JP2016143764A - 積層コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】内部電極層の連続性が高く、クラックやデラミネーションを防止し、小型、大容量を実現することが可能な積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の一形態に係る積層コンデンサは、素子本体を具備する。上記素子本体は、複数の内部電極層と、複数の誘電体層とを有する。上記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分とし、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｄのうち少なくとも１種の金属を含み、厚み方向に相互に対向して配置される。また、上記複数の内部電極層各々は、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である第１の厚みを有する。上記複数の誘電体層は、誘電体材料からなり上記複数の内部電極層の間にそれぞれ配置される。また、上記複数の誘電体層各々は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ上記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有する。
【選択図】図２

Description

本発明は、誘電体と電極を交互に積層した積層コンデンサに関する。

積層コンデンサは、誘電体材料からなる誘電体層と導電性材料からなる内部電極層が交互に積層されて構成されている。内部電極層は正極端子に接続された正極と、負極端子に接続された負極とに分けられ、正極と負極が交互となるように配設されている。

例えば、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）は、チタン酸バリウム等の誘電体材料を主原料とした誘電体グリーンシート上に、Ｎｉ等の金属材料を含むペーストを塗布して積層し、圧着、カット、外部電極配設、脱バイ（バインダー除去）、焼成等の工程を経て作製される（例えば、特許文献１及び２）。

ＭＬＣＣを小型、大容量化するためには、誘電体層や内部電極層の薄層化、高積層化が必要である。一方、上述のように金属材料を含むペーストを塗布して内部電極層を形成しようとする場合、内部電極層の厚みが薄くなるに従いＮｉ粒子等の粒成長による球状化が進み、焼成後に内部電極層の連続性が低下するという問題が生じる（特許文献３、段落００１１等参照。）
そこで、特許文献３には、内部電極層が、ニッケル（Ｎｉ）と、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）および白金（Ｐｔ）の群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む材料で構成された積層コンデンサが記載されている。

特開２０１０−１５３４８５号公報 国際公開第２００４／０７０７４８号 特開２００６−３１９３５９号公報

ここで、内部電極層をさらに薄型化するためには、上記の連続性が低下する問題のみならず、クラックやデラミネーション等の欠陥が生じ得る。特に、連続性の問題を鑑みて内部電極層をスパッタリング法や蒸着法、メッキ法等の薄膜法により形成しようとした場合、このような問題が顕著になっていた。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、内部電極層の連続性が高く、クラックやデラミネーションを防止し、小型、大容量を実現することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層コンデンサは、素子本体を具備する。
上記素子本体は、複数の内部電極層と、複数の誘電体層とを有する。
上記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分とし、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｄのうち少なくとも１種の金属を含み、厚み方向に相互に対向して配置される。また、上記複数の内部電極層各々は、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である第１の厚みを有する。
上記複数の誘電体層は、誘電体材料からなり上記複数の内部電極層の間にそれぞれ配置される。また、上記複数の誘電体層各々は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ上記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有する。

上記積層コンデンサによれば、内部電極層がＮｉの他、上記金属を含むことにより、内部電極層の連続率を高めることができ、かつ、内部電極層の引張強度を低下させ、焼成時の熱収縮による可変形性を高め、誘電体層との界面や素子本体の側面部に生じるクラックやデラミネーションを防止することができる。
また、第１の厚み及び第２の厚みを上記数値範囲とすることで、積層コンデンサの小型化を図ることができる。
さらに、第２の厚みを第１の厚みよりも厚くすることにより、焼結時における誘電体層の収縮力を高め、内部電極層の変形抵抗が誘電体層より高い場合であっても収縮させることができる。これにより、内部電極層内の収縮応力を低下させ、素子本体に生じ得るクラックやデラミネーションを防止することができる。
したがって、内部電極層の連続性が高く、クラックやデラミネーションを防止し、小型、大容量を実現することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。

また、上記第２の厚みは、上記第１の厚みの１．２倍以上５倍以下であってもよい。
これにより、クラックやデラミネーションをより効果的に防止することができる。

また、上記複数の内部電極層各々は、薄膜法により形成された膜であってもよい。
これにより、内部電極層の密度や平滑性を改善し、内部電極層の連続性をより高めることができる。

例えば、上記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分とし、Ｐｔを含んでいてもよい。
これにより、内部電極層の引張強度をより低下させ、焼成時の熱収縮による可変形性をより高めることができ、クラックやデラミネーションをより効果的に防止することができる。

また、例えば上記複数の内部金属層は、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｄのうち少なくとも１種の金属を０．５ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下含んでいてもよい。
これにより、内部電極層の連続率をより高め、かつクラックやデラミネーションをより効果的に防止することができるとともに、製造コストを抑制することができる。

以上のように、本発明によれば、内部電極層の連続性が高く、クラックやデラミネーションを防止し、小型、大容量を実現することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。

本発明の実施形態に係る積層コンデンサの斜視図である。 同積層コンデンサの断面図である。 同積層コンデンサの断面図である。 同積層コンデンサの製造方法を示す模式図である。 同積層コンデンサの製造方法を示す模式図である。 本発明の試験例２の結果を示すグラフである。

本発明の実施形態に係る積層コンデンサについて説明する。

[積層コンデンサの構成]
図１は、本実施形態に係る積層コンデンサ１００の斜視図であり、図２及び図３は積層コンデンサ１００の断面図である。各図において直交する三軸方向をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向とし、Ｚ軸方向を、積層コンデンサ１００の厚み方向とする。図２はＸ−Ｚ平面における断面図、図３はＹ−Ｚ平面における断面図である。

これらの図に示すように、積層コンデンサ１００は、素子本体１０１、第１端子１０５及び第２端子１０６を備え、素子本体１０１の対向する端面に外部端子である第１端子１０５及び第２端子１０６が形成された構成を有する。

素子本体１０１は、素子本体１０１の一方の主面である第１主面１０１ａと、その反対側の主面である第２主面１０１ｂとを有する。また素子本体１０１は、第１端子１０５と接続される側の側面を第１側面１０１ｃとし、その反対側の側面であって第２端子１０４と接続される側の側面を第２側面１０１ｄとする。なお、素子本体１０１は、図１に示すように、直方体形状とすることができるが、この他の形状であってもよい。
素子本体１０１は、厚み方向に相互に対向して配置された複数の内部電極層１０２と、複数の内部電極層１０２の間にそれぞれ配置された複数の誘電体層１０３と、カバー層１０４とを有する。素子本体１０１は、複数の内部電極層１０２と複数の誘電体層１０３とが交互に積層された積層体を有し、当該積層体がコンデンサを構成する。カバー層１０４は、後述するように、この積層体の最外層に配置された内部電極層１０２を被覆する。

複数の内部電極層１０２は、導電性材料からなり、積層コンデンサ１００の内部電極として機能する。図２に示すように、各内部電極層１０２は平板状であり、互いに離間し、第１主面１０１ａ及び第２主面１０１ｂに平行となるように、誘電体層１０３を介して積層されている。内部電極層１０２の層数は特に限定されず、数層〜数百層とすることができる。
また複数の内部電極層１０２は、複数の第１内部電極層１０２ａ及び複数の第２内部電極層１０２ｂを含む。
各第１内部電極層１０２ａは、一端が第１側面１０１ｃに露出して第１端子１０５に当接し、第１端子１０５に電気的に接続されている。第１内部電極層１０２ａの他端は、第２側面１０１ｄとは離間している。
各第２内部電極層１０２ｂは、一端が第２側面１０１ｄに露出して第２端子１０６に当接し、第２端子１０６に電気的に接続されている。第２内部電極層１０２ｂの他端は、第１側面１０１ｃとは離間している。
なお、第１内部電極層１０２ａ及び第２内部電極層１０２ｂは、それぞれ、正極及び負極であってもよく、又は負極及び正極であってもよい。

また各内部電極層１０２は、Ｎｉを主成分とし、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｄ（以下、貴金属元素）のうち少なくとも１種の金属を含むものとする。
各内部電極層１０２は、例えば薄膜法によって形成された膜とすることができる。薄膜法は、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法等、合金からなる金属薄膜を形成することができる成膜法をいうものとする。内部電極層１０２の製造方法の詳細は、後述する。
内部電極層１０２における貴金属元素の含有量は特に限定されないが、０．５ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下が好適である。内部電極層１０２が貴金属元素を上記割合で含有することで、連続率を高め、かつ製造コストを抑制することができる。なお、連続率は、素子本体１０１を任意の断面で見たときに、内部電極層の連続している部分と途切れている部分の長さの合計値に対する連続している部分の長さの合計値の割合を意味する。

複数の誘電体層１０３は、いずれも誘電体材料からなり、積層コンデンサ１００の誘電体として機能する。誘電体層１０３を構成する誘電体材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_２）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）又はジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）等の誘電性セラミック材料であるものとすることができる。誘電体層１０３は、このような誘電性セラミック材料からなる複数のシート(グリーンシート）を積層し、焼結したものとすることができるが、詳細は後述する。

第１端子１０５は、積層コンデンサ１００の一方の端子として機能する。第１端子１０５は、図２に示すように第１側面１０１ｃ上に配設され、第１側面１０１ｃに露出する第１内部電極層１０２に当接し、第１内部電極層１０２に電気的に接続されている。また、第１端子１０５は、図２に示すように一部が第１主面１０１ａ及び第２主面１０１ｂ上に配設されてもよい。
第１端子１０５は導電性材料からなり、例えばメッキにより配設された金属や導電性ペーストを焼結したものとすることができる。

第２端子１０６は、積層コンデンサ１００の他方の端子として機能する。第２端子１０６は、図２に示すように第２側面１０１ｄ上に配設され、第２側面１０１ｄに露出する第２内部電極層１０３に当接し、第２内部電極層１０３に電気的に接続されている。また、第２端子１０６は、図２に示すように一部が第１主面１０１ａ及び第２主面１０１ｂ上に配設されてもよい。
第２端子１０６は導電性材料からなり、例えばメッキにより配設された金属や導電性ペーストを焼結したものとすることができる。

２つのカバー層１０４は、複数の内部電極層１０２のうち、第１主面１０１ａ及び第２主面１０１ｂに最も近い位置に配設された２つの内部電極層１０２をそれぞれ被覆し、外部から内部電極層１０２を遮蔽する機能を有する。
各カバー層１０４は、いずれも誘電体材料からなる。当該誘電体材料は、誘電体層１０３と同一の材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。具体的には、当該誘電体材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_２）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ_３）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）又はジルコン酸カルシウム（ＣａＺｒＯ_３）等の誘電性セラミック材料であるものとすることができる。カバー層１０４も、誘電体層１０３と同様に、このような誘電性セラミック材料からなる複数のグリーンシートを積層し、焼結したものとすることができる。
各カバー層１０２の厚みは、内部電極層１０２に対する酸素の遮蔽効果や積層コンデンサ１００全体の大きさに鑑みて適宜決定できるが、例えば３０μｍ以下が好適である。

［内部電極層と誘電体層の厚み］
本実施形態の各内部電極層１０２及び各誘電体層１０３は、非常に薄く形成される。
具体的には、複数の内部電極層１０２各々は、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である第１の厚みを有しており、複数の誘電体層１０３各々は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下である第２の厚みを有している。
さらに、第２の厚みは、第１の厚みよりも大きく、好適には第１の厚みの１．２倍以上５倍以下であり得る。

[積層コンデンサの製造方法]
積層コンデンサ１００の製造方法について説明する。図４は、積層コンデンサ１００の製造方法を示す模式図である。

図４に示すように、グリーンシートＧ上に、金属薄膜Ｆを形成したシート材Ｓ１を積層する。
上記のようにグリーンシートＧは誘電性セラミック材料からなる。
上記のように金属薄膜Ｆは、スパッタリング法、蒸着法、メッキ法等の薄膜法によって形成され得る。スパッタ法としては、例えば２極スパッタリング法（直流（ＤＣ）スパッタリング法等を含む）、マグネトロンスパッタリング法、対向ターゲットスパッタリング法、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）スパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、反応性スパッタリング法等を適用することができる。また、蒸着法としては、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、レーザブレーション等を適用することができる。また、メッキ法としては、電気メッキ法、無電解メッキ法等を適用することができる。
金属薄膜ＦがＤＣ及びＲＦスパッタリング法によって形成される場合は、例えばスパッタリングターゲットとして、内部電極層１０２の組成と同一の合金材料で構成されたものを用いることができる。スパッタリング条件は特に限定されず、所期の金属薄膜Ｆを形成できるよう、適宜設定することができる。
図４に示すように、金属薄膜Ｆは、グリーンシートＧの一辺上を被覆し、かつ少なくとも対向する他辺を被覆しないパターンで形成され得る。
シート材Ｓ１は、金属薄膜Ｆが形成された辺が交互に配置されるように積層される。さらに、シート材Ｓ１の最上層及び最下層には、金属薄膜Ｆを形成しないグリーンシートＧを複数層積層したシート材Ｓ２を積層する。

続いて、シート材Ｓ１及びシート材Ｓ２が積層された積層体を圧着する。圧着は、熱圧着法、静水圧プレス法等によってすることができる。図５は圧着された積層体Ａを示す斜視図である。なお、図４及び図５では一つの積層コンデンサ１００に相当する積層体を示すが、シート材の積層及び圧着によって複数の積層コンデンサ１００に相当する積層体を作製し、裁断によって個片化して積層体Ａを作製してもよい。

続いて、積層体Ａを焼成する。焼成は例えば還元雰囲気下において行うことができる。焼成によって、グリーンシートＧが素子本体１０１となり、金属薄膜Ｆが内部電極層１０２となる。これにより、積層コンデンサ１００が作製される。なお、積層コンデンサ１００は他の製造方法によって製造してもよい。

[積層コンデンサの効果]
従来、積層コンデンサを小型化及び大容量化しようとした場合、以下のような問題があった。
まず、内部電極層を５００ｎｍ以下の厚みで形成しようとした場合、連続率が低下し、所望の容量を実現することが難しかった。この主な理由としては、従来電極層の材料として用いられていたＮｉ等の金属の熱安定性が低いことが挙げられる。すなわち、焼成によってこれらの金属結晶粒子が粒成長することで球状化する。球状化は電極材料の存在している内部電極層で起こるため、球状化により内部電極層に空孔が形成され得る。球状化された粒子のサイズは、内部電極層の厚みに比例しないことから、電極層を薄くする程に相対的な粒子サイズが大きくなり、空孔が形成され連続率低下が起こる。したがって、体積／電極面積の比率の小さい電極層に空孔が形成されやすくなる。また、特に印刷法により内部電極層を形成する場合、金属ペースト内に含まれる有機物成分が除去されるため、電極層の密度や平滑性が低下するということも影響すると考えられる。
また、電極層の密度や平滑性を改善するため、金属ペーストを用いない薄膜法によって内部電極層を形成した場合には、内部電極層の密度及び変形抵抗が高くなり当該電極層が焼結時に収縮しにくくなった。これにより、内部電極層と誘電体層との間の収縮に大きな差が生じ、内部電極層と誘電体層の間の応力・歪が高まり、その結果素子本体にクラックやデラミネーションといった欠陥が生じやすかった。
そこで本実施形態によれば、内部電極層１０２がＮｉの他、上記貴金属を含むことにより、熱安定性を高め、連続率を高めることができる。さらに、他金属の含有により内部電極層１０２の引張強度を低下させ、焼成時の熱収縮による可変形性を高めることができる。
したがって、内部電極層１０２と誘電体層１０３との間に生じ得るデラミネーションや、内部電極層１０２とカバー層１０４との間や第１及び第２側面１０１ｃ，１０１ｄ近傍で生じ得るクラックやデラミネーションを防止することができ、素子本体１０１の欠陥を抑制することができる。
また、第１の厚みと第２の厚みとを上述の数値範囲とすることで、積層コンデンサを小型化することができる。
さらに、第２の厚みを第１の厚みよりも厚くすることにより、焼結時における誘電体層の収縮力を高め、内部電極層の変形抵抗が誘電体層より高い場合であっても収縮させることができる。これにより、内部電極層と誘電体層の間の応力・歪を低下させ、上記クラックやデラミネーションを防止することができる。さらに、第２の厚みを第１の厚みの１．２倍以上５倍以下とすることにより、より効果的にクラックやデラミネーションを防止することができる。
加えて、内部電極層１０２を薄膜法により形成することで、上述のとおり電極層の密度や平滑性を改善し、連続性をより高めることができる。さらに、この場合であっても、第２の厚みを第１の厚みよりも厚くすることにより、内部電極層内の収縮応力を十分低下させることができることから、上記クラックやデラミネーションを防止することができる。

［変形例］
各内部電極層１０２は、薄膜法のほか、印刷法でも形成することができる。この場合、各内部電極層１０２は、Ｎｉを主成分とする導電体粉末、貴金属元素を含有する有機金属錯体及び有機溶剤等を混合した金属ペーストをグリーンシートＧ上に塗布することにより形成され得る。
これによっても、上述のように、内部電極層の連続性が高く、クラックやデラミネーションを防止し、小型、大容量を実現することが可能な積層セラミックコンデンサを提供することができる。

（試験例１）
上記実施形態において説明した内部電極層の厚みと誘電体層の厚みとの比率を変更して積層コンデンサを作製し、素子本体の欠陥発生との関係を評価した。

まず、ＢａＴｉＯ_３からなるグリーンシート上に金属薄膜を形成した。金属薄膜は、Ｎｉ及びＰｔ（３．５ｍｏｌ％）を含む合金薄膜とし、ＤＣスパッタリング法により形成した。スパッタリングターゲットは、後述する内部電極層の組成と同一の合金材料で構成されたものを用い、真空度は１Ｐａ、温度は室温、導入ガスはＡｒとした。続いて、金属薄膜が形成されたグリーンシートを積層、圧着、カット、端子配設、脱バイ及び焼成を行い、内部電極層と誘電体層の厚みの比率がそれぞれ異なる複数の積層コンデンサを作製した。各積層コンデンサの誘電体層の厚み（第２の厚み）はいずれも５００ｎｍであり、内部電極層の厚み（第１の厚み）は、それぞれ、第２の厚みに対して以下の表１に示す比率となる厚みとした。
作製した各積層コンデンサの素子本体について、クラックとデラミネーションの発生の有無について評価した。表１に結果を示す。それぞれ、発生した場合は○、発生していない場合は×で示す。
なお、厚み及び欠陥発生の評価は、各積層コンデンサを樹脂に埋め、研磨により積層コンデンサの中央部の断面を露出させ、各積層コンデンサの断面をＳＥＭ（scanning electron microscope）により観察することによって行った。

表１の結果より、第１の厚みと第２の厚みとが同一である場合、クラックとデラミネーションの双方の発生が認められたが、第２の厚みが第１の厚みより大きい（表１において、第２の厚み／第１の厚みが１よりも大きい）場合、いずれの発生も認められなかった。

（試験例２）
続いて、上記内部電極層の厚みと、欠陥発生及び連続率との関係について評価した。

試験例１と同様に、内部電極層の厚み（第１の厚み）の異なる複数の積層コンデンサを作製した。第１の厚みは以下の表２に示す厚みであり、第２の厚みは、５００ｎｍである。また、厚み、欠陥発生及び連続率の評価も、試験例１と同様にＳＥＭ断面の観察により行った。

表２の結果より、第１の厚みが５００ｎｍの場合、クラックとデラミネーションの双方の発生が認められたが、第１の厚みが５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の場合、いずれの発生も認められなかった。
さらに、表２に示すように、連続率と第１の厚みとの間に相関が見られた。
図１０は、第１の厚みと、それに対する内部電極層の連続率の最小値との関係を、近似式（実線）を用いて示したグラフである。この近似式は、以下の（１）式で表される。
ｙ＝-43.56＊exp(0.00685ｘ)＋101.28・・・（１）
但し、式（１）において、ｘは第１の厚み（ｎｍ）、ｙは内部電極層の連続率（％）を示す。
これにより、第１の厚みｘと内部電極層の連続率ｙとは、図１０の斜線の範囲、すなわち以下の（２）式の関係を満たすことができる。
ｙ≧-43.56＊exp(0.00685ｘ)＋101.28・・・（２）
同図に示すように、第１の厚みが大きくなるに従い連続率が高まる傾向が確認された。従来、内部電極層が７０％以上の高い連続率を有する場合、内部電極層内の焼結応力が高まり、素子本体にクラックやデラミネーションといった欠陥が生じやすかった。一方で、表２の結果より、本発明に係る積層コンデンサは、内部電極層の連続率が７０％以上の場合であってもクラックやデラミネーションの発生を抑制することができることが確認された。

以上のように、第２の厚みが第１の厚みよりも大きい積層コンデンサ、特に第２の厚みが第１の厚みの１．２倍以上５倍以下の積層コンデンサは、クラックやデラミネーションといった欠陥を防止することができることが確認された。また、内部電極層の厚みが５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である場合、７０％以上の連続率とすることができることに加え、クラックやデラミネーションといった欠陥を防止することができることが確認された。これらの結果より、本発明に係る積層コンデンサは、小型、大容量を実現することができる。

１００…積層コンデンサ
１０１…素子本体
１０２…内部電極層
１０３…誘電体層

Claims (5)

1. Ｎｉを主成分とし、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｄのうち少なくとも１種の金属を含み、厚み方向に相互に対向して配置された複数の内部電極層と、誘電体材料からなり前記複数の内部電極層の間にそれぞれ配置された複数の誘電体層とを有する素子本体
   を具備し、
   前記複数の内部電極層各々は、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である第１の厚みを有し、
   前記複数の誘電体層各々は、２００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ前記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有する
   積層コンデンサ。
2. 請求項１に記載の積層コンデンサであって、
   前記第２の厚みは、前記第１の厚みの１．２倍以上５倍以下である
   積層コンデンサ。
3. 請求項１又は２に記載の積層コンデンサであって、
   前記複数の内部電極層各々は、薄膜法により形成された膜である
   積層コンデンサ。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の積層コンデンサであって、
   前記複数の内部電極層は、Ｎｉを主成分とし、Ｐｔを含む
   積層コンデンサ。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の積層コンデンサであって、
   前記複数の内部金属層は、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｏｓ及びＰｄのうち少なくとも１種の金属を０．５ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下含む
   積層コンデンサ。

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