JP2016092411A - 発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子の光効率を向上させる。【解決手段】実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物；前記発光構造物上に互いに分離されて配置される第１電流遮断層及び第２電流遮断層；前記第１電流遮断層、第２電流遮断層及び前記発光構造物の上に配置される透光性導電層；前記第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層にそれぞれ電気的に接続される第１電極及び第２電極；前記透光性導電層と前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部の領域にまで形成された貫通孔；及び前記貫通孔内に配置された貫通電極を含み、前記貫通電極は前記第１電流遮断層と垂直方向に重ならない、発光素子を提供する。【選択図】図２Ｂ
Description
実施例は、発光素子に関する。
ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの３−５族化合物半導体物質は、広くて調整が容易なバンドギャップエネルギーを有するなどの多くの利点により、光電子工学分野（ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）と電子素子などのために広範囲に使用される。
特に、半導体の３−５族又は２−６族化合物半導体物質を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）やレーザーダイオードのような発光素子は、薄膜成長技術及び素子材料の開発によって赤色、緑色、青色及び紫外線などの様々な色を具現することができ、蛍光物質を用いたり、色を組み合わせたりすることによって効率の良い白色光線も具現可能であり、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、速い応答速度、安全性、環境親和性の利点を有する。
したがって、光通信手段の送信モジュール、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）表示装置のバックライトを構成する冷陰極管（ＣＣＦＬ：Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ Ｌａｍｐ）を代替する発光ダイオードバックライト、蛍光灯や白熱電球を代替し得る白色発光ダイオード照明装置、自動車のヘッドライト及び信号灯にまでその応用が拡大されている。
図１は、従来の発光素子を示す図である。
発光素子１００は、サファイアなどからなる基板１１０の上に、第１導電型半導体層１２２、活性層１２４及び第２導電型半導体層１２６を含む発光構造物１２０が配置され、第１導電型半導体層１２２と第２導電型半導体層１２６の上にそれぞれ第１電極１６０と第２電極１７０が配置される。
発光素子１００は、第１導電型半導体層１２２を介して注入される電子と、第２導電型半導体層１２６を介して注入される正孔とが活性層１２４で互いに会って、活性層１２４をなす物質固有のエネルギーバンドによって決定されるエネルギーを有する光を放出する。活性層１２４から放出される光は、活性層１２４をなす物質の組成によって異なり得、青色光や紫外線（ＵＶ）または深紫外線（Ｄｅｅｐ ＵＶ）などであり得る。
発光素子１００は、発光素子パッケージ内に配置することができ、発光素子１００から放出された第１波長領域の光が蛍光体を励起し、蛍光体は、第１波長領域の光によって励起されて第２波長領域の光を放出することができる。ここで、蛍光体は、発光素子１００を取り囲むモールディング部内に含まれてもよく、蛍光体フィルムの形態で配置されてもよい。
しかし、上述した従来の発光素子は、次のような問題点がある。
活性層１２４から放出された光において第２電極１７０に向かう光（Ｌｉｇｈｔ）は、第２電極１７０で吸収されて発光素子１００の光効率を低下させることがある。
実施例は、発光素子の光効率を向上させようとする。
実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物；前記発光構造物上に互いに分離されて配置される第１電流遮断層及び第２電流遮断層；前記第１電流遮断層、第２電流遮断層及び前記発光構造物の上に配置される透光性導電層；前記第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層にそれぞれ電気的に接続される第１電極及び第２電極；前記透光性導電層と前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部の領域にまで形成された貫通孔；及び前記貫通孔内に配置された貫通電極を含み、前記貫通電極は前記第１電流遮断層と垂直方向に重ならない、発光素子を提供する。
発光素子は、前記第１電極と前記第１電流遮断層との間、及び前記第２電極と前記第２電流遮断層との間に配置された絶縁層を含むことができる。
貫通孔は、絶縁層を貫通して形成されてもよい。
貫通電極と前記第１電流遮断層は水平方向に一直線方向に配置されてもよい。
貫通孔内で前記貫通電極の周りに前記絶縁層が延びて配置されてもよい。
第１電極は、第１ボンディングパッド及び第１枝電極を含むことができる。
第１ボンディングパッドは、前記発光素子の第１縁領域に配置されてもよい。
第１枝電極は、前記貫通電極及び前記第１電流遮断層と垂直方向に少なくとも一部が重なってもよい。
貫通電極の長さは、隣接する貫通電極間の距離よりも小さくてもよい。
第２電極は、第２ボンディングパッド及び第２枝電極を含むことができる。
第２ボンディングパッドは、前記発光素子の第２縁領域に配置されてもよい。
第２枝電極の一部は、前記第２電流遮断層と垂直方向に重なってもよい。
絶縁層の一部がオープンされてオープン領域をなし、前記オープン領域で前記透光性導電層が露出してもよい。
オープン領域で前記透光性導電層と前記第２電極とが直接接触することができる。
オープン領域と前記貫通電極は水平方向に互い違いに配置されてもよい。
第１電流遮断層及び第２電流遮断層のうちの少なくとも１つはＤＢＲまたはＯＤＲであってもよい。
他の実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物；前記発光構造物上に互いに分離されて配置され、ＤＢＲまたはＯＤＲ構造の第１電流遮断層及び第２電流遮断層；前記第１電流遮断層、第２電流遮断層及び前記発光構造物の上に配置され、前記第１電流遮断層及び第２電流遮断層にそれぞれ対応する領域での厚さが最も薄い透光性導電層；前記第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層にそれぞれ電気的に接続される第１電極及び第２電極；前記透光性導電層と前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部の領域にまで形成された貫通孔；及び前記貫通孔内に配置された貫通電極を含む、発光素子を提供する。
第１電流遮断層は、複数個の部分が互いに離隔して配置されてもよい。
透光性導電層と前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部の領域にまで貫通孔が形成され、前記貫通孔内に配置された貫通電極をさらに含み、前記第１電流遮断層をなす部分間の離隔長さは、前記貫通孔の長さと同一であってもよい。
更に他の実施例は、第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物；前記発光構造物上に互いに分離されて配置される第１電流遮断層及び第２電流遮断層；前記第１電流遮断層、第２電流遮断層及び前記発光構造物の上に配置される透光性導電層；前記第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層にそれぞれ電気的に接続される第１電極及び第２電極；及び前記第１電極と前記第１電流遮断層との間、及び前記第２電極と前記第２電流遮断層との間に配置された絶縁層を含み、前記絶縁層と前記透光性導電層と前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部の領域にまで貫通孔が形成され、前記貫通孔は前記第１電流遮断層と垂直方向に重ならず、前記絶縁層の一部がオープンされてオープン領域をなし、前記オープン領域で前記透光性導電層が露出し、前記オープン領域と前記貫通電極は水平方向に互い違いに配置される、発光素子を提供する。
実施例に係る発光素子は、第１電極と第２電極が第１導電型半導体層と透光性導電層にそれぞれ貫通孔とオープン領域で接触するポイントコンタクト構造であり得、電流遮断層として、ＤＢＲ又はＯＤＲを使用している。貫通孔とオープン領域を除いた領域に絶縁層が配置されるので、上述したＤＢＲ又はＯＤＲで反射された光、特に青色波長領域の光が絶縁層で吸収される程度が、従来よりも減少することができる。
したがって、実施例に係る発光素子から放出される光の波長分布が、従来とあまり差がなく、光出力を従来に比べて向上させることができる。
以下、上記の目的を具体的に実現できる本発明の実施例を、添付の図面を参照して説明する。
本発明に係る実施例の説明において、各構成要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）の「上（上部）又は下（下部）（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上（上部）又は下（下部）は、２つの構成要素が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触したり、１つ以上の他の構成要素が前記２つの構成要素の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上（上部）又は下（下部）」と表現される場合、一つの構成要素を基準として上側方向のみならず、下側方向の意味も含むことができる。
図２Ａ及び図２Ｂは、発光素子の一実施例の断面図である。
図２Ａ及び図２Ｂは、一つの発光素子２００の異なる方向での断面図を示している。
図２Ａに示された発光素子２００は、基板２１０、発光構造物２２０、第１電流遮断層２３２、第２電流遮断層２３６、透光性導電層２４０、絶縁層２５０、第１電極２６０及び第２電極２７０を含んでなる。
基板２１０は、半導体物質の成長に適した物質又はキャリアウエハで形成することができ、熱伝導性に優れた物質で形成することができ、伝導性基板又は絶縁性基板を含むことができる。例えば、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ、Ｇａ２Ｏ３のうちの少なくとも１つを使用することができる。
サファイアなどで基板２１０を形成し、基板２１０上にＧａＮやＡｌＧａＮなどを含む発光構造物２２０が配置されるとき、ＧａＮやＡｌＧａＮとサファイアとの間の格子不整合（ｌａｔｔｉｃｅ ｍｉｓｍａｔｃｈ）が非常に大きく、これらの間の熱膨張係数の差も非常に大きいため、結晶性を悪化させる転位（ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）、メルトバック（ｍｅｌｔ−ｂａｃｋ）、クラック（ｃｒａｃｋ）、ピット（ｐｉｔ）、表面モルフォロジー（ｓｕｒｆａｃｅ ｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ）不良などが発生し得るため、ＡｌＮなどでバッファ層（図示せず）を形成することができる。
基板２１０の表面には、図示のようにパターンが形成されて、発光構造物２２０から放出されて基板２１０に進む光を屈折させてもよい。
発光構造物２２０は、第１導電型半導体層２２２、活性層２２４及び第２導電型半導体層２２６を含むことができる。
第１導電型半導体層２２２は、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体物質で具現することができ、第１導電型ドーパントがドープされてもよい。第１導電型半導体層２２２は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質、ＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか１つ以上で形成されてもよい。
第１導電型半導体層２２２がｎ型半導体層である場合、第１導電型ドーパントは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどのようなｎ型ドーパントを含むことができる。第１導電型半導体層２２２は、単層または多層構造で形成されてもよいが、これに限定されない。
活性層２２４は、第１導電型半導体層２２２と第２導電型半導体層２２６との間に配置され、単一井戸構造、多重井戸構造、単一量子井戸構造、多重量子井戸（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）構造、量子点構造または量子線構造のいずれか１つを含むことができる。
活性層２２４は、ＩＩＩ−Ｖ族元素の化合物半導体材料を用いて井戸層と障壁層、例えば、ＡｌＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＡｓ（ＩｎＧａＡｓ）／ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ（ＩｎＧａＰ）／ＡｌＧａＰのいずれか１つ以上のペア構造で形成されてもよいが、これに限定されない。
井戸層は、障壁層のエネルギーバンドギャップよりも小さいエネルギーバンドギャップを有する物質で形成することができる。
第２導電型半導体層２２６は半導体化合物で形成することができる。第２導電型半導体層２２６は、ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族などの化合物半導体物質で具現することができ、第２導電型ドーパントがドープされてもよい。第２導電型半導体層２２６は、例えば、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を有する半導体物質、ＡｌＧａＮ、ＧａＮＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのいずれか１つ以上で形成されてもよく、例えば、第２導電型半導体層２２６がＡｌｘＧａ（１−ｘ）Ｎからなることができる。
第２導電型半導体層２２６がｐ型半導体層である場合、第２導電型ドーパントは、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａなどのようなｐ型ドーパントであってもよい。第２導電型半導体層２２６は、単層または多層構造で形成されてもよいが、これに限定されない。
図示していないが、活性層２２４と第２導電型半導体層２２６との間には電子遮断層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を配置することができる。電子遮断層は、超格子（ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅ）構造からなることができ、超格子は、例えば、第２導電型ドーパントでドープされたＡｌＧａＮが配置されてもよく、アルミニウムの組成比を異ならせたＧａＮが層（ｌａｙｅｒ）をなして、複数個が互いに交互に配置されてもよい。
第２導電型半導体層２２６上には、第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６が互いに離隔して配置され、第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６は、第２導電型半導体層２２６の一部の領域に選択的に配置され、絶縁性物質からなることができる。
第２導電型半導体層２２６と第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６の上には透光性導電層２４０を配置することができ、透光性導電層２４０はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）からなることができ、第２導電型半導体層２２６の電流スプレッディング（ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）特性が良くないので、透光性導電層２４０が第２電極２７０から電流の供給を受けることができる。
透光性導電層２４０は、一定の厚さｔ１を有することができ、したがって、第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６に対応する領域での透光性導電層２４０の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
透光性導電層２４０上には絶縁層２５０を配置することができ、このとき、第２電流遮断層２３６の上部領域において透光性導電層２４０が露出するように、絶縁層２５０の一部がオープン（ｏｐｅｎ）され得る。絶縁層２５０は酸化物や窒化物からなることができ、より詳細には、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）層、酸化窒化物層、酸化アルミニウム層からなることができる。
そして、絶縁層２５０は、上述したオープン領域以外では一定の厚さｔ２に形成されて、第１電流遮断層２３２と対応する領域での絶縁層２５０の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
絶縁層２５０上には第１電極２６０と第２電極２７０が互いに離隔して配置され、第１電極２６０と第２電極２７０は、それぞれ第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６に対応する領域に配置され得る。
第１電極２６０と透光性導電層２４０との間には絶縁層２５０が配置されるが、第２電極２７０と透光性導電層２４０は、上述した絶縁層２５０のオープン領域で直接接触することができる。
図２Ａは、発光素子２００のＡ−Ａ’方向の断面図であり、図２Ｂは、発光素子２００のＢ−Ｂ’方向の断面図である。
基板２１０及び発光構造物２２０の構造は、図２Ａの発光素子２００と同一であるが、Ｂ−Ｂ’方向には第１電流遮断層２３２が配置されていない点で異なる。
第２導電型半導体層２２６上には第２電流遮断層２３６を配置し、第２導電型半導体層２２６及び第２電流遮断層２３６の上には透光性導電層２４０を配置することができる。
透光性導電層２４０は、一定の厚さｔ１を有することができ、したがって、第２電流遮断層２３６と対応する領域での透光性導電層２４０の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
透光性導電層２４０上には絶縁層２５０を配置することができ、絶縁層２５０は、一定の厚さｔ２を有することができる。したがって、第２電流遮断層２３６と垂直方向に対応する領域での絶縁層２５０の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
そして、絶縁層２５０上には第２電極２７０が配置され、第２電極２７０は、第２電流遮断層２３６に垂直方向に対応して配置され得る。そして、図２Ａとは異なり、透光性導電層２４０と第２電極２７０は直接接触しない。
そして、図２Ｂにおいて、第１電極２６０の下部方向に貫通孔が形成されている。貫通孔は、絶縁層２５０から透過性導電層２４０、第２導電型半導体層２２６及び活性層２２４を貫通して第１導電型半導体層２２２の一部にまで形成され得る。
そして、貫通孔の内部側壁には、絶縁層２５０が延びて配置され得る。貫通孔の上部には第１電極２６０が形成され、第１電極２６０は貫通孔の内部にまで延びて配置されて、貫通孔の底面で第１導電型半導体層２２２と第１電極２６０とが電気的に直接接触することができる。ここで、第１電極２６０における前記貫通孔の内部に配置された部分を貫通電極ということができる。
図３Ａ乃至図３Ｐは、発光素子の製造方法の一実施例を示す図である。
図３Ａに示したように、基板２１０上に第１発光構造物２２０を成長させる。
基板２１０は、上述したサファイアなどを使用することができ、図示していないが、発光構造物２２０の成長の前に、上述したバッファ層（図示せず）を成長させることができる。
第１導電型半導体層２２２は、化学蒸着方法（ＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、スパッタリング、または水酸化物蒸気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）などの方法で成長させることができる。第１導電型半導体層２２２の組成は、上述したものと同一であり、約１０００℃の温度で、チャンバーにトリメチルガリウムガス（ＴＭＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）、及びマグネシウム（Ｍｇ）のようなｐ型不純物を含むビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（ＥｔＣｐ２Ｍｇ）｛Ｍｇ（Ｃ２Ｈ５Ｃ５Ｈ４）２｝が注入されてｐ型ＧａＮ層が形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
そして、第１導電型半導体層２２２上に活性層２２４を成長させる。活性層２２４は、約７００℃〜８００℃の温度で、例えば、前記トリメチルガリウムガス（ＴＭＧａ）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）、及びトリメチルインジウムガス（ＴＭＩｎ）が注入されて多重量子井戸構造が形成されてもよいが、これに限定されるものではない。
そして、活性層２２４上に第２導電型半導体層２２６を成長させ、第２導電型半導体層２２６などの組成は、上述したものと同一であり得る。
第２導電型半導体層２２６は、約５００℃の温度でＺｎとＯ２を供給して成長させるものの、ｎ型ドーパントをドープすることができ、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅなどをドープすることができる。第２導電型半導体層２２６は、ＭＯＣＶＤ法、ＰＥＣＶＤ法、またはスパッタリング法などで形成することができ、Ａｌ、Ｆｅ及びＧａなどが添加されてもよい。
そして、図３Ｂ及び図３Ｃに示したように、第２導電型半導体層２２６上に第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６を成長させる。
第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６は絶縁性物質からなることができ、詳細には、ＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）またはＯＤＲ（ｏｍｎｉ−ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）であってもよく、具体的な構成は後述する。
第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６は、マスクを用いて選択的に形成されてもよく、または第２導電型半導体層２２６の全面積上に一つの電流遮断層が形成された後、選択的に除去されて第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６が形成されてもよい。
図３Ｂで第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６の断面が示されており、第１電流遮断層２３２の幅ｄ１と第２電流遮断層２３６の幅ｄ２は互いに同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。そして、第１電流遮断層２３２はパターンをなして形成され得、パターンをなす第１電流遮断層２３２の一つの部分（ｐｏｒｔｉｏｎ）の長さｄ３は、それぞれの第１電流遮断層２３２の部分（ｐｏｒｔｉｏｎ）の間の離隔長さｄ４よりも大きくてもよいが、必ずしもこれに限定されるものではない。ここで、それぞれの第１電流遮断層２３２の部分（ｐｏｒｔｉｏｎ）の間の離隔長さｄ４は、貫通孔乃至貫通電極の長さであり得る。
図３Ｃでは、図３ＢのＡ−Ａ’方向の断面が示されており、第１電流遮断層２３２の幅ｗ１と第２電流遮断層２３６の幅ｗ２は同一であってもよく、互いに異なっていてもよい。
そして、図３Ｄ乃至図３Ｆに示したように、第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６が形成された第２導電型半導体層２２６上に透光性導電層２４０を形成することができる。
図３ＤのＡ−Ａ’方向の断面が図３Ｅに示されており、図３ＤのＢ−Ｂ’方向の断面が図３Ｆに示されている。
図３Ｅにおいて、第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６の上に透光性導電層２４０が一定の厚さｔ１で配置されて、第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６に対応する領域での透光性導電層２４０の高さが、他の領域での高さよりも高い。
第２電流遮断層２３６は、互いに接続されて配置されるが、第１電流遮断層２３２は、図３Ｂ及び図３Ｄなどに示されたように、一定間隔離隔した複数個の部分（ｐｏｒｔｉｏｎ）からなることができる。そして、図３Ｆに示したように、図３ＤのＢ−Ｂ’方向の断面では、第２導電型半導体層２２６上に第２電流遮断層２３６が形成され、第１電流遮断層２３２は形成されていない。
そして、図３Ｇ及び図３Ｈに示したように、透光性導電層２４０から第２導電型半導体層２２６と活性層２２４を貫通して第１導電型半導体層２２２の一部にまで貫通孔（ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｏｌｅ）を形成することができる。
図３Ｇにおいて、貫通孔は、第１電流遮断層２３２の間の領域に形成され得る。図３ＧのＢ−Ｂ’方向の断面図が図３Ｈに示されており、このとき、図３ＧのＡ−Ａ’方向の断面図は、貫通孔が形成されないので、図３Ｅと同一であり得る。
そして、図３Ｉ乃至図３Ｋに示したように、透光性導電層２４０上に絶縁層２５０を形成することができる。
図３Ｉにおいて、絶縁層２５０は、透光性導電層２４０上に一定の厚さに形成され得る。図３Ｊに図３ＩのＡ−Ａ’方向の断面が示されており、透光性導電層２４０上に絶縁層２５０が一定の厚さｔ２に形成されて、第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６に対応する領域での絶縁層２５０の高さが、他の領域よりも高くなり得る。
図３Ｋに図３ＩのＢ−Ｂ’方向の断面が示されており、貫通孔の内部側面に絶縁層２５０が延びて配置されるものの、貫通孔の底面で第１導電型半導体層２２２が露出している。
図３Ｊ及び図３Ｋから、貫通孔は、第１電流遮断層２３２と垂直方向には重ならず、水平方向には貫通孔と第１電流遮断層２３２が一直線方向に配置されて、貫通孔と第１電流遮断層２３２の水平方向の形状は、図３Ｎの第１電極２６０の形状と似ていることがわかる。
そして、図３Ｌ及び図３Ｍに示したように、第２電流遮断層２３６上で絶縁層２５０にオープン領域（ｏｐｅｎ ｒｅｇｉｏｎ）を形成する。ここで、上述したオープン領域は、図３Ｌに示したように、貫通孔または貫通電極と水平方向に対向せずに互い違いに配置され得る。
図３Ｌ及び後述する図３Ｎなどにおいて、説明の便宜のため、オープン領域に対応して第２電流遮断層２３６を示していないが、実際にオープン領域の下部には透光性導電層２４０及び第２電流遮断層２３６が配置され得る。
図３Ｌにおいて、一つのオープン領域の長さｄ６と、それぞれのオープン領域の間で第２電流遮断層２３６が露出した長さｄ５とは互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
図３Ｍは、図３ＬのＡ−Ａ’方向の断面図であり、第２電流遮断層２３６と垂直方向に対応する領域で絶縁層２５０がエッチングなどの方法で除去され、透光性導電層２４０が露出し得る。図３ＬのＢ−Ｂ’方向の断面図は図３Ｋと同一であり得る。
そして、図３Ｎに示したように、第１電極２６０と第２電極２７０を蒸着などの方法で配置する。第１電極２６０と第２電極２７０は、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）のうちの少なくとも１つを含んで単層または多層構造で形成されてもよい。
第１電極２６０は、第１ボンディングパッド２６２及び第１枝電極２６６からなることができ、第２電極２７０は、第２ボンディングパッド２７２及び第２枝電極２７６からなることができる。
第１ボンディングパッド２６２と第２ボンディングパッド２７２は、それぞれ発光素子の第１縁領域と第２縁領域に配置されてワイヤがボンディングされてもよく、第１縁領域と第２縁領域は、図３Ｎなどにおいて、互いに対向する角部上の領域であり得る。
そして、図３Ｎにおいて、第１枝電極２６６は、上述した貫通孔（貫通電極）及び第１電流遮断層２３２と垂直方向に重なる領域に配置され得る。
第１電極２６０及び第２電極２７０は、上述した材料を用いて蒸着などの方法で形成することができ、第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６にそれぞれ対応させて蒸着することができる。
図３Ｎにおいて、第２枝電極２７６の一部は、第２電流遮断層２３６と垂直方向に重なるように配置することができる。
図３Ｏ、図３Ｐ及び図３Ｑに、完成された発光素子のＡ−Ａ’方向の断面図、Ｂ−Ｂ’方向の断面図及びＣ−Ｃ’方向の断面図がそれぞれ示されており、図３Ｏと図３Ｐは、図２Ａ及び図２Ｂに示された発光素子２００と同一である。
実施例に係る発光素子２００は、第２導電型半導体層２２６と第２電極２７０との間に、第２電流遮断層２３６と透光性導電層２４０と絶縁層２５０が配置され得、透光性導電層２４０がオープンされた領域では、第２導電型半導体層２２６と第２電極２７０との間に、第２電流遮断層２３６と透光性導電層２４０が配置され得る。
そして、第１導電型半導体層２２２に対応する領域に形成された貫通孔を介して、第１電極２６０が第１導電型半導体層２２２と電気的に直接接触することができる。そして、貫通孔が形成されていない領域において、第１電流遮断層２３２上に透光性導電層２４０と絶縁層２５０と第１電極２６０が配置され得る。
図３Ｑには、発光素子のＣ−Ｃ’方向の断面図が示されている。図３Ｑで第１電極２６０の隣接領域の断面は図３Ｐと似ており、第２電極２７０の隣接領域の断面は図３Ｏと似ている。
図４Ａ乃至図４Ｈは、発光素子の製造方法の他の実施例を示す図である。以下で本実施例に係る発光素子の製造方法を、上述した実施例と異なる点を中心に説明する。
第１電流遮断層２３２と第２電流遮断層２３６が形成された第２導電型半導体層２２６上に透光性導電層２４０を形成することができ、図４Ａでは、Ａ−Ａ’方向の断面が示されており、図４Ｂでは、Ｂ−Ｂ’方向の断面が示されている。
図４Ａにおいて、第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６の上に透光性導電層２４０が厚さｔ３で配置され、ここでの厚さｔ３は、図３Ｅでの厚さｔ１と同一であってもよく、異なっていてもよい。そして、上述した実施例とは異なり、透光性導電層２４０の上部面が平坦に形成されることで、透光性導電層２４０の厚さが一定でなくてもよい。したがって、上述した厚さｔ３は、透光性導電層２４０において第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６が配置されていない領域での厚さであり得る。
そして、透光性導電層２４０の厚さは、第１電流遮断層２３２及び第２電流遮断層２３６にそれぞれ垂直方向に対応する領域において最も薄くなり得る。
そして、図４Ｃに示したように、透光性導電層２４０から第２導電型半導体層２２６と活性層２２４を貫通して第１導電型半導体層２２２の一部にまで貫通孔を形成することができる。
図４Ｃには、発光素子のＢ−Ｂ’方向の断面図が示されており、このとき、発光素子のＡ−Ａ’方向の断面図には貫通孔が形成されていない。
そして、図４Ｄ及び図４Ｅに示したように、透光性導電層２４０上に絶縁層２５０を形成することができる。
図４Ｄには、発光素子のＡ−Ａ’方向の断面が示されており、絶縁層２５０は、透光性導電層２４０上に一定の厚さｔ４に形成することができ、ここでの厚さｔ４は、上述した実施例における絶縁層２５０の厚さｔ２と同一であってもよく、異なっていてもよい。
図４Ｅには、発光素子のＢ−Ｂ’方向の断面が示されており、貫通孔の内部側面に絶縁層２５０が延びて配置されるものの、貫通孔の底面で第１導電型半導体層２２２が露出している。
そして、図４Ｆに示したように、第２電流遮断層２３６と対応する領域で絶縁層２５０にオープン領域を形成する。ここで、上述したオープン領域は、貫通孔または貫通電極と水平方向に対向せずに互い違いに配置され得る（図３Ｌなど参照）。
図４Ｇ及び図４Ｈには、完成された発光素子のＡ−Ａ’方向の断面図とＢ−Ｂ’方向の断面図がそれぞれ示されている。
図４Ｇにおいて、絶縁層２５０の上述したオープン領域上に第２電極２７０が配置されて、第２電極２７０の底面は透光性導電層２４０と接触し、側面の一部は絶縁層２５０と接触することができ、第１電極２６０は、絶縁層２５０の表面に配置されて透光性導電層２４０と電気的に分離されている。
図４Ｈにおいて、第２電極２７０は、絶縁層２５０の表面に配置されて透光性導電層２４０と電気的に分離されており、第１電極２６０は、貫通孔を介して第１導電型半導体層２２２と電気的に直接接触することができる。
図５Ａ及び図５Ｂは、発光素子の電流遮断層の一実施例を示す図である。
電流遮断層３００ａは、上述した第１電流遮断層２３２または第２電流遮断層２３６のうちの少なくとも１つであってもよい。電流遮断層３００ａは、ＤＢＲ（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）またはＯＤＲ（ｏｍｎｉ−ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）であってもよく、複数個の絶縁層が交互に配置されるとき、ＤＢＲであり得、絶縁層と導電層が交互に配置されるとき、ＯＤＲであり得る。ここで、上述した導電層は金属からなることができる。
図５Ａにおいて、電流遮断層３００ａは第１層３１０と第２層３２０が交互に配置され得る。第１層３１０と第２層３２０は絶縁性物質をそれぞれ含むことができ、一例として、それぞれＴｉＯ２、ＳｉＯ２などを含むことができる。
例えば、第１層３１０として、屈折率が２．４〜３．０であるＴｉＯ２が使用され、第２層３２０として、屈折率が１．４〜１．４５であるＳｉＯ２が使用されてもよい。
第１層３１０と第２層３２０は、上述した組み合わせ以外に、ＳｉＯ２、ＳｉｘＯｙ、ＡｌＡｓ、ＧａＡｓ、ＡｌｘＩｎｙＰ、ＧａｘＩｎｙＰなどを含んで配置されてもよい。
図５Ｂにおいて、電流遮断層３００ａは、第１層３１０、第２層３２０及び第３層３３０が交互に配置され得る。第１層３１０、第２層３２０及び第３層３３０は、ＧａＮ、ＧａＰ、ＳｉＯ２、ＲｕＯ２、Ａｇなどを含むことができる。例えば、第１層３１０としてＧａＰが使用され、第２層３２０としてＳｉＯ２が使用され、第３層３３０としてＡｇが使用されてもよく、このとき、電流遮断層３００ａはＯＤＲとして作用できる。
上述した発光素子は、第１電流遮断層と第２電流遮断層がＤＢＲ又はＯＤＲなどの反射層として形成されることで、活性層から放出されて第１電極又は第２電極に進む光を反射することができ、したがって、上述した光が第１電極や第２電極で吸収されることを防止することができる。
そして、図２Ａなどにおいて、発光素子のＡ−Ａ’方向の断面で第１電流遮断層上に絶縁層が配置され、Ｂ−Ｂ’方向の断面で第２電流遮断層上に絶縁層が配置されており、このような構造は、特定の波長領域で光出力が減少することを防止することができる。
図６Ａ及び図６Ｂは、実施例に係る発光素子の波長領域別光出力を示したシミュレーション結果及び測定結果を示す。
図６Ａ及び図６Ｂにおいて、濃い線で表示された従来の発光素子は、約４５０ｎｍの波長領域で光出力が急激に減少するが、淡い線で表示された発光素子はそうでないことがわかる。
実施例に係る発光素子は、第１電極と第２電極が第１導電型半導体層と透光性導電層にそれぞれ貫通孔とオープン領域で接触するポイントコンタクト構造であり得、電流遮断層として、ＤＢＲまたはＯＤＲを使用している。貫通孔とオープン領域を除いた領域に絶縁層が配置されるので、上述したＤＢＲまたはＯＤＲで反射された光、特に青色波長領域の光が絶縁層で吸収される程度が、従来よりも減少することができる。
図７Ａ及び図７Ｂは、実施例に係る発光素子及び従来の発光素子から放出された光の波長分布と光出力をそれぞれ示した図である。
図７Ａにおいて、左側半円領域は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で電流遮断層を形成した発光素子の波長分布を示した図であり、右側半円領域は、実施例に係るＤＢＲで電流遮断層を形成した発光素子の波長分布を示した図である。
図７Ａの左側半円領域の発光素子の波長分布の平均は４５０．９ｎｍであり、図７Ａの右側半円領域の発光素子の波長分布の平均は４５０．４ｎｍであり、実施例に係る発光素子から放出される光の波長分布が、従来とあまり差がないことがわかる。
図７Ｂにおいて、左側半円領域は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）で電流遮断層を形成した発光素子の光出力を示した図であり、右側半円領域は、実施例に係るＤＢＲで電流遮断層を形成した発光素子の光出力を示した図である。
図７Ｂの左側半円領域の発光素子の光出力は１２２．３ｍＷであり、図７Ｂの右側半円領域の発光素子の光出力は１２４．５ｍＷであり、実施例に係る発光素子の光出力が、従来に比べて向上したことがわかる。
図８は、上述した発光素子が配置された発光素子パッケージの一実施例を示す図である。
実施例に係る発光素子パッケージ４００は、キャビティを含むボディー４１０と、前記ボディー４１０に設置された第１リードフレーム（Ｌｅａｄ Ｆｒａｍｅ）４２１及び第２リードフレーム４２２と、前記ボディー４１０に設置され、前記第１リードフレーム４２１及び第２リードフレーム４２２と電気的に接続される上述した実施例に係る発光素子２００と、前記キャビティに形成されたモールディング部４６０とを含む。
ボディー４１０は、シリコン材質、合成樹脂材質、または金属材質を含んで形成されてもよい。前記ボディー４１０が金属材質などの導電性物質からなると、図示していないが、前記ボディー４１０の表面に絶縁層がコーティングされて、前記第１、２リードフレーム４２１，４２２間の電気的短絡を防止することができる。パッケージボディー４１０にはキャビティが形成され、キャビティの底面に発光素子２００が配置され得る。
第１リードフレーム４２１及び第２リードフレーム４２２は互いに電気的に分離され、前記発光素子２００に電流を供給する。また、第１リードフレーム４２１及び第２リードフレーム４２２は、発光素子２００から発生した光を反射させて光効率を増加させることができ、発光素子２００から発生した熱を外部に排出させることもできる。
発光素子２００は、上述した実施例によるものであってもよく、第１リードフレーム４２１と第２リードフレーム４２２にワイヤ４４０を介して電気的に接続可能である。
発光素子２００は、パッケージボディー４１０の底面に導電性ペースト（図示せず）などで固定されてもよく、前記モールディング部４６０は、前記発光素子２００を包囲して保護することができ、モールディング部４６０内には蛍光体４７０が含まれることで、発光素子２００から放出された第１波長領域の光によって蛍光体４７０が励起されて第２波長領域の光を放出することができる。
発光素子パッケージ４００は、上述した実施例に係る発光素子のうちの１つまたは複数個を搭載することができ、これに限定されない。
上述した発光素子乃至発光素子パッケージは、照明システムの光源として使用することができ、一例として、映像表示装置のバックライトユニットと照明装置などの発光装置に使用することができる。
映像表示装置のバックライトユニットに使用されるとき、エッジタイプのバックライトユニットに使用されるか、または直下タイプのバックライトユニットに使用されてもよく、照明装置に使用されるとき、灯器具やバルブタイプの光源として使用されてもよい。
以上、実施例を中心に説明したが、これは単なる例示であり、本発明を限定するものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上で例示していない様々な変形及び応用が可能であるということが理解されるであろう。例えば、実施例に具体的に示した各構成要素は変形実施が可能である。そして、このような変形及び応用に係る差異点は、添付の特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈しなければならない。
Claims (15)
- 第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を含む発光構造物と、
前記発光構造物上に選択的に配置される第１電流遮断層及び第２電流遮断層と、
前記第１電流遮断層、第２電流遮断層及び前記発光構造物の上に配置される透光性導電層と、
前記第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層にそれぞれ電気的に接続される第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と前記第１電流遮断層との間、及び前記第２電極と前記第２電流遮断層との間に配置された絶縁層と、を含み、
前記絶縁層と前記透光性導電層と前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部の領域にまで貫通孔が形成され、
前記貫通孔内に貫通電極が配置される、発光素子。 - 前記貫通電極は、前記第１電流遮断層と垂直方向に重ならない、請求項１に記載の発光素子。
- 前記貫通電極と前記第１電流遮断層は水平方向に一直線方向に配置される、請求項１又は２に記載の発光素子。
- 前記貫通孔内で前記貫通電極の周りに前記絶縁層が延びて配置された、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１電極は、第１ボンディングパッド及び第１枝電極を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第１ボンディングパッドは、前記発光素子の第１縁領域に配置される、請求項５に記載の発光素子。
- 前記第１枝電極は、前記貫通電極及び前記第１電流遮断層と垂直方向に少なくとも一部が重なる、請求項５又は６に記載の発光素子。
- 前記貫通電極の長さは、隣接する貫通電極間の距離よりも小さい、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第２電極は、第２ボンディングパッド及び第２枝電極を含む、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
- 前記第２ボンディングパッドは、前記発光素子の第２縁領域に配置される、請求項９に記載の発光素子。
- 前記第２枝電極の一部は、前記第２電流遮断層と垂直方向に重なる、請求項９又は１０に記載の発光素子。
- 前記絶縁層の一部がオープンされてオープン領域をなし、前記オープン領域で前記透光性導電層が露出する、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
- 前記オープン領域で前記透光性導電層と前記第２電極とが直接接触する、請求項１２に記載の発光素子。
- 前記オープン領域と前記貫通電極は水平方向に互い違いに配置される、請求項１２又は１３に記載の発光素子。
- 前記第１電流遮断層及び第２電流遮断層のうちの少なくとも１つはＤＢＲまたはＯＤＲである、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子。
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|---|---|---|---|---|
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| CN106057998A (zh) * | 2016-08-10 | 2016-10-26 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法 |
| TWI702737B (zh) * | 2017-01-24 | 2020-08-21 | 晶元光電股份有限公司 | 發光二極體元件 |
| DE102017117164A1 (de) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip, Hochvolthalbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips |
| US10693042B2 (en) | 2017-11-23 | 2020-06-23 | Lg Display Co., Ltd. | Light-emitting device and display device using the same |
| CN110010738A (zh) * | 2019-04-28 | 2019-07-12 | 福建兆元光电有限公司 | 半导体发光元件及其制造方法 |
| TWI741854B (zh) * | 2020-10-26 | 2021-10-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件 |
| CN113707779A (zh) * | 2021-08-30 | 2021-11-26 | 安徽三安光电有限公司 | 发光二极管及发光装置 |
| CN114050209B (zh) * | 2021-10-26 | 2024-01-09 | 厦门三安光电有限公司 | 发光二极管 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007180504A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造の窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008210903A (ja) * | 2007-02-25 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| EP2482345A1 (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2013135234A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
| JP2014500624A (ja) * | 2010-11-18 | 2014-01-09 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | 電極パッドを有する発光ダイオードチップ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721147B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2007-05-22 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 |
| KR101762787B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2017-07-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명 시스템 |
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| KR101916140B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2018-11-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
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Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2007180504A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 垂直構造の窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2008210903A (ja) * | 2007-02-25 | 2008-09-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| JP2014500624A (ja) * | 2010-11-18 | 2014-01-09 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッド | 電極パッドを有する発光ダイオードチップ |
| EP2482345A1 (en) * | 2011-01-27 | 2012-08-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP2013135234A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018113442A (ja) * | 2017-01-06 | 2018-07-19 | ソウル バイオシス カンパニー リミテッドＳｅｏｕｌ Ｖｉｏｓｙｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 電流遮断層を有する発光素子 |
| WO2020196739A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | ウシオオプトセミコンダクター株式会社 | 赤外ｌｅｄ素子 |
| CN113646907A (zh) * | 2019-03-28 | 2021-11-12 | 优志旺电机株式会社 | 红外led元件 |
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