JP2016135899A - Vapor deposited film forming apparatus including rotating member - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は回転部材を含む蒸着膜形成装置に関し、特に、本発明は複数の基板支持部の各々に含まれた回転部材により基板の自転を制御することができる蒸着膜形成装置に関する。 The present invention relates to a deposited film forming apparatus including a rotating member, and more particularly, the present invention relates to a deposited film forming apparatus capable of controlling the rotation of a substrate by a rotating member included in each of a plurality of substrate support portions.
発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)は電流を光に変換させる半導体発光素子であって、情報通信機器をはじめとする電子装置の表示画像用光源に広く用いられてきた。特に、白熱灯、蛍光灯などの在来式照明とは異なり、電気エネルギーを光エネルギーに転換する効率が高くて、最高90%までエネルギーを低減することができるという事実が知られることにつれて、蛍光灯や白熱電球に代えることができる素子として広く脚光を浴びている。 A light emitting diode (LED) is a semiconductor light emitting element that converts electric current into light, and has been widely used as a light source for display images of electronic devices such as information communication devices. In particular, unlike conventional lighting such as incandescent lamps and fluorescent lamps, as the fact that the efficiency of converting electrical energy into light energy is high and energy can be reduced up to 90% is known, fluorescence It has attracted widespread attention as an element that can replace light and incandescent bulbs.
このようなLED素子の製造工程は、エピ工程、チップ工程、パッケージ工程に大別できる。エピ工程は基板の上に化合物半導体をエピタキシャル成長(epitaxial growth)させる工程をいい、チップ工程はエピタキシャル成長された基板の各部分に電極を形成してエピチップを製造する工程をいい、パッケージ工程はこのように製造されたエピチップにリード(Lead)を連結し、光が最大限外部に放出されるようにパッケージングする工程をいう。 The manufacturing process of such an LED element can be roughly divided into an epi process, a chip process, and a package process. The epi process refers to the process of epitaxially growing compound semiconductors on the substrate, the chip process refers to the process of forming an epi chip by forming electrodes on each part of the epitaxially grown substrate, and the packaging process is as described above. This is a process of connecting a lead to a manufactured epichip and packaging it so that light is emitted to the outside to the maximum extent.
このような工程のうち、エピ工程はLED素子の発光効率を決定する最も核心的な工程ということができる。これは、基板の上に化合物半導体がエピタキシャル成長されない場合、結晶の内部に欠陥が発生し、このような欠陥は非発光センター(non radiative center)に作用して、LED素子の発光効率を低下させるためである。 Among these processes, the epi process can be said to be the most important process for determining the luminous efficiency of the LED element. This is because when the compound semiconductor is not epitaxially grown on the substrate, defects are generated inside the crystal, and such defects act on a non-radiative center, thereby reducing the luminous efficiency of the LED element. It is.
このようなエピ工程、即ち基板の上にエピタキシャル層を形成させる工程には、LPE(Liquid Phase Epitaxy)、VPE(Vapor Phase Epitaxy)、MBE(Molecular Beam Epitaxy)、CVD(Chemical Vapor Deposition)方法などが使われているが、そのうち、特に有機金属化学気相蒸着法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)またはハイドライド気相エピタキシー法(Hydride Vapor Phase Epitaxy:HVPE)が主に使われている。 Such an epi process, that is, a process of forming an epitaxial layer on a substrate includes LPE (Liquid Phase Epitaxy), VPE (Vapor Phase Epitaxy), MBE (Molecular Beam Epitaxy), CVD (Chemical Vapor Deposition), etc. Among them, among them, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE) is mainly used.
従来のMOCVD方法及びHVPE方法を用いて複数個の基板の上にエピタキシャル層を形成させる場合、通常、チャンバーの内部で基板の処理のための工程ガスが供給される。工程の均一度を向上させるために、複数個の基板が安着する基板支持部が回転(空転)することが好ましく、だけでなく基板支持部の上で複数個の基板の各々も回転(自転)することが好ましい。しかしながら、従来の蒸着膜形成装置では基板支持部が空転すると共に、複数個の基板の各々が自転するように構成することに困難性があった。 When an epitaxial layer is formed on a plurality of substrates using a conventional MOCVD method and HVPE method, a process gas for processing the substrate is usually supplied inside the chamber. In order to improve the uniformity of the process, it is preferable that the substrate support portion on which the plurality of substrates are seated is rotated (idling), and each of the plurality of substrates is also rotated (rotated) on the substrate support portion. ) Is preferable. However, in the conventional vapor deposition film forming apparatus, there is a difficulty in configuring the substrate support portion so that the substrate supports rotate and each of the plurality of substrates rotates.
本発明は前記のような従来技術の諸般の問題点を解決するために案出したものであって、複数の基板支持部の各々に含まれた回転部材により基板の自転を制御することができる蒸着膜形成装置を提供することをその目的とする。 The present invention has been devised to solve the various problems of the prior art as described above, and the rotation of the substrate can be controlled by a rotating member included in each of the plurality of substrate support portions. It is an object of the present invention to provide a vapor deposition film forming apparatus.
本発明のこと実施形態によれば、複数の基板支持部を含み、各々の上記基板支持部の上には複数の基板の各々を回転させるための複数の回転部材が配置され、各々の上記回転部材はガスフォイル(gas-foil)方式により上記基板支持部の上で回転し、上記基板支持部の上に上記複数の回転部材が位置する部分の以外にはカバーが設置され、上記基板支持部と上記カバーとの間には上記ガスフォイル方式で使われる所定のガスが排出される間隙が形成されることを特徴とする、蒸着膜形成装置を提供する。 According to an embodiment of the present invention, a plurality of rotation members for rotating each of the plurality of substrates are disposed on each of the substrate support portions, each including the plurality of substrate support portions. The member rotates on the substrate support portion by a gas-foil method, and a cover is installed on the substrate support portion other than the portion where the plurality of rotation members are located. The substrate support portion A vapor deposition film forming apparatus is provided in which a gap for discharging a predetermined gas used in the gas foil method is formed between the cover and the cover.
本発明によれば、複数の基板支持部の各々に含まれた回転部材により基板の自転を制御することができる蒸着膜形成装置が提供される。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the vapor deposition film forming apparatus which can control rotation of a board | substrate with the rotating member contained in each of several board | substrate support parts is provided.
また、本発明によれば、複数の基板の間の蒸着膜の均一度を向上させることができる蒸着膜形成装置が提供される。 Moreover, according to this invention, the vapor deposition film forming apparatus which can improve the uniformity of the vapor deposition film between several board | substrates is provided.
後述する本発明に対する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例示として図示する添付図面を参照する。これら実施形態は当業者が本発明を実施できることに充分であるように詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要は無いことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定形状、構造、及び特性は一実施形態に関連して本発明の精神及び範囲から外れないながら他の実施形態で具現できる。また、各々の開示された実施形態の内の個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲から外れないながら変更できることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は限定的な意味として取ろうとするものでなく、本発明の範囲は適切に説明されれば、その請求項が主張するものと均等な全ての範囲と共に、添付された請求項のみにより限定される。図面において、類似な参照符号はさまざまな側面に渡って同一または類似な機能を指し示す。 The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention can be practiced. These embodiments are described in detail to be sufficient to enable one skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different from each other but need not be mutually exclusive. For example, the specific shapes, structures, and characteristics described herein can be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It should also be understood that the location or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment can be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention has been appended together with the full scope of equivalents of what the claims claim when properly described. Limited only by the claims. In the drawings, like reference numbers indicate identical or similar functions throughout the various aspects.
以下、添付した図面を参照して本発明の構成を詳細に説明する。 Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置の構成を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a deposited film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
まず、蒸着膜形成装置10にローディングされる基板(図示せず)の材質は特に制限されるものではなく、ガラス、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハー、ステンレススチール、サファイアなど、多様な材質の基板がローディングできる。以下、発光ダイオード分野で使われる円形のサファイア基板を想定して説明する。
First, the material of the substrate (not shown) loaded on the vapor deposition
本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10は、チャンバー20を含んで構成できる。チャンバー20は、工程が遂行される間、実質的に内部空間が密閉されるように構成されて複数個の基板の上に蒸着膜が形成されるための空間を提供する機能を遂行することができる。このようなチャンバー20は、最適の工程条件を維持するように構成され、形態は四角形または円形の形態に製造できる。チャンバー20の材質は石英(quartz)ガラス、炭化珪素(SiC)がコーティングされたグラファイトなどで構成されることが好ましいが、必ずこれに限定されるものではない。
The vapor deposition
一般に、基板の上に蒸着膜を形成するための工程は、蒸着物質をチャンバー20の内部に供給し、チャンバー20の内部を所定の温度(例えば、約800℃から1,200℃)まで加熱することによりなされる。このように供給された蒸着物質は基板に供給されて蒸着膜の形成に関与するようになる。
In general, in the process for forming a deposited film on a substrate, a deposition material is supplied into the
本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10は、ヒーター(図示せず)を含んで構成できる。ヒーターは、チャンバー20の外部に設置されて複数個の基板に蒸着工程で必要とする熱を印加する機能を遂行することができる。基板の上で円滑な蒸着膜成長がなされるために、ヒーターは基板を約1,200℃以上の温度まで加熱することができる。
The vapor deposition
本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10は、基板支持部30を含んで構成できる。基板支持部30は複数で構成され、基板支持部30は層に配列設置されることが好ましい。このように基板支持部30が複数で構成される場合、複数個の基板支持部30は間隔維持部材(図示せず)により互いに一定の間隔を有するように配列されて固定できる。基板支持部30の個数は本発明が用いられる目的によって多様に変更できる。基板支持部30及び間隔維持部材は、石英ガラスで構成されることが好ましいが、必ずこれに限定されるものではない。
The vapor deposition
また、基板支持部30には複数個の回転部材(図2の31)が設置できる。各々の基板支持部30に設置される回転部材31の個数は、各々の基板支持部30に配置される基板の個数と同一であることが好ましいが、必らずこれに限定されるものではない。基板処理ガスが基板に均一に供給されるようにするために、回転部材31は基板の回転がなされるようにする機能を具備することができる。これに関する詳細な構成は後述する。
A plurality of rotating members (31 in FIG. 2) can be installed on the
本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10は、工程ガス供給部40を含んで構成できる。工程ガス供給部40は、チャンバー20の内部に蒸着膜形成のために必要な基板処理ガスを供給する機能を遂行することができる。
The vapor deposition
本明細書では、工程ガス供給部40がチャンバー20の中央に配置されることに基づいて説明するが、これに限定されるものではない。
Although this specification demonstrates based on the process
本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10は、第1支持部60を含んで構成できる。第1支持部60は、チャンバー20の下部に設置されて蒸着工程がなされる間、複数の基板支持部30を支持することができる。また、第1支持部60が別途の回転装置(図示せず)により回転することによって、複数の基板支持部30の回転を誘導する機能を遂行することができる。
The vapor deposition
本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10は、第2支持部70を含んで構成できる。第2支持部70は、第1支持部60と共にチャンバー20の下部に設置され、第1支持部60の外周縁を囲むように構成できる。また、第2支持部70は第1支持部60の回転にかかわらず、チャンバー20に対して固定されるように設置できる。
The vapor deposition
以下、本発明の一実施形態に従う基板支持部30の構成をより具体的に説明する。
Hereinafter, the structure of the board |
図2は本発明の一実施形態に従う基板支持部30の構成を示す平面図であり、図3は本発明の一実施形態に従う基板支持部30の構成を示す垂直断面図である。
FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the
図2及び図3を参照すると、本発明の一実施形態に従う基板支持部30は、複数の基板5が安着できる複数の回転部材31を含むことができる。回転部材31は基板5の形状に対応する形状を有することができ、例えば、円形でありうる。複数の回転部材31の各々は基板支持部30の上でガスフォイル(gas-foil)方式により回転することができる。本実施形態では、基板支持部30の上に安着する基板5の個数を6個として図示しているが、これに限定されるものではなく、基板支持部30の上に基板が安着する位置も変更可能である。
Referring to FIGS. 2 and 3, the
そして、基板支持部30のうち、回転部材31が配置される以外の部分上には別途のカバー32が覆われることができる。回転部材31の上面の高さとカバー32の上面の高さとが互いに実質的に同一であるように回転部材31とカバー32を設置することができる。
A
以下、図4及び図5を参照して基板支持部30の内で所定のガスが供給される流路51、52、53とグルーブ37について説明する。図4は本発明の一実施形態に従う基板支持部30から回転部材31とカバー32を除去した構成を示す平面図であり、図5は図4を他の角度で示す斜視図である。
Hereinafter, the
図4及び図5を参照すると、基板支持部30で回転部材31が配置される位置には回転部材31に対応する回転部材収容部36が定義されることができ、回転部材収容部36の上にはグルーブ37が形成できる。グルーブ37には所定のガス(例えば、N2ガス)が流れるようにすることができ、所定のガスは第1流路51から供給され、第2流路52及び第3流路53を通過してグルーブ37に供給できる。グルーブ37での所定のガスの流れは回転部材31を回転させることができる回転力を提供することができる。グルーブ37の形状は、回転部材31を所定の方向に回転させることができるように形成されることができ、例えば、所定の方向の螺旋形状に形成できる。また、回転部材31の回転数を調整するために、グルーブ37の幅や深さを調節することができる。そして、図4では所定のガスが流れる方向によってグルーブ37の幅及び深さが同一なものとして図示されているが、所定のガスが流れる方向によってグルーブ37の幅及び深さが連続して変化することも可能である。例えば、所定のガスが流れる方向によってグルーブ37の幅が徐々に狭くなるようにすることができ、グルーブ37の深さが徐々に浅くなるようにすることができる。
Referring to FIGS. 4 and 5, a rotation
第2流路52の一端は第1流路51と連結されることができ、第1流路51は後述するガス供給部(図6の80)から供給される所定のガスが流れることができる。図4では基板支持部30の内に3個の第1流路51が形成され、第1流路51の各々で2つの第2流路52が分岐されるものとして図示されているが、第1流路51の個数及び第1流路51から分岐される第2流路52の個数はこれに限定されず、流路の個数が増加することができる。そして、第2流路52の途中に第3流路53が分岐されるものとして図示しているが、これに限定されるものではなく、流路が配置される形態も必要によって変更できる。また、第1流路51が形成される位置が図面上では基板支持部30の外側として図示されているが、これに限定されるものではなく、本発明の目的が達成できれば、どの位置に形成されても関係がない。
One end of the
そして、各々の回転部材31の間の回転速度の偏差が発生することを防止するためには、各々の第2流路52に同一な量の所定のガスが供給されることが好ましい。このために、複数の第1流路51の断面積の総合は複数の第2流路52の断面積の総合より大きいものが好ましい。
In order to prevent the rotational speed deviation between the
回転部材収容部36の中央には突出部38が形成されて回転部材31の下面の中央に形成される溝(図示せず)と結合できる。突出部38が回転部材31の溝と結合され、グルーブ37の上に所定のガスが流れるにつれて、回転部材31が突出部38を中心に回転できるようになる。
A
以下、図3及び図5を参照して間隙形成部材33について説明する。仮に、カバー32が基板支持部30と密着するようになれば、回転部材31を回転させるためにグルーブ37に供給された所定のガスが円滑に排出できず、回転部材31の下で乱流を形成して、むしろ回転部材31の回転を妨害するか、または回転部材31とカバー32との間に排出されて基板5の上の蒸着物形成を妨害する虞がある。したがって、基板支持部30の上には複数の間隙形成部材33が設置できる。間隙形成部材33によりカバー32と基板支持部30との間には所定のガスの排出を円滑にすることができる間隙34が形成できる。間隙34を通じて回転部材31を回転させるために、グルーブ37に供給された所定のガスが外部に円滑に排出できるので、回転部材31の下で乱流が形成されて回転部材31の回転を妨害する問題点と基板5の上の蒸着物形成妨害の問題を解決することができる。
Hereinafter, the
そして、基板支持部30の中央とカバー32の中央にはガス供給部40が貫通できるように中央貫通ホール35が形成できる。中央貫通ホール35は、基板支持部30に形成された第1中央貫通ホール35’及びカバー32に形成された第2中央貫通ホール35"を含むことができる。中央貫通ホール35の直径は工程ガス供給部40の直径より多少大きく形成されることが好ましい。
A central through
以下、図6から図8を参照して基板支持部30に回転部材31を回転させるための所定のガスが供給される方式を説明する。
Hereinafter, a method of supplying a predetermined gas for rotating the rotating
図6は、本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10の一部構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a partial configuration of the vapor deposition
図6を参照すると、本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置10は、ガス供給部80を含むことができる。ガス供給部80は所定のガス(例えば、N2ガス)をガス供給路81を通じて第2支持部70の内部に供給することができる。
Referring to FIG. 6, the deposited
第2支持部70の内部には内部供給路70aが形成されて、所定のガスが流れることができる通路を提供することができる。内部供給路70aに流れる所定のガスは内部供給路70aと連結された第1支持部60の内部の内部流路60aを経て連結管50と接する出口60eを通じて連結管50の内に形成された連結流路54の内に流れる。連結流路54は、複数の基板支持部30の間を連結して、所定のガスが最上の基板支持部30まで供給されるようにすることができる。各々の基板支持部30には第1流路51が形成されて第2流路52及び第3流路53に所定のガスが供給できるという点は前述した通りである。
An
図7は、図6の“B”部分を拡大して示す図である。“B”部分は第2支持部70から第1支持部60に所定のガスが流れる経路に関する部分である。また、図8は本発明の一実施形態に従う第1支持部の構成を示す図である。
FIG. 7 is an enlarged view of the “B” portion of FIG. The “B” portion is a portion related to a path through which a predetermined gas flows from the
図7及び図8を参照すると、内部供給路70aと内部流路60aとの間の第1支持部60の上には連結部60cが形成できる。連結部60cは、第1支持部60の回転方向に沿って第1支持部60の外部に凹リング形状に形成できる。したがって、第1支持部60が回転しても内部供給路70aから供給される所定のガスが第1支持部60の内部の内部流路60aに流れ込むことがある。
Referring to FIGS. 7 and 8, a connecting
連結部60cのうち、所定の位置には内部流路60aが始まる入口60dが形成できる。第1支持部60は回転可能であるので、入口60dの位置も回転することができる。それによって、内部供給路70aと入口60dの位置が互いにマッチされなくても、内部流路60aから排出される所定のガスが凹リング形状の連結部60cに沿って流れてから入口60dに流れ込むことがある。連結部60cの上部と下部に沿ってシーリング部材65が配置されて第1支持部60及び第2支持部70の間で所定のガスの外部への漏出を防止することができる。
An
本発明の他の実施形態によれば、連結管50と基板支持部30との間で所定のガスの漏洩を防止するための連結管50と基板支持部30との間の結合構造が提案される。図9は本発明の他の実施形態に従う基板支持部の一部を示す図であり、図10は本発明の他の実施形態に従う連結管と基板支持部との間の結合構造を示す図である。
According to another embodiment of the present invention, a coupling structure between the
図9及び図10を参照すると、基板支持部30のうち、連結管50と結合される 部位、即ち第1流路51が形成された位置の周辺に凹凸形状の結合部材39が形成できる。結合部材39は外側に形成された第1結合部材39aと内側に形成された第2結合部材39bで構成されることができ、第1結合部材39a及び第2結合部材39bは各々リング形状でありうる。これに対応して、連結管50の端部には結合部材39の凹凸形状に対応する凹凸形状を有する構成、即ち第1対応結合部材50aと第2対応結合部材50bが形成できる。図10に示すように、連結管50と基板支持部30との結合時に、第1結合部材39aと第2結合部材39bとの間には第1対応結合部材50aが挿入され、第2結合部材39bの内側に第2対応結合部材50bが挿入できる。即ち、連結管50の端部に形成された凹凸形状と結合部材39の凹凸形状とが互いに嵌合して結合できる。このような連結管50と基板支持部30との間の結合方式により、連結管50と基板支持部30との間で所定のガスの漏洩が防止できる。
Referring to FIGS. 9 and 10, the concave and
以上、連結管50と基板支持部30との結合構造について説明したが、連結管50が第1支持部60と結合する場合にも同一な結合構造が適用できる。
The connection structure between the
本発明は、前述したように好ましい実施形態を挙げて図示及び説明したが、前記実施形態に限定されず、本発明の精神から外れない範囲内で当該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者により多様な変形及び変更が可能である。そのような変形例及び変更例は、本発明と添付した特許請求範囲の範囲内に属することと見るべきである。 Although the present invention has been illustrated and described with reference to the preferred embodiments as described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and has ordinary knowledge in the technical field to which the invention belongs within the scope of the present invention. Various modifications and changes can be made by a person. Such variations and modifications are to be considered within the scope of the present invention and the appended claims.
10 蒸着膜形成装置
30 基板支持部
31 回転部材
32 カバー
33 間隙形成部材
34 間隙
36 回転部材収容部
38 突出部
DESCRIPTION OF
Claims (12)
各々の前記基板支持部の上には複数の基板の各々を回転させるための複数の回転部材が配置され、
各々の前記回転部材はガスフォイル(gas-foil)方式により前記基板支持部の上で回転し、
前記基板支持部の上に前記複数の回転部材が位置する部分の以外にはカバーが設置され、
前記基板支持部と前記カバーとの間には前記ガスフォイル方式で使われる所定のガスが排出される間隙が形成されることを特徴とする、蒸着膜形成装置。 Including a plurality of substrate supports,
A plurality of rotating members for rotating each of the plurality of substrates are disposed on each of the substrate support portions,
Each of the rotating members rotates on the substrate support by a gas-foil method,
A cover is installed in addition to the portion where the plurality of rotating members are positioned on the substrate support portion,
A vapor deposition film forming apparatus, wherein a gap for discharging a predetermined gas used in the gas foil method is formed between the substrate support part and the cover.
前記複数の回転部材の各々は前記突出部を中心に回転できることを特徴とする、請求項1に記載の蒸着膜形成装置。 Of the substrate support portion, a plurality of portions where the plurality of rotating members are located are each formed with a protrusion,
2. The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of rotating members is rotatable about the protruding portion.
前記第1支持部は前記複数の基板支持部と共に回転可能であり、
前記第2支持部は固定されることを特徴とする、請求項2に記載の蒸着膜形成装置。 A first support part and a second support part for supporting the plurality of substrate support parts;
The first support part is rotatable together with the plurality of substrate support parts,
The vapor deposition film forming apparatus according to claim 2, wherein the second support part is fixed.
前記第1支持部の内には前記所定のガスを前記複数の基板支持部に移送するための内部流路が形成され、
前記第1支持部の側面の上には凹リング形状の連結部が形成されて前記内部供給路と前記内部流路との間を連結することを特徴とする、請求項6に記載の蒸着膜形成装置。 An internal supply path for transferring the predetermined gas is formed in the second support part,
An internal flow path for transferring the predetermined gas to the plurality of substrate support parts is formed in the first support part,
The deposited film according to claim 6, wherein a concave ring-shaped connection part is formed on a side surface of the first support part to connect the internal supply path and the internal flow path. Forming equipment.
前記連結管の端部に形成された凹凸形状と前記結合部材の凹凸形状とが互いに嵌合されることを特徴とする、請求項11に記載の蒸着膜形成装置。 An uneven shape corresponding to the uneven shape of the coupling member is formed at the end of the connecting pipe,
12. The deposited film forming apparatus according to claim 11, wherein the uneven shape formed at the end of the connecting pipe and the uneven shape of the coupling member are fitted to each other.
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2015
- 2015-01-23 JP JP2015011477A patent/JP2016135899A/en active Pending
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