JP2016180644A - Viscoelasticity characteristic measurement device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は粘弾性特性測定装置に関する。 The present invention relates to a viscoelastic property measuring apparatus.
ゴムやパン生地といった粘弾性を有する物質の粘弾性特性を測定する技術について、様々な提案がなされている。 Various proposals have been made on techniques for measuring viscoelastic properties of viscoelastic substances such as rubber and bread dough.
例えば、特許文献1には、タイヤの摩擦特性を測定する測定装置が開示されている。測定装置のトランスデューサは、遅延部材を経由して空気に対し測定音波を放射し、その測定音波が空気で反射されて生じた第1の反射音波を、予め受信する。また、トランスデューサは、遅延部材を経由してタイヤに対し測定音波を放射し、その測定音波がタイヤで反射されて生じた第2の反射音波を受信する。そして、測定装置は、第1及び第2の反射音波のデータに基づいて、タイヤの粘弾性特性における損失正接を導出し、その損失正接に基づいて摩擦特性を算出する。
For example,
他の関連技術として、特許文献2には、液体の粘度を測定する超音波デバイスが開示されている。また、特許文献3には、気体又は液体の密度を測定する密度測定デバイスが開示されている。
As another related technique,
物質の粘弾性特性は、その測定温度に応じて異なる値を示す。従って、特許文献1に係る測定装置において、正確に粘弾性特性を測定するためには、第2の反射音波を受信する際のタイヤの温度と同一の温度において、第1の反射音波を受信する必要がある。ここで、粘弾性特性の測定温度は状況に応じて異なるため、様々な状況下でタイヤの粘弾性特性を正確に測定するためには、幅広い温度幅で第1の反射音波を受信し、第1の反射音波のデータを予め取得する必要がある。しかしながら、幅広い温度幅で第1の反射音波を正確に受信するためには、測定に際して測定装置全体の温度分布を均一にし、温度をゆっくり変化させる必要がある。そのため、第1の反射音波のデータ取得に時間がかかってしまうという課題があった。
The viscoelastic properties of the substance show different values depending on the measurement temperature. Therefore, in the measuring apparatus according to
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、時間をかけずに測定試料の粘弾性特性を測定可能な粘弾性特性測定装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve such problems, and an object thereof is to provide a viscoelastic property measuring apparatus capable of measuring the viscoelastic property of a measurement sample without taking time.
本発明の一態様における粘弾性特性測定装置は、
第1の面と、前記第1の面と反対側の第2の面と、を有し、前記第1及び第2の面から測定音波を放射すると共に、前記第1及び第2の面で反射音波を受信する圧電素子と、
前記第1の面に接触している第1の接触面と、前記第1の接触面の反対側に位置し、基準試料に接触している第2の接触面と、を有する第1の遅延材と、
前記第2の面に接触している第3の接触面と、前記第3の接触面の反対側に位置し、測定試料に接触している第4の接触面と、を有する第2の遅延材と、
前記圧電素子で受信した前記反射音波に基づいて前記測定試料の粘弾性特性を算出する粘弾性特性算出部と、を備える。
前記圧電素子は、前記第1及び第2の面の各々から前記第1及び第2の遅延材に前記測定音波をそれぞれ放射し、前記測定音波が前記基準試料で反射されて生じた第1の反射音波及び前記測定音波が前記測定試料で反射されて生じた第2の反射音波をそれぞれ受信し、
前記粘弾性特性算出部は、前記第1及び第2の反射音波に基づいて前記測定試料の粘弾性特性を算出する。
In one embodiment of the present invention, the viscoelastic property measuring apparatus is
A first surface and a second surface opposite to the first surface, radiating measurement sound waves from the first and second surfaces, and the first and second surfaces. A piezoelectric element for receiving reflected sound waves;
A first delay having a first contact surface in contact with the first surface and a second contact surface located on the opposite side of the first contact surface and in contact with a reference sample. Material,
A second delay having a third contact surface in contact with the second surface and a fourth contact surface located on the opposite side of the third contact surface and in contact with the measurement sample. Material,
A viscoelastic property calculation unit that calculates the viscoelastic property of the measurement sample based on the reflected sound wave received by the piezoelectric element.
The piezoelectric element radiates the measurement sound wave from each of the first and second surfaces to the first and second retardation members, and the measurement sound wave is reflected by the reference sample, and is generated by the first. Receiving a reflected sound wave and a second reflected sound wave generated by reflecting the measurement sound wave on the measurement sample,
The viscoelastic characteristic calculation unit calculates a viscoelastic characteristic of the measurement sample based on the first and second reflected sound waves.
本発明により、時間をかけずに測定試料の粘弾性特性を測定可能な粘弾性特性測定装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a viscoelastic property measuring apparatus capable of measuring the viscoelastic property of a measurement sample without taking time.
[実施の形態1]
以下、図面を参照して本発明の実施の形態1について説明する。図1に示すように、粘弾性特性測定装置1は、測定部10と測定信号供給部11と粘弾性特性算出部12を備える。なお、以下の説明において、粘弾性特性の測定対象である測定試料Sは、固体の試料であってもよいし、液体の試料であってもよい。また、粘弾性特性は、後述の損失正接tanδ、貯蔵弾性率E’及び損失弾性率E”の少なくともいずれか1つの値を含む。
以下、粘弾性特性測定装置1の各要素について説明する。
[Embodiment 1]
Hereinafter, each element of the viscoelastic
測定部10は、測定試料Sの粘弾性特性の測定データを取得するものであり、圧電素子13と遅延材14、15とを備える。測定部10は、例えばプローブとして形成することができる。
The
圧電素子13は、圧電体13aと、圧電体13aの一方の面に接触した電極板13bと、圧電体13aの他方の面に接触した電極板13cとを有する。電極板13b、13cに電圧が供給されることで、圧電体13aが振動して、圧電体13aの両面から遅延材14、15に測定音波M(測定用の音波)を放射する。従って、圧電素子13は、電極板13b、13cから測定音波Mを放射する音波放射部として機能する。なお、測定音波Mの具体例としては、パルス状の音波や、所定の周波数成分を含むような音波が挙げられる。
The
ここで、圧電体13aが振動した際に測定音波Mが圧電素子13内で多重反射して遅延材14、15に放射されないよう、圧電体13aは、0−3コンポジットや1−3コンポジットといった、内部損失が所定値以上の材料で構成されてもよい。
Here, when the
遅延材14は、電極板13bに接触している接触面14aと、接触面14aの反対側にあって空気と接触する接触面14bとを有する。また、遅延材15は、電極板13cに接触している接触面15aと、接触面15aの反対側にあって測定試料Sに接触する接触面15b(測定面)とを有する。遅延材14は円筒形の部材であり、接触面14a、14bは、それぞれ円筒の上面又は底面である。同様に、遅延材15は円筒形の部材であり、接触面15a、15bは、それぞれ円筒の上面又は底面である。なお、以上では遅延材14及び15の形状が円筒形の例を説明したが、遅延材14及び15の形状は円筒形でなくともよい。
The
遅延材14、15は、音波の到達時間を遅延させる働きをする。遅延材14、15は、同じ材料で構成されており、接触面14aから接触面14bまでの遅延材14の長さL1に比較して、接触面15aから接触面15bまでの遅延材15の長さL2の方は長い。
The
測定部10が以上の構成を有するため、圧電素子13が電極板13bから測定音波Mを放射すると、放射された測定音波Mは遅延材14を経由して空気で反射される(接触面14bと空気との境界面で反射される)ことで、反射音波A1が生じる。また、圧電素子13が電極板13cから測定音波Mを放射すると、放射された測定音波Mは遅延材15を経由して測定試料Sで反射される(接触面15bと測定試料Sとの境界面で反射される)ことで、反射音波B1が生じる。また、放射された測定音波Mが測定試料Sと空気との境界面で反射されることで、反射音波C1が生じる。
Since the
圧電体13aは反射音波A1、B1、C1を受信すると、反射音波A1、B1、C1に応じた電圧を発生する。このように、圧電素子13は、反射音波A1、B1、C1を受信する音波受信部としても機能する。圧電体13aが反射音波A1、B1、C1に応じた電圧を発生すると、電極板13b、13cは、反射音波A1、B1、C1に応じた電圧を、検出信号として後述の方向整合器17に供給する。
When the
図2は、圧電素子13が出力する反射音波A1、B1、C1の検出信号の一例を示すグラフである。図2に示すように、反射音波B1の圧電素子13への到達時刻T2は、反射音波A1の圧電素子13への到達時刻T1と比較するとΔTr遅れる。また、反射音波B1のピーク強度p2は、反射音波A1のピーク強度p1と比較すると小さい。遅延材14の長さL1に比較して、遅延材15の長さL2が長いため、反射音波B1は、反射音波A1に比較して遅延材内部の伝搬時間が長く、また、音波強度の減衰がより大きいからである。
FIG. 2 is a graph showing an example of detection signals of the reflected sound waves A1, B1, and C1 output from the
また、反射音波C1は測定試料Sを伝搬しているため、反射音波C1の圧電素子13への到達時刻T3は、反射音波B1の到達時刻T2と比較するとΔTs遅れる。また、反射音波C1のピーク強度p3は、測定試料Sにより減衰される。そして、反射音波B1の透過成分に比べると、反射音波C1の透過成分は小さくなる。
Further, since the reflected sound wave C1 propagates through the measurement sample S, the arrival time T3 of the reflected sound wave C1 to the
なお、圧電素子13が反射音波A1を受信する際の温度と、圧電素子13が反射音波B1、C1を受信する際の温度とは、略同一の温度D1である。例えば、圧電素子13が電極板13b、13cから同時に測定音波Mを放射することで、反射音波A1を受信する際の温度と、反射音波B1、C1を受信する際の温度とを略同一の温度にできる。
The temperature at which the
次に、測定信号供給部11について説明する。測定信号供給部11は、測定試料Sの粘弾性特性を測定するための電圧(測定信号)を供給するものであり、測定信号生成器16と方向整合器17と高周波増幅器18とを備える。
Next, the measurement
測定信号生成器16は、粘弾性特性算出部12から出力された測定音波Mの放射指示信号に応じて、測定信号を生成し、生成した測定信号を方向整合器17に出力する。方向整合器17は、受信した測定信号を電極板13b、13cに供給する。測定信号に係る電圧が印加されることで圧電体13aが振動することで、測定音波Mが生ずる。
The
また、方向整合器17は、電極板13b、13cから供給された反射音波A1、B1、C1の検出信号を高周波増幅器18に出力する。ここで方向整合器17は、測定信号生成器16から出力された測定信号が高周波増幅器18に出力されないように信号の伝送方向を調節している。
Further, the
高周波増幅器18には、方向整合器17から反射音波A1、B1、C1の検出信号が供給される。高周波増幅器18は、供給された検出信号における高周波成分を所定の増幅率で増幅し、増幅後の検出信号を粘弾性特性算出部12の時間データメモリ部19に出力する。高周波増幅器18が増幅する検出信号中の高周波成分には、粘弾性特性を算出するのに必要となる測定量が含まれている。
The high-
次に、粘弾性特性算出部12について説明する。粘弾性特性算出部12は、反射音波A1、B1の電圧信号か、又は反射音波A1、B1、C1の電圧信号を用いて、測定試料Sの高周波粘弾性特性を算出する。粘弾性特性算出部12は、時間データメモリ部19と演算部20とを有しており、例えばコンピュータ(特にパーソナルコンピュータ)である。時間データメモリ部19と演算部20は、ハードウェア的には、メモリやその他のIC等の回路で構成することができ、ソフトウェア的には、メモリにロードされたプログラムなどによって実現することができる。
Next, the viscoelastic
時間データメモリ部19には、高周波増幅器18で増幅された反射音波A1、B1、C1の検出信号の時間波形が、予め定められた周期で格納される。なお、時間データメモリ部19は、演算部20の制御に基づいて、データを格納する周期を変更することができる。
In the time
演算部20は、時間データメモリ部19に反射音波A1、B1、C1の時間波形データが格納されると、そのデータを読み出す。演算部20は、例えばFFT(Fast Fourier Transformation)処理のような周波数領域での波形解析処理を行ない、検出対象となる周波数における振幅値及び位相を取得する。
When the time waveform data of the reflected sound waves A1, B1, and C1 is stored in the time
以下、演算部20が測定試料Sの粘弾性特性を算出する方法の詳細を説明する。ここでは、算出方法として、(1)表面反射法、(2)底面反射法(特許文献1参照)の2つについて説明する。
Hereinafter, details of a method by which the
(1)表面反射法
表面反射法では、反射音波A1の測定データと、反射音波B1の測定データとに基づいて、高周波粘弾性特性を測定する。なお、以下の説明では、圧電素子13から放射される測定音波Mの伝搬特性を表す音響インピーダンスを用いる。
(1) Surface reflection method In the surface reflection method, high-frequency viscoelastic characteristics are measured based on measurement data of the reflected sound wave A1 and measurement data of the reflected sound wave B1. In the following description, acoustic impedance representing the propagation characteristics of the measurement sound wave M radiated from the
まず、反射音波A1の測定について説明する。ここで、測定データとして、反射音波A1の振幅及び位相値が測定される。以降、測定音波M及び反射音波A1の周波数をfとし、遅延材14の音響インピーダンスを、周波数fの関数であるZR(f)と表す。同様に、空気中の音響インピーダンスを、周波数fの関数であるZA(f)と表す。ここで、音響インピーダンスZR(f)とZA(f)は複素数の値である。
First, the measurement of the reflected sound wave A1 will be described. Here, the amplitude and phase value of the reflected sound wave A1 are measured as measurement data. Hereinafter, the frequency of the measurement sound wave M and the reflected sound wave A1 is set to f, and the acoustic impedance of the
遅延材14と空気との境界面における測定音波Mの反射率RAR(f)は
RAR(f)=(ZA(f)−ZR(f))/(ZA(f)+ZR(f))・・・(2)
となる。このとき、任意の周波数fにおいてZA(f)はZR(f)に比較して十分小さいため、式(2)から、反射率RAR(f)=−1となる。つまり、遅延材14と空気中との境界面においては、測定音波Mが全反射する。
The reflectance R AR (f) of the measurement sound wave M at the boundary surface between the
It becomes. At this time, since Z A (f) is sufficiently smaller than Z R (f) at an arbitrary frequency f, the reflectance R AR (f) = − 1 from Equation (2). That is, the measurement sound wave M is totally reflected at the boundary surface between the
以下の説明においては、圧電素子13に入射する反射音波A1の式をa(f)exp(iθA(f))と表す。iは虚数単位、a(f)は対象とする周波数における実数の振幅値であり、θA(f)は0以上の実数であって各周波数における位相を表す。圧電素子13から電極板13bを経由して空気に放射される測定音波Mの式は、
a(f)exp(iθA(f))×RAR(f)=−a(f)exp(iθA(f))・・・(3)
となる。演算部20は、式(3)における振幅a(f)及び位相θA(f)を、反射音波A1の測定データとして取得する。
In the following description, the expression of the reflected sound wave A1 incident on the
a (f) exp (iθ A (f)) × R AR (f) = − a (f) exp (iθ A (f)) (3)
It becomes. The
ここで、演算部20は、遅延材15の接触面15bに接触するのが測定試料Sではなく空気である状態で、圧電素子13が電極板13cから放射した測定音波Mが接触面15b(遅延材15と空気との境界)で反射されて生じた反射音波の振幅値及び位相が、上述の振幅値a(f)及び位相θA(f)であるとみなし、以下の計算を行う。例えば、遅延材14、15の特性が略同じ場合(一例として、遅延材14の音響インピーダンスと遅延材15の音響インピーダンスとの差分が所定値未満である場合や、遅延材14の長さL1と遅延材15の長さL2との差分が所定値未満である場合)に、演算部20は、以下の計算を行う。
Here, in the state in which the
次に、反射音波B1の測定について説明する。演算部20は、反射音波B1の測定データを、上述の通り取得した反射音波A1の測定データと比較して、測定試料Sの損失正接を算出する。
Next, the measurement of the reflected sound wave B1 will be described. The
ここで、周波数fの関数である測定試料Sの音響インピーダンスをZS(f)とすると、遅延材15と測定試料Sとの境界面における測定音波Mの反射率RRT(f)は、
RRT(f)=(ZS(f)−ZR(f))/(ZS(f)+ZR(f))・・・(4)
となる。式(4)から、ZS(f)は次のように表される。
ZS(f)=ZR(f)×(1+RRT(f))/(1−RRT(f))・・・(5)
Here, if the acoustic impedance of the measurement sample S as a function of the frequency f is Z S (f), the reflectance R RT (f) of the measurement sound wave M at the boundary surface between the
R RT (f) = (Z S (f) −Z R (f)) / (Z S (f) + Z R (f)) (4)
It becomes. From Equation (4), Z S (f) is expressed as follows.
Z S (f) = Z R (f) × (1 + R RT (f)) / (1−R RT (f)) (5)
以下の説明においては、圧電素子13に入射する反射音波B1の式をb(f)exp(iθB(f))と表す。iは虚数単位、b(f)は対象とする周波数における実数の振幅値であり、θB(f)は0以上の実数であって各周波数における位相を表す。反射音波A1の振幅a(f)及び位相θA(f)を用いると、反射音波B1の式は
b(f)exp(iθB(f))=−a(f)exp(iθA(f))×RRT(f)・・・(6)
と表される。式(6)から、測定音波Mの反射率RRT(f)は
RRT(f)=−(b(f)/a(f))×exp(i(θB(f)−θA(f))・・・(7)
と表される。ここで、式(5)に式(7)を代入すると、ZS(f)は以下のように得られる。
ZS(f)=ZR(f)×(1−(b(f)/a(f))×exp(i(θB(f)−θA(f)))/(1+(b(f)/a(f))×exp(i(θB(f)−θA(f)))・・・(8)
In the following description, the expression of the reflected sound wave B1 incident on the
It is expressed. From the equation (6), the reflectance R RT (f) of the measurement sound wave M is R RT (f) = − (b (f) / a (f)) × exp (i (θ B (f) −θ A ( f)) ... (7)
It is expressed. Here, if the equation (7) is substituted into the equation (5), Z S (f) is obtained as follows.
Z S (f) = Z R (f) × (1− (b (f) / a (f)) × exp (i (θ B (f) −θ A (f))) / (1+ (b ( f) / a (f)) × exp (i (θ B (f) −θ A (f))) (8)
ここで、周波数fの関数である測定試料Sの貯蔵弾性率及び損失弾性率を、それぞれE’(f)及び損失弾性率E”(f)とする。このとき、E’(f)及びE”(f)と、測定試料Sの音響インピーダンスZS(f)及び密度ρSとの間には、次の関係が成り立つ。
E’+iE”(f)=ZS(f)2/ρS・・・(9)
Here, the storage elastic modulus and loss elastic modulus of the measurement sample S, which are functions of the frequency f, are E ′ (f) and loss elastic modulus E ″ (f). At this time, E ′ (f) and E The following relationship is established between “(f), the acoustic impedance Z S (f) and the density ρ S of the measurement sample S”.
E ′ + iE ″ (f) = Z S (f) 2 / ρ S (9)
式(8)を式(9)に代入し、実数成分と虚数成分とを分離すると、損失正接tanδ(f)は、次のように算出される。
tanδ(f)=E”/E’={4×(b(f)/a(f))×(1−(b(f)/
a(f))2)×sin(θB(f)−θA(f))}/{(1−(b(f)/a(f))2)2−4×(b(f)/a(f))2×sin2(θB(f)−θA(f))}・・・(10)
By substituting equation (8) into equation (9) and separating the real and imaginary components, the loss tangent tan δ (f) is calculated as follows.
tan δ (f) = E ″ / E ′ = {4 × (b (f) / a (f)) × (1− (b (f) /
a (f)) 2 ) × sin (θ B (f) −θ A (f))} / {(1− (b (f) / a (f)) 2 ) 2 −4 × (b (f) / A (f)) 2 × sin 2 (θ B (f) −θ A (f))} (10)
なお、貯蔵弾性率E’(f)及び損失弾性率E”(f)は、それぞれ次のように算出される。
E’(f)=Re[ZS(f)2/ρS]=(ZR(f)2/ρS)×{(1−(b(f)/a(f))2)2−4(b(f)/a(f))2×sin2(θB(f)−θA(f))}/{1+2(b(f)/a(f))cos(θB(f)−θA(f))+(b(f)/a(f))2}2・・・(11)
E”(f)=Im[ZS(f)2/ρS]=(ZR(f)2/ρS)×{4(b(f)/a(f))×(1−(b(f)/a(f))2)sin(θB(f)−θA(f))}/{1+2(b(f)/a(f))cos(θB(f)−θA(f))+(b(f)/a(f))2}2・・・(12)
ここで、Re[ZS(f)2/ρS]はZS(f)2/ρSの実数成分であり、Im[ZS(f)2/ρS]はZS(f)2/ρSの虚数成分である。
The storage elastic modulus E ′ (f) and the loss elastic modulus E ″ (f) are calculated as follows.
E ′ (f) = Re [Z S (f) 2 / ρ S ] = (Z R (f) 2 / ρ S ) × {(1- (b (f) / a (f)) 2 ) 2 − 4 (b (f) / a (f)) 2 × sin 2 (θ B (f) −θ A (f))} / {1 + 2 (b (f) / a (f)) cos (θ B (f ) −θ A (f)) + (b (f) / a (f)) 2 } 2 (11)
E ″ (f) = Im [Z S (f) 2 / ρ S ] = (Z R (f) 2 / ρ S ) × {4 (b (f) / a (f)) × (1- (b (F) / a (f)) 2 ) sin ([theta] B (f)-[theta] A (f))} / {1 + 2 (b (f) / a (f)) cos ([theta] B (f)-[theta] A (F)) + (b (f) / a (f)) 2 } 2 (12)
Here, Re [Z S (f) 2 / ρ S ] is a real component of Z S (f) 2 / ρ S , and Im [Z S (f) 2 / ρ S ] is Z S (f) 2. / Ρ is an imaginary component of S.
式(10)〜(12)の通り、貯蔵弾性率E’(f)、損失弾性率E”(f)及び損失正接tanδ(f)は、いずれもa(f)、θA(f)を基準とする{b(f)/a(f)}、{θB(f)−θA(f)}で定義される。演算部20は、反射音波A1の測定データである振幅a(f)及び位相θA(f)を基準値と設定して、測定試料Sの測定において取得される反射音波B1の測定データと、その基準値とを比較する。この処理を行うことで、測定試料Sの粘弾性特性を測定できる。
As represented by the equations (10) to (12), the storage elastic modulus E ′ (f), the loss elastic modulus E ″ (f), and the loss tangent tan δ (f) are both a (f) and θ A (f). It is defined by {b (f) / a (f)} and {θ B (f) −θ A (f)}, which are used as references, and the
また、上述の通り、測定試料Sの粘弾性特性は周波数に依存する。そのため、演算部20は、複数の周波数成分毎に粘弾性特性を導出してもよい。また、高い周波数における損失正接を算出する必要がある場合には、測定音波Mとして、超音波が圧電素子13から供給されてもよい。
Further, as described above, the viscoelastic characteristics of the measurement sample S depend on the frequency. Therefore, the
以下、図3を参照して、表面反射法で粘弾性特性を算出する際の粘弾性特性測定装置1の全体処理について説明する。
Hereinafter, the entire process of the viscoelastic
まず、演算部20は、測定信号生成器16に測定音波Mの放射指示信号を出力する。測定信号生成器16は、この放射指示信号に応じて、測定信号を生成する。生成された測定信号が電極板13b、13cに供給されることで、圧電体13aに電圧が印加されて、測定音波Mが発振される(ステップS11)。
First, the
圧電素子13は、空気からの反射音波A1を受信するとともに、測定試料Sからの反射音波B1を受信して、反射音波A1、B1の検出信号を出力する(ステップS12)。高周波増幅器18は、反射音波A1、B1の検出信号に含まれる高周波成分を増幅し、増幅した検出信号を時間データメモリ部19に出力する。
The
演算部20は時間データメモリ部19に格納されたデータを読み出し、データ中の反射音波A1、B1の波形位置を特定する(ステップS13)。演算部20は、特定した反射音波A1、B1の波形について、周波数領域におけるFFT解析処理を行ない、検出対象となる周波数における反射音波A1、B1の振幅値及び位相を取得する(ステップS14)。
The
演算部20は、反射音波A1の測定データと反射音波B1の測定データとを比較する(ステップS15)。この詳細は上述の通りである。この処理を行うことで、演算部20は、測定試料Sの粘弾性特性を算出する(ステップS16)。
The
(2)底面反射法
次に、底面反射法について説明する。底面反射法では、反射音波A1の測定データと、反射音波B1、C1の測定データとに基づいて、粘弾性特性を測定する。なお、以下の説明では、圧電素子13から放射される測定音波Mの伝搬特性を表す音響インピーダンスを用いる。
(2) Bottom Reflection Method Next, the bottom reflection method will be described. In the bottom reflection method, viscoelastic characteristics are measured based on the measurement data of the reflected sound wave A1 and the measurement data of the reflected sound waves B1 and C1. In the following description, acoustic impedance representing the propagation characteristics of the measurement sound wave M radiated from the
ここで、圧電素子13が受信する反射音波A1を、a(f)exp(iθA(f))と表す。iは虚数単位であり、a(f)は各周波数における振幅値(実数値)であり、θA(f)は各周波数における位相(0以上の定数)である。そして、演算部20は、圧電素子13で受信された反射音波A1の時間波形をFFT処理して、各周波数における振幅値a(f)及び位相θA(f)を算出する。
Here, the reflected sound wave A1 received by the
ここで、演算部20は、遅延材15の接触面15bに接触するのが測定試料Sではなく空気である状態で、圧電素子13が電極板13cから放射した測定音波Mが接触面15bで反射されて生じた反射音波の振幅値及び位相が、上述の振幅値a(f)及び位相θA(f)であるとみなす。
Here, the
また、演算部20は、時間データメモリ部19に格納された反射音波B1、C1の時間波形データを読出し、反射音波B1に対する反射音波C1の遅延時間ΔTs(図2参照)を計測する。ここで、測定試料Sの厚さをh、測定試料Sの密度をρSとすると、測定試料Sの音響インピーダンスZSは、次の通りになる。
ZS=2hρS/ΔTs・・・(13)
Further, the
Z S = 2hρ S / ΔTs (13)
式(13)を用いると、測定試料Sと空気との境界面における測定音波Mの反射率Rは、次の通りに表される。
R=(ZS−ZA)/(ZS+ZA)=(2hρS/ΔTs−ZA)/(2hρS/ΔTs+ZA)・・・(14)
以上から、演算部20は、予め取得した測定試料Sの厚さh及び測定試料Sの密度ρSのデータ並びに空気の音響インピーダンスZAと、測定した遅延時間ΔTsとに基づいて、式(14)を用い、測定音波Mの反射率Rを取得する。
When Expression (13) is used, the reflectance R of the measurement sound wave M at the interface between the measurement sample S and air is expressed as follows.
R = (Z S −Z A ) / (Z S + Z A ) = (2hρ S / ΔTs−Z A ) / (2hρ S / ΔTs + Z A ) (14)
From the above, the
ここで、圧電素子13が受信する反射音波B1をb(f)exp(iθB(f))と表し、反射音波C1をc(f)exp(iθC(f))と表す。但し、iは虚数単位であり、b(f)及びc(f)はそれぞれ反射音波B1及び反射音波C1の各周波数における実数の振幅値であり、θB(f)及びθC(f)はそれぞれ反射音波B1及び反射音波C1の各周波数における位相である。なお、θB(f)、θC(f)は0以上の実数である。
Here, the reflected sound wave B1 received by the
反射音波A1、B1、C1の各周波数における振幅値ならびに導出される反射率Rを用いると、測定音波Mの減衰係数α(f)は、
α(f)=(1/2h)ln(R(a(f)2−b(f)2)/a(f)c(f)))・・・(15)
と表せる。また、反射音波B1及び反射音波C1の各周波数における振幅値及び位相を用いると、測定音波Mの位相速度Vp(f)は次の通りになる。
VP(f)=2h×2πf/(θC−θB+2πfΔTs+2Nπ)・・・(16)
ここで、Nは任意の正の数である。
Using the amplitude value at each frequency of the reflected sound waves A1, B1, and C1 and the derived reflectance R, the attenuation coefficient α (f) of the measured sound wave M is
α (f) = (1 / 2h) ln (R (a (f) 2 −b (f) 2 ) / a (f) c (f))) (15)
It can be expressed. When the amplitude value and phase at each frequency of the reflected sound wave B1 and the reflected sound wave C1 are used, the phase velocity Vp (f) of the measurement sound wave M is as follows.
V P (f) = 2h × 2πf / (θ C −θ B + 2πfΔTs + 2Nπ) (16)
Here, N is an arbitrary positive number.
以上の通り導出される減衰係数α(f)及び位相速度Vp(f)を用いると、損失正接tanδ(f)は、次の通り表せる。
tanδ(f)=α(f)×Vp(f)/πf・・・(17)
また、貯蔵弾性率E’(f)及び損失弾性率E”(f)は、次の通り表せる。
E’(f)=ρSVp2(f)・・・(18)
E”(f)=2αρSVp3(f)/ω=αVp(f)E’(f)/πf・・・(19)
演算部20は、式(15)〜(19)の演算を実行して、測定試料Sの粘弾性特性を算出する。
When the attenuation coefficient α (f) and the phase velocity Vp (f) derived as described above are used, the loss tangent tan δ (f) can be expressed as follows.
tan δ (f) = α (f) × Vp (f) / πf (17)
The storage elastic modulus E ′ (f) and loss elastic modulus E ″ (f) can be expressed as follows.
E ′ (f) = ρ S Vp 2 (f) (18)
E ″ (f) = 2αρ S Vp 3 (f) / ω = αVp (f) E ′ (f) / πf (19)
The
以下、図4を参照して、底面反射法で粘弾性特性を算出する際の粘弾性特性測定装置1の全体処理について説明する。
Hereinafter, the entire process of the viscoelastic
まず、圧電素子13は、測定音波Mを発振する(ステップS11)。この詳細は前述の通りである。
First, the
圧電素子13は、空気からの反射音波A1を受信するとともに、測定試料Sからの反射音波B1、C1を受信する(ステップS17)。高周波増幅器18は、反射音波A1、B1、C1の検出信号に含まれる高周波成分を増幅し、増幅した検出信号を時間データメモリ部19に出力する。
The
演算部20は時間データメモリ部19に格納されたデータを読み出し、データ中の反射音波A1、B1、C1の波形位置を特定する(ステップS13)。演算部20は、特定した反射音波A1、B1、C1の波形について、周波数領域におけるFFT解析処理を行ない、検出対象となる周波数における反射音波A1、B1、C1の振幅値及び位相を取得する(ステップS14)。
The
演算部20は、反射音波A1の測定データと反射音波B1の測定データと反射音波C1の測定データとを比較する(ステップS18)。この詳細は上述の通りである。この処理を行うことで、演算部20は、測定試料Sの粘弾性特性を算出する(ステップS16)。
The
このように、粘弾性特性測定装置1は、(1)表面反射法、(2)底面反射法のいずれの方法を用いても、測定試料Sの粘弾性特性を測定することができる。
As described above, the viscoelastic
粘弾性特性測定装置1は、同じ温度において、圧電素子13が電極板13bから放射した測定音波Mが空気で反射されて生じた反射音波A1と、圧電素子13が電極板13cから放射した測定音波Mが測定試料Sで反射されて生じた反射音波B1(又はB1、C1)と、に基づいて、測定試料Sの粘弾性特性を算出する。さらに言えば、圧電素子13は、電極板13b、13cの両面から測定音波Mを放射することが可能であるため、測定試料Sに係る反射音波B1(又はB1、C1)の測定時に反射音波A1を受信することができる。そのため、幅広い温度幅で反射音波A1を予め受信する必要がなくなり、時間をかけずに測定試料Sの粘弾性特性を測定できる。
The viscoelasticity
また、遅延材14、15は同一の材料で構成され、遅延材14の長さL1は、遅延材15の長さL2に比較して短くしてもよい。そのため、圧電素子13は、反射音波B1、C1よりも先に反射音波A1を受信でき、反射音波A1を反射音波B1、C1と重畳して受信することを回避できる。従って、演算部20は、波形特定処理(図3及び図4のステップS13)において、反射音波A1の波形と、反射音波B1、C1の波形とを容易に特定することができる。
The
[実施の形態2]
以下、図面を参照して本発明の実施の形態2について説明する。実施の形態1では、遅延材14を経由して空気で反射された反射音波A1の測定データをそのまま用いて、測定試料Sの粘弾性特性を測定した。
[Embodiment 2]
The second embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the first embodiment, the viscoelastic characteristics of the measurement sample S were measured using the measurement data of the reflected sound wave A1 reflected by the air via the
しかしながら、実施の形態1において、遅延材14、15の特性が異なる場合が考えられる。例えば、遅延材14と遅延材15とで音響インピーダンスが所定値以上異なる場合や、遅延材14の長さL1と遅延材15の長さL2とが所定値以上異なる場合が想定される。このような場合に、遅延材15の接触面15bに接触するのが測定試料Sではなく空気である状態で、圧電素子13が電極板13cから放射した測定音波Mが接触面15bで反射されて生じた反射音波は、反射音波A1と振幅値や波形が異なると考えられる。そのため、反射音波A1の振幅値a(f)及び位相θA(f)をそのまま粘弾性特性の算出に使用すると、算出した粘弾性特性に誤差が生ずる可能性がある。実施の形態2では、補正値を用いた補正を行うことで、この誤差を抑制する方法について説明する。
However, in the first embodiment, there may be a case where the characteristics of the
図5に示すように、粘弾性特性測定装置2は、図1に示す粘弾性特性測定装置1と比較して、補正値メモリ部21をさらに備える。補正値メモリ部21には、以下に示す補正値算出方法において算出される補正値が格納される。
As shown in FIG. 5, the viscoelastic
粘弾性特性測定装置2は、実施の形態1に係る表面反射法又は底面反射法を用いた測定試料Sの粘弾性特性測定を実行する前に、以下の測定を実行する。この測定では、図5に示すように、遅延材14の接触面14bに空気が接触し、遅延材15の接触面15bに空気が接触した状態で、圧電素子13は電極板13b、13cから測定音波Mを放射する。圧電素子13が電極板13bから放射した測定音波Mが、遅延材14を経由して空気で反射される(接触面14bと空気との境界面で反射される)ことで、反射音波A0が生じる。また、圧電素子13が電極板13cから放射した測定音波Mが、遅延材15を経由して空気で反射される(接触面15bと空気との境界面で反射される)ことで、反射音波B0が生じる。なお、図5に示された遅延材14、15の構成は図2に示された遅延材14、15と同様であるため、説明を省略する。
The viscoelastic
圧電体13aは反射音波A0、B0を受信すると、反射音波A0、B0に応じた電圧を発生する。電極板13b、13cは、反射音波A0、B0に応じた電圧を、検出信号として方向整合器17に供給する。
When the
図6は、圧電素子13が出力する反射音波A0、B0の検出信号の一例を示すグラフである。図6に示すように、反射音波B0の圧電素子13への到達時刻T02は、反射音波A0の圧電素子13への到達時刻T01と比較するとΔT0遅れる。また、反射音波B0のピーク強度p02は、反射音波A0のピーク強度p01と比較すると小さい。遅延材14の長さL1に比較して遅延材15の長さL2が長いため、反射音波B0は、反射音波A0に比較して遅延材内部の伝搬時間が長く、また、音波強度の減衰がより大きいからである。
FIG. 6 is a graph illustrating an example of detection signals of the reflected sound waves A0 and B0 output from the
なお、圧電素子13が反射音波A0を受信する際の温度と、圧電素子13が反射音波B0を受信する際の温度とは、同一の温度D2である。例えば、圧電素子13が電極板13b、13cから同時に測定音波Mを放射することで、反射音波A0を受信する際の温度と、反射音波B9を受信する際の温度とを略同一の温度にできる。なお、温度D2は、測定試料Sの粘弾性特性を算出する際の温度D1と同じ温度であってもよいし、異なる温度であってもよい。
The temperature at which the
以下、図7を参照して、補正値を算出する際の粘弾性特性測定装置2の全体処理について説明する。まず、圧電素子13は、測定音波Mを発振する(ステップS21)。この詳細は上述の通りである。
Hereinafter, the entire process of the viscoelastic
圧電素子13は、空気からの反射音波A0を受信するとともに、空気からの反射音波B0を受信する(ステップS22)。高周波増幅器18は、反射音波A0、B0の検出信号に含まれる高周波成分を増幅し、増幅した検出信号を時間データメモリ部19に出力する。
The
演算部20は時間データメモリ部19に格納されたデータを読み出し、データ中の反射音波A0、B0の波形について、周波数領域におけるFFT解析処理を行ない(ステップS23)、検出対象となる周波数における反射音波A0、B0の振幅値及び位相を取得して比較する(ステップS24)。
The
演算部20は、反射音波A0の振幅値及び位相と反射音波B0の振幅値及び位相とに基づいて、強度の補正値G1及び位相の補正値G2を算出する(ステップS25)。例えば、反射音波A0の振幅値がa0であり、反射音波B0の振幅値がb0であるとすると、演算部20は、補正値G1をb0/a0と算出してもよい。また、反射音波A0の位相値がφAであり、反射音波B0の位相値がφBであるとすると、演算部20は、補正値G2をφA−φBと算出してもよい。そして、演算部20は、算出した補正値G1、G2を補正値メモリ部21に格納する。
The
次に、測定部10が、測定試料Sの粘弾性特性の測定データを取得する際の処理について説明する。図8に示すように、この測定処理においては、遅延材15の接触面15bに空気ではなく測定試料Sが接触している。この測定処理を行うと、圧電素子13は、上述の反射音波A1、B1、C1を検出する。
Next, a process when the
以下、図9を参照して、粘弾性特性測定装置2の全体処理について説明する。
Hereinafter, the entire process of the viscoelastic
まず、圧電素子13は、測定音波Mを発振する(ステップS11)。次に、圧電素子13は、空気からの反射音波A1を受信するとともに、測定試料Sからの反射音波B1を受信する(ステップS12)。反射音波A1、B1の検出信号に含まれる高周波成分は高周波増幅器18で増幅され、時間データメモリ部19に格納される。
First, the
演算部20は時間データメモリ部19に格納されたデータを読み出し、データ中の反射音波A1、B1の波形位置を特定する(ステップS13)。演算部20は、特定した反射音波A1、B1の波形について、周波数領域におけるFFT解析処理を行ない、検出対象となる周波数における反射音波A1、B1の振幅値及び位相を取得する(ステップS14)。
The
次に、演算部20は、補正値メモリ部21に格納されている補正値G1、G2を読み出す。そして、補正値G1を用いて反射音波A1の振幅a(f)を補正して、振幅d(f)を生成するとともに、補正値T2を用いて反射音波A1の位相θA(f)を補正して、位相θD(f)を生成する(ステップS27)。演算部20は、例えば、振幅d(f)、位相θD(f)を以下の通り算出してもよい。
d(f)=a(f)×T1
θD(f)=θA(f)−T2
Next, the
d (f) = a (f) × T1
θ D (f) = θ A (f) −T2
演算部20は、補正後の反射音波A1の測定データである振幅d(f)及び位相θD(f)と、反射音波B1の測定データとを比較する(ステップS28)。この詳細は上述の通りである。この処理を行うことで、演算部20は、測定試料Sの粘弾性特性を算出する(ステップS16)。
The
以上のように、粘弾性特性測定装置2は、反射音波A0、B0、A1、A2に基づいて、前記測定試料の粘弾性特性を算出する。さらに言えば、粘弾性特性測定装置2は、反射音波A0、B0に基づいて補正値を算出することで、測定試料Sの粘弾性特性を正確に算出することができる。
As described above, the viscoelastic
なお、実施の形態2において、表面反射法の代わりに底面反射法を用いてもよい。この場合、演算部20は、図4のステップS11〜S14の処理を実行した後に、反射音波A1の測定データである振幅a(f)、位相θA(f)を補正値G1、G2で補正する。そして、演算部20は、補正後の反射音波A1の測定データである振幅d(f)及び位相θD(f)と、反射音波B1、C1の測定データとを比較することで、測定試料Sの粘弾性特性を算出する。
In the second embodiment, a bottom surface reflection method may be used instead of the surface reflection method. In this case, the
なお、演算部20は、補正値として補正値G1のみを算出し、反射音波A1の測定データである振幅a(f)のみを補正値G1で補正してもよい。
Note that the
また、補正値は、図7に示した方法以外で算出されてもよい。以下、図10を参照して、粘弾性特性測定装置2の別の補正値算出処理について説明する。
Further, the correction value may be calculated by a method other than the method shown in FIG. Hereinafter, another correction value calculation process of the viscoelastic
まず、圧電素子13は、測定音波Mを発振する(ステップS21)。圧電素子13は、空気からの反射音波A0を受信するとともに、空気からの反射音波B0を受信する(ステップS22)。高周波増幅器18は、反射音波A0、B0の検出信号に含まれる高周波成分を増幅し、増幅した検出信号を時間データメモリ部19に出力する。
First, the
演算部20は、時間データメモリ部19に格納された反射音波A0、B0の測定データを読み出し、検出対象となる周波数における反射音波A0、B0のピーク強度を取得して比較する(ステップS29)。
The
演算部20は、反射音波A0のピーク強度と反射音波B0のピーク強度とに基づいて、ピーク強度の補正値G3を算出する(ステップS30)。例えば、反射音波A0のピーク強度がE1であり、反射音波B0のピーク強度がE2であるとすると、演算部20は、補正値G3をE2/E1と算出してもよい。そして、演算部20は、算出した補正値G3を補正値メモリ部21に格納する(ステップS31)。格納した補正値G3は、図9のステップS27で用いられる。
The
[実施の形態3]
以下、図面を参照して本発明の実施の形態3について説明する。上述の通り、物質の粘弾性特性は温度に依存して変化するので、正確な粘弾性特性の測定を行うためには、測定部10における温度をできるだけ均一にする必要がある。実施の形態3では、その目的を達成するため、測定部10に設けられる構成について説明する。
[Embodiment 3]
The third embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. As described above, the viscoelastic property of the substance changes depending on the temperature. Therefore, in order to accurately measure the viscoelastic property, it is necessary to make the temperature in the
図11に示されるように、ケーシング構造30では、測定部10の外方に内ケース31が設けられている。内ケース31と遅延材14の接触面14bとの間には、空気室32が形成されている。また、内ケース31と測定部10との間であって、空気室32以外の場所には、潤滑剤としてグリス33が充填されている。さらに、グリス33を密封するために、内ケース31にオーリング34が設けられている。ここで、遅延材14、15と、内ケース31と、グリス33と、オーリング34とは、所定値F1以上の熱伝導率を有する(熱伝導率が高い)材料で構成されている。
As shown in FIG. 11, in the
また、内ケース31の外方には、外ケース35が設けられ、外ケース35の内面(内ケース31に対向する面)の側には、オーリング36が設けられている。外ケース35及びオーリング36は、所定値F2(<F1)以下の熱伝導率を有する(熱伝導率が低い)材料で構成されている。
In addition, an
このように、遅延材14、15と、測定部10に接する部材とを熱伝導率が高い材料で構成することで、測定試料Sの温度と測定部10全体の温度とを同じにし、測定部10における温度を均一にすることができる。また、グリス33は流体であるため、圧電素子13から測定音波Mが発振された際に、測定音波Mが原因で測定部10が振動しても、測定部10はグリス33から抗力をほとんど受けない。従って、遅延材14、15を伝搬する反射音波の波形が変化しないため、反射音波の正確な測定データを得ることができ、測定試料Sの粘弾性特性を正確に測定することができる。
In this way, by configuring the
また、外ケース35及びオーリング36を熱伝導率が低い材料で構成することで、外部からの測定部10への熱伝導を抑制することができる。例えば、人が手でケーシング構造30を持っても、手の熱が測定部10に伝達することを抑制できる。
In addition, by configuring the
なお、空気が加熱されて膨張することで空気室32が破損することを防止するため、空気室32は、ゴム製の膨張室として設けられてもよい。
Note that the
[実施の形態4]
以下、図面を参照して本発明の実施の形態4について説明する。実施の形態1〜3では、圧電素子13が遅延材14に対して測定音波Mを放射したときに、縦波である測定音波Mに付随して、横波であるせん断波が発生する。ここで、圧電素子13が放射したせん断波は、円筒状の遅延材14の側面で反射することで、圧電素子13に到達する。圧電素子13は、上述の反射音波だけではなくこのせん断波に基づいても検出信号を生成するため、検出信号にせん断波のノイズが混在してしまう。このノイズを抑制する方法として、遅延材14、15の径を大きくする方法が知られていたが、測定部10が大型化してしまうという課題があった。実施の形態4では、このような検出信号におけるせん断波のノイズを抑制する構成について説明する。
[Embodiment 4]
Embodiment 4 of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the first to third embodiments, when the
図12に示されるように、測定部40は、圧電素子13と、遅延材41(遅延材14に対応)と、遅延材42(遅延材15に対応)とを備える。遅延材41は、接触面41aで圧電素子13に接触し、接触面41aと反対側の接触面41bで空気室43に接触する。また、遅延材42は、接触面42aで圧電素子13に接触し、接触面42aと反対側の接触面42bで測定試料Sに接触する。遅延材41、42は、接触面14aから接触面14bまでの遅延材14の長さL1に比較して、接触面15aから接触面15bまでの遅延材15の長さL2は長い。
As shown in FIG. 12, the
ここで、遅延材41、42の外形はそろばん玉形状である。そのため、測定音波Mと所定の鋭角を形成して進むせん断波W1、W2の進行方向に対して、遅延材41の側面を垂直にすることができる。従って、せん断波W1、W2を、遅延材41の側面から遅延材41の外部に放出させることができる。
Here, the outer shape of the
また、測定部40及び空気室43の外方には、所定値F3以上の熱伝導率を有する(熱伝導率が高い)金属製の内ケース44が設けられており、測定部40と内ケース44との間には、所定の音響インピーダンスを有する音波吸収材45が配置される。この音波吸収材45の所定の音響インピーダンスと、音波吸収材45に接触する遅延材41、42の音響インピーダンスとの差分は所定値未満である。なお、音波吸収材45が固体であれば、音波吸収材45は遅延材41、42に当接した状態で固定され、音波吸収材45が液体であれば、音波吸収材45は遅延材41、42に塗布される。
Further, a metal
さらに、内ケース44の外方には、所定値F4(<F3)以下の熱伝導率を有する(熱伝導率が低い)発泡材の外ケース46が設けられている。
Further, an
このように、音波吸収材45の音響インピーダンスを、遅延材41、42の音響インピーダンスと値が近いものにすることで、遅延材41からその外方に放出されたせん断波W1、W2を音波吸収材45に吸収させることができる。従って、測定部10を大型化する必要なく、検出信号におけるせん断波のノイズを抑制することができる。なお、音波吸収材45は、実施の形態3に係るグリス33や、熱伝導性の高いエラストマで構成されてもよい。
Thus, by making the acoustic impedance of the sound
また、遅延材41、42を、袋状部材に封入された液体とすることで、遅延材41、42中でのせん断波の減衰を大きくし、検出信号におけるせん断波のノイズを更に抑制することができる。
Further, by making the
[実施の形態5]
実施の形態1〜4において、圧電素子13は、図13、図14に示されるように構成してもよい。実施の形態5では、圧電体13aの主面に比べて、電極板13b、13cの主面が小さく構成されている。また、接触面14a、15aは、電極板13b、13cの主面(接触面14a、15aとそれぞれ接する面)よりも大きいが、圧電体13aの主面よりも小さく構成されている。このように、接触面14a、15aを電極板13b、13cの主面よりも大きくすることで、遅延材14、15の側面から測定音波Mが入射することで生じる、遅延材14、15内の音波の干渉を抑制することができる。これにより、検出信号においてノイズが発生することを抑制できる。なお、接触面14a、15aは、圧電体13aの主面と同程度の大きさを有してもよい。
[Embodiment 5]
In the first to fourth embodiments, the
[実施の形態6]
実施の形態1〜5において、遅延材15内部に測定音波Mを反射する構造を設けてもよい。図15には、実施の形態6に係る粘弾性特性測定装置の圧電素子13及び遅延材15が記載されている。図15において、遅延材15内部には、接触面15bの近傍に、反射材15cが設けられた領域が形成される。反射材15cは、その音響インピーダンスが、遅延材15の音響インピーダンスと所定値以上の差を有する物質(例えば空気)である。従って、反射材15cと遅延材15との境界面である反射面15d(反射部)では、圧電素子13から放射された測定音波Mが略全反射される。なお、反射面15dは、測定音波Mが放射される電極板13cと略平行に形成されている。また、図15において、遅延材15内部の反射音波B2以外の反射音波(反射音波B1、C1等)の記載は省略されている。
[Embodiment 6]
In the first to fifth embodiments, a structure that reflects the measurement sound wave M may be provided inside the
このように、反射面15dにて測定音波Mを反射させることで、圧電素子13は反射された反射音波B2を受信する。この反射音波B2のデータを粘弾性特性算出部12で解析することで、測定試料Sの温度が変化したことによる反射音波B2のデータ変化を解明することができる。例えば、測定試料Sの温度が変化する前の反射音波B2と、測定試料Sの温度が変化した後の反射音波B2とを比較することで、反射音波B2のデータ変化を解明することができる。この処理を行うことで、測定試料Sの温度が変化したことによって遅延材15(特に接触面15b)の温度が変化し、反射音波B0〜B1、C1のデータに誤差(ノイズ)が生じた場合でも、その誤差を検出し、粘弾性特性算出部12でその誤差を打ち消すような誤差補正の処理を実行することができる。従って、粘弾性特性算出部12は、誤差の影響が少ない、より正確な反射音波の測定データを取得することができる。
Thus, by reflecting the measurement sound wave M on the
なお、接触面15bと反射面15dとの距離は、その間の往復の距離が測定音波Mの1波長以上離れていればよい。一例として、測定音波Mの周波数を5MHz、遅延材14中の測定音波Mの音速を2800m/sとすると、接触面15bと反射面15dとの間の往復の距離は、最低で0.6mm程度あればよい。つまり、接触面15bと反射面15dとの距離は、最低で0.3mm程度あればよい。
The distance between the
なお、接触面15bと反射面15dとの距離を短くすることで、接触面15bと反射面15dとの距離を長くする場合に比べて、粘弾性特性算出部12は、反射音波B0〜B1、C1のデータ誤差をより正確に打ち消すような処理を実行できる。これは、接触面15bと反射面15dとの距離を短くすると、反射音波B2は、反射音波B0〜B1、C1と同様に、測定試料Sの温度変化により温度が変化しやすい接触面15b近傍を通過するため、反射音波B2のデータに、その温度変化の影響がより反映されるためである。このデータを用いることで、粘弾性特性算出部12は、測定試料Sの温度変化による反射音波B2のデータ変化を、より正確に検出できる。
Note that the viscoelastic
また、接触面15bと反射面15dとの距離を短くすると、反射音波B2が通過する遅延材15の長さが、反射音波B0〜B1、C1が通過する遅延材15の長さと同程度になる。そのため、遅延材15により生じる音波の減衰の影響を反射音波B0〜B1、C1と同程度にできるので、反射音波B0〜B1、C1と反射音波B2との測定条件をほぼ同じにできる。以上の理由から、粘弾性特性算出部12は、温度変化により発生する反射音波B2のデータへの変化が、反射音波B0〜B1、C1のデータにもそのまま起こっていると仮定して、反射音波B0〜B1、C1のデータ誤差を打ち消すことができる。
Further, when the distance between the
図15では、遅延材15内部に反射材15cが設けられた例を示したが、測定音波Mを反射する構造はこれに限られない。例えば、テープ状の音波反射体を、反射面15dとして遅延材15内部に設けてもよい。また、軸方向から見た遅延材15の断面形状は、円環状や多角形でもあってもよく、遅延材15は軸対称の形状を有さなくてもよい。
In FIG. 15, the example in which the
なお、本発明は上述の実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、実施の形態1〜3に係る遅延材14、15において、遅延材15の長さL2は遅延材14の長さL1よりも長いとしたが、長さL1と長さL2の大小関係はこれに限られない。また、実施の形態1〜3に係る遅延材14、15は、それぞれ異なる材料で構成されてもよい。このとき、遅延材14を測定音波Mが伝搬する時間よりも、遅延材15を測定音波Mが伝搬する時間を長くするように構成することで、圧電素子13は、反射音波A1を、反射音波B1、B2よりも早く受信することができる。以上の遅延材14、15に係る変更は、実施の形態4に係る遅延材41、42についても同様に適用できる。
Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention. For example, in the
遅延材14が接触面14bで接触する物質や、実施の形態2の補正値算出処理において遅延材15が接触面15bで接触する物質は、空気以外の基準試料(例えば固体の反射板)であってもよい。ただし、例えば固体の反射板を空気の代わりに基準試料として用いた場合は、測定音波Mが反射板内で多重反射することになり、検出信号においてノイズが生じる可能性があるので、空気を基準試料として用いるのが好ましい。例えば測定音波Mが500kHz以上の超音波である場合、接触面14b、15bから放出された測定音波Mは空気中で減衰するため、検出信号においてノイズが発生することを抑制できる。
The substance that the
測定音波Mを発生する装置は、圧電素子以外の装置であってもよい。また、図3及び図4のステップS14、図7のステップS23で演算部20が行う波形解析処理は、FFT解析処理に限定されない。
The device that generates the measurement sound wave M may be a device other than the piezoelectric element. In addition, the waveform analysis process performed by the
実施の形態2において、図7又は図10に示す補正値算出方法の処理フローは、図9に示すステップS11〜S14の前に実行されてもよいし、ステップS11〜S14の後に実行されてもよい。 In the second embodiment, the processing flow of the correction value calculation method shown in FIG. 7 or 10 may be executed before steps S11 to S14 shown in FIG. 9, or may be executed after steps S11 to S14. Good.
圧電体13aが電極板13b、13cに接触する面の大きさと、電極板13b、13cの大きさとの大小関係は自由に設定できる。また、電極板13b、13cの大きさと、接触面14a、15a(又は接触面41a、42a)の大きさとの大小関係は自由に設定できる。
The magnitude relationship between the size of the surface where the
1、2 粘弾性特性測定装置
10 測定部
11 測定信号供給部
12 粘弾性特性算出部
13 圧電素子
13a 圧電体
13b、13c 電極板
14、15 遅延材
16 測定信号生成器
17 方向整合器
18 高周波増幅器
19 時間データメモリ部
20 演算部
21 補正値メモリ部
30 ケーシング構造
31 内ケース
32 空気室
33 グリス
34 オーリング
35 外ケース
36 オーリング
40 測定部
41、42 遅延材
43 空気室
44 内ケース
45 音波吸収材
46 外ケース
50 ケーシング構造
DESCRIPTION OF
Claims (9)
前記第1の面に接触している第1の接触面と、前記第1の接触面の反対側に位置し、基準試料に接触している第2の接触面と、を有する第1の遅延材と、
前記第2の面に接触している第3の接触面と、前記第3の接触面の反対側に位置し、測定試料に接触している第4の接触面と、を有する第2の遅延材と、
前記圧電素子で受信した前記反射音波に基づいて前記測定試料の粘弾性特性を算出する粘弾性特性算出部と、を備え、
前記圧電素子は、
前記第1及び第2の面の各々から前記第1及び第2の遅延材に前記測定音波をそれぞれ放射し、
前記測定音波が前記基準試料で反射されて生じた第1の反射音波及び前記測定音波が前記測定試料で反射されて生じた第2の反射音波をそれぞれ受信し、
前記粘弾性特性算出部は、前記第1及び第2の反射音波に基づいて前記測定試料の粘弾性特性を算出する、
粘弾性特性測定装置。 A first surface and a second surface opposite to the first surface, radiating measurement sound waves from the first and second surfaces, and the first and second surfaces. A piezoelectric element for receiving reflected sound waves;
A first delay having a first contact surface in contact with the first surface and a second contact surface located on the opposite side of the first contact surface and in contact with a reference sample. Material,
A second delay having a third contact surface in contact with the second surface and a fourth contact surface located on the opposite side of the third contact surface and in contact with the measurement sample. Material,
A viscoelastic property calculation unit that calculates the viscoelastic property of the measurement sample based on the reflected sound wave received by the piezoelectric element,
The piezoelectric element is
Radiating the measurement sound wave from each of the first and second surfaces to the first and second retarders,
Receiving the first reflected sound wave generated by reflecting the measurement sound wave by the reference sample and the second reflected sound wave generated by reflecting the measurement sound wave by the measurement sample;
The viscoelastic property calculation unit calculates the viscoelastic property of the measurement sample based on the first and second reflected sound waves;
Viscoelastic property measuring device.
前記粘弾性特性算出部は、前記第1、第2、第3及び第4の反射音波に基づいて前記測定試料の粘弾性特性を算出する、
請求項1に記載の粘弾性特性測定装置。 The piezoelectric element includes a third reflected sound wave generated by the measurement sound wave radiated from the first surface by the piezoelectric element reflected by the reference sample, and the second contact surface of the second delay material. A fourth reflected sound wave generated by reflecting the measurement sound wave radiated from the second surface by the piezoelectric element with the reference sample in contact with the reference sample;
The viscoelastic property calculation unit calculates viscoelastic properties of the measurement sample based on the first, second, third and fourth reflected sound waves;
The viscoelastic property measuring apparatus according to claim 1.
請求項1又は2に記載の粘弾性特性測定装置。 The first and second retarders are made of the same material, and the length of the first retarder from the first contact surface to the second contact surface is the length of the second retarder. Shorter than the length from the third contact surface to the fourth contact surface,
The viscoelastic property measuring apparatus according to claim 1 or 2.
請求項1ないし3のいずれか1項に記載の粘弾性特性測定装置。 The first and second retarders are made of a material having a thermal conductivity equal to or higher than a predetermined value.
The viscoelastic property measuring apparatus according to any one of claims 1 to 3.
請求項1ないし4のいずれか1項に記載の粘弾性特性測定装置。 The piezoelectric element and the first and second retarders are covered with a case, and a predetermined value or more is provided between the case and the piezoelectric elements and the first and second retarders. Filled with a lubricant having a thermal conductivity of
The viscoelastic property measuring apparatus according to any one of claims 1 to 4.
請求項1ないし5のいずれか1項に記載の粘弾性特性測定装置。 A sound-absorbing material having a predetermined acoustic impedance is disposed outside the first and second delay members, and the predetermined acoustic impedance and the acoustic impedances of the first and second delay members are The difference is less than a predetermined value,
The viscoelastic property measuring apparatus according to any one of claims 1 to 5.
請求項1ないし6のいずれか1項に記載の粘弾性特性測定装置。 The first and second retarders are liquid sealed in a bag-like member,
The viscoelasticity property measuring apparatus according to any one of claims 1 to 6.
請求項1ないし7のいずれか1項に記載の粘弾性特性測定装置。 The first contact surface is larger than the first surface and the second contact surface is larger than the second surface;
The viscoelastic property measuring apparatus according to any one of claims 1 to 7.
前記圧電素子は、前記測定音波が前記反射部で反射されて生じた第5の反射音波を受信し、
前記粘弾性特性算出部は、前記第5の反射音波に基づいて、前記測定試料の温度変化により前記第2の反射音波に生じたノイズを検出し、前記ノイズを補正する、
請求項1ないし8のいずれか1項に記載の粘弾性特性測定装置。 Inside the second delay material, a reflection part for reflecting the measurement sound wave radiated from the piezoelectric element is provided,
The piezoelectric element receives a fifth reflected sound wave generated by reflecting the measurement sound wave by the reflection unit,
The viscoelastic property calculation unit detects noise generated in the second reflected sound wave due to a temperature change of the measurement sample based on the fifth reflected sound wave, and corrects the noise.
The viscoelastic property measuring apparatus according to any one of claims 1 to 8.
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