JP2016195089A - エナメル線、該エナメル線を用いたコイルおよびそれ該コイルを用いた電機部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係るエナメル線は、金属導体線の外周にエナメル被覆が形成されているエナメル線であって、前記エナメル被覆は、前記金属導体線の直上に形成され所定の樹脂を主成分とする第1絶縁層と、前記第1絶縁層の直上に形成され所定の樹脂を主成分とする第2絶縁層とを有し、前記第2絶縁層は、スチレンブタジエンゴム粒子を含むフィラーが前記第2絶縁層に対して10質量%以上49質量%以下で含有されている。
【選択図】図1
Description
前記エナメル被覆は、前記金属導体線の直上に形成されイミド系樹脂を主成分とする第1絶縁層と、前記第1絶縁層の直上に形成されイミド系樹脂を主成分とする第2絶縁層とを有し、
前記第2絶縁層は、該第2絶縁層に対して10質量%以上49質量%以下の範囲でフィラーを含有し、前記フィラーはスチレンブタジエンゴム粒子を含むことを特徴とするエナメル線を、提供する。
(i)前記フィラーの平均粒子径が、0.1μm以上10μm以下である。
(ii)前記ゴム粒子は、コアシェル構造を有するゴム粒子である。
(iii)前記フィラーは、無機フィラーを更に含む。
(iv)前記無機フィラーは、ケイ素酸化物粒子および無機化合物の鱗片状粒子の少なくとも一方である。
(v)前記第2絶縁層の厚さは、前記第1絶縁層の厚さよりも大きい。
(vi)前記第2絶縁層の直上に、所定の樹脂を主成分とする第3絶縁層を更に有する。
(vii)前記第3絶縁層の厚さは、前記第2絶縁層の厚さよりも小さい。
(viii)前記イミド系樹脂は、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリエステルイミドのいずれかである。
本発明者らは、金属導体線の外周にエナメル被覆が形成されたエナメル線において、エナメル線の各種性能(例えば、耐熱性、耐圧性、寸法精度)を犠牲にすることなく製造コスト低減に貢献できるエナメル線の構造について鋭意検討した。その結果、エナメル被覆を少なくとも2層(第1絶縁層、第2絶縁層など)で構成し、第2絶縁層にゴム粒子を含むフィラーを含有させることにより、エナメル線の各種性能を犠牲にすることなく、絶縁塗料の1回の塗布・焼付で従来よりも厚肉の被膜を形成できることを見出した。1回の塗布・焼付での被膜の厚肉化は、塗布・焼付工程の繰り返し回数の低減に直結し、エナメル線の製造コストを低減することができる。本発明は、それらの知見に基づいて完成されたものである。
(エナメル線)
図1は、本発明の第1実施形態に係るエナメル線の一例を示す断面模式図であり、金属導体線の断面形状が丸形状の場合を例示している。図2は、本発明の第1実施形態に係るエナメル線の他の一例を示す断面模式図であり、金属導体線の断面形状が四辺形状の場合を例示している。図1,2に示したように、本実施形態に係るエナメル線10,10’は、金属導体線1,1’の外周にエナメル被覆2が直接形成されており、エナメル被覆2が2層(第1絶縁層3、第2絶縁層4)で構成されている。また、本発明に係るエナメル線10,10’は、第2絶縁層4がスチレンブタジエンゴム粒子を含むフィラー6を含有している点に最大の特徴がある。
(エナメル線)
図3は、本発明の第2実施形態に係るエナメル線の一例を示す断面模式図であり、金属導体線の断面形状が丸形状の場合を例示している。図4は、本発明の第2実施形態に係るエナメル線の他の一例を示す断面模式図であり、金属導体線の断面形状が四辺形状の場合を例示している。図3,4に示したように、本実施形態に係るエナメル線20,20’は、金属導体線1,1’の外周にエナメル被覆2が直接形成されており、エナメル被覆2が3層(第1絶縁層3、第2絶縁層4、第3絶縁層5)で構成されている。また、第2絶縁層4がスチレンブタジエンゴム粒子を含むフィラー6を含有している。
(コイルおよび電機部品)
本発明に係るエナメル線は、回転電機や変圧器などの電機部品のコイル用電線として好適に用いることができる。図5は、本発明に係る電機部品(回転電機)の固定子および該固定子に組み込まれたコイルの一例を示す部分拡大模式図である。図5に示したように、回転電機の固定子40は、ステータコア7のスロット8の内部に、本発明のエナメル線10’が捲回されたコイル30が組み込まれている。
N,N-ジメチルアセトアミドの溶媒にポリイミド(PI)の前駆体であるポリアミック酸樹脂を溶解した固形分濃度20質量%のPIワニス(低濃度ワニス、従来技術のワニス)を用意した。次に、バーコータ(塗布ギャップ100μm)を用いて該PIワニスを銅板(100 mm×100 mm×1 mm)上に1回塗布した。PIワニスを塗布した該銅板を直ちにホットプレート上に乗せて焼付し(250℃で3分間保持)、従来技術の基準となる従来例1のエナメル線疑似試料を作製した。
1回のワニス塗布・焼付によるエナメル被覆の厚膜化を意図して、上記のPIワニスと同じ溶媒とポリアミック酸樹脂とを用い、固形分濃度40質量%の高濃度PIワニスを用意した。次に、従来例1と同様の手法で、該高濃度PIワニスを銅板上に1回塗布した。しかしながら、該高濃度PIワニスは粘度が過度に増大したため著しい塗布ムラが発生し、成膜性として不合格であった。成膜性が不合格のため、比誘電率の測定は行わなかった。結果を表1に併記する。このことから、PIエナメル被覆の厚膜化に関して、高濃度ワニスの利用は不適当であり、従来技術の通り低濃度ワニスの塗布・焼付の繰り返しが必要であることが確認された。
バーコータの塗布ギャップを200μmに調整したこと以外は従来例1と同様にして、比較例2のエナメル線疑似試料を作製した。塗布ギャップの拡大によりエナメル被覆の厚さは、20μmとなった。しかしながら、焼付時に気泡が多数発生してエナメル被覆の表面が著しく荒れ、成膜性として不合格であった。成膜性が不合格のため、比誘電率の測定は行わなかった。結果を表1に併記する。このことから、PIエナメル被覆の厚膜化に関して、低濃度ワニスを利用した場合であっても、従来技術の通り薄い被膜形成の繰り返しが必要であることが確認された。
従来例1のPIワニスをベースとし、スチレンブタジエンゴム粒子(ダウケミカル日本株式会社製のBTA731、平均一次粒径0.6μm、以下SBR粒子と略す)19.8質量%と、分散剤(ビックケミー・ジャパン株式会社製のBYK-W9010)0.2質量%とを添加し、自公転ミキサにより撹拌混合してフィラー添加PIワニスを用意した。該フィラー添加PIワニスを用いたこと以外は従来例1と同様にして、比較例3のエナメル線疑似試料を作製した。
SBR粒子の含有率を10質量%とし、分散剤の含有率を0.1質量%としたこと以外は比較例3と同様にして、実施例1のフィラー添加PIワニスを用意した。次に、従来例1と同様にして第1絶縁層を有するエナメル線疑似試料を作製し、引き続いて、本実施例のフィラー添加PIワニスを用いて、先の第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、実施例1のエナメル線疑似試料を作製した。第2絶縁層の塗布・焼付条件は、従来例1と同様にした(塗布ギャップ100μm、250℃で3分間保持)。
SBR粒子の含有率を48.6質量%とし、分散剤の含有率を0.4質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例2のフィラー添加PIワニスを用意した。次に、実施例1と同様にして、第1絶縁層を有するエナメル線疑似試料を作製し、引き続いて、本実施例のフィラー添加PIワニスを用いて、先の第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、実施例2のエナメル線疑似試料を作製した。
SBR粒子の含有率を38.6質量%とし、無機フィラーとしてケイ素酸化物粒子(株式会社龍森製のJX-7、平均粒径6.3μm、以下シリカ粒子と略す)を10質量%で添加し、分散剤の含有率を0.4質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例3のフィラー添加PIワニスを用意した。次に、実施例1と同様にして、第1絶縁層を有するエナメル線疑似試料を作製し、引き続いて、本実施例のフィラー添加PIワニスを用いて、先の第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、実施例3のエナメル線疑似試料を作製した。
SBR粒子の含有率を38.6質量%とし、シリカ粒子の含有率を5質量%とし、更なる無機フィラーとして無機化合物の鱗片状粒子(株式会社ヤマグチマイカ製のマイカSJ-005、平均粒径5μm、以下マイカ粒子と略す)を5質量%で添加し、分散剤の含有率を0.4質量%としたこと以外は実施例1と同様にして、実施例4のフィラー添加PIワニスを用意した。次に、実施例1と同様にして、第1絶縁層を有するエナメル線疑似試料を作製し、引き続いて、本実施例のフィラー添加PIワニスを用いて、先の第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、実施例4のエナメル線疑似試料を作製した。
実施例5のエナメル線疑似試料は、実施例4の第2絶縁層の上に第3絶縁層を設けた例である。第2絶縁層の形成までは、実施例4と同様に行い、第3絶縁層の形成は、従来例1のPIワニスを用いて、従来例1と同様の条件(塗布ギャップ100μm、250℃で3分間保持)で行った。
N-メチルピロリドンの溶媒にポリアミドイミド(PAI)を溶解した濃度25質量%のPAIワニス(低濃度ワニス、従来技術のワニス)を用意した。次に、バーコータの塗布ギャップを200μmに調整して該PAIワニスを銅板上に1回塗布した。PAIワニスを塗布した該銅板を直ちにホットプレート上に乗せて焼付し(250℃で3分間保持)、従来例2のエナメル線疑似試料を作製した。
エナメル被覆の厚膜化を意図してバーコータの塗布ギャップを500μmに調整したこと以外は従来例2と同様にして、比較例4のエナメル線疑似試料を作製した。塗布ギャップの拡大によりエナメル被覆の厚さは、90μmとなった。しかしながら、焼付時に気泡が多数発生してエナメル被覆の表面が著しく荒れ、成膜性として不合格であった。成膜性が不合格のため、比誘電率の測定は行わなかった。結果を表3に併記する。
従来例2のPAIワニスをベースとし、先と同じSBR粒子39.6質量%と、先と同じシリカ粒子5質量%と、先と同じマイカ粒子5質量%と、先と同じ分散剤0.4質量%とを添加し、自公転ミキサにより撹拌混合してフィラー添加PAIワニスを用意した。次に、従来例2のPAIワニスを用いて、従来例2と同様にして銅板上に第1絶縁層を形成し、引き続いて、本実施例のフィラー添加PAIワニスを用いて、先の第1絶縁層上に第2絶縁層を形成し、更に引き続いて、従来例1のPIワニスを用いて、先の第2絶縁層上に第3絶縁層を形成して、実施例6のエナメル線疑似試料を作製した。第2絶縁層の塗布・焼付条件は、従来例2と同様にし(塗布ギャップ200μm、250℃で3分間保持)、第3絶縁層の塗布・焼付条件は、従来例1と同様にした(塗布ギャップ100μm、250℃で3分間保持)。
3…第1絶縁層、4…第2絶縁層、5…第3絶縁層、6…フィラー、
7…ステータコア、8…スロット、
30…コイル、40…固定子。
Claims (11)
- 金属導体線の外周にエナメル被覆が形成されているエナメル線であって、
前記エナメル被覆は、前記金属導体線の直上に形成されイミド系樹脂を主成分とする第1絶縁層と、前記第1絶縁層の直上に形成されイミド系樹脂を主成分とする第2絶縁層とを有し、
前記第2絶縁層は、該第2絶縁層に対して10質量%以上49質量%以下の範囲でフィラーを含有し、前記フィラーはスチレンブタジエンゴム粒子を含むことを特徴とするエナメル線。 - 請求項1に記載のエナメル線において、
前記フィラーの平均粒子径が、0.1μm以上10μm以下であることを特徴とするエナメル線。 - 請求項1又は請求項2に記載のエナメル線において、
前記ゴム粒子は、コアシェル構造を有するゴム粒子であることを特徴とするエナメル線。 - 請求項1乃至請求項3のいずれかに記載のエナメル線において、
前記フィラーは、無機フィラーを更に含むことを特徴とするエナメル線。 - 請求項4に記載のエナメル線において、
前記無機フィラーは、ケイ素酸化物粒子および無機化合物の鱗片状粒子の少なくとも一方であることを特徴とするエナメル線。 - 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載のエナメル線において、
前記第2絶縁層の厚さは、前記第1絶縁層の厚さよりも大きいことを特徴とするエナメル線。 - 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載のエナメル線において、
前記第2絶縁層の直上に、所定の樹脂を主成分とする第3絶縁層を更に有することを特徴とするエナメル線。 - 請求項7に記載のエナメル線において、
前記第3絶縁層の厚さは、前記第2絶縁層の厚さよりも小さいことを特徴とするエナメル線。 - 請求項1乃至請求項8のいずれかに記載のエナメル線において、
前記イミド系樹脂は、ポリイミド、ポリアミドイミド、およびポリエステルイミドのいずれかであることを特徴とするエナメル線。 - 請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のエナメル線を用いてコイル巻線されたことを特徴とするコイル。
- 請求項10に記載のコイルを用いたことを特徴とする電機部品。
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