JP2016135899A - Vapor deposited film forming apparatus including rotating member - Google Patents

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Joon Seok Oh
チュン ソク オウ
ヨ チン リ
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ヨ チン リ
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposited film forming apparatus including rotating members.SOLUTION: A vapor deposited film forming apparatus is provided which includes a plurality of substrate supporting parts. A plurality of rotating members for respectively rotating a plurality of substrates are arranged on each of the substrate supporting parts. Each rotating member is rotated on the substrate supporting part by a gas-foil method. A cover is installed on a portion on the substrate supporting part, other than portions where the plurality of rotating members are positioned. A gap, through which a predetermined gas used in the gas-foil method is discharged, is formed between the substrate supporting part and the cover.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は回転部材を含む蒸着膜形成装置に関し、特に、本発明は複数の基板支持部の各々に含まれた回転部材により基板の自転を制御することができる蒸着膜形成装置に関する。   The present invention relates to a deposited film forming apparatus including a rotating member, and more particularly, the present invention relates to a deposited film forming apparatus capable of controlling the rotation of a substrate by a rotating member included in each of a plurality of substrate support portions.

発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）は電流を光に変換させる半導体発光素子であって、情報通信機器をはじめとする電子装置の表示画像用光源に広く用いられてきた。特に、白熱灯、蛍光灯などの在来式照明とは異なり、電気エネルギーを光エネルギーに転換する効率が高くて、最高９０％までエネルギーを低減することができるという事実が知られることにつれて、蛍光灯や白熱電球に代えることができる素子として広く脚光を浴びている。   A light emitting diode (LED) is a semiconductor light emitting element that converts electric current into light, and has been widely used as a light source for display images of electronic devices such as information communication devices. In particular, unlike conventional lighting such as incandescent lamps and fluorescent lamps, as the fact that the efficiency of converting electrical energy into light energy is high and energy can be reduced up to 90% is known, fluorescence It has attracted widespread attention as an element that can replace light and incandescent bulbs.

このようなＬＥＤ素子の製造工程は、エピ工程、チップ工程、パッケージ工程に大別できる。エピ工程は基板の上に化合物半導体をエピタキシャル成長（epitaxial growth）させる工程をいい、チップ工程はエピタキシャル成長された基板の各部分に電極を形成してエピチップを製造する工程をいい、パッケージ工程はこのように製造されたエピチップにリード（Lead）を連結し、光が最大限外部に放出されるようにパッケージングする工程をいう。   The manufacturing process of such an LED element can be roughly divided into an epi process, a chip process, and a package process. The epi process refers to the process of epitaxially growing compound semiconductors on the substrate, the chip process refers to the process of forming an epi chip by forming electrodes on each part of the epitaxially grown substrate, and the packaging process is as described above. This is a process of connecting a lead to a manufactured epichip and packaging it so that light is emitted to the outside to the maximum extent.

このような工程のうち、エピ工程はＬＥＤ素子の発光効率を決定する最も核心的な工程ということができる。これは、基板の上に化合物半導体がエピタキシャル成長されない場合、結晶の内部に欠陥が発生し、このような欠陥は非発光センター（non radiative center）に作用して、ＬＥＤ素子の発光効率を低下させるためである。   Among these processes, the epi process can be said to be the most important process for determining the luminous efficiency of the LED element. This is because when the compound semiconductor is not epitaxially grown on the substrate, defects are generated inside the crystal, and such defects act on a non-radiative center, thereby reducing the luminous efficiency of the LED element. It is.

このようなエピ工程、即ち基板の上にエピタキシャル層を形成させる工程には、ＬＰＥ（Liquid Phase Epitaxy）、ＶＰＥ（Vapor Phase Epitaxy）、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）方法などが使われているが、そのうち、特に有機金属化学気相蒸着法（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition：ＭＯＣＶＤ）またはハイドライド気相エピタキシー法（Hydride Vapor Phase Epitaxy：ＨＶＰＥ）が主に使われている。   Such an epi process, that is, a process of forming an epitaxial layer on a substrate includes LPE (Liquid Phase Epitaxy), VPE (Vapor Phase Epitaxy), MBE (Molecular Beam Epitaxy), CVD (Chemical Vapor Deposition), etc. Among them, among them, metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE) is mainly used.

従来のＭＯＣＶＤ方法及びＨＶＰＥ方法を用いて複数個の基板の上にエピタキシャル層を形成させる場合、通常、チャンバーの内部で基板の処理のための工程ガスが供給される。工程の均一度を向上させるために、複数個の基板が安着する基板支持部が回転（空転）することが好ましく、だけでなく基板支持部の上で複数個の基板の各々も回転（自転）することが好ましい。しかしながら、従来の蒸着膜形成装置では基板支持部が空転すると共に、複数個の基板の各々が自転するように構成することに困難性があった。   When an epitaxial layer is formed on a plurality of substrates using a conventional MOCVD method and HVPE method, a process gas for processing the substrate is usually supplied inside the chamber. In order to improve the uniformity of the process, it is preferable that the substrate support portion on which the plurality of substrates are seated is rotated (idling), and each of the plurality of substrates is also rotated (rotated) on the substrate support portion. ) Is preferable. However, in the conventional vapor deposition film forming apparatus, there is a difficulty in configuring the substrate support portion so that the substrate supports rotate and each of the plurality of substrates rotates.

本発明は前記のような従来技術の諸般の問題点を解決するために案出したものであって、複数の基板支持部の各々に含まれた回転部材により基板の自転を制御することができる蒸着膜形成装置を提供することをその目的とする。   The present invention has been devised to solve the various problems of the prior art as described above, and the rotation of the substrate can be controlled by a rotating member included in each of the plurality of substrate support portions. It is an object of the present invention to provide a vapor deposition film forming apparatus.

本発明のこと実施形態によれば、複数の基板支持部を含み、各々の上記基板支持部の上には複数の基板の各々を回転させるための複数の回転部材が配置され、各々の上記回転部材はガスフォイル（gas-foil）方式により上記基板支持部の上で回転し、上記基板支持部の上に上記複数の回転部材が位置する部分の以外にはカバーが設置され、上記基板支持部と上記カバーとの間には上記ガスフォイル方式で使われる所定のガスが排出される間隙が形成されることを特徴とする、蒸着膜形成装置を提供する。   According to an embodiment of the present invention, a plurality of rotation members for rotating each of the plurality of substrates are disposed on each of the substrate support portions, each including the plurality of substrate support portions. The member rotates on the substrate support portion by a gas-foil method, and a cover is installed on the substrate support portion other than the portion where the plurality of rotation members are located. The substrate support portion A vapor deposition film forming apparatus is provided in which a gap for discharging a predetermined gas used in the gas foil method is formed between the cover and the cover.

本発明によれば、複数の基板支持部の各々に含まれた回転部材により基板の自転を制御することができる蒸着膜形成装置が提供される。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the vapor deposition film forming apparatus which can control rotation of a board | substrate with the rotating member contained in each of several board | substrate support parts is provided.

また、本発明によれば、複数の基板の間の蒸着膜の均一度を向上させることができる蒸着膜形成装置が提供される。   Moreover, according to this invention, the vapor deposition film forming apparatus which can improve the uniformity of the vapor deposition film between several board | substrates is provided.

本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the vapor deposition film forming apparatus according to one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に従う基板支持部３０の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the board | substrate support part 30 according to one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に従う基板支持部３０の構成を示す垂直断面図である。It is a vertical sectional view showing the configuration of the substrate support 30 according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に従う基板支持部３０から回転部材３１とカバー３２を除去した構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure which removed the rotation member 31 and the cover 32 from the board | substrate support part 30 according to one Embodiment of this invention. 図４を他の角度で示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing FIG. 4 at another angle. 本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０の一部構成を示す図である。It is a figure which shows the partial structure of the vapor deposition film forming apparatus 10 according to one Embodiment of this invention. 図６の“Ｂ”部分を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the "B" part of FIG. 本発明の一実施形態に従う第１支持部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the 1st support part according to one Embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に従う基板支持部の一部を示す図である。It is a figure which shows a part of board | substrate support part according to other embodiment of this invention. 本発明の他の実施形態に従う連結管と基板支持部との間の結合構造を示す図である。It is a figure which shows the coupling structure between the connection pipe and board | substrate support part according to other embodiment of this invention.

後述する本発明に対する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例示として図示する添付図面を参照する。これら実施形態は当業者が本発明を実施できることに充分であるように詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要は無いことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定形状、構造、及び特性は一実施形態に関連して本発明の精神及び範囲から外れないながら他の実施形態で具現できる。また、各々の開示された実施形態の内の個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神及び範囲から外れないながら変更できることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は限定的な意味として取ろうとするものでなく、本発明の範囲は適切に説明されれば、その請求項が主張するものと均等な全ての範囲と共に、添付された請求項のみにより限定される。図面において、類似な参照符号はさまざまな側面に渡って同一または類似な機能を指し示す。   The following detailed description of the invention refers to the accompanying drawings that illustrate, by way of illustration, specific embodiments in which the invention can be practiced. These embodiments are described in detail to be sufficient to enable one skilled in the art to practice the invention. It should be understood that the various embodiments of the present invention are different from each other but need not be mutually exclusive. For example, the specific shapes, structures, and characteristics described herein can be embodied in other embodiments without departing from the spirit and scope of the invention in connection with one embodiment. It should also be understood that the location or arrangement of the individual components within each disclosed embodiment can be changed without departing from the spirit and scope of the present invention. The following detailed description is, therefore, not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention has been appended together with the full scope of equivalents of what the claims claim when properly described. Limited only by the claims. In the drawings, like reference numbers indicate identical or similar functions throughout the various aspects.

以下、添付した図面を参照して本発明の構成を詳細に説明する。   Hereinafter, the configuration of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１は、本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置の構成を示す図である。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a deposited film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.

まず、蒸着膜形成装置１０にローディングされる基板（図示せず）の材質は特に制限されるものではなく、ガラス、プラスチック、ポリマー、シリコンウエハー、ステンレススチール、サファイアなど、多様な材質の基板がローディングできる。以下、発光ダイオード分野で使われる円形のサファイア基板を想定して説明する。   First, the material of the substrate (not shown) loaded on the vapor deposition film forming apparatus 10 is not particularly limited, and substrates of various materials such as glass, plastic, polymer, silicon wafer, stainless steel, and sapphire are loaded. it can. Hereinafter, description will be made assuming a circular sapphire substrate used in the field of light emitting diodes.

本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０は、チャンバー２０を含んで構成できる。チャンバー２０は、工程が遂行される間、実質的に内部空間が密閉されるように構成されて複数個の基板の上に蒸着膜が形成されるための空間を提供する機能を遂行することができる。このようなチャンバー２０は、最適の工程条件を維持するように構成され、形態は四角形または円形の形態に製造できる。チャンバー２０の材質は石英（quartz）ガラス、炭化珪素（ＳｉＣ）がコーティングされたグラファイトなどで構成されることが好ましいが、必ずこれに限定されるものではない。   The vapor deposition film forming apparatus 10 according to an embodiment of the present invention can include a chamber 20. The chamber 20 is configured so that the internal space is substantially sealed during the process, and can perform a function of providing a space for forming a deposition film on the plurality of substrates. it can. Such a chamber 20 is configured to maintain optimal process conditions and can be manufactured in a square or circular form. The material of the chamber 20 is preferably composed of quartz glass, graphite coated with silicon carbide (SiC), or the like, but is not necessarily limited thereto.

一般に、基板の上に蒸着膜を形成するための工程は、蒸着物質をチャンバー２０の内部に供給し、チャンバー２０の内部を所定の温度（例えば、約８００℃から１，２００℃）まで加熱することによりなされる。このように供給された蒸着物質は基板に供給されて蒸着膜の形成に関与するようになる。   In general, in the process for forming a deposited film on a substrate, a deposition material is supplied into the chamber 20 and the interior of the chamber 20 is heated to a predetermined temperature (for example, about 800 ° C. to 1,200 ° C.). Is made by The vapor deposition material thus supplied is supplied to the substrate and becomes involved in the formation of the vapor deposition film.

本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０は、ヒーター（図示せず）を含んで構成できる。ヒーターは、チャンバー２０の外部に設置されて複数個の基板に蒸着工程で必要とする熱を印加する機能を遂行することができる。基板の上で円滑な蒸着膜成長がなされるために、ヒーターは基板を約１，２００℃以上の温度まで加熱することができる。   The vapor deposition film forming apparatus 10 according to one embodiment of the present invention can include a heater (not shown). The heater is installed outside the chamber 20 and can perform a function of applying heat required for the deposition process to a plurality of substrates. The heater can heat the substrate to a temperature of about 1200 ° C. or higher so that the deposited film can be smoothly grown on the substrate.

本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０は、基板支持部３０を含んで構成できる。基板支持部３０は複数で構成され、基板支持部３０は層に配列設置されることが好ましい。このように基板支持部３０が複数で構成される場合、複数個の基板支持部３０は間隔維持部材（図示せず）により互いに一定の間隔を有するように配列されて固定できる。基板支持部３０の個数は本発明が用いられる目的によって多様に変更できる。基板支持部３０及び間隔維持部材は、石英ガラスで構成されることが好ましいが、必ずこれに限定されるものではない。   The vapor deposition film forming apparatus 10 according to the embodiment of the present invention can include the substrate support unit 30. It is preferable that the substrate support unit 30 is composed of a plurality, and the substrate support units 30 are arranged in layers. When the plurality of substrate support portions 30 are configured as described above, the plurality of substrate support portions 30 can be arranged and fixed so as to have a certain distance from each other by a distance maintaining member (not shown). The number of substrate support portions 30 can be variously changed according to the purpose for which the present invention is used. The substrate support part 30 and the interval maintaining member are preferably made of quartz glass, but are not necessarily limited thereto.

また、基板支持部３０には複数個の回転部材（図２の３１）が設置できる。各々の基板支持部３０に設置される回転部材３１の個数は、各々の基板支持部３０に配置される基板の個数と同一であることが好ましいが、必らずこれに限定されるものではない。基板処理ガスが基板に均一に供給されるようにするために、回転部材３１は基板の回転がなされるようにする機能を具備することができる。これに関する詳細な構成は後述する。   A plurality of rotating members (31 in FIG. 2) can be installed on the substrate support 30. The number of rotating members 31 installed in each substrate support unit 30 is preferably the same as the number of substrates arranged in each substrate support unit 30, but is not necessarily limited thereto. . In order to uniformly supply the substrate processing gas to the substrate, the rotating member 31 may have a function of rotating the substrate. A detailed configuration regarding this will be described later.

本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０は、工程ガス供給部４０を含んで構成できる。工程ガス供給部４０は、チャンバー２０の内部に蒸着膜形成のために必要な基板処理ガスを供給する機能を遂行することができる。   The vapor deposition film forming apparatus 10 according to the embodiment of the present invention can include a process gas supply unit 40. The process gas supply unit 40 can perform a function of supplying a substrate processing gas necessary for forming a deposited film into the chamber 20.

本明細書では、工程ガス供給部４０がチャンバー２０の中央に配置されることに基づいて説明するが、これに限定されるものではない。   Although this specification demonstrates based on the process gas supply part 40 being arrange | positioned in the center of the chamber 20, it is not limited to this.

本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０は、第１支持部６０を含んで構成できる。第１支持部６０は、チャンバー２０の下部に設置されて蒸着工程がなされる間、複数の基板支持部３０を支持することができる。また、第１支持部６０が別途の回転装置（図示せず）により回転することによって、複数の基板支持部３０の回転を誘導する機能を遂行することができる。   The vapor deposition film forming apparatus 10 according to the embodiment of the present invention can include the first support part 60. The first support part 60 can support the plurality of substrate support parts 30 while being installed in the lower part of the chamber 20 and performing the vapor deposition process. In addition, the first support part 60 can be rotated by a separate rotating device (not shown) to perform the function of guiding the rotation of the plurality of substrate support parts 30.

本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０は、第２支持部７０を含んで構成できる。第２支持部７０は、第１支持部６０と共にチャンバー２０の下部に設置され、第１支持部６０の外周縁を囲むように構成できる。また、第２支持部７０は第１支持部６０の回転にかかわらず、チャンバー２０に対して固定されるように設置できる。   The vapor deposition film forming apparatus 10 according to the embodiment of the present invention may include the second support part 70. The second support part 70 may be installed in the lower part of the chamber 20 together with the first support part 60 so as to surround the outer peripheral edge of the first support part 60. Further, the second support part 70 can be installed so as to be fixed to the chamber 20 regardless of the rotation of the first support part 60.

以下、本発明の一実施形態に従う基板支持部３０の構成をより具体的に説明する。   Hereinafter, the structure of the board | substrate support part 30 according to one Embodiment of this invention is demonstrated more concretely.

図２は本発明の一実施形態に従う基板支持部３０の構成を示す平面図であり、図３は本発明の一実施形態に従う基板支持部３０の構成を示す垂直断面図である。   FIG. 2 is a plan view showing the configuration of the substrate support portion 30 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a vertical sectional view showing the configuration of the substrate support portion 30 according to the embodiment of the present invention.

図２及び図３を参照すると、本発明の一実施形態に従う基板支持部３０は、複数の基板５が安着できる複数の回転部材３１を含むことができる。回転部材３１は基板５の形状に対応する形状を有することができ、例えば、円形でありうる。複数の回転部材３１の各々は基板支持部３０の上でガスフォイル（gas-foil）方式により回転することができる。本実施形態では、基板支持部３０の上に安着する基板５の個数を６個として図示しているが、これに限定されるものではなく、基板支持部３０の上に基板が安着する位置も変更可能である。   Referring to FIGS. 2 and 3, the substrate support 30 according to the embodiment of the present invention may include a plurality of rotating members 31 on which a plurality of substrates 5 can be seated. The rotating member 31 may have a shape corresponding to the shape of the substrate 5 and may be, for example, a circle. Each of the plurality of rotating members 31 can be rotated on the substrate support 30 by a gas-foil method. In the present embodiment, the number of the substrates 5 to be seated on the substrate support 30 is illustrated as six, but the present invention is not limited to this, and the substrate is seated on the substrate support 30. The position can also be changed.

そして、基板支持部３０のうち、回転部材３１が配置される以外の部分上には別途のカバー３２が覆われることができる。回転部材３１の上面の高さとカバー３２の上面の高さとが互いに実質的に同一であるように回転部材３１とカバー３２を設置することができる。   A separate cover 32 can be covered on a portion of the substrate support portion 30 other than where the rotating member 31 is disposed. The rotating member 31 and the cover 32 can be installed so that the height of the upper surface of the rotating member 31 and the height of the upper surface of the cover 32 are substantially the same.

以下、図４及び図５を参照して基板支持部３０の内で所定のガスが供給される流路５１、５２、５３とグルーブ３７について説明する。図４は本発明の一実施形態に従う基板支持部３０から回転部材３１とカバー３２を除去した構成を示す平面図であり、図５は図４を他の角度で示す斜視図である。   Hereinafter, the flow paths 51, 52, 53 and the groove 37 to which a predetermined gas is supplied in the substrate support portion 30 will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG. 4 is a plan view showing a configuration in which the rotating member 31 and the cover 32 are removed from the substrate support 30 according to the embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a perspective view showing FIG. 4 at another angle.

図４及び図５を参照すると、基板支持部３０で回転部材３１が配置される位置には回転部材３１に対応する回転部材収容部３６が定義されることができ、回転部材収容部３６の上にはグルーブ３７が形成できる。グルーブ３７には所定のガス（例えば、Ｎ2ガス）が流れるようにすることができ、所定のガスは第１流路５１から供給され、第２流路５２及び第３流路５３を通過してグルーブ３７に供給できる。グルーブ３７での所定のガスの流れは回転部材３１を回転させることができる回転力を提供することができる。グルーブ３７の形状は、回転部材３１を所定の方向に回転させることができるように形成されることができ、例えば、所定の方向の螺旋形状に形成できる。また、回転部材３１の回転数を調整するために、グルーブ３７の幅や深さを調節することができる。そして、図４では所定のガスが流れる方向によってグルーブ３７の幅及び深さが同一なものとして図示されているが、所定のガスが流れる方向によってグルーブ３７の幅及び深さが連続して変化することも可能である。例えば、所定のガスが流れる方向によってグルーブ３７の幅が徐々に狭くなるようにすることができ、グルーブ３７の深さが徐々に浅くなるようにすることができる。 Referring to FIGS. 4 and 5, a rotation member accommodation portion 36 corresponding to the rotation member 31 can be defined at a position where the rotation member 31 is disposed in the substrate support portion 30. A groove 37 can be formed. A predetermined gas (for example, N 2 gas) can flow through the groove 37, and the predetermined gas is supplied from the first flow path 51 and passes through the second flow path 52 and the third flow path 53. Can be supplied to the groove 37. The predetermined gas flow in the groove 37 can provide a rotational force capable of rotating the rotating member 31. The shape of the groove 37 can be formed so that the rotating member 31 can be rotated in a predetermined direction. For example, the groove 37 can be formed in a spiral shape in a predetermined direction. Moreover, in order to adjust the rotation speed of the rotating member 31, the width and depth of the groove 37 can be adjusted. In FIG. 4, the groove 37 has the same width and depth depending on the direction in which the predetermined gas flows. However, the width and depth of the groove 37 continuously change depending on the direction in which the predetermined gas flows. It is also possible. For example, the width of the groove 37 can be gradually reduced depending on the direction in which the predetermined gas flows, and the depth of the groove 37 can be gradually reduced.

第２流路５２の一端は第１流路５１と連結されることができ、第１流路５１は後述するガス供給部（図６の８０）から供給される所定のガスが流れることができる。図４では基板支持部３０の内に３個の第１流路５１が形成され、第１流路５１の各々で２つの第２流路５２が分岐されるものとして図示されているが、第１流路５１の個数及び第１流路５１から分岐される第２流路５２の個数はこれに限定されず、流路の個数が増加することができる。そして、第２流路５２の途中に第３流路５３が分岐されるものとして図示しているが、これに限定されるものではなく、流路が配置される形態も必要によって変更できる。また、第１流路５１が形成される位置が図面上では基板支持部３０の外側として図示されているが、これに限定されるものではなく、本発明の目的が達成できれば、どの位置に形成されても関係がない。   One end of the second flow path 52 can be connected to the first flow path 51, and a predetermined gas supplied from a gas supply unit (80 in FIG. 6) described later can flow through the first flow path 51. . In FIG. 4, three first flow paths 51 are formed in the substrate support portion 30, and two second flow paths 52 are branched in each of the first flow paths 51. The number of the first flow paths 51 and the number of the second flow paths 52 branched from the first flow paths 51 are not limited to this, and the number of flow paths can be increased. Although the third flow path 53 is illustrated as being branched in the middle of the second flow path 52, the present invention is not limited to this, and the form in which the flow paths are arranged can be changed as necessary. Moreover, although the position where the first flow path 51 is formed is illustrated as the outside of the substrate support portion 30 in the drawing, it is not limited to this, and the position is formed at any position as long as the object of the present invention can be achieved. There is no relationship even if it is done.

そして、各々の回転部材３１の間の回転速度の偏差が発生することを防止するためには、各々の第２流路５２に同一な量の所定のガスが供給されることが好ましい。このために、複数の第１流路５１の断面積の総合は複数の第２流路５２の断面積の総合より大きいものが好ましい。   In order to prevent the rotational speed deviation between the rotating members 31 from occurring, it is preferable that the same amount of predetermined gas is supplied to the second flow paths 52. For this reason, the total cross-sectional area of the plurality of first flow paths 51 is preferably larger than the total cross-sectional area of the plurality of second flow paths 52.

回転部材収容部３６の中央には突出部３８が形成されて回転部材３１の下面の中央に形成される溝（図示せず）と結合できる。突出部３８が回転部材３１の溝と結合され、グルーブ３７の上に所定のガスが流れるにつれて、回転部材３１が突出部３８を中心に回転できるようになる。   A protrusion 38 is formed at the center of the rotating member accommodating portion 36 and can be coupled to a groove (not shown) formed at the center of the lower surface of the rotating member 31. The protrusion 38 is coupled to the groove of the rotation member 31, and the rotation member 31 can rotate around the protrusion 38 as a predetermined gas flows on the groove 37.

以下、図３及び図５を参照して間隙形成部材３３について説明する。仮に、カバー３２が基板支持部３０と密着するようになれば、回転部材３１を回転させるためにグルーブ３７に供給された所定のガスが円滑に排出できず、回転部材３１の下で乱流を形成して、むしろ回転部材３１の回転を妨害するか、または回転部材３１とカバー３２との間に排出されて基板５の上の蒸着物形成を妨害する虞がある。したがって、基板支持部３０の上には複数の間隙形成部材３３が設置できる。間隙形成部材３３によりカバー３２と基板支持部３０との間には所定のガスの排出を円滑にすることができる間隙３４が形成できる。間隙３４を通じて回転部材３１を回転させるために、グルーブ３７に供給された所定のガスが外部に円滑に排出できるので、回転部材３１の下で乱流が形成されて回転部材３１の回転を妨害する問題点と基板５の上の蒸着物形成妨害の問題を解決することができる。   Hereinafter, the gap forming member 33 will be described with reference to FIGS. 3 and 5. If the cover 32 comes into close contact with the substrate support unit 30, the predetermined gas supplied to the groove 37 for rotating the rotating member 31 cannot be smoothly discharged, and turbulent flow is generated under the rotating member 31. Rather, the rotation of the rotating member 31 may be obstructed, or it may be discharged between the rotating member 31 and the cover 32 to obstruct the formation of the deposit on the substrate 5. Therefore, a plurality of gap forming members 33 can be installed on the substrate support portion 30. A gap 34 that can smoothly discharge a predetermined gas can be formed between the cover 32 and the substrate support 30 by the gap forming member 33. Since the predetermined gas supplied to the groove 37 can be smoothly discharged to rotate the rotating member 31 through the gap 34, a turbulent flow is formed under the rotating member 31 to obstruct the rotation of the rotating member 31. It is possible to solve the problem and the problem of obstruction of the deposit formation on the substrate 5.

そして、基板支持部３０の中央とカバー３２の中央にはガス供給部４０が貫通できるように中央貫通ホール３５が形成できる。中央貫通ホール３５は、基板支持部３０に形成された第１中央貫通ホール３５’及びカバー３２に形成された第２中央貫通ホール３５"を含むことができる。中央貫通ホール３５の直径は工程ガス供給部４０の直径より多少大きく形成されることが好ましい。   A central through hole 35 can be formed in the center of the substrate support 30 and the center of the cover 32 so that the gas supply unit 40 can penetrate. The central through hole 35 may include a first central through hole 35 ′ formed in the substrate support 30 and a second central through hole 35 ″ formed in the cover 32. The diameter of the central through hole 35 is a process gas. It is preferably formed to be slightly larger than the diameter of the supply unit 40.

以下、図６から図８を参照して基板支持部３０に回転部材３１を回転させるための所定のガスが供給される方式を説明する。   Hereinafter, a method of supplying a predetermined gas for rotating the rotating member 31 to the substrate support 30 will be described with reference to FIGS.

図６は、本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０の一部構成を示す図である。   FIG. 6 is a diagram showing a partial configuration of the vapor deposition film forming apparatus 10 according to one embodiment of the present invention.

図６を参照すると、本発明の一実施形態に従う蒸着膜形成装置１０は、ガス供給部８０を含むことができる。ガス供給部８０は所定のガス（例えば、Ｎ2ガス）をガス供給路８１を通じて第２支持部７０の内部に供給することができる。 Referring to FIG. 6, the deposited film forming apparatus 10 according to an embodiment of the present invention may include a gas supply unit 80. The gas supply unit 80 can supply a predetermined gas (for example, N 2 gas) into the second support unit 70 through the gas supply path 81.

第２支持部７０の内部には内部供給路７０ａが形成されて、所定のガスが流れることができる通路を提供することができる。内部供給路７０ａに流れる所定のガスは内部供給路７０ａと連結された第１支持部６０の内部の内部流路６０ａを経て連結管５０と接する出口６０ｅを通じて連結管５０の内に形成された連結流路５４の内に流れる。連結流路５４は、複数の基板支持部３０の間を連結して、所定のガスが最上の基板支持部３０まで供給されるようにすることができる。各々の基板支持部３０には第１流路５１が形成されて第２流路５２及び第３流路５３に所定のガスが供給できるという点は前述した通りである。   An internal supply path 70a is formed inside the second support part 70, and a path through which a predetermined gas can flow can be provided. The predetermined gas flowing in the internal supply path 70a is formed in the connection pipe 50 through the outlet 60e that contacts the connection pipe 50 through the internal flow path 60a in the first support part 60 connected to the internal supply path 70a. It flows in the flow path 54. The connection channel 54 may connect the plurality of substrate support units 30 so that a predetermined gas is supplied to the uppermost substrate support unit 30. As described above, the first flow path 51 is formed in each substrate support portion 30 and a predetermined gas can be supplied to the second flow path 52 and the third flow path 53.

図７は、図６の“Ｂ”部分を拡大して示す図である。“Ｂ”部分は第２支持部７０から第１支持部６０に所定のガスが流れる経路に関する部分である。また、図８は本発明の一実施形態に従う第１支持部の構成を示す図である。   FIG. 7 is an enlarged view of the “B” portion of FIG. The “B” portion is a portion related to a path through which a predetermined gas flows from the second support portion 70 to the first support portion 60. Moreover, FIG. 8 is a figure which shows the structure of the 1st support part according to one Embodiment of this invention.

図７及び図８を参照すると、内部供給路７０ａと内部流路６０ａとの間の第１支持部６０の上には連結部６０ｃが形成できる。連結部６０ｃは、第１支持部６０の回転方向に沿って第１支持部６０の外部に凹リング形状に形成できる。したがって、第１支持部６０が回転しても内部供給路７０ａから供給される所定のガスが第１支持部６０の内部の内部流路６０ａに流れ込むことがある。   Referring to FIGS. 7 and 8, a connecting part 60c can be formed on the first support part 60 between the internal supply path 70a and the internal flow path 60a. The connection part 60 c can be formed in a concave ring shape outside the first support part 60 along the rotation direction of the first support part 60. Therefore, even if the first support part 60 rotates, the predetermined gas supplied from the internal supply path 70 a may flow into the internal flow path 60 a inside the first support part 60.

連結部６０ｃのうち、所定の位置には内部流路６０ａが始まる入口６０ｄが形成できる。第１支持部６０は回転可能であるので、入口６０ｄの位置も回転することができる。それによって、内部供給路７０ａと入口６０ｄの位置が互いにマッチされなくても、内部流路６０ａから排出される所定のガスが凹リング形状の連結部６０ｃに沿って流れてから入口６０ｄに流れ込むことがある。連結部６０ｃの上部と下部に沿ってシーリング部材６５が配置されて第１支持部６０及び第２支持部７０の間で所定のガスの外部への漏出を防止することができる。   An inlet 60d where the internal flow path 60a starts can be formed at a predetermined position in the connecting portion 60c. Since the first support portion 60 is rotatable, the position of the inlet 60d can also be rotated. Accordingly, even if the positions of the internal supply path 70a and the inlet 60d are not matched with each other, the predetermined gas discharged from the internal flow path 60a flows along the concave ring-shaped connection portion 60c and then flows into the inlet 60d. There is. The sealing member 65 is disposed along the upper and lower portions of the connecting portion 60c, and a predetermined gas can be prevented from leaking outside between the first support portion 60 and the second support portion 70.

本発明の他の実施形態によれば、連結管５０と基板支持部３０との間で所定のガスの漏洩を防止するための連結管５０と基板支持部３０との間の結合構造が提案される。図９は本発明の他の実施形態に従う基板支持部の一部を示す図であり、図１０は本発明の他の実施形態に従う連結管と基板支持部との間の結合構造を示す図である。   According to another embodiment of the present invention, a coupling structure between the connection tube 50 and the substrate support 30 for preventing a predetermined gas from leaking between the connection tube 50 and the substrate support 30 is proposed. The FIG. 9 is a view showing a part of a substrate support according to another embodiment of the present invention, and FIG. 10 is a view showing a coupling structure between a connecting pipe and a substrate support according to another embodiment of the present invention. is there.

図９及び図１０を参照すると、基板支持部３０のうち、連結管５０と結合される 部位、即ち第１流路５１が形成された位置の周辺に凹凸形状の結合部材３９が形成できる。結合部材３９は外側に形成された第１結合部材３９ａと内側に形成された第２結合部材３９ｂで構成されることができ、第１結合部材３９ａ及び第２結合部材３９ｂは各々リング形状でありうる。これに対応して、連結管５０の端部には結合部材３９の凹凸形状に対応する凹凸形状を有する構成、即ち第１対応結合部材５０ａと第２対応結合部材５０ｂが形成できる。図１０に示すように、連結管５０と基板支持部３０との結合時に、第１結合部材３９ａと第２結合部材３９ｂとの間には第１対応結合部材５０ａが挿入され、第２結合部材３９ｂの内側に第２対応結合部材５０ｂが挿入できる。即ち、連結管５０の端部に形成された凹凸形状と結合部材３９の凹凸形状とが互いに嵌合して結合できる。このような連結管５０と基板支持部３０との間の結合方式により、連結管５０と基板支持部３０との間で所定のガスの漏洩が防止できる。   Referring to FIGS. 9 and 10, the concave and convex coupling member 39 can be formed around the portion of the substrate support 30 that is coupled to the connecting pipe 50, that is, the position where the first flow path 51 is formed. The coupling member 39 may include a first coupling member 39a formed on the outside and a second coupling member 39b formed on the inside. The first coupling member 39a and the second coupling member 39b each have a ring shape. sell. Correspondingly, the end portion of the connecting pipe 50 can be configured to have a concavo-convex shape corresponding to the concavo-convex shape of the coupling member 39, that is, the first corresponding coupling member 50a and the second corresponding coupling member 50b. As shown in FIG. 10, when the connecting tube 50 and the substrate support 30 are connected, the first corresponding connecting member 50a is inserted between the first connecting member 39a and the second connecting member 39b, and the second connecting member. The second corresponding coupling member 50b can be inserted inside 39b. That is, the concave and convex shape formed at the end of the connecting pipe 50 and the concave and convex shape of the coupling member 39 can be fitted and coupled to each other. By such a coupling method between the connecting pipe 50 and the substrate support part 30, it is possible to prevent a predetermined gas from leaking between the connecting pipe 50 and the substrate support part 30.

以上、連結管５０と基板支持部３０との結合構造について説明したが、連結管５０が第１支持部６０と結合する場合にも同一な結合構造が適用できる。   The connection structure between the connection pipe 50 and the substrate support 30 has been described above, but the same connection structure can be applied when the connection pipe 50 is connected to the first support part 60.

本発明は、前述したように好ましい実施形態を挙げて図示及び説明したが、前記実施形態に限定されず、本発明の精神から外れない範囲内で当該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者により多様な変形及び変更が可能である。そのような変形例及び変更例は、本発明と添付した特許請求範囲の範囲内に属することと見るべきである。   Although the present invention has been illustrated and described with reference to the preferred embodiments as described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments and has ordinary knowledge in the technical field to which the invention belongs within the scope of the present invention. Various modifications and changes can be made by a person. Such variations and modifications are to be considered within the scope of the present invention and the appended claims.

１０ 蒸着膜形成装置
３０ 基板支持部
３１ 回転部材
３２ カバー
３３ 間隙形成部材
３４ 間隙
３６ 回転部材収容部
３８ 突出部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vapor deposition film forming apparatus 30 Substrate support part 31 Rotating member 32 Cover 33 Gap forming member 34 Gap 36 Rotating member accommodating part 38 Protruding part

Claims (12)

複数の基板支持部を含み、
各々の前記基板支持部の上には複数の基板の各々を回転させるための複数の回転部材が配置され、
各々の前記回転部材はガスフォイル（gas-foil）方式により前記基板支持部の上で回転し、
前記基板支持部の上に前記複数の回転部材が位置する部分の以外にはカバーが設置され、
前記基板支持部と前記カバーとの間には前記ガスフォイル方式で使われる所定のガスが排出される間隙が形成されることを特徴とする、蒸着膜形成装置。 Including a plurality of substrate supports,
A plurality of rotating members for rotating each of the plurality of substrates are disposed on each of the substrate support portions,
Each of the rotating members rotates on the substrate support by a gas-foil method,
A cover is installed in addition to the portion where the plurality of rotating members are positioned on the substrate support portion,
A vapor deposition film forming apparatus, wherein a gap for discharging a predetermined gas used in the gas foil method is formed between the substrate support part and the cover. 前記複数の基板支持部の各々は回転可能であることを特徴とする、請求項１に記載の蒸着膜形成装置。   The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of substrate support portions is rotatable. 前記複数の回転部材の上面の高さと前記カバーの上面の高さとが互いに同一であることを特徴とする、請求項１に記載の蒸着膜形成装置。   2. The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein a height of an upper surface of the plurality of rotating members is equal to a height of an upper surface of the cover. 前記基板支持部の上には複数の間隙形成部材が配置されて、前記基板支持部と前記カバーとの間に間隙が形成されることを特徴とする、請求項１に記載の蒸着膜形成装置。   The vapor deposition film forming apparatus according to claim 1, wherein a plurality of gap forming members are disposed on the substrate support portion, and a gap is formed between the substrate support portion and the cover. . 前記基板支持部のうち、前記複数の回転部材が位置する複数の部分の各々には突出部が形成され、
前記複数の回転部材の各々は前記突出部を中心に回転できることを特徴とする、請求項１に記載の蒸着膜形成装置。 Of the substrate support portion, a plurality of portions where the plurality of rotating members are located are each formed with a protrusion,
2. The deposited film forming apparatus according to claim 1, wherein each of the plurality of rotating members is rotatable about the protruding portion. 前記複数の基板支持部を支持するための第１支持部と第２支持部をさらに含み、
前記第１支持部は前記複数の基板支持部と共に回転可能であり、
前記第２支持部は固定されることを特徴とする、請求項２に記載の蒸着膜形成装置。 A first support part and a second support part for supporting the plurality of substrate support parts;
The first support part is rotatable together with the plurality of substrate support parts,
The vapor deposition film forming apparatus according to claim 2, wherein the second support part is fixed. 前記第２支持部の内には前記所定のガスを移送するための内部供給路が形成され、
前記第１支持部の内には前記所定のガスを前記複数の基板支持部に移送するための内部流路が形成され、
前記第１支持部の側面の上には凹リング形状の連結部が形成されて前記内部供給路と前記内部流路との間を連結することを特徴とする、請求項６に記載の蒸着膜形成装置。 An internal supply path for transferring the predetermined gas is formed in the second support part,
An internal flow path for transferring the predetermined gas to the plurality of substrate support parts is formed in the first support part,
The deposited film according to claim 6, wherein a concave ring-shaped connection part is formed on a side surface of the first support part to connect the internal supply path and the internal flow path. Forming equipment. 前記連結部の上部及び下部のうちの少なくとも１には前記所定のガスが漏出されることを防止するためのシーリング部材が形成されることを特徴とする、請求項７に記載の蒸着膜形成装置。   8. The deposited film forming apparatus of claim 7, wherein a sealing member for preventing the predetermined gas from leaking is formed in at least one of the upper part and the lower part of the connecting part. . 前記第１支持部と前記複数の基板支持部のうち、最も下に位置する基板支持部の間、及び／又は互いに隣接する基板支持部の間では前記所定のガスが移動できる少なくとも１つの連結管が設置されることを特徴とする、請求項７に記載の蒸着膜形成装置。   At least one connecting pipe in which the predetermined gas can move between the lowermost substrate support portion and / or between the substrate support portions adjacent to each other among the first support portion and the plurality of substrate support portions. The apparatus for forming a deposited film according to claim 7, wherein: 前記第１支持部または前記複数の基板支持部の各々で前記連結管と結合する部分には前記所定のガスが漏洩されることを防止するための結合部材が形成されることを特徴とする、請求項９に記載の蒸着膜形成装置。   In the first support part or each of the plurality of substrate support parts, a coupling member for preventing the predetermined gas from leaking is formed at a part coupled to the connection pipe. The vapor deposition film forming apparatus according to claim 9. 前記結合部材は凹凸形状であることを特徴とする、請求項１０に記載の蒸着膜形成装置。   The deposited film forming apparatus according to claim 10, wherein the coupling member has an uneven shape. 前記連結管の端部には前記結合部材の凹凸形状に対応する凹凸形状が形成され、
前記連結管の端部に形成された凹凸形状と前記結合部材の凹凸形状とが互いに嵌合されることを特徴とする、請求項１１に記載の蒸着膜形成装置。 An uneven shape corresponding to the uneven shape of the coupling member is formed at the end of the connecting pipe,
12. The deposited film forming apparatus according to claim 11, wherein the uneven shape formed at the end of the connecting pipe and the uneven shape of the coupling member are fitted to each other.
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