JP2016128604A - ホルムアルデヒド不含無電解金属メッキ組成物及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属イオンの1つ以上の源と、グリオキシル酸、その塩、または混合物の1つ以上の源と、グリオキシル酸及び塩を安定させる1つ以上の三級アミン化合物、その塩、ハロゲン化物、または混合物と、を含む無電解金属メッキ組成物。グリオキシル酸の1つ以上の源が、非解離グリオキシル酸、ジヒドロキシ酢酸、ジハロ酢酸又はグリオキシル酸の重亜硫酸塩付加物から選択される無電解金属メッキ組成物。
【効果】環境に優しく、安定性があり、光輝性金属堆積物を基材上に堆積させる。
【選択図】図1
Description
以下に示されるように、グリオキシル酸低減無電解銅メッキ組成物を調製した。本組成物は、銅イオン、還元剤としてグリオキシル酸、銅錯化剤として酒石酸カリウム、pH調節剤として水酸化カリウム、グリオキシル酸分解の抑制剤、及び安定剤として2,2′−ジピリジルを含んだ。無電解銅組成物は、ホルムアルデヒドを含まなかった。それらの銅堆積物の品質及びグリオキシル酸の安定性に関して、それらを試験した。
無電解銅堆積の間、表1の調合物1の組成物の温度を40℃に維持し、組成物のpHは、13であった。5分間、基材上に銅を堆積させた。使用した基材は、Shengyi Technology Co.,Ltdから取得した、5cm×5cmの寸法を有する非被覆S1141エポキシ/ガラス積層物、及び2cm×3.5cmの寸法を有する銅被膜S1141エポキシ/ガラス複数積層板(6層)であった。堆積速度を測定するために前者を使用し、貫通孔のバックライト性能を評価するために後者を使用した。次いで、以下のような垂直デスミアラインプロセスにおいて、各板の貫通孔の穿設汚点及び他の不純物を除去した。
1.12.5%のCIRCUPOSIT(商標)MLB CONDITIONER211溶液から構成される溶剤膨潤によって、75℃で5分間、板を処理した。
2.次いで、3分間、各板を冷水で洗い流した。
3.次いで、10%のCIRCUPOSIT(商標)MLB PROMOTER213−A溶液から構成される水性アルカリ性過マンガン酸塩のアルカリ増進剤によって、80℃で10分間、板を処理した。
4.次いで、3分間、各板を冷水で洗い流した。
5.次いで、5%のCIRCUPOSIT(商標)MLB中和剤216−5溶液から構成される水性中和剤によって、40℃で5分間、板を処理した。
6.次いで、3分間、各板を冷水で洗い流した。
7.3%のCIRCUPOSIT(商標)CONDITIONER3323A溶液を含有する水性浴中に、40℃で5分間、各板/積層物の表面を浸した。
8.次いで、4分間、各板/積層物を冷水で洗い流した。
9.次いで、100g/Lの過硫酸ナトリウム及び2容積/容積%の硫酸の水性酸性溶液によって、室温で1分間、各板の貫通孔にマイクロエッチを施した。
10.次いで、3分間、各板を冷水で洗い流した。
11.次いで、室温で1分間、事前浸漬を各板/積層物に適用した。事前浸漬は、Rohm and Haas Electronic Materialsから取得したCATAPREP(商標)404溶液であった。
12.次いで、無電解銅金属化のために、触媒浴によって40℃で5分間、板/積層物を下塗りした。触媒浴は、Rohm and Haas Electronic Materialsから取得した2%CATAPOSIT(商標)44溶液を含有した。
13.次いで、2分間、板/積層物を冷水で洗い流した。
14.次いで、2.5%ACCELERATOR(商標)19E溶液によって、室温で2分間、板/積層物を活性化させた。
15.次いで、2分間、板/積層物を冷水で洗い流した。
16.次いで、無電解銅堆積のために、調合物1の無電解銅メッキ組成物中に各板/積層物を浸した。40℃で5分間、pH13で銅堆積を行った。
17.次いで、2分間、各銅メッキされた板/積層物を冷水で洗い流した。
18.次いで、1分間、各銅メッキされた板/積層物を脱イオン水で洗い流した。
19.ブロー乾燥後、各積層物を銅堆積物の品質について観察し、次いで、湿式滴定方法によって堆積速度を測定した。
20.次いで、各板を側方に分割して、銅メッキされた貫通孔の壁を露出させた。1mm厚の複数の側方切片を各板の分割された貫通孔の壁から取り出して、従来の欧州バックライト等級スケール0〜5を使用して、板に対する貫通孔の壁の被膜を決定したが、ここで0は最悪の結果を、5は最良の結果を意味する。0〜5の結果を示す参照試料が図に示される。光源を備える50X倍率の従来の光学顕微鏡の下にかかる側方切片を配置した。光を試料の後方に適用した。光が観察されない場合、試料は完全に銅メッキされており、図の5.0と印された参照試料に示されるように顕微鏡下の画像が黒くなった。光が観察される場合、側方切片を0.0〜4.5と印された参照試料と比較した。試料を通過する光が多いほど、バックライト評価は低く、メッキ品質はより乏しい。S1141銅メッキされた板は、商業バックライト値として許容値である4.0の平均バックライト値を有した。
a)5mLの試験溶液を250mlのビーカーに分注し、およそ50mLのRO水を添加した。
b)従来のpH計を使用して、標準化された0.1N HClでpH=10.0になるまで滴定し、15mLの0.1M亜硫酸ナトリウムまたは1〜2gの亜硫酸ナトリウム固体に添加した。
c)3〜5分掻き混ぜて、グリオキシル酸と亜硫酸ナトリウムとの完全な反応を確実にした。
d)発生した水酸化ナトリウムを0.1N HCLでpH=10.0になるまで滴定し、送達したmL量を記録した。この滴定はグリオキシル酸濃度を表した。
CHOCOOH(g/L)=HClのmL×0.1×74/試料サイズ(5mL)
21.調合物1の浴組成物から取得された銅堆積物は、サーモンピンクであった。少量の無メッキが観察された。堆積速度測定は、0.19μm/5分であった。以下の湿式滴定手順によって、メッキされた銅の量を決定した:まず、積層物上の銅堆積を完全に溶解し、次いで、pH=10の塩化アンモニウムを含有する緩衝剤溶液をその溶液に添加して、その後、0.05M EDTA標準溶液で滴定した。このようにして、銅堆積の総質量を計算した。
実施例1と同じ方法で表1の調合物2〜4を処理した。無電解銅堆積の間、本組成物を温度40℃及びpH13に維持した。5分間、基材上に銅を堆積させた。
以下の無電解銅メッキ溶液を調製した。
以下の表3に示されるように、3つの無電解銅メッキ溶液を調製した。
以下の表4で示されるように、2つの無電解銅メッキ調合物を調製した。
以下表5に示されるように、複数の無電解銅メッキ溶液を調製した。グリオキシル酸分解抑制剤は、トリイソプロパノールアミンであった。11個の調合物において、成分の残りを同濃度に保ちながら、トリイソプロパノールアミンとグリオキシル酸とのモル比を変化させた。
実施例7の無電解銅メッキ溶液を、それらのメッキ性能及び安定性に関して試験した。使用された基材は、上記実施例2と同一の種類であった。実施例2に記載されるように基材を処理し、無電解メッキした。無電解銅堆積の間、メッキ溶液のpHを13に維持しながら、温度を40℃に維持した。5分間、基材上に銅を堆積させた。結果は、表9に示される。
以下の表10に示されるように、複数の無電解銅メッキ溶液を調製した。グリオキシル酸分解抑制剤は、トリイソプロパノールアミンであった。9個の調合物において、成分の残りを同濃度に保ちながら、トリイソプロパノールアミンとグリオキシル酸とのモル比を変化させた。
メッキ溶液を空気攪拌しながら、pH13及び温度40℃を維持した。6時間の空転後、残りのグリオキシル酸を測定した。結果は、表11に示される。
Claims (8)
- 金属イオンの1つ以上の源と、グリオキシル酸、その塩、または混合物の1つ以上の源と、下記の式を有する1つ以上の三級アミン化合物、その塩、ハロゲン化物、または混合物と、を含む組成物であって、
- 前記グリオキシル酸の1つ以上の源が、非解離グリオキシル酸、ジヒドロキシ酢酸、ジハロ酢酸、及びグリオキシル酸の重亜硫酸塩付加物から選択される、請求項1に記載の前記組成物。
- 前記グリオキシル酸の塩が、グリオキシル酸のアルカリ金属塩及びアンモニウム塩から選択される、請求項1に記載の前記組成物。
- 前記1つ以上の三級アミンが、トリエタノールアミン、2−[ビス(2−ヒドロキシエチル)アミノ]酢酸及びその塩、N−(2−ヒドロキシエチル)イミノジ酢酸及びその塩、ニトリロトリ酢酸、ニトリロ(3−プロピオン)ジ酢酸及びその塩、ニトリロトリプロピオン酸及びその塩、N,N−ビス(2−ヒドロキシプロピル)エタノールアミン、1−[ビス(2−ヒドロキシエチル)アミノ]−2−プロパノール、2−[ビス(2−ヒドロキシエチル)アミノ]−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオール、N,N−ビス(カルボキシメチル)−DL−アラニン及びその塩、トリイソプロパノールアミン、L−グルタミン酸N,N′−ジ酢酸及びその塩、N,N,N′,N′−テトラキス(2−ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン、N,N,N′,N′−テトラキス(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン、1,3−ジアミノ−2−ヒドロキシプロパン−N,N,N′,N′−テトラ酢酸及びその塩、エチレンジアミンテトラプロピオン酸及びその塩、プロピレンジアミンテトラ酢酸及びその塩、N−(2−ヒドロキシエチル)エチレンジアミン−N,N′,N′−トリ酢酸及びその塩、ジエチレントリアミンペンタ酢酸及びその塩、トリエチレンテトラミン−N,N,N′,N′′,N′′′,N′′′−ヘキサ酢酸及びその塩、メチルジエタノールアミン、メチルイミノジ酢酸及びその塩、トリス(カルボキシメチル)エチレンジアミン、1,2−ジアミノシクロヘキサンテトラ酢酸及びその塩、N−(2−アミノエチル)−トランス−1,2−ジアミノシクロヘキサン−N,N,N−ペンタ酢酸及びその塩、エチレングリコールテトラ酢酸及びその塩、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸及びその塩、(エチレンジニトリロ)−テトラメチレンホスホン酸及びその塩、(ニトリロトリメチレン)トリホスホン酸及びその塩から選択される、請求項1に記載の前記組成物。
- 金属イオンが、銅イオン、錫イオン、ニッケルイオン、銀イオン、金イオン、及びそれらの混合物から選択される、請求項1に記載の前記組成物。
- 促進剤、均一性向上剤、安定剤、細粒化剤、錯化剤、キレート剤、追加の還元剤、pH調節剤、抗酸化剤、及び界面活性剤を更に含む、請求項1に記載の前記組成物。
- a)基材を提供することと、
b)請求項1に記載の前記組成物を前記基材に適用することと、
c)金属を前記基材上に無電解メッキすることと、を含む、方法。 - 前記基材が、複数の貫通孔を備え、
d)前記貫通孔をデスミア処理することと、
e)金属を前記貫通孔の壁にメッキすることと、を更に含む、請求項7に記載の前記方法。
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