JP2016086192A - モジュール式設計態様を有するパワーモジュール及びパワーモジュール・アレイ - Google Patents
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- 238000003491 array Methods 0.000 title description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- -1 but not limited to Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2039—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating characterised by the heat transfer by conduction from the heat generating element to a dissipating body
- H05K7/20509—Multiple-component heat spreaders; Multi-component heat-conducting support plates; Multi-component non-closed heat-conducting structures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/20—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
- H05K7/2089—Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
- H05K7/209—Heat transfer by conduction from internal heat source to heat radiating structure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
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- Thermal Sciences (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明のパワーモジュールは、モジュール支持体と、高温モジュールと、モジュール・キャップとを含む。モジュール支持体は、フレーム部材と、熱拡散体と、第1の導電レールと、第2の導電レールとを含む。高温モジュールは、モジュール基板と、モジュール基板の半導体側表面に対して熱的及び電気的の少なくともいずれか一方にて結合された半導体デバイスと、第1の外部コネクタと、第2の外部コネクタとを含む。第1及び第2の導電レールは、夫々、第1及び第2外部コネクタの貫通孔内に配設される。モジュール・キャップは、本体部分と、複数本の支柱と、第1開口と、第2開口とを含む。高温モジュールが熱拡散体に対して熱的に結合される如く、複数本の支柱は、少なくとも、第1の外部コネクタ、第2の外部コネクタ、及び、モジュール基板を押圧する。
【選択図】図1
Description
120 モジュール支持体
122 熱拡散体
124 フレーム部材
130A 第1の導電レール
130B 第2の導電レール
140、140'、140" 高温モジュール
142A 第1の半導体デバイス
142B 第2の半導体デバイス
146A 第1の導電外部コネクタ
146B 第2の導電外部コネクタ
150 モジュール基板
160、160' モジュール・キャップ
Claims (20)
- モジュール支持体であって、
該モジュール支持体は、
フレーム部材と、
該フレーム部材により囲繞された熱拡散体であって、頂面を備えるという熱拡散体と、
前記フレーム部材の第1縁部の表面から延在する第1の導電レール、及び、前記フレーム部材の第2縁部の表面から延在する第2の導電レールと、
を備える、
というモジュール支持体と;
高温モジュールであって、
該高温モジュールは、
半導体側表面と熱伝達表面とを有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の前記半導体側表面に対して熱的及び電気的の少なくともいずれか一方にて結合された半導体デバイスと、
前記半導体デバイスに対して電気的に結合された第1の外部コネクタ、及び、前記半導体デバイスに対して電気的に結合された第2の外部コネクタと、を備え、
前記第1の外部コネクタは前記第1の導電レールに対して電気的に結合されると共に、前記第2の外部コネクタは前記第2の導電レールに対して電気的に結合される如く、前記第1及び第2の導電レールは、夫々、前記第1及び第2の外部コネクタの貫通孔内に配設され、
前記モジュール基板の前記熱伝達表面は、前記熱拡散体の前記頂面に接触する、
という高温モジュールと;
本体部分と、該本体部分から延在する複数本の支柱と、第1開口と、第2開口とを備えるモジュール・キャップと;
を備えるパワーモジュールであって、
前記第1及び第2の導電レールは、夫々、前記モジュール・キャップの前記第1及び第2の開口内に配設され、
前記高温モジュールの前記熱伝達表面が前記熱拡散体に対して熱的に結合される如く、前記複数本の支柱は、少なくとも、前記第1の外部コネクタ、前記第2の外部コネクタ、及び、前記モジュール基板を押圧する、
パワーモジュール。 - 前記モジュール・キャップは前記モジュール支持体に対して一つ以上の締結具により結合される、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記一つ以上の締結具は、前記第1の導電レールの回りに配設された第1締結具であって、前記モジュール・キャップの前記本体部分の上側表面に接触するという第1締結具と、前記第2の導電レールの回りに配設された第2締結具であって、前記モジュール・キャップの前記本体部分の前記上側表面に接触するという第2締結具とを備える、請求項2に記載のパワーモジュール。
- 前記フレーム部材の前記第1縁部の表面は、第1凹所と、該第1凹所内における第1の導電パッドとを備え、
前記第1の導電レールは、前記第1の導電パッドに対して電気的に結合され且つそれから延在し、
前記フレーム部材の前記第2縁部の表面は、第2凹所と、該第2凹所内における第2の導電パッドとを備え、
前記第2の導電レールは、前記第2の導電パッドに対して電気的に結合され且つそれから延在する、請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記複数本の支柱は、第1の外側支柱及び第2の外側支柱を含み、
前記第1の導電レールが前記第1の外側支柱内に配設される如く、前記モジュール・キャップの前記第1開口は前記第1の外側支柱を貫通延在し、
前記第2の導電レールが前記第2の外側支柱内に配設される如く、前記モジュール・キャップの前記第2開口は前記第2の外側支柱を貫通延在する、請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記第1の外側支柱は前記第1の外部コネクタを、前記フレーム部材の前記第1縁部の表面上の第1の導電パッドであって前記第1の導電レールに対して電気的に結合されているという第1の導電パッド上へと押圧し、
前記第2の外側支柱は前記第2の外部コネクタを、前記フレーム部材の前記第2縁部の表面上の第2の導電パッドであって前記第2の導電レールに対して電気的に結合されているという第2の導電パッド上へと押圧する、請求項5に記載のパワーモジュール。 - 前記複数本の支柱の内の少なくとも一本の個別的な支柱は、前記モジュール基板と、前記第1の外部コネクタもしくは前記第2の外部コネクタの一方とに対して接触する、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記複数本の支柱は導電性でない、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記モジュール基板は、セラミック誘電層と、該セラミック誘電層の第1表面上に配設された第1金属層と、前記セラミック誘電層の第2表面上に配設された第2金属層とを備える、請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記第1金属層は、複数の電気絶縁領域を備える、請求項9に記載のパワーモジュール。
- 前記半導体デバイスは、前記複数の電気絶縁領域の内の一つ以上の個別的な電気絶縁領域に対して電気的に結合される、請求項10に記載のパワーモジュール。
- 前記第1の外部コネクタは前記半導体デバイスに対し、一つ以上の第1ブリッジ・コネクタにより電気的に結合され、
前記第2の外部コネクタは前記半導体デバイスに対し、一つ以上の第2ブリッジ・コネクタにより電気的に結合される、請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記第1の外部コネクタ及び前記第2の外部コネクタは前記半導体デバイスに対し、リードフレームもしくはワイヤボンディングにより電気的に結合される、請求項1に記載のパワーモジュール。
- モジュール支持体であって、
該モジュール支持体は、
フレーム部材と、
該フレーム部材により囲繞された熱拡散体であって、頂面を備えるという熱拡散体と、
前記フレーム部材の第1縁部の表面から延在する第1の導電レール、及び、前記フレーム部材の第2縁部の表面から延在する第2の導電レールと、
を備える、
というモジュール支持体と;
高温モジュールであって、
該高温モジュールは、
第1表面及び第2表面を有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の前記第1表面に対して結合された第1の外部コネクタ及び第2の外部コネクタと、を備え、
前記第1の外部コネクタは前記第1の導電レールに対して電気的に結合されると共に、前記第2の外部コネクタは前記第2の導電レールに対して電気的に結合される如く、前記第1及び第2の導電レールは、夫々、前記第1及び第2の外部コネクタの貫通孔内に配設され、
前記モジュール基板の前記第2伝達表面は、前記熱拡散体の前記頂面に接触する、
という高温モジュールと;
本体部分と、該本体部分から延在する複数本の支柱と、第1開口と、第2開口とを備えるモジュール・キャップと;
を備えるパワーモジュールであって、
前記第1及び第2の導電レールは、夫々、前記モジュール・キャップの前記第1及び第2の開口内に配設され、
前記高温モジュールの前記熱伝達表面が前記熱拡散体に対して熱的に結合される如く、前記複数本の支柱は、少なくとも、前記第1の外部コネクタ、前記第2の外部コネクタ、及び、前記モジュール基板を押圧し、
前記第1の導電レールの回りには第1締結具が配設され且つ該第1締結具は前記モジュール・キャップの前記本体部分の上側表面に接触すると共に、前記第2の導電レールの回りには第2締結具が配設され且つ該第2締結具は前記モジュール・キャップの前記本体部分の前記上側表面に接触する、
パワーモジュール。 - 前記本体部分の前記上側表面の近傍において前記第1および第2の導電レールの一部分は螺条形成され、前記第1締結具および前記第2締結具は蝶ナットとして構成される、請求項14に記載のパワーモジュール。
- 前記第1締結具および前記第2締結具はクランプとして構成される、請求項14に記載のパワーモジュール。
- 前記フレーム部材の前記第1表面は、第1凹所と、該第1凹所内の第1の導電パッドとを備え、
前記第1の導電レールは、前記第1の導電パッドに対して電気的に結合され且つそれから延在し、
前記フレーム部材の前記第2表面は、第2凹所と、該第2凹所内の第2の導電パッドとを備え、
前記第2の導電レールは、前記第2の導電パッドに対して電気的に結合され且つそれから延在する、請求項14に記載のパワーモジュール。 - 前記複数本の支柱は、第1の外側支柱および第2の外側支柱を含み、
前記第1の導電レールが前記第1の外側支柱内に配設される如く、前記モジュール・キャップの前記第1開口は前記第1の外側支柱を貫通延在し、
前記第2の導電レールが前記第2の外側支柱内に配設される如く、前記モジュール・キャップの前記第2開口は前記第2の外側支柱を貫通延在する、請求項14に記載のパワーモジュール。 - 前記第1の外側支柱は前記第1の外部コネクタを、前記フレーム部材の前記第1表面上の第1の導電パッドであって前記第1の導電レールに対して電気的に結合されているという第1の導電パッド上へと押圧し、
前記第2の外側支柱は前記第2の外部コネクタを、前記フレーム部材の前記第2表面上の第2の導電パッドであって前記第2の導電レールに対して電気的に結合されているという第2の導電パッド上へと押圧する、請求項18に記載のパワーモジュール。 - 第1パワーモジュール及び第2パワーモジュールを備えるパワーモジュール・アレイであって、
前記第1パワーモジュール及び前記第2パワーモジュールの各々は、
モジュール支持体であって、
該モジュール支持体は、
フレーム部材と、
該フレーム部材により囲繞された熱拡散体であって、頂面を備えるという熱拡散体と、
前記フレーム部材の第1縁部の表面から延在する第1の導電レール、及び、前記フレーム部材の第2縁部の表面から延在する第2の導電レールと、
を備える、
というモジュール支持体と;
高温モジュールであって、
該高温モジュールは、
第1表面及び第2表面を有するモジュール基板と、
前記モジュール基板の前記第1表面に対して結合された第1の外部コネクタ及び第2の外部コネクタと、を備え、
前記第1の外部コネクタは前記第1の導電レールに対して電気的に結合されると共に、前記第2の外部コネクタは前記第2の導電レールに対して電気的に結合される如く、前記第1及び第2の導電レールは、夫々、前記第1及び第2の外部コネクタの貫通孔内に配設され、
前記モジュール基板の前記第2伝達表面は、前記熱拡散体の前記頂面に接触する、
という高温モジュールと;
本体部分と、該本体部分から延在する複数本の支柱と、第1開口と、第2開口とを備えるモジュール・キャップと;
を備え、
前記第1及び第2の導電レールは、夫々、前記モジュール・キャップの前記第1及び第2の開口内に配設され、
前記高温モジュールの前記熱伝達表面が前記熱拡散体に対して熱的に結合される如く、前記複数本の支柱は、少なくとも、前記第1の外部コネクタ、前記第2の外部コネクタ、及び、前記モジュール基板を押圧し、
前記第1パワーモジュールは前記第2パワーモジュールに関して垂直方向にもしくは横方向に配置される、
パワーモジュール・アレイ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/652,037 | 2012-10-15 | ||
US13/652,037 US8847384B2 (en) | 2012-10-15 | 2012-10-15 | Power modules and power module arrays having a modular design |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013161374A Division JP5887312B2 (ja) | 2012-10-15 | 2013-08-02 | モジュール式設計態様を有するパワーモジュール及びパワーモジュール・アレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016086192A true JP2016086192A (ja) | 2016-05-19 |
JP6105770B2 JP6105770B2 (ja) | 2017-03-29 |
Family
ID=50475131
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013161374A Expired - Fee Related JP5887312B2 (ja) | 2012-10-15 | 2013-08-02 | モジュール式設計態様を有するパワーモジュール及びパワーモジュール・アレイ |
JP2016026006A Expired - Fee Related JP6105770B2 (ja) | 2012-10-15 | 2016-02-15 | モジュール式設計態様を有するパワーモジュール及びパワーモジュール・アレイ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013161374A Expired - Fee Related JP5887312B2 (ja) | 2012-10-15 | 2013-08-02 | モジュール式設計態様を有するパワーモジュール及びパワーモジュール・アレイ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8847384B2 (ja) |
JP (2) | JP5887312B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9818733B2 (en) * | 2011-06-27 | 2017-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Power converters having capacitive energy transfer elements and arrangements of energy storage elements for power converters |
US9041183B2 (en) * | 2011-07-19 | 2015-05-26 | Ut-Battelle, Llc | Power module packaging with double sided planar interconnection and heat exchangers |
JP5542765B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2014-07-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュール |
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- 2013-08-02 JP JP2013161374A patent/JP5887312B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2014
- 2014-08-21 US US14/465,264 patent/US9642285B2/en active Active
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JP6105770B2 (ja) | 2017-03-29 |
JP2014082458A (ja) | 2014-05-08 |
US20140362537A1 (en) | 2014-12-11 |
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