JP2016157811A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1枚の処理に必要な薬液の消費量の低減を図るために、たとえば下記特許文献1に示すように、スピンチャックによる基板の回転速度を零または低速に維持することにより、基板の上面に薬液の液膜を保持し、この薬液の液膜により基板の表面を薬液処理する薬液パドル処理が知られている。薬液パドル処理において、基板上に薬液の液膜が形成された後には、基板への処理液の供給を停止することも可能であるから、薬液の消費量を最低限に抑制でき、これにより、処理コストの低減を図ることができる。
しかしながら、薬液の液膜の上面が周囲の雰囲気と接触しているため、薬液の液膜が周囲の雰囲気の影響を受け易い。周囲の雰囲気の影響(蒸発・零れ)により基板の上面から薬液の一部が逸失する(消失・流出)おそれがある。薬液の液膜に含まれる薬液の液量が少なくなると、薬液の液膜によって基板の上面全域を覆うことが困難になる。
つまり、薬液パドル処理においては、基板の上面の全域を覆う薬液の液膜を安定して保持し続けることが難しかった。
この状態では、薬液の液膜の上方が対向部材によって覆われている。そのため、薬液の液膜が周囲の雰囲気から遮断される。これにより、薬液の液膜が周囲の雰囲気から影響を受けることを回避できる。
以上により、薬液の液膜を基板の上面に安定して保持させ続けることができ、ゆえに、薬液の省液を図りながら基板の上面を処理できる。
この構成によれば、薬液の液膜の上面に対向板が保持される。薬液の液膜によって対向板が保持されているから、対向板と基板の上面との間に含まれる薬液の量を低減させることにより、基板の上面に保持される薬液の液膜の厚みを薄くでき、これにより、薬液の消費量の低減をより一層図ることができる。
対向部材が高い剛性を有していると、対向部材が基板に当たった場合に、基板や当該対向部材が破損するおそれがある。しかしながら、請求項3では、対向板が低剛性材料を用いて形成されているので、仮に対向部材が基板に当っても基板が破損するおそれがない。
請求項4に記載のように、前記対向板は、前記エッチング液よりも比重が小さい材料を用いて形成されていてもよい。この場合、対向板がエッチング液の液膜上に浮く。これにより、エッチング液の上方に対向板を配置し続けることができ、エッチング液の液膜の上面に対向板を良好に保持させることができる。
この構成によれば、吸引口の内部の吸引により、支持部材の下面に対向板を吸着支持できる。また、薬液の液膜の上方で吸引口の内部の吸引を解除することにより、対向板が薬液の液膜上に配置させられる。そして、支持部材を下降させ、支持部材の下面を対向板に接近させた状態で、吸引口の内部を吸引することにより、対向板が支持部材に支持される。これにより、薬液の液膜に対する対向板(対向面)の接液および、薬液の液膜からの対向板(対向面)の退避の双方を、円滑に実現できる。
薬液の液膜の上方が対向部材によって覆われているので、薬液の液膜が周囲の雰囲気から遮断される。これにより、薬液の液膜が周囲の雰囲気から影響を受けることを回避できる。
以上により、薬液の液膜を基板の上面に安定して保持させ続けることができ、ゆえに、薬液の省液を図りながら基板の上面を処理できる。
この方法によれば、請求項2に関連して記載した作用効果と同等の作用効果を奏することができる。
この方法によれば、基板を鉛直軸線回りに回転させながら薬液を供給することにより、基板の上面に供給された薬液を、基板の上面に拡げることができる。これにより、基板の上面の全域を覆う薬液の液膜を比較的容易に形成できる。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、基板Wに処理液(エッチング液およびリンス液)を用いて処理する処理ユニット2と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置3とを含む。
スピンベース16の上面には、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材17が配置されている。複数個の挟持部材17は、スピンベース16の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
エッチング液供給ユニット6は、エッチング液を吐出するエッチング液ノズル18と、エッチング液ノズル18に接続されたエッチング液配管19と、エッチング液配管19に介装されたエッチング液バルブ20と、エッチング液ノズル18が先端部に取り付けられた第1のノズルアーム21と、第1のノズルアーム21を揺動させることにより、エッチング液ノズル18を移動させる第1のノズル移動ユニット22とを含む。エッチング液ノズル18に供給されるエッチング液として、HF(ふっ酸)、SC1(アンモニア過酸化水素水混合液:ammonia−hydrogen peroxide mixture)、SC2(塩酸過酸化水素水:hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture)、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)などを例示できる。
エッチング液ノズル18およびリンス液ノズル23の双方を、スキャンノズルであるとして説明しているが、エッチング液ノズル18およびリンス液ノズル23の少なくとも1つを、吐出口を静止した状態で処理液(エッチング液または水)を吐出する固定ノズルとして設けることもできる。
対向板8の材質として、耐洗紙(水に強い紙)を例示できる。この場合、対向板8は、軽量(エッチング液や水と比べて比重が小さい)であるだけでなく、低剛性を有している。より具体的には、対向板8の重さは35g以下である。
吸引配管34には吸引バルブ37が介装されており、吸引配管34の他端は、吸引装置(図示しない)に接続されている。吸引装置は常時作動状態とされている。
したがって、気体供給バルブ38が閉じられた状態で吸引バルブ37が開かれることにより、吸引配管34の内部、上配管33の内部および流通空間32の内部が強制的に排気されて、各吸引口31の周囲の雰囲気が当該吸引口31に吸引される。支持部材9の下面30が対向板8の上面に接近した状態で吸引バルブ37が開かれることにより、各吸引口31の内部が減圧され、対向板8が、支持部材9の下面30に吸着支持される。
以下では、たとえば直径300mmの基板Wの表面(パターン形成面)に対し、エッチング処理が施される例について説明する。主として図1および図2を参照しながらエッチング処理例について説明する。図3A〜3Hについては適宜参照する。
基板処理装置1によって基板Wが処理されるときには、チャンバ4内に基板Wが搬入される(ステップS1)。具体的には、制御装置3は、図3Aに示すように、エッチング液ノズル18(図1参照)、リンス液ノズル23(図1参照)、対向板8、支持部材9等のチャンバ4内の構成がスピンチャック5の上方から退避している状態で、搬送ロボット(図示しない)に基板Wをチャンバ4内に搬入させる。そして、制御装置3は、基板Wの表面(パターン形成面)が上に向けられた状態で、搬送ロボットに基板Wをスピンチャック5上に載置させる。その後、制御装置3は、基板Wがスピンチャック5に保持されている状態でスピンモータ14を回転させる。これにより、基板Wの回転が開始される(ステップS2)。制御装置3は、スピンチャック5上に基板Wが載置された後、搬送ロボットをチャンバ4内から退避させる。
エッチング液の吐出停止から予め定める時間が経過すると、制御装置3は、支持部材昇降ユニット36を制御して、図3Fに示すように、支持部材9を退避位置から近接位置まで下降させる。この状態で、支持部材9の下面30は、対向板8の上面に近接または接触している。そして、制御装置3は、吸引バルブ37を開いて各吸引口31からの吸引を開始する。これにより、対向板8が支持部材9の下面30に吸着支持される。支持部材9への対向板8の受け渡しが完了した後、制御装置3は、支持部材昇降ユニット36を制御して、支持部材9を退避位置まで上昇させる。これにより、対向板8(対向面8a)が基板Wの上面から退避する(ステップS8)。
また、洗浄液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、洗浄液バルブ44を閉じて洗浄液の吐出を停止する。これにより、対向面洗浄(S10)が終了する。
乾燥工程(S8)が予め定める期間に亘って行われると、制御装置3は、スピンモータ14を制御して、スピンチャック5の回転(基板Wの回転)を停止させる(ステップS9)。
以上によりこの実施形態によれば、基板Wの上面の全域を覆うエッチング液の液膜45に対向板8の対向面8aが接液しながら、対向板8が当該エッチング液の液膜45の上面によって保持される(対向板8が液膜45上に浮く)。この状態では、エッチング液の液膜45の上方が対向板8によって覆われている。そのため、エッチング液の液膜45が周囲の雰囲気から遮断される。これにより、エッチング液の液膜45が周囲の雰囲気から影響を受けることを回避できる。具体的には、周囲の雰囲気によるエッチング液の蒸発や、周囲の気流による、液膜45からのエッチング液の流出を防止または抑制できる。
しかしながら、この実施形態では、エッチング液(ふっ酸)の液膜45の上面に対向面8aが接液している(エッチング液(ふっ酸)の液膜45が対向面8aに接触している)から、対向面8aとエッチング液(ふっ酸)の液膜45の上面との間に表面張力が作用し、エッチング液(ふっ酸)が膜状を保持し易い。そのため、エッチング液としてふっ酸を用いる場合であっても、基板Wの上面にエッチング液の液膜45を保持できる。
ところで、エッチング液の消費量の低減を図るべく、エッチング液の液膜45の薄膜化、すなわち、対向板8と基板Wの上面との間隔はできるだけ微小であることが望ましい。しかしながら、仮に、アーム等を支持装置で、対向部材を、基板Wの上面との間隔が微小になるように支持すると、支持装置の組み立て精度や、支持装置を構成する各部品の加工精度の誤差があるから、対向部材と基板Wの上面との間の間隔を微小に設定すると、対向部材が基板Wの上面に当るおそれがある。そして、対向部材が高い剛性を有している場合には、対向部材が基板Wに当ると基板Wや当該対向部材が破損するから、対向部材と基板Wの上面との間の間隔を微小に設けることはできない(当該間隔には限界値がある)。そのため、エッチング液の省液を十分に図ることができなかった。
エッチング処理例の変形例では、図2に二点鎖線で示すように、エッチング(S7)の終了後、制御装置3は、第2のノズル移動ユニット27を制御して、リンス液ノズル23を基板Wの中央部の上方に配置すると共に、リンス液バルブ25を開いて、基板W上面のエッチング液の液膜45に保持されている対向板8の上面に向けてリンス液ノズル23からリンス液を吐出させる。これにより、対向板8の上面に洗浄液を供給でき、これにより、対向板8の上面を洗浄できる。その後、制御装置3は、支持部材昇降ユニット36を制御して、図3Fに示すように、支持部材9を退避位置から近接位置まで下降させると共に、吸引バルブ37を開いて各吸引口31からの吸引を開始する。これにより、対向板8が支持部材9の下面30に吸着支持される。その後、制御装置3は、支持部材昇降ユニット36を制御して、支持部材9を退避位置まで上昇させる。これにより、対向板8(対向面30)が基板Wの上面から退避する(ステップS8)。
図4Aおよび図4Bの実施形態において、図1〜図3Iの実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図3Iの場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
基板処理装置201が、図1〜図3Iの実施形態に係る基板処理装置1と相違する点は、エッチング処理(図2のS7)において、対向板(対向部材)202が、エッチング液の液膜45に対向面202aが接液しながら、スピンチャック5に含まれる複数個の挟持部材17に保持される点にある。各挟持部材17の上端部17aは、挟持部材17によって支持される基板Wの上面よりも、微小量だけ高く設けられている。
対向板202の下面には、基板Wの上面に対向する円形の対向面202aが形成されている。対向板202の対向面202aは、平坦面を有している。
対向板202が退避位置に配置されている状態では、対向板202に自重が作用し、対向板202に下向きの力が作用する。これにより、図4Aに示すように、フランジ部206の下面の周縁部が、支持環207の上端面に係合している。
しかしながら、この実施形態では、エッチング液(ふっ酸)の液膜45の上面に対向面8aが接液している(エッチング液(ふっ酸)の液膜45が対向面8aに接触している)から、対向面8aとエッチング液(ふっ酸)の液膜45の上面との間に表面張力が作用し、エッチング液(ふっ酸)が膜状を保持し易い。そのため、エッチング液としてふっ酸を用いる場合であっても、基板Wの上面にエッチング液の液膜45を保持できる。
以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、図1〜図3Iの実施形態において、対向板8の材質を、耐洗紙以外の紙材とすることもできる。この場合にも、対向板を、低剛性かつ軽量(エッチング液や水と比べて比重が小さい)とすることができる。
また、図1〜図3Iの実施形態において、支持部材9は、中心軸線A2まわりに回転可能に設けられてもよい。とくに、図3Gに示す対向面洗浄時において、対向面8aへの洗浄液の供給に並行して、支持部材9を回転させて対向板8を中心軸線A2まわりに回転させることにより、対向面8aの全域に(広範囲に亘って)洗浄液を供給できる。これにより、対向面8aの全域を良好に洗浄できる。
また、図1〜図3Iの実施形態のエッチング処理において、対向面洗浄(図2のS10)を、リンス処理(図2のS10)に並行して行うとしたが、リンス処理とは別に行ってもよい。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置1,201が円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1,201が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
ある。
5 スピンチャック(基板保持手段)
6 エッチング液供給ユニット(薬液供給手段)
8 対向板(対向部材)
8a 対向面
9 支持部材
30 下面
31 吸引口
34 吸引配管(吸引手段)
36 支持部材昇降ユニット(支持部材昇降手段)
45 エッチング液の液膜(薬液の液膜)
201 基板処理装置
202 対向板(対向部材)
W 基板
Claims (8)
- 基板を水平な姿勢で保持する基板保持手段と、
前記基板の上面の全域を覆う薬液の液膜を形成すべく、当該上面に薬液を供給する薬液供給手段と、
前記基板の上面に対向する対向面を有する対向部材であって、前記基板の上面に形成された前記薬液の前記液膜に前記対向面が接液しながら、前記薬液の前記液膜または前記基板保持手段によって保持される対向部材とを含む、基板処理装置。 - 前記対向部材は、対向板であり、
前記対向板は、前記薬液の前記液膜に前記対向面が接液しながら、前記薬液の前記液膜の上面に保持される、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記対向板は、低剛性材料を用いて形成されている、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記対向板は、前記エッチング液よりも比重が小さい材料を用いて形成されている、請求項2または3に記載の基板処理装置。
- 吸引口を有する下面を有し、前記対向板を上方側から支持するための支持部材と、
前記吸引口の内部を吸引する吸引手段と、
前記支持部材を昇降する支持部材昇降手段とを含む、請求項2〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板を基板保持手段により水平な姿勢で保持する基板保持工程と、
前記基板の上面に、前記基板の上面の全域を覆う薬液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記薬液の前記液膜の形成後、下面に対向面が形成された対向部材を前記薬液の前記液膜または前記基板保持手段に保持させて、前記薬液の前記液膜に前記対向面を接液させる接液工程とを含む、基板処理方法。 - 前記接液工程は、前記薬液の前記液膜に前記対向部材を保持させることにより、前記薬液の前記液膜に前記対向面を接液させる工程を含む、請求項6に記載の基板処理方法。
- 前記液膜形成工程に並行して、前記基板を鉛直軸線回りに回転させる回転工程と、
前記接液工程に並行して、前記基板を静止状態のまま維持する静止工程とを含む、請求項6または7に記載の基板処理方法。
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