JP2016152143A - 有機ｅｌ装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品質を向上させることができる有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置の製造方法であって、有機ＥＬ素子を形成する工程と、有機ＥＬ素子の上に封止層を形成する工程と、封止層の上に黒色樹脂を塗布する工程と、黒色樹脂の上にレジストを塗布して露光しレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとし、アッシング法を用いて黒色樹脂にアッシング処理を施してブラックマトリクスを形成する工程と、を有する。【選択図】図６

Description

本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。

上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極（画素電極）と陰極（対向電極）との間に有機発光材料からなる発光層が挟持された発光素子を有している。有機ＥＬ装置は、例えば、特許文献１に記載のように、発光素子の上層に、封止層を介してカラーフィルターが配置されている。

カラーフィルターは、例えば、ブラックマトリクスと、赤色着色層と、緑色着色層と、青色着色層と、を有して構成されている。これらは、例えば、特許文献１に記載のように、インクジェット法によって樹脂材料が塗布され、乾燥及び硬化することにより形成することができる。インクジェット法以外にも、フォトリソグラフィー法を用いて形成することもできる。

特開２００８−６６２１６号公報

しかしながら、フォトリソグラフィー法で形成する場合、各色着色層やブラックマトリクス（黒色樹脂）に色がついていることから、紫外線（ＵＶ）の透過率が悪く、微細なパターンの露光が困難であるという問題がある。例えば、各色着色層の露光の解像度が２μｍ程度であり、ブラックマトリクスの露光の解像度が４μｍ程度であることから、画素ピッチが５μｍ以下になると、特にブラックマトリクスの微細加工が難しいという課題がある。

一方、発光素子に有機発光材料を用いているので、ブラックマトリクスに金属膜を用いる場合、高温（数百℃）で成膜する必要があり、発光材料にダメージを与える恐れがある。また、金属膜のエッチング工程で、ブラックマトリクスの下層の封止層にダメージを与える恐れがあるという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、有機ＥＬ装置の製造方法であって、有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の上に封止層を形成する工程と、前記封止層の上に黒色樹脂を塗布する工程と、前記黒色樹脂の上にレジストを塗布して露光しレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし、アッシング法を用いて前記黒色樹脂にアッシング処理を施してブラックマトリクスを形成する工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、レジストパターンをマスクとして黒色樹脂にアッシング処理を施してブラックマトリクスを形成するので、黒色樹脂の露光特性がパターニングに影響を与えることなく、ブラックマトリクスの微細加工を行うことができる。更に、黒色樹脂のように透過率の低い材料でも微細加工を行うことができる。これにより、高解像度に対応した有機ＥＬ装置を形成することができる。

［適用例２］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、有機ＥＬ装置の製造方法であって、有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記有機ＥＬ素子の上に封止層を形成する工程と、前記封止層の上に着色樹脂を塗布する工程と、前記着色樹脂の上にレジストを塗布して露光しレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとし、アッシング法を用いて前記着色樹脂にアッシング処理を施してカラーフィルターを形成する工程と、を有することを特徴とする。

本適用例によれば、レジストパターンをマスクとして着色樹脂にアッシング処理を施してカラーフィルターを形成するので、着色樹脂の露光特性がパターニングに影響を与えることなく、カラーフィルターの微細加工を行うことができる。更に、着色樹脂のように透過率の低い材料でも微細加工を行うことができる。これにより、高解像度に対応した有機ＥＬ装置を形成することができる。

［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ブラックマトリクスを形成する工程の後、前記封止層上にカラーフィルターを形成する工程を有することが好ましい。

本適用例によれば、ブラックマトリクスを有するカラーフィルターを形成するので、混色が少なく、高い色再現性を実現することができる。更に、ブラックマトリクスを備えるので視野角特性を向上させることができる。

［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止層における前記ブラックマトリクスと接する層は、シリコン化合物であることが好ましい。

本適用例によれば、ブラックマトリクスと接する層、言い換えれば、封止層の表面層がシリコン化合物であるので、ブラックマトリクスを形成する際に、酸素プラズマを用いてアッシング処理を行った場合、封止層の表面層にダメージが加わることを抑えることができる。よって、ガスバリア性を維持することができる。

［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記封止層における前記カラーフィルターと接する層は、シリコン化合物であることが好ましい。

本適用例によれば、カラーフィルターと接する層、言い換えれば、封止層の表面層がシリコン化合物であるので、カラーフィルターを形成する際に、酸素プラズマを用いてアッシング処理を行った場合、封止層の表面層にダメージが加わることを抑えることができる。よって、ガスバリア性を維持することができる。

［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記アッシング処理を行った後に、前記レジストパターンを除去する工程を有することが好ましい。

本適用例によれば、アッシング処理によってレジストパターンと黒色樹脂（着色樹脂）との両方が灰化され、その結果、レジストパターンが残る場合でも、レジストパターンを除去する工程があるので、確実にレジストパターンを除去することができる。

［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記ブラックマトリクス又は前記カラーフィルター、及び前記封止層は、１１０℃以下の温度で形成することが好ましい。

本適用例によれば、いずれの形成工程も１１０℃以下の温度で形成するので、下層に配置された有機ＥＬ素子（有機ＥＬ層）にダメージが加わることを抑えることができる。

第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 カラーフィルター及びサブ画素の配置を示す概略平面図。 有機ＥＬ装置の全体構造を示す概略断面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の全体構造を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す概略断面図。 カラーフィルターの平面的な配置を示す概略平面図。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。 有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図。 変形例の有機ＥＬ装置のサブ画素及びカラーフィルターの構成を示す概略平面図。 変形例の有機ＥＬ装置のサブ画素及びカラーフィルターの構成を示す概略平面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載され、特別な記載がなければ、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を含んでいるものとする。

（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置について、図１〜図５を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３はカラーフィルター及びサブ画素の配置を示す概略平面図、図４は有機ＥＬ装置の全体構造を示す概略断面図、図５は図３のＡ−Ａ’線に沿ったサブ画素の構造を示す概略断面図である。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリクス状に配置された複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１と、共通電極としての対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた有機発光層としての機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。なお、詳しくは後述するが、対向電極３３は複数のサブ画素１８に亘る共通陰極として形成されている。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。

駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。

該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。

実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。

本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。

素子基板１０のＸ方向に平行な一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、フレキシブル回路基板４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。

表示領域Ｅ０と素子基板１０の外縁との間、つまり非表示領域Ｅ３には、例えば各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０の対向電極３３に電位を与えるための配線２９などが形成されている。配線２９は、ＦＰＣ４３が接続される素子基板１０の辺部を除いて、表示領域Ｅ０を囲むように素子基板１０に設けられている。

次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、主に着色層及びブラックマトリクス層の平面的な配置について説明する。

図３に示すように、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８Ｒ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８ＢがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。

Ｘ方向におけるサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置ピッチは、例えば、２．５μｍ未満である。Ｘ方向に０．５μｍ〜１．０μｍの間隔を置いてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒが配置されている。

サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ（図５参照）と呼ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁膜２８（図５参照）が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２８ａが形成され、開口部２８ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。開口部２８ａの平面形状もまた略矩形状となっている。

なお、図３では、異なる色のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの配置は、Ｘ方向において左側から赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の順になっているが、これに限定されるものではない。例えば、Ｘ方向において、左側から青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順であってもよい。

次に、有機ＥＬ装置の構造について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、有機ＥＬ装置の全体構造を示す概略断面図である。図５は、有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す概略断面図である。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、上記したように、素子基板１０を構成する基材１１上に駆動用トランジスター２３（図５参照）などが形成され、更に有機発光層などを有する機能層３２が設けられている。機能層３２は、陰極として機能する対向電極３３（図５参照）によって覆われている。

対向電極３３上には、対向電極３３上及び基材１１上の全体に亘って、封止層３４が形成されている。封止層３４の上には、平面視で機能層３２の領域を含むようにカラーフィルター３６が形成されている。カラーフィルター３６上には、図示しない充填剤が設けられている。充填剤の上には、対向基板が配置されている。

次に、図５を参照してサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの構造について説明する。図５に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板としての基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路２０と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、カラーフィルター３６と、を含む素子基板１０を備えている。また、素子基板１０に対して対向配置された対向基板４１を備えている。

対向基板４１は、例えばガラスなどの透明基板からなり、素子基板１０において封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６を保護すべく、充填剤４２を介して素子基板１０に対向配置されている。

サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂの機能層３２からの発光は、後述する反射層２５で反射されると共に、カラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。

基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、ガラスなどの透明基板や、シリコンやセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、画素回路２０に薄膜トランジスターを用いた場合を例に説明する。

基材１１の表面を覆って第１絶縁膜２７ａが形成される。画素回路２０における例えば駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａが第１絶縁膜２７ａ上に形成される。半導体層２３ａを覆ってゲート絶縁膜として機能する第２絶縁膜２７ｂが形成される。第２絶縁膜２７ｂを介して半導体層２３ａのチャネル領域と対向する位置にゲート電極２３ｇが形成される。ゲート電極２３ｇを覆って第１層間絶縁膜２４が３００ｎｍ〜２μｍの膜厚で形成される。

第１層間絶縁膜２４は、画素回路２０の駆動用トランジスター２３などを覆うことによって生じた表面の凹凸を無くすように平坦化処理が施される。半導体層２３ａのソース領域２３ｓとドレイン領域２３ｄとにそれぞれ対応して、第２絶縁膜２７ｂと第１層間絶縁膜２４とを貫通するコンタクトホールが形成される。

これらのコンタクトホールを埋めるようにして導電膜が形成され、パターニングされて駆動用トランジスター２３に接続される電極や配線が形成される。また、上記導電膜は、光反射性の例えばアルミニウム、あるいはアルミニムとＡｇ（銀）やＣｕ（銅）との合金などを用いて形成され、これをパターニングすることによって、サブ画素１８ごとに独立した反射層２５が形成される。

図５では図示を省略したが、画素回路２０におけるスイッチング用トランジスター２１や蓄積容量２２も基材１１上に形成される。

反射層２５と第１層間絶縁膜２４とを覆って１０ｎｍ〜２μｍの膜厚で第２層間絶縁膜２６が形成される。また、後に画素電極３１と駆動用トランジスター２３とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが第２層間絶縁膜２６を貫通して形成される。

第１絶縁膜２７ａ、第２絶縁膜２７ｂ、第１層間絶縁膜２４、第２層間絶縁膜２６を構成する材料としては、例えばシリコンの酸化物や窒化物、あるいはシリコンの酸窒化物を用いることができる。

第２層間絶縁膜２６に形成されたコンタクトホールを埋めるように、第２層間絶縁膜２６を覆って導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングすることによって画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）が形成される。

画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いて形成される。なお、サブ画素１８ごとに反射層２５を設けない場合は、画素電極３１（３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ）を光反射性を有するアルミニムやその合金を用いて形成してもよい。

各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂの外縁部を覆って絶縁膜２８が形成される。これによって画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂ上に開口部２８ａが形成される。絶縁膜２８は例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて、１μｍ程度の高さで各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂをそれぞれ区画するように形成される。

なお、本実施形態では、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを互いに絶縁状態とするために感光性樹脂からなる絶縁膜２８を形成したが、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いて各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂを区画してもよい。

機能層３２は、各画素電極３１Ｒ，３１Ｇ，３１Ｂに接するように、真空蒸着法やイオンプレーティング法などの気相プロセスを用いて形成され、絶縁膜２８の表面も機能層３２で覆われる。なお、機能層３２は絶縁膜２８のすべての表面を覆う必要はなく、絶縁膜２８で区画された領域に機能層３２が形成されればよいので、絶縁膜２８の頭頂部は機能層３２で覆われる必要はない。

機能層３２は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層を有する。本実施形態では、画素電極３１に対して、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層をそれぞれ気相プロセスを用いて成膜し、順に積層することによって機能層３２が形成されている。なお、機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層を含んでいてもよい。

有機発光層は、白色発光が得られる構成であればよく、例えば、赤色の発光が得られる有機発光層と、緑色の発光が得られる有機発光層と、青色の発光が得られる有機発光層とを組み合わせた構成を採用することができる。

機能層３２を覆って対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性と光反射性とが得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。

なお、対向電極３３を光透過性と光反射性とを有する状態に形成することによって、サブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂごとの反射層２５と対向電極３３との間で光共振器を構成してもよい。

次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、対向電極３３側から順に、第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３４ｃが積層されたものである。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有するシリコン系の材料、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。なお、ＳｉＯ₂を用いるようにしてもよい。

第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの形成方法としては、真空蒸着法やスパッタ法を挙げることができる。第１封止層３４ａや第２封止層３４ｃの膜厚を厚くすることで高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膨張や収縮によってクラックが生じ易い。したがって、２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましく、本実施形態では平坦化層３４ｂを挟んで第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとを重ねることで高いガスバリア性を実現している。

平坦化層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂や塗布型の無機材料（酸化シリコンなど）を用いて形成することができる。また、平坦化層３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、平坦化層３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、平坦化層３４ｂは第１封止層３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。平坦化層３４ｂの厚みは、１μｍ〜５μｍである。

封止層３４の上には、カラーフィルター３６を構成するブラックマトリクス３６ａが形成されている。具体的には、カラーフィルター３６を構成する各色着色層３６（赤色着色層３６Ｒ、緑色着色層３６Ｇ、青色着色層３６Ｂ）の間に、ブラックマトリクス３６ａが形成されている。

ブラックマトリクス３６ａは、例えば、図３に示すように、平面視でマトリクス状に形成されている。ブラックマトリクス３６ａの断面形状は、例えば、封止層３４に接する底面が頭頂部よりも大きい台形状である。

ブラックマトリクス３６ａは、黒色の感光性樹脂材料（ブラックレジスト）からなり、ＯＤ値（黒色度、黒濃度）が十分に高い（４／μｍ以上）ものを用いる。言い換えれば、本実施形態では、感光性樹脂材料としての機能は用いずに、遮光性の膜として用いる。

ブラックマトリクス３６ａの材料としては、例えば、アクリルポリマー、溶剤を主成分とし、遮光材として、カーボンブラック、酸窒化チタン、有機顔料を混合したものを使用する。

隣り合うブラックマトリクス３６ａとブラックマトリクス３６ａとのピッチ（サブ画素１８のピッチ）は、例えば、２．５μｍである。ブラックマトリクス３６ａの断面寸法は、底面の幅が１μｍ程度であり、頭頂部の幅が０．７μｍ程度である。

本実施形態のブラックマトリクス３６ａは、微細に形成すること以外に、各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの密着性を向上させる、また、着色層の高さを確保するために用いられる。言い換えれば、バンク（隔壁）の機能を有する。よって、透明な樹脂材料を用いるようにしてもよい。

封止層３４上には、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成される。着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを含むカラーフィルター３６の形成方法としては、色材を含む感光性樹脂材料を塗布して感光性樹脂層を形成し、これをフォトリソグラフィー法で露光／現像して形成する方法が挙げられる。

着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの材料としては、有機顔料をエポキシ系・アクリル系・ポリイミド系・ウレタン系・ポリエステル系・ポリビニル系などの樹脂に分散した感光性樹脂である。有機顔料としてはフタロシアニン系・アジレーキ系・縮合アゾ系・キナクリドン系・ペリレン系及びペロノン系等が使用される。

より具体的には、赤色（Ｒ）は、アクリル系樹脂にジアントラキン系顔料を分散した着色感光性樹脂である。緑色（Ｇ）は、アクリル系樹脂にフタロシアニングリーン系を分散した着色感光性樹脂である。青色（Ｂ）は、アクリル系樹脂にフタロシアニンブルー系を分散した着色感光性樹脂である。

素子基板１０と対向基板４１とは、透明樹脂材料などからなる充填剤４２を介して、対向するように配置されている。透明樹脂材料としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料を挙げることができる。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図６〜図８を参照して説明する。図６は、有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。図７及び図８は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図である。

図６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法は、封止層形成工程（ステップＳ１１）と、黒色樹脂形成工程（ステップＳ１２）と、レジストパターン形成工程（ステップＳ１３）と、アッシング処理工程（ステップＳ１４）と、カラーフィルター（着色層）形成工程（ステップＳ１５）と、を備えている。なお、基材１１上に画素回路２０や有機ＥＬ素子３０などを形成する方法は、公知の方法を採用することができる。

したがって、図７（ａ）〜図８（ｈ）では、基材１１上における画素回路２０の駆動用トランジスター２３などの構成の表示を省略している。以降、本発明の特徴部分の工程前後を重点的に説明する。

まず、図６に示すように、ステップＳ１１では、対向電極３３を覆うように封止層３４を形成する。具体的には、図７（ａ）及び図５に示すように、対向電極３３を覆うように、第１封止層３４ａを形成し、第１封止層３４ａの上に平坦化層３４ｂを形成し、平坦化層３４ｂの上に第２封止層３４ｃを形成する。

上記したように、第１封止層３４ａと第２封止層３４ｃとは、酸化シリコンなどの無機材料を用いて形成する。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃを形成する方法としては、例えば、真空蒸着法が挙げられる。第１封止層３４ａ及び第２封止層３４ｃの膜厚は、およそ２００ｎｍ〜４００ｎｍである。

平坦化層３４ｂの形成方法としては、例えば、透明性を有するエポキシ樹脂と、エポキシ樹脂の溶媒とを含む溶液を用い、印刷法やスピンコート法で該溶液を塗布して乾燥することにより、エポキシ樹脂からなる平坦化層３４ｂを形成する。平坦化層３４ｂの膜厚は、例えば、１μｍ〜５μｍである。

ステップＳ１２では、封止層３４上に、ブラックマトリクス３６ａとなる前の黒色樹脂３６ａ１（黒色の感光性樹脂材料、ブラックレジスト）を塗布する。具体的には、図７（ｂ）に示すように、封止層３４上に黒色樹脂３６ａ１をスピンコート法により全面に塗布する。黒色樹脂（ブラックレジスト）３６ａ１は、ＯＤ値が十分に高い（４／μｍ以上）ものを用いる。具体的には、上記したような材料を用いる。

次に、必要に応じて、ベーク（例えば、１１０℃で１時間）行い、黒色樹脂３６ａ１を硬化させる。ここで、温度を上げすぎると、有機発光層を有する機能層３２にダメージを与えるため、上記温度程度を上限とすることが好ましい。

ステップＳ１３では、レジストパターン５１を形成する。具体的には、図７（ｃ）に示すように、黒色樹脂３６ａ１（ブラックレジスト）の上にレジストパターン５１を形成する。形成方法としては、公知の成膜技術、及びフォトリソグラフィー技術を用いて、ブラックマトリクス３６ａの形状に形成する。レジストパターン５１の厚みとしては、例えば、１μｍ〜１．５μｍ程度である。

ステップＳ１４では、アッシング処理を行う。具体的には、図７（ｄ）に示すように、アッシング処理を行ってブラックマトリクス３６ａを形成する。アッシング処理は、酸素（Ｏ₂）プラズマ（酸素を主成分としたプラズマ）を用いる。

具体的には、レジストパターン５１をマスクとして、黒色樹脂３６ａ１を灰化（燃焼）すると共に、レジストパターン５１も灰化する。なお、条件によっては処理後に、レジストパターン５１が残る場合、また残らない場合がある。処理後のブラックマトリクス３６ａの厚みは、例えば、１μｍである。

ここで、ブラックマトリクス３６ａの厚みは、アッシング処理によって、例えば、１μｍ前後にばらつきが生じたとしても許容することができる。具体的には、黒色樹脂３６ａ１を用いているため、薄くなった場合でも色の影響は少ない。また、黒色樹脂３６ａ１に加えてレジストパターン５１が残った場合でも、色の影響は少ない。よって、黒色の感光性樹脂材料を用いることにより、ブラックマトリクス３６ａを形成しやすいという効果が得られる。

このとき、封止層３４の最上部は、ＳｉＯＮなどからなるシリコン系の材料からなる第２封止層３４ｃが形成されているので、酸素プラズマを用いたアッシング処理によるダメージは受けにくい。

次に、図８（ｅ）に示すように、レジストパターン５１を除去する。具体的には、前工程のアッシング処理によってレジストパターン５１が無くなるようであれば、この工程を無くすようにしてもよい。レジストパターン５１の一部が残るようであれば、ウエット処理などによって剥離（除去）する。

これにより、カラーフィルター３６を構成する各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの間に、ブラックマトリクス３６ａが形成される。本実施形態では、マトリクス状にブラックマトリクス３６ａが形成されている。ブラックマトリクス３６ａの断面形状は、上記したように、封止層３４に接する底面が頭頂部よりも大きい台形状である。

ステップＳ１５では、カラーフィルター３６を完成させる。具体的には、図８（ｆ）〜図８（ｈ）に示すように、微細に形成されたブラックマトリクス３６ａに各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成する。

まず、図８（ｆ）に示すように、ブラックマトリクス３６ａを覆って、色材を含む感光性樹脂をスピンコート法などを用いて基材１１の全面に塗布する（図８（ｆ）では、赤色樹脂３６Ｒ１）。具体的には、上記したような材料を用いる。

次に、図８（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて露光／現像を行うことにより着色層３６Ｒを形成する。その後、他の着色層３６Ｇ，３６Ｂも同様にして形成する。以上により、ブラックマトリクス３６ａ間に各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂが形成される。その後、図示しないが、接着性を有する充填剤を介して素子基板１０と対向基板とを貼り合わせる。

本実施形態では、平面視でマトリクス状のブラックマトリクス３６ａをアッシング処理によって微細加工した後、各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成するので、各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂをブラックマトリクス３６ａに倣って精度よく形成できると共に、ブラックマトリクス３６ａで囲われた中に各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成するので、密着性を向上させることができる。

以上詳述したように、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、レジストパターン５１をマスクとして黒色樹脂３６ａ１にアッシング処理を施してブラックマトリクス３６ａを形成するので、黒色樹脂３６ａ１の露光特性がパターニングに影響を与えることなく、ブラックマトリクス３６ａの微細加工を行うことができる。更に、黒色樹脂３６ａ１のように透過率の低い材料でも微細加工を行うことができる。加えて、ブラックマトリクス３６ａを有するカラーフィルター３６を形成するので、混色が少なく、高い色再現性を実現することができる。更に、ブラックマトリクス３６ａを備えるので視野角特性を向上させることができる。

（２）第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、ブラックマトリクス３６ａと接する層、言い換えれば、封止層３４の表面層（第２封止層３４ｃ）がシリコン化合物であるので、ブラックマトリクス３６ａを形成する際に、酸素プラズマを用いてアッシング処理を行った場合、第２封止層３４ｃにダメージが加わることを抑えることができる。よって、ガスバリア性を維持することができる。

（３）第１実施形態の有機ＥＬ装置１００の製造方法によれば、いずれの形成工程も１１０℃以下の温度で形成するので、下層に形成された機能層３２にダメージが加わることを抑えることができる。

（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置について、図９〜図１１を参照して説明する。図９は、有機ＥＬ装置の全体構造を示す概略断面図である。図１０は、有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す概略断面図である。図１１は、カラーフィルターを構成する着色層の平面的な配置を示す概略平面図である。

第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１は、上述の第１実施形態の有機ＥＬ装置１００と比べて、ブラックマトリクス３６ａを備えていない部分が異なり、その他の部分については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。

図９に示すように、有機ＥＬ装置１０１は、上記したように、封止層３４の上にカラーフィルター３６が設けられている。なお、カラーフィルター３６を構成する各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの間には、ブラックマトリクス３６ａが設けられていない。

カラーフィルター３６上には、図示しないが、第１実施形態と同様に、充填剤を介して素子基板１０と対向基板とが貼り合わされている。

次に、図１０を参照してサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造について説明する。図１０に示すように、有機ＥＬ装置１０１は、封止層３４の上にカラーフィルター３６が設けられている。

カラーフィルター３６は、各色のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに対応した、赤色着色層３６Ｒ、緑色着色層３６Ｇ、青色着色層３６Ｂによって構成されている。なお、上記したように、各着色層３６の間にブラックマトリクス３６ａは設けられていない。

また、図１１に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１のカラーフィルター３６は、ストライプ状に形成されている。

着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂで構成されたカラーフィルター３６の上には、上記したように、カラーフィルター３６側から順に、充填剤４２、対向基板４１が配置されている。第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１も、第１実施形態と同様に、機能層３２から発した光が、カラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出される。

＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図１２及び図１３を参照して説明する。図１２及び図１３は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の製造工程を示す概略断面図である。

第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１の製造方法は、カラーフィルター３６を構成する各色着色層３６のうち１つの着色層３６をアッシング処理によって形成する。以下、カラーフィルター３６を形成する方法を説明する。

まず、図１２（ａ）に示すように、対向電極３３を覆うように封止層３４を形成する。封止層３４は、第１実施形態と同様に、第１封止層３４ａ、平坦化層３４ｂ、第２封止層３４ｃの順に形成する。

次に、封止層３４上にカラーフィルター３６を形成する。図１２（ｂ）に示すように、まず、封止層３４の上に赤色樹脂３６Ｒ１を成膜する。具体的には、封止層３４上に、赤色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により全面に塗布する。次に、必要に応じて、ベークを行い、赤色樹脂３６Ｒ１を硬化させる。

次に、図１２（ｃ）に示すように、レジストパターン５１を形成する。具体的には、赤色樹脂３６Ｒ１の上にレジストパターン５１を形成する。形成方法としては、公知の成膜技術、及びフォトリソグラフィー技術を用いて、赤色着色層３６Ｒの形状に形成する。

次に、図１２（ｄ）に示すように、アッシング処理を行って、赤色着色層３６Ｒを形成する。アッシング処理は、Ｏ₂プラズマを用いる。これにより、レジストパターン５１をマスクとして、マスクの無い部分の赤色樹脂３６Ｒ１が灰化する。なお、レジストパターン５１もアッシングされるため、赤色樹脂３６Ｒ１だけが残る場合もある。

このとき、封止層３４の最上部は、ＳｉＯＮなどからなるシリコン系の材料からなる第２封止層３４ｃが形成されているので、アッシングによるダメージは受けにくい。

次に、図１３（ｅ）に示すように、レジストパターン５１を除去する。具体的には、第１実施形態と同様に、レジストパターン５１の一部が残るようであれば、ウエット処理などによって剥離（除去）する。

これにより、カラーフィルター３６を構成する赤色着色層３６Ｒが完成する。本実施形態では、図１１に示すように、ストライプ状に各色着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂを形成する。赤色着色層３６Ｒの断面形状は、例えば、封止層３４に接する底面が頭頂部よりも大きい台形状である。

第１実施形態のようにブラックマトリクス３６ａを備えないカラーフィルター３６を形成する場合、最初の着色層（本実施形態では赤色着色層３６Ｒ）をアッシング処理によって精度よく微細に形成することにより、残りの着色層を、赤色着色層３６Ｒに倣って微細に形成することができる。

次に、図１３（ｆ）に示すように、例えば、緑色着色層３６Ｇを形成する。まず、微細に形成された赤色着色層３６Ｒを覆うように、緑色の着色材料を含む感光性樹脂材料をスピンコート法により全面に塗布する。次に、必要に応じて、ベークを行い、緑色樹脂３６Ｇ１を硬化させる。

次に、図１３（ｇ）に示すように、フォトリソグラフィー法を用いて露光／現像を行うことにより緑色着色層３６Ｇを形成する。その後、残りの青色着色層３６Ｂも同様にして形成する。以上により、図１３（ｈ）に示すように、カラーフィルター３６が完成する。その後、図示しないが、接着性を有する充填剤を介して素子基板１０と対向基板とを貼り合わせる。これにより、第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１が完成する。

以上詳述したように、第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。

（４）第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１の製造方法によれば、レジストパターン５１をマスクとして赤色樹脂３６Ｒ１にアッシング処理を施して赤色着色層３６Ｒを形成するので、赤色着色層３６Ｒをはじめとする着色樹脂の露光特性がパターニングに影響を与えることなく、カラーフィルター３６の微細加工を行うことができる。着色樹脂のように透過率の低い材料でも微細加工を行うことができる。これにより、高解像度に対応した有機ＥＬ装置１０１を形成することができる。

（５）第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１の製造方法によれば、赤色着色層３６Ｒと接する層、言い換えれば、封止層３４の表面層（第２封止層３４ｃ）がシリコン化合物であるので、赤色着色層３６Ｒを形成する際に、酸素プラズマを用いてアッシング処理を行った場合、第２封止層３４ｃにダメージが加わることを抑えることができる。よって、ガスバリア性を維持することができる。

（６）第２実施形態の有機ＥＬ装置１０１の製造方法によれば、第１実施形態のようにブラックマトリクス３６ａを備えないので、製造工程を少なくすることができる。よって、かかるコストを抑えることができる。また、ブラックマトリクス３６ａを備えないので、輝度を明るくすることができる。加えて、ブラックマトリクス３６ａがない分、画素ピッチを狭くすることができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、カラーフィルター３６を構成する着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの平面形状は、マトリクス状やストライプ状であることに限定されず、例えば、図１４に示すような形状にしてもよい。

図１４は、変形例の有機ＥＬ装置１０２のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ及びカラーフィルター３６の構成を示す概略平面図である。図１４に示すように、有機ＥＬ装置１０２は、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８Ｒ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８ＢがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配列している。

また、カラーフィルター３６は、３色の着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂのうち、緑色着色層３６Ｇと、青色着色層３６Ｂは、対応する画素電極３１と、画素電極３１を囲む環状の領域にのみ形成されている。一方、赤色着色層３６Ｒは、Ｙ方向に隣り合う画素電極３１間を隔てる領域、すなわちＸ方向に延在する帯状の領域にも形成されている。

このような有機ＥＬ装置１０２によれば、先に赤色着色層３６Ｒをアッシング処理で形成することにより、微細な形状にしておくことができる。また、赤色着色層３６Ｒは、隣り合うサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂに繋がっている部分があるため、その後に、他の色の着色層３６を形成した際、密着性をよくすることが可能となり、着色層３６Ｇ，３６Ｂを剥がれにくくすることができる。

（変形例２）
上記したように、カラーフィルター３６を構成する着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの平面形状は、マトリクス状やストライプ状であることに限定されず、例えば、図１５に示すような形状にしてもよい。

図１５は、変形例の有機ＥＬ装置１０３のサブ画素１８Ｒ，１８Ｇ，１８Ｂ及びカラーフィルター３６の構成を示す概略平面図である。図１５に示すように、サブ画素１８の構成要素のうち、画素電極３１、絶縁膜２８（開口部２８ａ）、及び着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。

図１５に示す有機ＥＬ装置１０３は、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８Ｒが、Ｘ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に隣り合って配列している。

サブ画素１８のＸ方向の長さは、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に小さくなっている。サブ画素１８のＹ方向の長さは、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、及びサブ画素１８Ｒで、それぞれ同じである。従って、サブ画素１８の面積は、サブ画素１８Ｂ、サブ画素１８Ｇ、サブ画素１８Ｒの順に小さくなっている。

画素電極３１のＸ方向の長さは、画素電極３１Ｂ、画素電極３１Ｇ、画素電極３１Ｒの順に小さくなっている。画素電極３１のＹ方向の長さは、それぞれ同じである。

カラーフィルター３６を構成する着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの幅は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの幅に対応して、青色着色層３６Ｂ、緑色着色層３６Ｇ、赤色着色層３６Ｒの順に小さくなっている。

例えば、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応する各色着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを形成する場合、幅の細い赤色着色層３６Ｒを、上記に記載のようにアッシング処理によって１層目に形成すれば、微細な細かいパターニングをすることができる。

一方、幅の太い青色着色層３６Ｂをアッシング処理によって１層目に形成すれば、後に形成する緑色着色層３６Ｇ、赤色着色層３６Ｒとの密着性を向上させることができる。

（変形例３）
上記したように、着色層３６Ｒ，３６Ｇ，３６Ｂの形成順番は、第１実施形態及び第２実施形態のように、赤色着色層３６Ｒから形成することに限定されず、緑色着色層３６Ｇや青色着色層３６Ｂから始めるようにしてもよい。

１０…素子基板、１１…基材、１２…走査線、１３…データ線、１４…電源線、１５…データ線駆動回路、１６…走査線駆動回路、１７…検査回路、１８，１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ…サブ画素、１９…画素、２０…画素回路、２１…スイッチング用トランジスター、２２…蓄積容量、２３…駆動用トランジスター、２３ａ…半導体層、２３ｄ…ドレイン領域、２３ｇ…ゲート電極、２３ｓ…ソース領域、２４…第１層間絶縁膜、２５…反射層、２６…第２層間絶縁膜、２７ａ…第１絶縁膜、２７ｂ…第２絶縁膜、２８…絶縁膜、２８ａ…開口部、２９…配線、２８…絶縁膜、３０…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…画素電極、３２…機能層、３３…対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１封止層、３４ｂ…平坦化層、３４ｃ…第２封止層、３６…カラーフィルター、３６Ｒ…赤色着色層、３６Ｇ…緑色着色層、３６Ｂ…青色着色層、３６Ｂ１…青色樹脂、３６Ｇ１…緑色樹脂、３６Ｒ１…赤色樹脂、３６ａ１…黒色樹脂、４１…対向基板、４２…充填剤、４３…ＦＰＣ、４４…駆動用ＩＣ、５１…レジストパターン、１００，１０１，１０２，１０３…有機ＥＬ装置。

Claims (7)

1. 有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   有機ＥＬ素子を形成する工程と、
   前記有機ＥＬ素子の上に封止層を形成する工程と、
   前記封止層の上に黒色樹脂を塗布する工程と、
   前記黒色樹脂の上にレジストを塗布して露光しレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとし、アッシング法を用いて前記黒色樹脂にアッシング処理を施してブラックマトリクスを形成する工程と、
   を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
2. 有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   有機ＥＬ素子を形成する工程と、
   前記有機ＥＬ素子の上に封止層を形成する工程と、
   前記封止層の上に着色樹脂を塗布する工程と、
   前記着色樹脂の上にレジストを塗布して露光しレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクとし、アッシング法を用いて前記着色樹脂にアッシング処理を施してカラーフィルターを形成する工程と、
   を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
3. 請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記ブラックマトリクスを形成する工程の後、前記封止層上にカラーフィルターを形成する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
4. 請求項１又は請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記封止層における前記ブラックマトリクスと接する層は、シリコン化合物であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
5. 請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記封止層における前記カラーフィルターと接する層は、シリコン化合物であることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記アッシング処理を行った後に、前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
   前記ブラックマトリクス又は前記カラーフィルター、及び前記封止層は、１１０℃以下の温度で形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。

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