JP2016152259A - Infrared ray emission element and manufacturing method for the same - Google Patents

Infrared ray emission element and manufacturing method for the same Download PDF

Info

Publication number
JP2016152259A
JP2016152259A JP2015027610A JP2015027610A JP2016152259A JP 2016152259 A JP2016152259 A JP 2016152259A JP 2015027610 A JP2015027610 A JP 2015027610A JP 2015027610 A JP2015027610 A JP 2015027610A JP 2016152259 A JP2016152259 A JP 2016152259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound semiconductor
layer
semiconductor layer
light emitting
infrared light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015027610A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP6591758B2 (en
Inventor
亮介 長谷川
Ryosuke Hasegawa
亮介 長谷川
尭 勝間田
Takashi Katsumata
尭 勝間田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Kasei Electronics Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority to JP2015027610A priority Critical patent/JP6591758B2/en
Publication of JP2016152259A publication Critical patent/JP2016152259A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6591758B2 publication Critical patent/JP6591758B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an infrared ray emission element having more excellent light emission intensity.SOLUTION: A compound semiconductor lamination part 20 formed on a semiconductor substrate 10 is configured by successively laminating, from the semiconductor substrate 10 side, an n-type doped first compound semiconductor layer 21 formed of InSb, an n-type doped second compound semiconductor layer 22 formed of AlInSb, an active layer 23 which is not doped and is formed of AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer 22, a p-type doped wide band gap layer 24 formed of AlInSb, and a p-type doped third compound semiconductor layer 25 formed of AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer 22.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は赤外線発光素子及び赤外線発光素子の製造方法に関する。   The present invention relates to an infrared light emitting element and a method for manufacturing the infrared light emitting element.

ＬＥＤ（発光素子：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いた分析機器は、それ以外の光源（例えば、電球等）を用いた分析機器と比較して小型化及び軽量化が可能であり、ポータブル、又は省スペース用途に効果的な光源である。
しかしながら、現在のところ、特に赤外領域においてはＬＥＤを光源とする分析機器は広く普及するに至っていない。 Analytical instruments that use LEDs (Light Emitting Diodes) can be made smaller and lighter than analytical instruments that use other light sources (such as light bulbs), and are portable or space-saving. It is an effective light source for use.
However, at present, analytical instruments using LEDs as light sources have not been widely used, particularly in the infrared region.

その理由の一つとして、公知の赤外線ＬＥＤでは十分な発光強度が得られないため、分析機器センサ部での信号強度（Ｓ／Ｎ比）が得られないというものがある。発光強度を大きくするほどＳ／Ｎ比は向上するため、広く応用されるためには、まず十分なＬＥＤの発光強度を得なければならない。
赤外領域の光を発光する赤外線ＬＥＤとしては、従来、非特許文献１に示すような構造のものが知られている。 One of the reasons is that the signal intensity (S / N ratio) cannot be obtained at the analytical instrument sensor unit because a sufficient emission intensity cannot be obtained with a known infrared LED. Since the S / N ratio is improved as the light emission intensity is increased, a sufficient LED light emission intensity must first be obtained in order to be widely applied.
Conventionally, an infrared LED that emits light in the infrared region has a structure as shown in Non-Patent Document 1.

Ｍ． Ｋ． Ｈａｉｇｈ ｅｔ ａｌ．， “Ｍｉｄ−Ｉｎｆｒａｒｅｄ ＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ” Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， ９０（２３）， ２３１１６ （２００７）．M.M. K. Hai et al. "Mid-Infrared AlxIn1-xSb light-emitting diodes" Applied Physics Letters, 90 (23), 23116 (2007).

しかしながら、非特許文献１に示すような構造を有する赤外線ＬＥＤであっても、十分な発光強度を得ることは困難である。
本発明は、上記問題点に着目してなされたものであり、発光強度のより優れた赤外線発光素子及び赤外線発光素子の製造方法を提供することを目的としている。 However, even with an infrared LED having a structure as shown in Non-Patent Document 1, it is difficult to obtain sufficient emission intensity.
The present invention has been made by paying attention to the above-described problems, and an object thereof is to provide an infrared light emitting device having a higher emission intensity and a method for manufacturing the infrared light emitting device.

本発明の一態様による赤外線発光素子は、半導体基板と、当該半導体基板上に形成される化合物半導体積層部とを備え、前記化合物半導体積層部は、前記半導体基板側から、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層、ノンドープであり前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる活性層、及びｐ型ドーピングされた前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる第３の化合物半導体層が、この順に積層されてなることを特徴とする。   An infrared light emitting device according to an aspect of the present invention includes a semiconductor substrate and a compound semiconductor stacked portion formed over the semiconductor substrate, and the compound semiconductor stacked portion includes n-type doped InSb from the semiconductor substrate side. A first compound semiconductor layer comprising n-type doped AlInSb, a non-doped active layer comprising AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer, and p-type doped. A third compound semiconductor layer made of AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer is laminated in this order.

本発明の他の態様による赤外線発光素子の製造方法は、半導体基板上に化合物半導体積層部を有する赤外線発光素子の製造方法であって、前記化合物半導体積層部を形成する工程は、前記半導体基板上に、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層を形成する工程と、前記第１の化合物半導体層の上に、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層を形成する工程と、前記第２の化合物半導体層の上に、ノンドープであり前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる活性層を形成する工程と、前記活性層の上に、ｐ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなるワイドバンドギャップ層を形成する工程と、前記ワイドバンドギャップ層の上に、ｐ型ドーピングされた前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる第３の化合物半導体層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。   An infrared light emitting device manufacturing method according to another aspect of the present invention is a method for manufacturing an infrared light emitting device having a compound semiconductor stacked portion on a semiconductor substrate, and the step of forming the compound semiconductor stacked portion is performed on the semiconductor substrate. Forming a first compound semiconductor layer made of n-type doped InSb, and forming a second compound semiconductor layer made of n-type doped AlInSb on the first compound semiconductor layer. Forming a non-doped active layer made of AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer on the second compound semiconductor layer; and p-type doping on the active layer. Forming a wide band gap layer made of AlInSb, and p-type doped second compound half layer on the wide band gap layer. Forming a third compound semiconductor layer made of AlInSb body layer of the same composition, characterized in that it comprises a.

本発明の一態様によれば、発光強度の優れた赤外線発光素子を実現することができる。   According to one embodiment of the present invention, an infrared light-emitting element with excellent emission intensity can be realized.

本発明の一実施形態における赤外線発光素子の化合物半導体積層部の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the compound semiconductor laminated part of the infrared rays light emitting element in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における赤外線発光素子の素子構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the element structure of the infrared light emitting element in one Embodiment of this invention. 赤外線発光素子の発光強度の一例を示す特性図である。It is a characteristic view which shows an example of the emitted light intensity of an infrared rays light emitting element.

以下の詳細な説明では、本発明の実施形態の完全な理解を提供するように多くの特定の具体的な構成について記載されている。しかしながら、このような特定の具体的な構成に限定されることなく他の実施態様が実施できることは明らかであろう。また、以下の実施形態は、特許請求の範囲に係る発明を限定するものではなく、実施形態で説明されている特徴的な構成の組み合わせの全てを含むものである。   In the following detailed description, numerous specific specific configurations are described to provide a thorough understanding of embodiments of the invention. However, it will be apparent that other embodiments may be practiced without limitation to such specific specific configurations. Further, the following embodiments do not limit the invention according to the claims, but include all combinations of characteristic configurations described in the embodiments.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。
＜赤外線発光素子＞
本発明の一実施形態における赤外線発光素子は、図１に示すように、半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された化合物半導体積層部２０と、を備える。化合物半導体積層部２０は、半導体基板１０側から、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層２１、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層２２、ノンドープであり、第２の化合物半導体層２２と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる活性層２３、ｐ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなるワイドバンドギャップ層２４、及びｐ型ドーピングされた第２の化合物半導体層２２と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる第３の化合物半導体層２５が、この順に積層された積層構造を有する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
<Infrared light emitting element>
As shown in FIG. 1, the infrared light emitting device in one embodiment of the present invention includes a semiconductor substrate 10 and a compound semiconductor stacked portion 20 formed on the semiconductor substrate 10. The compound semiconductor stacked unit 20 includes, from the semiconductor substrate 10 side, a first compound semiconductor layer 21 made of n-type doped InSb, a second compound semiconductor layer 22 made of n-type doped AlInSb, and non-doped. The active layer 23 made of AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer 22, the wide band gap layer 24 made of p-doped AlInSb, and the AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer 22 doped p-type. The third compound semiconductor layer 25 to be formed has a stacked structure in which they are stacked in this order.

半導体基板１０と活性層２３との間に、半導体基板１０側に形成された、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層２１と、第１の化合物半導体層２１の上に形成された、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層２２とを備えることにより、従来の赤外線発光素子よりも優れた発光強度を示す。
次に、本発明の一実施形態における赤外線発光素子の各構成要件について説明する。以下に記載される赤外線発光素子の各構成要件の特徴は、本発明の技術思想を逸脱しない範囲でそれぞれ単独または組み合わせて適用可能である。 A first compound semiconductor layer 21 made of n-type doped InSb and formed on the first compound semiconductor layer 21 is formed between the semiconductor substrate 10 and the active layer 23 and is formed on the semiconductor substrate 10 side. In addition, by providing the second compound semiconductor layer 22 made of n-doped AlInSb, the emission intensity is superior to that of the conventional infrared light emitting device.
Next, each component of the infrared light emitting element in one embodiment of the present invention will be described. The characteristics of each constituent element of the infrared light emitting element described below can be applied individually or in combination without departing from the technical idea of the present invention.

［半導体基板］
本発明の一実施形態における赤外線発光素子に含まれる半導体基板１０は、この半導体基板１０上に、半導体基板１０側から、第１の化合物半導体層２１、第２の化合物半導体層２２、活性層２３、ワイドバンドギャップ層２４、及び第３の化合物半導体層２５を、この順に積層することができれば特に制限されない。一例としては、半導体基板１０として、ＧａＡｓ基板、Ｓｉ基板、ＩｎＰ基板、ＩｎＳｂ基板等が挙げられるがこの限りではない。
本発明の一態様における半導体基板１０は、一つの半導体基板１０上に独立した複数の活性層２３を直列又は並列に接続可能にする観点から、半絶縁性又は第１の化合物半導体層２１と絶縁分離可能な基板からなる。 [Semiconductor substrate]
The semiconductor substrate 10 included in the infrared light emitting element according to the embodiment of the present invention includes a first compound semiconductor layer 21, a second compound semiconductor layer 22, and an active layer 23 on the semiconductor substrate 10 from the semiconductor substrate 10 side. The wide band gap layer 24 and the third compound semiconductor layer 25 are not particularly limited as long as they can be stacked in this order. Examples of the semiconductor substrate 10 include, but are not limited to, a GaAs substrate, a Si substrate, an InP substrate, and an InSb substrate.
The semiconductor substrate 10 according to one embodiment of the present invention is semi-insulating or insulated from the first compound semiconductor layer 21 from the viewpoint of allowing a plurality of independent active layers 23 to be connected in series or in parallel on one semiconductor substrate 10. It consists of a separable substrate.

［第１の化合物半導体層］
本発明の一実施形態における赤外線発光素子に含まれる第１の化合物半導体層２１は、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂ層であり、半導体基板１０上に積層される。ｎ型ドーパントとしては、シリコン（Ｓｉ）、テルル（Ｔｅ）、スズ（Ｓｎ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）等が挙げられる。
バーンシュタイン・モスシフトにより発光波長に対する透過性を高め、発光強度を向上させる観点から、ｎ型ドーピングの量は、本発明の一態様においては５×１０１８［ｃｍ−３］以上であり、また、一態様においては１×１０１９［ｃｍ−３］以上である。
活性層２３の結晶性を高め、発光強度を向上させるため、本発明の一態様では第１の化合物半導体層２１の膜厚は臨界膜厚以上であり、また、一態様では０．５μｍ以上である。 [First compound semiconductor layer]
The first compound semiconductor layer 21 included in the infrared light emitting element according to the embodiment of the present invention is an n-type doped InSb layer and is stacked on the semiconductor substrate 10. Examples of the n-type dopant include silicon (Si), tellurium (Te), tin (Sn), sulfur (S), and selenium (Se).
From the viewpoint of increasing the transmittance with respect to the emission wavelength by the Bernstein-Moss shift and improving the emission intensity, the amount of n-type doping is 5 × 10 18 [cm −3 ] or more in one embodiment of the present invention, In one embodiment, it is 1 × 10 19 [cm −3 ] or more.
In order to improve the crystallinity of the active layer 23 and improve the light emission intensity, in one embodiment of the present invention, the thickness of the first compound semiconductor layer 21 is not less than the critical thickness, and in one embodiment, not less than 0.5 μm. is there.

［第２の化合物半導体層］
本発明の一実施形態における赤外線発光素子に含まれる第２の化合物半導体層２２は、ｎ型ドーピングされたＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層（０≦ｘ≦１）であり、第１の化合物半導体層２１上に形成される。このＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層のＡｌ組成ｘ（０≦ｘ≦１）は、必要なバンドギャップの大きさや薄膜成長の容易さ等を考慮して設計されるが、本発明の一態様ではＡｌ組成ｘは０以上０．１以下であり、また、一態様では０．０２以上０．０６以下である。 [Second Compound Semiconductor Layer]
The second compound semiconductor layer 22 included in the infrared light emitting device according to the embodiment of the present invention is an n-type doped Al x In 1-x Sb layer (0 ≦ x ≦ 1), and the first compound semiconductor Formed on layer 21. The Al composition x (0 ≦ x ≦ 1) of the Al x In 1-x Sb layer is designed in consideration of the necessary band gap size, ease of thin film growth, and the like. The Al composition x is 0 or more and 0.1 or less, and in one aspect, 0.02 or more and 0.06 or less.

第２の化合物半導体層２２としては、具体的には、ＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層（０＜ｘ＜１）、ＩｎＳｂ層、ＡｌＳｂ層を適用することができる。
ｎ型ドーパントとしては、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅ等が挙げられる。バーンシュタイン・モスシフトによる発光波長に対する透過性を高め、発光強度を向上させる観点から、ｎ型ドーピングの量は、本発明の一態様では、５×１０１８［ｃｍ−３］以上であり、また、一態様では、１×１０１９［ｃｍ−３］以上である。 Specifically, an Al x In 1-x Sb layer (0 <x <1), an InSb layer, and an AlSb layer can be applied as the second compound semiconductor layer 22.
Examples of the n-type dopant include Si, Te, Sn, S, Se and the like. From the viewpoint of increasing the transmittance with respect to the emission wavelength by the Bernstein-Moss shift and improving the emission intensity, the amount of n-type doping is 5 × 10 18 [cm −3 ] or more in one embodiment of the present invention, In one embodiment, it is 1 × 10 19 [cm −3 ] or more.

活性層２３の結晶性を高め、発光強度を向上させる観点から、第２の化合物半導体層２２の膜厚は、本発明の一態様では０．１μｍ以上２μｍ以下である。
また、半導体基板１０上に素子を複数個直列に接続した構造を作製する観点から、本発明の一態様では第１の化合物半導体層２１と第２の化合物半導体層２２との膜厚の合計は３μｍ以下である。 From the viewpoint of improving the crystallinity of the active layer 23 and improving the emission intensity, the thickness of the second compound semiconductor layer 22 is 0.1 μm or more and 2 μm or less in one embodiment of the present invention.
In addition, from the viewpoint of manufacturing a structure in which a plurality of elements are connected in series on the semiconductor substrate 10, in one embodiment of the present invention, the total film thickness of the first compound semiconductor layer 21 and the second compound semiconductor layer 22 is 3 μm or less.

［活性層］
本発明の一実施形態における赤外線発光素子に含まれる活性層２３は、ノンドープであり第２の化合物半導体層２２と同一組成のＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層（０≦ｘ≦１）であり、第２の化合物半導体層２２上に形成される。
ここで、「第２の化合物半導体層と同一組成」とは、ＩＩＩ族元素であるＡｌ及びＩｎの比率が完全に同一である場合に加え、その差が０．５％以下であることまでを意味する。活性層２３としては、具体的には、ＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層（０＜ｘ＜１）、ＩｎＳｂ層、ＡｌＳｂ層を適用することができる。
発光強度を向上させる観点から、本発明の一態様では、活性層２３の膜厚は０．１μｍ以上３μｍ以下であり、また、一態様では１μｍ以上２μｍ以下である。 [Active layer]
The active layer 23 included in the infrared light emitting element according to the embodiment of the present invention is an Al x In 1-x Sb layer (0 ≦ x ≦ 1) that is non-doped and has the same composition as the second compound semiconductor layer 22. It is formed on the second compound semiconductor layer 22.
Here, “the same composition as the second compound semiconductor layer” means that the ratio of Al and In that are Group III elements is completely the same, and that the difference is 0.5% or less. means. Specifically, an Al x In 1-x Sb layer (0 <x <1), an InSb layer, and an AlSb layer can be applied as the active layer 23.
From the viewpoint of improving the emission intensity, in one embodiment of the present invention, the thickness of the active layer 23 is 0.1 μm or more and 3 μm or less, and in one embodiment, it is 1 μm or more and 2 μm or less.

［ワイドバンドギャップ層］
本発明の一実施形態における赤外線発光素子に含まれるワイドバンドギャップ層２４は、ｐ型ドーピングされたＡｌｙＩｎ１−ｙＳｂ層であり、活性層２３上に形成される。ｐ型ドーパントとしては、ベリリウム（Ｂｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、炭素（Ｃ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、クロム（Ｃｒ）等が挙げられる。ｐ型ドーパントのドーピング量は、本発明の一態様では７×１０１７［ｃｍ−３］以上であり、また、一態様では１×１０１８［ｃｍ−３］以上である。
注入されたキャリアを効率よく活性層２３内に留め、キャリアの発光再結合確率を増加させるため、本発明の一態様では、ワイドバンドギャップ層２４のバンドギャップは、ｎ型ドーピングされたＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層からなる第２の化合物半導体層２２よりもバンドギャップが大きい。 [Wide band gap layer]
The wide band gap layer 24 included in the infrared light emitting device according to the embodiment of the present invention is a p-type doped Al y In 1-y Sb layer and is formed on the active layer 23. Examples of the p-type dopant include beryllium (Be), zinc (Zn), cadmium (Cd), carbon (C), magnesium (Mg), germanium (Ge), chromium (Cr), and the like. The doping amount of the p-type dopant is 7 × 10 17 [cm −3 ] or more in one embodiment of the present invention, and is 1 × 10 18 [cm −3 ] or more in one embodiment.
In order to efficiently retain the injected carriers in the active layer 23 and increase the emission recombination probability of the carriers, in one embodiment of the present invention, the band gap of the wide band gap layer 24 is made of n-type doped Al x In. The band gap is larger than that of the second compound semiconductor layer 22 made of the 1-x Sb layer.

ワイドバンドギャップ層２４のバンドギャップを大きくする手段としては、ＩＩＩ族元素であるアルミニウム（Ａｌ）とインジウム（Ｉｎ）との比率を調整する方法が挙げられる。具体的にはワイドバンドギャップ層２４におけるＩｎに対するＡｌの比率を第２の化合物半導体層２２におけるＩｎに対するＡｌの比率に比べて大きくすることで、ワイドバンドギャップ層２４のバンドギャップを大きくすることが可能である。ワイドバンドギャップ層２４のＡｌ組成ｙは、本発明の一態様では、０．１５以上０．３以下であり、また、一態様では、０．１８以上０．２５以下である。
また、活性層２３との界面においてミスフィット転位等の格子欠陥が発生することを防ぎ、ワイドバンドギャップ層２４の結晶性を高めるため、ワイドバンドギャップ層２４の膜厚は本発明の一態様では臨界膜厚以下である。 As a means for increasing the band gap of the wide band gap layer 24, there is a method of adjusting the ratio of aluminum (Al) and indium (In), which are group III elements. Specifically, the band gap of the wide band gap layer 24 can be increased by increasing the ratio of Al to In in the wide band gap layer 24 as compared with the ratio of Al to In in the second compound semiconductor layer 22. Is possible. The Al composition y of the wide band gap layer 24 is 0.15 or more and 0.3 or less in one embodiment of the present invention, and is 0.18 or more and 0.25 or less in one embodiment.
In order to prevent the occurrence of lattice defects such as misfit dislocations at the interface with the active layer 23 and to enhance the crystallinity of the wide band gap layer 24, the film thickness of the wide band gap layer 24 is an aspect of the present invention. Below the critical film thickness.

［第３の化合物半導体層］
本発明の一実施形態における赤外線発光素子に含まれる第３の化合物半導体層２５は、ｐ型ドーピングされた第２の化合物半導体層２２と同一組成のＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層（０≦ｘ≦１）であり、ワイドバンドギャップ層２４上に形成される。
ここで、「第２の化合物半導体層と同一組成」とは、ＩＩＩ族元素であるＡｌ及びＩｎの比率が完全に同一である場合に加え、その差が０．５％以下であることまでを意味する。第３の化合物半導体層２５としては、具体的には、ＡｌｘＩｎ１−ｘＳｂ層（０＜ｘ＜１）、ＩｎＳｂ層、ＡｌＳｂ層を適用することができる。 [Third Compound Semiconductor Layer]
The third compound semiconductor layer 25 included in the infrared light emitting device according to the embodiment of the present invention includes an Al x In 1-x Sb layer (0 ≦ x) having the same composition as the p-type doped second compound semiconductor layer 22. ≦ 1) and formed on the wide band gap layer 24.
Here, “the same composition as the second compound semiconductor layer” means that the ratio of Al and In that are Group III elements is completely the same, and that the difference is 0.5% or less. means. Specifically, an Al x In 1-x Sb layer (0 <x <1), an InSb layer, and an AlSb layer can be applied as the third compound semiconductor layer 25.

ｐ型ドーパントとしては、Ｂｅ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃ、Ｍｇ、Ｇｅ、Ｃｒ等が挙げられる。
化合物半導体積層部２０に電極を形成する場合、第３の化合物半導体層２５はコンタクト層となる。電極とのコンタクト抵抗は等価回路上のシリーズ抵抗となり、発光素子の電力を消費する。したがって、コンタクト抵抗を下げるため、ｐ型ドーパントのドーピング量は、本発明の一態様では７×１０１７［ｃｍ−３］以上であり、また、一態様では１×１０１８［ｃｍ−３］以上である。 Examples of the p-type dopant include Be, Zn, Cd, C, Mg, Ge, and Cr.
When an electrode is formed in the compound semiconductor stacked portion 20, the third compound semiconductor layer 25 becomes a contact layer. The contact resistance with the electrode becomes a series resistance on the equivalent circuit and consumes the power of the light emitting element. Therefore, in order to reduce contact resistance, the doping amount of the p-type dopant is 7 × 10 17 [cm −3 ] or more in one embodiment of the present invention, and 1 × 10 18 [cm −3 ] or more in one embodiment. It is.

［その他］
本発明の一実施形態における赤外線発光素子は、活性層２３に電力を供給するための電極部をさらに有していてもよい。一例としては第３の化合物半導体層２５に接続されるｐ型電極部と、第１の化合物半導体層２１及び／又は第２の化合物半導体層２２に接続されるｎ型電極部を有する形態が挙げられる。
また、本発明の一実施形態における赤外線発光素子は、第１の化合物半導体層２１、第２の化合物半導体層２２、活性層２３、ワイドバンドギャップ層２４、及び第３の化合物半導体層２５がこの順に積層されてなる化合物半導体積層部２０は、その一部がメサ構造になっていてもよい。 [Others]
The infrared light emitting device in one embodiment of the present invention may further have an electrode portion for supplying power to the active layer 23. As an example, there is a form having a p-type electrode portion connected to the third compound semiconductor layer 25 and an n-type electrode portion connected to the first compound semiconductor layer 21 and / or the second compound semiconductor layer 22. It is done.
The infrared light emitting device according to the embodiment of the present invention includes the first compound semiconductor layer 21, the second compound semiconductor layer 22, the active layer 23, the wide band gap layer 24, and the third compound semiconductor layer 25. A part of the compound semiconductor stacked unit 20 stacked in order may have a mesa structure.

化合物半導体積層部２０にメサ構造を設けることによって、基板平面方向に複数の発光層を形成することが可能であり、該複数の発光層を直列又は並列に接続することが容易となる。メサ構造にする方法は特に制限されないが、ウェットエッチング法やドライエッチング法を適用することができる。化合物半導体積層部２０にメサ構造を設け、複数の発光層を直列または並列に接続する場合は、化合物半導体積層部２０の一部に絶縁層を形成することで容易且つ効率的に赤外線発光素子を形成することができる。絶縁層としては酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられる。
また、化合物半導体積層部２０が大気と直接接することを防止するために、保護層を更に備えていてもよい。保護層としては光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等が挙げられる。 By providing a mesa structure in the compound semiconductor stacked portion 20, it is possible to form a plurality of light emitting layers in the substrate plane direction, and it becomes easy to connect the plurality of light emitting layers in series or in parallel. A method for forming a mesa structure is not particularly limited, but a wet etching method or a dry etching method can be applied. In the case where a mesa structure is provided in the compound semiconductor stacked unit 20 and a plurality of light emitting layers are connected in series or in parallel, an infrared light emitting element can be easily and efficiently formed by forming an insulating layer in a part of the compound semiconductor stacked unit 20 Can be formed. Examples of the insulating layer include silicon oxide and silicon nitride.
Moreover, in order to prevent the compound semiconductor laminated part 20 from contacting air | atmosphere directly, you may further provide the protective layer. Examples of the protective layer include a photocurable resin and a thermosetting resin.

＜赤外線発光素子の製造方法＞
次に、本発明の一実施形態における赤外線発光素子の製造方法の一例を説明する。
本発明の一実施形態における赤外線発光素子は、半導体基板１０上に分子線エピタキシー法（MBE; Molecular Beam Epitaxy法）や、有機金属気相成長法（MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition法）によって化合物半導体積層部２０を形成することにより製造することができる。活性層２３及び第３の化合物半導体層２５を第２の化合物半導体層２２と同一組成にするためには、各層の製膜条件、すなわち、半導体基板１０の温度や供給原料の条件等を同一にすることにより実現可能である。また、ワイドバンドギャップ層２４のバンドギャップを第２の化合物半導体層２２のバンドギャップよりも大きくするためには、Ａｌ原料の供給量を増やすことで実現可能である。 <Infrared light emitting device manufacturing method>
Next, an example of the manufacturing method of the infrared light emitting element in one Embodiment of this invention is demonstrated.
An infrared light emitting device according to an embodiment of the present invention is a compound semiconductor formed on a semiconductor substrate 10 by molecular beam epitaxy (MBE) or metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). It can be manufactured by forming the laminated portion 20. In order to make the active layer 23 and the third compound semiconductor layer 25 have the same composition as the second compound semiconductor layer 22, the film forming conditions of each layer, that is, the temperature of the semiconductor substrate 10, the conditions of the feedstock, etc. This is feasible. Further, in order to make the band gap of the wide band gap layer 24 larger than the band gap of the second compound semiconductor layer 22, it can be realized by increasing the supply amount of the Al raw material.

＜実施形態の効果＞
このように、本実施形態では、活性層２３と半導体基板１０との間に、半導体基板１０側から順に、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層２１と、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層２２とを設けたため、発光強度のより大きい赤外線発光素子を実現することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲は、上述した実施形態に記載の技術的範囲には限定されない。上述した実施形態に、多様な変更又は改良を加えることも可能であり、そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲から明らかである。 <Effect of embodiment>
As described above, in the present embodiment, the first compound semiconductor layer 21 made of n-type doped InSb and the n-type doped are sequentially formed between the active layer 23 and the semiconductor substrate 10 from the semiconductor substrate 10 side. Since the second compound semiconductor layer 22 made of AlInSb is provided, an infrared light emitting element with higher emission intensity can be realized.
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, the technical scope of this invention is not limited to the technical scope as described in embodiment mentioned above. It is apparent from the scope of the claims that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiments, and such modifications or improvements can be included in the technical scope of the present invention. is there.

以下、本発明の一実施形態における赤外線発光素子を、実施例を用いて詳細に説明する。
［実施例１］
図１に示すように、半絶縁性ＧａＡｓ基板（半導体基板１０）上に、ＭＢＥ装置を用いてＳｎを１×１０１９［ｃｍ−３］ドーピングしたｎ型ＩｎＳｂ層（第１の化合物半導体層２１）を０．５μｍと、Ｓｎを１×１０１９［ｃｍ−３］ドーピングしたｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層（第２の化合物半導体層２２）を０．５μｍと、ノンドープのＡｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層（活性層２３）を２μｍと、Ｚｎを１×１０１８［ｃｍ−３］ドーピングしたｐ型Ａｌ０．１８Ｉｎ０．８２Ｓｂ層（ワイドバンドギャップ層２４）を２０ｎｍと、Ｚｎを１×１０１８［ｃｍ−３］ドーピングしたｐ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層（第３の化合物半導体層２５）を０．５μｍと、を半絶縁性ＧａＡｓ基板（半導体基板１０）側からこの順に積層し、化合物半導体積層部２０を形成した。 Hereinafter, an infrared light emitting device according to an embodiment of the present invention will be described in detail using examples.
[Example 1]
As shown in FIG. 1, an n-type InSb layer (first compound semiconductor layer 21) doped with 1 × 10 19 [cm −3 ] Sn using a MBE apparatus on a semi-insulating GaAs substrate (semiconductor substrate 10). ) 0.5 μm, Sn 1 × 10 19 [cm −3 ] doped n-type Al 0.034 In 0.966 Sb layer (second compound semiconductor layer 22) 0.5 μm, non-doped Al A p-type Al 0.18 In 0.82 Sb layer (wide band gap layer 24) doped with 0.034 In 0.966 Sb layer (active layer 23) 2 μm and Zn 1 × 10 18 [cm −3 ] and 20nm, and the Zn 1 × 10 18 [cm -3 ] doped p-type Al 0.034 in 0.966 Sb layer (third compound semiconductor layer 25) and 0.5μm, and the semi-insulating GaAs substrate Laminating the semiconductor substrate 10) side in this order, to form a compound semiconductor lamination portion 20.

次いで、第３の化合物半導体層２５上にレジストパターンを形成し、ウェットエッチングを施すことで、図２に示すように、メサ構造２０ａを作製した。さらに各発光素子が電気的に独立となるように、メサ構造２０ａどうしの間に、酸化ケイ素からなる絶縁溝３０を形成し、メサ構造２０ａ及び絶縁溝３０を含む化合物半導体積層部２０全面に、絶縁層４０として窒化ケイ素を形成した。この絶縁層４０の一部にコンタクトホール４１を形成し、コンタクトホール４１を覆うように、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）をこの順に堆積して電極部５０を形成し、図２（ただし図２（ａ）では絶縁層４０は省略している）に示すパターンが複数個直列接続された赤外線発光素子を得た。   Next, a resist pattern was formed on the third compound semiconductor layer 25, and wet etching was performed to produce a mesa structure 20a as shown in FIG. Further, an insulating groove 30 made of silicon oxide is formed between the mesa structures 20a so that each light emitting element is electrically independent, and the entire surface of the compound semiconductor stacked unit 20 including the mesa structure 20a and the insulating groove 30 is formed. Silicon nitride was formed as the insulating layer 40. A contact hole 41 is formed in a part of the insulating layer 40, and titanium (Ti), platinum (Pt), and gold (Au) are deposited in this order so as to cover the contact hole 41 to form the electrode unit 50. An infrared light emitting device in which a plurality of patterns shown in FIG. 2 (however, the insulating layer 40 is omitted in FIG. 2A) is connected in series was obtained.

［比較例１］
比較例１における赤外線発光素子は、実施例１における赤外線発光素子において、Ｓｎを１×１０１９［ｃｍ−３］ドーピングしたｎ型ＩｎＳｂ層（第１の化合物半導体層２１）とＳｎを１×１０１９［ｃｍ−３］ドーピングしたｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層（第２の化合物半導体層２２）とに替えて、Ｓｎを１×１０１９［ｃｍ−３］ドーピングしたｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層を用いたものである。このＳｎを１×１０１９［ｃｍ−３］ドーピングしたｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層の膜厚は、１μｍとした。第１の化合物半導体層２１及び第２の化合物半導体層２２を、Ｓｎを１×１０１９［ｃｍ−３］ドーピングしたｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層に代えたこと以外は、実施例１と同様の方法で赤外線発光素子を得た。 [Comparative Example 1]
The infrared light-emitting element in Comparative Example 1 is the same as the infrared light-emitting element in Example 1, but an n-type InSb layer (first compound semiconductor layer 21) doped with Sn at 1 × 10 19 [cm −3 ] and Sn at 1 × 10. Instead of 19 [cm −3 ] doped n-type Al 0.034 In 0.966 Sb layer (second compound semiconductor layer 22), Sn is doped with 1 × 10 19 [cm −3 ] doped n-type Al. A 0.034 In 0.966 Sb layer is used. The film thickness of the n-type Al 0.034 In 0.966 Sb layer doped with 1 × 10 19 [cm −3 ] of Sn was 1 μm. Implementation was performed except that the first compound semiconductor layer 21 and the second compound semiconductor layer 22 were replaced with n-type Al 0.034 In 0.966 Sb layers doped with Sn at 1 × 10 19 [cm −3 ]. An infrared light emitting device was obtained in the same manner as in Example 1.

つまり、実施例１における赤外線発光素子は、活性層２３と半導体基板１０との間に、半導体基板１０側から、ｎ型ＩｎＳｂ層からなる第１の化合物半導体層２１とｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層からなる第２の化合物半導体層２２とをこの順に設けていたのに対し、比較例１における赤外線発光素子は、活性層２３と半導体基板１０との間に、ｎ型ＩｎＳｂ層（第１の化合物半導体層２１）は設けずに、ｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層（第２の化合物半導体層２２）のみを設けた。 That is, the infrared light emitting element in Example 1 includes the first compound semiconductor layer 21 formed of the n-type InSb layer and the n-type Al 0.034 In between the active layer 23 and the semiconductor substrate 10 from the semiconductor substrate 10 side. Whereas the second compound semiconductor layer 22 composed of a 0.966 Sb layer is provided in this order, the infrared light emitting device in Comparative Example 1 has an n-type InSb layer between the active layer 23 and the semiconductor substrate 10. Only the n-type Al 0.034 In 0.966 Sb layer (second compound semiconductor layer 22) was provided without providing the (first compound semiconductor layer 21).

［発光強度の比較］
このようにして形成した実施例１及び比較例１における赤外線発光素子について、発光強度を測定した。
発光強度は、旭化成エレクトロニクス社製の赤外線センサＩＲ１０１１と、４．３μｍバンドパスフィルタとを組み合わせたものを検出器として用い、ＩＶ変換アンプ及びロックインアンプを用いて信号増幅及びノイズ除去を行った上で出力を得た。
実施例１及び比較例１における赤外線発光素子それぞれについて、印加電流を変化させた場合の、発光強度を測定した。図３にその結果を示す。なお、図３において、横軸は印加電流〔ｍＡ〕、縦軸は発光強度〔ａ．ｕ．〕である。また、記号「○」は実施例１における赤外線発光素子による測定結果を表し、記号「△」は比較例１における赤外線発光素子による測定結果を表す。 [Comparison of luminous intensity]
The emission intensity of the infrared light emitting devices in Example 1 and Comparative Example 1 thus formed was measured.
The emission intensity is a combination of infrared sensor IR1011 manufactured by Asahi Kasei Electronics Co., Ltd. and a 4.3 μm bandpass filter as a detector, and signal amplification and noise removal are performed using an IV conversion amplifier and a lock-in amplifier. Got the output.
For each of the infrared light emitting devices in Example 1 and Comparative Example 1, the light emission intensity was measured when the applied current was changed. The result is shown in FIG. In FIG. 3, the horizontal axis represents the applied current [mA], and the vertical axis represents the emission intensity [a. u. ]. Further, the symbol “◯” represents the measurement result by the infrared light emitting element in Example 1, and the symbol “Δ” represents the measurement result by the infrared light emitting element in Comparative Example 1.

図３に示すように、実施例１及び比較例１における赤外線発光素子共に、印加電流が大きいときほど発光強度は大きいが、いずれの印加電流を印加した場合であっても、実施例１における赤外線発光素子の方が、比較例１における赤外線発光素子に比較して約２倍の発光強度が得られることが確認された。つまり、活性層２３と半導体基板１０との間に、単一なｎ型Ａｌ０．０３４Ｉｎ０．９６６Ｓｂ層だけでなく、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層２１と、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層２２とを備えることにより、より大きな発光強度を得ることができることが確認された。 As shown in FIG. 3, both the infrared light emitting elements in Example 1 and Comparative Example 1 have a larger light emission intensity as the applied current is larger, but the infrared light in Example 1 is applied regardless of which applied current is applied. It was confirmed that the light emitting element can obtain about twice the emission intensity as compared with the infrared light emitting element in Comparative Example 1. That is, not only a single n-type Al 0.034 In 0.966 Sb layer but also the first compound semiconductor layer 21 made of n-type doped InSb between the active layer 23 and the semiconductor substrate 10; It was confirmed that by providing the second compound semiconductor layer 22 made of n-type doped AlInSb, higher emission intensity can be obtained.

本発明は、赤外領域の波長の光を発光する赤外線発光素子として好適である。この赤外線発光素子は、例えば赤外線受光素子等と組み合わせた機器（ガスセンサ、人感センサ等）に好適である。   The present invention is suitable as an infrared light emitting element that emits light having a wavelength in the infrared region. This infrared light emitting element is suitable for a device (gas sensor, human sensor, etc.) combined with, for example, an infrared light receiving element.

１０ 半導体基板
２０ 化合物半導体積層部
２０ａ メサ構造
２１ 第１の化合物半導体層
２２ 第２の化合物半導体層
２３ 活性層
２４ ワイドバンドギャップ層
２５ 第３の化合物半導体層
４１ コンタクトホール
５０ 電極部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor substrate 20 Compound semiconductor laminated part 20a Mesa structure 21 1st compound semiconductor layer 22 2nd compound semiconductor layer 23 Active layer 24 Wide band gap layer 25 3rd compound semiconductor layer 41 Contact hole 50 Electrode part

Claims (7)

半導体基板と、当該半導体基板上に形成される化合物半導体積層部とを備え、
前記化合物半導体積層部は、前記半導体基板側から、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層、ノンドープであり前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる活性層、及びｐ型ドーピングされた前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる第３の化合物半導体層が、この順に積層されてなる赤外線発光素子。 A semiconductor substrate, and a compound semiconductor stack formed on the semiconductor substrate,
The compound semiconductor stacked portion includes, from the semiconductor substrate side, a first compound semiconductor layer made of n-type doped InSb, a second compound semiconductor layer made of n-type doped AlInSb, non-doped, and the second compound semiconductor layer An infrared light emitting device in which an active layer made of AlInSb having the same composition as the compound semiconductor layer and a third compound semiconductor layer made of AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer doped with p-type are stacked in this order. . 前記活性層と前記第３の化合物半導体層との間に、ｐ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなるワイドバンドギャップ層を備える請求項１記載の赤外線発光素子。   The infrared light emitting device according to claim 1, further comprising a wide band gap layer made of p-type doped AlInSb between the active layer and the third compound semiconductor layer. 前記ワイドバンドギャップ層は、前記第２の化合物半導体層よりもバンドギャップが大きい請求項２に記載の赤外線発光素子。   The infrared light emitting device according to claim 2, wherein the wide band gap layer has a band gap larger than that of the second compound semiconductor layer. 前記ワイドバンドギャップ層の膜厚は、臨界膜厚以下である請求項２又は請求項３に記載の赤外線発光素子。   The infrared light emitting device according to claim 2 or 3, wherein the film thickness of the wide band gap layer is not more than a critical film thickness. 前記第１の化合物半導体層の膜厚は、臨界膜厚以上である請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の赤外線発光素子。   The infrared light emitting element according to any one of claims 1 to 4, wherein a film thickness of the first compound semiconductor layer is not less than a critical film thickness. 前記半導体基板は、半絶縁性の半導体基板、又は前記半導体基板と当該半導体基板上に形成された前記第１の化合物半導体層とが絶縁分離可能な半導体基板である請求項５に記載の赤外線発光素子。   6. The infrared light emitting device according to claim 5, wherein the semiconductor substrate is a semi-insulating semiconductor substrate, or a semiconductor substrate in which the semiconductor substrate and the first compound semiconductor layer formed on the semiconductor substrate can be insulated and separated. element. 半導体基板上に化合物半導体積層部を有する赤外線発光素子の製造方法であって、
前記化合物半導体積層部を形成する工程は、
前記半導体基板上に、ｎ型ドーピングされたＩｎＳｂからなる第１の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第１の化合物半導体層の上に、ｎ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなる第２の化合物半導体層を形成する工程と、
前記第２の化合物半導体層の上に、ノンドープであり前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に、ｐ型ドーピングされたＡｌＩｎＳｂからなるワイドバンドギャップ層を形成する工程と、
前記ワイドバンドギャップ層の上に、ｐ型ドーピングされた前記第２の化合物半導体層と同一組成のＡｌＩｎＳｂからなる第３の化合物半導体層を形成する工程と、
を備える赤外線発光素子の製造方法。 A method for manufacturing an infrared light emitting device having a compound semiconductor laminate on a semiconductor substrate,
The step of forming the compound semiconductor stacked portion includes:
Forming a first compound semiconductor layer made of n-type doped InSb on the semiconductor substrate;
Forming a second compound semiconductor layer made of n-type doped AlInSb on the first compound semiconductor layer;
Forming an active layer made of AlInSb that is non-doped and has the same composition as the second compound semiconductor layer on the second compound semiconductor layer;
Forming a wide band gap layer of p-type doped AlInSb on the active layer;
Forming a third compound semiconductor layer made of AlInSb having the same composition as the second compound semiconductor layer doped with p-type on the wide band gap layer;
A method for manufacturing an infrared light emitting device comprising:
JP2015027610A 2015-02-16 2015-02-16 Infrared light emitting device and method for manufacturing infrared light emitting device Active JP6591758B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015027610A JP6591758B2 (en) 2015-02-16 2015-02-16 Infrared light emitting device and method for manufacturing infrared light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015027610A JP6591758B2 (en) 2015-02-16 2015-02-16 Infrared light emitting device and method for manufacturing infrared light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016152259A true JP2016152259A (en) 2016-08-22
JP6591758B2 JP6591758B2 (en) 2019-10-16

Family

ID=56695526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015027610A Active JP6591758B2 (en) 2015-02-16 2015-02-16 Infrared light emitting device and method for manufacturing infrared light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6591758B2 (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018109619A (en) * 2016-12-28 2018-07-12 旭化成エレクトロニクス株式会社 Light receiving device and light emitting/receiving device
JP2019009438A (en) * 2017-06-20 2019-01-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 Infrared light emitting diode
US10212776B2 (en) * 2016-12-28 2019-02-19 Asahi Kasei Microdevices Corporation Light receiving device and light emitting and receiving device
CN109817754A (en) * 2019-01-25 2019-05-28 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 A kind of material structure and preparation method thereof making InSb infrared detector
US10573782B2 (en) 2017-12-21 2020-02-25 Asahi Kasei Microdevices Corporation Infrared light emitting device
JP2020126977A (en) * 2019-02-06 2020-08-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 Infrared light emitting element
JP2021057557A (en) * 2019-10-02 2021-04-08 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Point source type light-emitting diode and manufacturing method of the same
US11935973B2 (en) 2018-02-28 2024-03-19 Asahi Kasei Microdevices Corporation Infrared detecting device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11513489A (en) * 1995-09-29 1999-11-16 イギリス国 Dynamic infrared scene projector
US20020195677A1 (en) * 1998-01-29 2002-12-26 Manijeh Razeghi Multi color detector
JP2007299944A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2009158831A (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Horiba Ltd Semiconductor light emitting element
WO2009113685A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 Infrared light emitting device
US20100051900A1 (en) * 2006-01-11 2010-03-04 Huffaker Diana L Misfit dislocation forming interfacial self-assembly for growth of highly-mismatched iii-sb alloys
JP2013211458A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2014179427A (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared light-emitting element and gas sensor

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11513489A (en) * 1995-09-29 1999-11-16 イギリス国 Dynamic infrared scene projector
US20020195677A1 (en) * 1998-01-29 2002-12-26 Manijeh Razeghi Multi color detector
US20100051900A1 (en) * 2006-01-11 2010-03-04 Huffaker Diana L Misfit dislocation forming interfacial self-assembly for growth of highly-mismatched iii-sb alloys
JP2007299944A (en) * 2006-04-28 2007-11-15 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2009158831A (en) * 2007-12-27 2009-07-16 Horiba Ltd Semiconductor light emitting element
WO2009113685A1 (en) * 2008-03-14 2009-09-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 Infrared light emitting device
JP2014013944A (en) * 2008-03-14 2014-01-23 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared light-emitting element
JP2013211458A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared sensor
JP2014179427A (en) * 2013-03-14 2014-09-25 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Infrared light-emitting element and gas sensor

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018109619A (en) * 2016-12-28 2018-07-12 旭化成エレクトロニクス株式会社 Light receiving device and light emitting/receiving device
US10212776B2 (en) * 2016-12-28 2019-02-19 Asahi Kasei Microdevices Corporation Light receiving device and light emitting and receiving device
JP2019009438A (en) * 2017-06-20 2019-01-17 旭化成エレクトロニクス株式会社 Infrared light emitting diode
JP7233859B2 (en) 2017-06-20 2023-03-07 旭化成エレクトロニクス株式会社 infrared light emitting diode
US10573782B2 (en) 2017-12-21 2020-02-25 Asahi Kasei Microdevices Corporation Infrared light emitting device
US11935973B2 (en) 2018-02-28 2024-03-19 Asahi Kasei Microdevices Corporation Infrared detecting device
CN109817754A (en) * 2019-01-25 2019-05-28 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 A kind of material structure and preparation method thereof making InSb infrared detector
JP2020126977A (en) * 2019-02-06 2020-08-20 旭化成エレクトロニクス株式会社 Infrared light emitting element
JP7060530B2 (en) 2019-02-06 2022-04-26 旭化成エレクトロニクス株式会社 Infrared light emitting element
JP2021057557A (en) * 2019-10-02 2021-04-08 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Point source type light-emitting diode and manufacturing method of the same
JP7027385B2 (en) 2019-10-02 2022-03-01 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Point light source type light emitting diode and its manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP6591758B2 (en) 2019-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6591758B2 (en) Infrared light emitting device and method for manufacturing infrared light emitting device
JP4571920B2 (en) Light detector
JP5800291B2 (en) ZnO-based semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006332205A (en) Nitride semiconductor light emitting element
JP6487284B2 (en) Infrared sensor element and manufacturing method thereof
CN103247708B (en) Semiconductor photosensitive element
KR20100103866A (en) High-performance heterostructure light emitting devices and methods
JP2010056504A (en) Semiconductor device
US8350290B2 (en) Light-receiving device and manufacturing method for a light-receiving device
JP6283324B2 (en) Infrared light emitting element
JP2011198808A (en) Avalanche photodiode
US9130126B2 (en) Semiconductor light emitting device
KR102099440B1 (en) A method of manufacturing a light emitting device
JP2008205368A (en) Optical element
JP7096684B2 (en) Infrared light emitting element
JP4829209B2 (en) Quantum dot infrared detector
JP2007123587A (en) Light receiving element
JP6764705B2 (en) Infrared light receiving element
JP2011171367A (en) Semiconductor light receiving element and semiconductor light receiving device
JP6908367B2 (en) Infrared light emitting element
US10374127B2 (en) Electronic devices with nanorings, and methods of manufacture thereof
JP5706209B2 (en) Semiconductor ultraviolet light receiving element and manufacturing method thereof
JP2011138836A (en) Manufacturing method for light-emitting element
JP2018182261A (en) Semiconductor light-receiving device
US20220293673A1 (en) Led array and method of forming a led array

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180111

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190108

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190910

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190919

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6591758

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150