JP2016098423A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
基板を処理室に収容する工程と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法または基板処理方法が提供される。
W=2.27Χ+0.34 ・・・(1)
以下、本発明の第1の実施形態について図2および図3を用いて説明する。基板処理装置10は、半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程である基板処理工程において使用される装置の一例として構成されている。
処理炉202には加熱手段(加熱機構、加熱系)としてのヒータ207が設けられている。ヒータ207は上方が閉塞された円筒形状に形成されている。
半導体装置(デバイス)の製造工程の一工程として、基板上に、例えばゲート電極を構成する金属膜を形成する工程の第1実施形態について図5を用いて説明する。金属膜を形成する工程は、上述した基板処理装置10の処理炉202を用いて実行される。以下の説明において、基板処理装置10を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
ウエハ200に対して、第1の元素(例えばTi)を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)、第2の元素(例えばN)を含む第1の反応ガス(例えばNH3ガス)および第2の元素の同族元素である第3の元素(例えばP)を含む第2の反応ガス(例えばPH3ガス)を時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、ウエハ200上に第1の元素、第2の元素および第3の元素を含む膜(例えばTi含有金属膜であるTiPN膜)を形成する。
ウエハ200に対して、第1の元素(例えばTi)を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素(例えばN)を含む第1の反応ガス(例えばNH3ガス)を供給する工程(もしくは供給し排気する工程)と、
ウエハ200に対して、第2の元素の同族元素である第3の元素(例えばP)を含む第2の反応ガス(例えばPH3ガス)を供給し排気する工程と、
を順に所定回数(n回)行う。
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)されると、図2に示されているように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内に搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219はOリング220を介してマニホールド209の下端開口を閉塞した状態となる。
処理室201内が所望の圧力(真空度)となるように真空ポンプ246によって真空排気される。この際、処理室201内の圧力は、圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づき、APCバルブ243がフィードバック制御される(圧力調整)。真空ポンプ246は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室201内のウエハ200が所望の温度となるようにヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電量がフィードバック制御される(温度調整)。なお、ヒータ207による処理室201内の加熱は、少なくともウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。続いて、回転機構267によりボート217およびウエハ200の回転を開始する。なお、回転機構267によるボート217およびウエハ200の回転は、少なくとも、ウエハ200に対する処理が完了するまでの間は継続して行われる。
続いて、TiPN膜を形成するステップを説明する。TiPN膜形成ステップは、以下に説明するTiCl4ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、PH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを含む。
バルブ314を開き、ガス供給管310内にTiCl4ガスを流す。ガス供給管310内を流れたTiCl4ガスはMFC312により流量調整されてノズル410のガス供給孔410aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
Ti含有層が形成された後、バルブ314を閉じ、TiCl4ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTi含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する。すなわち、Ti含有層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくはTi含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスを除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、処理室201内に残留する未反応もしくはTi含有層の形成に寄与した後のTiCl4ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ324を開き、ガス供給管320内にNH3ガスを流す。ガス供給管320内を流れたNH3ガスは、MFC322により流量調整されてノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、NH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はNH3ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ524を開き、キャリアガス供給管520内にN2ガスを流す。キャリアガス供給管520内を流れたN2ガスは、MFC522により流量調整されてNH3ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410内およびガス供給管330内へのNH3ガスの侵入を防止するために、バルブ514,534を開き、キャリアガス供給管510,530内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,330,320,ノズル410,420を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
TiN層が形成された後、バルブ324を閉じて、NH3ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後の、NH3ガスや副生成物を処理室201内から排除する。すなわち、TiN層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスを除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後のNH3ガスや副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ334を開き、ガス供給管330内にPH3ガスを流す。ガス供給管330内を流れたPH3ガスは、MFC332により流量調整されて、ガス供給管320内に流れ、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、PH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はPH3ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ534を開き、キャリアガス供給管530内にN2ガスを流す。キャリアガス供給管530内を流れたN2ガスは、MFC532により流量調整されてPH3ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410内およびガス供給管310,320内へのPH3ガスの侵入を防止するために、バルブ514,524を開き、キャリアガス供給管510,520内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,320,ノズル410,420を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
TiPN層が形成された後、バルブ334を閉じて、PH3ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTiN層形成に寄与した後の、PH3ガスを処理室201内から排除する。すなわち、TiPN層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくはTiPN層形成に寄与した後のPH3ガスや副生成物を除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはTiPN層形成に寄与した後のPH3ガスや副生成物を処理室201内から排除する効果を高めることができる。
上述したTiCl4ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、PH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを順に行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、すなわち、TiCl4ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、PH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップの処理を1サイクルとして、これらの処理をnサイクル(nは1以上の整数)だけ実行することにより、ウエハ200上に、所定の厚さ(例えば0.1〜10nm)のTiPN膜を形成する。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
所定膜厚のTiPN膜をした後、バルブ514,524,534を開き、ガス供給管510,520,530のそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより処理室201内が不活性ガスでパージされ、処理室201内に残留するガスや副生成物が処理室201内から除去される(パージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降されて、マニホールド209の下端が開口される。そして、処理済ウエハ200がボート217に支持された状態でマニホールド209の下端から処理室201の外部に搬出(ボートアンロード)される。処理済のウエハ200は、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つまたは複数の効果が得られる。
(1)Nの同族元素(15族、すなわち、V族)であるPを用いるため、導電性の薄膜を組成する(構成する)元素のうち金属元素以外の元素がNのみである場合の導電性の薄膜と似た物性(性質)を持つ導電性の薄膜を形成することができる。
(2)Nより電気陰性度の低いPを用いるため、TiN膜より仕事関数の低い膜であるTiPN膜を形成することができる。
(3)NおよびPという2種類の元素を用いて金属膜としてTiPN膜を形成するため、P濃度(もしくはN濃度)を制御することにより、TiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
(4)Ti含有層の形成後、PH3ガスより先にNH3ガスを流すため、NH3ガスの暴露量に応じてTiPN膜中に取り込まれる量(P濃度)を調整することができ、TiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
本実施形態では、NH3ガスとPH3ガスの供給順を第1の実施形態とは逆にし、図6および式(3)に示すように、TiCl4ガス、PH3ガス、NH3ガスの順に各ガスを時分割して所定回数(n回)供給することによりTiPN膜を形成する。
ウエハ200上に、第1の元素(例えばTi)、第2の元素(例えばN)および第3の元素(例えばP)を含む膜(例えばTiPN膜)を形成する際、
ウエハ200に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガス(例えばPH3ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素を含む第1の反応ガス(例えばNH3ガス)を供給する工程(もしくは供給し排気する工程)と、
を順に所定回数(n回)行う。
(1)Nの同族元素(15族)であるPを用いるため、導電性の薄膜を組成する(構成する)元素のうち金属元素以外の元素がNのみである場合の導電性の薄膜と似た物性(性質)を持つ導電性の薄膜を形成することができる。
(2)Nより電気陰性度の低いPを用いるため、TiN膜より仕事関数の低い膜であるTiPN膜を形成することができる。
(3)NおよびPという2種類の元素を用いて金属膜としてTiPN膜を形成するため、P濃度(もしくはN濃度)を制御することにより、TiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
(4)Ti含有層の形成後、NH3ガスより先にPH3ガスを流すため、PH3ガスの暴露量に応じて(つまり、PH3ガスの暴露量を主たるパラメータとして)TiPN膜中に取り込まれるPの量(TiPN膜のP濃度)を調整することができる。すなわちTiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
本実施形態では、図7および式(4)のように、最初に、TiCl4ガス、NH3ガスを各1回ずつ時分割して供給する処理を1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n1回)行うことによりTiN膜を形成し、次に、TiCl4ガス、PH3ガスを各1回ずつ時分割して供給する処理を1サイクルとし、このサイクルを所定回数(n2回)行うことによりTiP膜を形成し、TiN膜の形成とTiP膜の形成を1サイクルとして、所定回数(n3回)行うことによりTiPN膜を形成する。第1の実施形態と同様の部分については詳細な説明は省略し、第1の実施形態と異なる部分について以下に説明する。
ウエハ200に対して、第1の元素(例えばTi)を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素(例えばN)を含む第1の反応ガス(例えばNH3ガス)を供給する工程(もしくは供給し排気する工程)と、
を順に所定回数(n1回)行い、TiとNを含む膜(例えばTiN膜)を形成する工程と、
ウエハ200に対して、第1の元素(例えばTi)を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素の同族元素である第3の元素(例えばP)を含む第2の反応ガス(例えばPH3ガス)を供給し排気する工程と、
を順に所定回数(n2回)行い、TiとPを含む膜(例えばTiP膜)を形成する工程と、
を順に所定回数(n3回)行い、ウエハ200上にTi、N、Pを含む膜(例えばTiPN膜)を形成する。
(1)Nの同族元素(15族)であるPを用いるため、導電性の薄膜を組成する(構成する)元素のうち金属元素以外の元素がNのみである場合の導電性の薄膜と似た物性(性質)を持つ導電性の薄膜を形成することができる。
(2)Nより電気陰性度の低いPを用いるため、TiN膜より仕事関数の低い膜であるTiPN膜を形成することができる。
(3)NおよびPという2種類の元素を用いて金属膜としてTiPN膜を形成するため、P濃度(もしくはN濃度)を制御することにより、TiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
(4)TiN膜を形成した後にTiP膜を形成するため、TiN膜をシード(種)膜としてTiP膜の成長を促進することができる。
本実施形態では、図8および式(5)のように、NH3ガスとPH3ガスとを同時に供給するタイミングを有する点で、第1の実施形態とは異なる。第1の実施形態と同様の部分については詳細な説明は省略し、第1の実施形態と異なる部分について説明する。なお、式(5)中「NH3+PH3」とは、NH3とPH3とを同時供給することを意味する。
ウエハ200に対して、第1の元素(例えばTi)を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素(例えばN)を含む第1の反応ガス(例えばNH3ガス)および第2の元素の同族元素である第3の元素(例えばP)を含む第2の反応ガス(例えばPH3ガス)を同時に供給する工程と、
を順に所定回数(n回)行い、ウエハ200上にTi、N、Pを含む膜(例えばTiPN膜)を形成する。
以下では、TiPN膜を形成するステップを説明する。TiPN膜形成ステップは、以下に説明するTiCl4ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガスおよびPH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを含む。TiCl4ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態のそれらと実質的に同様なので省略する。
TiCl4ガス供給ステップによりTi含有層を形成し、残留ガス除去ステップにより処理室201内の残留ガスを除去した後、バルブ324,334を開き、ガス供給管320,330内にNH3ガス,PH3ガスを流す。ガス供給管320内を流れたNH3ガスはMFC322により流量調整される。ガス供給管330内を流れたPH3ガスは、MFC332により流量調整されてガス供給管320内に供給される。ガス供給管320内を流れたNH3ガスおよびPH3ガスは、ノズル420のガス供給孔420aから処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このときウエハ200に対して、NH3ガスおよびPH3ガスが供給されることとなる。すなわちウエハ200の表面はNH3ガスおよびPH3ガスに暴露されることとなる。このとき同時にバルブ524,534を開き、キャリアガス供給管520,530内にN2ガスを流す。キャリアガス供給管520内を流れたN2ガスは、MFC522により流量調整される。キャリアガス供給管530内を流れたN2ガスは、MFC532により流量調整されてガス供給管330内に供給される。キャリアガス供給管520,530内を流れたN2ガスは、NH3ガスおよびPH3ガスと一緒に処理室201内に供給され、排気管231から排気される。このとき、ノズル410内へのNH3ガスおよびPH3ガスの侵入を防止するために、バルブ514を開き、キャリアガス供給管510内にN2ガスを流す。N2ガスは、ガス供給管310,ノズル410を介して処理室201内に供給され、排気管231から排気される。
TiPN層が形成された後、バルブ324,334を閉じて、NH3ガスおよびPH3ガスの供給を停止する。このとき、APCバルブ243は開いたままとして、真空ポンプ246により処理室201内を真空排気し、処理室201内に残留する未反応もしくはTiPN層形成に寄与した後の、NH3ガスおよびPH3ガスを処理室201内から排除する。すなわち、TiPN層が形成されたウエハ200が存在する空間に残留する未反応もしくはTiPN層形成に寄与した後のNH3ガスおよびPH3ガスを除去する。このときバルブ514,524,534は開いたままとして、N2ガスの処理室201内への供給を維持する。N2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室201内に残留する未反応もしくはTiPN層形成に寄与した後のNH3ガスおよびPH3ガスを処理室201内から排除する効果を高めることができる。
上述したTiCl4ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガスおよびPH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップを順に時分割して行うサイクルを1回以上(所定回数)行うことにより、すなわち、TiCl4ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップ、NH3ガスおよびPH3ガス供給ステップ、残留ガス除去ステップの処理を1サイクルとして、これらの処理をnサイクル(nは1以上の整数)だけ実行することにより、ウエハ200上に、所定の厚さ(例えば0.1〜10nm)のTiPN膜を形成する。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。
(1)Nの同族元素(15族)であるPを用いるため、導電性の薄膜を組成する(構成する)元素のうち金属元素以外の元素がNのみである場合の導電性の薄膜と似た物性(性質)を持つ導電性の薄膜を形成することができる。
(2)Nより電気陰性度の低いPを用いるため、TiN膜より仕事関数の低い膜であるTiPN膜を形成することができる。
(3)NおよびPという2種類の元素を用いて金属膜としてTiPN膜を形成するため、P濃度(もしくはN濃度)を制御することにより、TiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
(4)NH3ガスとPH3ガスを同時に供給することにより、NH3ガスの中間体とPH3ガスが反応したり、NH3ガスと吸着サイトの置換反応の際にPが取り込まれたりすることがあり、TiPN膜中のP濃度を高くすることができる。
(5)NH3ガスとPH3ガスを同時に供給(プリミックス、事前混合)することにより、ウエハ面内の均一性を向上させることができる。
(6)NH3ガスとPH3ガスを同時に供給(プリミックス、事前混合)することにより、スループットを向上させることができる。
本実施形態では、式(6)のように、第1の実施形態におけるTiPN膜形成ステップと同様の処理(n1サイクルの処理を行う)によりTiPN膜を形成した後、第3の実施形態におけるTiN膜形成ステップと同様の処理によりTiN膜を形成(n2サイクルの処理を行う)し、TiPN膜形成ステップとTiN膜形成ステップとを所定回数(n3サイクルの処理)を行うことにより、ウエハ200上にTiPN膜を形成する。各ステップにおける処理手順、処理条件は第1の実施形態および第3の実施形態のそれらと実質的に同様であるので、省略する。
ウエハ200に対して、第1の元素(例えばTi)を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素(例えばN)を含む第1の反応ガス(例えばNH3ガス)を供給する工程(もしくは供給し排気する工程)と、
ウエハ200に対して、第2の元素の同族元素である第3の元素(例えばP)を含む第2の反応ガス(例えばPH3ガス)を供給し排気する工程と、
を順に所定回数(n1回)行い、Ti、P、Nを含む第1の膜(例えば第1のTiPN膜)を形成する工程と、
ウエハ200に対して、第1の元素(例えばTi)を含むハロゲン系原料ガス(例えばTiCl4ガス)を供給し排気する工程と、
ウエハ200に対して、第2の元素(例えばN)を含む第1の反応ガス(例えばNH3ガス)を供給する工程(もしくは供給し排気する工程)と、
を順に所定回数(n2回)行い、TiとNを含む膜(例えばTiN膜)を形成する工程と、
を順に所定回数(n3回)行い、ウエハ200上にTi、N、Pを含む第2の膜(例えば第2のTiPN膜)を形成する。
(1)Nの同族元素(15族)であるPを用いるため、導電性の薄膜を組成する(構成する)元素のうち金属元素以外の元素がNのみである場合の導電性の薄膜と似た物性(性質)を持つ導電性の薄膜を形成することができる。
(2)Nより電気陰性度の低いPを用いるため、TiN膜より仕事関数の低い膜であるTiPN膜を形成することができる。
(3)NおよびPという2種類の元素を用いて金属膜としてTiPN膜を形成するため、P濃度(もしくはN濃度)を制御することにより、TiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
(4)第1のTiPN膜を形成する際は、Ti含有層の形成後、PH3ガスより先にNH3ガスを流すため、PH3ガスの暴露量に応じて(つまり、PH3ガスの暴露量を主たるパラメータとして)TiPN膜中に取り込まれる量(P濃度)を調整することができる。すなわちTiPN膜の仕事関数をチューニングすることができる。
(5)第1のTiPN膜形成ステップの後にTiN膜形成ステップを行うことにより、TiPN膜中に取り込まれる量(TiPN膜のP濃度)をより少なくすることができる。
(6)第1のTiPN膜形成ステップの後にTiN膜形成ステップを行うことにより、TiPN層をTiN層で覆うことができ、酸化し易いPの最表面への露出を防いで表面酸化により抵抗率が高くなってしまうことを抑制することができる。
処理室内の圧力:60Pa
TiCl4ガスの供給流量:0.01cc
TiCl4ガスの供給時間:2秒
NH3ガスの供給流量:300cc
NH3ガスの供給時間:20秒
PH3ガスの供給流量:300cc(1%He希釈)
PH3ガスの供給時間:20秒
サイクル数:200回
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
(NH3→PH3→TiCl4)×n=>TiPN …(8)
(PH3→NH3→TiCl4)×n=>TiPN …(9)
(PH3→TiCl4→NH3)×n=>TiPN …(10)
(NH3+PH3→TiCl4)×n=>TiPN …(11)
(TiCl4→NH3→TiCl4→PH3)×n=>TiPN …(12)
(TiCl4→PH3→TiCl4→NH3)×n=>TiPN …(13)
[(TiCl4→PH3)×n1→(TiCl4→NH3)×n2]×n3=>TiPN …(14)
[(TiCl4→NH3+PH3)×n1→(TiCl4→NH3)×n2]×n3=>TiPN …(15)
[(TiCl4→NH3)×n1→(TiCl4→PH3)×n2]×n3=>TiPN …(16)
[(式(7)〜(13)のいずれか)×n1→(TiCl4→NH3)×n2]×n3=>TiPN …(17)〜(23)
[(TiCl4→NH3)×n1→(TiCl4→NH3→PH3)×n2]×n3=>TiPN …(24)
[(TiCl4→NH3)×n1→(TiCl4→NH3+PH3)×n2]×n3=>TiPN …(25)
[(TiCl4→NH3)×n1→(式(7)〜(13)のいずれか)×n2]×n3=>TiPN …(26)〜(32)
[(TiCl4→NH3→PH3)×n1→(TiCl4→PH3)×n2]×n3=>TiPN …(33)
[(TiCl4→NH3+PH3)×n1→(TiCl4→NH3)×n2]×n3=>TiPN …(34)
[(式(7)〜(13)のいずれか)×n1→(TiCl4→PH3)×n2]×n3=>TiPN …(35)〜(41)
[(TiCl4→PH3)×n1→(TiCl4→NH3→PH3)×n2]×n3=>TiPN …(42)
[(TiCl4→PH3)×n1→(TiCl4→NH3+PH3)×n2]×n3=>TiPN …(43)
[(TiCl4→PH3)×n1→(式(7)〜(13)のいずれか)×n2]×n3=>TiPN …(44)〜(50)
〔付記1〕
本発明の一態様によれば、
基板を処理室に収容する工程と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法または基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、
前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行う。
付記1に記載の方法であって、
前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程は、
前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行う。
付記1に記載の方法であって、
前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
(a)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第2の元素を含む膜(a)を形成する工程と、
(b)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第3の元素を含む膜(b)を形成する工程と、
を順に所定回数行う。
付記1に記載の方法であって、
前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
(a)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜(a)を形成する工程と、
(b)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第2の元素を含む膜(b)を形成する工程と、
を順に所定回数行う。
付記1に記載の方法であって、
前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
(a)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜(a)を形成する工程と、
(b)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第2の元素を含む膜(b)を形成する工程と、
を順に所定回数行う。
付記1〜6のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の元素は金属元素である。
付記7に記載の方法であって、好ましくは、
前記金属元素はチタン(Ti)、タンタル(Ta)、タングステン(W)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、アルミニウム(Al)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、ルテニウム(Ru)、モリブデン(Mo)からなる群より選択され、前記ハロゲン系原料ガスはタンタル(Ta)含有ガス、タングステン(W)含有ガス、ハフニウム(Hf)含有ガス、ジルコニウム(Zr)含有ガス、アルミニウム(Al)含有ガス、コバルト(Co)含有ガス、イットリウム(Y)含有ガス、ルテニウム(Ru)含有ガス、モリブデン(Mo)含有ガスからなる群より選択される。
付記8に記載の方法であって、好ましくは、
前記ハロゲン系原料ガスは四フッ化チタン(TiF4)、四臭化チタン(TiBr4)、四ヨウ化チタン(TiI4)、五塩化タンタル(TaCl5)、五フッ化タンタル(TaF4)、五臭化タンタル(TaBr4)、五ヨウ化タンタル(TaI4)、六塩化タングステン(WCl6)、六フッ化タングステン(WF6)、六臭化タングステン(WBr6)、六ヨウ化タングステン(WI6)、四塩化ハフニウム(HfCl4)、四フッ化ハフニウム(HfF4)、四臭化ハフニウム(HfBr4)、四ヨウ化ハフニウム(HfI4)、四塩化ジルコニウム(ZrCl4)、四フッ化ジルコニウム(ZrF4)、四臭化ジルコニウム(ZrBr4)、四ヨウ化ジルコニウム(ZrI4)、三塩化アルミニウム(AlCl3)、三フッ化アルミニウム(AlF3)、三臭化アルミニウム(AlBr3)、三ヨウ化アルミニウム(AlI3)、二塩化コバルト(CoCl2)、二塩化コバルト(CoF2)、二塩化コバルト(CoBr2)、二塩化コバルト(CoI2)、三塩化イットリウム(YCl3)、三フッ化イットリウム(YF3)、三臭化イットリウム(YBr3)、三ヨウ化イットリウム(YI3)、三塩化ルテニウム(RuCl3)、三フッ化ルテニウム(RuF3)、三臭化ルテニウム(RuBr3)、三ヨウ化ルテニウム(RuI3)からなる群より選択される。
付記7〜9のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記基板に形成される前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜中に含まれる前記第2の元素および前記第3の元素の濃度を制御(調整、チューニング)することにより、前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜の仕事関数が所望の値となるよう調整(制御、変調、チューニング)する。
付記10に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板に対して供給する前記第2の反応ガスの量を制御(調整、チューニング)することにより、前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜中に含まれる前記第3の元素の濃度を制御(調整、チューニング)する。
付記11に記載の方法であって、好ましくは、
前記基板に対して前記第3の反応ガスを供給する際、前記第3の反応ガスの供給圧力を制御(調整、チューニング)することにより、前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜中に含まれる前記第3の元素の濃度を制御(調整、チューニング)する。
付記1〜12のいずれかに記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の元素および前記第3の元素は、15族元素である。
付記13に記載の方法であって、好ましくは、
前記第3の元素は、第2の元素より電気陰性度が低い元素である。
付記14に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の元素は窒素(N)であり、前記第1の反応ガスは窒素(N)含有ガスである。
付記15に記載の方法であって、好ましくは、
前記第3の元素はリン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)、ビスマス(Bi)からなる群より選択され、前記第2の反応ガスはリン(P)含有ガス、ヒ素(As)含有ガス、アンチモン(Sb)含有ガス、ビスマス(Bi)含有ガスからなる群より選択される。
付記16に記載の方法であって、好ましくは、
前記2の反応ガスは水素化リン(ホスフィン、PH3)、水素化ヒ素(アルシン、AsH3)、水素化アンチモン(スチビン、SbH3)、水素化ビスマス(ビスムチン、BiH3)からなる群より選択される。
付記17に記載の方法であって、好ましくは、
前記第1の反応ガスはアンモニア(NH3)であり、前記第3の元素はリン(P)であって前記第2の反応ガスは水素化リン(ホスフィン、PH3)である。
付記14に記載の方法であって、
前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行う。
付記14に記載の方法であって、
前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行う。
本発明の他の態様によれば、
基板を処理室に収容する工程と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガスと、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスの混合ガスとを時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法または基板処理方法が提供される。
付記21に記載の方法であって、好ましくは、
前記第2の反応ガスおよび前記第3の反応ガスはプリミックス(事前混合)した状態で、前記基板に対して供給する。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室に、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御して、前記処理室に収容された基板に対して、前記ハロゲン系原料ガス、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスを時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する処理を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を収容する処理室と、
前記処理室に、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御して、前記処理室に収容された基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスと、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスの混合ガスとを時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
付記24に記載の基板処理装置であって、好ましくは、
前記ガス供給系は、前記処理室に接続され前記処理室に前記ハロゲン系原料ガスを供給するハロゲン系原料ガス供給管と、前記処理室に接続され前記処理室に前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスを供給する単一の反応ガス供給管と、を有する。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理室に収容する手順と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する手順と、
前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を処理室に収容する手順と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガスと、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスの混合ガスとを時分割して(非同期、間欠的、パルス的に)所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する手順と、
前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム、または該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
200・・・ウエハ
201・・・処理室
202・・・処理炉
Claims (9)
- 基板を処理室に収容する工程と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを時分割して所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程は、
前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
(a)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第2の元素を含む膜(a)を形成する工程と、
(b)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第3の元素を含む膜(b)を形成する工程と、
を順に所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
(a)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜(a)を形成する工程と、
(b)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第2の元素を含む膜(b)を形成する工程と、
を順に所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程では、
(a)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給する工程と、
前記基板に対して、前記第2の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜(a)を形成する工程と、
(b)前記基板に対して、前記ハロゲン系原料ガスを供給し排気する工程と、
前記基板に対して、前記第1の反応ガスを供給し排気する工程と、
を順に所定回数行い、前記第1の元素および前記第2の元素を含む膜(b)を形成する工程と、
を順に所定回数行う請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 基板を処理室に収容する工程と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガスと、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスの混合ガスとを時分割して所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を収容する処理室と、
前記処理室に、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを供給するガス供給系と、
前記ガス供給系を制御して、前記処理室に収容された基板に対して、前記ハロゲン系原料ガス、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスを時分割して所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する処理を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板を処理室に収容する手順と、
前記基板に対して、第1の元素を含むハロゲン系原料ガス、第2の元素を含む第1の反応ガスおよび第2の元素の同族元素である第3の元素を含む第2の反応ガスを時分割して所定回数供給して、前記基板上に前記第1の元素、前記第2の元素および前記第3の元素を含む膜を形成する手順と、
前記基板を前記処理室から搬出する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
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KR102633318B1 (ko) | 2017-11-27 | 2024-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 청정 소형 구역을 포함한 장치 |
US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
WO2019158960A1 (en) | 2018-02-14 | 2019-08-22 | Asm Ip Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
TW202349473A (zh) | 2018-05-11 | 2023-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
TW202409324A (zh) | 2018-06-27 | 2024-03-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料之循環沉積製程 |
TW202405221A (zh) | 2018-06-27 | 2024-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
TWI751420B (zh) | 2018-06-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm知識產權私人控股有限公司 | 薄膜沉積方法 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
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USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
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US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
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US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
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US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
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US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
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TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
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USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000506683A (ja) * | 1996-11-29 | 2000-05-30 | フラウンホーファー ゲゼルシャフト ツア フォルデルンク デア アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ | 一リン化チタン層の形成方法およびその使用 |
JP2001156024A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Tokyo Electron Ltd | TiN系薄膜およびその成膜方法、成膜装置、TiN系薄膜を含む膜構造体およびその製造方法、ならびに半導体装置 |
JP2012184499A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223563A (ja) | 1997-02-07 | 1998-08-21 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US6824825B2 (en) * | 1999-09-13 | 2004-11-30 | Tokyo Electron Limited | Method for depositing metallic nitride series thin film |
KR100385947B1 (ko) * | 2000-12-06 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착 방법에 의한 박막 형성 방법 |
US6846516B2 (en) * | 2002-04-08 | 2005-01-25 | Applied Materials, Inc. | Multiple precursor cyclical deposition system |
JP5774822B2 (ja) | 2009-05-25 | 2015-09-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置 |
JP5721952B2 (ja) | 2010-01-07 | 2015-05-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置、半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
-
2014
- 2014-11-25 JP JP2014238144A patent/JP6086892B2/ja active Active
-
2015
- 2015-11-19 KR KR1020150162621A patent/KR101742061B1/ko active IP Right Grant
- 2015-11-20 US US14/947,523 patent/US9761456B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000506683A (ja) * | 1996-11-29 | 2000-05-30 | フラウンホーファー ゲゼルシャフト ツア フォルデルンク デア アンゲヴァンテン フォルシュンク エー ファウ | 一リン化チタン層の形成方法およびその使用 |
JP2001156024A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Tokyo Electron Ltd | TiN系薄膜およびその成膜方法、成膜装置、TiN系薄膜を含む膜構造体およびその製造方法、ならびに半導体装置 |
JP2012184499A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160062700A (ko) | 2016-06-02 |
KR101742061B1 (ko) | 2017-05-31 |
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US20160148811A1 (en) | 2016-05-26 |
JP6086892B2 (ja) | 2017-03-01 |
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