JP2016086148A - 発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】サイドビュー型の発光装置として取り付ける場合に、安定した取り付けが可能な発光装置を提供する。
【解決手段】半導体積層体１０と、半導体積層体１０の一方の主面側でｐ型半導体層、ｎ型半導体層とそれぞれ電気的に接続されたｐ側導電体１２、ｎ側導電体１４と、樹脂層１６とを備える発光装置１００において、樹脂層１６は、上面と下面とを有し、下面において半導体積層体１０の他方の主面が露出しており、ｐ側導電体１２は、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂと、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂを互いに接続するｐ側導電部材１２ｃとを有し、ｎ側導電体１４は、ｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂと、ｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂを互いに接続するｎ側導電部材１４ｃとを有し、平面視において、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂおよびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂはいずれも、一部が半導体積層体１０の外側にある。
【選択図】図２

Description

本発明は発光装置およびその製造方法に関する。

発光ダイオード等の発光チップ（発光素子）を用いた発光装置は小型化が容易で且つ高い発光効率が得られることから広く用いられている。発光装置として、例えば、特許文献１には、図１０に示すように、基板１上にｎ型半導体層２と、ｐ型半導体層３とが積層され、ｎ型半導体層２に設けられたｎ型電極４に導電体６を設け、ｐ型半導体層３に設けられたｐ型電極５に導電体７を設けており、導電体６の接続部６ｃ及び導電体７の接続部７ｃが、対応する導電体６の上部９及び導電体７の上部１０とは異なる位置に形成されているフリップチップ型の半導体素子２００が提案されている。この半導体素子２００は、導電体６および７の接続部６ｃおよび７ｃを、第１および第２の電極１３、１４と位置合わせして、導電性接着剤１１、１２により電気的に接続し、基板１側から光を取り出すものである。

特許文献２には、発光装置ではないが、光検出部を一方の面に有する半導体素子を樹脂封止した半導体装置において、半導体素子の一方の面側の樹脂表面に設けられた内部電極と、半導体素子の他方の面側の樹脂表面に露出して設けられた外部電極と、を備える半導体装置が提案されている。この半導体装置において、内部電極は、バンプを介して半導体素子の端子電極が接続され、外部電極とワイヤを介して接続されている。

特許文献１および２に記載の装置は、装置の上面または下面（半導体から見て半導体のｐ電極、およびｎ電極が設けられている側を上側、その反対側を下側とする）に実装基板に取り付けるための電極を設け、装置の上面および下面が実装基板の実装面と平行となるように実装するものである。

特許文献３には、発光装置の一方の面側に樹脂層が形成されており、樹脂層の側面に外部端子が設けられている発光装置が提案されている。この発光装置は、発光面が実装基板に対して垂直となるように実装することでサイドビュー型の発光装置となる。

特開２００３−２８２９５７号公報 特開２００８−２５１７９４号公報 特開２０１２−１４６８９８号公報

しかしながら、上記従来の発光装置を実装したときに、半田等の接着部材が固化するときの収縮等の影響を受けて、発光装置を安定して実装することが難しいことがある。具体的には、接着部材の収縮により発光装置が引っ張られることで発光装置の光取り出し面に傾きが生じ、所望の方向に光を取り出すことができなくなることがある。特に、特許文献３に記載されているようなサイドビュー型の発光装置では、接着部材の収縮により発光装置の光取り出し面に傾きが生じやすい傾向にある。

本発明は、サイドビュー型の発光装置として実装基板に安定的に実装することが可能な発光装置を提供することを目的とする。

本発明の一実施形態は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有する半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の主面側で前記ｐ型半導体層と電気的に接続されたｐ側導電体と、前記半導体積層体の一方の主面側で前記ｎ型半導体層と電気的に接続されたｎ側導電体と、前記半導体積層体の一方の主面側および側面側を被覆する樹脂層と、を備えている。そして、前記樹脂層は、前記半導体積層体の一方の主面側に位置する上面と、前記半導体積層体の他方の主面側に位置する下面と、を有し、前記下面において前記半導体積層体の他方の主面が露出しており、前記ｐ側導電体は、前記樹脂層の上面および下面それぞれに設けられるｐ側外部接続用電極と、前記樹脂層内に位置しかつ前記ｐ側外部接続用電極を互いに接続するｐ側導電部材と、を有し、前記ｎ側導電体は、前記樹脂層の上面および下面それぞれに設けられるｎ側外部接続用電極と、前記樹脂層内に位置しかつ前記ｎ側外部接続用電極を互いに接続するｎ側導電部材と、を有し、平面視において、前記ｐ側外部接続用電極および前記ｎ側外部接続用電極はいずれも、一部が前記半導体積層体の外側にある、発光装置である。

上記発光装置によれば、サイドビュー型のものとして実装したときに、接着部材を発光装置の上面および下面のそれぞれに位置させることができるため、安定した実装が可能となる。

実施の形態１に係る発光装置の概略斜視図である。 図１に示す発光装置のＡ−Ａ’断面を示す概略断面図である。 実施の形態１の発光装置を取り付けた状態を示す概略側面図である。 （ａ）は実施の形態１の変形例に係る発光装置の概略平面図であり、（ｂ）はその概略側面図である。 実施の形態１の変形例に係る発光装置の概略平面図（上面図）である。 （ａ）および（ｂ）は、ｐ側導電部材の２つの端部の位置関係を示す概略断面図である。 ｐ側導電部材およびｎ側導電部材の両端部の位置関係を示す概略平面図である。 （ａ）〜（ｈ）は、実施の形態２に係る発光装置の製造方法の各工程を示す概略断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、実施の形態２の変形例に係る発光装置の製造方法の一工程を示す概略断面図である。 従来の発光装置を示す概略断面図である。

以下、図面に基づいて本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す形態に限定されるものではない。また、各実施形態およびその変形例において説明した事項は、特に断りのない限り、他の実施形態および変形例にも適用することができる。さらに、複数の図面に現れる同一符号の部分は同一の部分または部材を示す。なお、添付の図面には、発明の理解を容易にする目的で、誇張して表現している部分がある点に留意されたい。

実施の形態を含む本明細書において、「上」「下」「左」「右」という用語は、位置および方向を示すために、相対的に、または便宜的に用いられ、発光装置の使用時等における絶対的な位置や方向を表すものではない。

＜実施の形態１：発光装置＞
本実施の形態の発光装置を図１および図２に示す。図１は、発光装置の斜視図、図２は、図１に示す発光装置のＡ−Ａ’線断面図である。
本実施の形態１の発光装置１００は、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有する半導体積層体１０と、ｐ側導電体１２と、ｎ側導電体１４と、樹脂層１６とを備えている。ｐ側導電体１２は、ｐ側外部接続用電極１２ｂ、１２ａを樹脂層１６の上面および下面にそれぞれ有し、かつｐ側外部接続用電極１２ｂ、１２ａを互いに接続するｐ側導電部材１２ｃを有する。ｎ側導電体１４は、ｎ側外部接続用電極１４ｂ、１４ａを樹脂層１６の上面および下面にそれぞれ有し、かつｎ側外部接続用電極１４ｂ、１４ａを互いに接続するｎ側導電部材１４ｃを有する。後述するとおり、樹脂層１６の下面は半導体積層体１０が露出している側の面であり、樹脂層１６の上面はその反対側の面である。

（半導体積層体）
半導体積層体１０は、ｐ型半導体層１０ａとｎ型半導体層１０ｂとを積層した構造を備えており、ｐ型半導体層１０ａとｎ型半導体層１０ｂとの間に活性層１０ｄを備えることが好ましい。本実施の形態に係る発光装置においては、ｐ型半導体層１０ａとｎ型半導体層１０ｂとの間に電流を通電することにより発光するようになっている。半導体積層体１０は所望の発光色および輝度等に応じて、Ｉｎ_ＸＡｌ_ＹＧａ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｎ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化物系の半導体化合物で構成される。半導体の構造は、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合、またはＰＮ接合を有するホモ構造、ヘテロ構造、またはダブルヘテロ構造のいずれであってもよい。また活性層１０ｄは、量子効果が生じる薄膜を積層した単一量子井戸構造または多重量子井戸構造としてもよい。

本実施の形態において、半導体積層体１０の一方の主面には、ｐ型半導体層１０ａに接続されるｐ側パッド電極１１ａ、およびｎ型半導体層１０ｂに接続されるｎ側パッド電極１１ｂが形成されている。ここで、半導体積層体１０の主面とは、半導体積層体を規定する表面のうち、ｐ型半導体層１０ａおよびｎ型半導体層１０ｂが積層される方向において対向する２つの表面をいう。ｐ側パッド電極１１ａは、ｐ側導電体１２と電気的に接続され、ｎ側パッド電極１１ｂは、ｎ側導電体１４と電気的に接続される。一方の主面にｐ側パッド電極１１ａおよびｎ側パッド電極１１ｂをともに配置するために、例えば、ｎ型半導体層１０ｂおよびｐ型半導体層１０ａを基板上にこの順に形成した後、ｐ型半導体層１０ａの表面の一部を除去してｎ型半導体層１０ｂを露出させ、ｐ型半導体層１０ａの表面にｐ側パッド電極１１ａを形成し、露出したｎ型半導体層１０ｂの表面にｎ側パッド電極１１ｂを形成してよい。以下、本明細書において、半導体積層体１０のｐ側パッド電極１１ａ、ｎ側パッド電極１１ｂが形成された主面側を「上」と呼び、当該主面の反対側の他方の主面側を「下」と呼ぶことがある。

半導体積層体１０の他方の主面、すなわち半導体積層体１０の下面は、図示するように樹脂層１６から露出しており、半導体積層体１２が発する光が主に取り出される光取り出し面１０ｃとなる。光取り出し面１０ｃは、半導体積層体１０を構成する半導体材料からなる面であり、後述するように半導体層を基板に積層した後、基板を剥離することによって露出する面である。光取り出し面１０ｃは、通常、ｎ型半導体層１０ｂが露出した面である。

（樹脂層）
樹脂層１６は、半導体積層体１０の一方の主面側および側面側を被覆するものであり、半導体積層体１０を支持し、発光装置１００の機械的強度を確保するための基体として機能する。ここで、樹脂層が「半導体積層体１０の一方の主面側および側面側を被覆する」とは、樹脂層１６が半導体積層体１０の一方の主面および側面と接している形態のほか、半導体積層体１０の一方の主面および側面と接することなく、当該主面および側面に形成された別の要素（例えば、ｐ側およびｎ側導電体）を介して半導体積層体１０を被覆する形態をも含む意味である。

本明細書においては、半導体積層体１０の主面と略平行な樹脂層１６の２つの面のうち、ｐ側パッド電極１１ａおよびｎ側パッド電極１１ｂが形成された主面の側にある面を便宜的に「上面」と呼び、上面とは反対側の面を便宜的に「下面」と呼ぶ。後述するように、樹脂層１６の上面にｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂが設けられ、下面にｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａが設けられる。樹脂層１６の下面においては、半導体積層体１０の光取り出し面１０ｃである下面が露出している。

樹脂層１６を形成する樹脂は特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂であってよい。熱硬化性樹脂として、具体的には、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂等の変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂組成物、ポリイミド樹脂組成物、および変性ポリイミド樹脂組成物を挙げることができる。熱可塑性樹脂として、液晶ポリマー、ポリフタルアミド樹脂、およびポリブチレンテレフタレート樹脂等を挙げることができる。

樹脂層１６は後述するように、ｐ側導電体１２の一部およびｎ側導電体１４の一部を形成した後に、熱硬化前の流動性を有する状態にある熱硬化性樹脂、または溶融した熱可塑性樹脂を成形型等に流し込んで形成する。したがって、後述するように各導電体の一部がワイヤまたはそれに類する細いものである場合には、流し込んだ樹脂の粘度が高いと、ワイヤ等が損傷することがあり、所定の電気的接続を得られないことがある。そのような不都合を避けるために、比較的低い粘度を有する樹脂が加熱により、あるいは冷却により硬化して樹脂層１６を形成していることが好ましい。

また、ｐ側導電体１２およびｎ側導電体１４の一部が、ワイヤのように細いものである場合には、硬化した後の樹脂が周囲の温度変化等により膨張または収縮するときにその度合いが大きいと、やはりワイヤ等の損傷が生じる。したがって、樹脂層１６を形成する樹脂は小さい熱膨張係数を有するものであることが好ましく、例えば、樹脂が硬化した状態で好ましくは２５０ｐｐｍ／Ｋ未満、より好ましくは１００ｐｐｍ／Ｋ未満の熱膨張係数を有する。ここで、本発明における熱膨張係数は、線膨張率を意味する。また、各種樹脂の熱膨張係数はＪＩＳ Ｋ７１９７に従って、測定温度の範囲における平均線膨張率として測定できる。

樹脂層１６は、半導体積層体１０から発せられる光が通過しないように、遮光性を付与する充填材を含有することが好ましい。このようにすれば、光取り出し面１０ｃ以外の面からの発光を抑制し、所望の配光特性を有する発光装置とすることができる。遮光性を付与する充填材は、半導体積層体１０からの光を反射するものであることが好ましい。そのような充填材としては、例えば、ＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＭｇＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、Ｍｇ（ＯＨ）_２、およびＣａ（ＯＨ）_２等から選択される酸化物から成る粒子が挙げられる。

あるいは、充填材は、半導体積層体１０からの光を吸収することによって樹脂層１６を遮光性にするものであってよい。そのような充填材は、例えば、アセチレンブラック、活性炭、および黒鉛等のカーボン、酸化鉄、二酸化マンガン、酸化コバルト、および酸化モリブデン等の金属酸化物、ならびに有機顔料である。
充填材は、半導体積層体１０からの光を好ましくは約５０％以上、より好ましくは約７０％以上を遮る量で樹脂層１６に含まれる。例えば、ＴｉＯ_２は樹脂層に好ましくは３０重量％〜８０重量％の割合で含まれる。

樹脂層１６の平面視の形状、大きさ、および厚さは、発光装置１００が有する半導体積層体１０の数および大きさ、ならびにｐ側導電体１２およびｎ側導電体１４の大きさ等に応じて、所望の大きさの発光装置１００が得られるように選択すればよい。

（ｐ側導電体／ｎ側導電体）
上記のとおり、本実施の形態においては、ｐ側導電体１２およびｎ側導電体１４が設けられ、半導体積層体１０に外部から電気が供給されるようになっている。半導体積層体１０の一方の主面側において、ｐ側導電体１２はｐ型半導体層１０ａと電気的に接続され、ｎ側導電体１４はｎ型半導体層１０ｂに電気的に接続されている。これらの導電体が「一方の主面側で接続されている」とは、これらの導電体とｐ型半導体層１０ａおよびｎ型半導体層１０ｂと電気的な接続が、半導体積層体１０の一方の主面において確保されていることをいう。電気的な接続は、例えば、これらの導電体の一部が半導体積層体１０の一方の主面に配置されることにより確保される。本実施の形態においては、半導体積層体１０の一方の主面にｐ側パッド電極１１ａおよびｎ側パッド電極１１ｂが形成されており、これらの電極と接するようにｐ側導電体１２の一部およびｎ側導電体１４の一部が半導体積層体１０の一方の主面に配置されている。

本実施の形態のｐ側導電体１２においては、ｐ側パッド電極１１ａと電気的に接続されている部分と、樹脂層１６の下面に設けられたｐ側外部接続用電極１２ａと、が一体的に形成されている。また、ｎ側導電体１４においてもｐ側導電体１２と同様に、ｎ側パッド電極１１ｂと、樹脂層１６の下面に設けられたｎ側外部接続用電極１４ａと、が一体的に形成されている。また、本実施の形態においては、樹脂層１６の上面にも、ｐ側外部接続用電極１２ｂおよびｎ側外部接続用電極１４ｂが設けられており、１組のｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、および１組のｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂが、樹脂層１６の厚さ方向において対向するように設けられている。

ｐ側導電体１２は、樹脂層１６内に位置し、かつｐ側外部接続用電極１２ａおよび１２ｂを互いに接続するｐ側導電部材１２ｃを有し、ｎ側導電体１４は、樹脂層１６内に位置し、かつｎ側外部接続用電極１４ａおよび１４ｂを互いに接続するｎ側導電部材１４ｃを有する。
ｐ側導電部材１２ｃにより、ｐ側外部接続用電極１２ｂはｐ側外部接続用電極１２ａを介してｐ側パッド電極１１ａに電気的に接続されることとなる。また、ｎ側導電部材１４ｃにより、ｎ側外部接続用電極１４ｂはｎ側外部接続用電極１４ａを介して、ｎ側パッド電極１１ｂに電気的に接続されることとなる。

以下、ｐ側導電体１２およびｎ側導電体１４を構成する各部分について説明する。
以下の説明においては、樹脂層１６の下面に設けられたｐ側外部接続用電極１２ａを「ｐ側第１外部接続用電極」と呼び、樹脂層１６の上面に設けられたｐ側外部接続用電極１２ｂを「ｐ側第２外部接続用電極」と呼ぶ。また、ｐ側第１外部接続用電極とｐ側第２外部接続用電極を総称して「ｐ側外部接続用電極」という。同様に、樹脂層１６の下面に設けられたｎ側外部接続用電極１４ａを「ｎ側第１外部接続用電極」と呼び、樹脂層１６の上面に設けられたｎ側外部接続用電極１４ｂを「ｎ側第２外部接続用電極」と呼ぶ。また、ｎ側第１外部接続用電極とｎ側第２外部接続用電極を総称して「ｎ側外部接続用電極」という。

図示した形態において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａは、樹脂層１６の下面に設けられ、かつｐ側パッド電極１１ａと電気的な接続を確保しているｐ側導電体１２の部分１２ｆ（図において、半導体積層体１０の上面に位置する部分。以下「ｐ側半導体接続部」とも呼ぶ）と一体的に形成されている。ｐ側第１外部接続用電極１２ａは、ｐ側パッド電極１１ａを含む断面視において、ｐ側半導体接続部１２ｆとともに、図２に示すようなクランク形状を有し、平面視においては、図１から明らかなように矩形を有する。同様に、ｎ側第１外部接続用電極１４ａも、樹脂層１６の下面に設けられ、ｎ側パッド電極１１ｂと電気的な接続を確保しているｎ側導電体１４の部分１４ｆ（以下、「ｎ側半導体接続部」とも呼ぶ）とともに、一体的に形成されている。

ｐ側第１外部接続用電極１２ａと、ｐ側半導体接続部１２ｆとが、電気的に接続されていれば一体的に形成されていなくてよく、ｐ側第１外部接続用電極１２ａと、ｐ側半導体接続部１２ｆとが、別々に形成されていてよい。その場合、ｐ側第１外部接続用電極１２ａと、ｐ側半導体接続部１２ｆとは、例えば、ワイヤにより電気的に接続されていてよい。また、ｎ側第１外部接続用電極１４ａおよびｎ側半導体接続部１４ｆについても同様である。あるいは、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｐ側パッド電極１１ａ、ｎ側第１外部接続用電極１４ａおよびｎ側パッド電極１１ｂ、はワイヤにより直接接続されていてよい。

平面視において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａ、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａは、半導体積層体１０の外側にある。この構成により、半導体積層体１０から発せられる光がｐ側第１外部接続用電極１２ａ、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａにより遮られることを防止することができる。

図示した形態において、半導体積層体１０の光取り出し面１０ｃ（ｐ側パッド電極１１ａ、ｎ側パッド電極１１ｂが形成されていない主面）、ｐ側第１外部接続用電極１２ａの下面、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａの下面は、略同一平面上に位置する。これにより、半導体積層体１０の光取り出し面１０ｃからの光が外部接続用電極１４によって遮られることを抑制できるため、所望の配光特性を有する発光素子とすることができる。なお、ｐ側第１外部接続用電極１２ａの下面、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａの下面とは、半導体積層体１０の光取り出し面１０ｃ側の面を指す。

平面視において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａ、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａは、同じ大きさおよび形状を有し、かつ半導体積層体１０の光取り出し面１０ｃを挟んで配置されている。さらに、ｐ側第１外部接続用電極１２ａとｐ側第２外部接続用電極１２ｂ、ｎ側第１外部接続用電極１４ａとｎ側第２外部接続用電極１４ｂ、は略同じ大きさおよび形状を有する。さらにまた、平面視において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａとｐ側第２外部接続用電極１２ｂとが重なり合っており、ｎ側第１外部接続用電極１４ａとｎ側第２外部接続用電極１４ｂとが重なりあっている。したがって、図示した形態において、４つの外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂは、平面視において略同じ大きさを有し、かつ平面視および側面視において上下および左右が略対称となるように配置されている。

図示したように、発光装置１００の上面および下面にそれぞれ２つの外部接続用電極を形成すれば、発光装置１００を、サイドビュー型のものとして、半田等の接着部材を用いて取り付けるときに、接着部材の収縮等により発光装置１００に加わる力を均等にできる。具体的には、図３に示すように、発光装置１００の側面のうち、４つの外部接続用電極がその四隅に位置する面（図１において手前に見える側面）が、発光装置１００を取り付ける面２０（例えば、実装基板の実装面）と対向するように、発光装置１００を取り付ける。４つの外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂを接着部材２２で固定することで、発光装置１００の上面および下面に均等に力が加わるので、安定した実装が可能となる。特に、４つの外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、１４ａ、１４ｂの大きさおよび形状が同じであると、各外部接続用電極に同じ量の接着部材２２を同じ状態で塗布することができ、より安定な実装が可能となる。

ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂは上下および左右対称に形成されなくてもよい。樹脂層１６を厚さ方向で挟むように、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂを形成すれば、樹脂層の一方の面にのみｐ側外部接続用電極、およびｎ側外部接続用電極が形成される場合と比較して、発光装置を安定して実装することが可能となる。例えば、図４に示すように、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂをｐ側第１外部接続用電極１２ａよりも大きくし、また、ｎ側第２外部接続用電極１４ｂを、ｎ側第１外部接続用電極１４ａよりも大きく形成してもよい。このとき、平面視において、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂそれぞれの一部が半導体積層体１０の内側に位置するように形成してもよい。あるいは、別の変形例においては、平面視において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａの大きさを、ｎ側第１外部接続用電極１４ａの大きさよりも大きく、または小さくしてもよい。同様に、さらに別の変形例においては、平面視において、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂの大きさは、ｎ側第２外部接続用電極１４ｂの大きさよりも大きく、または小さくしてもよい。

発光装置１００が取り付けられる面２０と対向する樹脂層１６の側面において、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂの端面は、樹脂層１６の側面と同一平面上に位置することが好ましい。そのような配置によれば、発光装置１００を、例えば実装基板に取り付けたときに、図３に示すように、発光装置１００が取り付けられる面２０に形成された配線またはパッド電極２４等と、樹脂層１６の側面およびｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂの端面と、を連続させることができる。したがって、発光装置１００を接着部材２２を使用し実装基板に実装する場合、樹脂層１６と取り付け面２０（厳密には配線２４等）との接触面積が増加し、安定した実装が可能となる。ｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂの端面も同様に、発光装置１００が取り付けられる面２０と対向する樹脂層１６の側面において、樹脂層１６の側面と同一平面上に位置することが好ましい。

また、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂは、樹脂層１６（すなわち、発光装置１００）の上面または下面の短手方向において、樹脂層１６の一端から他端まですべてを覆うように配置されていなくてもよい。具体的には、図５に示すように、平面視において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａとｎ側第１外部接続用電極１４ａ、およびｐ側第２外部接続用電極１２ｂとｎ側第２外部接続用電極１４ｂが、樹脂層１６の下面および上面の短手方向において、樹脂層１６の一端から他端まで延びず、樹脂層１６の一端または他端の領域が露出していてよい（図５においては樹脂層１６の下面側を示す）。このような露出領域は、後述する方法で発光装置１００を製造するときに、発光装置１００を個片化するための切りしろとなり得る。

平面視において、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂの大きさに特に制限はなく、半導体積層体１０の数、大きさ、および発光装置１００の大きさ等に応じて適宜変更することができる。例えば、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂは、平面視において、矩形の発光装置における長辺の長さに対して１／４〜１／３となるような幅を有してよい。また、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂは、発光装置の短辺と略同じ長さを有する、矩形または正方形のものとして形成してよい。外部接続用電極１２ａ、およびｎ側外部接続用電極１４ａの厚さは、例えば、０．５μｍ〜５０μｍとすることが好ましく、スパッタリングで形成する場合は１μｍ〜３μｍとすることがさらに好ましい。外部接続用電極１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ｂの厚さは、例えば、０．５μｍ〜５０μｍとすることが好ましく、スパッタリングで形成する場合は１μｍ〜３μｍとすることがさらに好ましい。

ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂは導電性材料で形成される。導電性材料は特に限定されず、例えば、金、銅、白金、銀、アルミニウム、タングステン、モリブデン、鉄、ニッケル、コバルト等の金属、ならびにそれらの合金が挙げられる。後述するとおり、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂを形成する方法は特に限定されず、例えば、蒸着、スパッタリング、またはめっきにより形成してよい。ｐ側第１外部接続用電極１２ａは、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂとは異なる材料で形成されていてよく、また、ｎ側第１外部接続用電極１４ａは、ｎ側第２外部接続用電極１４ｂとは異なる材料で形成されていてよい。

図示した形態においては、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｐ側半導体接続部１２ｆ、ｎ側第１外部接続用電極１４ａおよびｎ側半導体接続部１４ｆ、は一体的に形成されている。したがって、ｐ側半導体接続部１２ｆおよびｎ側半導体接続部１４ｆは、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａと同じ材料で形成されている。変形例において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａは、ｐ側半導体接続部１２ｆとは異なる材料で形成されていてよく、ｎ側第１外部接続用電極１４ａは、ｎ側半導体接続部１４ｆとは異なる材料で形成されていてよい。

ｐ側導電体１２は、ｐ側第１外部接続用電極１２ａとｐ側第２外部接続用電極１２ｂとを互いに接続するｐ側導電部材１２ｃを有し、これによりｐ側第１外部接続用電極１２ａとｐ側第２外部接続用電極１２ｂと、は電気的に接続される。同様に、ｎ側導電体１４は、ｎ側第１外部接続用電極１４ａとｎ側第２外部接続用電極１４ｂとを互いに接続するｎ側導電部材１４ｃを有する。

図示した形態において、ｐ側導電部材１２ｃ、ｎ側導電部材１４ｃは、金属ワイヤである。金属ワイヤによれば、後述するとおり、比較的簡便な方法で、２つの外部接続用電極を接続することができる。また、金属ワイヤを用いる場合には、それが撓む性質を利用して、図示するように、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂと接続されるｐ側第２端部１２ｅが、ｐ側第１外部接続用電極１２ａと接続されるｐ側第１端部１２ｄよりも、平面視において、半導体積層体１０の近くに位置する構成を容易に得ることができる。同様に、金属ワイヤによれば、ｎ側第２外部接続用電極１４ｂと接続されるｎ側第２端部１４ｅを、ｎ側第１外部接続用電極１４ａと接続されるｎ側第１端部１４ｄよりも、平面視において、半導体積層体１０の近くに位置する構成を容易に得ることができる。

導電部材の２つの端部が上記位置関係を満たす場合、断面視において、図２に示すように、ｐ側第２端部１２ｅ、ｎ側第２端部１４ｅがそれぞれ、ｐ側第１端部１２ｄ、ｎ側第１端部１４ｄよりも、半導体積層体１０の近くに位置することが好ましいを指す。このようにすれば、後述する方法でｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂを形成するときに、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂの平面視における内側への位置ずれに対する許容範囲を広くすることができる。これにより、発光装置１００を安定的に製造することができる。この点について、図６を参照して説明する。

図６（ａ）および（ｂ）は、ｐ側導電部材１２ｃのｐ側第１端部１２ｄおよびｐ側第２端部１２ｅの位置関係の一例を示す、発光装置１００の一部断面図である。ｐ側第２外部接続用電極１２ｂの大きさが図示したものである場合、ｐ側第１外部接続用電極１２ａとｐ側第２外部接続用電極１２ｂとの間の電気的接続を確保するには、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂの少なくとも一部がｐ側第２端部１２ｅと接する必要がある。したがって、図６（ａ）に示すように、平面視においてｐ側第２端部１２ｅがｐ側第１端部１２ｄよりも半導体積層体１０に近い場合、図示した大きさのものとして形成されるｐ側第２外部接続用電極１２ｂの左縁は二つの点線で挟まれる幅ｔの範囲に位置する必要がある。

一方、図６（ｂ）に示すように、ｐ側第１端部１２ｄおよびｐ側第２端部１２ｅが平面視において同じ位置にある場合、図６（ａ）に示すものと同じ大きさのｐ側第２外部接続用電極１２ｂの左縁は二つの点線で挟まれる幅ｔ’の領域に位置する必要があるが、この領域の幅ｔ’は図６（ａ）に示す領域の幅ｔよりも小さい。このように、２つの端部が図６（ａ）に示す位置関係にある場合、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂがとり得る位置の許容範囲は、２つの端部が図６（ｂ）に示す位置関係にある場合よりも大きい。つまり、図６（ａ）に示す位置関係においては、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂの平面視における内側への位置ずれに対する許容範囲が広くなっている。同様のことは、ｎ側第１端部１４ｄおよびｎ側第２端部１４ｅの位置関係にもあてはまる。

平面視において、ｐ側第２端部１２ｅをｐ側第１端部１２ｄよりも、半導体積層体１０の近くに位置させる構成において、２つの端部間の距離は、例えば２５μｍ〜３００μｍ程度としてよい。２つの端部間の距離は、ｐ側第１外部接続用電極１２ａ、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａを除いた平面図（下面図）である図７において、ｓで示される距離である。ｐ側第２端部１２ｅとｐ側第１端部１２ｄとが、図７のｙ方向においてずれている場合（図７において、ｙ方向にずれているｐ側第２端部を１２ｅ’で示している）にも、両端部間のｘ方向の距離をｓとする。同様に、ｎ側第１端部１４ｄと、ｎ側第２端部１４ｅとの間の距離ｓ’も、２５μｍ〜３００μｍ程度としてよい。

ｐ側導電部材１２ｃおよびｎ側導電部材１４ｃとして金属ワイヤを用いる場合、図２に示すように樹脂層１６中で湾曲していなくてもよく、例えば直線状、あるいはクランク形状であってよい。ｐ側導電部材１２ｃに金属ワイヤを用いる場合、断面視におけるその形状にかかわらず、ｐ側第１端部１２ｄとｐ側第２端部１２ｅの好ましい位置関係は上記のとおりであるが、本発明はそれ以外の位置関係を排除するものではない。したがって、平面視において、ｐ側第２端部１２ｅは、ｐ側第１端部１２ｄよりも半導体積層体１０から遠くに位置してもよく、あるいは両端部は平面視において同じ位置にあってもよい。同様のことは、ｎ側第１端部１４ｄおよびｎ側第２端部１４ｅの位置関係についてもあてはまる。

金属ワイヤは導電性材料から成り、例えば、金、銅、白金、およびアルミニウム等の金属、ならびにそれらの合金を用いることができる。金属ワイヤは、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂと同じ材料から成ってよく、あるいは異なる材料から成っていてよい。金属ワイヤの直径は、例えば、１５μｍ〜５０μｍであることが好ましく、２０μｍ〜４０μｍであることがさらに好ましい。後述するように、ボールボンディングにより金属ワイヤがｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａに接続される場合、ｐ側第１端部１２ｄ、ｎ側第１端部１４ｄはワイヤの直径よりも太くなる。

ｐ側導電部材１２ｃおよびｎ側導電部材１４ｃが金属ワイヤである場合、ｐ側導電部材１２ｃおよびｎ側導電部材１４ｃはそれぞれ複数設けられてよい。これにより、後述する方法で発光装置１００を製造するときに、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂ、およびｎ側第２外部接続用電極１４ｂを形成すべき位置の目印が増え、形成位置の特定がより容易となる。

変形例において、ｐ側導電部材１２ｃおよびｎ側導電部材１４ｃは、金属メッキなどにより形成された柱状体（ピラー）であってよい。ｐ側導電部材１２ｃおよびｎ側導電部材１４ｃとして柱状体を形成する場合にも、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂと接続されるｐ側第２端部１２ｅを、ｐ側第１外部接続用電極１２ａと接続されるｐ側第１端部１２ｄよりも、平面視において、半導体積層体１０の近くに位置させることが好ましい。また、ｎ側第２外部接続用電極１４ｂと接続されるｎ側第２端部１４ｅを、ｎ側第１外部接続用電極１４ａと接続されるｎ側第１端部１４ｄよりも、平面視において、半導体積層体１０の近くに位置させることが好ましい。これにより、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂの平面視における内側への位置ずれに対する許容範囲を広くして、発光装置１００を製造できる。柱状体の形状は特に限定されず、例えば、樹脂層１６の下面から上面に向かって先細になっているテーパー形状としてよい。

柱状体の材料は特に限定されず、柱状体は、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂの材料として例示されたもので形成してよい。柱状体は、ｐ側外部接続用電極１２ａ、１２ｂ、およびｎ側外部接続用電極１４ａ、１４ｂと同じ材料から成ってよく、あるいは異なる材料から成ってよい。

（その他）
発光装置１００は、封止部材を有してよい。封止部材は、半導体積層体１０の光取り出し面１０ｃを覆うように設けられる。封止部材は、半導体積層体１０からの光を通過させる透光性を有し、かつ当該光および半導体積層体１０が発する熱によって劣化しにくい性質を有するものであることが好ましい。封止部材の材料として、例えば、エポキシ樹脂組成物、シリコーン樹脂組成物、アクリル樹脂組成物、シリコーン変性エポキシ樹脂等の変性エポキシ樹脂組成物、エポキシ変性シリコーン樹脂等の変性シリコーン樹脂組成物、ガラス、シリカゾル等が挙げられる。封止部材の形状は特に限定されず、例えば、凸レンズ形状、凹レンズ形状、フレネルレンズ状としてよい。あるいは、封止部材は、平坦な膜として形成してよい。

封止部材には、半導体積層体１０からの光の波長を変換する波長変換部材が含まれてよく、波長変換部材は例えば、半導体積層体１０からの光の一部を吸収して、半導体積層体１０からの光の波長とは異なる波長の光を発する蛍光体であってよい。例えば、半導体積層体１０が窒化物系半導体が積層されてなり、ピーク波長が４２０ｎｍ〜４９０ｎｍの範囲に存在する光を発するものである場合には、蛍光体として、緑色および／または黄色を発光するＹＡＧ系蛍光体、またはαもしくはβサイアロン型蛍光体等を用い、さらに必要に応じて赤色を発光する（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕを用いることが好ましい。このようにすれば、発光装置１００から、半導体積層体１０からの光と蛍光体からの光との混色光である白色光を取り出すことができる。封止部材は、波長変換部材に代えて、または波長変換部材とともに、他の添加剤、例えば、着色剤、光拡散剤などを含んでよい。

（実施の形態２：発光装置の製造方法）
実施の形態２として、図１および図２に示す発光装置１００の製造方法を説明する。

まず、図８（ａ）に示すように、基板３０上に、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層を有する半導体積層体１０を形成し、半導体積層体１０の一方の主面側に、ｐ型半導体層と電気的に接続されるｐ側パッド電極と、ｎ型半導体層と電気的に接続されるｎ側パッド電極とを形成する工程（ａ）を実施する。半導体積層体１０は、一つの発光装置１００に一つずつ含まれるように、各発光装置に対応して分離した状態にあり、各半導体積層体１０の間で基板３０の表面が露出している部分は、ｐ側第１外部接続用電極１２ａ、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａが形成される部分である。

このように半導体積層体１０を形成する方法としては、例えば、基板３０の全面に、ｎ型半導体層およびｐ型半導体層を順に積層した後、フォトリソグラフィにより、基板３０の露出させたい部分以外にレジストパターンを形成した後、エッチングする方法がある。すなわち、エッチングで各発光装置に対応する半導体積層体１０以外の部分を除去することにより、基板３０に半導体積層体１０が間隔をあけて形成され、平面視（上面視）において、基板３０の表面が露出した領域が半導体積層体１０の外周を囲む構成を得ることができる。

ｐ側パッド電極、およびｎ側パッド電極は、基板３０を露出させるエッチングを実施する前に形成してよく、あるいは基板３０を露出させるエッチングを実施した後で形成してよい。ｎ側パッド電極は、ｐ型半導体層の一部を除去して、ｎ型半導体層を露出させた後、露出したｎ型半導体層にｎ側パッド電極を形成する方法で形成してよい。

基板３０は特に限定されず、ｐ型半導体およびｎ型半導体の種類に応じて半導体を成長させるのに適した基板３０が選択される。例えば、ｐ型半導体およびｎ型半導体が、窒化物系半導体（特に窒化ガリウム系半導体）である場合には、サファイア基板、ＳｉＣ基板、またはスピネル基板を基板３０として用いてよい。基板３０は、例えば、１００μｍ〜３００μｍ程度の厚さを有する。

次に、図８（ｂ）に示すように、基板３０上に、ｐ側第１外部接続用電極１２ａと、ｎ側第１外部接続用電極１４ａとを形成する工程（ｂ）を実施する。図示した形態では、ｐ側第１外部接続用電極１２ａは、ｐ側パッド電極の表面に形成されるｐ側半導体接続部１２ｆと一体的に形成し、ｎ側第１外部接続用電極１４ａは、ｎ側パッド電極の表面に形成されるｎ側半導体接続部１４ｆと一体的に形成している。

ｐ側第１外部接続用電極１２ａ、ｎ側第１外部接続用電極１４ａ、ｐ側半導体接続部１２ｆ、ｎ側半導体接続部１４ｆを形成する方法としては、例えば、蒸着、めっき、またはスパッタリング等を好適に用いることができる。具体的には、例えば、金属薄膜を半導体積層体１０および基板３０の表面全体に形成し、フォトリソグラフィにより、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａ等を形成したい部分にレジストパターンを形成する。その後エッチングを行うことにより、所望の位置にｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａ等を形成してよい。別の方法においては、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａ等を形成しない部分に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、スパッタリングまたは蒸着等により金属薄膜を全体に形成する。その後リフトオフを行うことにより、レジストパターンおよびその上に形成された金属薄膜を除去することにより、所望の位置にｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂ等を形成してよい。

図示した形態においては、隣り合う発光装置（厳密には、個片化の対象となる領域）において、一方の発光装置のｐ側第１外部接続用電極１２ａと他方の発光装置のｎ側第１外部接続用電極１４ａとの間に隙間を形成して、発光装置１００の境界を明確にしている。変形例において、ｐ側第１外部接続用電極１２ａとｎ側第１外部接続用電極１４ａとは一体に形成して、切断により２つの電極に分離されるようにしてよい。図５に示す形態の発光装置１００を製造する場合、発光装置１００の長手方向に平行な方向にも隙間を形成してよい。

工程（ｂ）においては、基板３０の表面が露出した領域に、ｐ側第１外部接続用電極１２ａ、およびｎ側第１外部接続用電極１４ａの一部が形成され、基板３０の表面が露出していない領域には半導体積層体１０の他方の主面（ｐ側パッド電極、ｎ側パッド電極が形成されない主面）が接している。これにより、ｐ側第１外部接続用電極１２ａの下面と、ｎ側第１外部接続用電極１４ａの下面と、半導体積層体１０の他方の主面（当該主面は基板３０の除去により、露出して光取り出し面１０ｃとなる）とが、同一平面上に位置する構成を有する発光装置１００を製造することができる。

次に、一方の端部１２ｄがｐ側第１外部接続用電極１２ａと接続され、一部が半導体積層体１０の一方の主面よりも上方に位置するｐ側導電部材１２と、一方の端部１４ｄがｎ側第１外部接続用電極１４ａと接続され、一部が半導体積層体１０の一方の主面よりも上方に位置するｎ側導電部材１４とを形成する工程（ｃ）を実施する。

本実施の形態においては、図８（ｃ）に示すように、ｐ側導電部材１２およびｎ側導電部材１４を形成するためにワイヤ３２を用いている。ワイヤ３２は、半導体積層体１０を跨ぐように設けられ、ワイヤ３２の一方の端部がｐ側第１外部接続用電極１２ａに、他方の端部がｎ側第１外部接続用電極１４ａにそれぞれワイヤボンディング（例えば、ボールボンディング）されている。その結果、工程（ｃ）により、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａがワイヤ３２により一体的に接続されることとなる。ワイヤ３２は、後述する工程（ｅ）において、ｐ側導電部材１２ｃと、ｎ側導電部材１４ｃとに分離される。このとき、ｐ側第１外部接続用電極１２ａにワイヤボンディングされたワイヤ３２の端部はｐ側導電部材１２ｃのｐ側第１端部１２ｄに、ｎ側第１外部接続用電極１４ａにワイヤボンディングされたワイヤ３２の端部はｎ側導電部材１４ｃのｎ側第１端部１４ｄになる。

ワイヤ３２は、半導体積層体１０を跨ぐように配置されるので、後述する工程（ｅ）においてワイヤ３２が分離されたときに、分離により形成される端部が半導体積層体１０のｐ側パッド電極およびｎ側パッド電極が形成された主面よりも上方に位置することとなる。ワイヤ３２が分離されることにより、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂと接続されるｐ側第２端部１２ｅと、ｎ側第２外部接続用電極１４ｂと接続されるｎ側第２端部１４ｅと、が形成される。

また、ワイヤ３２を、半導体積層体１０を跨ぐようにボンディングするときに、ワイヤ３２は発光装置１００の外側から内側に向かって湾曲した形状とすることが好ましい。このようにすれば、ワイヤ３２が分離されたときに、平面視において、ｐ側第２端部１２ｅ、およびｎ側第２端部１４ｅがそれぞれ、ｐ側第１端部１２ｄ、およびｎ側第１端部１４ｄがよりも、半導体積層体１０の近くに位置する構成を得やすい。さらに、ワイヤ３２を半導体積層体１０を跨ぐようにボンディングしているため、樹脂層１６を形成するときにワイヤ３２に力が作用しても、ワイヤ３２が倒れにくい、または傾きにくいので、所望のワイヤ３２の形状を保つことができる。これにより、後述する工程（ｅ）で樹脂層１６を除去するときに、ワイヤのｐ側第２端部１２ｅおよびｎ側第２端部１４ｅを所定の位置で露出させやすい。

変形例において、ワイヤは、半導体積層体を跨がず、隣り合う発光装置（厳密には、個片化の対象となる領域）において、一方の発光装置のｐ側第１外部接続用電極と、他方の発光装置のｎ側第１外部接続用電極とをボンディングしてよい。

続いて、図８（ｄ）に示すように、樹脂層１６を形成する。樹脂層１６は、射出成形、トランスファーモールド、または圧縮成形等によって形成してよい。図示した形態において、樹脂層１６は、ワイヤ３２を完全に覆う厚さで形成されることが好ましい。これにより、ワイヤ３２が樹脂層１６により固定されるので、後述する工程（ｅ）において、樹脂層１６の除去によりワイヤ３２を分離することが容易となる。樹脂層１６の厚さは、最終的に得ようとする樹脂層１６の厚さに対して、例えば、１．５倍〜３．０倍程度厚くなるように形成してよい。後述する工程（ｅ）において、樹脂層１６の厚さが最終的に得ようとする樹脂層１６の厚さの１．５倍以上であると、樹脂層１６を除去するときに要求される精度が低くなり、３．０倍以下であると、樹脂層１６を除去する量が多くなることを抑制できる。その結果、後述する工程（ｅ）における工程を効率良く行うことができるため歩留りを向上させることができる。

樹脂層１６の形成に際しては、流動状態にある樹脂が基板３０の表面を移動して、ワイヤ３２に接触する。このとき、ワイヤ３２に強い力が作用すると、ワイヤ３２が損傷することがある。そのような不都合を避けるために、樹脂層１６を構成する樹脂は、流動状態で低い粘度を有するものであることが好ましい。例えば、樹脂は、成形時に好ましくは１００Ｐａ・ｓ未満の粘度、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ〜２０Ｐａ・ｓの粘度を有する。ここで、粘度は、ＪＩＳ Ｋ６２４９により測定される値である。

次に、図８（ｅ）に示すように、樹脂層１６を半導体積層体１０の一方の主面側から除去することで、ｐ側導電部材１２ｃのｐ側第２端部１２ｅおよびｎ側導電部材１４ｃのｎ側第２端部１４ｅを樹脂層１６から露出させる工程（ｅ）を実施する。樹脂層１６の除去は、研削、研磨または切削等により行ってよく、具体的には、例えば、研磨剤として人工ダイヤ、アルミナ、サファイア、硬質ガラスを使用して研磨を行う研磨装置を用いて行う。

樹脂層１６を除去することにより、樹脂層１６内に位置するワイヤ３２の一部も除去される。それによりワイヤ３２が分離されて、樹脂層１６内にｐ側導電部材１２ｃおよびｎ側導電部材１４ｃが形成されるとともに、ｐ側第２端部１２ｅおよびｎ側第２端部１４ｅが樹脂層１６から露出する。樹脂層１６の除去は、ワイヤ３２が分離して、ｐ側第２端部１２ｅおよびｎ側第２端部１４ｅが形成されたことを確認した時点で終了してもよいが、ｐ側第２端部１２ｅおよびｎ側第２端部１４ｅの位置を調整するために、これらの端部の形成が確認された後も続けてもよい。図示した形態では、ワイヤ３２が全体的に湾曲してボンディングされているため、樹脂層１６の厚さ方向における除去量が多いほど、ｐ側第２端部１２ｅおよびｎ側第２端部１４ｅの位置はそれぞれ、平面視において、ｐ側第１端部１２ｄおよびｎ側第１端部１４ｄにより近づく。

続いて、図８（ｆ）に示すように、ｐ側第２端部１２ｅと電気的に接続されるｐ側第２外部接続用電極１２ｂと、ｎ側第２端部１４ｅと電気的に接続されるｎ側第２外部接続用電極１４ｂとを形成する工程（ｆ）を実施する。ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂは、樹脂層１６から露出しているｐ側第２端部１２ｅおよびｎ側第２端部１４ｅを形成位置の目印として確認しながら、これらの端部の上に導電性材料を用いて形成する。ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂは、例えば、蒸着、めっき、またはスパッタリング等によって形成してよい。

工程（ｆ）を実施する方法の一例においては、金属薄膜を樹脂層１６の上面全体に形成し、フォトリソグラフィにより、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂを形成したい部分にレジストパターンを形成する。その後、金属薄膜をエッチングすることにより、所望の位置にｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂを形成する。
別の例においては、樹脂層１６の上面のうち、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂを形成しない部分に、フォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、スパッタリングまたは蒸着等により金属薄膜を全体に形成する。その後、リフトオフにより、レジストパターンおよびその上に形成された金属薄膜を除去することにより、所望の位置にｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂを形成する。

ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂはそれぞれ、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａと同じ大きさを有し、かつそれらと平面視において重なり合うように形成することが好ましい。樹脂層１６が遮光性を付与する充填材を含有する場合には、第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａの位置を目視等で確認することが難しい。そのため、例えば、樹脂層１６が形成されない場所、具体的には基板３０の外周部にアライメントマークを設けることにより、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂの位置合わせを実施することが好ましい。

図示した形態においては、平面視において、ｐ側第２端部１２ｅはｐ側第１端部１２ｄよりも半導体積層体１０の近くに位置し、ｎ側第２端部１４ｅは前記ｎ側第１端部１４ｄよりも前記半導体積層体１０の近くに位置している。これにより、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂおよびｎ側第２外部接続用電極１４ｂの位置が平面視において内側にずれたとしても、ずれに対する許容範囲は大きい。その点において、図示した形態の製造方法によれば、位置調整に必要とされるコストおよび時間を低減することができる。

図示した形態においては、隣り合う発光装置（厳密には、個片化の対象となる領域）において、一方の発光装置のｐ側第２外部接続用電極１２ｂと他方の発光装置のｎ側第２外部接続用電極１４ｂとの間に隙間を形成して、発光装置１００の境界を明確にしている。変形例において、ｐ側第２外部接続用電極１２ｂとｎ側第２外部接続用電極１４ｂとは一体に形成して、切断により２つの電極に分離されるようにしてよい。

次に、図８（ｇ）に示すように、基板３０を剥離し、半導体積層体１０の他方の主面、ｐ側第１外部接続用電極１２ａおよびｎ側第１外部接続用電極１４ａを露出させる工程（ｇ）を実施する。基板３０の剥離は、例えば、レーザーリフトオフ法により実施してよい。基板３０の剥離により、本発明の実施形態１では発光装置１００の光取り出し面１０ｃが露出することとなる。

続いて、必要に応じて、半導体積層体１０の露出した主面に封止部材を形成してよい。封止部材は、例えば、スプレー法、キャスト法、ポッテイング法などにより形成することができる。具体的には、スプレー塗布が簡便で好ましい。あるいは、予め所望の大きさに成形した封止部材を半導体積層体１０の表面に接合してよい。

次に、厚さ方向における樹脂層１６を切断することにより、発光装置１００ごとに個片化する。これにより、図８（ｈ）に示すような発光装置１００を得ることができる。樹脂層１６を切断する方法としては、例えば、ダイシングなどにより実施する。

実施の形態２として、ｐ側導電部材およびｎ側導電部材をワイヤとする場合の本発明の発光装置の製造方法を説明したが、実施の形態１に関連して説明したとおり、ｐ側導電部材およびｎ側導電部材は、めっきにより形成される柱状体であってよい。そのような導電部材は、工程（ｃ）において、めっきを実施して形成することができる。めっきにより導電部材を形成する場合にも、導電部材の一方の端部は、半導体積層体の主面（ｐ側パッド電極およびｎ側パッド電極が形成されている主面）よりも上方に位置するように形成され、樹脂層は導電部材を覆って、樹脂層に導電部材を埋没させる厚さで形成される。

あるいは、ｐ側導電部材１２ｃおよびｎ側導電部材１４ｃを、直線状またはクランク形状のワイヤとする場合、導電部材は、例えば、ボンディングマシンを用い、ワイヤを供給するノズルを所望のワイヤ形状に沿って移動させ、得られた所望の形状のワイヤをノズルから切り離すことによって形成してよい（図９（ａ））。クランク形状の屈曲部を形成する際（図９（ｂ））は、ワイヤを屈曲させたい方向とは反対の方向にノズルを押し込むように移動させ、ワイヤに折り目を付けた後、ノズルを屈曲させたい方向に移動することにより屈曲部を形成することができる。

以上、本発明の実施形態を説明したが。本発明はこれら実施形態に限定されず、種々の改変が可能である。

本発明の発光装置はサイドビュー型のものとして、照明、ディスプレイ、光通信、ＯＡ機器などにおいて、光源として利用され得る。但し、本発明の用途はこれらに限定されるものではない。

１００ 発光装置
１０ 発光装置
１２ ｐ側導電体
１２ａ ｐ側第１外部接続用電極
１２ｂ ｐ側第２外部接続用電極
１２ｃ ｐ側導電部材
１２ｄ ｐ側第１端部
１２ｅ、１２ｅ’ ｐ側第２端部
１２ｆ ｐ側半導体接続部
１４ ｎ側導電体
１４ａ ｎ側第１外部接続用電極
１４ｂ ｎ側第２外部接続用電極
１４ｃ ｎ側導電部材
１４ｄ ｎ側第１端部
１４ｅ ｎ側第２端部
１４ｆ ｎ側半導体接続部
１６ 樹脂層
２０ 発光装置が取り付けられる面
２２ 接着部材
２４ 配線またはパッド電極
３０ 基板
３２ ワイヤ

Claims (11)

1. ｐ型半導体層とｎ型半導体層とを有する半導体積層体と、
   前記半導体積層体の一方の主面側で前記ｐ型半導体層と電気的に接続されたｐ側導電体と、
   前記半導体積層体の一方の主面側で前記ｎ型半導体層と電気的に接続されたｎ側導電体と、
   前記半導体積層体の一方の主面側および側面側を被覆する樹脂層と、を備え、
   前記樹脂層は、前記半導体積層体の一方の主面側に位置する上面と、前記半導体積層体の他方の主面側に位置する下面と、を有し、前記下面において前記半導体積層体の他方の主面が露出しており、
   前記ｐ側導電体は、前記樹脂層の上面および下面それぞれに設けられるｐ側外部接続用電極と、前記樹脂層内に位置しかつ前記ｐ側外部接続用電極を互いに接続するｐ側導電部材と、を有し、
   前記ｎ側導電体は、前記樹脂層の上面および下面それぞれに設けられるｎ側外部接続用電極と、前記樹脂層内に位置しかつ前記ｎ側外部接続用電極を互いに接続するｎ側導電部材と、を有し、
   平面視において、前記ｐ側外部接続用電極および前記ｎ側外部接続用電極はいずれも、一部が前記半導体積層体の外側にある、発光装置。
2. 前記ｐ側外部接続用電極は、前記樹脂層の下面に設けられるｐ側第１外部接続用電極と、前記樹脂層の上面に設けられるｐ側第２外部接続用電極と、を有し、
   前記ｎ側外部接続用電極は、前記樹脂層の下面に設けられるｎ側第１外部接続用電極と、前記樹脂層の上面に設けられるｎ側第２外部接続用電極と、を有し、
   前記ｐ側第１外部接続用電極および前記ｐ側第２外部接続用電極と、前記ｎ側第１外部接続用電極および前記ｎ側第２外部接続用電極と、が同じ大きさおよび形状を有する、請求項１に記載の発光装置。
3. 前記半導体積層体の他方の主面、前記ｐ側第１外部接続用電極の下面、および前記ｎ側第１外部接続用電極の下面と、が同一平面上に位置する、請求項２に記載の発光装置。
4. 前記樹脂層の上面および下面が前記発光装置が取り付けられる面に対して垂直となるように実装される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 平面視において、前記ｐ側第１外部接続用電極および前記ｐ側第２外部接続用電極とが重なり合っており、前記ｎ側第１外部接続用電極及び前記ｎ側第２外部接続用電極とが重なり合っている、請求項２〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
6. 前記ｐ側導電部材は、前記ｐ側第１外部接続用電極と接続されるｐ側第１端部と、前記ｐ側第２外部接続用電極と接続されるｐ側第２端部と、を有し、
   前記ｎ側導電部材は、前記ｎ側第１外部接続用電極と接続されるｎ側第１端部と、前記ｎ側第２外部接続用電極と接続されるｎ側第２端部と、を有し、
   平面視において、前記ｐ側第２端部は前記ｐ側第１端部よりも前記半導体積層体の近くに位置し、前記ｎ側第２端部は前記ｎ側第１端部よりも前記半導体積層体の近くに位置する、請求項２〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 平面視において、前記半導体積層体の他方の主面は、前記ｐ側第１外部接続用電極と前記ｎ側第１外部接続用電極とに挟まれている、請求項２〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 前記ｐ側導電部材および前記ｎ側導電部材がワイヤである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
9. 基板を準備する工程と、
   前記基板上にｐ型半導体層およびｎ型半導体層を有する半導体積層体と、前記半導体積層体の一方の主面側で、ｐ型半導体層と電気的に接続されるｐ側パッド電極と、ｎ型半導体と電気的に接続されるｎ側パッド電極と、を設ける工程（ａ）と、
   基板上に、前記ｐ側パッド電極と電気的に接続されるｐ側第１外部接続用電極と、前記ｎ側パッド電極と電気的に接続されるｎ側第１外部接続用電極と、を形成する工程（ｂ）と、
   一方の端部が前記ｐ側第１外部接続用電極と接続され一部が前記半導体積層体の一方の主面よりも上方に位置するｐ側導電部材と、一方の端部が前記ｎ側第１外部接続用電極と接続され一部が前記半導体積層体の一方の主面よりも上方に位置するｎ側導電部材と、を形成する工程（ｃ）と、
   前記半導体積層体、前記ｐ側導電部材、および前記ｎ側導電部材を被覆する樹脂層を形成する工程（ｄ）と、
   前記樹脂層を前記半導体積層体の一方の主面側から除去することで、前記ｐ側導電部材の他方の端部および前記ｎ側導電部材の他方の端部を前記樹脂層から露出させる工程（ｅ）と、
   前記ｐ側導電部材の他方の端部と電気的に接続されるｐ側第２外部接続用電極と、前記ｎ側導電部材の他方の端部と電気的に接続されるｎ側第２外部接続用電極と、を形成する工程（ｆ）と、
   前記基板を剥離し、前記半導体積層体の他方の主面、前記ｐ側第１外部接続用電極および前記ｎ側第１外部接続用電極を露出させる工程（ｇ）と、
   を含む、発光装置の製造方法。
10. 前記ｐ側導電部材および前記ｎ側導電部材は、ワイヤである、請求項９に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、
    前記工程（ｃ）が、前記ｐ側第１外部接続用電極および前記ｎ側第１外部接続用電極をワイヤにより一体的に接続する工程であり、
    前記工程（ｅ）が、前記樹脂層を前記半導体積層体の一方の主面側から除去することで、前記一体的に接続されたワイヤを分離して、ワイヤからなる前記ｐ側導電部材の他方の端部およびワイヤからなる前記ｎ側導電部材の他方の端部を前記樹脂層から露出させる工程である、発光装置の製造方法。

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