JP2016171172A - Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、InPからなるコレクタ層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a heterojunction bipolar transistor having a collector layer made of InP and a method for manufacturing the same.
インジウムリン(InP)系の半導体を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)は、InP系材料の高い電子移動度および高い電子飽和速度を活かした高速性に優れたトランジスタである。このような特徴を有するInP系HBTのさらなる高速化が求められている。この要求を実現するためには、HBTの注入電流を増加させて素子内部容量の充放電時間を短縮することが有効である。 A heterojunction bipolar transistor (HBT) using an indium phosphide (InP) based semiconductor is a transistor excellent in high speed utilizing the high electron mobility and high electron saturation speed of an InP based material. There is a demand for further speedup of InP-based HBT having such characteristics. In order to realize this requirement, it is effective to increase the HBT injection current to shorten the charge / discharge time of the element internal capacitance.
一方で、注入電流を増加させることは、HBTの消費電力を増加させることを意味し、結果としてHBT内部の温度が上昇することになる。HBT内部の温度が上昇すると電子速度が低下するため、注入電流を増加させたことによる高速化の効果が打ち消されてしまう。さらには、HBT内部の温度上昇は、HBTの長期信頼性を低下させる要因ともなる。以上のことから、InP系HBTの高速化に向けては、注入電流量を増やすと同時に、HBTの放熱性を向上させることが重要となる。 On the other hand, increasing the injection current means increasing the power consumption of the HBT, and as a result, the temperature inside the HBT rises. When the temperature inside the HBT rises, the electron velocity decreases, so the effect of speeding up by increasing the injection current is negated. Furthermore, the temperature rise inside the HBT also causes a decrease in the long-term reliability of the HBT. From the above, for increasing the speed of InP-based HBT, it is important to increase the amount of injected current and at the same time improve the heat dissipation of the HBT.
上記の問題を解決するために、InPよりも熱伝導率が高い放熱基板にInP系HBTを作製する方法が提案されている(特許文献1参照)。以下、このHBTについて説明する。 In order to solve the above problem, a method of manufacturing an InP-based HBT on a heat dissipation substrate having a higher thermal conductivity than InP has been proposed (see Patent Document 1). Hereinafter, this HBT will be described.
このHBTは、図3に示すように、放熱基板301と、放熱基板301の上に形成された第1接着金属層302と、第1接着金属層302の上に形成された第2接着金属層303と、第2接着金属層303の上に接して形成された第3接着金属層304と、第3接着金属層304の上に形成された第4接着金属層305とを備える。第2接着金属層303および第3接着金属層304は、第1接着金属層302および第4接着金属層305に対して選択的にエッチングできる材料から構成されている。また、第2接着金属層303に第3接着金属層304が接合されて形成されている。
As shown in FIG. 3, the HBT includes a
また、上記HBTは、第4接着金属層305の上に形成された化合物半導体からなるコレクタ層307と、コレクタ層307の上に形成されたベース層308と、ベース層308の上に形成されたエミッタ層309とを備える。また、コレクタ層307は、サブコレクタ層306の上に形成され、エミッタ層309の上には、キャップ層310が形成されている。
The HBT is formed on the
また、キャップ層310の上には、エミッタ電極311が形成され、エミッタ層309の周囲のベース層308の上にベース電極312が形成され、コレクタ層307の周囲のサブコレクタ層306の上にコレクタ電極313が形成されている。
An
次に、上記HBTの製造方法について簡単に説明する。まず、成長基板となるInP基板上に、化合物半導体からなる犠牲層、キャップ形成層、エミッタ形成層、ベース形成層、コレクタ形成層、サブコレクタ形成層をこれらの順にエピタキシャル成長させる。例えば、有機金属化学気相堆積法(MOCVD)により成長させれば良い。次いで、サブコレクタ形成層の上に第3接着金属層および第4接着金属層を形成する。 Next, a method for manufacturing the HBT will be briefly described. First, a sacrificial layer made of a compound semiconductor, a cap formation layer, an emitter formation layer, a base formation layer, a collector formation layer, and a subcollector formation layer are epitaxially grown in this order on an InP substrate as a growth substrate. For example, it may be grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Next, a third adhesive metal layer and a fourth adhesive metal layer are formed on the subcollector forming layer.
一方で、成長基板とは別に、InPよりも熱伝導率が高い放熱基板を用意し、この放熱基板の上に第1接着金属層および第2接着金属層を形成しておく。この放熱基板と、前述した成長基板とを、第2接着金属層と第3接着金属層とを介して接合させる。この後、不要となった成長基板を、犠牲層を利用して除去し、次いで、キャップ形成層、エミッタ形成層、ベース形成層、コレクタ形成層、サブコレクタ形成層をパターニングして素子部を形成する。また、各電極を形成する。これらのことにより、図3に断面を示すHBTが得られる。 On the other hand, apart from the growth substrate, a heat dissipation substrate having a higher thermal conductivity than InP is prepared, and a first adhesive metal layer and a second adhesive metal layer are formed on the heat dissipation substrate. The heat dissipation substrate and the above-described growth substrate are bonded via the second adhesive metal layer and the third adhesive metal layer. Thereafter, the unnecessary growth substrate is removed using a sacrificial layer, and then the cap formation layer, emitter formation layer, base formation layer, collector formation layer, and subcollector formation layer are patterned to form an element portion. To do. Each electrode is formed. By these things, HBT which shows a cross section in FIG. 3 is obtained.
上述したHBTによれば、素子部の直下にInPよりも熱伝導率の高い第1〜第4接着金属層および放熱基板が配置されているので、InP基板上にHBT素子部が形成されている場合と比較して放熱性を高めることができる。さらには、化合物半導体からなる素子形成層は、格子整合するInP成長基板上に形成されるので、HBT素子部の結晶性は損なわれることがない。以上のことから特許文献1の技術によれば、InP系HBTの素子特性を劣化させることなく放熱性を向上させることができる。 According to the above-described HBT, the first to fourth adhesive metal layers having higher thermal conductivity than InP and the heat dissipation substrate are disposed immediately below the element portion, so that the HBT element portion is formed on the InP substrate. Compared with the case, heat dissipation can be improved. Furthermore, since the element formation layer made of a compound semiconductor is formed on the lattice-matched InP growth substrate, the crystallinity of the HBT element portion is not impaired. From the above, according to the technique of Patent Document 1, the heat dissipation can be improved without degrading the element characteristics of the InP-based HBT.
しかしながら、コレクタ層の材料としてInPを用いたHBTを、上述したように放熱基板上に形成する場合、コレクタ層のエッチング工程で問題が生じ、ベース・コレクタ間容量が増大することが発明者らの実験により明らかとなった。この点について以下に説明する。 However, when the HBT using InP as the material for the collector layer is formed on the heat dissipation substrate as described above, problems occur in the etching process of the collector layer, and the base-collector capacitance increases. It became clear by experiment. This will be described below.
まず、図4Aに示すように、まず、一般的なInP基板401の(100)面上にエピタキシャル成長されたInP層402の上に、オリエンテーションフラット451の直線と垂直な方向に延在するストライプ状のレジストマスク403を形成する。オリエンテーションフラット451の直線は、[01−1]あるいは[0−11]の結晶方位に対して平行に形成されている。従って、形成したレジストマスク403は、[011]あるいは[0−1−1]の結晶方位に延在していることになり、平面視長方形となっている。
First, as shown in FIG. 4A, first, a stripe-like shape extending in a direction perpendicular to the straight line of the orientation flat 451 is formed on the
次いで、塩酸系のエッチャントを用い、レジストマスク403をマスクとしてInP層402をエッチングする。この場合、図4Bに示すように、エッチングにより形成されたInPパターン421の、延在方向に垂直な面の断面は、InP基板401に近いほど幅が狭くなる、いわゆる逆メサ構造となる。
Next, the
一方、図4Cに示すように、まず、InP基板401の(100)面上にエピタキシャル成長されたInP層402の上に、オリエンテーションフラット451の直線に平行な方向に延在するストライプ状(平面視長方形)のレジストマスク403aを形成する場合は次のようになる。オリエンテーションフラット451の直線は、[01−1]あるいは[0−11]結晶方位に対して平行に形成されている。従って、形成したレジストマスク403aも、[01−1]あるいは[0−11]の結晶方位に延在していることになる。
On the other hand, as shown in FIG. 4C, first, on the
この場合、塩酸系のエッチャントを用い、レジストマスク403aをマスクとしてInP層402をエッチングすると、図4Dに示すように、エッチングにより形成されたInPパターン421aの、延在方向に垂直な面の断面は、InP基板401に近いほど幅が広くなる、いわゆる順メサ構造となる。
In this case, when a hydrochloric acid-based etchant is used and the
ここで、(100)面上にエピタキシャル成長されたInP層を放熱基板に転写して上記と同様な実験を行うと、逆のエッチング面が形成されることを発明者は見出した。これは、図5に示すように、転写基板501に転写したInP層をパターニングしてInPパターン521aを形成する場合、パターニングに用いたレジストマスク503が、[011]あるいは[0−1−1]の結晶方位に延在していても、InPパターン521aの、延在方向に垂直な面の断面は、転写基板501に近いほど幅が広くなる、いわゆる順メサ構造となってしまう。
Here, the inventors have found that when an InP layer epitaxially grown on the (100) plane is transferred to a heat dissipation substrate and an experiment similar to the above is performed, an opposite etched surface is formed. As shown in FIG. 5, when the
このため、転写されたInPを含むエピタキシャル成長層をパターニングして形成する前述したHBTでは、図6に示すように、放熱基板301に近いほど、言い換えると、ベース層308から離れるほど幅が広くなる順メサ構造のコレクタ層307aが形成されることになる。この構造では、コレクタ容量の増大を招いてしまうという問題が発生する。
For this reason, in the above-described HBT formed by patterning the transferred epitaxial growth layer containing InP, as shown in FIG. 6, the closer to the
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、InPから構成されたコレクタ層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、放熱のための基板材料に制約を生じさせることなく高い放熱性が得られるとともに、良質な結晶品質が得られる状態で、コレクタ容量の増大が抑制できるようにすることを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and in a heterojunction bipolar transistor having a collector layer made of InP, the present invention is high without causing restrictions on the substrate material for heat dissipation. An object is to enable an increase in collector capacity to be suppressed in a state in which heat dissipation is obtained and high-quality crystal quality is obtained.
本発明に係るヘテロ接合バイポーラトランジスタは、InPよりも熱伝導率が高い放熱基板と、放熱基板の上に形成された第1接着金属層と、第1接着金属層の上に形成された第2接着金属層と、第2接着金属層の上に形成された化合物半導体からなるサブコレクタ層と、サブコレクタ層の上に形成されたInPからなるコレクタ層と、コレクタ層の上に形成された化合物半導体からなるベース層と、ベース層の上に形成されたベース層とは異なる化合物半導体からなるエミッタ層と、エミッタ層上に形成された化合物半導体からなるキャップ層と、キャップ層の上に形成されたエミッタ電極と、エミッタ層の周囲のベース層の上に形成されたベース電極とを備え、コレクタ層の平面視の形状は、長辺が[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形とされ、第1接着金属層に第2接着金属層が接合されて形成されている。 The heterojunction bipolar transistor according to the present invention includes a heat dissipation substrate having a higher thermal conductivity than InP, a first adhesive metal layer formed on the heat dissipation substrate, and a second adhesive formed on the first adhesive metal layer. An adhesive metal layer, a subcollector layer made of a compound semiconductor formed on the second adhesive metal layer, a collector layer made of InP formed on the subcollector layer, and a compound formed on the collector layer A base layer made of a semiconductor, an emitter layer made of a compound semiconductor different from the base layer formed on the base layer, a cap layer made of a compound semiconductor formed on the emitter layer, and formed on the cap layer The collector electrode has a base electrode formed on the base layer around the emitter layer, and the collector layer has a [01-1] crystal orientation or [0− 1] is a rectangle parallel to the crystal orientation, the second adhesive metal layer is formed is bonded to the first bonding metal layer.
上記ヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、放熱基板は、Si、SiC、AlN、ダイヤモンドのいずれかより構成されていればよい。 In the heterojunction bipolar transistor, the heat dissipation substrate may be made of any one of Si, SiC, AlN, and diamond.
また、本発明に係るヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法は、化合物半導体からなる成長基板の上にキャップ層となる化合物半導体からなるキャップ形成層を形成する工程と、キャップ形成層の上にエミッタ層となる化合物半導体からなるエミッタ形成層を形成する工程と、エミッタ形成層とは異なる化合物半導体からなるベース層となるベース形成層をエミッタ形成層の上に形成する工程と、ベース形成層の上にコレクタ層となるInPからなるコレクタ形成層を形成する工程と、コレクタ形成層の上にサブコレクタ層となる化合物半導体からなるサブコレクタ形成層と形成する工程と、サブコレクタ形成層の上に第1金属層を形成する工程と、InPよりも熱伝導率が高い放熱基板の上に第2金属層を形成する工程と、成長基板と放熱基板とを第1金属層と第2金属層とを接合することで貼り合わせる工程と、成長基板を除去する工程と、サブコレクタ形成層、コレクタ形成層,ベース形成層,エミッタ形成層,およびキャップ形成層をパターニングして、第1金属層の上にコレクタ層,ベース層,およびエミッタ層からなる素子部を形成する工程と、第2金属層および第1金属層をパターニングして、第1接着金属層および第2接着金属層がこの順に積層された金属積層パターンを形成する工程とを備え、コレクタ層は、平面視の形状を、長辺が[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形に形成する。 The method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor according to the present invention includes a step of forming a cap forming layer made of a compound semiconductor to be a cap layer on a growth substrate made of a compound semiconductor, and an emitter layer on the cap forming layer. A step of forming an emitter formation layer made of a compound semiconductor, a step of forming a base formation layer made of a compound semiconductor different from the emitter formation layer on the emitter formation layer, and a collector on the base formation layer Forming a collector forming layer made of InP to be a layer, forming a subcollector forming layer made of a compound semiconductor to be a subcollector layer on the collector forming layer, and forming a first metal on the subcollector forming layer A step of forming a layer, a step of forming a second metal layer on a heat dissipation substrate having a higher thermal conductivity than InP, and a growth substrate A step of bonding a heat dissipation substrate by bonding the first metal layer and the second metal layer, a step of removing the growth substrate, a subcollector formation layer, a collector formation layer, a base formation layer, an emitter formation layer, and Patterning the cap forming layer to form an element portion comprising a collector layer, a base layer, and an emitter layer on the first metal layer; patterning the second metal layer and the first metal layer; Forming a metal laminate pattern in which the adhesive metal layer and the second adhesive metal layer are laminated in this order, and the collector layer has a shape in plan view, and the long side has a [01-1] crystal orientation or [0− 11] Form a rectangle parallel to the crystal orientation.
上記ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法において、放熱基板は、Si、SiC、AlN、ダイヤモンドのいずれかより構成すればよい。なお、成長基板と放熱基板とを、第1金属層と第2金属層とは、表面活性化接合法あるいは原子拡散接合法により接合することで貼り合わせればよい。 In the method for manufacturing a heterojunction bipolar transistor, the heat dissipation substrate may be made of any one of Si, SiC, AlN, and diamond. Note that the growth substrate and the heat dissipation substrate may be bonded together by bonding the first metal layer and the second metal layer by a surface activated bonding method or an atomic diffusion bonding method.
以上説明したように、本発明によれば、コレクタ層の平面視の形状を、長辺が[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形としたので、InPから構成されたコレクタ層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、放熱のための基板材料に制約を生じさせることなく高い放熱性が得られるとともに、良質な結晶品質が得られる状態で、コレクタ容量の増大が抑制できるという優れた効果が得られる。 As described above, according to the present invention, since the shape of the collector layer in plan view is a rectangle whose long side is [01-1] crystal orientation or [0-11] crystal orientation, it is composed of InP. In a heterojunction bipolar transistor having an improved collector layer, high heat dissipation can be obtained without restricting the substrate material for heat dissipation, and an increase in collector capacity can be suppressed while high quality crystal quality is obtained. An excellent effect is obtained.
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1は、本発明の実施の形態におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の構成を示す構成図である。図1では、HBTの断面を模式的に示している。このHBTは、まず、高抵抗なSiなどのInPよりも熱伝導率が高い放熱基板101と、放熱基板101の上に形成された第1接着金属層102と、第1接着金属層102の上に形成された第2接着金属層103とを備える。放熱基板101は、Siに限らず、SiC、AlN、ダイヤモンドから構成しても良い。また、第1接着金属層102に第2接着金属層103が接合されて形成されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of a heterojunction bipolar transistor (HBT) in an embodiment of the present invention. FIG. 1 schematically shows a cross section of the HBT. The HBT first includes a
また、このHBTは、サブコレクタ層104,コレクタ層105,ベース層106,エミッタ層107,キャップ層108を備える。サブコレクタ層104は、第2接着金属層103の上に形成され、例えば高濃度にn型不純物が導入されたInGaAs(n+−InGaAs)などの化合物半導体から構成されている。コレクタ層105は、サブコレクタ層104の上に形成され、InPから構成されている。
The HBT includes a
ベース層106は、コレクタ層105の上に形成され、高濃度にp型不純物が導入されたGaAsSb(p+−GaAsSb)などの化合物半導体から構成されている。エミッタ層107は、ベース層106の上に形成され、低濃度にn型不純物が導入されたInP(n-−InP)などのベース層106とは異なる化合物半導体から構成されている。キャップ層108は、エミッタ層107上に形成され、高濃度にn型不純物が導入されたInGaAs(n+−InGaAs)などの化合物半導体から構成されている。
The
なお、キャップ層108の上には、エミッタ電極111が形成され、エミッタ層107の周囲のベース層106の上には、ベース電極112が形成されている。また、第1接着金属層102および第2接着金属層103からなる金属積層パターンが、コレクタ電極となる。
An
上述した構成に加え、実施の形態におけるHBTは、コレクタ層105の平面視の形状は、長辺が、[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形とされている。なお、上記結晶方位は、コレクタ層105として結晶成長しているInP結晶の結晶方位である。図1では、[01−1]結晶方位に垂直な平面に平行な断面を示している。従って図1に示されているコレクタ層105の左右の側面は、平面視長方形のコレクタ層105の長辺における側面となる。
In addition to the above-described configuration, the shape of the
コレクタ層105は、エッチングにより形成されたInPパターンであり、前述したように、[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に垂直な面の断面は、サブコレクタ層104に近いほど幅が狭くなる、いわゆる逆メサ構造となる。なお、図1には示されていないが、[011]結晶方位あるいは[0−1−1]結晶方位に垂直な面の断面は、サブコレクタ層104に近いほど幅が広くなる、いわゆる順メサ構造となる。
The
ここで、次に示すように、HBTにおいては、コレクタメサなどの素子の平面視の形状を、長方形としている。素子の高周波特性向上のためには、まず、ベース抵抗の低減が重要となる。このためには、ベース層106のベース電極112とエミッタ層107との間隔を短くする必要があり、この方向のコレクタメサの長さを可能な範囲で短くしている。例えば、1.0μm程度としている。
Here, as shown below, in the HBT, the shape of an element such as a collector mesa in plan view is a rectangle. In order to improve the high-frequency characteristics of the element, it is first important to reduce the base resistance. For this purpose, it is necessary to shorten the distance between the
一方、素子の高周波特性向上のためには、エミッタ抵抗もより低くすることが重要となる。上述したように、平面視長方形のコレクタメサの一方の辺の長さを短くしている状態では、他方の辺の長さを長くすることで、エミッタ抵抗を低減している。例えば、4〜8μm程度としている。このように、一般に、コレクタメサ(コレクタ層105)などの素子の平面視の形状は、長辺が短辺より非常に長い長方形としている。 On the other hand, it is important to lower the emitter resistance in order to improve the high frequency characteristics of the device. As described above, in the state where the length of one side of the rectangular collector mesa is shortened, the emitter resistance is reduced by increasing the length of the other side. For example, it is about 4 to 8 μm. Thus, generally, the shape of the element such as the collector mesa (collector layer 105) in plan view is a rectangle whose long side is much longer than the short side.
このような形状とされているコレクタ層105においては、前述したように、エッチング加工により形成される側面が逆メサとなる[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行とすることで、長辺を逆メサ構造とし、短辺を順メサ構造とすることができる。この結果、コレクタ層105においては、サブコレクタ側の面積をベース側の面積より小さくすることができる。
In the
このように、実施の形態では、コレクタ層105において、サブコレクタ側の面積がベース側の面積より小さいので、コレクタ容量の増大を招くことがない。また、前述したように、InPよりも熱伝導率が高い放熱基板101の上に、金属積層パターンを介して素子部分を形成しているので、高い放熱性が得られている。また、以下に説明するように、第1接着金属層102に第2接着金属層103を接合することで形成しているので、InP基板の上に形成した半導体層を用いて素子部を形成できるようになり、放熱のための基板材料に制約を生じさせることなく高い放熱性が得られるとともに、素子部においては良質な結晶品質が得られている。
As described above, in the embodiment, in the
以下、本発明の実施の形態におけるHBTの製造方法について、図2A〜図2Kを用いて説明する。図2A〜図2Kは、本発明の実施の形態1におけるHBTの製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図2A〜図2D,図2F,図2H,図2J〜図2Kでは、断面を模式的に示している。また、図2E,図2G,図2Iは、平面を示している。なお、断面は全て、[01−1]結晶方位に垂直な平面に平行な断面を示している。 Hereinafter, the manufacturing method of HBT in embodiment of this invention is demonstrated using FIG. 2A-FIG. 2K. 2A to 2K are configuration diagrams showing states in respective steps for explaining the method of manufacturing the HBT in the first embodiment of the present invention. 2A to 2D, 2F, 2H, and 2J to 2K schematically show cross sections. 2E, 2G, and 2I show planes. All the cross sections are cross sections parallel to a plane perpendicular to the [01-1] crystal orientation.
まず、図2Aに示すように、化合物半導体であるInPからなる成長基板201の上に、InGaAsからなる第1犠牲層202,InPからなる第2犠牲層203,n+−InGaAs層からなるキャップ形成層204,n-−InPからなるエミッタ形成層205,p+−GaAsSbからなるベース形成層206,n-−InPからなるコレクタ形成層207と、n+−InGaAsからなるサブコレクタ形成層208とを、順次に結晶成長して形成する。これらは、例えば、MOCVD法や分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法を用いて堆積することで形成すればよい。各化合物半導体の層は、格子不整合度が小さいInPからなる成長基板201の上にエピタキシャル成長しているため、転位や欠陥などの発生が抑制された良質な状態で形成されている。
First, as shown in FIG. 2A, a first
次に、図2Bに示すように、サブコレクタ形成層208の上に、第1金属層209を形成する。例えば、第1金属層209は、Auから構成されていればよく、スパッタ法により形成すればよい。Auはヤング率が低くかつ熱伝導率が金属の中でも高いので、HBTの放熱性を損なわずに後述する放熱基板101と比較的容易に接合させることができる。
Next, as shown in FIG. 2B, a
一方、図2Cに示すように、シリコンからなる放熱基板101の上に第2金属層221を形成する。例えば、スパッタ法によりAuを堆積して第2金属層221を形成すればよい。
On the other hand, as shown in FIG. 2C, a
次に、図2Dに示すように、成長基板201と放熱基板101とを、第1金属層209と第2金属層221とを接合することで貼り合わせる。例えば、表面活性化接合法や原子拡散接合法などのウエハ貼り合わせ技術を用い、第1金属層209と第2金属層221とを接合すればよい。いずれの貼り合わせ技術も、InP系HBTの最大プロセス温度(400℃)以下の接合温度で接合することが可能である。このため、接合工程で生じる温度負荷による素子形成層の結晶性劣化や、成長基板と放熱基板間の熱膨張係数差に起因する基板反りを抑制できる。第1金属層209および第2金属層221は、ともにAuから構成されており、容易に接合させることができる。
Next, as illustrated in FIG. 2D, the
また、貼り合わせる際の基板の向きは例えば、図2Eに示すように、成長基板201のオリエンテーションフラット251と、放熱基板101のオリエンテーションフラット151とが、互いに平行になるように向きを合わせて接合すればよい。オリエンテーションフラット同士の向きを揃えて接合することで、放熱基板201のオリエンテーションフラット251方向と、転写された素子形成層の[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位との平行度誤差を最小限度に抑えることができる。
In addition, as shown in FIG. 2E, for example, the orientation flat 251 of the
次に、成長基板201を除去する。例えば、成長基板201をバックグラインダーを用いて機械的に研磨して薄くする。次いで、塩酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングにより、残っている成長基板201を除去して第1犠牲層202を露出させる。このウエットエッチングでは、InGaAsからなる第1犠牲層202は、ほとんどエッチングされないので、残っている成長基板201を選択的に除去できる。
Next, the
次いで、第1犠牲層202をクエン酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングにより除去し、第2犠牲層203を露出させる。InPからなる第2犠牲層203は、クエン酸系のエッチング液ではほとんどエッチングされないので、第1犠牲層202を選択的に除去できる。
Next, the first
この後、塩酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングにより、第2犠牲層203を除去する。上述したように、塩酸系のエッチング液を用いたウエットエッチングでは、InGaAsはほとんどエッチングされないので、キャップ形成層204に対して、第2犠牲層203を選択的にエッチング除去できる。このように、第1犠牲層202および第2犠牲層203を設けておくことで、成長基板201の除去工程におけるキャップ形成層204への影響を最小限に抑制でき、また、InPからなる成長基板201を全域で均一に除去できるようになる。
Thereafter, the second
以上のことにより、図2Fに示すように、放熱基板101の上に、第2金属層221,第1金属層209が積層され、第1金属層209の上に、サブコレクタ形成層208,コレクタ形成層207,ベース形成層206,エミッタ形成層205,およびキャップ形成層204が積層された状態が得られる。
As described above, as shown in FIG. 2F, the
ここで、前述したように、成長基板201のオリエンテーションフラット251と放熱基板101のオリエンテーションフラット151とが平行となるように基板接合した場合においては、図2Gに示すように、放熱基板101のオリエンテーションフラット151に対して素子形成層の[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位は平行となる。
Here, as described above, when the substrate is bonded so that the orientation flat 251 of the
次に、以下に示すように、コレクタ形成層207,ベース形成層206,およびエミッタ形成層205をパターニングする。まず、図2H,図2Iに示すように、キャップ形成層204の上にエミッタ電極材料層210を形成する。例えば、公知のスパッタ法,真空蒸着法により、MoおよびWを順次に堆積し、下層がMo層、上層がW層から構成されたエミッタ電極材料層210を形成すれば良い。
Next, as shown below, the
次に、エミッタ電極材料層210の上に、レジストパターン211を形成する。レジストパターン211は、平面視の形状を、長辺が[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形とする。ここでは、平面視長方形のレジストパターン211の長辺が、オリエンテーションフラット151に対して平行となる状態に形成すればよい。例えば、エミッタ電極材料層210の上に、フォトレジストを塗布して塗布層を形成し、公知のフォトリソグラフィー技術によりパターニングすることで、レジストパターン211を形成すれば良い。
Next, a resist
次に、レジストパターン211をマスクとし、エミッタ電極材料層210,キャップ形成層204,エミッタ形成層205をエッチングし、図2Jに示すように、エミッタ電極111,キャップ層108,エミッタ層107を形成する。例えば、フッ素系のガスを用いた公知のドライエッチングにより、エミッタ電極材料層210をエッチングしてエミッタ電極111を形成する。次いで、クエン酸系エッチャントを用いたウエットエッチングによりキャップ形成層204をエッチングしてキャップ層108を形成する。次いで、塩酸系エッチャントを用いたウエットエッチングによりエミッタ形成層205をエッチングしてエミッタ層107を形成する。
Next, using the resist
以上のようにして、エミッタ電極111,キャップ層108,およびエミッタ層107を形成した後、エミッタ層107の周囲のベース形成層206の上に、ベース電極112を形成する。例えば、公知のリソグラフィー技術により、ベース電極形成部に開口部を有するレジストパターンを形成する。次いで、レジストパターンの上に、蒸着法などにより金属材料を堆積して金属層を形成する。この後、レジストパターンを除去(リフトオフ)すれば、ベース電極112が形成できる。
After the
次いで、公知のリソグラフィー技術により、ベース電極112の形成領域を含むベース・コレクタ形成領域を覆うレジストパターンを形成する。次いで、形成したレジストパターンをマスクとし、ベース形成層206、コレクタ形成層207,およびサブコレクタ形成層208を、ウエットエッチングにより選択的にエッチング除去してパターニングすることで、図2Kに示すように、ベース層106,コレクタ層105,およびサブコレクタ層104を形成すればよい。InPからなるコレクタ層105は、平面視長方形の長辺が[01−1]あるいは[0−11]の結晶方位に平行とされている。このため、前述したように、ウエットエッチングによりパターニングされたコレクタ層105は、[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に垂直な面に平行な断面が、逆メサ構造となる。
Next, a resist pattern covering the base / collector formation region including the formation region of the
以上のように素子部を形成した後、第2金属層221,第1金属層209を、公知のフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、図1に示すように、第1接着金属層102および第2接着金属層103を形成する。このパターニングにより、例えば、絶縁性の放熱基板101の上に同時に形成される複数の素子部が、各々電気的に分離されるようになる。
After the element portion is formed as described above, the
以上に説明したように、本発明では、コレクタ層の平面視の形状を、長辺が[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形としたので、InPから構成されたコレクタ層を備えるヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、放熱のための基板材料に制約を生じさせることなく高い放熱性が得られるとともに、良質な結晶品質が得られる状態で、コレクタ容量の増大が抑制できるようになる。 As described above, in the present invention, the shape of the collector layer in plan view is a rectangle whose long side is parallel to the [01-1] crystal orientation or [0-11] crystal orientation. In a heterojunction bipolar transistor having a collector layer, high heat dissipation can be obtained without restricting the substrate material for heat dissipation, and an increase in collector capacitance can be suppressed while high quality crystal quality is obtained. become.
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。 The present invention is not limited to the embodiment described above, and many modifications and combinations can be implemented by those having ordinary knowledge in the art within the technical idea of the present invention. It is obvious.
101…放熱基板、102…第1接着金属層、103…第2接着金属層、104…サブコレクタ層、105…コレクタ層、106…ベース層、107…エミッタ層、108…キャップ層、111…エミッタ電極、112…ベース電極。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記放熱基板の上に形成された第1接着金属層と、
前記第1接着金属層の上に形成された第2接着金属層と、
前記第2接着金属層の上に形成された化合物半導体からなるサブコレクタ層と、
前記サブコレクタ層の上に形成されたInPからなるコレクタ層と、
前記コレクタ層の上に形成された化合物半導体からなるベース層と、
前記ベース層の上に形成された前記ベース層とは異なる化合物半導体からなるエミッタ層と、
前記エミッタ層上に形成された化合物半導体からなるキャップ層と、
前記キャップ層の上に形成されたエミッタ電極と、
前記エミッタ層の周囲の前記ベース層の上に形成されたベース電極と
を備え、
前記コレクタ層の平面視の形状は、長辺が[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形とされ、
前記第1接着金属層に前記第2接着金属層が接合されて形成されている
ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 A heat dissipation substrate having a higher thermal conductivity than InP;
A first adhesive metal layer formed on the heat dissipation substrate;
A second adhesive metal layer formed on the first adhesive metal layer;
A subcollector layer made of a compound semiconductor formed on the second adhesive metal layer;
A collector layer made of InP formed on the subcollector layer;
A base layer made of a compound semiconductor formed on the collector layer;
An emitter layer made of a compound semiconductor different from the base layer formed on the base layer;
A cap layer made of a compound semiconductor formed on the emitter layer;
An emitter electrode formed on the cap layer;
A base electrode formed on the base layer around the emitter layer, and
The shape of the collector layer in plan view is a rectangle whose long side is parallel to the [01-1] crystal orientation or [0-11] crystal orientation,
The heterojunction bipolar transistor, wherein the second adhesive metal layer is bonded to the first adhesive metal layer.
前記放熱基板は、Si、SiC、AlN、ダイヤモンドのいずれかより構成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。 The heterojunction bipolar transistor according to claim 1, wherein
A heterojunction bipolar transistor, wherein the heat dissipation substrate is made of any one of Si, SiC, AlN, and diamond.
前記キャップ形成層の上にエミッタ層となる化合物半導体からなるエミッタ形成層を形成する工程と、
前記エミッタ形成層とは異なる化合物半導体からなるベース層となるベース形成層を前記エミッタ形成層の上に形成する工程と、
前記ベース形成層の上にコレクタ層となるInPからなるコレクタ形成層を形成する工程と、
前記コレクタ形成層の上にサブコレクタ層となる化合物半導体からなるサブコレクタ形成層と形成する工程と、
前記サブコレクタ形成層の上に第1金属層を形成する工程と、
InPよりも熱伝導率が高い放熱基板の上に第2金属層を形成する工程と、
前記成長基板と前記放熱基板とを前記第1金属層と前記第2金属層とを接合することで貼り合わせる工程と、
前記成長基板を除去する工程と、
前記サブコレクタ形成層、前記コレクタ形成層,前記ベース形成層,前記エミッタ形成層,および前記キャップ形成層をパターニングして、前記第1金属層の上にコレクタ層,ベース層,およびエミッタ層からなる素子部を形成する工程と、
前記第2金属層および前記第1金属層をパターニングして、第1接着金属層および第2接着金属層がこの順に積層された金属積層パターンを形成する工程と
を備え、
前記コレクタ層は、平面視の形状を、長辺が[01−1]結晶方位あるいは[0−11]結晶方位に平行な長方形に形成する
ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。 Forming a cap forming layer made of a compound semiconductor to be a cap layer on a growth substrate made of a compound semiconductor;
Forming an emitter forming layer made of a compound semiconductor to be an emitter layer on the cap forming layer;
Forming a base forming layer, which is a base layer made of a compound semiconductor different from the emitter forming layer, on the emitter forming layer;
Forming a collector forming layer made of InP serving as a collector layer on the base forming layer;
Forming a subcollector forming layer made of a compound semiconductor to be a subcollector layer on the collector forming layer;
Forming a first metal layer on the subcollector forming layer;
Forming a second metal layer on a heat dissipation substrate having a higher thermal conductivity than InP;
Bonding the growth substrate and the heat dissipation substrate by bonding the first metal layer and the second metal layer;
Removing the growth substrate;
The subcollector forming layer, the collector forming layer, the base forming layer, the emitter forming layer, and the cap forming layer are patterned to form a collector layer, a base layer, and an emitter layer on the first metal layer. Forming an element portion;
Patterning the second metal layer and the first metal layer to form a metal laminate pattern in which the first adhesive metal layer and the second adhesive metal layer are laminated in this order, and
The method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor, wherein the collector layer is formed in a rectangular shape having a long side parallel to the [01-1] crystal orientation or the [0-11] crystal orientation.
前記放熱基板は、Si、SiC、AlN、ダイヤモンドのいずれかより構成することを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。 The method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor according to claim 3,
The method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor, wherein the heat dissipation substrate is made of any one of Si, SiC, AlN, and diamond.
前記成長基板と前記放熱基板とを、前記第1金属層と前記第2金属層とを表面活性化接合法あるいは原子拡散接合法により接合することで貼り合わせる
ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。 The method of manufacturing a heterojunction bipolar transistor according to claim 3 or 4,
A heterojunction bipolar transistor characterized in that the growth substrate and the heat dissipation substrate are bonded together by bonding the first metal layer and the second metal layer by a surface activated bonding method or an atomic diffusion bonding method. Production method.
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---|---|---|---|---|
JP2019096716A (en) * | 2017-11-22 | 2019-06-20 | 日本電信電話株式会社 | Semiconductor wafer and method of manufacturing the same, and heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same |
US10971598B1 (en) | 2019-09-27 | 2021-04-06 | Keysight Technologies, Inc. | Method of forming heterojunction bipolar transistor (HBT) |
WO2023210642A1 (en) * | 2022-04-27 | 2023-11-02 | 株式会社村田製作所 | Semiconductor device |
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- 2015-03-12 JP JP2015049248A patent/JP2016171172A/en active Pending
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