JP2016118554A - Differential temperature sensor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、差温センサ（ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｅｎｓｏｒ）に関する。より詳細には、本発明は、ゼーベック効果熱電センサである。 The present invention relates to a differential temperature sensor. More particularly, the present invention is a Seebeck effect thermoelectric sensor.
図１に示されているように、高熱源Ｓｃと冷熱源Ｓｆとの間の現況技術の公知の差温センサ１は、
− 好ましくはシリコンをベースとする材料で作成された基板（図示されず）と、
− 基板上に配置され、断熱材料１０２により分離された熱電層の組立体であって、熱電対１００、１０１の少なくとも１つの第１の接点１０を組立体の高熱側と呼ばれる片側に備え、熱電対１００、１０１の少なくとも１つの第２の接点１１を組立体の冷熱側と呼ばれる反対側に備える組立体と、
− 各第１の接点１０および各第２の接点１１にそれぞれ熱を伝えるように配置された少なくとも１つの第１の接続パッドおよび少なくとも１つの第２の接続パッド（図示されず）と
を備える。
As shown in FIG. 1, a known differential temperature sensor 1 of the state of the art between a high heat source Sc and a cold heat source Sf is:
A substrate (not shown), preferably made of a silicon-based material;
An assembly of thermoelectric layers arranged on a substrate and separated by a heat insulating material 102, comprising at least one first contact 10 of thermocouples 100, 101 on one side, called the hot side of the assembly, An assembly comprising at least one second contact 11 of the pair 100, 101 on the opposite side, called the cold side of the assembly;
-Comprising at least one first connection pad and at least one second connection pad (not shown) arranged to conduct heat to each first contact 10 and each second contact 11, respectively.
「高熱」および「冷熱」という用語は、相対的な意味で理解されるものであり、すなわち、「高熱」源の温度は、「冷熱」源の温度よりも高い。 The terms “hot” and “cold” are to be understood in a relative sense, that is, the temperature of the “hot” source is higher than the temperature of the “cold” source.
接続パッドは、高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆに熱的に接続されることが意図されている。 The connection pad is intended to be thermally connected to the high heat source Sc and the cold heat source Sf.
熱電層の組立体は、Ｎ個の熱電対１００、１０１、すなわち、第１の熱電材料１００に基づくＮ個の層と、第２の熱電材料１０１で作成されたＮ個の層とを備える。各第１の接点１０と、各第２の接点１１とは、導電性材料で形成される。 The thermoelectric layer assembly comprises N thermocouples 100, 101, ie N layers based on the first thermoelectric material 100 and N layers made of the second thermoelectric material 101. Each first contact 10 and each second contact 11 are formed of a conductive material.
センサ１により生成される出力電圧Ｖは、以下の式
Ｖ＝Ｎ×（Ｓ２−Ｓ１）×（Ｔｃ−Ｔｆ）
により提供されるが、ここで、
− Ｎは、熱電対１００、１０１の数であり、
− Ｓ１およびＳ２は、それぞれ第１の熱電材料１００および第２の熱電材料１０１のゼーベック係数であり、
− （Ｔｃ−Ｔｆ）は、組立体の高熱側と冷熱側との間に適用される温度勾配である。
The output voltage V generated by the sensor 1 is expressed by the following equation: V = N × (S 2 −S 1 ) × (Tc−Tf)
Provided by where
-N is the number of thermocouples 100, 101;
S 1 and S 2 are the Seebeck coefficients of the first thermoelectric material 100 and the second thermoelectric material 101, respectively,
-(Tc-Tf) is the temperature gradient applied between the hot and cold sides of the assembly.
そのような現況技術のセンサ１は、チップを形成し、薄層技術の範疇に入り、よって巨視的なゼーベック効果熱電センサとは異なる。 Such a state-of-the-art sensor 1 forms a chip and falls into the category of thin-layer technology and is therefore different from a macroscopic Seebeck effect thermoelectric sensor.
「チップ」とは、好ましくはシリコンで作成され、基本構成要素を備えるウェーハを意味する。 “Chip” means a wafer, preferably made of silicon, with basic components.
したがってそのような現況技術のセンサ１は、小型化が望まれる多様な用途で使用される。非限定的な例として、超小型電子技術、携帯電話、スマート・ホーム、スマート・ビルディング、スマート・グリッド、ある種の工業プロセスを挙げることができる。 Accordingly, such a state-of-the-art sensor 1 is used in various applications where downsizing is desired. Non-limiting examples include microelectronics, mobile phones, smart homes, smart buildings, smart grids, and certain industrial processes.
現在、電子機能を実現するために、そのようなセンサ１を回路内の他の基本構成要素に統合する作業は、回路製造の技術プロセス中に実行される。この解決策は、隣接する基本構成要素の影響を考慮する必要がある方法ステップの実行に複雑さと複数の制約とをもたらすため、満足のいくものではない。 Currently, the task of integrating such a sensor 1 with other basic components in the circuit in order to realize electronic functions is carried out during the technical process of circuit manufacture. This solution is unsatisfactory because it introduces complexity and multiple constraints on the execution of method steps that need to take into account the influence of neighboring basic components.
さらに、そのようなセンサ１を集積回路パッケージ等のパッケージに直接統合すると、膨大な熱損失を生じさせ、それが組立体の高熱側と冷熱側との間に適用される温度勾配に影響を与え、よってセンサ１の適切な動作を妨げる。 Furthermore, when such a sensor 1 is directly integrated into a package such as an integrated circuit package, a huge heat loss occurs, which affects the temperature gradient applied between the hot and cold sides of the assembly. Thus preventing proper operation of the sensor 1.
本発明は、上述された欠点のすべてまたは一部を克服することを目指しており、この目的のために、
− 基板と、
− 基板上に配置された熱電層の組立体であって、熱電対の少なくとも１つの第１の接点を組立体の高熱側と呼ばれる片側に備え、熱電対の少なくとも１つの第２の接点を組立体の冷熱側と呼ばれる反対側に備える組立体と、
− 各第１の接点および各第２の接点にそれぞれ熱を伝達するように配置された少なくとも１つの第１の接続パッドおよび少なくとも１つの第２の接続パッドと
を備える、高熱源と冷熱源との間の差温センサであって、
− 基板を支持するように配置され、高熱源および冷熱源に接続されることを意図されている断熱性の支持部材と、
− 支持部材を前記または各第１の接続パッドおよび前記または各第２の接続パッドにそれぞれ電気的に接続するように配置された第１の金属接続手段および第２の金属接続手段と
を備え、支持部材が、高熱源から第１の金属接続手段に熱を伝達し且つ第２の金属接続手段から冷熱源に熱を伝達するように配置された熱伝達手段を備える点で顕著である、センサに関する。
The present invention aims to overcome all or part of the above-mentioned drawbacks, and for this purpose,
-A substrate;
An assembly of thermocouples arranged on a substrate, comprising at least one first contact of the thermocouple on one side, called the hot side of the assembly, and assembling at least one second contact of the thermocouple An assembly provided on the opposite side called the three-dimensional cold side,
A high and cold source comprising: at least one first connection pad and at least one second connection pad arranged to transfer heat to each first contact and each second contact; A temperature difference sensor between
A thermally insulating support member arranged to support the substrate and intended to be connected to a high heat source and a cold source;
-A first metal connection means and a second metal connection means arranged to electrically connect a support member to the or each first connection pad and the or each second connection pad, respectively. The sensor is notable in that the support member comprises heat transfer means arranged to transfer heat from the high heat source to the first metal connection means and to transfer heat from the second metal connection means to the cold heat source. About.
高熱源および冷熱源への支持部材の接続は、直接的、すなわち支持部材がそれらの熱源と直接接触するかたちでもよい。この接続は、間接的、すなわち支持部材が熱経路を介してそれらの熱源に熱的に接続されるかたちでもよい。 The connection of the support members to the high and cold heat sources may be direct, i.e. the support members are in direct contact with their heat sources. This connection may be indirect, i.e. the support members are thermally connected to their heat source via a thermal path.
よって、本発明に係るそのようなセンサは、第１の金属接続手段および第２の金属接続手段により、支持部材に統合される。第１の接続手段および第２の接続手段の金属的な性質は、
− 接続パッドへの支持部材の電気的な接続と、
− 支持部材と接続パッドとの間の良好な熱伝導と
の両方を提供することを可能にする。
Thus, such a sensor according to the present invention is integrated into the support member by the first metal connecting means and the second metal connecting means. The metallic properties of the first connecting means and the second connecting means are:
-The electrical connection of the support member to the connection pad;
It makes it possible to provide both good heat conduction between the support member and the connection pads;
「断熱性」とは、支持部材が、約１５０Ｗ／ｍ／Ｋの値よりも小さい熱伝導率を有することを意味する。 “Insulating” means that the support member has a thermal conductivity less than about 150 W / m / K.
「熱伝導性」とは、実体（エンティティ）が約１５０Ｗ／ｍ／Ｋの値よりも大きい熱伝導率を有することを意味する。 “Thermal conductivity” means that the entity has a thermal conductivity greater than a value of about 150 W / m / K.
支持部材は、第１の金属接続手段と第２の金属接続手段との間で支持部材を介して熱橋（ｔｈｅｒｍａｌ ｂｒｉｄｇｅ）が形成されるのを回避するために、断熱している。よって、高熱源と冷熱源との間の温度勾配は、第１の金属接続手段と第２の金属接続手段との間で伝えられる可能性があり、したがって熱電層の組立体の高熱側と冷熱側との間で第１の接続パッドおよび第２の接続パッドを介して伝えられ得る。 The support member is thermally insulated in order to avoid the formation of a thermal bridge between the first metal connection means and the second metal connection means via the support member. Thus, the temperature gradient between the high heat source and the cold heat source may be transferred between the first metal connection means and the second metal connection means, and therefore, the hot and cold sides of the thermoelectric layer assembly and the cold heat. Can be communicated to the side via a first connection pad and a second connection pad.
さらに、統合に起因する熱損失は、支持部材の熱伝達手段と、第１の金属接続手段および第２の金属接続手段とにより、大幅に軽減される。 Furthermore, the heat loss resulting from the integration is greatly reduced by the heat transfer means of the support member, the first metal connection means, and the second metal connection means.
実施形態によると、第１の接続手段および第２の接続手段は、前記または各第１の接続パッドおよび前記または各第２の接続パッドにそれぞれはんだ付けされて基板と支持部材とを組み立てるはんだバンプを備える。 According to the embodiment, the first connection means and the second connection means are soldered to the or each first connection pad and the or each second connection pad to assemble the substrate and the support member, respectively. Is provided.
よって、そのような金属性のはんだバンプは、優れた熱伝導特性を有する。 Therefore, such metallic solder bumps have excellent heat conduction characteristics.
代替の実行によると、第１の金属接続手段および第２の金属接続手段は、前記または各第１の接続パッドおよび前記または各第２の接続パッドにそれぞれ溶接されて基板と支持部材とを組み立てるボンディング・ワイヤを備える。 According to an alternative implementation, the first metal connection means and the second metal connection means are respectively welded to the or each first connection pad and the or each second connection pad to assemble the substrate and the support member. Provide bonding wire.
実施形態によると、熱伝達手段は、高熱源および冷熱源にそれぞれ接続されることを意図されている少なくとも１つの第１の金属コネクタ・ピンおよび少なくとも１つの第２の金属コネクタ・ピンを備える。 According to an embodiment, the heat transfer means comprises at least one first metal connector pin and at least one second metal connector pin intended to be connected to a high heat source and a cold heat source, respectively.
よって、そのような金属コネクタ・ピンは、
− 電子基板等への支持部材の電気的な接続と、
− 高熱源および冷熱源と支持部材との間の良好な熱伝導と
の両方を提供することを可能にする。
Therefore, such metal connector pins are
-Electrical connection of the support member to the electronic substrate etc.
-Making it possible to provide both high and low heat sources and good heat conduction between the support member.
実施形態によると、熱伝達手段は、
− 第１の接続手段を前記または各第１の金属コネクタ・ピンに接続する少なくとも１つの第１の金属トラックと、
− 第２の接続手段を前記または各第２の金属コネクタ・ピンに接続する少なくとも１つの第２の金属トラックと
を備える。
According to an embodiment, the heat transfer means is
-At least one first metal track connecting a first connecting means to said or each first metal connector pin;
-At least one second metal track connecting a second connecting means to said or each second metal connector pin.
よって、そのような金属トラックは、支持部材の内部に、
− 組立材の高熱側と冷熱側との間の熱橋を回避し、
− 電気的な接続を提供し、
− 金属コネクタ・ピンと対応する接続手段との間の良好な熱伝導を提供し、
− トラックの良好な機械的動作を維持する
ためのパターンを有する。
Thus, such a metal track is inside the support member,
-Avoid thermal bridges between the hot and cold sides of the assembly;
-Provide electrical connection;
-Provide good heat conduction between the metal connector pins and the corresponding connection means;
-Have a pattern to maintain good mechanical operation of the track;
実施形態によると、センサは、熱電層の組立体を包囲する集積回路パッケージを備え、その集積回路パッケージが支持部材を含む。 According to embodiments, the sensor comprises an integrated circuit package that surrounds the assembly of thermoelectric layers, the integrated circuit package including a support member.
よって、本発明に係るそのようなセンサは、集積回路パッケージに直接統合される。さらに、集積回路パッケージは、高熱源および冷熱源に接続され得る金属性コネクタ・ピンを慣例的に備える。さらに、集積回路パッケージは、熱電層の組立体を包含することを可能にする。 Thus, such a sensor according to the present invention is directly integrated into an integrated circuit package. In addition, integrated circuit packages conventionally include metallic connector pins that can be connected to high and cold sources. Further, the integrated circuit package allows for the inclusion of an assembly of thermoelectric layers.
実施形態では、センサは、集積回路パッケージを包囲する追加パッケージを備え、その追加パッケージが、
− 好ましくは熱伝導材料で被覆され、高熱源および冷熱源にそれぞれ接続されることを意図されている第１の面および反対の第２の面と、
− 好ましくは金属性であり、第１の面を各第１のコネクタ・ピンに接続する第１のビアと、
− 好ましくは金属性であり、第２の面を各第２のコネクタ・ピンに接続する第２のビアと
を備える。
In an embodiment, the sensor comprises an additional package surrounding the integrated circuit package, the additional package comprising:
A first side and an opposite second side, preferably coated with a heat-conducting material and intended to be connected to a high and cold source respectively;
A first via that is preferably metallic and connects the first surface to each first connector pin;
A second via that is preferably metallic and connects the second surface to each second connector pin.
基板に対して直角な流れの温度を測定することができる非統合型の平面センサが、現況技術において公知であり、詳細には、文献ＷＯ２００７０３４０４８、ＦＲ２９５５７０８、ＷＯ８４０２０３７、およびＦＲ２５９８８０３より公知である。よって、本発明に係るそのような追加パッケージは、高熱源および冷熱源が集積回路パッケージのいずれかの側に基板に対して直角な平面で配置されているときに、統合型のセンサチップを維持しながら、温度を測定することを可能にする。追加パッケージの厚さと第１の面および第２の面とが、高熱源および冷熱源を分離する距離に適応される一方、集積回路パッケージの寸法は固定され得る。これらの面は熱伝導性を有するようになされ、ビアが高熱源および冷熱源と集積回路パッケージとの間で熱を伝達する。 Non-integrated planar sensors capable of measuring the temperature of the flow perpendicular to the substrate are known in the state of the art, and in particular from the documents WO2007034048, FR2955708, WO8402037 and FR2598803. Thus, such additional packages according to the present invention maintain an integrated sensor chip when the high and cold sources are arranged in a plane perpendicular to the substrate on either side of the integrated circuit package. While making it possible to measure the temperature. While the thickness of the additional package and the first and second surfaces are adapted to the distance separating the high and cold sources, the dimensions of the integrated circuit package can be fixed. These surfaces are made to be thermally conductive and vias transfer heat between the high and cold sources and the integrated circuit package.
追加パッケージは、集積回路パッケージを支持するように配置された支持部材を備えると有利である。 The additional package advantageously comprises a support member arranged to support the integrated circuit package.
よって、追加パッケージの支持部材は、センサの機械的動作を向上させることを可能にする。 Thus, the support member of the additional package makes it possible to improve the mechanical operation of the sensor.
集積回路パッケージが、少なくとも１つの電気コネクタ・ピンを備え、追加パッケージが、電気コネクタ・ピンから延長する少なくとも１つの電気トラックを備えると有利である。 Advantageously, the integrated circuit package comprises at least one electrical connector pin and the additional package comprises at least one electrical track extending from the electrical connector pin.
よって、そのような電気トラックは、追加パッケージの電気出力を画定することを可能にする。 Thus, such an electrical track makes it possible to define the electrical output of the additional package.
代替の実行によると、センサは、支持部材に配置されて熱電層の組立体を包含する、好ましくは重合体をベースとする材料で作成された包含層を備える。 According to an alternative implementation, the sensor comprises an inclusion layer, preferably made of a polymer-based material, which is disposed on a support member and contains an assembly of thermoelectric layers.
熱電層の組立体が自由面を有し、センサが、自由面に対向し、自由面から離間して延長し、組立体を高熱側および冷熱側でそれぞれ継続する、第１の熱伝導要素および第２の熱伝導要素を備えると有利である。 A first heat-conducting element, wherein the thermoelectric layer assembly has a free surface, and the sensor extends opposite the free surface and extends away from the free surface, and the assembly continues on the hot and cold sides, respectively It is advantageous to provide a second heat conducting element.
よって、そのような熱伝導性要素は、熱電層の組立体の高熱側と冷熱側との間の熱伝達を均質化することを可能にする。 Thus, such a thermally conductive element makes it possible to homogenize the heat transfer between the hot and cold sides of the thermoelectric layer assembly.
センサは、基板と熱電層の組立体との間に挿入された誘電層を備えると有利である。 The sensor advantageously comprises a dielectric layer inserted between the substrate and the thermoelectric layer assembly.
よって、そのような誘電層は、基板を電気的および熱的に絶縁することを可能にする。 Thus, such a dielectric layer allows the substrate to be electrically and thermally insulated.
実施形態によると、基板は、シリコンをベースとする材料で作成される。 According to an embodiment, the substrate is made of a silicon based material.
代替の実行によると、基板は、ガラスや石英などの断熱材料で作成される。 According to an alternative implementation, the substrate is made of an insulating material such as glass or quartz.
上記およびその他の特徴および利点が、本発明に係るセンサの多様な実施形態についての、添付の図面を用いた以下の非限定的な説明で詳細に説明される。 These and other features and advantages are described in detail in the following non-limiting description of various embodiments of the sensor according to the present invention using the accompanying drawings.
説明を簡単にするため、多様な実施形態について、同一の符号が同一の要素または同じ機能を実行する要素に対して使用される。 For ease of explanation, the same reference numbers are used for the same elements or elements performing the same function for the various embodiments.
図２乃至図１２は、高熱源Ｓｃと冷熱源Ｓｆとの間の差温センサ１であって、
− 基板３（図９に示される）と、
− 基板３に配置された熱電層１００、１０１の組立体Ｅであって（組立体Ｅおよび基板３は、図２乃至図７で長方形により概略的に示されている）、熱電対１００、１０１の少なくとも１つの第１の接点を組立体Ｅの高熱側と呼ばれる片側に備え、熱電対１００、１０１の少なくとも１つの第２の接点を組立体Ｅの冷熱側と呼ばれる反対側に備え、熱電層１００、１０１が断熱材料１０２により分離されている組立体Ｅと、
− 各第１の接点および各第２の接点にそれぞれ熱を伝達するように配置された少なくとも１つの第１の接続パッド５０および少なくとも１つの第２の接続パッド５１と
を備える、センサ１を示している。
2 to 12 show the temperature difference sensor 1 between the high heat source Sc and the cold heat source Sf,
A substrate 3 (shown in FIG. 9);
An assembly E of thermoelectric layers 100, 101 arranged on the substrate 3 (the assembly E and the substrate 3 are shown schematically by rectangles in FIGS. 2 to 7) and the thermocouples 100, 101 At least one first contact of the assembly E on one side called the hot side of the assembly E, and at least one second contact of the thermocouples 100, 101 on the opposite side called the cold side of the assembly E, An assembly E in which 100, 101 are separated by a thermal insulation material 102;
The sensor 1 comprises at least one first connection pad 50 and at least one second connection pad 51 arranged to transfer heat to each first contact and each second contact, respectively. ing.
「高熱」および「冷熱」という用語は、相対的な意味で理解されるものであり、すなわち、「高熱」源の温度は、「冷熱」源の温度よりも高い。 The terms “hot” and “cold” are to be understood in a relative sense, that is, the temperature of the “hot” source is higher than the temperature of the “cold” source.
そのようなセンサ１は、チップ、すなわち、好ましくはシリコンをベースとする材料で作成され、基本構成要素を備える基板形状のウェーハを形成する。 Such a sensor 1 is made of a chip, ie preferably a silicon-based material, and forms a substrate-shaped wafer with basic components.
以後、基板３と、熱電層の組立体Ｅと、接続パッド５０、５１とにより形成される構造は、「センサチップ」と呼ばれる。 Hereinafter, the structure formed by the substrate 3, the thermoelectric layer assembly E, and the connection pads 50 and 51 is referred to as a “sensor chip”.
基板３は、平坦であると有利である。基板３は、基板３への熱伝達を制限するために、１００から２００μｍまでの範囲の厚さを有すると有利である。さらに、基板３の厚さにわたり延長する方向は、「第１の方向」と呼ばれる。 The substrate 3 is advantageously flat. Advantageously, the substrate 3 has a thickness in the range from 100 to 200 μm in order to limit the heat transfer to the substrate 3. Further, the direction extending over the thickness of the substrate 3 is referred to as a “first direction”.
熱電層の組立体は、Ｎ個の熱電対１００、１０１、すなわち、第１の熱電材料１００に基づくＮ個の層と、第２の熱電材料１０１に基づくＮ個の層とを備える。第１の熱電材料１００は、第１の導電型に応じて電気的にドープされていると有利である。第２の熱電材料１０１は、第２の導電型に応じてドープされていると有利である。各第１の接点１０と、各第２の接点１１とは、導電性材料で形成される。Ｎ個の熱電対１００、１０１と、断熱材料１０２とは、第１の方向に垂直な方向に沿って並置される。 The assembly of thermoelectric layers comprises N thermocouples 100, 101, ie N layers based on the first thermoelectric material 100 and N layers based on the second thermoelectric material 101. The first thermoelectric material 100 is advantageously electrically doped according to the first conductivity type. The second thermoelectric material 101 is advantageously doped according to the second conductivity type. Each first contact 10 and each second contact 11 are formed of a conductive material. The N thermocouples 100 and 101 and the heat insulating material 102 are juxtaposed along a direction perpendicular to the first direction.
センサ１は、基板を支持するように配置された支持部材２を備える。支持部材２は、高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆに直接または間接に接続されるように意図されている。支持部材２は、断熱材料で作成される。 The sensor 1 includes a support member 2 arranged to support the substrate. The support member 2 is intended to be connected directly or indirectly to the high heat source Sc and the cold heat source Sf. The support member 2 is made of a heat insulating material.
センサ１は、支持部材２を前記または各第１の接続パッド５０および前記または各第２の接続パッド５１にそれぞれ電気的に接続するように配置された第１の金属接続手段および第２の金属接続手段を備える。 The sensor 1 includes a first metal connecting means and a second metal arranged to electrically connect the support member 2 to the or each first connection pad 50 and the or each second connection pad 51, respectively. Connection means are provided.
支持部材２は、高熱源Ｓｃから第１の金属接続手段に熱を伝達し且つ第２の金属接続手段から冷熱源Ｓｆに熱を伝達するように配置された熱伝達手段を備える。 The support member 2 includes heat transfer means arranged to transfer heat from the high heat source Sc to the first metal connection means and to transfer heat from the second metal connection means to the cold heat source Sf.
実施形態では、第１の金属接続手段は、各第１の接続パッド５０にはんだ付けされたはんだバンプ２０を備える。第２の金属接続手段は、各第２の接続パッド５１にはんだ付けされたはんだバンプ２１を備える。はんだバンプ２０、２１は、基板３と支持部材２とを組み立てることをさらに可能にする。この目的のために、センサ１は、接続パッド５０、５１に電気的に接続されないが基板３を支持部材２と組み立てることに貢献して機械的動作を向上させる、追加のはんだバンプ２２（図６に示される）を備え得る。はんだバンプ２０、２１、２２は、Ａｕ、ＳｎＡｇＡｕ、ＳｎＡｇＣｕを備える群より選択される材料に基づくことが好ましい。はんだバンプ２０、２１、２２は、約８０μｍの厚さに対して、約８０μｍの直径を有すると有利である。そのような寸法は、小型化と、センサ１の機能のための十分な熱伝達表面積とを関連付けることを可能にする。もちろん、はんだバンプ２０、２１、２２の直径および厚さは、たとえば数十から数百マイクロメートルまで、変化し得る。 In the embodiment, the first metal connecting means includes the solder bump 20 soldered to each first connection pad 50. The second metal connection means includes solder bumps 21 soldered to the second connection pads 51. The solder bumps 20, 21 further allow the substrate 3 and the support member 2 to be assembled. For this purpose, the sensor 1 has additional solder bumps 22 (FIG. 6) that are not electrically connected to the connection pads 50, 51 but contribute to assembling the substrate 3 with the support member 2 and improve the mechanical operation. As shown in FIG. The solder bumps 20, 21, 22 are preferably based on a material selected from the group comprising Au, SnAgAu, SnAgCu. Advantageously, the solder bumps 20, 21, 22 have a diameter of about 80 μm for a thickness of about 80 μm. Such dimensions make it possible to associate miniaturization with a sufficient heat transfer surface area for the function of the sensor 1. Of course, the diameter and thickness of the solder bumps 20, 21, 22 can vary, for example, from tens to hundreds of micrometers.
図１２に示された例示的実施形態によると、第１の接続手段および第２の接続手段は、前記または各第１の接続パッド５０および前記または各第２の接続パッド５１にそれぞれ溶接されて基板３と支持部材２とを組み立てるボンディング・ワイヤ２０、２１を備える。 According to the exemplary embodiment shown in FIG. 12, the first connection means and the second connection means are welded to the or each first connection pad 50 and the or each second connection pad 51, respectively. Bonding wires 20 and 21 for assembling the substrate 3 and the support member 2 are provided.
実施形態において、熱伝達手段は、
− 高熱源Ｓｃに接続された第１の金属コネクタ・ピン３０と、
− 冷熱源Ｓｆに接続された第２の金属コネクタ・ピン３１と
を備える。
In an embodiment, the heat transfer means is
A first metal connector pin 30 connected to the high heat source Sc;
A second metal connector pin 31 connected to the cold heat source Sf.
高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆは、支持部材２の上に配置されてもよい（図３および図５）。高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆは、支持部材２の下に配置されてもよい（図２および図４）。 The high heat source Sc and the cold heat source Sf may be disposed on the support member 2 (FIGS. 3 and 5). The high heat source Sc and the cold heat source Sf may be disposed under the support member 2 (FIGS. 2 and 4).
実施形態では、熱伝達手段は、
− はんだバンプ２０を第１のコネクタ・ピン３０に接続する第１の金属トラック４０と、
− はんだバンプ２１を第２のコネクタ・ピン３１に接続する第２の金属トラック４１と
をさらに備える。
In an embodiment, the heat transfer means is
A first metal track 40 connecting the solder bumps 20 to the first connector pins 30;
A second metal track 41 connecting the solder bumps 21 to the second connector pins 31;
矢印は、センサ１内での熱伝達の方向を示す。金属トラック４０、４１は、高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆが支持部材２の上に配置されるときは、支持部材２の表面に形成され得る（図３および図５）。金属トラック４０、４１は、高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆが支持部材２の下に配置されるときは、支持部材２を通って形成され得る（図２および図４）。そのような金属トラック４０、４１は、支持部材２の内部に、
− 組立材Ｅの高熱側と冷熱側との間の熱橋を回避し、
− 電気的な接続を提供し、
− コネクタ・ピン３０、３１とはんだバンプ２０、２１との間の良好な熱接続を提供し、
− トラックの良好な機械的動作を維持する
ためのパターンを有する。
The arrows indicate the direction of heat transfer within the sensor 1. The metal tracks 40 and 41 can be formed on the surface of the support member 2 when the high heat source Sc and the cold heat source Sf are disposed on the support member 2 (FIGS. 3 and 5). The metal tracks 40, 41 can be formed through the support member 2 when the high heat source Sc and the cold heat source Sf are disposed below the support member 2 (FIGS. 2 and 4). Such metal tracks 40, 41 are located inside the support member 2,
-Avoiding a thermal bridge between the hot and cold sides of the assembly E,
-Provide electrical connection;
Providing a good thermal connection between the connector pins 30, 31 and the solder bumps 20, 21;
-Have a pattern to maintain good mechanical operation of the track;
これを実現するため、非限定的な例として、そのような金属トラック４０、４１は、支持部材２の約１００ｎｍの厚さに対して、約数十ｎｍの厚さを有し得る。 To achieve this, as a non-limiting example, such metal tracks 40, 41 can have a thickness of about several tens of nanometers with respect to a thickness of about 100 nm of the support member 2.
図２乃至図５に示された実施形態では、支持部材２は、センサチップを伝達するようになされた伝達基板であり得る。図４および図５に示されているように、センサチップは、支持部材２に配置されて組立体Ｅを包含する包含層５により包含され得る。包含層５は、断熱材料をベースとする。包含層５は、重合体をベースとする材料で作成されるのが好ましい。 In the embodiment shown in FIGS. 2 to 5, the support member 2 may be a transmission board adapted to transmit the sensor chip. As shown in FIGS. 4 and 5, the sensor chip may be included by an inclusion layer 5 that is disposed on the support member 2 and includes the assembly E. The inclusion layer 5 is based on a heat insulating material. The inclusion layer 5 is preferably made of a polymer-based material.
特に図６および図７で示される実施形態では、支持部材２は、集積回路パッケージ６に属する。第１のコネクタ・ピン３０および第２のコネクタ・ピン３１は、パッケージ６を具備する。非限定的な例として、パッケージ６は、ＳＭＤ（表面実装型装置）型であり得る。パッケージ６は、断熱材料で作成されるのが好ましい。パッケージ６は、０．１から数ｍｍまでの範囲の厚さを有することが好ましい。パッケージ６は、パッケージ６とセンサチップとの間の熱伝達に悪影響を与えるのを避けるために、慣習的にヒート・シンクとして使用されている中央金属面を有さないことが好ましい。 In particular in the embodiment shown in FIGS. 6 and 7, the support member 2 belongs to the integrated circuit package 6. The first connector pin 30 and the second connector pin 31 include the package 6. As a non-limiting example, the package 6 can be of the SMD (Surface Mount Device) type. The package 6 is preferably made of a heat insulating material. The package 6 preferably has a thickness in the range of 0.1 to several mm. The package 6 preferably does not have a central metal surface conventionally used as a heat sink to avoid adversely affecting heat transfer between the package 6 and the sensor chip.
図１４に示されているように、パッケージ６は、
− 高熱源Ｓｃに接続されるように意図され、第１の金属トラック４０に接続される、第１の金属コネクタ・ピン３０の列と、
− 冷熱源Ｓｆに接続されるように意図され、第２の金属トラック４１に接続される、第２の金属コネクタ・ピン３１の列と
を備える。
As shown in FIG. 14, the package 6 is
A row of first metal connector pins 30 intended to be connected to the high heat source Sc and connected to the first metal track 40;
A row of second metal connector pins 31 intended to be connected to the cold source Sf and connected to the second metal track 41;
コネクタ・ピン３０、３１の列は、バーを形成するように連続していてもよい。 The rows of connector pins 30, 31 may be continuous so as to form a bar.
接続は、直接的、すなわちコネクタ・ピン３０、３１が高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆとそれぞれ直接接触するかたちでもよい。接続は、間接的、すなわちコネクタ・ピン３０、３１が熱経路ＣＴを介してそれらの熱源に接続されるかたちでもよい。 The connection may be direct, that is, where the connector pins 30, 31 are in direct contact with the high heat source Sc and the cold heat source Sf, respectively. The connection may be indirect, i.e. the connector pins 30, 31 are connected to their heat source via the thermal path CT.
第１のコネクタ・ピン３０は、高熱源Ｓｃから第１の金属トラック４０に熱を伝達するように配置された熱伝達手段を形成する。第２のコネクタ・ピン３１は、第２の金属トラック４１から冷熱源Ｓｆに熱を伝達するように配置された熱伝達手段を形成する。 The first connector pins 30 form heat transfer means arranged to transfer heat from the high heat source Sc to the first metal track 40. The second connector pins 31 form a heat transfer means arranged to transfer heat from the second metal track 41 to the cold heat source Sf.
パッケージ６は、熱伝達手段としては使用されない追加の金属コネクタ・ピン３２の列を備える。追加の金属コネクタ・ピン３２は、単純な電気コネクタとして使用される。センサチップは、各第１の接点および各第２の接点に電気的に接続される電気接続パッドを備えていてもよい。コネクタ・ピン３２は、それらの電気接続パッドに電気的に接続されていてもよい。熱伝達手段として使用されるコネクタ・ピン３０、３１および電気コネクタとして使用されるコネクタ・ピン３２に異なるレイアウトを選択することは、当業者の技能の範囲に含まれる。詳細には、想定される用途や、高熱源Ｓｃ、冷熱源Ｓｆ、およびセンサチップの統合のためのコネクタ要素の配置に応じて、異なるレイアウトが選択される。また、少なくとも１つの金属コネクタ・ピンを、電気コネクタおよび熱伝達手段の両方として使用することも可能である。 Package 6 comprises an array of additional metal connector pins 32 that are not used as heat transfer means. The additional metal connector pin 32 is used as a simple electrical connector. The sensor chip may include an electrical connection pad that is electrically connected to each first contact and each second contact. The connector pins 32 may be electrically connected to their electrical connection pads. It is within the skill of the artisan to select different layouts for connector pins 30, 31 used as heat transfer means and connector pins 32 used as electrical connectors. Specifically, different layouts are selected depending on the intended use and the arrangement of connector elements for integration of the high heat source Sc, the cold heat source Sf, and the sensor chip. It is also possible to use at least one metal connector pin as both an electrical connector and a heat transfer means.
パッケージ６に属する基板３および支持部材２は、金属接続手段がはんだバンプ２０、２１、２２を備える場合、当業者により知られているフリップチップ法により組み立てられると有利である。 The substrate 3 and the support member 2 belonging to the package 6 are advantageously assembled by a flip-chip method known by those skilled in the art when the metal connection means comprises solder bumps 20, 21, 22.
パッケージ６に属する基板３および支持部材２は、金属接続手段が溶接ボンディング・ワイヤ２０、２１を備える場合（図１２）、当業者により知られているワイヤ・ボンディング法により組み立てられると有利である。 The substrate 3 and the support member 2 belonging to the package 6 are advantageously assembled by wire bonding methods known by those skilled in the art when the metal connection means comprises welded bonding wires 20, 21 (FIG. 12).
図１２に示されているように、パッケージ６は、ＩＭＳ（絶縁金属基板）型等の電子基板７０に接続され得る。高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆは、電子基板７０の背後に配置され、溶接ボンディング・ワイヤ２０、２１に熱的に接続される。 As shown in FIG. 12, the package 6 can be connected to an electronic substrate 70 such as an IMS (insulated metal substrate) type. The high heat source Sc and the cold heat source Sf are disposed behind the electronic substrate 70 and thermally connected to the welding bonding wires 20 and 21.
図１５および図１６に示されている実施形態において、センサ１は、集積回路パッケージ６を包囲する追加パッケージ８を備え、この追加パッケージ８は、
− 好ましくは熱伝導材料で被覆され、高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆにそれぞれ接続されることを意図されている第１の面８ａおよび反対の第２の面８ｂと、
− 好ましくは金属性であり、第１の面８ａを各第１のコネクタ・ピン３０に接続する第１のビア８０と、
− 好ましくは金属性であり、第２の面８ｂを各第２のコネクタ・ピン３１に接続する第２のビア８１と
を備える。
In the embodiment shown in FIGS. 15 and 16, the sensor 1 comprises an additional package 8 surrounding the integrated circuit package 6, which
A first surface 8a and an opposite second surface 8b, preferably coated with a heat conducting material and intended to be connected to the high heat source Sc and the cold heat source Sf, respectively;
A first via 80, preferably metallic, connecting the first face 8a to each first connector pin 30;
A second via 81 which is preferably metallic and connects the second face 8b to each second connector pin 31;
追加パッケージ８は、断熱材料で作成されるのが好ましい。面８ａ、８ｂは、好ましくは熱伝導材料をベースとする被覆により、熱伝導性を有するようになされる。被覆の熱伝導材料は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ等の金属、銀をベースとする合金、または陽極酸化Ａｌ、ＳｉＣ、ＡｌＮを備える群より選択される材料であり得る。被覆の熱伝導材料は、化学蒸着（ＣＶＤ）や物理蒸着（ＰＶＤ）などの多様な手法に応じて、追加パッケージ８に沈着されてもよい。被覆の熱伝導材料は、追加パッケージ８に直接溶接またははんだ付けされてもよい。 The additional package 8 is preferably made of a heat insulating material. The surfaces 8a, 8b are adapted to be thermally conductive, preferably by a coating based on a thermally conductive material. The thermally conductive material of the coating can be a material selected from the group comprising metals such as Cu, Au, Ag, silver based alloys, or anodized Al, SiC, AlN. The thermally conductive material of the coating may be deposited on the additional package 8 according to various techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD). The thermal conductive material of the coating may be welded or soldered directly to the additional package 8.
ビア８０、８１は、多様な形状を有し得る。ビア８０、８１は、ワンピースであっても、複数のウェルで形成されていてもよい。ビア８０、８１は、コネクタ・ピン３０、３１に直接接続されていても、金属トラックを介して間接的に接続されていてもよい。 The vias 80 and 81 can have various shapes. The vias 80 and 81 may be one-piece or formed by a plurality of wells. The vias 80 and 81 may be directly connected to the connector pins 30 and 31 or indirectly via metal tracks.
追加パッケージ８は、集積回路パッケージ６を支持するように配置された支持部材９を追加パッケージ８内に備えていると有利である。集積回路パッケージ６は、追加パッケージ８の支持部材９に、接着、はんだ付け、または溶接により固定されていると有利である。追加パッケージ８の支持部材９は、第２のビア８１を受け入れるために支持部材９に形成されたポートを備える。追加パッケージ８は、第１のビア８０と第２のビア８１との間で追加パッケージ８の支持部材９を介して熱橋が形成されるのを回避するために、断熱材料で作成されていると有利である。よって、高熱源Ｓｃと冷熱源Ｓｆとの間の温度勾配は、各第１のコネクタ・ピン３０と各第２のコネクタ・ピン３１との間で伝えられ得り、したがって熱電層の組立体Ｅの高熱側と冷熱側との間で伝えられ得る。追加パッケージ８により画定される包囲は、熱伝達をビア８０、８１に集中させるために、真空下で設けられると有利であり得る。 The additional package 8 advantageously comprises a support member 9 arranged in the additional package 8 so as to support the integrated circuit package 6. The integrated circuit package 6 is advantageously fixed to the support member 9 of the additional package 8 by bonding, soldering or welding. The support member 9 of the additional package 8 includes a port formed in the support member 9 for receiving the second via 81. The additional package 8 is made of a heat insulating material in order to avoid the formation of a thermal bridge between the first via 80 and the second via 81 via the support member 9 of the additional package 8. And is advantageous. Thus, the temperature gradient between the high heat source Sc and the cold heat source Sf can be transmitted between each first connector pin 30 and each second connector pin 31, and thus the thermoelectric layer assembly E. Between the hot and cold sides. The enclosure defined by the additional package 8 may advantageously be provided under vacuum in order to concentrate the heat transfer to the vias 80, 81.
第１のビア８０は冷熱源Ｓｆに近接し得るため、第１のビア８０と、追加パッケージ８の支持部材９とを、適切に幾何学的に構成することが必要である。これを実現するため、以下の式
− ｅｓｕｐｐは、追加パッケージ８の支持部材９の厚さであり、
− ｅｖｉａは、第１のビア８０の厚さであり、
− λｓｕｐｐは、追加パッケージ８の支持部材９の熱伝導率であり、
− λｖｉａは、第１のビア８０の熱伝導率であり、
− Ｓｓｕｐｐは、追加パッケージ８の支持部材９の側部熱伝導表面積であり、
− Ｓｖｉａは、第１のビア８０の側部熱伝導表面積である。
Since the first via 80 can be close to the cold source Sf, it is necessary to appropriately geometrically configure the first via 80 and the support member 9 of the additional package 8. To achieve this, the following equation
E sup is the thickness of the support member 9 of the additional package 8,
E via is the thickness of the first via 80;
-Lambda sup is the thermal conductivity of the support member 9 of the additional package 8,
-Λ via is the thermal conductivity of the first via 80;
S sup is the side heat transfer surface area of the support member 9 of the additional package 8;
S via is the side heat transfer surface area of the first via 80.
「側部」とは、第１の方向、すなわち基板３の厚さにわたり延長する方向、に対して平行な方向を意味する。 “Side” means a direction parallel to the first direction, ie, the direction extending across the thickness of the substrate 3.
非限定的な例として、以下の表は、第１のビア８０と追加パッケージ８の支持部材９とを適切に幾何学的に構成することを可能にするパラメータをまとめたものである。 As a non-limiting example, the following table summarizes the parameters that allow the first via 80 and the support member 9 of the additional package 8 to be appropriately geometrically configured.
集積回路パッケージ６は、熱伝達手段として使用されない少なくとも１つの電気コネクタ・ピン３２を備えると有利である。追加パッケージ８は、電気コネクタ・ピン３２から延長する少なくとも１つの電気トラック９０を備えると有利である。詳細には想定される用途と高熱源Ｓｃおよび冷熱源Ｓｆの配置とに応じて、電気コネクタ・ピン３２に異なるレイアウトを選択することは、当業者の技能の範囲に含まれる。よって、電気コネクタ・ピン３２のレイアウトに応じて電気トラック９０に異なるレイアウトを選択して、追加パッケージ８の電気出力の異なる位置を画定することは、当業者の技能の範囲に含まれる。前記または各電気トラック９０は、追加パッケージ８の支持部材９に形成されると有利である。 Advantageously, the integrated circuit package 6 comprises at least one electrical connector pin 32 that is not used as a heat transfer means. The additional package 8 is advantageously provided with at least one electrical track 90 extending from the electrical connector pins 32. It is within the skill of the artisan to select different layouts for the electrical connector pins 32, depending on the particular application envisaged and the placement of the high and low heat sources Sc and Sf. Thus, selecting different layouts for the electrical track 90 depending on the layout of the electrical connector pins 32 to define different locations for the electrical output of the additional package 8 is within the skill of the artisan. The or each electrical track 90 is advantageously formed on the support member 9 of the additional package 8.
図８および図９に示される実施形態では、熱電層の組立体Ｅが自由面ＳＬを有し、差温センサが、自由面ＳＬに対向し、自由面ＳＬから離間して延長し、組立体Ｅを高熱側および冷熱側でそれぞれ継続する、第１の熱伝導要素７ａおよび第２の熱伝導要素７ｂを備える。言い換えると、第１の熱伝導要素７ａおよび第２の熱伝導要素７ｂは、自由面ＳＬの側域の上に、直接接触せずに位置する。第１の熱伝導要素７ａおよび第２の熱伝導要素７ｂは、文献ＷＯ２０１１０１２５８６で記載されているように、任意の熱伝導材料で作成され得る。第１の熱伝導要素７ａおよび第２の熱伝導要素７ｂは、金属性であると有利である。第１の熱伝導要素７ａおよび第２の熱伝導要素７ｂは、金属帯板の形式で作成されると有利である。 In the embodiment shown in FIGS. 8 and 9, the thermoelectric layer assembly E has a free surface S L , and the differential temperature sensor faces the free surface S L and extends away from the free surface S L. The first and second heat conducting elements 7a and 7b continue the assembly E on the hot and cold sides, respectively. In other words, the first heat-conducting element 7a and second heat conducting element 7b has, on the side area of the free surface S L, located not in direct contact. The first heat conducting element 7a and the second heat conducting element 7b can be made of any heat conducting material as described in document WO201101586. Advantageously, the first heat conducting element 7a and the second heat conducting element 7b are metallic. The first heat conducting element 7a and the second heat conducting element 7b are advantageously made in the form of a metal strip.
実施形態では、センサ１は、基板３と熱電層の組立体Ｅとの間に挿入された誘電層を備える。基板３がシリコンをベースとする材料で作成されている場合、誘電層は、ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４であると有利である。誘電層は、数ｎｍから数百μｍまでの範囲の厚さを有する。 In an embodiment, the sensor 1 comprises a dielectric layer inserted between the substrate 3 and the thermoelectric layer assembly E. If the substrate 3 is made of a silicon-based material, the dielectric layer is advantageously SiO 2 or Si 3 N 4 . The dielectric layer has a thickness ranging from a few nm to a few hundred μm.
１ 差温センサ
２ 支持部材
３ 基板
６ 集積回路パッケージ
７ａ 第１の熱伝導要素
７ｂ 第２の熱伝導要素
８ 追加パッケージ
８ａ 第１の面
８ｂ 第２の面
９ 支持部材
１０ 第１の接点
１１ 第２の接点
２０、２１ はんだバンプ、ボンディング・ワイヤ
２２ 追加のはんだバンプ
３０ 第１の金属コネクタ・ピン
３１ 第２の金属コネクタ・ピン
３２ 電気コネクタ・ピン、追加の金属コネクタ・ピン
４０ 第１の金属トラック
４１ 第２の金属トラック
５０ 第１の接続パッド
５１ 第２の接続パッド
８０ 第１のビア
８１ 第２のビア
９０ 電気トラック
１００ 第１の熱電材料、熱電対、熱電層
１０１ 第２の熱電材料、熱電対、熱電層
１０２ 断熱材料
Ｅ 熱電層の組立体
Ｓｃ 高熱源
Ｓｆ 冷熱源
ＳＬ 自由面
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Differential temperature sensor 2 Support member 3 Board | substrate 6 Integrated circuit package 7a 1st heat conductive element 7b 2nd heat conductive element 8 Additional package 8a 1st surface 8b 2nd surface 9 Support member 10 1st contact 11 11th 2 contacts 20, 21 Solder bump, bonding wire 22 Additional solder bump 30 First metal connector pin 31 Second metal connector pin 32 Electrical connector pin, additional metal connector pin 40 First metal Track 41 Second metal track 50 First connection pad 51 Second connection pad 80 First via 81 Second via 90 Electric track 100 First thermoelectric material, thermocouple, thermoelectric layer 101 Second thermoelectric material , thermocouples, assembly of thermoelectric layer 102 insulating material E thermoelectric layer Sc high heat Sf cold source S L free surface
Claims (12)
前記基板（３）上に配置された熱電層の組立体（Ｅ）であって、熱電対（１００、１０１）の少なくとも１つの第１の接点を前記組立体（Ｅ）の高熱側と呼ばれる片側に備え、前記熱電対（１００、１０１）の少なくとも１つの第２の接点を前記組立体（Ｅ）の冷熱側と呼ばれる反対側に備える組立体（Ｅ）と、
各第１の接点および各第２の接点にそれぞれ熱を伝達するように配置された少なくとも１つの第１の接続パッド（５０）および少なくとも１つの第２の接続パッド（５１）と
を備える、高熱源（Ｓｃ）と冷熱源（Ｓｆ）との間の差温センサ（１）であって、
前記基板（３）を支持するように配置され、前記高熱源（Ｓｃ）および前記冷熱源（Ｓｆ）に接続されることを意図されている断熱性の支持部材（２）と、
前記支持部材（２）を前記または各第１の接続パッド（５０）および前記または各第２の接続パッド（５１）にそれぞれ電気的に接続するように配置された第１の金属接続手段および第２の金属接続手段と
を備え、前記支持部材（２）が、前記高熱源（Ｓｃ）から前記第１の金属接続手段に熱を伝達し且つ前記第２の金属接続手段から前記冷熱源（Ｓｆ）に熱を伝達するように配置された熱伝達手段を備えることを特徴とする、センサ（１）。 A substrate (3);
A thermoelectric layer assembly (E) disposed on the substrate (3), wherein at least one first contact of the thermocouple (100, 101) is referred to as a hot side of the assembly (E). An assembly (E) comprising at least one second contact of the thermocouple (100, 101) on the opposite side, referred to as the cold side of the assembly (E);
At least one first connection pad (50) and at least one second connection pad (51) arranged to transfer heat to each first contact and each second contact, respectively, A temperature difference sensor (1) between a heat source (Sc) and a cold source (Sf),
An insulating support member (2) arranged to support the substrate (3) and intended to be connected to the high heat source (Sc) and the cold heat source (Sf);
A first metal connection means and a first metal connection means arranged to electrically connect the support member (2) to the or each first connection pad (50) and each or each second connection pad (51); Two metal connection means, and the support member (2) transfers heat from the high heat source (Sc) to the first metal connection means and from the second metal connection means to the cold heat source (Sf). Sensor (1), characterized in that it comprises heat transfer means arranged to transfer heat.
前記第１の接続手段を前記または各第１の金属コネクタ・ピン（３０）に接続する少なくとも１つの第１の金属トラック（４０）と、
前記第２の接続手段を前記または各第２の金属コネクタ・ピン（３１）に接続する少なくとも１つの第２の金属トラック（４１）と
を備えることを特徴とする、請求項４に記載のセンサ（１）。 The heat transfer means,
At least one first metal track (40) connecting the first connecting means to the or each first metal connector pin (30);
Sensor according to claim 4, characterized in that it comprises: at least one second metal track (41) connecting the second connection means to the or each second metal connector pin (31). (1).
好ましくは熱伝導材料で被覆され、前記高熱源（Ｓｃ）および前記冷熱源（Ｓｆ）にそれぞれ接続されることを意図されている第１の面（８ａ）および反対の第２の面（８ｂ）と、
好ましくは金属性であり、前記第１の面（８ａ）を各第１のコネクタ・ピン（３０）に接続する第１のビア（８０）と、
好ましくは金属性であり、前記第２の面（８ｂ）を各第２のコネクタ・ピン（３１）に接続する第２のビア（８１）と
を備えることを特徴とする、請求項４と組み合わせた請求項６に記載のセンサ（１）。 An additional package (8) surrounding the integrated circuit package (6), the additional package (8) comprising:
A first surface (8a) and an opposite second surface (8b), preferably coated with a heat conducting material and intended to be connected to the high heat source (Sc) and the cold heat source (Sf), respectively. When,
A first via (80), preferably metallic, connecting the first surface (8a) to each first connector pin (30);
Combination with claim 4, characterized in that it is preferably metallic and comprises a second via (81) connecting the second surface (8b) to each second connector pin (31). Sensor (1) according to claim 6.
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