JP2016148795A - 電気泳動表示装置、電気泳動表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】隔壁部で光が反射しにくくコントラストの高い電気泳動表示装置を提供する。
【解決手段】電気泳動表示装置１は、半導体素子９ｃが設置された第１基材８と、第１基材８と対向する第２基材１６と、第１基材８と第２基材１６との間に位置し画素領域６を区画する隔壁５と、を備え、第２基材１６側から見て隔壁５と対向する場所には光の反射を低減する反射低減膜７を有する。
【選択図】図４

Description

本発明は、電気泳動表示装置、電気泳動表示装置の製造方法および電子機器に関するものである。

電荷を有する粒子が分散媒中を移動する電気泳動表示装置が広く知られている。電気泳動表示装置は画面のちらつきが少ないので、電子書籍を閲覧する表示装置等に用いられる。この電気泳動表示装置が特許文献１に開示されている。それによると、電気泳動表示装置は電極が設置された一対の基板をそなえている。そして、電極間に白色帯電粒子及び黒色帯電粒子を含む分散媒が設置されている。

この電気泳動表示装置では白色帯電粒子を（−）に帯電させて、黒色帯電粒子を（＋）に帯電させている。そして、対向する基板に設置された電極に電圧を印加することにより、一方の電極に黒色帯電粒子が誘引され、他方の電極に白色帯電粒子が誘引される。次に、電極の電圧を入れ替えることにより、黒色帯電粒子の位置と白色帯電粒子の位置とが入れ替わる。

基板の間には隔壁部が設置され、隔壁部は分散媒を格子状に分割する。隔壁部により囲まれた部分が１つの画素となっている。そして、画素毎に黒色帯電粒子及び白色帯電粒子の位置を制御することで所定の図形を表示することが可能になっている。

特開２００８−５１９３２号公報

電気泳動表示装置を照射する光は隔壁部及び画素領域を照射する。特許文献１の電気泳動表示装置では隔壁部を照射する光が反射する。これにより、画素領域を黒色表示にするとき隔壁部で光が反射するので輝度が下がらない。このため、電気泳動表示装置はコントラストが高くならなかった。そこで、隔壁部で光が反射しにくくコントラストの高い電気泳動表示装置が望まれていた。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］
本適用例にかかる電気泳動表示装置であって、半導体素子が設置される第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に位置し画素領域を区画する隔壁部と、を備え、前記第２基板の法線方向から見たときに、前記隔壁部により区画されたそれぞれの領域内に荷電粒子を含む電気泳動分散液が保持され、前記隔壁部と重なる領域には光の反射を低減する反射低減部を有することを特徴とする。

本適用例によれば、電気泳動表示装置は第１基板と第２基板とで隔壁部を挟んでいる。そして、隔壁部は画素領域を区画する。画素領域は荷電粒子が移動して観察者から見える表示が変化する場所である。電気泳動表示装置を照射する光は反射低減部及び画素領域を照射する。反射低減部は光の反射を低減する。従って、画素領域以外から観察者に向かって進行する光を低減することができる。その結果、隔壁部を照射する光の反射を反射低減部が低減する為、コントラストを高くすることができる。

［適用例２］
上記適用例にかかる電気泳動表示装置において、前記反射低減部は前記第２基板と前記隔壁部との間に位置することが好ましい。

本適用例によれば、反射低減部は第２基板と隔壁部との間に位置する。第２基板を照射する光は反射低減部及び画素領域を照射する。反射低減部は照射する光の反射を低減する。画素領域を照射する光の一部は第２基板の厚み方向に対して斜めに進行する。この光の一部は画素領域を通過して隔壁部内に進行する。そして、画素領域を通らずに隔壁部から観察者に向かう光は反射低減部を通過する為、光の強度が低減される。従って、画素領域以外から観察者に向かって進行する光を低減することができる。

［適用例３］
上記適用例にかかる電気泳動表示装置において、前記第１基板と前記隔壁部との間に前記反射低減部を有することが好ましい。

本適用例によれば、第１基板と隔壁部との間に反射低減部が設置されている。第２基板及び隔壁部を通過して第１基板に向かって進行する光は反射低減部を照射する。反射低減部は光の反射を低減する為、隔壁部を通って反射低減部で反射する光の強度は低減される。従って、隔壁部を照射する光の反射強度を低減することができる。

［適用例４］
上記適用例にかかる電気泳動表示装置において、前記隔壁部が前記反射低減部を兼ねることが好ましい。

本適用例によれば、隔壁部が反射低減部を兼ねており、隔壁部を照射する光は光の反射を低減する。画素領域を照射する光の一部は第２基板の厚み方向に対して斜めに進行する。この光の一部は画素領域を通過して隔壁部に進行する。そして、隔壁部を照射する光は光の強度が低減される。従って、画素領域以外から観察者に向かって進行する光を低減することができる。

［適用例５］
上記適用例にかかる電気泳動表示装置において、前記第１基板上に位置し前記半導体素子が設置された素子層と、前記素子層の上に位置する絶縁層と、を備え、前記絶縁層が前記反射低減部を兼ねることが好ましい。

本適用例によれば、素子層の上に絶縁層が設置され、絶縁層が反射低減部となっている。反射低減部の上には隔壁部が位置し、隔壁部の上には第２基板が位置している。第２基板及び隔壁部を通過する光は絶縁層を照射する。絶縁層は光の反射を低減する為、隔壁部から反射する光の強度は低減される。従って、隔壁部を照射する光の反射強度を低減することができる。

［適用例６］
上記適用例にかかる電気泳動表示装置において、前記第１基板には第１電極が設置され、前記第２基板には第２電極が設置され、前記隔壁部は前記第１電極と前記第２電極とを絶縁することが好ましい。

本適用例によれば、第１基板には第１電極が設置され、第２基板には第２電極が設置されている。そして、隔壁部は第１基板と第２基板とに挟まれている。隔壁部は第１電極と第２電極とを絶縁する為、第１電極と第２電極とが導通することを防止することができる。

［適用例７］
上記適用例にかかる電気泳動表示装置において、隣接する２つの前記画素領域を隔てる前記隔壁部の抵抗値が１×１０⁸Ω以上であることが好ましい。

本適用例によれば、隣接する２つの画素領域を隔てる隔壁部の抵抗は１×１０⁸Ω以上になっている。これにより、隔壁部を通って第１基板と第２基板との間を流れる電流を抑制することができる。

［適用例８］
本適用例にかかる電子機器であって、表示部と、前記表示部を駆動する駆動部と、を備え、前記表示部は上記に記載の電気泳動表示装置であることを特徴とする。

本適用例によれば、電子機器は表示部と表示体を駆動する駆動部を備えている。そして、駆動部が表示部を駆動する。表示部には上記の電気泳動表示装置が用いられている。従って、電子機器はコントラストの高い電気泳動表示装置を表示部に用いた装置とすることができる。

［適用例９］
本適用例にかかる電気泳動表示装置の製造方法であって、第１基板上に炭素を含む樹脂材料を成形して隔壁部を設置し、前記隔壁部に区画された画素領域に分散媒及び荷電粒子を含む電気泳動分散液を充填し、前記隔壁部に重ねて第２基板を設置することを特徴とする。

本適用例によれば、第１基板上に炭素を含む隔壁部が設置される。次に、隔壁部に区画された画素領域に分散媒及び荷電粒子を含む電気泳動分散液が充填される。次に、隔壁部に重ねて第２基板が設置される。そして、第１基板側と第２基板側との間における荷電粒子の移動を制御することができる。隔壁部には炭素が含まれている為、隔壁部に進入する光は炭素に吸収される。従って、隔壁部を照射する光の反射強度を低減することができる。

［適用例１０］
上記適用例にかかる電気泳動表示装置の製造方法において、隣接する２つの前記画素領域を隔てる記隔壁部の抵抗値が１×１０⁸Ω以上であることが好ましい。

本適用例によれば、隣接する２つの画素領域を隔てる隔壁部の抵抗は１×１０⁸Ω以上になっている。これにより、隔壁部を通って第１基板と第２基板との間を流れる電流を抑制することができる。

第１の実施形態にかかわり、（ａ）は、電気泳動表示装置の構造を示す概略斜視図、（ｂ）は電気泳動表示装置の構造を示す模式平面図。 電気泳動表示装置の構造を示す部分概略分解斜視図。 電気泳動表示装置の電気制御ブロック図。 電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図。 電気泳動表示装置に入射する光の軌跡を説明するための模式図。 電気泳動表示装置の製造方法のフローチャート。 電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式図。 電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式図。 第２の実施形態にかかわる電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図。 第３の実施形態にかかわる電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図。 隔壁の製造方法を説明するための模式図。 第４の実施形態にかかわる電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図。 第５の実施形態にかかわり、（ａ）は電子ブックの構造を示す概略斜視図、（ｂ）は腕時計の構造を示す概略斜視図。

本実施形態では、電気泳動表示装置と、この電気泳動表示装置を製造する特徴的な例について、図に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかわる電気泳動表示装置について図１〜図８に従って説明する。図１（ａ）は、電気泳動表示装置の構造を示す概略斜視図であり、図１（ｂ）は電気泳動表示装置の構造を示す模式平面図である。

図１（ａ）に示すように、電気泳動表示装置１は下部基板２と上部基板３とが重なった構造になっている。下部基板２及び上部基板３の法線方向をＺ方向とし、＋Ｚ方向側に上部基板３が位置する。観察者が電気泳動表示装置１を見るときには＋Ｚ方向側から見ることとする。上部基板３の＋Ｚ方向側の面が画像表示面３ａである。下部基板２及び上部基板３はＸ方向及びＹ方向に延在する。下部基板２は上部基板３より−Ｙ方向に長い形状になっている。下部基板２の−Ｙ方向側では＋Ｚ方向側の面にフレキシブルケーブル４が設置されている。フレキシブルケーブル４は図示しない駆動回路に接続され、フレキシブルケーブル４を介して電源と駆動信号が供給される。

図１（ｂ）に示すように、電気泳動表示装置１は下部基板２と上部基板３との間に隔壁部としての隔壁５が設置されている。隔壁５は格子状の形状を有し画素領域６を区画する。図中画素領域６は図を見易くするためにＸ方向に１４個、Ｙ方向に１０個並べて配置されている。画素領域６の個数は特に限定されないが本実施形態では、例えば、Ｘ方向に３００個、Ｙ方向に２００個並べて配置されている。画素領域６の大きさは特に限定されないが本実施形態では、例えば、Ｘ方向の長さが８０μｍ、Ｙ方向の長さが８０μｍになっている。電気泳動表示装置１の大きさも特に限定されないが本実施形態では、例えば、下部基板２はＸ方向の長さが３０ｍｍであり、Ｙ方向の長さが２５ｍｍになっている。

隔壁５の＋Ｚ方向側には隔壁５と対向する場所に反射低減部としての反射低減膜７が設置されている。反射低減膜７は＋Ｚ方向側から隔壁５に向かって進行する光を吸収して反射を低減する。Ｚ方向から見た平面視で反射低減膜７は隔壁５と略同じ形状になっている。

図２は電気泳動表示装置の構造を示す部分概略分解斜視図であり、電気泳動表示装置１の一部分をＺ方向に分解した図である。図２に示すように、下部基板２は第１基板としての第１基材８を備えている。第１基材８は、ガラス、プラスチック、セラミック、シリコン等からなり絶縁性のある基板である。第１基材８は＋Ｚ方向から見える画像表示面３ａとは反対側に配置されるため不透明な材質でもよい。

第１基材８上には素子層９が設置されている。素子層９には電圧供給線９ａ、制御信号線９ｂ、半導体素子９ｃ及び貫通電極９ｄ等が設置されている。半導体素子９ｃはＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子であり、スイッチングを行う素子である。素子層９の上には絶縁層１０が設置され、絶縁層１０の上には第１電極としての画素電極１１が設置されている。絶縁層１０は素子層９と画素電極１１とを絶縁する層である。素子層９には貫通電極９ｄが設置され、貫通電極９ｄは画素電極１１と接続されている。画素電極１１は画素領域６毎に分離されている。第１基材８、素子層９、絶縁層１０及び画素電極１１等により下部基板２が構成されている。

素子層９の材質は半導体が形成できる材質であれば良く特に限定されず、シリコン、ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム、炭化珪素、等を用いることができる。絶縁層１０の材質は絶縁性があり成形しやすい材質であれば良く特に限定されず、ガラス、樹脂、酸化シリコンや窒化シリコン等を用いることができる。本実施形態では、例えば、絶縁層１０の材質にはアクリル樹脂を用いている。

画素電極１１の材質は導電性のある材質であれば良く特に限定されず、銅、アルミニウム、ニッケル、金、銀、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）の他、銅箔上にニッケル膜や金膜を積層した物、アルミニウム箔上にニッケル膜や金膜を積層した物を用いることができる。本実施形態では、例えば、画素電極１１はアルミニウム箔上に金膜を設置した構造になっている。

画素電極１１上の隔壁５が格子状に設置され、隔壁５によって区画された画素領域６には電気泳動分散液１２が充填されている。隔壁５の材質は絶縁性と強度があり形成しやすい材質であれば良く特に限定されず、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。本実施形態では、例えば、感光性樹脂を用いている。これにより、画素領域６を隔てる隔壁５の抵抗値が１×１０⁸Ω以上になっている。そして、隔壁５は画素電極１１と共通電極１７とを絶縁する。電気泳動分散液１２は荷電粒子としての白色荷電粒子１３及び荷電粒子としての黒色荷電粒子１４を有し、白色荷電粒子１３及び黒色荷電粒子１４が分散媒１５に分散している。

白色荷電粒子１３の材料は、白色で帯電可能であり微細な粒子に形成可能であれば良く特に限定されない。白色荷電粒子１３の材料は、例えば、二酸化チタン、亜鉛華、三酸化アンチモン等の白色顔料からなる粒子、高分子、コロイドを用いることができる。本実施形態では、例えば、白色荷電粒子１３は二酸化チタンの粒子を正極に帯電して用いている。

黒色荷電粒子１４は、黒色で帯電可能であり微細な粒子に形成可能であれば良く特に限定されない。黒色荷電粒子１４の材料は、例えば、アニリンブラック、カーボンブラック、酸窒化チタン等の黒色顔料からなる粒子、高分子、コロイドを用いることができる。本実施形態では、例えば、黒色荷電粒子１４は酸窒化チタンを負極に帯電して用いている。白色荷電粒子１３及び黒色荷電粒子１４にはこれらの粒子に必要に応じて電解質、界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の帯電制御剤を用いることができる。他にも、白色荷電粒子１３及び黒色荷電粒子１４にはチタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、シラン系カップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。

分散媒１５は流動性があって変質し難い材質であれば良く特に限定されない。分散媒１５の材質には水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ぺンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロへキサン、メチルシクロへキサン等の脂環式炭化水素を用いることができる。他にも分散媒１５の材質にはベンゼン、トルエン、キシレン、長鎖アルキル基を有するベンゼン類等の芳香族炭化水素を用いることができる。長鎖アルキル基を有するベンゼン類としてはヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼン、トリデシルベンゼン、テトラデシルベンゼン等を用いることができる。他にも分散媒１５としては、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素を用いることができる。他にも、分散媒１５の材質には油類やシリコーンオイルを用いることができる。これらの物質は単独または混合物として用いることができ、さらに、カルボン酸塩のような界面活性剤等を配合してもよい。

隔壁５及び電気泳動分散液１２上には上部基板３が設置されている。上部基板３は第２基板としての第２基材１６を備えている。第２基材１６上には反射低減膜７が設置されている。反射低減膜７は隔壁５と同様に格子状であり、隔壁５と対向する場所に位置している。反射低減膜７は薄い膜の形態になっている。第２基材１６及び反射低減膜７を覆って第２電極としての共通電極１７が設置され、共通電極１７上には接着層１８が設置されている。共通電極１７は複数の画素領域６に渡って設置された共通電極になっている。従って、共通電極１７は複数の画素電極１１と対向する。接着層１８は隔壁５と上部基板３とを接着する機能を備えている。

第２基材１６の材質は光透過性、強度及び絶縁性があれば良く特に限定されない。第２基材１６の材質にガラスや樹脂材料を用いることができる。本実施形態では、例えば、第２基材１６の材質にガラス板を用いている。反射低減膜７は光を吸収し薄膜の形態で設置しやすい材料であれば良く特に限定されず、クロムやモリブデン等の金属を用いることができる。本実施形態では、例えば、反射低減膜７の材質にモリブデンを用いている。

共通電極１７は、透明導電膜であれば良く特に限定されない。例えば、共通電極１７にはＭｇＡｇ、ＩＧＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＣＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｃｅｒｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）等を用いることができる。本実施形態では、例えば、共通電極１７にＩＴＯを用いている。

接着層１８の材質は隔壁５と上部基板３とを接着可能であり、電気泳動分散液１２を変質させない材質であれば良く特に限定されない。例えば、接着層１８の材質にはポリウレタン、ポリ尿素、ポリ尿素−ポリウレタン、尿素−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ポリスルホンアミド、ポリカーボネート、ポリスルフィネート、エポキシ樹脂、ポリアクリル酸エステル等のアクリル樹脂、ポリメタクリル酸エステル、ポリ酢酸ビニル、ゼラチン、フェノール樹脂、ビニル樹脂等が用いることができる。本実施形態では、例えば、紫外性硬化型のアクリル樹脂やエポキシ樹脂を用いている。

図３は電気泳動表示装置の電気制御ブロック図である。図３に示すように、電気泳動表示装置１は駆動装置２１と接続して用いられる。駆動装置２１は入力部２２を備え、入力部２２は電気泳動表示装置１に表示する画像を示す画像信号を出力する装置に接続され、画像信号を入力する。入力部２２は制御部２３と接続されている。そして、制御部２３は記憶部２４、第１波形形成部２５及び第２波形形成部２６と接続されている。

記憶部２４は画像信号の他、画像信号から電気泳動表示装置１を駆動する信号を形成するときに用いる情報を記憶する。制御部２３は第１波形形成部２５及び第２波形形成部２６を制御する部位である。制御部２３は入力部２２から入力した画像信号を第１波形形成部２５及び第２波形形成部２６に送信する。さらに、第１波形形成部２５及び第２波形形成部２６が波形を形成するときに用いる情報を送信する。

第１波形形成部２５は半導体素子９ｃを駆動する駆動信号を形成する。そして、第２波形形成部２６は共通電極１７を駆動する電圧波形を形成する。第１波形形成部２５はフレキシブルケーブル４及び制御信号線９ｂを介して半導体素子９ｃと接続され、半導体素子９ｃに画素毎の駆動信号を出力する。半導体素子９ｃは画素電極１１と接続され、駆動信号に対応する電圧を画素電極１１に出力する。第２波形形成部２６はフレキシブルケーブル４を介して共通電極１７と接続され、共通電極１７に電圧波形を出力する。

図４は電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図であり、図２のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図４（ａ）に示すように、電気泳動表示装置１は画素電極１１と共通電極１７との間に電圧を印加して用いられる。そして、画素電極１１と共通電極１７との間の相対電圧を切り替えることにより表示を変更することができる。

画素電極１１に対して共通電極１７を低い電圧にする。このとき黒色荷電粒子１４は負極の電圧に帯電しているので、黒色荷電粒子１４は画素電極１１に誘引される。白色荷電粒子１３は正極の電圧に帯電しているので、白色荷電粒子１３は共通電極１７に誘引される。その結果、下部基板２には黒色荷電粒子１４が集合し、上部基板３には白色荷電粒子１３が集合する。上部基板３側から電気泳動表示装置１を見るとき観察者は上部基板３を通して白色荷電粒子１３を見ることができる。従って、画素領域６は白色の表示となる。

半導体素子９ｃと接続してドレイン電極９ｐが設置され、ドレイン電極９ｐと接続して貫通電極９ｄが設置されている。これにより、半導体素子９ｃは画素電極１１と電気的に接続されている。

図４（ｂ）に示すように、画素電極１１に対して共通電極１７を高い電圧にする。このとき黒色荷電粒子１４は負極の電圧に帯電しているので、黒色荷電粒子１４は共通電極１７に誘引される。白色荷電粒子１３は正極の電圧に帯電しているので、白色荷電粒子１３は画素電極１１に誘引される。その結果、下部基板２には白色荷電粒子１３が集合し、上部基板３には黒色荷電粒子１４が集合する。上部基板３側から電気泳動表示装置１を見るとき観察者は上部基板３を通して黒色荷電粒子１４を見ることができる。従って、画素領域６は黒色の表示となる。

図５は電気泳動表示装置に入射する光の軌跡を説明するための模式図である。図５に示すように、白色荷電粒子１３が共通電極１７に誘引され、黒色荷電粒子１４が画素電極１１に誘引されている。従って、図中の画素領域６は白色の表示になっている。＋Ｚ方向から電気泳動表示装置１を見たとき画素領域６は白色であり画素領域６を囲む領域は非画素領域２７になっている。

電気泳動表示装置１を照射する光２８は非画素領域２７及び画素領域６を照射する。画素領域６を照射する光２８の多くは白色荷電粒子１３を照射し、白色荷電粒子１３にて乱反射し＋Ｚ方向に進行する。これにより、観察者は画素領域６にて反射する光２８を白く感じる。画素領域６を照射する光２８の一部は分散媒１５を通過して黒色荷電粒子１４及び下部基板２を照射する。黒色荷電粒子１４は光２８を吸収するので、観察者は黒色荷電粒子１４にて反射する光２８を感じ難い。黒色荷電粒子１４及び下部基板２にて反射した光２８のうち反射低減膜７を照射する光２８は反射低減膜７にて吸収される。従って、画素領域６以外から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

非画素領域２７を照射する光２８は反射低減膜７に進入する。反射低減膜７は光２８を吸収するので非画素領域２７では光２８の反射が低減される。従って、画素領域６以外から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

画素領域６の表示を黒色表示にするときも同様に、非画素領域２７を照射する光２８は反射低減膜７に進入する。反射低減膜７は光２８を吸収するので非画素領域２７では光２８の反射が低減される。電気泳動表示装置１のコントラストは黒色表示における輝度と白表示における輝度の比率である。黒色表示における非画素領域２７の反射光の輝度を低くすることにより、電気泳動表示装置１のコントラストを上げることができる。本実施形態では反射低減膜７が光２８を吸収する為、黒色表示において観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。その結果、電気泳動表示装置１のコントラストを高くすることができる。

黒色表示における画素領域６の反射率は５％程度である。波長が３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長の光２８に対して非画素領域２７に設置された反射低減膜７の反射率は１０％以下が好ましく、５％以下であるとさらに好ましい。反射低減膜７を設置しないときの非画素領域２７の反射率は１５％である。反射低減膜７を設置しないときに比べて非画素領域２７の反射を低減することにより電気泳動表示装置１のコントラストを高くして見やすい画面にすることができる。

次に上述した電気泳動表示装置１の製造方法について図６〜図８にて説明する。図６は、電気泳動表示装置の製造方法のフローチャートであり、図７及び図８は電気泳動表示装置の製造方法を説明するための模式図である。図６のフローチャートにおいて、ステップＳ１は上部電極設置工程に相当する。この工程は、上部基板３上に反射低減膜７、共通電極１７及び接着層１８を設置する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は素子設置工程である。この工程は、第１基材８上に素子層９を設置する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は下部電極設置工程である。この工程は、素子層９上に絶縁層１０、貫通電極９ｄ及び画素電極１１を設置する工程である。次にステップＳ４に移行する。

ステップＳ４は隔壁設置工程である。この工程は、下部基板２上に隔壁５を設置する工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は分散液充填工程である。この工程は、画素領域６に電気泳動分散液１２を充填する工程である。次にステップＳ６に移行する。ステップＳ６は基板組立工程である。この工程は、隔壁５と上部基板３とを接着する工程である。以上の工程により電気泳動表示装置１を製造する工程を終了する。

次に、図７及び図８を用いて図６に示したステップと対応させて製造方法を詳細に説明する。
まず、上部基板３を製造する。図７（ａ）及び図７（ｂ）はステップＳ１の上部電極設置工程に対応する図である。図７（ａ）に示すように第２基材１６を用意する。第２基材１６にはガラス板を所定の厚みに研削及び研磨して表面粗さを小さくした板を用いる。次に、第２基材１６上に反射低減膜７を設置する。スパッタリング法等の成膜法を用いてモリブデンの膜を第２基材１６上に形成する。次に、フォトリソグラフィー法によってモリブデンの膜をパターニングして反射低減膜７を形成する。反射低減膜７の平面形状は格子状にする。続いて、図７（ｂ）に示すように第２基材１６及び反射低減膜７上に共通電極１７を設置する。スパッタリング法等の成膜法を用いて膜厚１００ｎｍ程度のＩＴＯ膜を第２基材１６及び反射低減膜７上に形成する。次に、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてＩＴＯ膜をパターニングして、共通電極１７を形成する。

次に、共通電極１７上に接着層１８を設置する。接着層１８はインクジェット法、オフセット印刷、スクリーン印刷、フレキソ印刷等の凸版印刷、グラビア印刷等の凹版印刷等の各種印刷法を用いて設置することができる。他にも、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、スリットコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ダイコート法、ディップコート法等を用いても良い。

続いて、下部基板２を製造する。図７（ｃ）はステップＳ２の素子設置工程に対応する図である。図７（ｃ）に示すように、ステップＳ２において、第１基材８を用意する。第１基材８もガラス板を所定の厚みに研削及び研磨して表面粗さを小さくした板を用いる。第１基材８上に素子層９を形成する。素子層９の形成方法は公知であるので詳細の説明は省略し、概略の製造方法を説明する。素子層９の形成方法は複数存在し特に限定されない。

まず、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって第１基材８上に図示しないＳｉＯ₂の下地絶縁膜を形成する。次に、下地絶縁膜上に、ＣＶＤ法等によって膜厚５０ｎｍ程度の非晶質シリコン膜を形成する。その非晶質シリコン膜をレーザー結晶化法等によって結晶化して、多結晶シリコン膜を形成する。その後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法等を用いて島状の多結晶シリコン膜である半導体膜９ｅを形成する。

次に、半導体膜９ｅ及び下地絶縁膜を覆うようにゲート絶縁膜９ｆを設置する。ゲート絶縁膜９ｆは膜厚１００ｎｍ程度のＳｉＯ₂の膜である。ゲート絶縁膜９ｆはＣＶＤ法等を用いて形成される。次に、スパッタリング法等を用いてゲート絶縁膜９ｆ上に膜厚５００ｎｍ程度のＭｏ膜を形成する。続いて、フォトリソグラフィー法及びエッチング法によりＭｏ膜をパターニングして島状のゲート電極９ｇを形成する。次に、イオン注入法によって半導体膜９ｅに不純物イオンを注入し、ソース領域９ｈ、ドレイン領域９ｊ、チャネル形成領域９ｋを形成する。続いて、ゲート絶縁膜９ｆとゲート電極９ｇを覆うように第１層間絶縁膜９ｍを設置する。第１層間絶縁膜９ｍは膜厚８００ｎｍ程度のＳｉＯ₂の膜である。この第１層間絶縁膜９ｍはスパッタリング法等を用いて形成される。

次に、第１層間絶縁膜９ｍにソース領域９ｈに達するコンタクトホールとドレイン領域９ｊに達するコンタクトホールを形成する。その後、第１層間絶縁膜９ｍ上とコンタクトホール及びコンタクトホール内に、スパッタリング法等によって膜厚５００ｎｍ程度のＭｏ膜を形成し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングし、ソース電極９ｎ、ドレイン電極９ｐ及び配線を形成する。

第１層間絶縁膜９ｍとソース電極９ｎとドレイン電極９ｐと配線とを覆うように、膜厚８００ｎｍ程度のＳｉ₃Ｎ₄膜を形成し、第２層間絶縁膜９ｒとする。フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングし、第２層間絶縁膜９ｒにコンタクトホールを形成する。

図７（ｄ）〜図７（ｅ）はステップＳ３の下部電極設置工程に対応する図である。図７（ｄ）に示すように、ステップＳ３において、素子層９上に絶縁層１０を設置する。まず素子層９の上にアクリル樹脂を溶解した溶液を塗布し乾燥させて固化する。次に、絶縁層１０をフォトリソグラフィー法によってパターニングする。絶縁層１０の外形形状及び貫通孔２９の形状をパターニングする。続いて、エッチング液を用いて絶縁層１０をエッチングして貫通孔２９を形成する。

図７（ｅ）に示すように、絶縁層１０上と貫通孔２９内に、スパッタリング法または蒸着等の成膜法を用いて膜厚５００ｎｍ程度のＡｌ膜を形成する。さらに、スパッタリング法または蒸着等によってＡｌ膜上にＡｕ膜を積層する。続いて、Ａｌ膜及びＡｕ膜をフォトリソグラフィー法によってパターニングし、エッチングして画素電極１１及び導電膜３０を形成する。エッチングにはドライエッチング法を用いることができる。導電膜３０はドレイン電極９ｐと画素電極１１とを導通させる。

図８（ａ）はステップＳ４の隔壁設置工程に対応する図である。図８（ａ）に示すように、ステップＳ４において、画素電極１１上に隔壁５を設置する。まず、画素電極１１に隔壁５の材料となる感光性樹脂材料を塗布する。塗布方法はオフセット印刷、スクリーン印刷、凸版印刷等の各種印刷法を用いて設置することができる。他にも、スピンコート法やロールコート法等のコート法を用いても良い。続いて、感光性樹脂材料を加熱乾燥して固化する。次に、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィー法によってパターニングしエッチングして隔壁５を形成する。

図８（ｂ）はステップＳ５の分散液充填工程に対応する図である。図８（ｂ）に示すように、ステップＳ５において、隔壁５が設置された第１基材８を図示しない容器内に設置する。そして、分散媒１５に白色荷電粒子１３及び黒色荷電粒子１４を加えて撹拌し電気泳動分散液１２を用意する。次に、シリンジ等の供給器具を用いて画素領域６に電気泳動分散液１２を供給する。電気泳動分散液１２の供給方法は各種印刷法やインクジェット法を用いても良い。電気泳動分散液１２は画素領域６から溢れる程度に供給される。

図８（ｃ）はステップＳ６の基板組立工程に対応する図である。図８（ｃ）に示すように、ステップＳ６において、隔壁５上に上部基板３を設置する。まず、電気泳動分散液１２が供給された下部基板２を減圧チャンバー内に設置する。次に、隔壁５上に上部基板３を搭載する。続いて、減圧チャンバー内を減圧し接着層１８に紫外線を照射する。接着層１８は紫外線硬化型の接着剤であり、隔壁５と上部基板３とが仮固定される。次に、上部基板３が設置された下部基板２を加熱し接着層１８を固化することにより上部基板３が隔壁５に固定される。以上の工程により電気泳動表示装置１が完成する。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、電気泳動表示装置１を照射する光２８は反射低減膜７及び画素領域６を照射する。反射低減膜７は光２８の反射を低減する。従って、反射低減膜７から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。その結果、非画素領域２７の反射を低減する為、コントラストを高くすることができる。

（２）本実施形態によれば、反射低減膜７は第２基材１６と隔壁５との間に位置する。第２基材１６を照射する光２８は反射低減膜７及び画素領域６を照射する。反射低減膜７は照射する光２８の反射を低減する。画素領域６を照射する光２８の一部は第２基材１６の厚み方向に対して斜めに進行する。この光２８の一部は反射低減膜７を通過せずに隔壁５内に進行する。そして、画素領域６を通らずに隔壁５から観察者に向かう光２８は反射低減膜７を通過する為、光２８の強度が低減される。従って、画素領域６以外から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

（３）本実施形態によれば、反射低減膜７が第２基材１６に近い場所に位置している。従って、第２基材１６の−Ｚ方向側の面で反射する反射光を確実に低減することができる。

（第２の実施形態）
次に、電気泳動表示装置の一実施形態について図９を用いて説明する。図９は電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、反射低減膜７が下部基板２に設置されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図９に示すように電気泳動表示装置３３は下部基板３４及び上部基板３５を備え、下部基板３４と上部基板３５とで電気泳動分散液１２及び隔壁５を挟む構造になっている。下部基板３４は第１基材８上に素子層９、第１絶縁層３６、反射低減部としての反射低減膜３７、第２絶縁層３８及び画素電極１１がこの順に積層された構造になっている。

第１絶縁層３６及び第２絶縁層３８の材質は第１の実施形態における絶縁層１０と同様の材質を用いることができる。反射低減膜３７の材質は第１の実施形態における反射低減膜７と同様の材質を用いることができる。反射低減膜３７は光２８を吸収し光２８の反射を低減する。

上部基板３５は第２基材１６上に共通電極１７及び接着層１８がこの順に積層されている。上部基板３５には反射低減膜７が設置されていない。従って、非画素領域２７を照射する光２８は上部基板３５を通過して隔壁５を照射する。さらに、隔壁５を照射する光２８は反射低減膜３７に到達し反射低減膜３７に吸収される。従って、非画素領域２７を照射する光２８は反射低減膜３７に吸収される為、非画素領域２７では反射光を低減することができる。

下部基板３４の製造工程の概略を説明する。ステップＳ１の上部電極設置工程では第１の実施形態の工程から反射低減膜７を形成する工程が削除される。ステップＳ２の素子設置工程は第１の実施形態の工程の場合と同じ工程である。ステップＳ３の下部電極設置工程では素子層９上に第１絶縁層３６を設置する。まず、素子層９の上にアクリル樹脂を溶解した溶液を塗布し乾燥させて固化する。次に、アクリル樹脂の膜をフォトリソグラフィー法によって第１絶縁層３６の外形形状及び貫通孔３６ａの形状をパターニングする。続いて、エッチング液を用いてアクリル樹脂の膜をエッチングして第１絶縁層３６の外形形状及び貫通孔３６ａを形成する。

次に、第１絶縁層３６上に反射低減膜３７を設置する工程を行う。スパッタリング法または蒸着法等の成膜法を用いてモリブデンの膜を第１絶縁層３６上に形成する。次に、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてモリブデンの膜をパターニングして反射低減膜３７を形成する。反射低減膜３７の平面形状は格子状にする。

続いて、第１絶縁層３６上に第２絶縁層３８を設置する。第１絶縁層３６及び反射低減膜３７の上にアクリル樹脂を溶解した溶液を塗布し乾燥させて固化する。次に、アクリル樹脂の膜をフォトリソグラフィー法によって第２絶縁層３８の外形形状及び貫通孔３８ａの形状をパターニングする。続いて、エッチング法を用いてアクリル樹脂の膜をエッチングして第２絶縁層３８の外形形状及び貫通孔３８ａを形成する。

次に、第２絶縁層３８上と貫通孔３８ａ内に、スパッタリング法等の成膜法を用いてＡｌ膜を形成する。さらに、スパッタリング法または蒸着等によってＡｌ膜上にＡｕ膜を積層する。続いて、Ａｌ膜及びＡｕ膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて画素電極１１及び導電膜３０を形成する。エッチングにはドライエッチング法を用いることができる。導電膜３０はドレイン電極９ｐと画素電極１１とを導通させる膜である。以上の工程により下部基板３４が形成される。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、非画素領域２７を照射する光２８は反射低減膜３７に吸収される。従って、非画素領域２７では反射光を低減することができる為、コントラスト良く画面を表示することができる。

（２）本実施形態によれば、反射低減膜３７は隔壁５よりも第１基材８側に位置している。従って、反射低減膜３７を隔壁５よりも大きくしても画素領域６の面積が小さくなることがない。その結果、反射低減膜３７を設置しても開口率を下げないようにすることができる。尚、開口率は、画素領域６を合計した面積を画素領域６と非画素領域２７とを合計した面積で除算した値である。開口率が大きい程、白色表示を明るくすることができる。

（第３の実施形態）
次に、電気泳動表示装置の一実施形態について図１０及び図１１を用いて説明する。図１０は電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、反射低減膜７の代わりに隔壁５が光２８を吸収する点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図１０に示すように電気泳動表示装置４１は下部基板２及び上部基板３５を備え、下部基板２と上部基板３５とで電気泳動分散液１２及び隔壁部及び反射低減部としての隔壁４２を挟む構造になっている。第２の実施形態と同様に上部基板３５は第２基材１６上に共通電極１７及び接着層１８がこの順に積層されている。上部基板３５には反射低減膜７が設置されていない。従って、非画素領域２７を照射する光２８は上部基板３５を通過して隔壁４２を照射する。

隔壁４２の材質は光２８の反射率が低く絶縁性があり加工性の良い材質であれば良く特に限定されず、例えば、隔壁４２の材質にはカーボンフィラーを含有するアクリル樹脂やエポキシ樹脂等の樹脂を用いることができる。カーボンフィラーは炭素を主原料とする充填剤である。樹脂中のフィラー濃度が高い程、光２８の反射率を低くすることができる。一方、樹脂中のフィラー濃度が高い程、樹脂の体積抵抗率が低下して絶縁性が低下する。本実施形態では、例えば、カーボンフィラーを含有するアクリル樹脂を採用した。

非画素領域２７の上部基板３５から進入する光２８は隔壁４２を照射する。隔壁４２を照射する光２８は隔壁４２に吸収される為、隔壁４２にて反射する光の強度が低減される。従って、非画素領域２７から進入して非画素領域２７から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

本実施形態では、隔壁４２の幅を５μｍとし、隔壁４２の高さを３０μｍとした。そして、四角形の画素領域６における１辺の隔壁４２の長さを８０μｍとした。そして、隔壁４２の体積抵抗率を２．８１×１０⁵Ωｃｍにした。このとき、下部基板２と上部基板３５との間の隔壁４２の抵抗は１．５×１０⁹Ωになる。そして、画素電極１１と共通電極１７との間に１５Ｖの電圧を印加したとき隔壁４２を通過する電流は１×１０^-8Ａになる。この電流値のとき電気泳動表示装置４１を安定して駆動可能であることを確認した。従って、画素領域６における１辺の隔壁４２の抵抗を１．５×１０⁹Ω以上にすることにより電気泳動表示装置４１を安定して駆動することができる。

本実施形態では、樹脂中のフィラー濃度を調整することにより、黒色表示で非画素領域２７の反射率を５％以下にした。そして、隔壁４２の抵抗は１．５×１０⁹Ω以上にすることができた。従って、電気泳動表示装置４１はコントラストの良い表示を安定して行うことができた。

図１１は隔壁の製造方法を説明するための模式図である。図１１を用いて下部基板２の製造工程の概略を説明する。図１１（ａ）に示すように、ステップＳ４の隔壁設置工程では下部基板２上にカーボンフィラーを含有するアクリル樹脂の樹脂膜４３を設置する。アクリル樹脂の樹脂膜４３は樹脂中のフィラー濃度を調整して体積抵抗率を２．８１×１０⁵Ωｃｍにする。下部基板２の上にカーボンフィラーを含有するアクリル樹脂を溶解した溶液を塗布し乾燥させて固化する。その結果、下部基板２上に樹脂膜４３が設置される。樹脂膜４３は変形可能な硬さにする。

図１１（ｂ）に示すように、次に、樹脂膜４３に成形型４４を押圧する。成形型４４には隔壁４２の形状に凹部４４ａが形成されている。樹脂膜４３は成形型４４に押圧されて凹部４４ａに流動する。成形型４４には成形型４４を加熱する図示しないヒーターが設置されている。次に、ヒーターを加熱し成形型４４を介して樹脂膜４３を加熱する。これにより、樹脂膜４３が硬化して隔壁４２になる。そして、樹脂中のフィラー濃度を調整して、隔壁４２の抵抗は１．５×１０⁹Ω以上にする。

下部基板２の表面は薄い樹脂膜４３に覆われている。次に、下部基板２を図示しないアッシング装置内に設置する。図１１（ｃ）に示すように、酸素ガスを非電離放射線でプラズマ化し、下部基板２の表面にプラズマ化した酸素ガスを流動される。隔壁４２以外の樹脂膜４３はプラズマ中の酸素ラジカルと結合し、二酸化炭素と水になり蒸発して剥離される。以上の工程により隔壁４２が形成される。引き続き、ステップＳ５の分散液充填工程及びステップＳ６の基板組立工程を行って電気泳動表示装置４１を完成させる。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、非画素領域２７の上部基板３５から進入する光２８は隔壁４２を照射する。隔壁４２を照射する光２８は光の強度が低減される。従って、非画素領域２７から進入して非画素領域２７から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

（２）本実施形態によれば、画素領域６を照射する光２８の一部は上部基板３５の厚み方向に対して斜めに進行する。この光２８の一部は画素領域６の上部基板３５を通過して隔壁４２を照射する。隔壁４２を照射する光２８は光の強度が低減される。従って、画素領域６から進入して非画素領域２７から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

（３）本実施形態によれば、隔壁４２は画素電極１１と共通電極１７とを絶縁する為、画素電極１１と共通電極１７とが導通することを防止することができる。

（４）本実施形態によれば、隔壁４２が光２８を吸収する。従って、画素領域６の面積が小さくなることがない為、開口率を下げないようにすることができる。

（５）本実施形態によれば、反射低減膜７や反射低減膜３７を設置する工程が追加されない。従って、生産性良く電気泳動表示装置４１を製造することができる。

（第４の実施形態）
次に、電気泳動表示装置の一実施形態について図１２を用いて説明する。図１２は電気泳動表示装置の構造を示す模式側断面図である。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、反射低減膜７の代わりに下部基板２の絶縁層１０が光２８を吸収する点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。

すなわち、本実施形態では、図１２に示すように電気泳動表示装置４７は第１基板４８及び上部基板３５を備え、第１基板４８と上部基板３５とで電気泳動分散液１２及び隔壁５を挟む構造になっている。第２の実施形態と同様に上部基板３５は第２基材１６上に共通電極１７及び接着層１８がこの順に積層されている。上部基板３５には反射低減膜７が設置されていない。従って、非画素領域２７を照射する光２８は上部基板３５を通過して隔壁５を照射する。

第１基板４８は第１基材８上に素子層９、反射低減部としての絶縁層４９及び画素電極１１がこの順に積層されている。そして、絶縁層４９は光２８を吸収する機能を有している。絶縁層４９の材質は光２８の反射率が低く絶縁性があり加工性の良い材質であれば良く特に限定されず、絶縁層４９の材質には第３の実施形態における隔壁４２と同様の材質を用いることができる。本実施形態では、例えば、絶縁層４９の材質にカーボンフィラーを含有するアクリル樹脂を採用した。

本実施形態では、絶縁層４９の体積抵抗率を２．８１×１０⁵Ωｃｍにした。このとき、電気泳動表示装置４７を安定して駆動可能であることを確認した。従って、絶縁層４９の体積抵抗率を２．８１×１０⁵Ωｃｍ以上にすることにより電気泳動表示装置４７を安定して駆動することができる。

本実施形態では、樹脂中のフィラー濃度を調整することにより、黒色表示で非画素領域２７の反射率を５％以下にした。そして、絶縁層４９の体積抵抗率は２．８１×１０⁵Ωｃｍ以上にすることができた。従って、電気泳動表示装置４７はコントラストの良い表示を安定して行うことができた。

上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、絶縁層４９が光２８の反射を低減する。非画素領域２７の上部基板３５から進入する光２８は隔壁５を通過して絶縁層４９を照射する。絶縁層４９を照射する光２８は光の強度が低減される。従って、非画素領域２７から進入して非画素領域２７から観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

（２）本実施形態によれば、画素領域６の上部基板３５から進入する光２８の一部は電気泳動分散液１２を通過して絶縁層４９を照射する。絶縁層４９を照射する光２８は光の強度が低減される。従って、画素領域６から進入して絶縁層４９にて反射し、非画素領域２７を通過して観察者に向かって進行する光２８を低減することができる。

（３）本実施形態によれば、絶縁層４９は画素電極１１と電圧供給線９ａとを絶縁する為、画素電極１１と電圧供給線９ａとが導通することを防止することができる。

（４）本実施形態によれば、絶縁層４９が光２８を吸収する。従って、画素領域６の面積が小さくなることがない為、開口率を下げないようにすることができる。

（５）本実施形態によれば、反射低減膜７や反射低減膜３７を設置する工程が追加されない。従って、生産性良く電気泳動表示装置４７を製造することができる。

（第５の実施形態）
次に、電気泳動表示装置を搭載した電子機器の一実施形態について図１３を用いて説明する。図１３（ａ）は電子ブックの構造を示す概略斜視図であり、図１３（ｂ）は腕時計の構造を示す概略斜視図である。図１３（ａ）に示すように、電子機器としての電子ブック５２は板状のケース５３を備えている。ケース５３には蝶番５４を介して蓋部５５が設置されている。さらに、ケース５３には操作ボタン５６と表示部５７とが設置されている。操作者は操作ボタン５６を操作して表示部５７に表示する内容を操作することができる。

ケース５３の内部には電子ブック５２を制御する制御部５８と表示部５７を駆動する駆動部５９が設置されている。制御部５８は駆動部５９に表示データを出力する。駆動部５９は表示データを入力して表示部５７を駆動する。そして、駆動部５９は表示部５７に表示データに対応する内容を表示させる。表示部５７には電気泳動表示装置１、電気泳動表示装置３３、電気泳動表示装置４１及び電気泳動表示装置４７のいずれかが用いられている。従って、電子ブック５２はコントラスト良く表示することができる電気泳動表示装置を表示部５７に備えた装置とすることができる。

図１３（ｂ）に示すように、電子機器としての腕時計６２は板状のケース６３を備えている。ケース６３にはバンド６４が設置され、操作者はバンド６４を腕に巻いて腕時計６２を腕に固定することができる。さらに、ケース６３には操作ボタン６５と表示部６６とが設置されている。操作者は操作ボタン６５を操作して表示部６６に表示する内容を操作することができる。

ケース６３の内部には腕時計６２を制御する制御部６７と表示部６６を駆動する駆動部６８が設置されている。制御部６７は駆動部６８に表示データを出力する。駆動部６８は表示データを入力して表示部６６を駆動する。そして、駆動部６８は表示部６６に表示データに対応する内容を表示させる。そして、表示部６６には電気泳動表示装置１、電気泳動表示装置３３、電気泳動表示装置４１及び電気泳動表示装置４７のいずれかが用いられている。従って、腕時計６２はコントラスト良く表示することができる電気泳動表示装置を表示部６６に備えた装置とすることができる。

尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、電気泳動分散液１２に白色荷電粒子１３及び黒色荷電粒子１４を設置した。白色荷電粒子１３及び黒色荷電粒子１４に代えて、赤色、緑色、青色等の荷電粒子を用いてもよい。この構成によれば、赤色、緑色、青色等を表示することでカラー表示を行うことができる。

（変形例２）
前記第１の実施形態では、１つの画素領域６に１つの画素電極１１が設置された。１つの画素領域６に複数の画素電極１１を設置してもよい。表示を細分化することができる。

（変形例３）
前記第１の実施形態では白色荷電粒子１３を正極に帯電させて、黒色荷電粒子１４を負極に帯電させた。白色荷電粒子１３を負極に帯電させて、黒色荷電粒子１４を正極に帯電させても良い。制御しやすい帯電状態にしてもよい。

（変形例４）
前記第１の実施形態では、上部基板３に反射低減膜７が設置されていた。そして、前記第２の実施形態では、下部基板３４に反射低減膜３７が設置されていた。反射低減膜７を備える上部基板３と反射低減膜３７を備える下部基板３４とで電気泳動分散液１２を挟む構造にしても良い。反射低減膜７及び反射低減膜３７によりさらにコントラスト良く画面を表示することができる。

前記第３の実施形態では、隔壁４２が光２８を吸収した。反射低減膜７を備える上部基板３と反射低減膜３７を備える下部基板３４とで電気泳動分散液１２及び隔壁４２を挟む構造にしても良い。反射低減膜７、反射低減膜３７及び隔壁４２によりさらにコントラスト良く画面を表示することができる。

他にも、反射低減膜７を備える上部基板３と反射低減膜３７を備えない下部基板２とで電気泳動分散液１２及び隔壁４２を挟む構造にしても良い。他にも、反射低減膜７を備えない上部基板３５と反射低減膜３７を備える下部基板３４とで電気泳動分散液１２及び隔壁４２を挟む構造にしても良い。

前記第４の実施形態では、絶縁層４９が光２８を吸収した。反射低減膜７を備える上部基板３と絶縁層４９を備える第１基板４８とで電気泳動分散液１２を挟む構造にしても良い。反射低減膜７、絶縁層４９によりさらにコントラスト良く画面を表示することができる。さらに、反射低減膜７を備える上部基板３と絶縁層４９を備える第１基板４８とで電気泳動分散液１２及び隔壁４２を挟む構造にしても良い。反射低減膜７、絶縁層４９及び隔壁４２によりさらにコントラスト良く画面を表示することができる。

他にも、反射低減膜７を備えない上部基板３５と絶縁層４９を備える第１基板４８とで電気泳動分散液１２及び隔壁４２を挟む構造にしても良い。

１，３３，４１，４７…電気泳動表示装置、５…隔壁部としての隔壁、７，３７…反射低減部としての反射低減膜、８…第１基板としての第１基材、９ｃ…半導体素子、１１…第１電極としての画素電極、１３…荷電粒子としての白色荷電粒子、１４…荷電粒子としての黒色荷電粒子、１５…分散媒、１６…第２基板としての第２基材、１７…第２電極としての共通電極、４２…隔壁部及び反射低減部としての隔壁、４９…反射低減部としての絶縁層、５２…電子機器としての電子ブック、５７，６６…表示部、６２…電子機器としての腕時計。

Claims (10)

1. 半導体素子が設置される第１基板と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に位置し画素領域を区画する隔壁部と、を備え、
   前記第２基板の法線方向から見たときに、前記隔壁部により区画されたそれぞれの領域内に荷電粒子を含む電気泳動分散液が保持され、前記隔壁部と重なる領域には光の反射を低減する反射低減部を有することを特徴とする電気泳動表示装置。
2. 請求項１に記載の電気泳動表示装置であって、
   前記反射低減部は前記第２基板と前記隔壁部との間に位置することを特徴とする電気泳動表示装置。
3. 請求項１に記載の電気泳動表示装置であって、
   前記第１基板と前記隔壁部との間に前記反射低減部を有することを特徴とする電気泳動表示装置。
4. 請求項１に記載の電気泳動表示装置であって、
   前記隔壁部が前記反射低減部を兼ねることを特徴とする電気泳動表示装置。
5. 請求項１に記載の電気泳動表示装置であって、
   前記第１基板上に位置し前記半導体素子が設置された素子層と、
   前記素子層の上に位置する絶縁層と、を備え、
   前記絶縁層が前記反射低減部を兼ねることを特徴とする電気泳動表示装置。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置であって、
   前記第１基板には第１電極が設置され、前記第２基板には第２電極が設置され、前記隔壁部は前記第１電極と前記第２電極とを絶縁することを特徴とする電気泳動表示装置。
7. 請求項１から５のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置であって、
   隣接する２つの前記画素領域を隔てる前記隔壁部の抵抗値が１×１０⁸Ω以上であることを特徴とする電気泳動表示装置。
8. 表示部と、前記表示部を駆動する駆動部と、を備え、
   前記表示部は請求項１から７のいずれか一項に記載の電気泳動表示装置であることを特徴とする電子機器。
9. 第１基板上に炭素を含む樹脂材料を成形して隔壁部を設置し、
   前記隔壁部に区画された画素領域に分散媒及び荷電粒子を含む電気泳動分散液を充填し、
   前記隔壁部に重ねて第２基板を設置することを特徴とする電気泳動表示装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の電気泳動表示装置の製造方法であって、
    隣接する２つの前記画素領域を隔てる前記隔壁部の抵抗値が１×１０⁸Ω以上であることを特徴とする電気泳動表示装置の製造方法。

Images