JP2016108659A - Liquid composition and etching method using the same - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 174
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 168
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 60
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 159
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 156
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 154
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 116
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 112
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 73
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 58
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 57
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 49
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 49
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 49
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 claims abstract description 33
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims abstract description 27
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- JUNAPQMUUHSYOV-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-tetrazol-5-yl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC=1N=NNN=1 JUNAPQMUUHSYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- GRWAIJBHBCCLGS-UHFFFAOYSA-N 2-(tetrazol-1-yl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CN1C=NN=N1 GRWAIJBHBCCLGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-triazol-4-amine Chemical compound NN1C=NN=C1 FMCUPJKTGNBGEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 78
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 77
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 76
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 26
- LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylurea Chemical compound NC(=O)NC1=CC=CC=C1 LUBJCRLGQSPQNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- -1 phosphate ester Chemical class 0.000 claims description 19
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 18
- HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenesulfonic acid Chemical group NC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 HVBSAKJJOYLTQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC=C(C(O)=O)C=C1 ALYNCZNDIQEVRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 4-aminophenol Chemical compound NC1=CC=C(O)C=C1 PLIKAWJENQZMHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical group NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N N-methylaniline Chemical group CNC1=CC=CC=C1 AFBPFSWMIHJQDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- FZERHIULMFGESH-UHFFFAOYSA-N N-phenylacetamide Chemical compound CC(=O)NC1=CC=CC=C1 FZERHIULMFGESH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- CPJSUEIXXCENMM-UHFFFAOYSA-N phenacetin Chemical compound CCOC1=CC=C(NC(C)=O)C=C1 CPJSUEIXXCENMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 claims description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 14
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 claims description 13
- IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N sulfamic acid Chemical compound NS(O)(=O)=O IIACRCGMVDHOTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 12
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 11
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 claims description 11
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 claims description 11
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 claims description 11
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 11
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 11
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 claims description 11
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 claims description 11
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 11
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 claims description 11
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 claims description 11
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N (aminomethyl)phosphonic acid Chemical compound NCP(O)(O)=O MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N (2E)-2-Tetradecenal Chemical compound CCCCCCCCCCC\C=C\C=O WHOZNOZYMBRCBL-OUKQBFOZSA-N 0.000 claims description 9
- YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N [Nitrilotris(methylene)]trisphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O YDONNITUKPKTIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 claims description 9
- 229940044654 phenolsulfonic acid Drugs 0.000 claims description 9
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 9
- PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 1-Phenyl-1,2-ethanediol Chemical compound OCC(O)C1=CC=CC=C1 PWMWNFMRSKOCEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ADVGKWPZRIDURE-UHFFFAOYSA-N 2'-Hydroxyacetanilide Chemical compound CC(=O)NC1=CC=CC=C1O ADVGKWPZRIDURE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Chemical group 0.000 claims description 8
- 229960001413 acetanilide Drugs 0.000 claims description 8
- 229960004050 aminobenzoic acid Drugs 0.000 claims description 8
- UCQFCFPECQILOL-UHFFFAOYSA-N diethyl hydrogen phosphate Chemical compound CCOP(O)(=O)OCC UCQFCFPECQILOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- ZJXZSIYSNXKHEA-UHFFFAOYSA-L ethyl phosphate(2-) Chemical compound CCOP([O-])([O-])=O ZJXZSIYSNXKHEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- PCIBVZXUNDZWRL-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monophosphate Chemical compound OCCOP(O)(O)=O PCIBVZXUNDZWRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N hexylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCP(O)(O)=O GJWAEWLHSDGBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N octylphosphonic acid Chemical compound CCCCCCCCP(O)(O)=O NJGCRMAPOWGWMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 claims description 8
- 229960003893 phenacetin Drugs 0.000 claims description 8
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical group C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229950000244 sulfanilic acid Drugs 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 5
- UENRXLSRMCSUSN-UHFFFAOYSA-N 3,5-diaminobenzoic acid Chemical compound NC1=CC(N)=CC(C(O)=O)=C1 UENRXLSRMCSUSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KKTUQAYCCLMNOA-UHFFFAOYSA-N 2,3-diaminobenzoic acid Chemical group NC1=CC=CC(C(O)=O)=C1N KKTUQAYCCLMNOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003007 phosphonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011573 trace mineral Substances 0.000 description 2
- 235000013619 trace mineral Nutrition 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N Etidronic acid Chemical compound OP(=O)(O)C(O)(C)P(O)(O)=O DBVJJBKOTRCVKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N n',n'-diethylpropane-1,3-diamine Chemical compound CCN(CC)CCCN QOHMWDJIBGVPIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
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- C23F1/16—Acidic compositions
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
Abstract
Description
本発明は、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物（ＩＧＺＯ）上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物のエッチングに用いられ、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする液体組成物と、これを用いたエッチング方法、ならびにこの方法により製造された基板に関する。 The present invention is used for etching copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide (IGZO) composed of indium, gallium, zinc, and oxygen, and suppresses damage to IGZO to suppress copper or copper. The present invention relates to a liquid composition for etching a metal compound as a main component, an etching method using the same, and a substrate manufactured by this method.
近年、電子機器の小型化、軽量化および低消費電力化が進む中で、特に液晶ディスプレイやエレクトロルミネッセンスディスプレイ等表示デバイスの分野においては、半導体層の材料として、各種の酸化物半導体材料の開発が行われている。 In recent years, as electronic devices have been reduced in size, weight, and power consumption, various oxide semiconductor materials have been developed as materials for semiconductor layers, particularly in the field of display devices such as liquid crystal displays and electroluminescent displays. Has been done.
酸化物半導体材料は、主にインジウム、ガリウム、亜鉛および錫等から構成され、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウム・ガリウム酸化物（ＩＧＯ）、インジウム・錫・亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）、インジウム・ガリウム・亜鉛・錫酸化物（ＩＧＺＴＯ）、ガリウム・亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、亜鉛・錫酸化物（ＺＴＯ）等、種々の組成が検討されている。この中でも特にＩＧＺＯについての検討が盛んに行われている。 Oxide semiconductor materials are mainly composed of indium, gallium, zinc, tin, etc., and include indium / gallium / zinc oxide (IGZO), indium / gallium oxide (IGO), indium / tin / zinc oxide (ITZO). Various compositions such as indium / gallium / zinc / tin oxide (IGZTO), gallium / zinc oxide (GZO) and zinc / tin oxide (ZTO) have been studied. In particular, IGZO is actively studied.
前記ＩＧＺＯを例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の電子素子として用いる場合、ＩＧＺＯは、スパッタ法などの成膜プロセスを用いてガラス等の基板上に形成される。次いで、レジスト等をマスクにしてエッチングすることで電極パタ−ンが形成される。さらにその上に、銅（Ｃｕ）やモリブデン（Ｍｏ）等がスパッタ法などの成膜プロセスを用いて形成され、次いで、レジスト等をマスクにしてエッチングすることでソース・ドレイン配線が形成される。このエッチングする方法には湿式（ウェット）法と乾式（ドライ）法があるが、ウェット法ではエッチング液が使用される。 When the IGZO is used as an electronic element such as a thin film transistor (TFT), the IGZO is formed on a substrate such as glass by using a film forming process such as a sputtering method. Next, an electrode pattern is formed by etching using a resist or the like as a mask. Furthermore, copper (Cu), molybdenum (Mo), or the like is formed thereon using a film forming process such as sputtering, and then source / drain wiring is formed by etching using a resist or the like as a mask. There are wet (wet) methods and dry (dry) methods for this etching method. In the wet method, an etching solution is used.
ＩＧＺＯは酸やアルカリによって容易にエッチングされることが一般に知られており、これらのエッチング液を用いてソース・ドレイン配線を形成する際に下地であるＩＧＺＯが腐食しやすい傾向がある。このＩＧＺＯの腐食により、ＴＦＴの電気特性が劣化する場合がある。したがって、通常はＩＧＺＯ上に保護層を形成した後、ソース・ドレイン配線を形成するエッチストッパ型構造（図１参照）が採用されているが、製造が煩雑となり、その結果としてコストの増大につながっている。そこで、保護層を必要としないバックチャネルエッチ型構造（図２参照）を採用するため、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて、各種配線材料をエッチング可能なエッチング液が望まれている。 It is generally known that IGZO is easily etched by acid or alkali, and when forming source / drain wirings using these etching solutions, the underlying IGZO tends to corrode. The electrical characteristics of the TFT may deteriorate due to the corrosion of the IGZO. Therefore, an etch stopper type structure (see FIG. 1) in which a source / drain wiring is formed after forming a protective layer on IGZO is usually adopted, but the manufacturing becomes complicated, resulting in an increase in cost. ing. Therefore, since a back channel etch type structure that does not require a protective layer (see FIG. 2) is employed, an etchant that can etch various wiring materials while suppressing damage to IGZO is desired.
特許文献１（国際公開第２０１１／０２１８６０号）では、（Ａ）過酸化水素を５．０〜２５．０重量％、（Ｂ）フッ素化合物を０．０１〜１．０重量％、（Ｃ）アゾール化合物を０．１〜５．０重量％、（Ｄ）ホスホン酸誘導体またはその塩からなる群から選ばれた１種以上の化合物を０．１〜１０．０重量％、（Ｅ）水、からなるエッチング液を用いて、銅を主成分とする金属膜をエッチングする方法が開示されている。
しかしながら、特許文献１に開示されたエッチング液は、過酸化水素、フッ素化合物、アゾール化合物およびホスホン酸誘導体またはその塩からなるが、ホスホン酸誘導体またはその塩は過酸化水素の安定化のために添加しており、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物（ＩＧＺＯ）へのダメージについては言及していない。過酸化水素、フッ素化合物、アゾール化合物および１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸を配合した液体組成物についてはＩＧＺＯへのダメージが確認され（比較例１３を参照）、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて金属化合物をエッチングする液体組成物としては不十分である。
In Patent Document 1 (International Publication No. 2011/021860), (A) hydrogen peroxide is 5.0 to 25.0 wt%, (B) a fluorine compound is 0.01 to 1.0 wt%, (C) 0.1 to 5.0% by weight of an azole compound, 0.1 to 10.0% by weight of one or more compounds selected from the group consisting of (D) a phosphonic acid derivative or a salt thereof, (E) water, A method of etching a metal film containing copper as a main component using an etching solution comprising:
However, the etching solution disclosed in Patent Document 1 is composed of hydrogen peroxide, a fluorine compound, an azole compound, and a phosphonic acid derivative or a salt thereof. The phosphonic acid derivative or a salt thereof is added to stabilize hydrogen peroxide. However, there is no mention of damage to an oxide (IGZO) made of indium, gallium, zinc and oxygen. About the liquid composition which mix | blended hydrogen peroxide, a fluorine compound, an azole compound, and 1-hydroxy ethylidene -1,1- diphosphonic acid, the damage to IGZO was confirmed (refer comparative example 13), and the damage to IGZO was suppressed. Therefore, it is insufficient as a liquid composition for etching a metal compound.
特許文献２（国際公開第２００９／０６６７５０号）では、アルカリを含有する水溶液からなるアルカリ性のエッチング液組成物を用いることにより、アモルファス酸化物膜と、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ合金、銅（Ｃｕ）、Ｃｕ合金、銀（Ａｇ）およびＡｇ合金からなる群から選ばれた少なくとも１つからなる金属膜とを含む積層膜のエッチングにおいて、該金属膜を選択的にエッチングできるとしている。
しかしながら、特許文献２に開示されたエッチング液組成物は、アルカリを含有する水溶液からなるアルカリ性のエッチング液組成物としているが、過酸化水素、およびアンモニアを配合した液体組成物についてはＩＧＺＯへのダメージが確認され（比較例１４を参照）、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて金属化合物をエッチングする液体組成物としては不十分である。
特許文献３（国際公開第２０１３／０１５３２２号）では、過酸化水素、硫酸または硝酸などの無機酸、コハク酸などの有機酸、エタノールアミンなどのアミン化合物、および、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールなどのアゾール類を含むエッチング液を用いることにより、半導体層へのダメージを低減させて銅／モリブデン系多層薄膜を選択的にエッチングできることが記載されている。
しかしながら、低ｐＨ領域ではＩＧＺＯなどの半導体層にダメージを与えてしまうため、特許文献３に開示されたエッチング液は、ｐＨ２．５〜５の範囲に調整して使用することを要している。
In Patent Document 2 (International Publication No. 2009/066750), an amorphous oxide film, aluminum (Al), Al alloy, copper (Cu) is used by using an alkaline etching solution composition made of an aqueous solution containing an alkali. In the etching of the laminated film including at least one metal film selected from the group consisting of Cu alloy, silver (Ag) and Ag alloy, the metal film can be selectively etched.
However, although the etching solution composition disclosed in Patent Document 2 is an alkaline etching solution composition made of an aqueous solution containing an alkali, the liquid composition containing hydrogen peroxide and ammonia is damaged to IGZO. (See Comparative Example 14) is insufficient as a liquid composition for etching metal compounds while suppressing damage to IGZO.
In Patent Document 3 (International Publication No. 2013/015322), an inorganic acid such as hydrogen peroxide, sulfuric acid or nitric acid, an organic acid such as succinic acid, an amine compound such as ethanolamine, and 5-amino-1H-tetrazole It is described that the copper / molybdenum multilayer thin film can be selectively etched by reducing the damage to the semiconductor layer by using an etching solution containing the azole.
However, since the semiconductor layer such as IGZO is damaged in the low pH region, the etching solution disclosed in Patent Document 3 needs to be adjusted to a pH of 2.5 to 5 and used.
本発明の課題は、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて、ＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする液体組成物と、これを用いてＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させることを特徴とするエッチング方法、ならびに該エッチング方法を適用して製造される基板を提供することである。 An object of the present invention is to provide a liquid composition that etches copper or a metal compound mainly composed of copper formed on IGZO while suppressing damage to IGZO, and copper formed on IGZO using the liquid composition. An object is to provide an etching method characterized by contacting with a metal compound containing copper as a main component, and a substrate manufactured by applying the etching method.
本発明者らは上記課題を解決するため検討を行った結果、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下であることを特徴とする液体組成物において、上記課題を解決できることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。すなわち、本発明は下記のとおりである。
As a result of studies conducted by the present inventors to solve the above-mentioned problems, (A) hydrogen peroxide, (B) an acid containing no fluorine atom, (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazole-1 -Containing at least one compound selected from the group consisting of acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole, and (D) water, and having a pH value of 5 or less It has been found that the above-mentioned problems can be solved in a liquid composition characterized by the above.
The present invention has been completed based on such findings. That is, the present invention is as follows.
［１］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする液体組成物であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下であることを特徴とする液体組成物。
［２］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングすることを特徴とする第１項に記載の液体組成物。
［３］（Ｂ）フッ素を含有しない酸が硝酸、硫酸、リン酸、塩酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物である第１項に記載の液体組成物。
［４］（Ｃ）ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、ｎ−ヘキシルホスホン酸、１−オクチルホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシエチリデン−１，１−ビスホスホン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）からなる群より選ばれる１種以上の化合物である第１項に記載の液体組成物。
［５］（Ｃ）リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる１種以上の化合物である第１項に記載の液体組成物。
［６］さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノフェノール、３，５−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、８−ヒドロキシキノリン、ｏ−アセトトルイド、ｍ−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる１種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む第１項に記載の液体組成物。
［７］第１項〜第６項のいずれかに記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［８］第１項〜第６項のいずれかに記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［９］第７項に記載のエッチング方法を適用して、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングすることにより製造される基板。
［１０］第８項に記載のエッチング方法を適用して、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングすることにより製造される基板。
本発明の好ましい態様は下記のとおりである。
［１］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングするための液体組成物であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下であることを特徴とする液体組成物。
［２］（Ｂ）フッ素を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１］に記載の液体組成物。
［３］（Ｂ）フッ素を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、（Ｂ２）メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物との組み合わせである、［１］に記載の液体組成物。
［４］前記液体組成物中の（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物の含有量が、０．００１質量％〜０．１質量％の範囲内である、［１］から［３］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［５］前記液体組成物中の（Ａ）過酸化水素の含有量が、２質量％〜１０質量％の範囲内である、［１］から［４］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［６］前記液体組成物中の（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）の含有量が、１質量％〜１０質量％の範囲内である、［１］から［５］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［７］（Ｃ）ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、ｎ−ヘキシルホスホン酸、１−オクチルホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシエチリデン−１，１−ビスホスホン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１］から［６］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［８］（Ｃ）リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１］から［７］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［９］さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノフェノール、３，５−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、８−ヒドロキシキノリン、ｏ−アセトトルイド、ｍ−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる１種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む、［１］から［８］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１０］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングするためのものである、［１］から［９］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１１］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下である液体組成物を、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［１２］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法である、［１１］に記載の方法。
［１３］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングする方法であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下である液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［１４］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングする方法である、［１３］に記載の方法。
［１５］（Ｂ）フッ素を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１１］から［１４］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１６］（Ｂ）フッ素を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、（Ｂ２）メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物との組み合わせである、［１１］から［１４］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１７］前記液体組成物中の（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物の含有量が、０．００１質量％〜０．１質量％の範囲内である、［１１］から［１６］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１８］前記液体組成物中の（Ａ）過酸化水素の含有量が、２質量％〜１０質量％の範囲内である、［１１］から［１７］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１９］前記液体組成物中の（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）の含有量が、１質量％〜１０質量％の範囲内である、［１１］から［１８］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［２０］（Ｃ）ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、ｎ−ヘキシルホスホン酸、１−オクチルホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシエチリデン−１，１−ビスホスホン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１１］から［１９］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［２１］（Ｃ）リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１１］から［２０］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［２２］さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノフェノール、３，５−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、８−ヒドロキシキノリン、ｏ−アセトトルイド、ｍ−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる１種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む、［１１］から［２１］のいずれか一項に記載の液体組成物。
[1] A liquid composition for etching copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, comprising (A) hydrogen peroxide, (B) fluorine Acids not containing atoms (excluding component C), (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole A liquid composition comprising one or more compounds selected from the group consisting of: (D) water and having a pH value of 5 or less.
[2] Etching a copper or copper-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, and molybdenum or a metal compound mainly containing molybdenum The liquid composition according to item 1.
[3] (B) Acids not containing fluorine are nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycolic acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid. Item 2. The liquid composition according to item 1, which is one or more compounds selected from the group consisting of acids.
[4] (C) Phosphonic acids are aminomethylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, 1-octylphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), hydroxyethylidene-1,1-bisphosphonic acid, N, N, N ′, N '-Ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid), and pentaethylenehexamineocta ( 2. The liquid composition according to item 1, which is one or more compounds selected from the group consisting of methylenephosphonic acid.
[5] The liquid composition according to item 1, wherein (C) the phosphate ester is one or more compounds selected from the group consisting of monoethyl phosphate, diethyl phosphate and ethylene glycol phosphate.
[6] Further, as a hydrogen peroxide stabilizer, phenylurea, phenyl glycol, phenylethylene glycol, phenolsulfonic acid, acetanilide, phenacetin, acetamidophenol, hydroxybenzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-aminophenol, 3,5- Hydrogen peroxide stability having one or more phenyl groups selected from the group consisting of diaminobenzoic acid, sulfanilic acid, aniline, N-methylaniline, 8-hydroxyquinoline, o-acetotolide, m-acetotolide, diphenylamine, phenol and anisole The liquid composition according to item 1, comprising an agent.
[7] The liquid composition according to any one of items 1 to 6 is contacted with copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc, and oxygen, A method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component.
[8] Copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc, and oxygen, molybdenum or the liquid composition according to any one of items 1 to 6 A method of etching a metal compound containing copper or copper as a main component and a metal compound containing molybdenum or molybdenum as a main component by bringing the metal compound into contact with a metal compound containing molybdenum as a main component.
[9] Applying the etching method described in item 7 to etch copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen substrate.
[10] Copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen by applying the etching method according to item 8, and molybdenum or molybdenum as the main component A substrate manufactured by etching a metal compound.
Preferred embodiments of the present invention are as follows.
[1] A liquid composition for etching copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, comprising (A) hydrogen peroxide, (B ) Acids not containing fluorine atoms (excluding component C), (C) Phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4 -A liquid composition comprising one or more compounds selected from the group consisting of triazoles and (D) water, and having a pH value of 5 or less.
[2] The liquid composition according to [1], wherein (B) the acid not containing fluorine is one or more compounds selected from the group consisting of (B1) nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and hydrochloric acid.
[3] (B) One or more compounds selected from the group consisting of (B1) nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid, and (B2) methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycol The liquid composition according to [1], which is a combination with one or more compounds selected from the group consisting of acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid.
[4] The group consisting of (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole in the liquid composition The liquid composition according to any one of [1] to [3], wherein the content of at least one compound selected from the group is in the range of 0.001% by mass to 0.1% by mass.
[5] The liquid composition according to any one of [1] to [4], wherein the content of (A) hydrogen peroxide in the liquid composition is in the range of 2% by mass to 10% by mass. object.
[6] The content of (B) an acid that does not contain a fluorine atom (excluding component C) in the liquid composition is in the range of 1% by mass to 10% by mass. The liquid composition according to any one of the above.
[7] (C) Phosphonic acids are aminomethylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, 1-octylphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), hydroxyethylidene-1,1-bisphosphonic acid, N, N, N ′, N '-Ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid), and pentaethylenehexamineocta ( The liquid composition according to any one of [1] to [6], which is one or more compounds selected from the group consisting of (methylenephosphonic acid).
[8] (C) The phosphate ester according to any one of [1] to [7], wherein the phosphate ester is one or more compounds selected from the group consisting of monoethyl phosphate, diethyl phosphate and ethylene glycol phosphate. Liquid composition.
[9] Further, as a hydrogen peroxide stabilizer, phenylurea, phenyl glycol, phenylethylene glycol, phenolsulfonic acid, acetanilide, phenacetin, acetamidophenol, hydroxybenzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-aminophenol, 3,5- Hydrogen peroxide stability having one or more phenyl groups selected from the group consisting of diaminobenzoic acid, sulfanilic acid, aniline, N-methylaniline, 8-hydroxyquinoline, o-acetotolide, m-acetotolide, diphenylamine, phenol and anisole The liquid composition according to any one of [1] to [8], comprising an agent.
[10] For etching copper or a copper-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, and molybdenum or a metal compound based on molybdenum [1] to [9] The liquid composition according to any one of [9].
[11] A method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, comprising (A) hydrogen peroxide, (B) fluorine atoms Contains no acid (excluding component C), (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole One or more compounds selected from the group, and (D) a liquid composition containing water and having a pH value of 5 or less formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen, or copper or copper A method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component by contacting with a metal compound containing as a main component.
[12] The method according to [11], which is a method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen without a protective layer.
[13] A method of etching copper or a copper-based metal compound and molybdenum or a molybdenum-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc, and oxygen. , (A) hydrogen peroxide, (B) acid containing no fluorine atom (excluding component C), (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid And one or more compounds selected from the group consisting of 4-amino-1,2,4-triazole, and (D) a liquid composition containing water and having a pH value of 5 or less, indium, gallium, zinc, and Copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of oxygen and molybdenum or a metal compound mainly composed of molybdenum are brought into contact with copper or Method for etching a metal compound containing copper as a main component, a metal compound composed mainly of molybdenum or molybdenum.
[14] Etching of copper or a copper-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc, and oxygen without a protective layer, and molybdenum or a metal compound mainly containing molybdenum The method according to [13], wherein
[15] Any one of [11] to [14], wherein (B) the fluorine-free acid is one or more compounds selected from the group consisting of (B1) nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid. A liquid composition according to 1.
[16] (B) One or more compounds selected from the group consisting of (B1) nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid, and (B2) methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycol In any one of [11] to [14], which is a combination with one or more compounds selected from the group consisting of acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid The liquid composition as described.
[17] The group consisting of (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole in the liquid composition The liquid composition according to any one of [11] to [16], wherein the content of one or more compounds selected from the group is in the range of 0.001% by mass to 0.1% by mass.
[18] The liquid composition according to any one of [11] to [17], wherein the content of (A) hydrogen peroxide in the liquid composition is in the range of 2% by mass to 10% by mass. object.
[19] The content of (B) an acid not containing a fluorine atom (excluding component C) in the liquid composition is in the range of 1% by mass to 10% by mass, from [11] to [18] The liquid composition according to any one of the above.
[20] (C) Phosphonic acids are aminomethylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, 1-octylphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), hydroxyethylidene-1,1-bisphosphonic acid, N, N, N ′, N '-Ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid), and pentaethylenehexamineocta ( The liquid composition according to any one of [11] to [19], which is one or more compounds selected from the group consisting of (methylenephosphonic acid).
[21] (C) The phosphate ester according to any one of [11] to [20], wherein the phosphate ester is one or more compounds selected from the group consisting of monoethyl phosphate, diethyl phosphate, and ethylene glycol phosphate. Liquid composition.
[22] Further, as a hydrogen peroxide stabilizer, phenylurea, phenylglycol, phenylethyleneglycol, phenolsulfonic acid, acetanilide, phenacetin, acetamidophenol, hydroxybenzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-aminophenol, 3,5- Hydrogen peroxide stability having one or more phenyl groups selected from the group consisting of diaminobenzoic acid, sulfanilic acid, aniline, N-methylaniline, 8-hydroxyquinoline, o-acetotolide, m-acetotolide, diphenylamine, phenol and anisole The liquid composition according to any one of [11] to [21], comprising an agent.
本発明によれば、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物（ＩＧＺＯ）へのダメージを抑えて、ＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする液体組成物と、これをＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させることを特徴とするエッチング方法、ならびに該エッチング方法を適用して製造される基板を提供することができる。また、該エッチング方法はＩＧＺＯへのダメージを抑えることが可能なため、ＩＧＺＯ上への保護層の形成が不要となることから、製造工程の簡略化と製造コストを大幅に低減することができ、高い生産性を実現することができる。本発明の液体組成物は、低ｐＨ領域（ｐＨ値５以下、好ましくは０〜５）においてもＩＧＺＯへのダメージを抑えながら、ＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングすることができる。低ｐＨ領域で本発明の液体組成物を使用すると、銅の溶解能力が高く、薬液の液寿命がより長くなることが期待される。 According to the present invention, a liquid composition for etching copper or a metal compound mainly composed of copper formed on IGZO while suppressing damage to an oxide (IGZO) made of indium, gallium, zinc, and oxygen, In addition, an etching method characterized by bringing this into contact with copper or a metal compound containing copper as a main component formed on IGZO, and a substrate manufactured by applying the etching method can be provided. Moreover, since the etching method can suppress damage to IGZO, it is not necessary to form a protective layer on IGZO, so that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be greatly reduced. High productivity can be realized. The liquid composition of the present invention comprises copper or a metal compound mainly composed of copper formed on IGZO while suppressing damage to IGZO even in a low pH region (pH value of 5 or less, preferably 0 to 5). It can be etched. When the liquid composition of the present invention is used in a low pH region, it is expected that the copper dissolution ability is high and the liquid life of the chemical solution is longer.
＜液体組成物＞
本発明の液体組成物は、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下であることを特徴とする。
<Liquid composition>
The liquid composition of the present invention comprises (A) hydrogen peroxide, (B) an acid not containing a fluorine atom (excluding the C component), (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazole-1-acetic acid, One or more compounds selected from the group consisting of 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole, and (D) water, and having a pH value of 5 or less And
（Ａ）過酸化水素
本発明の液体組成物において、過酸化水素（以下、Ａ成分ということがある）は酸化剤として銅を酸化する機能を有し、またモリブデンに対しては酸化溶解する機能を有する。該液体組成物中の過酸化水素の含有量は、好ましくは１質量％以上であり、より好ましくは２質量％以上であり、さらに好ましくは３質量％以上であり、好ましくは３０質量％以下であり、より好ましくは２０質量％以下であり、さらに好ましくは１０質量％以下であり、特に好ましくは８質量％以下である。例えば、該液体組成物中の過酸化水素の含有量は、好ましくは１〜３０質量％であり、より好ましくは２〜２０質量％、さらに好ましくは２〜１０質量％、特に好ましくは３〜８質量％である。過酸化水素の含有量が上記の範囲内であれば、銅およびモリブデン等を含む金属化合物に対して良好なエッチングレートが確保でき、金属化合物のエッチング量の制御が容易となるので好ましい。
(A) Hydrogen peroxide In the liquid composition of the present invention, hydrogen peroxide (hereinafter sometimes referred to as component A) has a function of oxidizing copper as an oxidizing agent, and a function of oxidizing and dissolving molybdenum. Have The content of hydrogen peroxide in the liquid composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, and preferably 30% by mass or less. Yes, more preferably 20% by mass or less, still more preferably 10% by mass or less, and particularly preferably 8% by mass or less. For example, the hydrogen peroxide content in the liquid composition is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 2 to 20% by mass, still more preferably 2 to 10% by mass, and particularly preferably 3 to 8%. % By mass. If the content of hydrogen peroxide is within the above range, it is preferable because a good etching rate can be secured for a metal compound containing copper and molybdenum and the etching amount of the metal compound can be easily controlled.
（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸
本発明の液体組成物において、フッ素原子を含有しない酸（以下、Ｂ成分ということがある。ただし、Ｃ成分を除く）は、（Ａ）過酸化水素により酸化した銅を溶解させるものである。
Ｂ成分としては、硝酸、硫酸、リン酸、塩酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などが好ましく挙げられ、さらに好ましくは硝酸、硫酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸であり、なかでも硝酸、硫酸が特に好ましい。
これらを単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。
これらの中でも、本発明において、（Ｂ）フッ素を含有しない酸は、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含むことが好ましい。また、（Ｂ）フッ素を含有しない酸は、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、（Ｂ２）メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物との組み合わせであることが好ましい。
(B) Acid that does not contain fluorine atoms In the liquid composition of the present invention, an acid that does not contain fluorine atoms (hereinafter sometimes referred to as B component, except for C component) is oxidized by (A) hydrogen peroxide. It dissolves the copper.
Preferred examples of the B component include nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycolic acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid, and citric acid. Nitric acid, sulfuric acid, methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, and acetic acid are more preferable, and nitric acid and sulfuric acid are particularly preferable.
These can be used alone or in combination.
Among these, in the present invention, (B) the acid not containing fluorine preferably contains (B1) one or more compounds selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid. In addition, (B) an acid not containing fluorine includes (B1) one or more compounds selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid, and (B2) methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycolic acid. It is preferably a combination with one or more compounds selected from the group consisting of lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid.
該液体組成物中のＢ成分の含有量は、好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．１質量％以上であり、さらに好ましくは０．５質量％以上であり、特に好ましくは１質量％以上であり、好ましくは３０質量％以下であり、より好ましくは２０質量％以下であり、さらに好ましくは１５質量％以下であり、特に好ましくは１０質量％以下である。例えば、該液体組成物中のＢ成分の含有量は、好ましくは０．０１〜３０質量％であり、より好ましくは０．１〜２０質量％、さらに好ましくは０．５〜１５質量％であり、特に好ましくは１〜１０質量％である。Ｂ成分の含有量が上記の範囲内であれば、金属に対する良好なエッチングレートならびに良好な銅の溶解性を得ることができる。 The content of component B in the liquid composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, still more preferably 0.5% by mass or more, and particularly preferably. Is 1% by mass or more, preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, still more preferably 15% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less. For example, the content of the component B in the liquid composition is preferably 0.01 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, and still more preferably 0.5 to 15% by mass. Especially preferably, it is 1-10 mass%. If content of B component is in said range, the favorable etching rate with respect to a metal and favorable solubility of copper can be obtained.
（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる化合物
本発明の液体組成物において、ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる化合物（以下、Ｃ成分ということがある）は、ＩＧＺＯのエッチングレートを抑制する効果がある。そのため、該液体組成物を用いてＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする際に、ＩＧＺＯへのダメージを抑えることができる。
これらの中でも、本発明においては、（Ｃ）成分として、ホスホン酸類及びリン酸エステル類を用いることが好ましく、ホスホン酸類を用いることが特に好ましい。一般的に、低ｐＨ領域では、ＩＧＺＯが腐食しやすいことが知られているが、ホスホン酸類を用いることにより、ｐＨが２．５以下という低ｐＨ領域においてもＩＧＺＯへのダメージを効果的に抑制することができる。
Ｃ成分のうち、ホスホン酸類としては、アミノメチルホスホン酸、ｎ−ヘキシルホスホン酸、１−オクチルホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシエチリデン−１，１−ビスホスホン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）などが好ましく挙げられる。
Ｃ成分のうち、リン酸エステル類としては、モノエチルホスフェート、ジエチルホスフェート、エチレングリコールホスフェートなどが好ましく挙げられる。
ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸、４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる化合物は単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。好ましくは、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）であり、なかでもアミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が好ましい。
(C) Compounds selected from the group consisting of phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole Compounds selected from the group consisting of phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole (hereinafter referred to as component C) Is effective in suppressing the etching rate of IGZO. Therefore, when the liquid composition is used to etch copper or a metal compound containing copper as a main component formed on IGZO, damage to IGZO can be suppressed.
Among these, in the present invention, it is preferable to use phosphonic acids and phosphate esters as the component (C), and it is particularly preferable to use phosphonic acids. In general, it is known that IGZO tends to corrode in the low pH region, but by using phosphonic acids, damage to IGZO is effectively suppressed even in the low pH region where the pH is 2.5 or less. can do.
Among the components C, phosphonic acids include aminomethylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, 1-octylphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), hydroxyethylidene-1,1-bisphosphonic acid, N, N, N ′, N′-ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid), pentaethylenehexamineocta ( Methylenephosphonic acid) and the like are preferred.
Among the C components, preferred examples of phosphate esters include monoethyl phosphate, diethyl phosphate, and ethylene glycol phosphate.
A compound selected from the group consisting of phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid, 4-amino-1,2,4-triazole is used alone or in combination. Can be used. Preferred are aminotri (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), and bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid). Methylenephosphonic acid) and diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid) are preferred.
該液体組成物中のＣ成分の含有量は、好ましくは０．００１質量％以上であり、より好ましくは０．０１質量％以上であり、さらに好ましくは０．０２質量％以上であり、特に好ましくは０．０５質量％以上である。Ｃ成分の含有量が上記の場合には、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを抑えることができる。また一方で、Ｃ成分の含有量は経済的な観点から、好ましくは５質量％以下であり、より好ましくは１質量％以下であり、さらに好ましくは０．５質量％以下であり、特に好ましくは０．１質量％以下である。 The content of component C in the liquid composition is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, still more preferably 0.02% by mass or more, and particularly preferably. Is 0.05 mass% or more. When the content of the C component is as described above, damage to the oxide composed of indium, gallium, zinc, and oxygen can be suppressed. On the other hand, the content of component C is preferably 5% by mass or less, more preferably 1% by mass or less, still more preferably 0.5% by mass or less, and particularly preferably from an economical viewpoint. It is 0.1 mass% or less.
（Ｄ）水
本発明の液体組成物で用いられる水としては、特に制限されることはないが、蒸留、イオン交換処理、フイルター処理、各種吸着処理などによって、金属イオンや有機不純物、パーティクル粒子などが除去された水が好ましく、特に純水、または超純水が好ましい。
(D) Water The water used in the liquid composition of the present invention is not particularly limited, but metal ions, organic impurities, particle particles, etc. are obtained by distillation, ion exchange treatment, filter treatment, various adsorption treatments, and the like. Water from which water has been removed is preferable, and pure water or ultrapure water is particularly preferable.
本発明の液体組成物は、必要に応じて過酸化水素安定剤を含有することができる。過酸化水素安定剤としては、通常、過酸化水素の安定剤として用いられるものであれば制限なく使用することが可能であるが、フェニル基を有する過酸化水素安定剤が好ましい。
フェニル基を有する過酸化水素安定剤としては、フェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノフェノール、３，５−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、８−ヒドロキシキノリン、ｏ−アセトトルイド、ｍ−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールが好ましく挙げられ、さらに好ましくはフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸であり、なかでもフェニル尿素、フェニルグリコールが特に好ましい。
これらを単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。
The liquid composition of the present invention can contain a hydrogen peroxide stabilizer as required. Any hydrogen peroxide stabilizer can be used without limitation as long as it is normally used as a hydrogen peroxide stabilizer, but a hydrogen peroxide stabilizer having a phenyl group is preferred.
Examples of the hydrogen peroxide stabilizer having a phenyl group include phenylurea, phenylglycol, phenylethyleneglycol, phenolsulfonic acid, acetanilide, phenacetin, acetamidophenol, hydroxybenzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-aminophenol, 3, Preferable examples include 5-diaminobenzoic acid, sulfanilic acid, aniline, N-methylaniline, 8-hydroxyquinoline, o-acetotolide, m-acetotolide, diphenylamine, phenol, and anisole, more preferably phenylurea, phenylglycol, and phenylethylene. Glycol and phenolsulfonic acid, and phenylurea and phenylglycol are particularly preferable.
These can be used alone or in combination.
過酸化水素安定剤の含有量は、その添加効果が十分に得られれば良く、特に制限はないが、好ましくは０．０１質量％以上であり、より好ましくは０．０２質量％以上であり、さらに好ましくは０．０３質量％以上であり、好ましくは０．５質量％以下であり、より好ましくは０．３質量％以下であり、さらに好ましくは０．１質量％以下である。例えば、過酸化水素安定剤の含有量は、好ましくは０．０１〜０．５質量％であり、より好ましくは０．０２〜０．３質量％、さらに好ましくは０．０３〜０．１質量％である。 The content of the hydrogen peroxide stabilizer is not particularly limited as long as the addition effect is sufficiently obtained, but is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.02% by mass or more, More preferably, it is 0.03 mass% or more, Preferably it is 0.5 mass% or less, More preferably, it is 0.3 mass% or less, More preferably, it is 0.1 mass% or less. For example, the content of the hydrogen peroxide stabilizer is preferably 0.01 to 0.5% by mass, more preferably 0.02 to 0.3% by mass, and still more preferably 0.03 to 0.1% by mass. %.
本発明の液体組成物は、所望のｐＨ値を得るため、必要に応じてｐＨ調整剤を含有することができる。ｐＨ調整剤としては、アンモニア水、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが好ましく挙げられ、これらを単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。
本発明の液体組成物のｐＨ値の上限は５以下である。ｐＨ値が５を上回る場合には、過酸化水素の安定性が低下し、また銅または銅を主成分とする金属化合物のエッチングレートが低下するため好ましくない。また本発明の液体組成物のｐＨ値の下限には、制限は無いが、装置材質や周辺部材へのダメージを抑える観点から、好ましくはｐＨ値が０以上、より好ましくは１以上である。ｐＨ値が上記の場合であれば、銅または銅を主成分とする金属化合物、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に対して良好なエッチングレートを得ることができる。
In order to obtain a desired pH value, the liquid composition of the present invention can contain a pH adjuster as necessary. Preferred examples of the pH adjuster include aqueous ammonia, sodium hydroxide, potassium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, and the like. These can be used alone or in combination.
The upper limit of the pH value of the liquid composition of the present invention is 5 or less. When the pH value exceeds 5, the stability of hydrogen peroxide decreases, and the etching rate of copper or a metal compound containing copper as a main component decreases. The lower limit of the pH value of the liquid composition of the present invention is not limited, but the pH value is preferably 0 or more, more preferably 1 or more, from the viewpoint of suppressing damage to the device material and peripheral members. When the pH value is as described above, a favorable etching rate can be obtained for copper or a metal compound containing copper as a main component, or molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component.
本発明のエッチング液は、上記した成分のほか、エッチング液に通常用いられる各種添加剤をエッチング液の効果を害しない範囲で含むことができる。例えば、アゾール化合物やｐＨ緩衝剤などを用いることができる。 In addition to the components described above, the etching solution of the present invention can contain various additives usually used in the etching solution as long as the effects of the etching solution are not impaired. For example, an azole compound or a pH buffering agent can be used.
＜エッチング方法＞
本発明のエッチング方法におけるエッチング対象物は、ＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物である。本発明のエッチング方法によれば、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて、銅または銅を主成分とする金属化合物を良好なエッチングレートでエッチングすることができる。
また、本発明のエッチング方法におけるエッチング対象物は、ＩＧＺＯ上に形成されたモリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物である。本発明のエッチング方法によればＩＧＺＯへのダメージを抑えて、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物を良好なエッチングレートでエッチングすることができる。
なお、本明細書において、「銅を主成分とする金属化合物」とは、銅を金属化合物中に５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上含有する金属化合物を意味する。また、「モリブデンを主成分とする金属化合物」とは、モリブデンを金属化合物中に５０質量％以上、好ましくは６０質量％以上、より好ましくは７０質量％以上含有する金属化合物を意味する。
<Etching method>
The etching object in the etching method of the present invention is copper formed on IGZO or a metal compound containing copper as a main component. According to the etching method of the present invention, it is possible to etch copper or a metal compound containing copper as a main component at a good etching rate while suppressing damage to IGZO.
In addition, the object to be etched in the etching method of the present invention is molybdenum formed on IGZO or a metal compound mainly composed of molybdenum. According to the etching method of the present invention, it is possible to suppress damage to IGZO and to etch molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component at a good etching rate.
In the present specification, the “metal compound containing copper as a main component” means a metal compound containing copper in a metal compound by 50 mass% or more, preferably 60 mass% or more, more preferably 70 mass% or more. means. The “metal compound containing molybdenum as a main component” means a metal compound containing molybdenum in the metal compound by 50 mass% or more, preferably 60 mass% or more, more preferably 70 mass% or more.
本発明のエッチング方法は、本発明の液体組成物、すなわち（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下であることを特徴とする液体組成物とエッチング対象物とを接触させる工程を有するものである。本発明の液体組成物については、＜液体組成物＞において述べたとおりである。
銅または銅を主成分とする金属化合物としては、銅（金属）や銅合金、あるいは酸化銅、窒化銅などが挙げられる。モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物としては、モリブデン（金属）やモリブデン合金、あるいは酸化モリブデン、窒化モリブデンなどが挙げられる。
The etching method of the present invention comprises the liquid composition of the present invention, that is, (A) hydrogen peroxide, (B) an acid containing no fluorine atom, (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid 1 or more types selected from the group consisting of 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole, and (D) water and having a pH value of 5 or less And a step of bringing the liquid composition to be etched into contact with the object to be etched. The liquid composition of the present invention is as described in <Liquid composition>.
Examples of copper or a metal compound mainly composed of copper include copper (metal), a copper alloy, copper oxide, and copper nitride. Examples of molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component include molybdenum (metal), a molybdenum alloy, molybdenum oxide, and molybdenum nitride.
本発明のエッチング方法において、エッチング対象物として銅または銅を主成分とする金属化合物を単独でエッチングしても良いし、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物を単独でエッチングしても良い。また、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とを一括で同時にエッチングしても良い。本発明のエッチング方法によれば、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とを良好なエッチングレートで一括エッチングすることができる。 In the etching method of the present invention, copper or a metal compound containing copper as a main component may be etched alone as an object to be etched, or molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component may be etched alone. Alternatively, copper or a metal compound containing copper as a main component and molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component may be etched simultaneously. According to the etching method of the present invention, it is possible to collectively etch copper or a metal compound containing copper as a main component and molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component at a good etching rate while suppressing damage to IGZO. Can do.
本発明のエッチング方法においてエッチング対象物である銅または銅を主成分とする金属化合物やモリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物は、その形状に制限はないが、銅または銅を主成分とする金属化合物やモリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をフラットパネルディスプレイのＴＦＴアレイパネル上の配線材料として用いる場合には、薄膜形状であることが好ましい。例えば、酸化ケイ素等の絶縁膜上にＩＧＺＯをパターニングした後、銅または銅を主成分とする金属化合物の薄膜を形成し、その上にレジストを塗布し、所望のパターンマスクを露光転写し、現像して所望のレジストパターンを形成したものをエッチング対象物とする。またエッチング対象物は、銅または銅を主成分とする金属化合物の薄膜と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物の薄膜とからなる積層構造であっても良い。その場合、銅または銅を主成分とする金属化合物の薄膜と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物の薄膜とからなる積層構造を一括で同時にエッチングすることができる。 In the etching method of the present invention, copper or a metal compound containing copper as a main component or a metal compound containing molybdenum or molybdenum as a main component is not limited in shape, but copper or copper is the main component. When a metal compound, molybdenum, or a metal compound containing molybdenum as a main component is used as a wiring material on a TFT array panel of a flat panel display, a thin film shape is preferable. For example, after patterning IGZO on an insulating film such as silicon oxide, a thin film of copper or a metal compound containing copper as a main component is formed, a resist is applied thereon, a desired pattern mask is exposed and transferred, and developed. Then, an object to be etched is formed by forming a desired resist pattern. The object to be etched may have a laminated structure including copper or a thin film of a metal compound containing copper as a main component and a thin film of molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component. In that case, a laminated structure including a thin film of copper or a metal compound containing copper as a main component and a thin film of molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component can be etched simultaneously.
本発明におけるＩＧＺＯは、本質的にインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物であれば特に制限はない。インジウム、ガリウム、亜鉛の原子比にも特に制限はないが、通常、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．２〜０．８、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．６、Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）＝０．０５〜０．６の範囲である。また、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素以外の微量元素（Ｍとして表記）が含まれていても良いが、微量元素の原子比がＭ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ＋Ｍ）＜０．０５であることが好ましい。また、酸化物がアモルファス構造であっても結晶性を有していても良い。 IGZO in the present invention is not particularly limited as long as it is an oxide consisting essentially of indium, gallium, zinc and oxygen. The atomic ratio of indium, gallium, and zinc is not particularly limited. Usually, In / (In + Ga + Zn) = 0.2 to 0.8, Ga / (In + Ga + Zn) = 0.05 to 0.6, Zn / (In + Ga + Zn) ) = 0.05 to 0.6. Trace elements other than indium, gallium, zinc, and oxygen (expressed as M) may be included, but the atomic ratio of the trace elements is preferably M / (In + Ga + Zn + M) <0.05. In addition, the oxide may have an amorphous structure or may have crystallinity.
エッチング対象物と液体組成物との接触温度は、１０〜７０℃の温度が好ましく、２０〜６０℃がより好ましく、２０〜５０℃が特に好ましい。１０〜７０℃の温度範囲の時、良好なエッチングレートが得られる。さらに上記温度範囲でのエッチング操作は装置の腐食を抑制することができる。液体組成物の温度を高くすることで、エッチングレートは上昇するが、水の蒸発等による液体組成物の組成変化が大きくなることなども考慮した上で、適宜最適な処理温度を決定すれば良い。 The contact temperature between the etching object and the liquid composition is preferably 10 to 70 ° C, more preferably 20 to 60 ° C, and particularly preferably 20 to 50 ° C. When the temperature range is 10 to 70 ° C., a good etching rate can be obtained. Further, the etching operation in the above temperature range can suppress the corrosion of the apparatus. Although the etching rate increases by increasing the temperature of the liquid composition, an optimum processing temperature may be determined appropriately in consideration of the fact that the composition change of the liquid composition due to evaporation of water and the like increases. .
エッチング対象物に液体組成物を接触させる方法には特に制限はなく、例えば液体組成物を滴下（枚葉スピン処理）やスプレーなどの形式により対象物に接触させる方法や、対象物を液体組成物に浸漬させる方法など通常のウェットエッチング方法を採用することができる。 There is no particular limitation on the method of bringing the liquid composition into contact with the etching target. For example, the method of bringing the liquid composition into contact with the target in the form of dripping (single wafer spin treatment) or spraying, or the target with the liquid composition. A normal wet etching method such as a method of immersing in a metal can be employed.
以下に本発明の実施例と比較例によりその実施形態と効果について具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Embodiments and effects of the present invention will be specifically described below with reference to Examples and Comparative Examples, but the present invention is not limited to these Examples.
１．各種金属（配線材料）のエッチングレートの測定
ガラス基板上にスパッタ法により成膜した銅（Ｃｕ）／モリブデン（Ｍｏ）積層膜およびＭｏ単層ベタ膜を用いて、表１および表２に示した液体組成物によるＣｕ、Ｍｏのエッチングレートを測定した。エッチングは、上記基板を３５℃に保った液体組成物に静置浸漬する方法で行った。エッチング前後の膜厚は蛍光Ｘ線分析装置ＳＥＡ１２００ＶＸ（Ｓｅｉｋｏ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｉｎｃ．製）を用いて測定し、その膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。評価結果を以下の基準で表記した。
Ｅ：エッチングレート１００〜１０００ｎｍ／ｍｉｎ未満
Ｇ：エッチングレート３０〜１００ｎｍ／ｍｉｎ未満または１０００〜５０００ｎｍ／ｍｉｎ未満
Ｆ：エッチングレート５〜３０ｎｍ／ｍｉｎ未満または５０００〜１００００ｎｍ／ｍｉｎ未満
Ｐ：エッチングレート５ｎｍ／ｍｉｎ未満または１００００ｎｍ／ｍｉｎ以上
なお、ここでの合格はＥ、ＧおよびＦである。
1. Measurement of etching rate of various metals (wiring materials) Tables 1 and 2 show the copper (Cu) / molybdenum (Mo) laminated film and Mo single layer solid film formed on the glass substrate by sputtering. The etching rate of Cu and Mo by the liquid composition was measured. Etching was performed by a method of immersing the substrate in a liquid composition kept at 35 ° C. The film thickness before and after etching was measured using a fluorescent X-ray analyzer SEA1200VX (manufactured by Seiko Instruments Inc.), and the etching rate was calculated by dividing the film thickness difference by the etching time. The evaluation results were expressed according to the following criteria.
E: Etching rate less than 100-1000 nm / min G: Etching rate less than 30-100 nm / min or less than 1000-5000 nm / min F: Etching rate less than 5-30 nm / min or less than 5000-10000 nm / min P: Etching rate 5 nm / min Less than min or 10000 nm / min or more In addition, the pass here is E, G, and F.
２．ＩＧＺＯのエッチングレートの測定
ガラス基板上にインジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）および酸素（Ｏ）の元素比が１：１：１：４であるＩＧＺＯ膜を膜厚５００Åでスパッタ法により形成し、その後、表１および表２に示した液体組成物を用いてエッチングレート測定を実施した。エッチングは、上記基板を３５℃に保った液体組成物に静置浸漬する方法で行った。エッチング前後の膜厚を光学式薄膜特性測定装置ｎ＆ｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ １２８０（ｎ＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃ．製）により測定し、その膜厚差をエッチング時間で除することによりエッチングレートを算出した。さらに、Ｃ成分として、ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物を添加したときのエッチングレートと、Ｃ成分を添加していないときのエッチングレートの比を算出した。評価結果を以下の基準で表記した。
Ｅ：エッチングレート比（Ｃ成分有／Ｃ成分無）＝０．１未満
Ｇ：エッチングレート比（Ｃ成分有／Ｃ成分無）＝０．１〜０．２未満
Ｆ：エッチングレート比（Ｃ成分有／Ｃ成分無）＝０．２〜０．５未満
Ｐ：エッチングレート比（Ｃ成分有／Ｃ成分無）＝０．５以上
なお、ここでの合格はＥ、ＧおよびＦである。
2. Measurement of etching rate of IGZO Sputtering an IGZO film having an element ratio of indium (In), gallium (Ga), zinc (Zn) and oxygen (O) of 1: 1: 1: 4 on a glass substrate to a thickness of 500 mm After that, the etching rate was measured using the liquid compositions shown in Tables 1 and 2. Etching was performed by a method of immersing the substrate in a liquid composition kept at 35 ° C. The film thickness before and after etching was measured with an optical thin film property measuring apparatus n & k Analyzer 1280 (manufactured by n & k Technology Inc.), and the etching rate was calculated by dividing the film thickness difference by the etching time. Furthermore, as the component C, one or more selected from the group consisting of phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole The ratio of the etching rate when the compound was added to the etching rate when the C component was not added was calculated. The evaluation results were expressed according to the following criteria.
E: Etching rate ratio (with C component / without C component) = less than 0.1 G: Etching rate ratio (with C component / without C component) = less than 0.1-0.2 F: Etching rate ratio (C component) Existence / No C component) = 0.2 to less than 0.5 P: Etching rate ratio (C component / No C component) = 0.5 or more Note that the pass here is E, G and F.
実施例１
容量１００ｍｌのポリプロピレン容器に純水を７９．９９ｇおよび７０％硝酸（和光純薬工業株式会社製）を２．８６ｇ投入した。さらに、アミノメチルホスホン酸（ＭＰ Ｂｉｏｍｅｄｉｃａｌｓ，Ｉｎｃ．製）を０．１０ｇ添加した後、３５％過酸化水素（三菱ガス化学株式会社製）を１４．２９ｇ加え、これを攪拌して各成分をよく混合した。最後にｐＨ値が１．０になるように４８％水酸化カリウム（関東化学株式会社製）を２．７６ｇ添加し、液体組成物を調製した。得られた液体組成物の過酸化水素の配合量は５質量％であり、硝酸の配合量は２質量％、アミノメチルホスホン酸の配合量は０．１０質量％、水酸化カリウムの配合量は１．３３質量％であった。
得られた液体組成物を用いて上記の評価を実施し、得られた結果を表１に示す。
Example 1
79.99 g of pure water and 2.86 g of 70% nitric acid (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) were introduced into a polypropylene container having a capacity of 100 ml. Further, after adding 0.10 g of aminomethylphosphonic acid (MP Biomedicals, Inc.), 14.29 g of 35% hydrogen peroxide (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) is added, and the components are mixed well by stirring. did. Finally, 2.76 g of 48% potassium hydroxide (manufactured by Kanto Chemical Co., Inc.) was added so that the pH value was 1.0 to prepare a liquid composition. The amount of hydrogen peroxide in the obtained liquid composition is 5% by mass, the amount of nitric acid is 2% by mass, the amount of aminomethylphosphonic acid is 0.10% by mass, and the amount of potassium hydroxide is 1%. It was 33% by mass.
Said evaluation was implemented using the obtained liquid composition, and the obtained result is shown in Table 1.
実施例２〜１３
実施例１において、Ｃ成分の種類とｐＨ値を表１に示される通りとした以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表１に示す。
Examples 2-13
In Example 1, a liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the type and pH value of component C were as shown in Table 1, and the above evaluation was performed using the liquid composition. did. The obtained results are shown in Table 1.
実施例１４〜１８
実施例１において、過酸化水素濃度、硝酸濃度、Ｃ成分の種類および濃度を表１に示される通りとした以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表１に示す。
Examples 14-18
In Example 1, a liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the hydrogen peroxide concentration, nitric acid concentration, the type and concentration of the C component were as shown in Table 1, and the liquid composition was The above evaluation was carried out. The obtained results are shown in Table 1.
実施例１９、２０
実施例１において、Ｃ成分の種類とｐＨ値を表１に示される通りとし、さらに酢酸を添加した以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表１に示す。
Examples 19 and 20
In Example 1, the liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the type and pH value of component C were as shown in Table 1, and acetic acid was further added. The above evaluation was performed. The obtained results are shown in Table 1.
実施例２１〜２６
実施例１において、Ｂ成分を硫酸とし、Ｃ成分の種類とｐＨ値を表１に示される通りとした以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表１に示す。
Examples 21-26
In Example 1, a liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the B component was sulfuric acid and the type and pH value of the C component were as shown in Table 1, and the liquid composition was used. The above evaluation was conducted. The obtained results are shown in Table 1.
実施例２７、２８
実施例１において、Ｂ成分を硫酸および酢酸とし、Ｃ成分の種類とｐＨ値を表１に示される通りとした以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表１に示す。
Examples 27 and 28
In Example 1, a liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, except that B component was sulfuric acid and acetic acid, and the type and pH value of C component were as shown in Table 1. The above evaluation was performed using The obtained results are shown in Table 1.
実施例２９〜３１
実施例１において、Ｂ成分を塩酸とし、Ｃ成分の種類を表１に示される通りとした以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表１に示す。
実施例３２
実施例１において、過酸化水素濃度、Ｂ成分およびＣ成分を表３に示される通りにし、その他の成分として、Ｎ，Ｎ−ジエチル−１，３−プロパンジアミン、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールおよびフェニル尿素を添加した以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。
Examples 29-31
In Example 1, a liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the B component was hydrochloric acid and the type of the C component was as shown in Table 1. The liquid composition was used to prepare the above-mentioned liquid composition. Evaluation was performed. The obtained results are shown in Table 1.
Example 32
In Example 1, the hydrogen peroxide concentration, the B component and the C component were as shown in Table 3, and as other components, N, N-diethyl-1,3-propanediamine, 5-amino-1H-tetrazole and A liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that phenylurea was added, and the above evaluation was performed using the liquid composition.
比較例１〜１２
実施例１において、液体組成物の組成およびｐＨ値を表２に示される組成とした以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表２に示す。
Comparative Examples 1-12
In Example 1, a liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the composition and pH value of the liquid composition were set as shown in Table 2, and the above evaluation was performed using the liquid composition. Carried out. The obtained results are shown in Table 2.
比較例１３
実施例１において、過酸化水素濃度、Ｃ成分およびｐＨ値を表２に示される通りとし、Ｂ成分を含有せず、フッ化アンモニウムおよび５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを添加した以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表２に示す。
Comparative Example 13
In Example 1, the hydrogen peroxide concentration, C component and pH value were as shown in Table 2, except that B component was not contained, and ammonium fluoride and 5-amino-1H-tetrazole were added. A liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1, and the above evaluation was performed using the liquid composition. The obtained results are shown in Table 2.
比較例１４
実施例１において、過酸化水素濃度およびｐＨ値を表２に示される通りとし、Ｂ成分およびＣ成分を含有せず、アンモニア水を添加した以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表２に示す。
比較例１５
Ｃ成分を添加せず、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを添加した以外は、実施例１と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表２に示す。
比較例１６
Ｃ成分を添加しなかった以外は、実施例３２と同様にして液体組成物を調製し、該液体組成物を用いて上記の評価を実施した。得られた結果を表２に示す。
Comparative Example 14
In Example 1, the hydrogen peroxide concentration and the pH value were as shown in Table 2, and the liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that the B component and the C component were not contained and ammonia water was added. The liquid composition was prepared and the above evaluation was performed. The obtained results are shown in Table 2.
Comparative Example 15
A liquid composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that 5-amino-1H-tetrazole was added without adding C component, and the above evaluation was performed using the liquid composition. The obtained results are shown in Table 2.
Comparative Example 16
A liquid composition was prepared in the same manner as in Example 32 except that the component C was not added, and the above evaluation was performed using the liquid composition. The obtained results are shown in Table 2.
上記実施例１〜３２から、本発明の液体組成物は、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを抑えて、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物およびモリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物を良好なエッチングレートでエッチングできることが分かる。
一方、上記比較例１〜１２から、液体組成物がＣ成分を含有していないとインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。また、上記比較例１３から、液体組成物がＣ成分を含有していてもフッ化アンモニウムおよび５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを含有するとインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。さらに、上記比較例１４から、液体組成物がＣ成分を含有せず、アンモニアを含有し、ｐＨ値が高いとインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。さらに、上記比較例１５および１６から、液体組成物がＣ成分を含有せず、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを含有すると、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物へのダメージを十分に抑えられないことが分かる。
From Examples 1 to 32 above, the liquid composition of the present invention was formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen while suppressing damage to the oxide of indium, gallium, zinc and oxygen. It can be seen that copper or a metal compound containing copper as a main component and molybdenum or a metal compound containing molybdenum as a main component can be etched at a good etching rate.
On the other hand, it can be seen from Comparative Examples 1 to 12 that the damage to the oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen cannot be sufficiently suppressed if the liquid composition does not contain the C component. Further, from Comparative Example 13 described above, even if the liquid composition contains the C component, if ammonium fluoride and 5-amino-1H-tetrazole are contained, the oxides composed of indium, gallium, zinc and oxygen are sufficiently damaged. It can be seen that it cannot be suppressed. Furthermore, from the above Comparative Example 14, if the liquid composition contains no C component, contains ammonia, and the pH value is high, damage to the oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen cannot be sufficiently suppressed. I understand. Further, from Comparative Examples 15 and 16, when the liquid composition does not contain a C component and contains 5-amino-1H-tetrazole, damage to an oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen is sufficiently suppressed. I can't understand.
本発明の液体組成物は、ＩＧＺＯへのダメージを抑えて、ＩＧＺＯ上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物を良好なエッチングレートでエッチングできることから、ＴＦＴ製造工程において、ＩＧＺＯ上に保護膜を設ける従来のエッチストッパ型構造から保護層を必要としないバックチャネルエッチ型構造に変更することが可能となるため、製造工程の簡略化と製造コストを大幅に低減することができ、高い生産性を実現することができる。 The liquid composition of the present invention suppresses damage to IGZO and can etch copper or a metal compound containing copper as a main component formed on IGZO at a good etching rate. Since it is possible to change from a conventional etch stopper type structure in which a protective film is provided to a back channel etch type structure that does not require a protective layer, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be greatly reduced. Productivity can be realized.
１：ガラス
２：ゲート電極
３：ゲート絶縁膜
６ａ：ソース電極
６ｂ：ドレイン電極
７：保護層
８：透明電極
９：ＩＧＺＯ半導体層
１０：エッチングストッパ層
1: Glass 2: Gate electrode 3: Gate insulating film 6a: Source electrode 6b: Drain electrode 7: Protective layer 8: Transparent electrode 9: IGZO semiconductor layer 10: Etching stopper layer
［１］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする液体組成物であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下であることを特徴とする液体組成物。
［２］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングすることを特徴とする第１項に記載の液体組成物。
［３］（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸が硝酸、硫酸、リン酸、塩酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物である第１項に記載の液体組成物。
［４］（Ｃ）ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、ｎ−ヘキシルホスホン酸、１−オクチルホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシエチリデン−１，１−ビスホスホン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）からなる群より選ばれる１種以上の化合物である第１項に記載の液体組成物。
［５］（Ｃ）リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる１種以上の化合物である第１項に記載の液体組成物。
［６］さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノフェノール、３，５−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、８−ヒドロキシキノリン、ｏ−アセトトルイド、ｍ−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる１種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む第１項に記載の液体組成物。
［７］第１項〜第６項のいずれかに記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［８］第１項〜第６項のいずれかに記載の液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［９］第７項に記載のエッチング方法を適用して、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングすることにより製造される基板。
［１０］第８項に記載のエッチング方法を適用して、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングすることにより製造される基板。
本発明の好ましい態様は下記のとおりである。
［１］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングするための液体組成物であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下であることを特徴とする液体組成物。
［２］（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１］に記載の液体組成物。
［３］（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、（Ｂ２）メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物との組み合わせである、［１］に記載の液体組成物。
［４］前記液体組成物中の（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物の含有量が、０．００１質量％〜０．１質量％の範囲内である、［１］から［３］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［５］前記液体組成物中の（Ａ）過酸化水素の含有量が、２質量％〜１０質量％の範囲内である、［１］から［４］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［６］前記液体組成物中の（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）の含有量が、１質量％〜１０質量％の範囲内である、［１］から［５］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［７］（Ｃ）ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、ｎ−ヘキシルホスホン酸、１−オクチルホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシエチリデン−１，１−ビスホスホン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１］から［６］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［８］（Ｃ）リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１］から［７］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［９］さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノフェノール、３，５−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、８−ヒドロキシキノリン、ｏ−アセトトルイド、ｍ−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる１種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む、［１］から［８］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１０］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングするためのものである、［１］から［９］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１１］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下である液体組成物を、インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［１２］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属化合物をエッチングする方法である、［１１］に記載の方法。
［１３］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングする方法であって、（Ａ）過酸化水素、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）、（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物、および（Ｄ）水を含み、かつｐＨ値が５以下である液体組成物をインジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物に接触させ、銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物をエッチングする方法。
［１４］インジウムとガリウムと亜鉛および酸素からなる酸化物上に保護層を介することなく形成された銅または銅を主成分とする金属化合物と、モリブデンまたはモリブデンを主成分とする金属化合物とをエッチングする方法である、［１３］に記載の方法。
［１５］（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１１］から［１４］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１６］（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸が、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、（Ｂ２）メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物との組み合わせである、［１１］から［１４］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１７］前記液体組成物中の（Ｃ）ホスホン酸類、リン酸エステル類、１Ｈ−テトラゾール−１−酢酸、１Ｈ−テトラゾール−５−酢酸および４−アミノ−１，２，４−トリアゾールからなる群より選ばれる１種以上の化合物の含有量が、０．００１質量％〜０．１質量％の範囲内である、［１１］から［１６］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１８］前記液体組成物中の（Ａ）過酸化水素の含有量が、２質量％〜１０質量％の範囲内である、［１１］から［１７］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［１９］前記液体組成物中の（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸（Ｃ成分を除く）の含有量が、１質量％〜１０質量％の範囲内である、［１１］から［１８］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［２０］（Ｃ）ホスホン酸類がアミノメチルホスホン酸、ｎ−ヘキシルホスホン酸、１−オクチルホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ヒドロキシエチリデン−１，１−ビスホスホン酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、１，２−プロパンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、ビス（ヘキサメチレン）トリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、およびペンタエチレンヘキサミンオクタ（メチレンホスホン酸）からなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１１］から［１９］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［２１］（Ｃ）リン酸エステル類がモノエチルホスフェート、ジエチルホスフェートおよびエチレングリコールホスフェートからなる群より選ばれる１種以上の化合物である、［１１］から［２０］のいずれか一項に記載の液体組成物。
［２２］さらに過酸化水素安定剤としてフェニル尿素、フェニルグリコール、フェニルエチレングリコール、フェノールスルホン酸、アセトアニリド、フェナセチン、アセトアミドフェノール、ヒドロキシ安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−アミノフェノール、３，５−ジアミノ安息香酸、スルファニル酸、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、８−ヒドロキシキノリン、ｏ−アセトトルイド、ｍ−アセトトルイド、ジフェニルアミン、フェノール、アニソールからなる群より選ばれる１種以上のフェニル基を有する過酸化水素安定剤を含む、［１１］から［２１］のいずれか一項に記載の液体組成物。
[1] A liquid composition for etching copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, comprising (A) hydrogen peroxide, (B) fluorine Acids not containing atoms (excluding component C), (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole A liquid composition comprising one or more compounds selected from the group consisting of: (D) water and having a pH value of 5 or less.
[2] Etching a copper or copper-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, and molybdenum or a metal compound mainly containing molybdenum The liquid composition according to item 1.
[3] (B) Acids not containing fluorine atoms are nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycolic acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and The liquid composition according to item 1, which is one or more compounds selected from the group consisting of citric acid.
[4] (C) Phosphonic acids are aminomethylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, 1-octylphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), hydroxyethylidene-1,1-bisphosphonic acid, N, N, N ′, N '-Ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid), and pentaethylenehexamineocta ( 2. The liquid composition according to item 1, which is one or more compounds selected from the group consisting of methylenephosphonic acid.
[5] The liquid composition according to item 1, wherein (C) the phosphate ester is one or more compounds selected from the group consisting of monoethyl phosphate, diethyl phosphate and ethylene glycol phosphate.
[6] Further, as a hydrogen peroxide stabilizer, phenylurea, phenyl glycol, phenylethylene glycol, phenolsulfonic acid, acetanilide, phenacetin, acetamidophenol, hydroxybenzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-aminophenol, 3,5- Hydrogen peroxide stability having one or more phenyl groups selected from the group consisting of diaminobenzoic acid, sulfanilic acid, aniline, N-methylaniline, 8-hydroxyquinoline, o-acetotolide, m-acetotolide, diphenylamine, phenol and anisole The liquid composition according to item 1, comprising an agent.
[7] The liquid composition according to any one of items 1 to 6 is contacted with copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc, and oxygen, A method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component.
[8] Copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc, and oxygen, molybdenum or the liquid composition according to any one of items 1 to 6 A method of etching a metal compound containing copper or copper as a main component and a metal compound containing molybdenum or molybdenum as a main component by bringing the metal compound into contact with a metal compound containing molybdenum as a main component.
[9] Applying the etching method described in item 7 to etch copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen substrate.
[10] Copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen by applying the etching method according to item 8, and molybdenum or molybdenum as the main component A substrate manufactured by etching a metal compound.
Preferred embodiments of the present invention are as follows.
[1] A liquid composition for etching copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, comprising (A) hydrogen peroxide, (B ) Acids not containing fluorine atoms (excluding component C), (C) Phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4 -A liquid composition comprising one or more compounds selected from the group consisting of triazoles and (D) water, and having a pH value of 5 or less.
[2] The liquid composition according to [1], wherein (B) the acid not containing a fluorine atom is one or more compounds selected from the group consisting of (B1) nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and hydrochloric acid.
[3] (B) an acid containing no fluorine atom, (B1) nitric acid, sulfuric acid, and one or more compounds selected from the group consisting of phosphoric acid and hydrochloric acid, (B2) methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, The liquid composition according to [1], which is a combination with one or more compounds selected from the group consisting of glycolic acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid.
[4] The group consisting of (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole in the liquid composition The liquid composition according to any one of [1] to [3], wherein the content of at least one compound selected from the group is in the range of 0.001% by mass to 0.1% by mass.
[5] The liquid composition according to any one of [1] to [4], wherein the content of (A) hydrogen peroxide in the liquid composition is in the range of 2% by mass to 10% by mass. object.
[6] The content of (B) an acid that does not contain a fluorine atom (excluding component C) in the liquid composition is in the range of 1% by mass to 10% by mass. The liquid composition according to any one of the above.
[7] (C) Phosphonic acids are aminomethylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, 1-octylphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), hydroxyethylidene-1,1-bisphosphonic acid, N, N, N ′, N '-Ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid), and pentaethylenehexamineocta ( The liquid composition according to any one of [1] to [6], which is one or more compounds selected from the group consisting of (methylenephosphonic acid).
[8] (C) The phosphate ester according to any one of [1] to [7], wherein the phosphate ester is one or more compounds selected from the group consisting of monoethyl phosphate, diethyl phosphate and ethylene glycol phosphate. Liquid composition.
[9] Further, as a hydrogen peroxide stabilizer, phenylurea, phenyl glycol, phenylethylene glycol, phenolsulfonic acid, acetanilide, phenacetin, acetamidophenol, hydroxybenzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-aminophenol, 3,5- Hydrogen peroxide stability having one or more phenyl groups selected from the group consisting of diaminobenzoic acid, sulfanilic acid, aniline, N-methylaniline, 8-hydroxyquinoline, o-acetotolide, m-acetotolide, diphenylamine, phenol and anisole The liquid composition according to any one of [1] to [8], comprising an agent.
[10] For etching copper or a copper-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, and molybdenum or a metal compound based on molybdenum [1] to [9] The liquid composition according to any one of [9].
[11] A method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen, comprising (A) hydrogen peroxide, (B) fluorine atoms Contains no acid (excluding component C), (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazol-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole One or more compounds selected from the group, and (D) a liquid composition containing water and having a pH value of 5 or less formed on an oxide composed of indium, gallium, zinc and oxygen, or copper or copper A method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component by contacting with a metal compound containing as a main component.
[12] The method according to [11], which is a method of etching copper or a metal compound containing copper as a main component formed on an oxide of indium, gallium, zinc and oxygen without a protective layer.
[13] A method of etching copper or a copper-based metal compound and molybdenum or a molybdenum-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc, and oxygen. , (A) hydrogen peroxide, (B) acid containing no fluorine atom (excluding component C), (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid And one or more compounds selected from the group consisting of 4-amino-1,2,4-triazole, and (D) a liquid composition containing water and having a pH value of 5 or less, indium, gallium, zinc, and Copper or a metal compound mainly composed of copper formed on an oxide composed of oxygen and molybdenum or a metal compound mainly composed of molybdenum are brought into contact with copper or Method for etching a metal compound containing copper as a main component, a metal compound composed mainly of molybdenum or molybdenum.
[14] Etching of copper or a copper-based metal compound formed on an oxide of indium, gallium, zinc, and oxygen without a protective layer, and molybdenum or a metal compound mainly containing molybdenum The method according to [13], wherein
[15] Any one of [11] to [14], wherein (B) the acid not containing a fluorine atom is one or more compounds selected from the group consisting of (B1) nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid. The liquid composition according to item.
[16] (B) an acid containing no fluorine atom, (B1) nitric acid, sulfuric acid, and one or more compounds selected from the group consisting of phosphoric acid and hydrochloric acid, (B2) methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, Any one of [11] to [14], which is a combination with one or more compounds selected from the group consisting of glycolic acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid A liquid composition according to 1.
[17] The group consisting of (C) phosphonic acids, phosphate esters, 1H-tetrazol-1-acetic acid, 1H-tetrazole-5-acetic acid and 4-amino-1,2,4-triazole in the liquid composition The liquid composition according to any one of [11] to [16], wherein the content of one or more compounds selected from the group is in the range of 0.001% by mass to 0.1% by mass.
[18] The liquid composition according to any one of [11] to [17], wherein the content of (A) hydrogen peroxide in the liquid composition is in the range of 2% by mass to 10% by mass. object.
[19] The content of (B) an acid not containing a fluorine atom (excluding component C) in the liquid composition is in the range of 1% by mass to 10% by mass, from [11] to [18] The liquid composition according to any one of the above.
[20] (C) Phosphonic acids are aminomethylphosphonic acid, n-hexylphosphonic acid, 1-octylphosphonic acid, aminotri (methylenephosphonic acid), hydroxyethylidene-1,1-bisphosphonic acid, N, N, N ′, N '-Ethylenediaminetetrakis (methylenephosphonic acid), 1,2-propanediaminetetra (methylenephosphonic acid), diethylenetriaminepenta (methylenephosphonic acid), bis (hexamethylene) triaminepenta (methylenephosphonic acid), and pentaethylenehexamineocta ( The liquid composition according to any one of [11] to [19], which is one or more compounds selected from the group consisting of (methylenephosphonic acid).
[21] (C) The phosphate ester according to any one of [11] to [20], wherein the phosphate ester is one or more compounds selected from the group consisting of monoethyl phosphate, diethyl phosphate, and ethylene glycol phosphate. Liquid composition.
[22] Further, as a hydrogen peroxide stabilizer, phenylurea, phenylglycol, phenylethyleneglycol, phenolsulfonic acid, acetanilide, phenacetin, acetamidophenol, hydroxybenzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-aminophenol, 3,5- Hydrogen peroxide stability having one or more phenyl groups selected from the group consisting of diaminobenzoic acid, sulfanilic acid, aniline, N-methylaniline, 8-hydroxyquinoline, o-acetotolide, m-acetotolide, diphenylamine, phenol and anisole The liquid composition according to any one of [11] to [21], comprising an agent.
（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸
本発明の液体組成物において、フッ素原子を含有しない酸（以下、Ｂ成分ということがある。ただし、Ｃ成分を除く）は、（Ａ）過酸化水素により酸化した銅を溶解させるものである。
Ｂ成分としては、硝酸、硫酸、リン酸、塩酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などが好ましく挙げられ、さらに好ましくは硝酸、硫酸、メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸であり、なかでも硝酸、硫酸が特に好ましい。
これらを単独で、あるいは複数を混合して用いることができる。
これらの中でも、本発明において、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸は、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物を含むことが好ましい。また、（Ｂ）フッ素原子を含有しない酸は、（Ｂ１）硝酸、硫酸、リン酸および塩酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物と、（Ｂ２）メタンスルホン酸、アミド硫酸、酢酸、グリコール酸、乳酸、マロン酸、マレイン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸およびクエン酸からなる群より選ばれる１種以上の化合物との組み合わせであることが好ましい。
(B) Acid that does not contain fluorine atoms In the liquid composition of the present invention, an acid that does not contain fluorine atoms (hereinafter sometimes referred to as B component, except for C component) is oxidized by (A) hydrogen peroxide. It dissolves the copper.
Preferred examples of the B component include nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycolic acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid, and citric acid. Nitric acid, sulfuric acid, methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, and acetic acid are more preferable, and nitric acid and sulfuric acid are particularly preferable.
These can be used alone or in combination.
Among these, in this invention, it is preferable that (B) the acid which does not contain a fluorine atom contains 1 or more types of compounds chosen from the group which consists of (B1) nitric acid, a sulfuric acid, phosphoric acid, and hydrochloric acid. In addition, (B) an acid not containing a fluorine atom includes (B1) one or more compounds selected from the group consisting of nitric acid, sulfuric acid, phosphoric acid and hydrochloric acid, and (B2) methanesulfonic acid, amidosulfuric acid, acetic acid, glycol. A combination with at least one compound selected from the group consisting of acid, lactic acid, malonic acid, maleic acid, succinic acid, malic acid, tartaric acid and citric acid is preferred.
Claims (14)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014239524 | 2014-11-27 | ||
| JP2014239524 | 2014-11-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016108659A true JP2016108659A (en) | 2016-06-20 |
| JP6657770B2 JP6657770B2 (en) | 2020-03-04 |
Family
ID=56121913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015208989A Active JP6657770B2 (en) | 2014-11-27 | 2015-10-23 | Liquid composition and etching method using the same |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6657770B2 (en) |
| KR (1) | KR102328443B1 (en) |
| CN (2) | CN105648439A (en) |
| TW (1) | TWI667373B (en) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6167444B1 (en) * | 2016-09-09 | 2017-07-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Etching solution for multilayer film, etching concentrated solution, and etching method |
| WO2018074279A1 (en) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | 株式会社Adeka | Etching fluid composition and etching method |
| JP6458913B1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-01-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etching solution |
| US20190040316A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Etching solution of igzo film layer and etching method of the same |
| JP6485587B1 (en) * | 2018-12-25 | 2019-03-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etching solution |
| KR20190085140A (en) * | 2017-03-27 | 2019-07-17 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US10377948B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching composition and method for fabricating semiconductor device by using the same |
| KR20190133749A (en) | 2017-03-31 | 2019-12-03 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | Etching liquid composition and etching method of titanium layer or titanium containing layer |
| US20200152672A1 (en) * | 2017-11-21 | 2020-05-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Cp., Ltd. | Method for manufacturing back channel etching type oxide semiconductor tft substrate |
| CN116497355A (en) * | 2023-04-10 | 2023-07-28 | 珠海市裕洲环保科技有限公司 | Acidic copper etching solution and application thereof |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105803459B (en) * | 2016-05-03 | 2019-01-15 | 苏州晶瑞化学股份有限公司 | A kind of microelectronics metal multilayer film etching solution and its application |
| CN105970225B (en) * | 2016-07-01 | 2018-07-13 | 苏州博洋化学股份有限公司 | A kind of aluminium etchant and preparation method thereof |
| CN106498398A (en) * | 2016-12-01 | 2017-03-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Metal etch liquid and its engraving method for copper/molybdenum film layer |
| JP6443649B1 (en) * | 2018-03-23 | 2018-12-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Etching solution for copper thick film |
| TWI759450B (en) * | 2018-03-27 | 2022-04-01 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | Etching solution, etching method, and manufacturing method of display device |
| CN109112545A (en) * | 2018-09-25 | 2019-01-01 | 惠州市宙邦化工有限公司 | A kind of chemical etching composition of copper-molybdenum alloy film |
| KR102562490B1 (en) * | 2018-10-29 | 2023-08-03 | 솔브레인 주식회사 | Etchant composition and method for methal layer etching method using the same |
| CN109576717A (en) * | 2018-11-29 | 2019-04-05 | 广东工业大学 | Move back copper agent and its preparation method and application in a kind of permalloy silk table face |
| CN110644001A (en) * | 2019-10-22 | 2020-01-03 | 湖北兴福电子材料有限公司 | Copper etching solution |
| CN114032548A (en) * | 2021-11-11 | 2022-02-11 | 河南慧泽生物工程有限公司 | Copper foil etching solution for printed circuit board |
| CN114989826A (en) * | 2022-06-06 | 2022-09-02 | 江苏和达电子科技有限公司 | Etching solution for controlling metal layer and semiconductor layer morphology and application thereof |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009505388A (en) * | 2005-08-12 | 2009-02-05 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | Stabilized etching solution for Cu and Cu / Ni layers |
| WO2011078335A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etchant and method for manufacturing semiconductor device using same |
| WO2013015322A1 (en) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etchant for copper/molybdenum-based multilayer thin film |
| JP2014032998A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | Method of manufacturing thin film transistor |
| JP6531612B2 (en) * | 2014-11-27 | 2019-06-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Liquid composition and etching method using the same |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4378270A (en) * | 1981-10-29 | 1983-03-29 | Learonal, Inc. | Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions |
| US20100320457A1 (en) | 2007-11-22 | 2010-12-23 | Masahito Matsubara | Etching solution composition |
| JP5403922B2 (en) * | 2008-02-26 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | Polishing liquid and polishing method |
| CN102576170B (en) | 2009-08-20 | 2014-12-17 | 东友精细化工有限公司 | Method of fabricating array substrate for liquid crystal display |
| KR20140118492A (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 동우 화인켐 주식회사 | Etching composition for copper-based metal layer and method of preparing metal line |
-
2015
- 2015-10-23 JP JP2015208989A patent/JP6657770B2/en active Active
- 2015-11-20 TW TW104138367A patent/TWI667373B/en active
- 2015-11-25 KR KR1020150165660A patent/KR102328443B1/en active IP Right Grant
- 2015-11-26 CN CN201510845502.9A patent/CN105648439A/en active Pending
- 2015-11-26 CN CN202210705026.0A patent/CN115125536A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009505388A (en) * | 2005-08-12 | 2009-02-05 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | Stabilized etching solution for Cu and Cu / Ni layers |
| WO2011078335A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etchant and method for manufacturing semiconductor device using same |
| WO2013015322A1 (en) * | 2011-07-26 | 2013-01-31 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etchant for copper/molybdenum-based multilayer thin film |
| JP2014032998A (en) * | 2012-08-01 | 2014-02-20 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | Method of manufacturing thin film transistor |
| JP6531612B2 (en) * | 2014-11-27 | 2019-06-19 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Liquid composition and etching method using the same |
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018047210A1 (en) * | 2016-09-09 | 2018-03-15 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Etching solution and etching concentrate for multilayer film, and etching method |
| TWI631988B (en) * | 2016-09-09 | 2018-08-11 | 日商松下知識產權經營股份有限公司 | Multilayer film etching solution and etching concentrate and etching method |
| JP6167444B1 (en) * | 2016-09-09 | 2017-07-26 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Etching solution for multilayer film, etching concentrated solution, and etching method |
| JPWO2018074279A1 (en) * | 2016-10-21 | 2019-08-08 | 株式会社Adeka | Etching solution composition and etching method |
| WO2018074279A1 (en) * | 2016-10-21 | 2018-04-26 | 株式会社Adeka | Etching fluid composition and etching method |
| JP7027323B2 (en) | 2016-10-21 | 2022-03-01 | 株式会社Adeka | Etching liquid composition and etching method |
| US10377948B2 (en) | 2016-11-29 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching composition and method for fabricating semiconductor device by using the same |
| US10800972B2 (en) | 2016-11-29 | 2020-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Etching composition and method for fabricating semiconductor device by using the same |
| KR20190085140A (en) * | 2017-03-27 | 2019-07-17 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| KR102337608B1 (en) | 2017-03-27 | 2021-12-08 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
| US10920326B2 (en) | 2017-03-31 | 2021-02-16 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etchant composition for etching titanium layer or titanium-containing layer, and etching method |
| KR20190133749A (en) | 2017-03-31 | 2019-12-03 | 간또 가가꾸 가부시끼가이샤 | Etching liquid composition and etching method of titanium layer or titanium containing layer |
| US20190040316A1 (en) * | 2017-08-04 | 2019-02-07 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Etching solution of igzo film layer and etching method of the same |
| US10811444B2 (en) * | 2017-11-21 | 2020-10-20 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method for manufacturing back channel etching type oxide semiconductor TFT substrate |
| US20200152672A1 (en) * | 2017-11-21 | 2020-05-14 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Cp., Ltd. | Method for manufacturing back channel etching type oxide semiconductor tft substrate |
| WO2019186624A1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etchant |
| US11230668B2 (en) | 2018-03-26 | 2022-01-25 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Etchant |
| JP6458913B1 (en) * | 2018-03-26 | 2019-01-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etching solution |
| JP2019176128A (en) * | 2018-12-25 | 2019-10-10 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etchant |
| JP6485587B1 (en) * | 2018-12-25 | 2019-03-20 | 三菱瓦斯化学株式会社 | Etching solution |
| CN116497355A (en) * | 2023-04-10 | 2023-07-28 | 珠海市裕洲环保科技有限公司 | Acidic copper etching solution and application thereof |
| CN116497355B (en) * | 2023-04-10 | 2024-03-22 | 珠海市裕洲环保科技有限公司 | Acidic copper etching solution and application thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20160064013A (en) | 2016-06-07 |
| KR102328443B1 (en) | 2021-11-18 |
| TW201627533A (en) | 2016-08-01 |
| TWI667373B (en) | 2019-08-01 |
| CN115125536A (en) | 2022-09-30 |
| CN105648439A (en) | 2016-06-08 |
| JP6657770B2 (en) | 2020-03-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
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|
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|
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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