JP2016143794A - Processing system, processing method and program - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a processing system which is precise and easy to use, a processing method and a program.SOLUTION: A control part 50 of a thermal processing apparatus 1 comprises: a processing change model storage part which stores a processing change model showing a relation between change in processing condition and change in processing result; a recipe storage part which stores processing conditions corresponding to processing details; a processing information reception part which receives information associated with a processing result; a processing condition calculation part which calculates a processing condition as a target processing result; a learning history file storage part which stores a learning history file associated with the calculated processing condition; and a processing condition update part which updates the calculated processing condition. The processing condition calculation means calculates a processing condition close to the target processing result based upon a learning history file storing the processing condition updated from the learning history file and at least some of processing conditions, the updated processing condition, and processing change model.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理体を処理する処理システム、処理方法、及び、プログラムに関し、特に、被処理体を多数枚一括して処理するバッチ式の処理システム、処理方法、及び、プログラムに関する。   The present invention relates to a processing system, a processing method, and a program for processing an object to be processed such as a semiconductor wafer, and in particular, a batch processing system, a processing method, and a program for processing a large number of objects to be processed at once. About.

半導体装置の製造工程では、多数枚の被処理体、例えば、半導体ウエハの成膜処理、酸化処理あるいは拡散処理などを一括して行うバッチ式の処理システムが用いられている。バッチ式の処理システムでは、効率的に半導体ウエハを処理することが可能であるが、多数枚の半導体ウエハの処理の均一性を確保することは困難である。   In a manufacturing process of a semiconductor device, a batch type processing system is used that collectively performs film formation processing, oxidation processing, diffusion processing, or the like on a large number of objects to be processed, for example, semiconductor wafers. A batch type processing system can efficiently process semiconductor wafers, but it is difficult to ensure the uniformity of processing of a large number of semiconductor wafers.

このような問題を解決するため、例えば、特許文献１には、ヒータ室内に取り込まれる外気の温度が一定になるように外気の温度を自動的に調整する熱処理装置が提案されている。   In order to solve such a problem, for example, Patent Document 1 proposes a heat treatment apparatus that automatically adjusts the temperature of the outside air so that the temperature of the outside air taken into the heater chamber becomes constant.

特開２００５−１８３５９６号公報JP 2005-183596 A

ところで、このような処理システムでは、精度向上のため、学習機能を搭載したものがある。しかし、学習機能を搭載した処理システムを使用する際には、使用者が、過去の処理条件、処理結果に関する情報が蓄積された学習履歴ファイルを選択しなければならず、使用者が学習履歴ファイルを選択する作業が必要になり、使いづらい（手間がかかる）という問題がある。また、使用者が学習履歴ファイルの選択を誤ると、計算結果が誤ったものとなり、処理結果の精度が低下してしまうという問題がある。   By the way, some of such processing systems are equipped with a learning function to improve accuracy. However, when using a processing system equipped with a learning function, the user must select a learning history file in which information on past processing conditions and processing results is accumulated. There is a problem that it is difficult to use (and takes time). In addition, if the user selects the learning history file incorrectly, there is a problem that the calculation result is incorrect and the accuracy of the processing result is lowered.

本発明は、上記実状に鑑みてなされたものであり、精度良く、使いやすい処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a processing system, a processing method, and a program that are accurate and easy to use.

上記目的を達成するため、本発明の第１の観点にかかる処理システムは、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段と、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果となる処理条件を算出する処理条件算出手段と、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段と、
前記処理条件記憶手段に記憶された処理条件を前記処理条件算出手段により算出された処理条件に更新する処理条件更新手段と、
を備え、
前記処理条件算出手段は、前記学習履歴ファイル記憶手段に記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と少なくとも一部の処理条件が記憶された学習履歴ファイルと、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する、ことを特徴とする。 In order to achieve the above object, a processing system according to a first aspect of the present invention includes:
A processing condition storage means for storing processing conditions corresponding to the processing content of the object to be processed contained in the processing chamber;
A process change model storage unit that stores a process change model indicating a relationship between a change in the process condition and a change in the process result;
Processing information receiving means for receiving information on a processing result targeted by the object;
Based on the information on the target processing result received by the processing information receiving unit, the processing condition stored by the processing condition storage unit, and the processing change model stored in the processing change model storage unit, A processing condition calculation means for calculating a processing condition that is a target processing result;
Learning history file storage means for storing a learning history file related to the processing conditions calculated by the processing condition calculation means;
Processing condition update means for updating the processing condition stored in the processing condition storage means to the processing condition calculated by the processing condition calculation means;
With
The processing condition calculation means includes a learning history file in which at least a part of the processing conditions and the processing conditions updated by the processing condition update means are stored from the learning history file stored in the learning history file storage means, A processing condition close to the target processing result is calculated based on the processing condition updated by the processing condition update unit and the processing change model stored in the processing change model storage unit.

前記処理条件算出手段は、例えば、前記学習履歴ファイル記憶手段に記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定する。   The processing condition calculation unit specifies, for example, a learning history file in which the same processing condition as the processing condition updated by the processing condition update unit is stored from the learning history file stored in the learning history file storage unit. .

前記処理条件算出手段により算出された処理条件で処理された処理結果が、前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する判別手段をさらに備えてもよい。この場合、前記処理条件算出手段は、前記判別手段により許容範囲内でないと判別されると、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する。   And a discriminating unit that discriminates whether or not the processing result processed under the processing condition calculated by the processing condition calculating unit is within an allowable range of information related to the target processing result received by the processing information receiving unit. May be. In this case, the processing condition calculation unit calculates a processing condition close to the target processing result when the determination unit determines that the value is not within the allowable range.

前記処理内容は、例えば、成膜処理であり、
前記処理結果は、例えば、前記被処理体に形成された薄膜の膜厚または膜中不純物濃度である。 The processing content is, for example, a film forming process,
The processing result is, for example, the thickness of the thin film formed on the object to be processed or the impurity concentration in the film.

本発明の第２の観点にかかる処理方法は、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶工程と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信工程と、
前記処理情報受信工程により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶工程により記憶された処理条件と、前記処理変化モデル記憶工程により記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果となる処理条件を算出する処理条件算出工程と、
前記処理条件算出工程により算出された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶工程と、
前記処理条件記憶工程により記憶された処理条件を前記処理条件算出工程により算出された処理条件に更新する処理条件更新工程と、
を備え、
前記処理条件算出工程では、前記学習履歴ファイル記憶工程で記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新工程により更新された処理条件と少なくとも一部の処理条件が記憶された学習履歴ファイルと、前記処理条件更新工程により更新された処理条件と、前記処理変化モデル記憶工程で記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する、ことを特徴とする。 The processing method according to the second aspect of the present invention is:
A processing condition storage step for storing processing conditions according to the processing content of the object to be processed contained in the processing chamber;
A process change model storage step for storing a process change model indicating a relationship between a change in the process condition and a change in the process result;
A process information receiving step for receiving information on a target processing result of the object to be processed;
Based on the information on the target processing result received by the processing information receiving step, the processing condition stored by the processing condition storage step, and the processing change model stored by the processing change model storage step, A processing condition calculation step for calculating a processing condition that becomes a target processing result;
A learning history file storage step for storing a learning history file related to the processing condition calculated by the processing condition calculation step;
A processing condition update step for updating the processing condition stored by the processing condition storage step to the processing condition calculated by the processing condition calculation step;
With
In the processing condition calculation step, from the learning history file stored in the learning history file storage step, the processing history updated by the processing condition update step and a learning history file storing at least a part of the processing conditions, A process condition close to the target process result is calculated based on the process condition updated in the process condition update process and the process change model stored in the process change model storage process.

本発明の第３の観点にかかるプログラムは、
コンピュータを、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果となる処理条件を算出する処理条件算出手段、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段、
前記処理条件記憶手段に記憶された処理条件を前記処理条件算出手段により算出された処理条件に更新する処理条件更新手段、
として機能させ、
前記処理条件算出手段は、前記学習履歴ファイル記憶手段に記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と少なくとも一部の処理条件が記憶された学習履歴ファイルと、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する、ことを特徴とする。 The program according to the third aspect of the present invention is:
Computer
Processing condition storage means for storing processing conditions according to the processing content of the object to be processed housed in the processing chamber;
A process change model storage means for storing a process change model indicating a relationship between a change in the process condition and a change in the process result;
Processing information receiving means for receiving information on a processing result targeted by the object to be processed;
Based on the information on the target processing result received by the processing information receiving unit, the processing condition stored by the processing condition storage unit, and the processing change model stored in the processing change model storage unit, A processing condition calculating means for calculating a processing condition that is a target processing result;
Learning history file storage means for storing a learning history file related to the processing conditions calculated by the processing condition calculation means;
Processing condition update means for updating the processing condition stored in the processing condition storage means to the processing condition calculated by the processing condition calculation means;
Function as
The processing condition calculation means includes a learning history file in which at least a part of the processing conditions and the processing conditions updated by the processing condition update means are stored from the learning history file stored in the learning history file storage means, A processing condition close to the target processing result is calculated based on the processing condition updated by the processing condition update unit and the processing change model stored in the processing change model storage unit.

本発明によれば、精度良く、使いやすい処理システム、処理方法、及び、プログラムを提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a processing system, a processing method, and a program that are accurate and easy to use.

本発明の実施の形態に係る熱処理装置の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the heat processing apparatus which concerns on embodiment of this invention. 反応管内のゾーンを示す図である。It is a figure which shows the zone in a reaction tube. 図１の制御部の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the control part of FIG. ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルの一例である。It is an example of a thickness change model showing a relationship between the thickness variation of the SiO 2 film formed with a change in temperature of the heater. 熱処理を説明するためのフローチャートである。It is a flowchart for demonstrating heat processing.

以下、本発明の処理システム、処理方法、及び、プログラムを、図１に示すバッチ式の縦型の熱処理装置に適用した場合を例に本実施の形態を説明する。また、本実施の形態では、成膜用ガスとして、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）と一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とを用いて、半導体ウエハにＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明する。 Hereinafter, the present embodiment will be described taking as an example the case where the processing system, the processing method, and the program of the present invention are applied to the batch type vertical heat treatment apparatus shown in FIG. In this embodiment mode, an example of forming a SiO 2 film on a semiconductor wafer by using dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) and dinitrogen monoxide (N 2 O) as a film forming gas is taken as an example. The present invention will be described.

図１に示すように、本実施の形態の熱処理装置１は、略円筒状で有天井の反応管２を備えている。反応管２は、その長手方向が垂直方向に向くように配置されている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。   As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 1 of the present embodiment includes a reaction tube 2 having a substantially cylindrical shape and a ceiling. The reaction tube 2 is arranged so that its longitudinal direction is in the vertical direction. The reaction tube 2 is made of a material excellent in heat resistance and corrosion resistance, for example, quartz.

反応管２の下側には、略円筒状のマニホールド３が設けられている。マニホールド３は、その上端が反応管２の下端と気密に接合されている。マニホールド３には、反応管２内のガスを排気するための排気管４が気密に接続されている。排気管４には、バルブ、真空ポンプなどからなる圧力調整部５が設けられており、反応管２内を所望の圧力（真空度）に調整する。   A substantially cylindrical manifold 3 is provided below the reaction tube 2. The upper end of the manifold 3 is airtightly joined to the lower end of the reaction tube 2. An exhaust pipe 4 for exhausting the gas in the reaction tube 2 is airtightly connected to the manifold 3. The exhaust pipe 4 is provided with a pressure adjusting unit 5 including a valve, a vacuum pump, and the like, and the inside of the reaction pipe 2 is adjusted to a desired pressure (degree of vacuum).

マニホールド３（反応管２）の下方には、蓋体６が配置されている。蓋体６は、ボートエレベータ７により上下動可能に構成され、ボートエレベータ７により蓋体６が上昇するとマニホールド３（反応管２）の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータ７により蓋体６が下降すると反応管２の下方側（炉口部分）が開口されるように配置されている。   A lid 6 is disposed below the manifold 3 (reaction tube 2). The lid body 6 is configured to be movable up and down by the boat elevator 7. When the lid body 6 is raised by the boat elevator 7, the lower side (furnace port portion) of the manifold 3 (reaction tube 2) is closed. It arrange | positions so that the lower side (furnace port part) of the reaction tube 2 may be opened when the body 6 descends.

蓋体６の上部には、保温筒（断熱体）８を介して、ウエハボート９が設けられている。ウエハボート９は、被処理体、例えば、半導体ウエハＷを収容（保持）するウエハ保持具であり、本実施の形態では、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚、例えば、１５０枚収容可能に構成されている。そして、ウエハボート９に半導体ウエハＷを収容し、ボートエレベータ７により蓋体６を上昇させることにより、半導体ウエハＷが反応管２内にロードされる。   A wafer boat 9 is provided above the lid 6 via a heat insulating cylinder (heat insulator) 8. The wafer boat 9 is a wafer holder that accommodates (holds) an object to be processed, for example, a semiconductor wafer W. In the present embodiment, a plurality of semiconductor wafers W, for example, at a predetermined interval in the vertical direction, for example, It is configured to accommodate 150 sheets. Then, the semiconductor wafer W is accommodated in the wafer boat 9 and the lid 6 is raised by the boat elevator 7, whereby the semiconductor wafer W is loaded into the reaction tube 2.

反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなるヒータ部１０が設けられている。このヒータ部１０により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。ヒータ部１０は、例えば、５段に配置されたヒータ１１〜１５から構成され、ヒータ１１〜１５には、それぞれ電力コントローラ１６〜２０が接続されている。このため、この電力コントローラ１６〜２０にそれぞれ独立して電力を供給することにより、ヒータ１１〜１５をそれぞれ独立に所望の温度に加熱することができる。このように、反応管２内は、このヒータ１１〜１５により、図２に示すような５つのゾーンに区分されている。例えば、反応管２内のＴＯＰ（ＺＯＮＥ１）を加熱する場合には、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を所望の温度に加熱する。反応管２内のＣＥＮＴＥＲ（ＣＴＲ（ＺＯＮＥ３））を加熱する場合には、電力コントローラ１８を制御してヒータ１３を所望の温度に加熱する。反応管２内のＢＯＴＴＯＭ（ＢＴＭ（ＺＯＮＥ５））を加熱する場合には、電力コントローラ２０を制御してヒータ１５を所望の温度に加熱する。   Around the reaction tube 2, for example, a heater unit 10 made of a resistance heating element is provided so as to surround the reaction tube 2. The heater 10 heats the inside of the reaction tube 2 to a predetermined temperature, and as a result, the semiconductor wafer W is heated to a predetermined temperature. The heater unit 10 includes, for example, heaters 11 to 15 arranged in five stages, and power controllers 16 to 20 are connected to the heaters 11 to 15, respectively. For this reason, the heaters 11 to 15 can be independently heated to desired temperatures by supplying power to the power controllers 16 to 20 independently. Thus, the reaction tube 2 is divided into five zones as shown in FIG. 2 by the heaters 11 to 15. For example, when TOP (ZONE 1) in the reaction tube 2 is heated, the power controller 16 is controlled to heat the heater 11 to a desired temperature. When heating CENTER (CTR (ZONE 3)) in the reaction tube 2, the power controller 18 is controlled to heat the heater 13 to a desired temperature. When heating BOTTOM (BTM (ZONE5)) in the reaction tube 2, the power controller 20 is controlled to heat the heater 15 to a desired temperature.

また、マニホールド３には、反応管２内に処理ガスを供給する複数の処理ガス供給管が設けられている。なお、図１では、マニホールド３に処理ガスを供給する３つの処理ガス供給管２１〜２３を図示している。処理ガス供給管２１は、マニホールド３の側方からウエハボート９の上部付近（ＺＯＮＥ１）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２２は、マニホールド３の側方からウエハボート９の中央付近（ＺＯＮＥ３）まで延びるように形成されている。処理ガス供給管２３は、マニホールド３の側方からウエハボート９の下部付近（ＺＯＮＥ５）まで延びるように形成されている。   The manifold 3 is provided with a plurality of processing gas supply pipes for supplying a processing gas into the reaction tube 2. In FIG. 1, three process gas supply pipes 21 to 23 that supply process gas to the manifold 3 are illustrated. The processing gas supply pipe 21 is formed so as to extend from the side of the manifold 3 to the vicinity of the upper portion of the wafer boat 9 (ZONE 1). The processing gas supply pipe 22 is formed so as to extend from the side of the manifold 3 to the vicinity of the center of the wafer boat 9 (ZONE 3). The processing gas supply pipe 23 is formed so as to extend from the side of the manifold 3 to the vicinity of the lower portion of the wafer boat 9 (ZONE 5).

各処理ガス供給管２１〜２３には、それぞれ、流量調整部２４〜２６が設けられている。流量調整部２４〜２６は、処理ガス供給管２１〜２３内を流れる処理ガスの流量を調整するためのマスフローコントローラ（ＭＦＣ）などから構成されている。このため、処理ガス供給管２１〜２３から供給される処理ガスは、流量調整部２４〜２６により所望の流量に調整されて、それぞれ反応管２内に供給される。   The process gas supply pipes 21 to 23 are provided with flow rate adjusting units 24 to 26, respectively. The flow rate adjusting units 24 to 26 are configured by a mass flow controller (MFC) or the like for adjusting the flow rate of the processing gas flowing in the processing gas supply pipes 21 to 23. For this reason, the processing gas supplied from the processing gas supply pipes 21 to 23 is adjusted to a desired flow rate by the flow rate adjusting units 24 to 26 and supplied to the reaction pipe 2 respectively.

また、熱処理装置１は、反応管２内のガス流量、圧力、処理雰囲気の温度といった処理パラメータを制御するための制御部（コントローラ）５０を備えている。制御部５０は、流量調整部２４〜２６、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０等に制御信号を出力する。図３に制御部５０の構成を示す。   Further, the heat treatment apparatus 1 includes a control unit (controller) 50 for controlling processing parameters such as a gas flow rate in the reaction tube 2, a pressure, and a processing atmosphere temperature. The control unit 50 outputs control signals to the flow rate adjustment units 24 to 26, the pressure adjustment unit 5, the power controllers 16 to 20 of the heaters 11 to 15, and the like. FIG. 3 shows the configuration of the control unit 50.

図３に示すように、制御部５０は、モデル記憶部５１と、レシピ記憶部５２と、学習履歴ファイル記憶部５３と、ＲＯＭ（Read Only Memory）５４と、ＲＡＭ（Random Access Memory）５５と、Ｉ／Ｏ（Input/Output Port）ポート５６と、ＣＰＵ５７（Central Processing Unit)と、これらを相互に接続するバス５８と、から構成されている。   As shown in FIG. 3, the control unit 50 includes a model storage unit 51, a recipe storage unit 52, a learning history file storage unit 53, a ROM (Read Only Memory) 54, a RAM (Random Access Memory) 55, An I / O (Input / Output Port) port 56, a CPU 57 (Central Processing Unit), and a bus 58 for interconnecting them are configured.

モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜厚変化との関係を示す膜厚変化モデルが記憶されている。図４に膜厚変化モデルの一例を示す。図４に示すように、膜厚変化モデルは、所定ＺＯＮＥの温度を１℃上げたとき、各ＺＯＮＥに形成されるＳｉＯ２膜の膜厚がどれだけ変化するかを示している。例えば、図４に示すように、電力コントローラ１６を制御してヒータ１１を加熱することによりＺＯＮＥ１の温度設定値を１℃上げると、ＺＯＮＥ１に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が２ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ２に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．７ｎｍ減少し、ＺＯＮＥ３に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．８ｎｍ増加し、ＺＯＮＥ４に形成されるＳｉＯ２膜の膜厚が０．０５ｎｍ減少する。 The model storage unit 51 stores a film thickness change model indicating a relationship between a change in the heater temperature and a change in the film thickness of the formed SiO 2 film. FIG. 4 shows an example of the film thickness change model. As shown in FIG. 4, the film thickness change model indicates how much the film thickness of the SiO 2 film formed on each ZONE changes when the temperature of the predetermined ZONE is raised by 1 ° C. For example, as shown in FIG. 4, when the temperature setting value of ZONE1 is raised by 1 ° C. by controlling the power controller 16 to heat the heater 11, the thickness of the SiO 2 film formed on the ZONE1 increases by 2 nm. the film thickness of the SiO 2 film formed ZONE2 decreases 0.7 nm, the film thickness of the SiO 2 film formed ZONE3 increases 0.8 nm, the film thickness of the SiO 2 film formed on Zone 4 0. Decrease by 05 nm.

レシピ記憶部５２には、この熱処理装置１で実行される成膜処理の種類に応じて、制御手順を定めるプロセス用レシピが記憶されている。プロセス用レシピは、ユーザが実際に行う処理（プロセス）毎に用意されるレシピであり、反応管２への半導体ウエハＷのロードから、処理済みの半導体ウエハＷをアンロードするまでの温度、時間、ガス流量等を規定する。具体的には、各部の温度の変化、反応管２内の圧力変化、ガスの供給の開始及び停止のタイミング、供給量などを規定する。   The recipe storage unit 52 stores a process recipe for determining a control procedure in accordance with the type of film forming process executed by the heat treatment apparatus 1. The process recipe is a recipe prepared for each process (process) actually performed by the user. The temperature and time from the loading of the semiconductor wafer W to the reaction tube 2 until the unloaded semiconductor wafer W is unloaded. Stipulate the gas flow rate, etc. Specifically, the temperature change of each part, the pressure change in the reaction tube 2, the start and stop timings of gas supply, the supply amount, etc. are defined.

学習履歴ファイル記憶部５３には、作成された学習履歴ファイルが記憶されている。学習履歴ファイルには、例えば、調整処理により算出された日時、プロセス条件（温度、時間、ガス流量等）などが記憶されている。調整処理において学習履歴ファイルを使用することにより、処理の精度が向上する。   The learning history file storage unit 53 stores the created learning history file. The learning history file stores, for example, the date and time calculated by the adjustment process, process conditions (temperature, time, gas flow rate, etc.) and the like. By using the learning history file in the adjustment process, the accuracy of the process is improved.

ＲＯＭ５４は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）、フラッシュメモリ、ハードディスクなどから構成され、ＣＰＵ５７の動作プログラムなどを記憶する記録媒体である。
ＲＡＭ５５は、ＣＰＵ５７のワークエリアなどとして機能する。 The ROM 54 is a recording medium that includes an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), a flash memory, a hard disk, and the like, and stores an operation program of the CPU 57 and the like.
The RAM 55 functions as a work area for the CPU 57.

Ｉ／Ｏポート５６は、温度、圧力、ガスの流量に関する測定信号をＣＰＵ５７に供給すると共に、ＣＰＵ５７が出力する制御信号を各部（圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等）へ出力する。また、Ｉ／Ｏポート５６には、操作者が熱処理装置１を操作する操作パネル５９が接続されている。   The I / O port 56 supplies measurement signals related to temperature, pressure, and gas flow rate to the CPU 57, and outputs control signals output from the CPU 57 to the respective units (the pressure adjustment unit 5, the power controllers 16 to 20 of the heaters 11 to 15, the flow rate). Output to the adjusting units 24-26 and the like). The I / O port 56 is connected to an operation panel 59 for an operator to operate the heat treatment apparatus 1.

ＣＰＵ５７は、制御部５０の中枢を構成し、ＲＯＭ５４に記憶された動作プログラムを実行し、操作パネル５９らの指示に従って、レシピ記憶部５２に記憶されているプロセス用レシピに沿って、熱処理装置１の動作を制御する。   The CPU 57 constitutes the center of the control unit 50, executes an operation program stored in the ROM 54, and follows the process recipe stored in the recipe storage unit 52 in accordance with an instruction from the operation panel 59 and the like. To control the operation.

ＣＰＵ５７は、モデル記憶部５１に記憶されている膜厚変化モデルと、形成されたＳｉＯ２膜の膜厚とに基づいて、目標膜厚が形成される反応管２内の各ＺＯＮＥ（ＺＯＮＥ１〜５）に配置されたヒータ１１〜１５の設定温度を算出する。 Based on the film thickness change model stored in the model storage unit 51 and the film thickness of the formed SiO 2 film, the CPU 57 sets each ZONE (ZONE 1 to 5) in the reaction tube 2 in which the target film thickness is formed. ) To calculate the set temperature of the heaters 11 to 15.

また、ＣＰＵ５７は、学習履歴ファイル記憶部５３に記憶された学習履歴ファイルの中から、処理に使用する学習履歴ファイルを特定する。本例では、プロセス条件（温度、時間、ガス流量等）が記憶されたプロセスログと一致するプロセス条件が記憶された学習履歴ファイルを学習履歴ファイル記憶部５３から特定する。なお、処理に使用する学習履歴ファイルの特定は、例えば、レシピ記憶部５２に記憶されたプロセス用レシピの中から操作者がプロセス用レシピを指定することにより、ＣＰＵ５７が、指定されたプロセス用レシピのプロセス条件と一致するプロセス条件が記憶された学習履歴ファイルを学習履歴ファイル記憶部５３から特定してもよい。
バス５８は、各部の間で情報を伝達する。 In addition, the CPU 57 specifies a learning history file to be used for processing from the learning history files stored in the learning history file storage unit 53. In this example, the learning history file storing unit 53 identifies a learning history file storing process conditions that match the process log storing process conditions (temperature, time, gas flow rate, etc.). The learning history file to be used for processing is identified by, for example, the CPU 57 specifying the process recipe from the process recipe stored in the recipe storage unit 52 by the operator. A learning history file that stores process conditions that match the process conditions may be specified from the learning history file storage unit 53.
The bus 58 transmits information between the units.

次に、以上のように構成された熱処理装置１を用いて反応管２内（ＺＯＮＥ１〜５）のプロセス条件を調整する調整方法を含む熱処理方法（熱処理）について説明する。なお、調整処理は、膜厚が最も目標膜厚に近づくプロセス条件（本例では温度）を算出するものである。図５は、本例の熱処理を説明するためのフローチャートである。   Next, a heat treatment method (heat treatment) including an adjustment method for adjusting the process conditions in the reaction tube 2 (ZONE 1 to 5) using the heat treatment apparatus 1 configured as described above will be described. The adjustment process is to calculate a process condition (temperature in this example) where the film thickness is closest to the target film thickness. FIG. 5 is a flowchart for explaining the heat treatment of this example.

まず、操作者は、操作パネル５９を操作して、調整処理で実行するプロセス種別等の必要な情報を入力する。具体的には、操作者は、調整処理で実施する処理装置と、プロセス種類、本例では、ジクロロシランと一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）とのＳｉＯ２膜の成膜（ＤＣＳ−ＨＴＯ）とを選択するとともに、ターゲットとなるＳｉＯ２膜の膜厚（目標膜厚）を、例えば、ゾーンごとに入力する。 First, the operator operates the operation panel 59 and inputs necessary information such as a process type to be executed in the adjustment process. Specifically, the operator performs a processing apparatus to be performed in the adjustment process, a process type, in this example, formation of a SiO 2 film of dichlorosilane and dinitrogen monoxide (N 2 O) (DCS-HTO). And the film thickness (target film thickness) of the target SiO 2 film is input for each zone, for example.

制御部５０（ＣＰＵ５７）は、プロセス種別等の必要な情報が入力されたか否かを判別する（ステップＳ１）。ＣＰＵ５７は、必要な情報が入力されていると判別すると（ステップＳ１；Ｙｅｓ）、入力されたプロセス種別に対応するプロセス用レシピをレシピ記憶部５２から読み出す（ステップＳ２）。プロセス用レシピには、反応管２内の圧力、温度などのプロセス条件が記憶されている。例えば、プロセス用レシピには、反応管２内のＺＯＮＥ１〜５の温度が記憶されている。   The control unit 50 (CPU 57) determines whether necessary information such as a process type has been input (step S1). When the CPU 57 determines that necessary information has been input (step S1; Yes), the CPU 57 reads out a process recipe corresponding to the input process type from the recipe storage unit 52 (step S2). Process conditions such as pressure and temperature in the reaction tube 2 are stored in the process recipe. For example, the temperature of ZONE 1 to 5 in the reaction tube 2 is stored in the process recipe.

次に、ＣＰＵ５７は、読み出したプロセス用レシピのプロセス条件で成膜処理を実行する（ステップＳ３）。具体的には、ＣＰＵ５７は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、少なくとも各ＺＯＮＥに半導体ウエハＷ（モニターウエハ）を搭載したウエハボート９を蓋体６上に配置する。次に、ＣＰＵ５７は、ボートエレベータ７（蓋体６）を上昇して、ウエハボート９（半導体ウエハＷ）を反応管２内にロードする。そして、ＣＰＵ５７は、更新したプロセス条件が記載されたレシピに従って、圧力調整部５、ヒータ１１〜１５の電力コントローラ１６〜２０、流量調整部２４〜２６等を制御して、半導体ウエハＷにＳｉＯ２膜を成膜する。 Next, the CPU 57 executes a film forming process under the process conditions of the read process recipe (step S3). Specifically, the CPU 57 lowers the boat elevator 7 (the lid body 6) and arranges the wafer boat 9 on which the semiconductor wafer W (monitor wafer) is mounted on at least each ZONE on the lid body 6. Next, the CPU 57 raises the boat elevator 7 (lid body 6) and loads the wafer boat 9 (semiconductor wafer W) into the reaction tube 2. Then, the CPU 57 controls the pressure adjusting unit 5, the power controllers 16 to 20 of the heaters 11 to 15, the flow rate adjusting units 24 to 26, and the like according to the recipe in which the updated process conditions are described, so that the SiO 2 is deposited on the semiconductor wafer W. A film is formed.

ＣＰＵ５７は、成膜処理が終了すると、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定する（ステップＳ４）。例えば、ＣＰＵ５７は、ボートエレベータ７（蓋体６）を降下させ、ＳｉＯ２膜が成膜された半導体ウエハＷをアンロードし、半導体ウエハＷを、例えば、図示しない測定装置に搬送し、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定させる。測定装置では、半導体ウエハＷに成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を測定すると、例えば、測定したＳｉＯ２膜の膜厚データを熱処理装置１（ＣＰＵ５７）に送信する。ＣＰＵ５７は、測定されたＳｉＯ２膜の膜厚データを受信することにより、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚を特定する。なお、操作者が操作パネル５９を操作して、測定結果を入力してもよい。 When the film forming process is completed, the CPU 57 measures the film thickness of the formed SiO 2 film (step S4). For example, the CPU 57 lowers the boat elevator 7 (the lid body 6), unloads the semiconductor wafer W on which the SiO 2 film is formed, transports the semiconductor wafer W to, for example, a measuring device (not shown), and the semiconductor wafer The thickness of the SiO 2 film formed on W is measured. When the measurement apparatus measures the film thickness of the SiO 2 film formed on the semiconductor wafer W, for example, the measured film thickness data of the SiO 2 film is transmitted to the heat treatment apparatus 1 (CPU 57). CPU57 by receiving the film thickness data of the measured SiO 2 film, to identify the thickness of the formed SiO 2 film. Note that the operator may operate the operation panel 59 to input the measurement result.

ＣＰＵ５７は、成膜されたＳｉＯ２膜の膜厚が測定されると、測定された膜厚が許容範囲内か否かを判別する（ステップＳ５）。許容範囲内とは、入力された目標膜厚から許容可能な所定の範囲内に含まれていることをいい、例えば、入力された目標膜厚から±１％以内の場合をいう。 When the film thickness of the formed SiO 2 film is measured, the CPU 57 determines whether or not the measured film thickness is within an allowable range (step S5). The term “within the allowable range” means that it is included within a predetermined range allowable from the input target film thickness. For example, it is within ± 1% from the input target film thickness.

ＣＰＵ５７は、測定した膜厚が許容範囲内でないと判別すると（ステップＳ５；Ｎｏ）、膜厚測定結果に該当するプロセスログを読み出し（ステップＳ６）、プロセスログに記憶されたプロセス条件（温度）と一致するプロセス条件が記憶された学習履歴ファイルを学習履歴ファイル記憶部５３から特定する（ステップＳ７）。   If the CPU 57 determines that the measured film thickness is not within the allowable range (step S5; No), the process log corresponding to the film thickness measurement result is read (step S6), and the process condition (temperature) stored in the process log is read. The learning history file storing the matching process conditions is specified from the learning history file storage unit 53 (step S7).

ここで、操作者が学習履歴ファイルを特定する作業が不要になり、手間がかかるという問題がなくなる。また、操作者が学習履歴ファイルの選択を誤るという人為的ミスをなくすことができ、処理結果の精度が低下してしまうという問題がなくなる。このため、精度良く、使いやすい処理を行うことができる。   Here, there is no need for the operator to specify the learning history file, and there is no need for trouble. Further, it is possible to eliminate the human error that the operator makes a mistake in selecting the learning history file, and the problem that the accuracy of the processing result is reduced is eliminated. For this reason, it is possible to perform processing that is accurate and easy to use.

続いて、ＣＰＵ５７は、読み出したプロセス用レシピと、特定した学習履歴ファイルと、モデル記憶部５１に記憶された膜厚変化モデルとに基づいて、入力した目標膜厚に最も近づく温度等のプロセス条件を算出する（ステップＳ８）。なお、このプロセス条件の算出方法としては、種々の方法を用いることができ、例えば、米国特許第５ ，９９１，５２５号公報などに開示されているカルマンフィルターによる学習機能による手法を利用することができる。   Subsequently, based on the read process recipe, the specified learning history file, and the film thickness change model stored in the model storage unit 51, the CPU 57 sets process conditions such as the temperature closest to the input target film thickness. Is calculated (step S8). Various methods can be used as the process condition calculation method. For example, a method based on a learning function using a Kalman filter disclosed in US Pat. No. 5,991,525 can be used. it can.

次に、ＣＰＵ５７は、算出した新しいプロセス条件を記憶する新たな学習履歴ファイルを作成し、学習履歴ファイル記憶部５３に登録する（ステップＳ９）。また、ＣＰＵ５７は、算出したプロセス条件（温度）でプロセス用レシピを更新する（ステップＳ１０）。そして、ＣＰＵ５７は、登録したプロセス条件（温度）で成膜処理を実行する（ステップＳ３）。   Next, the CPU 57 creates a new learning history file that stores the calculated new process condition and registers it in the learning history file storage unit 53 (step S9). Further, the CPU 57 updates the process recipe with the calculated process condition (temperature) (step S10). Then, the CPU 57 executes a film forming process under the registered process conditions (temperature) (step S3).

ＣＰＵ５７は、測定した膜厚が許容範囲内であると判別すると（ステップＳ５；Ｙｅｓ）、所定の処理（成膜）が終了したか否かを判別する（ステップＳ１１）。ＣＰＵ５７は、成膜が終了していないと判別すると（ステップＳ１１；Ｎｏ）、引き続き、成膜処理を実行する（ステップＳ３）。ＣＰＵ５７は、成膜が終了したと判別すると（ステップＳ１１；Ｙｅｓ）、この処理を終了する。   When determining that the measured film thickness is within the allowable range (step S5; Yes), the CPU 57 determines whether or not the predetermined process (film formation) has been completed (step S11). If the CPU 57 determines that the film formation has not ended (step S11; No), the CPU 57 continues the film formation process (step S3). If the CPU 57 determines that the film formation has been completed (step S11; Yes), the process is terminated.

以上説明したように、本実施の形態によれば、読み出したプロセス用レシピとプロセス条件が同一の学習履歴ファイルを学習履歴ファイル記憶部５３から読み出し、調整処理で使用する学習履歴ファイルを特定しているので、操作者が学習履歴ファイルを特定する作業が不要になり、手間がかかるという問題がなくなる。さらに、操作者が学習履歴ファイルの選択を誤るという人為的ミスをなくすことができ、処理結果の精度が低下してしまうという問題がなくなる。このため、精度良く、使いやすい処理を行うことができる。   As described above, according to the present embodiment, the learning history file having the same process conditions as the read process recipe is read from the learning history file storage unit 53, and the learning history file used in the adjustment process is specified. This eliminates the need for the operator to specify the learning history file, thus eliminating the problem of time and effort. Furthermore, it is possible to eliminate the human error that the operator makes a mistake in selecting the learning history file, and the problem that the accuracy of the processing result is reduced is eliminated. For this reason, it is possible to perform processing that is accurate and easy to use.

なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。   In addition, this invention is not restricted to said embodiment, A various deformation | transformation and application are possible. Hereinafter, other embodiments applicable to the present invention will be described.

上記実施の形態では、プロセス用レシピとプロセス条件が同一の学習履歴ファイルを特定した場合を例に本発明を説明したが、例えば、プロセス条件のうち、温度等の少なくとも一部が同一の学習履歴ファイルを列挙し、操作者が列挙された学習履歴ファイルの中から選択するようにしてもよい。この場合にも、操作者の学習履歴ファイルの特定に手間がかかるという問題がなくなる。   In the above-described embodiment, the present invention has been described by taking an example in which a learning history file having the same process condition as the process recipe is specified. However, for example, a learning history in which at least a part of the process condition has the same temperature or the like. The files may be enumerated and the operator may select from the enumerated learning history files. Also in this case, there is no problem that it takes time to specify the learning history file of the operator.

また、上記実施の形態では、学習履歴ファイル記憶部５３に記憶された学習履歴ファイルの中から特定する場合を例に本発明を説明したが、例えば、ネットワークで接続された別のサーバやコンピュータの中から学習履歴ファイルを特定できるようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the present invention has been described by taking the case where the learning history file is stored in the learning history file storage unit 53 as an example. However, for example, another server or computer connected via a network may be used. The learning history file may be specified from the inside.

上記実施の形態では、ジクロロシランと一酸化二窒素とを用いてＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、例えば、ジクロロシランとアンモニア（ＮＨ３）とを用いたＳｉＮ膜の成膜にも本発明を適用可能である。 In the above embodiment, the present invention has been described by taking as an example the case where a SiO 2 film is formed using dichlorosilane and dinitrogen monoxide. For example, a SiN film using dichlorosilane and ammonia (NH 3 ). The present invention can also be applied to the film formation.

上記実施の形態では、ＳｉＯ２膜を形成する場合を例に本発明を説明したが、処理の種類は任意であり、他種類の膜を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、酸化装置などの様々な熱処理装置に適用可能である。 In the above-described embodiment, the present invention has been described by taking the case of forming a SiO 2 film as an example. It can be applied to various heat treatment apparatuses.

上記実施の形態では、目標とする処理結果について、ＳｉＯ２膜の膜厚を例に本発明を説明したが、例えば、ＳｉＯ２膜膜中に含まれる不純物濃度（膜中不純物濃度）であってもよい。この場合、モデル記憶部５１には、ヒータの温度の変化と形成されるＳｉＯ２膜の膜中不純物濃度の変化との関係を示す変化モデルが記憶されている。 In the above-described embodiment, the present invention has been described with respect to the target processing result by taking the thickness of the SiO 2 film as an example. For example, the impurity concentration contained in the SiO 2 film (impurity concentration in the film) Also good. In this case, the model storage unit 51 stores a change model indicating the relationship between the change in the heater temperature and the change in the impurity concentration in the SiO 2 film to be formed.

上記実施の形態では、ヒータの段数（ゾーンの数）が５段の場合を例に本発明を説明したが、４段以下であっても、６段以上であってもよい。また。各ゾーンから抽出する半導体ウエハＷの数などは任意に設定可能である。   In the above embodiment, the present invention has been described by taking the case where the number of heater stages (the number of zones) is five as an example, but it may be four stages or less, or may be six stages or more. Also. The number of semiconductor wafers W extracted from each zone can be arbitrarily set.

上記実施の形態では、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、枚葉式の処理装置に本発明を適用することも可能である。本発明は、半導体ウエハの処理に限定されるものではなく、例えば、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板、ガラス基板、ＰＤＰ(Plasma Display Panel）基板などの処理にも適用可能である。   In the above embodiment, the present invention has been described by taking the case of a batch type heat treatment apparatus having a single pipe structure as an example. For example, a batch type vertical type having a double pipe structure in which the reaction tube 2 is composed of an inner pipe and an outer pipe. It is also possible to apply the present invention to a mold heat treatment apparatus. Further, the present invention can be applied to a single wafer processing apparatus. The present invention is not limited to the processing of semiconductor wafers, and can be applied to processing of FPD (Flat Panel Display) substrates, glass substrates, PDP (Plasma Display Panel) substrates, and the like.

本発明の実施の形態にかかる制御部５０は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read Only Memory）など）から当該プログラムをインストールすることにより、上述の処理を実行する制御部５０を構成することができる。   The control unit 50 according to the embodiment of the present invention can be realized using a normal computer system, not a dedicated system. For example, the above-described processing is executed by installing the program from a recording medium (such as a flexible disk or a CD-ROM (Compact Disc Read Only Memory)) storing the program for executing the above-described processing in a general-purpose computer. The control unit 50 can be configured.

そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板（ＢＢＳ：Bulletin Board System）に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳ（Operating System）の制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、上述の処理を実行することができる。   The means for supplying these programs is arbitrary. In addition to being able to be supplied via a predetermined recording medium as described above, for example, it may be supplied via a communication line, a communication network, a communication system, or the like. In this case, for example, the program may be posted on a bulletin board (BBS: Bulletin Board System) of a communication network and provided by superimposing it on a carrier wave via the network. Then, the above-described processing can be executed by starting the program thus provided and executing it in the same manner as other application programs under the control of an OS (Operating System).

本発明は半導体ウエハ等の被処理体を処理する処理システムに有用である。   The present invention is useful for a processing system for processing an object to be processed such as a semiconductor wafer.

１ 熱処理装置
２ 反応管
３ マニホールド
６ 蓋体
９ ウエハボート
１０ ヒータ部
１１〜１５ ヒータ
１６〜２０ 電力コントローラ
２１〜２３ 処理ガス供給管
２４〜２６ 流量調整部
５０ 制御部
５１ モデル記憶部
５２ レシピ記憶部
５３ 学習履歴ファイル記憶部
５４ ＲＯＭ
５５ ＲＡＭ
５７ ＣＰＵ
Ｗ 半導体ウエハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Heat processing apparatus 2 Reaction tube 3 Manifold 6 Cover body 9 Wafer boat 10 Heater part 11-15 Heater 16-20 Power controller 21-23 Process gas supply pipe 24-26 Flow volume adjustment part 50 Control part 51 Model memory | storage part 52 Recipe memory | storage part 53 Learning history file storage 54 ROM
55 RAM
57 CPU
W Semiconductor wafer

Claims (6)

処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段と、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果となる処理条件を算出する処理条件算出手段と、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段と、
前記処理条件記憶手段に記憶された処理条件を前記処理条件算出手段により算出された処理条件に更新する処理条件更新手段と、
を備え、
前記処理条件算出手段は、前記学習履歴ファイル記憶手段に記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と少なくとも一部の処理条件が記憶された学習履歴ファイルと、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する、ことを特徴とする処理システム。 A processing condition storage means for storing processing conditions corresponding to the processing content of the object to be processed contained in the processing chamber;
A process change model storage unit that stores a process change model indicating a relationship between a change in the process condition and a change in the process result;
Processing information receiving means for receiving information on a processing result targeted by the object;
Based on the information on the target processing result received by the processing information receiving unit, the processing condition stored by the processing condition storage unit, and the processing change model stored in the processing change model storage unit, A processing condition calculation means for calculating a processing condition that is a target processing result;
Learning history file storage means for storing a learning history file related to the processing conditions calculated by the processing condition calculation means;
Processing condition update means for updating the processing condition stored in the processing condition storage means to the processing condition calculated by the processing condition calculation means;
With
The processing condition calculation means includes a learning history file in which at least a part of the processing conditions and the processing conditions updated by the processing condition update means are stored from the learning history file stored in the learning history file storage means, A process condition close to the target process result is calculated based on the process condition updated by the process condition update means and the process change model stored in the process change model storage means. system. 前記処理条件算出手段は、前記学習履歴ファイル記憶手段に記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と同一の処理条件が記憶された学習履歴ファイルを特定する、ことを特徴とする請求項１に記載の処理システム。   The processing condition calculation means specifies a learning history file in which processing conditions identical to the processing conditions updated by the processing condition update means are stored from learning history files stored in the learning history file storage means. The processing system according to claim 1. 前記処理条件算出手段により算出された処理条件で処理された処理結果が、前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報の許容範囲内か否かを判別する判別手段をさらに備え、
前記処理条件算出手段は、前記判別手段により許容範囲内でないと判別されると、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の処理システム。 And a discriminating unit that discriminates whether or not the processing result processed under the processing condition calculated by the processing condition calculating unit is within an allowable range of information related to the target processing result received by the processing information receiving unit. ,
The processing system according to claim 1, wherein the processing condition calculation unit calculates a processing condition close to the target processing result when the determination unit determines that the processing condition is not within an allowable range. . 前記処理内容は成膜処理であり、
前記処理結果は前記被処理体に形成された薄膜の膜厚または膜中不純物濃度である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の処理システム。 The content of the process is a film forming process,
4. The processing system according to claim 1, wherein the processing result is a film thickness or an impurity concentration in a thin film formed on the object to be processed. 5. 処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶工程と、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶工程と、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信工程と、
前記処理情報受信工程により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶工程により記憶された処理条件と、前記処理変化モデル記憶工程により記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果となる処理条件を算出する処理条件算出工程と、
前記処理条件算出工程により算出された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶工程と、
前記処理条件記憶工程により記憶された処理条件を前記処理条件算出工程により算出された処理条件に更新する処理条件更新工程と、
を備え、
前記処理条件算出工程では、前記学習履歴ファイル記憶工程で記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新工程により更新された処理条件と少なくとも一部の処理条件が記憶された学習履歴ファイルと、前記処理条件更新工程により更新された処理条件と、前記処理変化モデル記憶工程で記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する、ことを特徴とする処理方法。 A processing condition storage step for storing processing conditions according to the processing content of the object to be processed contained in the processing chamber;
A process change model storage step for storing a process change model indicating a relationship between a change in the process condition and a change in the process result;
A process information receiving step for receiving information on a target processing result of the object to be processed;
Based on the information on the target processing result received by the processing information receiving step, the processing condition stored by the processing condition storage step, and the processing change model stored by the processing change model storage step, A processing condition calculation step for calculating a processing condition that becomes a target processing result;
A learning history file storage step for storing a learning history file related to the processing condition calculated by the processing condition calculation step;
A processing condition update step for updating the processing condition stored by the processing condition storage step to the processing condition calculated by the processing condition calculation step;
With
In the processing condition calculation step, from the learning history file stored in the learning history file storage step, the processing history updated by the processing condition update step and a learning history file storing at least a part of the processing conditions, A processing condition close to the target processing result is calculated based on the processing condition updated by the processing condition updating step and the processing change model stored in the processing change model storage step. Method. コンピュータを、
処理室内に収容された被処理体の処理内容に応じた処理条件を記憶する処理条件記憶手段、
前記処理条件の変化と、処理結果の変化との関係を示す処理変化モデルを記憶する処理変化モデル記憶手段、
前記被処理体の目標とする処理結果に関する情報を受信する処理情報受信手段、
前記処理情報受信手段により受信された目標とする処理結果に関する情報と、前記処理条件記憶手段により記憶された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果となる処理条件を算出する処理条件算出手段、
前記処理条件算出手段により算出された処理条件に関する学習履歴ファイルを記憶する学習履歴ファイル記憶手段、
前記処理条件記憶手段に記憶された処理条件を前記処理条件算出手段により算出された処理条件に更新する処理条件更新手段、
として機能させ、
前記処理条件算出手段は、前記学習履歴ファイル記憶手段に記憶された学習履歴ファイルから、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と少なくとも一部の処理条件が記憶された学習履歴ファイルと、前記処理条件更新手段により更新された処理条件と、前記処理変化モデル記憶手段に記憶された処理変化モデルとに基づいて、前記目標とする処理結果に近い処理条件を算出する、ことを特徴とするプログラム。 Computer
Processing condition storage means for storing processing conditions according to the processing content of the object to be processed housed in the processing chamber;
A process change model storage means for storing a process change model indicating a relationship between a change in the process condition and a change in the process result;
Processing information receiving means for receiving information on a processing result targeted by the object to be processed;
Based on the information on the target processing result received by the processing information receiving unit, the processing condition stored by the processing condition storage unit, and the processing change model stored in the processing change model storage unit, A processing condition calculating means for calculating a processing condition that is a target processing result;
Learning history file storage means for storing a learning history file related to the processing conditions calculated by the processing condition calculation means;
Processing condition update means for updating the processing condition stored in the processing condition storage means to the processing condition calculated by the processing condition calculation means;
Function as
The processing condition calculation means includes a learning history file in which at least a part of the processing conditions and the processing conditions updated by the processing condition update means are stored from the learning history file stored in the learning history file storage means, A program for calculating a processing condition close to the target processing result based on the processing condition updated by the processing condition updating unit and the processing change model stored in the processing change model storage unit. .
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