルスキー法で代表される引上げ法で結晶成長させると、坩堝底部で固化した原料が成長中の単結晶とぶつかる現象や、坩堝底面近傍まで成長した結晶と坩堝底面とが固着する現象が生じる場合があった（以下、これらの現象をあわせて「底付き現象」とも記載する）。 However, when a single crystal is grown by a pulling method typified by the Czochralski method, the material solidified at the bottom of the crucible collides with the growing single crystal, or the crystal grown to the vicinity of the bottom of the crucible and the bottom of the crucible In some cases, the phenomenon of sticking occurred (hereinafter, these phenomena are also referred to as “bottom phenomenon”).
底付き現象が生じると、育成した単結晶に余計な力が加わることで種結晶が破断し、育成した結晶が坩堝内に落下する場合がある。そして、育成した単結晶が坩堝内に落下すると、冷却の過程で育成した単結晶が坩堝内に残留する原料融液とともに固化するため坩堝内から取出すことが不可能となるという問題があった。また、育成した単結晶と坩堝の底面とが固着した場合、底付き現象の進行の程度によっては、単結晶の育成終了後、冷却開始前に原料融液と育成した単結晶とを切り離そうとしても、坩堝と、育成した単結晶とが一体となり、切り離せなくなるという問題があった。 When the bottoming phenomenon occurs, an extra force is applied to the grown single crystal, the seed crystal may be broken, and the grown crystal may fall into the crucible. When the grown single crystal falls into the crucible, the single crystal grown in the course of cooling solidifies together with the raw material melt remaining in the crucible, which makes it impossible to take out from the crucible. Also, if the grown single crystal and the bottom of the crucible are fixed, depending on the progress of the bottoming phenomenon, after the growth of the single crystal is completed, the raw material melt and the grown single crystal should be separated before starting the cooling. However, there was a problem that the crucible and the grown single crystal were integrated and could not be separated.
底付き現象の発生を抑制する方法として、例えば特許文献１には、るつぼの周囲に配置されるヒータと、るつぼ内の原料融液から引き上げられた単結晶の外周面を包囲するシールドとを備え、るつぼ、ヒータ、シールドのうち少なくとも２つを独立して昇降可能な構成とした単結晶引上装置を用いた単結晶引上方法が開示されている。 As a method for suppressing the occurrence of the bottoming phenomenon, for example, Patent Document 1 includes a heater disposed around the crucible and a shield surrounding the outer peripheral surface of the single crystal pulled up from the raw material melt in the crucible. A single crystal pulling method using a single crystal pulling apparatus in which at least two of crucibles, heaters and shields can be moved up and down independently is disclosed.
また、特許文献２には、ルツボを収容するサセプタを加熱するヒータとサセプタを回転させる回転機構とを少なくとも具備し、回転機構は、サセプタを支持するリング状支持部材と、リング状支持部材を回転自在に保持するリング状架台と、リング状支持部材を回転駆動するための回転軸とを具備し、ヒータがサセプタの底面に対して鉛直方向下方の位置でかつ底面の略全体と対向するように配設されている半導体単結晶の製造装置を用いた半導体単結晶の製造方法が開示されている。
しかし、特許文献１、２に開示された方法は既存の単結晶育成装置を用いて実施することはできず、装置に底付き防止のために新たな駆動設備等を設ける必要があり、装置変更によるコストアップになる問題があった。また、特許文献１、２に開示された方法は底付き現象の発生を抑制することに着目したものであり、底付き現象が発生した場合でも単結晶の結晶育成を中止することなく単結晶を製造できる単結晶の製造方法については開示されていなかった。
However, the methods disclosed in
そこで、本発明の一側面では、上記従来技術が有する問題に鑑み、底付き現象が発生した場合でも単結晶の結晶育成を中止することなく、容易に高品質な単結晶を製造できる単結晶の製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, in one aspect of the present invention, in view of the problems of the above-described conventional technology, a single crystal that can easily produce a high-quality single crystal without stopping crystal growth of the single crystal even when a bottoming phenomenon occurs. An object is to provide a manufacturing method.
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、坩堝内に充填した単結晶用原料を、前記坩堝の側面と対向するように配置された側面ヒータと、前記坩堝の底面と対向するように配置された底面ヒータとにより加熱、溶融して原料融液とする原料融液形成工程と、
前記原料融液に種結晶を接触させた後、前記種結晶を回転させながら引上げ、単結晶を育成する単結晶育成工程と、を有しており、
前記単結晶育成工程は、
育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷを測定、算出する重量変化算出ステップと、
前記育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたかを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて前記育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した場合に、前記種結晶の回転、および前記種結晶の引上げを中止し、かつ前記側面ヒータおよび前記底面ヒータのうち、前記底面ヒータの出力のみを上げ、前記坩堝の底面の温度を昇温する底付き解消ステップと、を有する単結晶の製造方法を提供することができる。
In order to solve the above-described problems, according to one aspect of the present invention, a single crystal raw material filled in a crucible is disposed so as to face a side heater disposed so as to face the side surface of the crucible and a bottom surface of the crucible. A raw material melt forming step of heating and melting the raw material melt with a bottom heater disposed in
After bringing the seed crystal into contact with the raw material melt, pulling the seed crystal while rotating it, and growing a single crystal,
The single crystal growing step includes
A weight change calculating step of measuring and calculating a weight change ΔW per unit time of the growing single crystal;
A determination step of determining whether the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal exceeds a predetermined constant;
When it is determined in the determination step that the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal exceeds a predetermined constant, the rotation of the seed crystal and the pulling of the seed crystal are stopped, and the Among the side surface heater and the bottom surface heater, there can be provided a method for producing a single crystal including a bottom elimination step of increasing only the output of the bottom surface heater and increasing the temperature of the bottom surface of the crucible.
本発明の一態様によれば、底付き現象が発生した場合でも単結晶の結晶育成を中止することなく、容易に高品質な単結晶を製造できる単結晶の製造方法を提供することができる。 According to one embodiment of the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a single crystal that can easily manufacture a high-quality single crystal without stopping crystal growth of the single crystal even when a bottoming phenomenon occurs.
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and the following embodiments are not departed from the scope of the present invention. Various modifications and substitutions can be made.
本実施形態の単結晶の製造方法の一構成例について以下に説明する。 One structural example of the method for producing a single crystal of this embodiment will be described below.
本実施形態の単結晶の製造方法は、以下の工程を有することができる。 The manufacturing method of the single crystal of this embodiment can have the following processes.
坩堝内に充填した単結晶用原料を、坩堝の側面と対向するように配置された側面ヒータと、坩堝の底面と対向するように配置された底面ヒータとにより加熱、溶融して原料融液とする原料融液形成工程。 The raw material for the single crystal filled in the crucible is heated and melted by a side heater arranged so as to face the side of the crucible and a bottom heater arranged so as to face the bottom of the crucible. Raw material melt forming step.
原料融液に種結晶を接触させた後、種結晶を回転させながら引上げ、単結晶を育成する単結晶育成工程。 A single crystal growing step in which a seed crystal is brought into contact with the raw material melt and then pulled while rotating the seed crystal to grow a single crystal.
そして、単結晶育成工程は、以下のステップを有することができる。 And a single crystal growth process can have the following steps.
育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷを測定、算出する重量変化算出ステップ。 A weight change calculating step of measuring and calculating a weight change ΔW per unit time of the growing single crystal;
育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたかを判定する判定ステップ。 A determination step of determining whether the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal exceeds a predetermined constant.
判定ステップにおいて育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した場合に、種結晶の回転、および種結晶の引上げを中止し、かつ側面ヒータおよび底面ヒータのうち、底面ヒータの出力のみを上げ、坩堝の底面の温度を昇温する底付き解消ステップ。 When it is determined that the weight change ΔW per unit time of the single crystal grown in the determination step exceeds a predetermined constant, the rotation of the seed crystal and the pulling of the seed crystal are stopped, and the side surface heater and the bottom surface heater Among them, the bottom elimination step of raising only the output of the bottom heater and raising the temperature of the bottom of the crucible.
以下、本実施形態の単結晶の製造方法について具体的に説明する。
１．単結晶育成装置
本実施形態の単結晶の製造方法において、好適に使用できる単結晶育成装置の一例を図１に示す。図１は、単結晶育成装置１０内に設置した坩堝１１の中心軸を通る面における断面図を模式的に示したものである。
Hereinafter, the manufacturing method of the single crystal of this embodiment is demonstrated concretely.
1. Single Crystal Growth Device FIG. 1 shows an example of a single crystal growth device that can be suitably used in the method for producing a single crystal of the present embodiment. FIG. 1 schematically shows a cross-sectional view of a surface passing through the central axis of a
単結晶育成装置１０内には単結晶用原料を入れるための坩堝１１が備えられており、坩堝１１は上下動が可能な坩堝軸１２の上に載置できる。
The single
坩堝１１の材質は、用いる単結晶用原料の種類に応じて任意に選択することができ、特に限定されるものではない。例えば、単結晶用原料として酸化アルミニウムを用いる場合、坩堝１１は酸化アルミニウムの融点以上の温度について耐熱性を有するイリジウム製、モリブデン製、タングステン製又はモリブデン−タングステン合金製の坩堝を好適に用いることができる。なお、坩堝１１のサイズについても特に限定されるものではなく、育成する単結晶のサイズ等に応じて所望のサイズのものを用いることができる。
The material of the
坩堝１１の側面には、坩堝１１内に充填した単結晶用原料を融解するため加熱体である側面ヒータ１３を配置できる。また、坩堝１１の下方にも坩堝１１内に充填した単結晶用原料を融解するための加熱体である円盤状の底面ヒータ１４を、坩堝軸１２が貫通する形で配置できる。
On the side surface of the
側面ヒータ１３の周囲、及び底面ヒータ１４の下方には、断熱材１５を配置できる。断熱材１５は、単結晶育成装置１０のチャンバー１６の内面に沿って設けることができる。
A
また、坩堝１１の上方には上下動可能な引上げ軸１７を配置できる。引上げ軸１７は断熱材１５を貫通する形で設けることができる。
A
なお、引上げ軸１７は原料融液側の先端部に種結晶を固定できるように構成できる。種結晶としては、純度が高い結晶を用いることが好ましく、育成する単結晶製品の用途や、育成する単結晶の種類等に応じて種結晶の製造方法は適宜選択することができる。例えば、酸化アルミニウム結晶であれば、チョクラルスキー法（Ｃｚ法）、キロプロス法、ＨＥＭ（Ｈｅａｔ Ｅｘｃｈａｎｇｅｒ Ｍｅｔｈｏｄ）などの製造方法によって得られたものを好ましく用いることができる。
The pulling
坩堝軸１２及び引上げ軸１７を上下動及び回転させるために、それぞれ駆動用モータ１８、１９を設けておくことができる。また、育成している単結晶２０の結晶重量を計測するために引上げ軸１７には重量測定部２１を設けておくこともできる。
In order to move the
さらに、側面ヒータ１３、底面ヒータ１４、駆動用モータ１８、１９、及び重量測定部２１はそれぞれ制御手段２２に接続しておくことが好ましい。
Further, it is preferable that the
制御手段２２は例えば適当な時間間隔で育成している単結晶２０の結晶重量を重量測定部２１により測定し、育成している単結晶２０の単位時間当たりの重量変化ΔＷを算出できる。そして、ΔＷから底付き現象を検知した場合に底面ヒータ１４及び駆動用モータ１９等に動作信号を伝え、底付き現象解消のために必要な処理を実施することができる。
For example, the control means 22 can measure the crystal weight of the
単結晶育成装置１０には、上述の部材以外にも必要に応じて任意の部材を設けることができる。例えば、チャンバー１６内の雰囲気を制御するための各種手段を設けることができる。チャンバー１６内の雰囲気を制御するための手段としては例えば、チャンバー１６内を減圧する手段、チャンバー１６内に窒素やアルゴンなどの不活性ガス等の気体を供給する手段、またチャンバー１６内の減圧度をモニターする手段等を設けることができる。
In addition to the above-described members, the single
また、チャンバー１６内の任意の場所、部材について温度を測定するための温度測定手段や、引上げ軸１７の先端に配置した種結晶や、原料融液２３の状態等を観察するための観察窓等を設けることもできる。
２．単結晶の製造方法
次に、図１に示した単結晶育成装置１０を用いて単結晶を育成する場合を例に、本実施形態の単結晶の製造方法の一構成例について説明を行う。
Further, a temperature measuring means for measuring the temperature of an arbitrary place or member in the
2. Single Crystal Manufacturing Method Next, a configuration example of the single crystal manufacturing method of the present embodiment will be described by taking a case where a single crystal is grown using the single
既述のように、本実施形態の単結晶の製造方法は以下の工程を有することができる。 As described above, the method for producing a single crystal of the present embodiment can include the following steps.
坩堝１１内に充填した単結晶用原料を、坩堝１１の側面と対向するように配置された側面ヒータ１３と、坩堝１１の底面と対向するように配置された底面ヒータ１４とにより加熱、溶融して原料融液２３とする原料融液形成工程。
The raw material for single crystal filled in the
原料融液２３に種結晶を接触させた後、種結晶を回転させながら引上げ、単結晶を育成する単結晶育成工程。
A single crystal growing step of bringing the seed crystal into contact with the
各工程について説明する。
（１）原料融液形成工程
原料融液形成工程では、坩堝１１内に単結晶用原料を入れた後、側面ヒータ１３および底面ヒータ１４により坩堝１１を加熱して単結晶用原料を溶融し、原料融液２３を形成できる。
Each step will be described.
(1) Raw Material Melt Forming Step In the raw material melt forming step, after putting the single crystal raw material into the
単結晶用原料としては、特に限定されるものではなく、育成する単結晶の種類に応じて選択することができる。ただし、本実施形態の単結晶の製造方法は、底付き現象が生じた場合に、高品質の単結晶を得ることが従来困難であった酸化物単結晶の製造に特に好適に適用することができる。このため、単結晶用原料としては例えば酸化アルミニウム粉末やタンタル酸リチウム粉末、あるいは酸化ニオブ粉末をはじめ各種酸化物粉末を好適に用いることができる。 The raw material for single crystal is not particularly limited, and can be selected according to the type of single crystal to be grown. However, the method for manufacturing a single crystal according to the present embodiment can be particularly preferably applied to the manufacturing of an oxide single crystal, which has conventionally been difficult to obtain a high-quality single crystal when a bottoming phenomenon occurs. it can. Therefore, various oxide powders such as aluminum oxide powder, lithium tantalate powder, or niobium oxide powder can be suitably used as the single crystal raw material.
中でも、本実施形態の単結晶の製造方法においてはサファイア単結晶をより好適に製造することができる。そして、サファイア単結晶を製造する際には単結晶用原料として酸化アルミニウム粉末を用いることができる。 Especially, in the manufacturing method of the single crystal of this embodiment, a sapphire single crystal can be manufactured more suitably. And when manufacturing a sapphire single crystal, an aluminum oxide powder can be used as a raw material for single crystals.
酸化アルミニウム粉末は、実質的にＡｌとＯの２元素からなる酸化アルミニウムであるが、目的とする酸化アルミニウム単結晶の種類に合わせて、ＡｌとＯのほかに、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇなどを含んでいてもよい。ただし、このうちＳｉ、Ｃａ、Ｍｇなどは、焼結助剤の成分として不可避的に含まれうるが、その含有量は極力少ないことが望ましい。特に、Ｓｉは１０重量ｐｐｍ以下であることが望ましい。 The aluminum oxide powder is an aluminum oxide substantially composed of two elements of Al and O, but in addition to Al and O, Ti, Cr, Si, Ca, Mg etc. may be included. Of these, Si, Ca, Mg and the like can be unavoidably included as components of the sintering aid, but the content is preferably as small as possible. In particular, Si is desirably 10 ppm by weight or less.
また、酸化アルミニウム粉末の粒径や密度は特に制限されないが、取り扱い上、例えば粒径は１０ｍｍ以下であることが好ましく、５ｍｍ以下であることがより好ましい。 The particle size and density of the aluminum oxide powder are not particularly limited, but for handling, for example, the particle size is preferably 10 mm or less, and more preferably 5 mm or less.
また、サファイア原料の密度は、α−アルミナの理論密度４ｇ／ｃｍ３に近いものが原料充填時に有利である。そのため、使用するサファイア原料の密度は２ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましく、３ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましい。 Further, the density of the sapphire raw material is close to the theoretical density of α-alumina of 4 g / cm 3 , which is advantageous when filling the raw material. Therefore, the density of the sapphire raw material to be used is preferably 2 g / cm 3 or more, and more preferably 3 g / cm 3 or more.
そして、坩堝１１に単結晶用原料を入れて、側面ヒータ１３および底面ヒータ１４により坩堝１１を加熱することで単結晶用原料を溶融させ、原料融液２３を形成できる。
Then, the single crystal raw material is put into the
単結晶用原料が融点に達するまでの加熱速度は、特に制限されるわけではないが、原料が不均一に融解する事で発生する突沸現象の発生を抑制するため、急速に加熱せずに長時間かけて徐々に加熱するほうがよい。そのため、例えば１０時間以上、特に１２時間以上かけて融点まで徐々に加熱することが望ましい。 The heating speed until the single crystal raw material reaches the melting point is not particularly limited. However, in order to suppress the occurrence of bumping phenomenon that occurs when the raw material melts non-uniformly, the heating speed is not increased rapidly. It is better to heat gradually over time. Therefore, for example, it is desirable to gradually heat to the melting point over 10 hours or more, particularly 12 hours or more.
そして、単結晶用原料が融解した後も、単結晶育成工程を開始する前に炉内温度を単結晶用原料の融点よりも１０℃〜２０℃高い温度で加熱を継続することが好ましい。係る温度域で加熱を継続する時間は特に限定されるものではないが、例えば３時間以上継続することが好ましく、５時間以上継続することがより好ましい。このときの温度測定方法は特に限定されるものではないが、例えば側面ヒータ１３の外周にある断熱材１５に差し込まれた図示しない熱電対を用いて行うことができる。
Even after the single crystal raw material is melted, it is preferable to continue heating at a temperature higher by 10 ° C. to 20 ° C. than the melting point of the single crystal raw material before starting the single crystal growing step. Although the time which continues heating in the temperature range which concerns is not specifically limited, For example, it is preferable to continue for 3 hours or more, and it is more preferable to continue for 5 hours or more. Although the temperature measurement method at this time is not particularly limited, it can be performed, for example, using a thermocouple (not shown) inserted into the
原料融液形成工程において、チャンバー１６内の雰囲気は特に限定されるものではなく、チャンバー１６内の構成物の材料や、育成する単結晶の種類等に応じて任意に選択することができる。
In the raw material melt forming step, the atmosphere in the
ただし、チャンバー１６内に酸素を導入すると、チャンバー１６内の構成物の材質によっては酸化等する場合がある。特に側面ヒータ１３や底面ヒータ１４が酸化し、急速に劣化する恐れがある。このため、原料融液形成工程におけるチャンバー１６内の雰囲気は、酸素をほとんど含まない低酸素濃度雰囲気とすることが望ましい。具体的には例えば、チャンバー１６内は不活性ガス雰囲気、または減圧雰囲気（真空雰囲気）とすることができる。
（２）単結晶育成工程
単結晶育成工程では、上述の原料融液形成工程で原料が溶融して形成した原料融液２３に種結晶を接触させた後、種結晶を回転させながら引上げ、単結晶を育成することができる。
However, when oxygen is introduced into the
(2) Single crystal growth step In the single crystal growth step, the seed crystal is brought into contact with the
種結晶を原料融液に接触させた後、引上げる際の条件は特に限定されるものではなく、常法に従い回転数や引上げ速度を調整してネック部および肩部を形成し、引き続き直胴部を形成できる。 After bringing the seed crystal into contact with the raw material melt, the pulling conditions are not particularly limited, and the neck and shoulders are formed by adjusting the rotation speed and pulling speed according to a conventional method. Part can be formed.
種結晶を引上げる際、放射温度計などを用いて育成した単結晶と原料融液との界面近傍における原料融液表面の温度を測定し、加熱体（側面ヒータ１３、底面ヒータ１４）の出力や、引上げ速度等を制御することが好ましい。
When pulling up the seed crystal, the temperature of the surface of the raw material melt in the vicinity of the interface between the single crystal grown using a radiation thermometer and the raw material melt is measured, and the output of the heating body (
育成する単結晶の結晶形状の調節は、育成している単結晶２０の結晶重量を測定し、直径や育成速度などを計算によって導き出し、引上げ軸１７の回転速度や引上げ速度を調整して行うことができる。種結晶は例えば、０．２ｒｐｍ〜２０ｒｐｍで回転させるとよい。また、育成している単結晶の結晶重量を適当な時間間隔で測定し、育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷをフィードバックして原料融液２３の融液温度をコントロールできる。
The crystal shape of the single crystal to be grown is adjusted by measuring the crystal weight of the
ところで、既述のように単結晶をＣｚ法等の引上げ法で単結晶育成を行う際、坩堝１１の底部で固化した原料が育成している単結晶とぶつかる現象や、坩堝１１の底面近傍まで成長した結晶と坩堝底面とが固着したことにより発生する現象である底付き現象が生じる場合があった。
By the way, as described above, when a single crystal is grown by a pulling method such as the Cz method, a phenomenon in which the raw material solidified at the bottom of the
ここで、底付き現象について図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて説明する。図２（ａ）、図２（ｂ）は坩堝１１の中心軸を通る面における断面図を示しており、底付き現象が発生した際の坩堝１１内の状態を模式的に示している。なお、図２（ａ）、図２（ｂ）では、坩堝１１、育成している単結晶２０、及び原料融液２３以外については記載を省略している。
Here, the bottoming phenomenon will be described with reference to FIGS. 2 (a) and 2 (b). 2A and 2B are cross-sectional views of a surface passing through the central axis of the
底付き現象として例えば、図２（ａ）に示すように原料融液２３の下方へ、育成している単結晶２０の結晶成長が促進されたことにより育成している単結晶２０が坩堝１１の底面１１ａに到達し固着する場合が挙げられる。また、図２（ｂ）に示すように、坩堝１１の底面１１ａで原料融液２３の一部が固化して固化物２３１を形成し、固化物２３１と育成した単結晶２０とが接触し、その後両者が一体化することで、育成した単結晶２０と坩堝１１の底面１１ａとが固着する場合が挙げられる。
As a bottoming phenomenon, for example, as shown in FIG. 2A, the
本発明の発明者らは、底付き現象が発生した場合でも結晶育成を中止することなく、容易に高品質な単結晶を製造できる単結晶の製造方法の検討に当たって、まず底付き現象の発生を検知する方法について検討した。そして、単結晶をチョクラルスキー法で代表される引上げ法で結晶成長させた場合に、育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが変動することがしばしば見られた点に着目した。 Inventors of the present invention first consider the occurrence of a bottoming phenomenon in the study of a method for producing a single crystal that can easily produce a high-quality single crystal without stopping crystal growth even when the bottoming phenomenon occurs. We examined the detection method. In addition, when a single crystal was grown by a pulling method typified by the Czochralski method, the weight change ΔW per unit time of the grown single crystal was often observed to vary. .
本発明の発明者らの検討によると、育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが変動する理由として以下の２つの場合が挙げられる。 According to the study by the inventors of the present invention, there are the following two cases as the reason why the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal varies.
図２（ａ）に示したように、育成している単結晶２０が坩堝１１の底面１１ａに固着する底付き現象が発生し、育成している単結晶２０の重量に加えて坩堝１１の重量が加算されることでΔＷは底付き現象発生前と比較して大きくなる場合。
As shown in FIG. 2A, a bottoming phenomenon occurs in which the growing
また、図２（ｂ）に示したように坩堝１１の底面１１ａで原料融液２３の一部が固化した固化物２３１と、育成した単結晶２０とがぶつかり、育成した単結晶２０は坩堝１１の底面１１ａから突き上げる力を受け、ΔＷは底付き現象発生前と比較して小さくなる場合。
Further, as shown in FIG. 2B, the solidified
このように底付き現象が生じた場合には、育成している単結晶２０の単位時間当たりの重量変化ΔＷが変化する。このため、単結晶育成工程中に継続的に、育成している単結晶２０の単位時間当たりの重量変化ΔＷを測定、算出することで底付き現象の発生を検出することができる。
Thus, when the bottoming phenomenon occurs, the weight change ΔW per unit time of the growing
図３に底付き現象が発生した場合の単結晶育成工程における育成している単結晶の結晶重量の時間変化を示す。図３中、時間に対する、育成している単結晶の重量の変化、すなわち傾きであるΔＷが変化する矢印Ａに示した時点で底付き現象が発生している。底付き現象発生前後では、時間に対する、育成している単結晶の重量の変化である傾きに違いが見られ、底付き現象発生後には急激に、時間に対する育成している単結晶の重量の変化である傾きが大きくなることが確認できる（前記図２（ａ）の場合を例記）。つまり、育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷから底付き現象の発生有無を検知することが可能であることが確認できる。 FIG. 3 shows the change over time in the crystal weight of the single crystal grown in the single crystal growth step when the bottoming phenomenon occurs. In FIG. 3, the bottoming phenomenon occurs at the time indicated by the change in the weight of the growing single crystal with respect to time, that is, the arrow A where ΔW, which is the inclination, changes. Before and after the occurrence of the bottoming phenomenon, there is a difference in the slope that is the change in the weight of the growing single crystal with respect to time, and after the occurrence of the bottoming phenomenon, the change in the weight of the growing single crystal with respect to time is abrupt. It can be confirmed that the inclination becomes larger (in the case of FIG. 2A as an example). That is, it can be confirmed that it is possible to detect the occurrence of the bottoming phenomenon from the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal.
従ってΔＷが正常な結晶成長において許容される範囲を超えた場合に、底付き現象の発生を検知し、底付き現象を解消させる操作を実施することで、底付き現象発生後にも結晶成長継続が可能となる。 Therefore, when ΔW exceeds the allowable range for normal crystal growth, the occurrence of the bottoming phenomenon is detected, and the operation for eliminating the bottoming phenomenon is performed, so that the crystal growth can be continued even after the bottoming phenomenon occurs. It becomes possible.
次に、本発明の発明者らは底付き現象が発生した場合に、底付き現象を解消させる操作について検討を行った。そして、坩堝の底面を加熱することで底付き現象を解消できることを見出した。 Next, the inventors of the present invention examined an operation for eliminating the bottoming phenomenon when the bottoming phenomenon occurred. And it discovered that a bottoming phenomenon could be eliminated by heating the bottom face of a crucible.
本発明の発明者らの検討によれば、底付き現象は坩堝の底面近傍の温度低下に伴う結晶成長の促進や原料融液の固化が原因で生じている。 According to the study by the inventors of the present invention, the bottoming phenomenon is caused by the promotion of crystal growth accompanying the temperature drop near the bottom of the crucible and the solidification of the raw material melt.
そのため、底付き現象を解消させるためには、原料融液の温度を上げる方法が考えられるが、原料融液全体の温度を上げた場合には、育成した単結晶全体が再溶融し、底付き現象の解消後に再度結晶育成を開始すると固液界面の形状が乱れる恐れがある。固液界面の形状が乱れ、原料融液に対して凹状となった部分が生じると、該凹状となった部分に気泡や粒界が発生し、結晶成長を再開した部分の結晶品質が低下する場合がある。 Therefore, in order to eliminate the bottoming phenomenon, a method of raising the temperature of the raw material melt can be considered. However, when the temperature of the whole raw material melt is raised, the entire grown single crystal is remelted and bottomed. If crystal growth is started again after the phenomenon is resolved, the shape of the solid-liquid interface may be disturbed. When the shape of the solid-liquid interface is disturbed and a concave portion is formed with respect to the raw material melt, bubbles and grain boundaries are generated in the concave portion, and the crystal quality of the portion where crystal growth is resumed is degraded. There is a case.
そこで、本実施形態の単結晶の製造方法においては、坩堝底面の温度を上昇させることで底付き現象を解消することが好ましい。坩堝の底面の温度を上昇させることで、底付きが発生した部分及びその周辺のみを再溶融させ、結晶品質の低下を抑制することができる。 Therefore, in the method for producing a single crystal of this embodiment, it is preferable to eliminate the bottoming phenomenon by increasing the temperature of the bottom surface of the crucible. By raising the temperature of the bottom surface of the crucible, only the portion where the bottoming has occurred and the periphery thereof can be remelted, and the deterioration of the crystal quality can be suppressed.
なお、坩堝の底面の温度を上昇させるために、図１に示した単結晶育成装置１０においては、側面ヒータ１３と、底面ヒータ１４とは、それぞれ独立に出力を制御できるように構成されていることが好ましい。
In addition, in order to raise the temperature of the bottom face of the crucible, in the single
以上の本発明の発明者らの検討に基づいて、本実施形態の単結晶の製造方法の単結晶育成工程では以下のステップを有することができる。 Based on the above investigations by the inventors of the present invention, the single crystal growing process of the method for manufacturing a single crystal according to the present embodiment can include the following steps.
育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷを測定、算出する重量変化算出ステップ。 A weight change calculating step of measuring and calculating a weight change ΔW per unit time of the growing single crystal;
育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたかを判定する判定ステップ。 A determination step of determining whether the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal exceeds a predetermined constant.
判定ステップにおいて育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した場合に、単結晶の回転、および種結晶の回転を中止し、かつ側面ヒータおよび底面ヒータのうち、底面ヒータの出力のみを上げ、坩堝の底面の温度を昇温する底付き解消ステップ。 When it is determined that the weight change ΔW per unit time of the single crystal grown in the determination step exceeds a predetermined constant, the rotation of the single crystal and the rotation of the seed crystal are stopped, and the side surface heater and the bottom surface heater Among them, the bottom elimination step of raising only the output of the bottom heater and raising the temperature of the bottom of the crucible.
各ステップについて以下に説明する。
（重量変化算出ステップ）
重量変化算出ステップでは、育成している単結晶の結晶重量を予め定めた時間おきに測定し、測定結果から、育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷを算出できる。育成している単結晶の結晶重量の測定方法は特に限定されるものではないが、例えば、図１に示した単結晶育成装置１０のように、引上げ軸１７に重量測定部２１を設け、重量測定部２１により測定することができる。
Each step will be described below.
(Weight change calculation step)
In the weight change calculating step, the crystal weight of the growing single crystal is measured every predetermined time, and the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal can be calculated from the measurement result. The method for measuring the crystal weight of the growing single crystal is not particularly limited. For example, a
また、育成している単結晶の結晶重量を測定する時間の間隔についても特に限定されるものではなく、任意に選択できる。ただし、底付き現象が発生した場合に、早急に検出できることが好ましいことから、５分以下の間隔で育成している単結晶の結晶重量を測定することが好ましく、１分以下の間隔で育成している単結晶の結晶重量を測定することがより好ましい。 Further, the time interval for measuring the crystal weight of the growing single crystal is not particularly limited and can be arbitrarily selected. However, since it is preferable that the bottoming phenomenon can be detected as soon as possible, it is preferable to measure the crystal weight of a single crystal grown at intervals of 5 minutes or less. It is more preferable to measure the crystal weight of the single crystal.
育成している単結晶の結晶重量を測定する時間の間隔の下限値については特に限定されないが、頻繁に測定を行うとデータ量が増えることとなるため、例えば１秒以上の間隔で育成している単結晶の結晶重量を測定することが好ましく、１５秒以上の間隔で育成している単結晶の結晶重量を測定することがより好ましい。
（判定ステップ）
判定ステップは、育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷから、底付き現象が生じているかを判定するステップであり、上記ΔＷが予め定めた定数を超えたかにより判定することができる。
The lower limit of the time interval for measuring the crystal weight of the single crystal being grown is not particularly limited. However, if the measurement is frequently performed, the amount of data increases. For example, it is grown at intervals of 1 second or more. It is preferable to measure the crystal weight of a single crystal, and it is more preferable to measure the crystal weight of a single crystal grown at intervals of 15 seconds or more.
(Judgment step)
The determination step is a step of determining whether a bottoming phenomenon has occurred from the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal, and can be determined based on whether the ΔW exceeds a predetermined constant. .
判定の際に用いる予め定めた定数については特に限定されるものではなく、例えば用いた単結晶育成装置において、実際に底付きが発生した際のデータ等から定めることができる。 The predetermined constant used in the determination is not particularly limited, and can be determined from, for example, data when bottoming actually occurs in the single crystal growth apparatus used.
また、単結晶の結晶成長は温度変化に敏感であるため、単結晶育成装置を冷却する冷却水の流量やチャンバー内の圧力、温度などの外乱によっても育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷは変化する。そのため、底付き現象発生の判定の基準となる定数としては、例えば単結晶育成工程開始後の通常の単位時間当たりの重量変化ΔＷ０を基に、上述の外乱の影響以上に変化した場合となるように定めることもできる。例えばΔＷ０の５倍以上１５倍以下を定数とすることもできる。具体的には、ΔＷ０の１０倍である１０×ΔＷ０を定数とした場合、ΔＷ＞１０×ΔＷ０となった際に底付き現象が発生したと判定することができる。
In addition, since the crystal growth of single crystals is sensitive to temperature changes, the growth rate per unit time of single crystals grown also by disturbances such as the flow rate of cooling water that cools the single crystal growth apparatus, the pressure in the chamber, and the temperature. The weight change ΔW changes. Therefore, a constant that is a criterion for determining the occurrence of the bottoming phenomenon is, for example, a case where the constant changes more than the influence of the above-described disturbance based on the normal weight change ΔW 0 per unit time after the start of the single crystal growth process. It can also be determined as follows. For example, the constant may be 5 to 15 times ΔW 0 . Specifically, it can be determined that when the 10 × [Delta]
ΔＷ０は、例えば単結晶育成工程開始後、ΔＷが安定し、定常状態となっているときの値を用いることができる。また、判定ステップを単結晶育成工程開始後の早期の段階で開始できるように、例えば用いた単結晶育成装置において、実際に結晶育成を行った場合に、底付きが発生しなかったときの最大のΔＷの値をΔＷ０とすることもできる。
（底付き解消ステップ）
底付き解消ステップでは、判定ステップにおいて育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した場合に、種結晶の回転、および種結晶の引上げを中止できる。そして、この際あわせて側面ヒータおよび底面ヒータのうち、底面ヒータの出力のみを上げ、坩堝の底面の温度を昇温することができる。
As ΔW 0 , for example, a value when ΔW is stable and in a steady state after the start of the single crystal growth process can be used. In addition, in order to be able to start the determination step at an early stage after the start of the single crystal growth process, for example, in the used single crystal growth apparatus, when crystal growth is actually performed, the maximum when bottoming does not occur The value of ΔW may be ΔW 0 .
(Bottom removal step)
In the bottoming elimination step, when it is determined that the weight change ΔW per unit time of the single crystal grown in the determination step exceeds a predetermined constant, the rotation of the seed crystal and the pulling of the seed crystal can be stopped. At this time, it is possible to raise the temperature of the bottom surface of the crucible by increasing only the output of the bottom surface heater of the side surface heater and the bottom surface heater.
底付き現象発生後は、坩堝１１の底面と、種結晶に連なって育成している単結晶２０とが固着しているため、駆動用モータ１９により種結晶を回転させようとしても種結晶は回転しない。そのため、種結晶の回転を停止しないと、種結晶にねじれる力がかかり破断し育成した単結晶が坩堝中に落下してしまう恐れがある。
After the bottoming phenomenon occurs, the bottom surface of the
また、底付き現象発生後に種結晶の引上げを継続すると、育成している単結晶２０を介して、育成している単結晶２０に固着した坩堝１１も引上げることになる。そのため、種結晶に過剰な負荷が生じ、種結晶が破断して育成した単結晶２０が坩堝内に落下する恐れがある。
Further, when the pulling of the seed crystal is continued after the occurrence of the bottoming phenomenon, the
このため、判定ステップによる判定により底付き現象の発生を検知した場合、上述の様に種結晶の回転及び引上げを停止することが好ましい。 For this reason, when the occurrence of the bottoming phenomenon is detected by the determination in the determination step, it is preferable to stop the rotation and pulling of the seed crystal as described above.
上述の様に種結晶の回転、および種結晶の引上げを停止した後、または種結晶の回転、および種結晶の引上げを停止したのと同時に、坩堝１１の底面の温度を昇温することで底付き現象を解消することが好ましい。
After stopping the rotation of the seed crystal and the pulling of the seed crystal as described above, or at the same time as stopping the rotation of the seed crystal and the pulling of the seed crystal, the temperature of the bottom surface of the
坩堝１１の底面の温度を上昇させる際、坩堝１１の下方に設けられた底面ヒータ１４の出力、すなわち底面ヒータ１４に対する電力供給量、を増加させることが好ましい。一方、坩堝１１の側面に対向するように設けられた側面ヒータ１３の出力は一定とすることが好ましい。すなわち、側面ヒータ１３と、底面ヒータ１４のうち、底面ヒータ１４のみ出力を上昇させることが好ましい。
When raising the temperature of the bottom surface of the
これは、既述のように、側面ヒータ１３、及び底面ヒータ１４の両方について出力を上げ、原料融液２３全体の温度を上昇させると、育成している単結晶２０が再融解してしまう場合がある。そして、再融解して結晶の表面に凹凸が形成されると、底付き現象解消後の再成長時に、気泡の凝集や転位の集積により粒界が発生し結晶品質が低下する恐れがあるからである。そのため、底付き現象が発生した坩堝１１の底面を優先的に加熱するために、底面ヒータ１４の出力のみを上昇させることが好ましい。
As described above, when the output is increased for both the
なお、単結晶育成工程中は原料融液の温度を下げるために側面ヒータの出力は単結晶育成工程開始からの時間経過に応じて一定の割合で低下させる場合がある。しかし、底付き現象発生後も側面ヒータ１３の出力の低下を継続すると原料融液の温度は下がり続け、底付き現象の解消に時間がかかる等の問題を生じる恐れがある。このため、底付き現象が発生した時点で側面ヒータの出力は一定とすることが好ましい。
In order to lower the temperature of the raw material melt during the single crystal growth process, the output of the side heater may be reduced at a constant rate with the passage of time from the start of the single crystal growth process. However, if the output of the
以上に説明した底付き解消ステップを実施することで、育成している単結晶の結晶品質を低下させることなく底付き現象を解消し、単結晶育成工程を継続することができる。 By performing the bottoming elimination step described above, the bottoming phenomenon can be eliminated and the single crystal growth process can be continued without deteriorating the crystal quality of the single crystal being grown.
底付き解消ステップの後、単結晶育成工程を継続する場合の各ヒータの制御条件は特に限定されるものではなく、例えば底付き現象が発生する前の単結晶育成工程時と同様の制御を継続して実施することができる。 The control condition of each heater when the single crystal growth process is continued after the bottoming elimination step is not particularly limited. For example, the same control as in the single crystal growth process before the bottoming phenomenon occurs is continued. Can be implemented.
底付き解消ステップの後、単結晶の育成を継続して実施する場合、例えば側面ヒータ１３を底付き発生前と同じ割合で出力を降下させることができる。また、底面ヒータ１４は底付き現象の解消のために上昇させた出力をそのままに、底付き現象発生前と同じ割合で出力を変化させることができる。なお、底付き解消ステップの後、単結晶の育成を継続して実施する場合には、再び種結晶の回転、及び引上げを開始することになる。
When continuously growing single crystals after the bottoming elimination step, for example, the output of the
底付き解消ステップを実施し、底付き現象を解消した後、単結晶の育成を継続して実施する場合にも、既述の重量変化算出ステップと、判定ステップとを継続して繰り返し実施することが好ましい。そして、判定ステップでΔＷが予め定めた定数を超えたと判断した場合には、同様に底付き解消ステップを実施することができる。 After the bottoming elimination step is performed and the bottoming phenomenon is eliminated, the weight change calculation step and the determination step described above are continuously repeated even when the single crystal is continuously grown. Is preferred. When it is determined in the determination step that ΔW exceeds a predetermined constant, the bottoming elimination step can be similarly performed.
なお、上記判定ステップにおいて、育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を下回っていると判定した場合には、底付き解消ステップを実施することなく、単結晶の育成を継続して実施できる。 In addition, in the above determination step, when it is determined that the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal is below a predetermined constant, the single crystal Training can be continued.
ただし、判定ステップにおいて育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を下回っていると判定し、単結晶の育成を継続して実施する場合にも、上述の重量変化算出ステップと、判定ステップとを繰り返し実施することが好ましい。重量変化算出ステップと、判定ステップとを繰り返し実施することで、その後、底付き現象が発生しているか否かを検出でき、底付き現象が発生した場合には底付き現象解消ステップを実施できるからである。 However, even when it is determined that the weight change ΔW per unit time of the single crystal grown in the determination step is less than a predetermined constant and the single crystal is continuously grown, the weight change described above is also performed. It is preferable to repeat the calculation step and the determination step. By repeatedly performing the weight change calculation step and the determination step, it is possible to detect whether or not the bottoming phenomenon has occurred, and if the bottoming phenomenon has occurred, the bottoming phenomenon elimination step can be performed. It is.
単結晶育成工程では、上述の重量変化算出ステップ、判定ステップ、場合によってはさらに底付き解消ステップを繰り返し実施しつつ、単結晶を育成することで、所望の単結晶を育成することができる。単結晶育成工程を終了するタイミングは特に限定されるものではないが、例えば育成している単結晶の重量が目標結晶重量に達した場合に終了することができる。 In the single crystal growth step, a desired single crystal can be grown by growing the single crystal while repeatedly performing the above-described weight change calculation step, determination step, and, in some cases, the bottoming elimination step. The timing for ending the single crystal growing step is not particularly limited, but can be ended when the weight of the growing single crystal reaches the target crystal weight, for example.
なお、判定ステップにおいてΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した場合でも、判定ステップを実施した時点において、育成した単結晶が十分に成長している場合には、底付き解消ステップを実施せずに単結晶育成工程を終了してもよい。 Even if it is determined that ΔW exceeds a predetermined constant in the determination step, the bottoming elimination step is not performed if the grown single crystal is sufficiently grown at the time when the determination step is performed. The single crystal growing step may be terminated.
これは単結晶の育成が十分に進行した段階では、底付き解消ステップを実施するためにかかる時間により、結晶成長のサイクルが延びてしまい経済的に不利だからである。 This is because, at the stage where the growth of the single crystal has sufficiently progressed, the cycle of crystal growth is prolonged due to the time taken to perform the bottoming elimination step, which is economically disadvantageous.
結晶の育成が十分に進行したと判断する基準は特に限定されるものではなく、育成する単結晶に対して要求されるサイズ等に応じて任意に規定することができる。 The criteria for determining that the crystal growth has progressed sufficiently are not particularly limited, and can be arbitrarily defined according to the size required for the single crystal to be grown.
例えば、ΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した判定ステップ実施時の、育成した単結晶の結晶重量をＷ、育成する単結晶の目標結晶重量をＷｍａｘとした場合にＷ／Ｗｍａｘ＞０．９５の場合に、単結晶の育成が十分に進行したと判断することができる。 For example, W / W max > 0, where W is the crystal weight of the grown single crystal and W max is the target crystal weight of the single crystal to be grown when the determination step is performed in which it is determined that ΔW exceeds a predetermined constant. .95, it can be determined that the growth of the single crystal has progressed sufficiently.
この場合、上述の様に、底付き解消ステップを実施せずに単結晶育成工程を終了することが好ましい。単結晶育成工程終了後は、後述する切り離し工程を実施することができる。なお、底付き現象が生じることにより、切り離し工程を実施することが困難な場合には、必要により、底面ヒータ１４により坩堝１１の底部を加熱し、切り離しができるように底付き現象を解消させることもできる。
In this case, as described above, it is preferable to end the single crystal growth step without performing the bottoming elimination step. After the completion of the single crystal growth step, a separation step described later can be performed. If it is difficult to carry out the separation process due to the bottoming phenomenon, the bottom part of the
ただし、単結晶の育成が十分に進行していない段階では、坩堝内の原料融液の残量が多く、単結晶育成工程終了後、例えば後述する切り離し工程を実施しようとしても、坩堝、および引上げ軸の可動距離の範囲内では切り離しを実施できない恐れがある。また、引上げ軸の移動距離が長い場合、育成した単結晶の引上げ距離が長くなり、育成した単結晶を側面ヒータで囲まれた領域から離れた位置に移動させることとなる。このため、温度勾配の大きな環境下で育成した単結晶を冷却することになり、育成した単結晶にクラック等が生じる恐れがある。 However, at the stage where the growth of the single crystal has not progressed sufficiently, the remaining amount of the raw material melt in the crucible is large, and after the single crystal growth process is completed, for example, even if an attempt is made to perform a separation process described later, the crucible There is a possibility that separation cannot be performed within the range of the movable distance of the shaft. In addition, when the moving distance of the pulling shaft is long, the pulling distance of the grown single crystal becomes long, and the grown single crystal is moved to a position away from the region surrounded by the side heater. For this reason, the single crystal grown in an environment with a large temperature gradient is cooled, and there is a risk that cracks or the like may occur in the grown single crystal.
そこで、単結晶の育成が十分に進行していない場合、底付き解消ステップを実施し、単結晶育成工程を継続することが好ましい。なお、例えばΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した判定ステップ実施時の育成した単結晶の結晶重量をＷ、育成する単結晶の目標結晶重量をＷｍａｘとした場合にＷ／Ｗｍａｘ≦０．９５の場合を、単結晶の育成が十分に進行していない場合とすることができる。
（３）切り離し工程、冷却工程
単結晶育成工程終了後は、育成した単結晶を原料融液から切り離す切り離し工程や、育成した単結晶を室温、または室温近傍まで冷却する冷却工程を実施できる。
Therefore, when the growth of the single crystal has not progressed sufficiently, it is preferable to carry out the bottoming elimination step and continue the single crystal growth process. For example, when W is the crystal weight of the grown single crystal and W max is the target crystal weight of the single crystal to be grown at the time of performing the determination step in which it is determined that ΔW exceeds a predetermined constant, W / W max ≦ 0 The case of .95 can be regarded as a case where the growth of the single crystal has not progressed sufficiently.
(3) Separation process and cooling process After the completion of the single crystal growth process, a separation process for separating the grown single crystal from the raw material melt and a cooling process for cooling the grown single crystal to room temperature or near room temperature can be performed.
切り離し工程では、坩堝内に残留している原料融液と、育成した単結晶とを切り離し、両者が接触している状態を解消することができる。切り離し工程の実施方法は特に限定されるものではないが、例えば図１に示した単結晶育成装置１０を用いる場合、坩堝軸１２を下降、および／または引上げ軸１７を上昇させることにより、育成した単結晶２０と原料融液２３との距離を拡げることで実施できる。切り離し工程、及び冷却工程において、育成した単結晶２０を側面ヒータ１３で囲まれている領域の近くに配置することで、冷却工程を実施する際に育成した単結晶２０内の温度勾配を抑制し、育成した単結晶２０内にクラック等が発生することを抑制できる。このため、坩堝軸１２を引上げ軸１７よりも優先して移動させることで、育成した単結晶２０の位置の変位量は最小限とし、単結晶２０を側面ヒータ１３で囲まれている領域の近くに配置することが好ましい。
In the separation step, the raw material melt remaining in the crucible and the grown single crystal can be separated and the state where both are in contact can be eliminated. The method for carrying out the separation step is not particularly limited. For example, when the single
切り離し工程終了後は、室温または室温近傍まで、チャンバー１６内の温度を冷却することができる。
After completion of the separation step, the temperature in the
以上に本実施形態の単結晶の製造方法について説明したが、本実施形態の単結晶の製造方法によれば、底付き現象発生の検知と解消とを一連の動作により実施することができる。そして、底付き現象発生の検知と解消とを一連の動作により実施することで底付き現象が発生しても結晶成長の継続が可能となる。また、結晶成長を継続した場合にも底付き現象が発生した坩堝の底部近傍のみを再融解させるため、結晶の品質の低下を抑制することができる。 Although the manufacturing method of the single crystal of the present embodiment has been described above, according to the manufacturing method of the single crystal of the present embodiment, detection and elimination of the bottoming phenomenon can be performed by a series of operations. Then, by detecting and eliminating the occurrence of the bottoming phenomenon through a series of operations, it is possible to continue crystal growth even if the bottoming phenomenon occurs. In addition, even when crystal growth is continued, only the vicinity of the bottom of the crucible where the bottoming phenomenon has occurred is remelted, so that it is possible to suppress deterioration in crystal quality.
このため、本実施形態の単結晶の製造方法によれば、底付き現象が発生したとしても結晶成長を中止することなく単結晶の生産が可能となり高品質な単結晶を歩留まり良く製造することが可能となる。 Therefore, according to the method for manufacturing a single crystal of the present embodiment, even if a bottoming phenomenon occurs, it is possible to produce a single crystal without stopping crystal growth, and it is possible to manufacture a high-quality single crystal with a high yield. It becomes possible.
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
図１に示した単結晶育成装置１０を用いて、サファイア単結晶の製造を行った。
（原料融液形成工程）
内径３７０ｍｍのモリブデン製の坩堝１１に４Ｎ（９９．９９％）のＡｌ２Ｏ３原料を１５０ｋｇ投入した。その後、チャンバー１６内をアルゴンガスで十分に置換した後、側面ヒータ１３、および底面ヒータ１４に電力を供給し、Ａｌ２Ｏ３原料を融解した。
（単結晶育成工程）
原料融解後、引上げ軸１７に取り付けた種結晶を毎分０．５回転の速度で回転させながら原料融液に接触させ、引上げ速度０．４ｍｍ／ｈで引上げ軸１７を上昇させて結晶成長を開始した。
Specific examples and comparative examples will be described below, but the present invention is not limited to these examples.
[Example 1]
A sapphire single crystal was manufactured using the single
(Raw material melt forming process)
150 kg of 4N (99.99%) Al 2 O 3 raw material was charged into a
(Single crystal growth process)
After melting the raw material, the seed crystal attached to the pulling
結晶成長中に結晶重量を３０秒間隔で測定し、育成している単結晶の単位時間（３０秒）当たりの重量変化ΔＷを算出した（重量変化算出ステップ）。 During crystal growth, the crystal weight was measured at intervals of 30 seconds, and the weight change ΔW per unit time (30 seconds) of the growing single crystal was calculated (weight change calculation step).
そして、同じ単結晶育成装置を用いて底付きが発生しなかった際の最大のΔＷをΔＷ０とし、ΔＷ０の１０倍を予め定めた定数として判定ステップを行った。 Then, using the same single crystal growth apparatus, the determination step was performed with ΔW 0 being the maximum ΔW when no bottoming occurred and 10 times ΔW 0 being a predetermined constant.
目標結晶重量Ｗ０＝１３０ｋｇに対して、結晶重量Ｗ＝１００ｋｇとなる前までは重量変化算出ステップで算出したΔＷは、予め定めた定数である、ΔＷ０の１０倍以下であり、底付き現象は生じていないと判定し、単結晶の育成を継続して実施した。 With respect to the target crystal weight W 0 = 130 kg, ΔW calculated in the weight change calculation step before the crystal weight W = 100 kg is 10 times or less of ΔW 0 which is a predetermined constant, and the bottoming phenomenon It was determined that no growth occurred, and single crystal growth was continued.
しかし、目標結晶重量Ｗ０＝１３０ｋｇに対して、結晶重量Ｗ＝１００ｋｇになった時点で重量変化算出ステップで算出したΔＷは、ΔＷ０の１０倍よりも大きくなっていることが確認された。このため、この時点で制御手段２２により底付き現象が発生したと判定した。 However, with respect to the target crystal weight W 0 = 130 kg, it was confirmed that ΔW calculated in the weight change calculation step when the crystal weight W = 100 kg was larger than 10 times ΔW 0 . For this reason, it is determined that the bottoming phenomenon has occurred by the control means 22 at this time.
判定ステップで底付き現象の検知後に、育成している単結晶の引上げと回転とを停止した。同時に、底面ヒータ１４の出力を底付き検知時と比較して２％上昇し、側面ヒータ１３を底付き現象検知時の出力で一定とした（底付き解消ステップ）。
After detecting the bottoming phenomenon in the judging step, the pulling and rotation of the growing single crystal were stopped. At the same time, the output of the
底付き解消ステップの操作を実施した後、５時間後に底付き現象が解消されたのを確認した。このとき、底付き現象発生前と比較して成長結晶の重量は変化していないことが確認できた。 After performing the operation of eliminating the bottoming, it was confirmed that the bottoming phenomenon was eliminated after 5 hours. At this time, it was confirmed that the weight of the grown crystal did not change compared to before the bottoming phenomenon occurred.
底付き現象解消後に、結晶の引上げと回転を底付き現象発生前と同様の条件で再開し、さらに側面ヒータ１３及び底面ヒータ１４の出力も底付き現象発生前の割合で変化させて結晶成長を継続した。結晶成長再開後に目標結晶重量まで単結晶育成工程を継続した。
（切り離し工程、冷却工程）
目標結晶重量となり単結晶育成工程を終了した後、坩堝軸１２を駆動用モータ１８により下降させ、坩堝１１の位置を下降させることで原料融液と成長結晶とを切り離した（切り離し工程）。
After the bottoming phenomenon is resolved, the pulling and rotation of the crystal is resumed under the same conditions as before the bottoming phenomenon, and the outputs of the
(Separation process, cooling process)
After the target crystal weight was reached and the single crystal growth process was completed, the
切り離し工程後、チャンバー１６内の温度を室温まで冷却した（冷却工程）。
After the separation step, the temperature in the
冷却工程終了後、チャンバー１６内から育成した単結晶を取り出し、評価を行った。
After the cooling step, the single crystal grown from the
育成した単結晶を取り出し、得られた結晶の外観観察を行って、クラックがないか確認を行った。また、結晶をウエハーにスライスし、Ｘ線トポグラフ像を観察してウエハー内の小傾角粒界を測定した。小傾角粒界が少ないほど良好な単結晶が育成されていることを示している。 The grown single crystal was taken out, the appearance of the obtained crystal was observed, and it was confirmed that there was no crack. In addition, the crystal was sliced into a wafer, and an X-ray topographic image was observed to measure a low-angle grain boundary in the wafer. It shows that the better the single crystal is grown, the smaller the small-angle grain boundary.
その結果、重量１３０ｋｇのクラックフリーのサファイア単結晶が得られていることが確認できた。また、ウエハーにするため得られた結晶をスライスする加工したところ、加工中にもクラックは発生しないことが確認できた。 As a result, it was confirmed that a crack-free sapphire single crystal having a weight of 130 kg was obtained. Further, when the crystal obtained for making a wafer was sliced, it was confirmed that no crack was generated during the machining.
また、得られたウエハーについてＸ線トポグラフ像の観察の結果、小傾角粒界も観察されないことが確認できた。
［比較例１］
重量変化算出ステップ、判定ステップ、及び底付き解消ステップを実施しなかった点以外は実施例１と同様の単結晶育成工程を実施したところ、単結晶育成工程の最中に底付き現象が発生し、種結晶部が破断し、育成していた単結晶が坩堝内に落下した。このため、単結晶の育成を中止した。
［比較例２］
底付き現象解消ステップにおいて、側面ヒータ１３、及び底面ヒータ１４の出力を底付き検知時と比較して２％上昇させた点以外は実施例１と同様にしてサファイア単結晶の製造を行った。
Further, as a result of observing the X-ray topographic image of the obtained wafer, it was confirmed that no small-angle grain boundaries were observed.
[Comparative Example 1]
When the single crystal growth process similar to that of Example 1 was performed except that the weight change calculation step, the determination step, and the bottoming elimination step were not performed, a bottoming phenomenon occurred during the single crystal growth process. The seed crystal part broke and the grown single crystal dropped into the crucible. For this reason, the growth of single crystals was stopped.
[Comparative Example 2]
In the bottoming phenomenon elimination step, a sapphire single crystal was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the outputs of the
得られた単結晶について実施例１と同様にして評価を行ったところ、重量１３０ｋｇのクラックフリーのサファイア単結晶が得られていることが確認できた。また、ウエハーにするため得られた結晶をスライスする加工したところ、加工中にもクラックは発生しないことが確認できた。 When the obtained single crystal was evaluated in the same manner as in Example 1, it was confirmed that a crack-free sapphire single crystal having a weight of 130 kg was obtained. Further, when the crystal obtained for making a wafer was sliced, it was confirmed that no crack was generated during the machining.
しかしながら、得られたウエハーについてＸ線トポグラフ像の観察の結果、小傾角粒界が確認され、十分な品質を有していないことが確認された。 However, as a result of observing an X-ray topographic image of the obtained wafer, a low-angle grain boundary was confirmed, and it was confirmed that the wafer did not have sufficient quality.
１１ 坩堝
１３ 側面ヒータ
１４ 底面ヒータ
２０ 単結晶
２３ 原料融液
11
Claims (2)
前記原料融液に種結晶を接触させた後、前記種結晶を回転させながら引上げ、単結晶を育成する単結晶育成工程と、を有しており、
前記単結晶育成工程は、
育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷを測定、算出する重量変化算出ステップと、
前記育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたかを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにおいて前記育成している単結晶の単位時間当たりの重量変化ΔＷが予め定めた定数を超えたと判定した場合に、前記種結晶の回転、および前記種結晶の引上げを中止し、かつ前記側面ヒータおよび前記底面ヒータのうち、前記底面ヒータの出力のみを上げ、前記坩堝の底面の温度を昇温する底付き解消ステップと、を有する単結晶の製造方法。 The raw material for single crystal filled in the crucible is heated and melted by a side heater arranged to face the side of the crucible and a bottom heater arranged to face the bottom of the crucible to melt the raw material. Raw material melt forming step to be liquid,
After bringing the seed crystal into contact with the raw material melt, pulling the seed crystal while rotating it, and growing a single crystal,
The single crystal growing step includes
A weight change calculating step of measuring and calculating a weight change ΔW per unit time of the growing single crystal;
A determination step of determining whether the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal exceeds a predetermined constant;
When it is determined in the determination step that the weight change ΔW per unit time of the growing single crystal exceeds a predetermined constant, the rotation of the seed crystal and the pulling of the seed crystal are stopped, and the Of the side heater and the bottom heater, a method for producing a single crystal comprising: a bottom elimination step of increasing only the output of the bottom heater and raising the temperature of the bottom of the crucible.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015079535A JP6413903B2 (en) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | Single crystal manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015079535A JP6413903B2 (en) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | Single crystal manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016199417A true JP2016199417A (en) | 2016-12-01 |
| JP6413903B2 JP6413903B2 (en) | 2018-10-31 |
Family
ID=57423446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015079535A Active JP6413903B2 (en) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | Single crystal manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6413903B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019038712A (en) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | 住友金属鉱山株式会社 | Evaluation method, production method of single crystal, evaluation device, evaluation program, and single crystal production apparatus |
| CN110735180A (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | crystal pulling furnace |
| CN117305987A (en) * | 2023-11-29 | 2023-12-29 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | Method for eliminating bubble wrapping in liquid phase method silicon carbide crystal growth process |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06271390A (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-27 | Japan Energy Corp | Production of single crystal |
| JP2011079693A (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Hitachi Cable Ltd | Apparatus for producing semiconductor single crystal |
-
2015
- 2015-04-08 JP JP2015079535A patent/JP6413903B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06271390A (en) * | 1993-03-18 | 1994-09-27 | Japan Energy Corp | Production of single crystal |
| JP2011079693A (en) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Hitachi Cable Ltd | Apparatus for producing semiconductor single crystal |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019038712A (en) * | 2017-08-24 | 2019-03-14 | 住友金属鉱山株式会社 | Evaluation method, production method of single crystal, evaluation device, evaluation program, and single crystal production apparatus |
| JP7263691B2 (en) | 2017-08-24 | 2023-04-25 | 住友金属鉱山株式会社 | Evaluation method, single crystal manufacturing method, evaluation apparatus, evaluation program, and single crystal manufacturing apparatus |
| CN110735180A (en) * | 2018-07-20 | 2020-01-31 | 上海新昇半导体科技有限公司 | crystal pulling furnace |
| CN117305987A (en) * | 2023-11-29 | 2023-12-29 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | Method for eliminating bubble wrapping in liquid phase method silicon carbide crystal growth process |
| CN117305987B (en) * | 2023-11-29 | 2024-03-12 | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 | Method for eliminating bubble wrapping in liquid phase method silicon carbide crystal growth process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6413903B2 (en) | 2018-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102157388B1 (en) | Silicon single crystal manufacturing method and apparatus | |
| US5714004A (en) | Process for producing polycrystalline semiconductors | |
| JP4791073B2 (en) | Silicon wafer manufacturing method | |
| JP2007223830A (en) | Method of growing oxide single crystal | |
| KR20180101586A (en) | Manufacturing method of silicon single crystal | |
| JP6413903B2 (en) | Single crystal manufacturing method | |
| JP5145721B2 (en) | Method and apparatus for producing silicon single crystal | |
| JP2016033102A (en) | Sapphire single crystal and method for manufacturing the same | |
| US8628613B2 (en) | Method for producing semiconductor wafers composed of silicon with reduced pinholes | |
| JP5176915B2 (en) | Method for growing silicon single crystal | |
| JP2015205793A (en) | Method for drawing up single crystal | |
| JP4957619B2 (en) | Method for producing oxide single crystal | |
| JP4672579B2 (en) | Method for recharging solid raw materials | |
| TW202113167A (en) | Scalmgo4 single crystal, preparation method for same, and free-standing substrate | |
| JP6263999B2 (en) | Method for growing silicon single crystal | |
| JP2011079693A (en) | Apparatus for producing semiconductor single crystal | |
| JP5724226B2 (en) | Method for growing silicon single crystal | |
| JP2001261482A (en) | Method for growing single crystal | |
| JP2016130205A (en) | Production method for sapphire single crystal | |
| JP6323382B2 (en) | Method for producing single crystal | |
| JP6390502B2 (en) | Single crystal cooling method and manufacturing method | |
| JP2009023867A (en) | Manufacturing method of semiconductor crystal and its manufacturing apparatus | |
| JP2009057237A (en) | Method for producing compound semiconductor single crystal | |
| JPH0782084A (en) | Single crystal growing method and single crystal growing apparatus | |
| JPH11199383A (en) | Crystal growth |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170525 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180216 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180227 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180427 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180904 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180917 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6413903 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |