JP2016086046A

JP2016086046A - Plasma processing method

Info

Publication number: JP2016086046A
Application number: JP2014216996A
Authority: JP
Inventors: 松本　直樹; Naoki Matsumoto; 直樹松本; 紘司小山; Koji Koyama; 祐介吉田; Yusuke Yoshida
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2014-10-24
Filing date: 2014-10-24
Publication date: 2016-05-19

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To regulate a condition in a chamber, thereby performing a plasma processing with stability.SOLUTION: Provided is a plasma processing method for performing a predetermined plasma processing on a substrate by setting the substrate on a work-holder table in a chamber, supplying gas into the chamber, and applying an electric power to the work-holder table from an electromagnetic wave source, thereby producing plasma from the gas. The plasma processing method comprises: a coating step for supplying the gas including a halogen-based gas into the chamber, and sputtering and etching a silicon dummy substrate by produced plasma, thereby forming a coating film in the chamber.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、プラズマ処理方法に関する。 The present invention relates to a plasma processing method.

チャンバの内部にて生成されたプラズマにより基板にプラズマ処理を行う際、プラズマ中のイオンやラジカルがチャンバの内壁に衝突する。チャンバの内壁はかかる衝突により削れたり浸食されたりしてダメージを受ける。チャンバの壁をこのようなダメージから保護するために、チャンバの内壁をコーティングすることが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。 When plasma processing is performed on a substrate by plasma generated inside the chamber, ions and radicals in the plasma collide with the inner wall of the chamber. The inner wall of the chamber is damaged by being cut or eroded by such a collision. In order to protect the chamber wall from such damage, it has been proposed to coat the inner wall of the chamber (see, for example, Patent Document 1).

例えば、チャンバの表面は、プラズマに対する耐食性がある酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）やフッ化イットリウム（ＹＦ_３）等のイットリア系の膜でコーティングされる。これによりチャンバの表面がイオン等の衝突を受けた場合においてもイットリア系の膜によりコーティングされているため、チャンバの壁は保護される。 For example, the surface of the chamber is coated with a yttria-based film such as yttrium oxide (Y ₂ O ₃ ) or yttrium fluoride (YF ₃ ) that is resistant to plasma. As a result, even when the surface of the chamber is subjected to collisions such as ions, the chamber wall is protected because it is coated with the yttria-based film.

特開平１１−３４０２０４号公報Japanese Patent Laid-Open No. 11-340204 国際公開第２０１０／０５８６４２号International Publication No. 2010/058642 特開２００１−１８５５４２号公報JP 2001-185542 A

しかしながら、イットリア系のコーティング膜は、ハロゲン系ガスから生成されたプラズマに対する耐食性が弱いことが懸念される。よって、プラズマ処理中にイットリア系のコーティング膜が削れた場合には、イットリアのパーティクルが発生したり、イットリアのコーティング膜で保護されていたチャンバの壁からアルミニウム等の金属のコンタミネーションが発生したりする。この結果、チャンバの内部が金属により汚染される場合がある。また、チャンバの内壁に付着する反応生成物の堆積量の変化によりチャンバの内部のコンディションが変化する。チャンバの内部のコンディションを整えることはウェハに対するプラズマ処理の安定性を維持するためには重要である。 However, there is a concern that yttria-based coating films have poor corrosion resistance against plasma generated from halogen-based gases. Therefore, if the yttria-based coating film is scraped during the plasma processing, yttria particles are generated, or contamination of metal such as aluminum is generated from the chamber wall protected by the yttria coating film. To do. As a result, the inside of the chamber may be contaminated with metal. Further, the condition inside the chamber changes due to a change in the amount of reaction product deposited on the inner wall of the chamber. Conditioning the interior of the chamber is important to maintain the stability of the plasma processing on the wafer.

上記課題に対して、一側面では、本発明は、チャンバの内部のコンディションを整え、安定したプラズマ処理を行うことを目的とする。 In view of the above problem, in one aspect, the present invention has an object of adjusting a condition inside a chamber and performing stable plasma processing.

上記課題を解決するために、一の態様によれば、基板をチャンバ内の載置台に載置し、ガスを前記チャンバ内に供給し、前記載置台に電磁波源から電力を印加することで前記ガスからプラズマを生成し、前記基板に所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、ハロゲン系ガスを含むガスを前記チャンバ内に供給し、生成されたプラズマによりシリコン製のダミー基板をスパッタリング及びエッチングし、前記チャンバ内にコーティング膜を成膜するコーティング工程を含むプラズマ処理方法が提供される。 In order to solve the above-described problem, according to one aspect, the substrate is placed on a mounting table in a chamber, gas is supplied into the chamber, and electric power is applied to the mounting table from an electromagnetic wave source. A plasma processing method for generating a plasma from a gas and performing a predetermined plasma process on the substrate, wherein a gas containing a halogen-based gas is supplied into the chamber, and a silicon dummy substrate is sputtered by the generated plasma. There is provided a plasma processing method including a coating step of etching and forming a coating film in the chamber.

一の側面によれば、チャンバの内部のコンディションを整え、安定したプラズマ処理を行うことができる。 According to one aspect, the condition inside the chamber can be adjusted and stable plasma processing can be performed.

一実施形態に係るプラズマ処理装置の全体構成図。1 is an overall configuration diagram of a plasma processing apparatus according to an embodiment. 一実施形態に係るシリコン膜の有無とＶｐｐの変化を示す図。The figure which shows the presence or absence of the silicon film which concerns on one Embodiment, and the change of Vpp. 一実施形態に係るプリコート膜の成膜を含むプラズマ処理の一例を示すフローチャート。The flowchart which shows an example of the plasma processing including the film-forming of the precoat film | membrane which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係るプリコート膜の成膜を含むプラズマ処理の変形例を示すフローチャート。The flowchart which shows the modification of the plasma processing including the film-forming of the precoat film | membrane which concerns on one Embodiment. 一実施形態に係るプラズマ処理装置の変形例の全体構成図。The whole block diagram of the modification of the plasma processing apparatus which concerns on one Embodiment.

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一の符号を付することにより重複した説明を省く。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in this specification and drawing, about the substantially same structure, the duplicate description is abbreviate | omitted by attaching | subjecting the same code | symbol.

［プラズマ処理装置の全体構成］
まず、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置１の構成の一例について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施形態にかかるプラズマ処理装置１の断面図の一例である。ここではチャンバ１０内に載置台２０（下部電極）とガスシャワーヘッド２５（上部電極）とを対向配置し、ガスシャワーヘッド２５からガスをチャンバ内に供給する平行平板型のプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。 [Overall configuration of plasma processing apparatus]
First, an example of the configuration of a plasma processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is an example of a cross-sectional view of a plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment. Here, an example is a parallel plate type plasma processing apparatus in which a mounting table 20 (lower electrode) and a gas shower head 25 (upper electrode) are opposed to each other in the chamber 10 and gas is supplied from the gas shower head 25 into the chamber. I will give you a description.

プラズマ処理装置１は、例えばアルミニウム等の導電性材料からなるチャンバ１０を有する。チャンバ１０は、接地されている。チャンバ１０の内壁は、プラズマに対する耐食性がある酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）やフッ化イットリウム（ＹＦ_３）等のイットリア系の溶射膜で保護される。 The plasma processing apparatus 1 includes a chamber 10 made of a conductive material such as aluminum. The chamber 10 is grounded. The inner wall of the chamber 10 is protected by a yttria-based sprayed film such as yttrium oxide (Y ₂ O ₃ ) or yttrium fluoride (YF ₃ ) that is resistant to plasma.

ガス供給源１５は、後述されるコーティング工程、トリートメント工程、エッチング工程及びウェハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ：Wafer Less Dry Cleaning）工程の各工程においてそれぞれ特定のガスを供給する。 The gas supply source 15 supplies a specific gas in each of a coating process, a treatment process, an etching process, and a wafer less dry cleaning (WLDC) process, which will be described later.

載置台２０は、半導体の製品ウェハ（以下、「製品ウェハ」という。）又はシリコン製のダミーウェハＤＷを載置する。ダミーウェハＤＷは、本実施形態ではスパッタの個体ソースに使用される。製品ウェハは、エッチング等のプラズマ処理が施される基板の一例である。 The mounting table 20 mounts a semiconductor product wafer (hereinafter referred to as “product wafer”) or a silicon dummy wafer DW. In this embodiment, the dummy wafer DW is used as a solid source for sputtering. A product wafer is an example of a substrate on which plasma processing such as etching is performed.

載置台２０の上面には、ウェハを静電吸着するための静電チャック１０６が設けられている。静電チャック１０６は、絶縁体１０６ｂの間にチャック電極１０６ａを挟み込んだ構造となっている。チャック電極１０６ａには直流電圧源１１２が接続され、直流電圧源１１２から電極１０６ａに直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウェハが静電チャック１０６に吸着される。 An electrostatic chuck 106 for electrostatically attracting the wafer is provided on the upper surface of the mounting table 20. The electrostatic chuck 106 has a structure in which a chuck electrode 106a is sandwiched between insulators 106b. A DC voltage source 112 is connected to the chuck electrode 106a, and when a DC voltage is applied from the DC voltage source 112 to the electrode 106a, the wafer is attracted to the electrostatic chuck 106 by Coulomb force.

載置台２０は、支持体１０４により支持されている。支持体１０４の内部には、冷媒流路１０４ａが形成されている。冷媒流路１０４ａには、冷媒入口配管１０４ｂ及び冷媒出口配管１０４ｃが接続されている。冷媒流路１０４ａには、適宜冷媒として例えば冷却水等が循環される。 The mounting table 20 is supported by the support body 104. A coolant channel 104 a is formed inside the support body 104. A refrigerant inlet pipe 104b and a refrigerant outlet pipe 104c are connected to the refrigerant flow path 104a. For example, cooling water or the like is circulated as appropriate in the refrigerant flow path 104a.

伝熱ガス供給源８５は、ヘリウムガス（Ｈｅ）やアルゴンガス（Ａｒ）等の伝熱ガスをガス供給ライン１３０に通して静電チャック１０６上のウェハの裏面に供給する。かかる構成により、静電チャック１０６は、冷媒流路１０４ａに循環させる冷却水と、ウェハの裏面に供給する伝熱ガスとによって温度制御される。この結果、ウェハを所定の温度に制御することができる。 The heat transfer gas supply source 85 supplies a heat transfer gas such as helium gas (He) or argon gas (Ar) through the gas supply line 130 to the back surface of the wafer on the electrostatic chuck 106. With this configuration, the temperature of the electrostatic chuck 106 is controlled by the cooling water circulated through the refrigerant flow path 104a and the heat transfer gas supplied to the back surface of the wafer. As a result, the wafer can be controlled to a predetermined temperature.

下部電極としても機能する載置台２０には、電力供給装置３０が接続されている。電力供給装置３０は、第１周波数の第１高周波電力（プラズマ生起用高周波電力）を供給する第１高周波電源３２と、第１周波数よりも低い第２周波数の第２高周波電力（バイアス電圧発生用高周波電力）を供給する第２高周波電源３４を備える。第１高周波電源３２は、第１整合器３３を介して載置台２０に電気的に接続される。第２高周波電源３４は、第２整合器３５を介して載置台２０に電気的に接続される。第１高周波電源３２は、例えば、４０ＭＨｚの第１高周波電力を供給する。第２高周波電源３４は、例えば、３．２ＭＨｚの第２高周波電力を供給する。 A power supply device 30 is connected to the mounting table 20 that also functions as a lower electrode. The power supply device 30 includes a first high-frequency power source 32 that supplies a first high-frequency power (plasma generation high-frequency power) having a first frequency, and a second high-frequency power (for generating a bias voltage) that is lower than the first frequency. A second high-frequency power source 34 for supplying high-frequency power). The first high frequency power supply 32 is electrically connected to the mounting table 20 via the first matching unit 33. The second high frequency power supply 34 is electrically connected to the mounting table 20 via the second matching unit 35. The first high frequency power supply 32 supplies a first high frequency power of 40 MHz, for example. The second high frequency power supply 34 supplies, for example, a second high frequency power of 3.2 MHz.

第１及び第２整合器３３、３５は、それぞれ第１及び第２高周波電源３２、３４の内部（または出力）インピーダンスに負荷インピーダンスを整合させる。すなわち、チャンバ１０内にプラズマが生成されているときに第１、第２高周波電源３２、３４の内部インピーダンスと負荷インピーダンスが見かけ上一致するように機能する。 The first and second matching units 33 and 35 match the load impedance to the internal (or output) impedance of the first and second high-frequency power sources 32 and 34, respectively. That is, when plasma is generated in the chamber 10, the internal impedance of the first and second high frequency power sources 32 and 34 and the load impedance function in an apparent manner.

なお、第１周波数の第１高周波電力（プラズマ生起用高周波電力）を供給する第１高周波電源３２は、上部電極として機能するガスシャワーヘッド２５に接続されてもよい。第１高周波電源３２及び第２高周波電源３４は、電磁波を出力する電磁波源の一例である。電磁波源の他の例としては、マイクロ波源が挙げられる。 The first high frequency power source 32 that supplies the first high frequency power (plasma generating high frequency power) of the first frequency may be connected to the gas shower head 25 that functions as an upper electrode. The first high-frequency power source 32 and the second high-frequency power source 34 are examples of an electromagnetic wave source that outputs an electromagnetic wave. Another example of the electromagnetic wave source is a microwave source.

ガスシャワーヘッド２５は、その周縁部を被覆するシールドリング４０を介してチャンバ１０の天井部に配置されている。ガスシャワーヘッド２５は、電気的に接地してもよく、また図示しない可変直流電源を接続してガスシャワーヘッド２５に所定の直流（ＤＣ）電圧が印加されるように構成してもよい。 The gas shower head 25 is disposed on the ceiling portion of the chamber 10 via a shield ring 40 that covers the peripheral edge portion of the gas shower head 25. The gas shower head 25 may be electrically grounded, or may be configured such that a predetermined direct current (DC) voltage is applied to the gas shower head 25 by connecting a variable direct current power source (not shown).

ガスシャワーヘッド２５には、ガス供給源１５からガスを導入するためのガス導入口４５が形成されている。また、ガスシャワーヘッド２５の内部にはガス導入口４５から分岐してガスを拡散するセンター側の拡散室５０ａ及びエッジ側の拡散室５０ｂが設けられている。 The gas shower head 25 is formed with a gas inlet 45 for introducing gas from the gas supply source 15. Further, inside the gas shower head 25, there are provided a diffusion chamber 50a on the center side and a diffusion chamber 50b on the edge side which branch from the gas inlet 45 and diffuse gas.

ガスは、ガス導入口４５を介して２系統のガス供給経路を通ってガス供給孔５５からチャンバ１０の内部に導入される。一方は、ガスが、センター側のガス供給経路を通って拡散室５０ａに供給され、ここで拡散されてガス供給孔５５からチャンバ１０内のセンター側に導入される経路である。他方は、ガスが、エッジ側のガス供給経路を通って拡散室５０ｂに供給され、ここで拡散されてガス供給孔５５からチャンバ１０内のエッジ側に導入される経路である。 The gas is introduced into the chamber 10 from the gas supply hole 55 through the two gas supply paths via the gas inlet 45. One is a path through which the gas is supplied to the diffusion chamber 50a through the gas supply path on the center side, diffused here, and introduced from the gas supply hole 55 to the center side in the chamber 10. The other is a path through which the gas is supplied to the diffusion chamber 50b through the gas supply path on the edge side, diffused therein, and introduced from the gas supply hole 55 to the edge side in the chamber 10.

チャンバ１０の底面には排気口６０が形成され、排気口６０に接続された排気装置６５によって排気が行われる。チャンバ１０内は所定の真空度に維持される。チャンバ１０の側壁にはゲートバルブＧが設けられている。ゲートバルブＧは、チャンバ１０からウェハの搬入及び搬出を行う際に開閉される。 An exhaust port 60 is formed on the bottom surface of the chamber 10, and exhaust is performed by an exhaust device 65 connected to the exhaust port 60. The inside of the chamber 10 is maintained at a predetermined degree of vacuum. A gate valve G is provided on the side wall of the chamber 10. The gate valve G is opened and closed when a wafer is carried in and out of the chamber 10.

プラズマ処理装置１には、装置全体の動作を制御する制御部１００が設けられている。制御部１００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１０５と、ＲＯＭ（Read Only Memory）１１０及びＲＡＭ（Random Access Memory）１１５の記録領域とを有している。ＣＰＵ１０５は、これらの記憶領域に格納された各種レシピに従って、後述されるコーティング処理等を実行する。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、圧力（ガスの排気）、高周波電力や電圧、各種プロセスガス流量、チャンバ内温度（上部電極温度、チャンバの側壁温度、静電チャックの温度）などが設定されている。なお、これらのプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリに記憶されてもよく、またＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性のコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体に収容された状態で記憶領域の所定位置にセットされてもよい。 The plasma processing apparatus 1 is provided with a control unit 100 that controls the operation of the entire apparatus. The control unit 100 includes a CPU (Central Processing Unit) 105 and recording areas of a ROM (Read Only Memory) 110 and a RAM (Random Access Memory) 115. The CPU 105 executes a coating process, which will be described later, according to various recipes stored in these storage areas. The recipe includes process time, pressure (gas exhaust), high-frequency power and voltage, various process gas flow rates, chamber temperature (upper electrode temperature, chamber side wall temperature, electrostatic chuck temperature), which are device control information for process conditions ) Etc. are set. The recipes indicating these programs and processing conditions may be stored in a hard disk or semiconductor memory, or stored in a storage medium readable by a portable computer such as a CD-ROM or DVD. It may be set at a predetermined position.

以上、本実施形態に係るプラズマ処理装置１の全体構成について説明した。かかる構成のプラズマ処理装置１によって、ウェハレスドライクリーニング工程→コーティング工程→トリートメント工程→エッチング工程の順にプラズマ処理工程が繰り返される。 The overall configuration of the plasma processing apparatus 1 according to this embodiment has been described above. With the plasma processing apparatus 1 having such a configuration, the plasma processing process is repeated in the order of waferless dry cleaning process → coating process → treatment process → etching process.

以下では、本実施形態に係る上記プラズマ処理工程のうちのコーティング工程を中心に説明する。 Below, it demonstrates centering on the coating process among the said plasma processing processes which concern on this embodiment.

[コーティング工程]
コーティング工程では、シリコン製のダミーウェハＤＷ（非製品ウェハ）がチャンバ１０内に搬入され、載置台２０に載置される。チャンバ１０内が所定の圧力に制御され、ハロゲン系ガスを含むガスがチャンバ１０内に供給される。載置台２０に第１及び第２高周波電源３２，３４から第１及び第２高周波電力が印加される。これにより、ハロゲン系ガスを含むガスからプラズマが生成される。 [Coating process]
In the coating process, a silicon dummy wafer DW (non-product wafer) is carried into the chamber 10 and mounted on the mounting table 20. The inside of the chamber 10 is controlled to a predetermined pressure, and a gas containing a halogen-based gas is supplied into the chamber 10. First and second high-frequency power is applied to the mounting table 20 from the first and second high-frequency power sources 32 and 34. Thereby, plasma is generated from the gas containing the halogen-based gas.

また、本実施形態のコーティング工程では、載置台２０に第１及び第２高周波電力が印加されるため、図１に示すように、チャンバ１０の下方側の、載置台２０に載置されたダミーウェハＤＷの近傍でプラズマが生成される。これにより、図１に示すように、プラズマ中の主にイオンがダミーウェハＤＷをスパッタリングし、イオンの叩き込みによりダミーウェハＤＷから弾き飛ばされたシリコン（Ｓｉ）がチャンバ１０の内壁に付着する。 Further, in the coating process of this embodiment, since the first and second high-frequency powers are applied to the mounting table 20, as shown in FIG. 1, the dummy wafer mounted on the mounting table 20 on the lower side of the chamber 10. Plasma is generated in the vicinity of DW. As a result, as shown in FIG. 1, mainly ions in the plasma sputter the dummy wafer DW, and silicon (Si) blown off from the dummy wafer DW by the ion strike adheres to the inner wall of the chamber 10.

また、プラズマ中の主にハロゲン系のラジカルは、ダミーウェハＤＷをエッチングし、その際にシリコンやシリコンの酸化物と反応する。これにより、付着性の高い酸化シリコン（ＳｉＯ）等の反応生成物が生成される。生成された反応生成物（以下、「バイプロダクト」ともいう。）は、チャンバ１０の内壁に付着する。 Also, mainly halogen radicals in the plasma etch the dummy wafer DW and react with silicon or silicon oxide at that time. Thereby, a reaction product such as silicon oxide (SiO) having high adhesion is generated. The generated reaction product (hereinafter also referred to as “bi-product”) adheres to the inner wall of the chamber 10.

以上のように、コーティング工程では、プラズマ中のイオン及びラジカルにより、ダミーウェハＤＷをスパッタリング及びエッチングすることで、チャンバ１０の内壁にコーティング膜（以下、イットリアの溶射膜と区別して「プリコート膜」ともいう。）を成膜することができる。 As described above, in the coating process, the dummy wafer DW is sputtered and etched by ions and radicals in the plasma, so that the coating film on the inner wall of the chamber 10 (hereinafter referred to as “pre-coating film” is distinguished from the yttria sprayed film). .) Can be formed.

このように本実施形態のプラズマ処理装置１では、チャンバ１０のアルミニウムの壁に溶射されたイットリア系の溶射膜上にシリコン膜及び酸化シリコン膜のプリコート膜が成膜される。これにより、以下の（１）〜（４）の効果を奏することができる。
（１）イオンの衝突やラジカルとの反応によりイットリア系の溶射膜が削れたり浸食されてイットリア等のパーティクルがチャンバ１０の内部に飛散することを回避できる。
（２）同様にしてイオンの衝突等によりチャンバ１０の壁のアルミニウムのコンタミネーションが発生することを防止できる。
（３）プリコート膜を予めチャンバ１０の壁面に成膜することにより、チャンバ１０の内壁のインピーダンスが安定化し、チャンバ１０の内部のコンディションが整えられる。これにより、製品ウェハのプロセス開始時とプロセス定常時のチャンバ１０の内壁の状態に変化がなく、製品ウェハのプラズマ処理を安定して行うことができ、製品ウェハの歩留まりを高めることができる。これについては、図２を参照しながら後述される。
（４）チャンバ１０の内壁及びチャンバ１０の内部に配置されたパーツをプリコート膜により保護することで、チャンバ１０及びチャンバ１０内のパーツの製品寿命を向上させることができる。 As described above, in the plasma processing apparatus 1 of this embodiment, the precoat film of the silicon film and the silicon oxide film is formed on the yttria-based sprayed film sprayed on the aluminum wall of the chamber 10. Thereby, the following effects (1) to (4) can be obtained.
(1) It can be avoided that yttria-based thermal sprayed film is scraped or eroded by ion collision or reaction with radicals, and particles such as yttria are scattered inside the chamber 10.
(2) Similarly, it is possible to prevent aluminum contamination on the wall of the chamber 10 from being caused by ion collision.
(3) By forming a precoat film on the wall surface of the chamber 10 in advance, the impedance of the inner wall of the chamber 10 is stabilized and the condition inside the chamber 10 is adjusted. Thereby, there is no change in the state of the inner wall of the chamber 10 at the start of the process of the product wafer and at the steady state of the process, plasma processing of the product wafer can be performed stably, and the yield of the product wafer can be increased. This will be described later with reference to FIG.
(4) By protecting the inner wall of the chamber 10 and the parts disposed in the chamber 10 with the precoat film, the product life of the chamber 10 and the parts in the chamber 10 can be improved.

なお、ダミーウェハＤＷを静電チャック１０６上に載置しない状態で本実施形態のコーティング工程を実行すると、静電チャック１０６の表面にプリコート膜が形成される。その状態で製品ウェハが静電チャック１０６上に載置され、プラズマ処理される際、製品ウェハと静電チャック１０６との間でプリコート膜を介してアーキング（異常放電）が生じることがある。又は、製品ウェハのプラズマ処理中にプリコート膜が剥がれて製品ウェハの裏面においてパーティクルが発生することがある。 Note that when the coating process of the present embodiment is performed without placing the dummy wafer DW on the electrostatic chuck 106, a precoat film is formed on the surface of the electrostatic chuck 106. In this state, when the product wafer is placed on the electrostatic chuck 106 and subjected to plasma processing, arcing (abnormal discharge) may occur between the product wafer and the electrostatic chuck 106 through the precoat film. Alternatively, the precoat film may be peeled off during plasma processing of the product wafer, and particles may be generated on the back surface of the product wafer.

これに対して、本実施形態では、ダミーウェハＤＷを静電チャック１０６上に載置する。これにより、静電チャック１０６の表面にはプリコート膜は形成されない。この結果、製品ウェハと静電チャック１０６との間でアーキングが生じることや、製品ウェハの裏面においてパーティクルが発生することを防止できる。 On the other hand, in this embodiment, the dummy wafer DW is mounted on the electrostatic chuck 106. As a result, no precoat film is formed on the surface of the electrostatic chuck 106. As a result, it is possible to prevent arcing between the product wafer and the electrostatic chuck 106 and generation of particles on the back surface of the product wafer.

また、本実施形態では、第１及び第２高周波電力を載置台２０に印加することで、第１高周波電力をガスシャワーヘッド２５に印加する場合よりも載置台２０に近い位置にてプラズマが生成される。載置台２０側に近い位置にプラズマが生成される場合、ガスシャワーヘッド２５側にプリコート膜が成膜される場合よりもプリコート膜が均一に成膜されるため好ましい。ただし、コーティング工程では、第１高周波電力を載置台２０及びガスシャワーヘッド２５の少なくともいずれかに印加してもよい。 In this embodiment, the first and second high-frequency power is applied to the mounting table 20, so that plasma is generated at a position closer to the mounting table 20 than when the first high-frequency power is applied to the gas shower head 25. Is done. When plasma is generated at a position close to the mounting table 20 side, the precoat film is formed more uniformly than when the precoat film is formed on the gas shower head 25 side. However, in the coating process, the first high frequency power may be applied to at least one of the mounting table 20 and the gas shower head 25.

[コーティング工程におけるバイプロダクト]
本実施形態では、イオンがダミーウェハＤＷをスパッタした結果、チャンバ１０の壁にシリコンが付着する。また、ラジカルがダミーウェハＤＷと反応して生成された反応生成物がチャンバ１０の内壁に付着する。これにより、チャンバ１０の壁には、シリコン（Ｓｉ）や酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を含むプリコート膜が成膜される。 [Biproduct in coating process]
In the present embodiment, silicon adheres to the walls of the chamber 10 as a result of ions sputtering the dummy wafer DW. In addition, reaction products generated by reaction of radicals with the dummy wafer DW adhere to the inner wall of the chamber 10. Thereby, a precoat film containing silicon (Si) or silicon oxide (SiO _x ) is formed on the wall of the chamber 10.

このように、本実施形態に係るコーティング工程では、イオンによるダミーウェハＤＷのスパッタリングとラジカルによるダミーウェハＤＷのエッチングにより、チャンバ１０の壁にプリコート膜が成膜される。ラジカルによるダミーウェハＤＷのエッチングによって生成された反応生成物を、以下、「バイプロダクト」ともいう。 Thus, in the coating process according to the present embodiment, the precoat film is formed on the wall of the chamber 10 by sputtering of the dummy wafer DW with ions and etching of the dummy wafer DW with radicals. Hereinafter, a reaction product generated by etching the dummy wafer DW with radicals is also referred to as “bi-product”.

本実施形態にかかるコーティング工程では、堆積性の高いエッチングによりバイプロダクトを生成するためにハロゲン系のガスが導入される。例えば、ハロゲン系のガスとして塩素ガス（Ｃｌ_２）をアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）とともにチャンバ１０内に導入することでプリコート膜を成膜する場合、アルゴンガスと酸素ガスは主にダミーウェハＤＷのスパッタリングに寄与する。また、塩素ガスは主にダミーウェハＤＷのエッチングに寄与し、塩化ケイ素（ＳｉＣｌ）を含むバイプロダクト（ＳｉＣｌＯ等）を生成することに寄与する。 In the coating process according to the present embodiment, a halogen-based gas is introduced in order to generate a biproduct by etching with high deposition properties. For example, when a precoat film is formed by introducing chlorine gas (Cl ₂ ) as a halogen-based gas into the chamber 10 together with argon gas (Ar) and oxygen gas (O ₂ ), the argon gas and oxygen gas are mainly used. It contributes to sputtering of the dummy wafer DW. Further, the chlorine gas mainly contributes to the etching of the dummy wafer DW, and contributes to the generation of a biproduct (SiClO or the like) containing silicon chloride (SiCl).

また、例えば、ハロゲン系のガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）をアルゴンガス（Ａｒ）と酸素ガス（Ｏ_２）とともにチャンバ１０内に導入することでプリコート膜を成膜する場合、臭化水素ガスは主にダミーウェハＤＷのエッチングに寄与し、臭化ケイ素（ＳｉＢｒ）を含むバイプロダクト（ＳｉＢｒＯ等）を生成することに寄与する。 For example, when a precoat film is formed by introducing hydrogen bromide gas (HBr) as a halogen-based gas into the chamber 10 together with argon gas (Ar) and oxygen gas (O ₂ ), hydrogen bromide gas Mainly contributes to the etching of the dummy wafer DW and contributes to the generation of a bi-product (SiBrO or the like) containing silicon bromide (SiBr).

なお、上記コーティング工程で導入するガス種は、ハロゲン系ガスを含むガスの一例であり、ハロゲン系ガスは、塩素やフッ素を含むガスであればよい。ハロゲン系ガスを含むガスは、ハロゲン系ガスにアルゴンガスやヘリウム（Ｈｅ）等の不活性ガスが含まれていてもよい。 The gas species introduced in the coating step is an example of a gas containing a halogen-based gas, and the halogen-based gas may be a gas containing chlorine or fluorine. The gas containing the halogen-based gas may contain an inert gas such as argon gas or helium (He) in the halogen-based gas.

[プロセスの安定性]
次に、シリコン膜をチャンバ１０の壁に成膜したときの載置台２０に印加される印加電圧（Ｖｐｐ）の変化について、図２を参照しながら説明する。図２の（ａ）は、プリコート膜をチャンバ１０の壁に成膜していない状態で３ステップのエッチング（ＢＴ：ブレークスルー、ＭＥ：メインエッチング、ＯＥ：オーバーエッチング）を行った場合のメインエッチングのプロセス時間に対するＶｐｐの変化を示す。図２の（ｂ）は、プリコート膜をチャンバ１０の壁に成膜した状態で３ステップのエッチング（ＢＴ、ＭＥ、ＯＥ）を行った場合のメインエッチングのプロセス時間に対するＶｐｐの変化を示す。 [Process stability]
Next, changes in the applied voltage (Vpp) applied to the mounting table 20 when a silicon film is formed on the wall of the chamber 10 will be described with reference to FIG. FIG. 2A shows main etching when three steps of etching (BT: breakthrough, ME: main etching, OE: overetching) are performed without forming a precoat film on the wall of the chamber 10. The change of Vpp with respect to the process time is shown. FIG. 2B shows a change in Vpp with respect to the main etching process time when three-step etching (BT, ME, OE) is performed in a state where the precoat film is formed on the wall of the chamber 10.

図２の（ａ）及び図２の（ｂ）では、ポリシリコンのウェハのエッチング（Ｐｏｌｙ−Ｓｉｅｔｃｈ）と、酸化シリコンのウェハのエッチング（Ｏｘｅｔｃｈ）の結果を示す。エッチングのプロセス条件は以下である。 2A and 2B show the results of etching a polysilicon wafer (Poly-Si etch) and etching a silicon oxide wafer (Ox etch). Etching process conditions are as follows.

＜プロセス条件：メインエッチング＞
圧力１００ｍＴｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）
マイクロ波電力２７００Ｗ
第１高周波電力１５０Ｗ
ガス種ＨＢｒ／Ａｒ／Ｏ_２
これによれば、図２の（ａ）に示すように、チャンバ１０の壁がシリコン膜でコーティングされていない場合であってポリシリコンのウェハのエッチングの場合、エッチング時にポリシリコンのウェハとプラズマとが反応して反応生成物が生成され、チャンバ１０の壁に付着する。これにより、チャンバ１０の壁のインピーダンスが変わる。その結果、ポリシリコンのウェハをエッチングする場合にはＶｐｐが経時変化する。 <Process conditions: Main etching>
Pressure 100mTorr (13.33Pa)
Microwave power 2700W
First high frequency power 150W
Gas type HBr / Ar / O ₂
According to this, as shown in FIG. 2A, in the case where the wall of the chamber 10 is not coated with a silicon film and the polysilicon wafer is etched, the polysilicon wafer and the plasma are etched during the etching. Reacts to produce a reaction product that adheres to the wall of the chamber 10. Thereby, the impedance of the wall of the chamber 10 changes. As a result, Vpp changes over time when a polysilicon wafer is etched.

これに対して、チャンバ１０の壁がシリコン膜でコーティングされていない場合であって酸化シリコンのウェハのエッチングの場合、エッチング時に酸化シリコンのウェハとプラズマとは反応せず反応生成物は生成されない。例えば、エッチング時に臭化水素ガスを導入した場合、酸化シリコンのウェハとＨＢｒガスから生成されたプラズマとは反応しない。その結果、壁に反応生成物が付着しないため壁のインピーダンスは変わらない。よって、酸化シリコンのウェハをエッチングする場合にはＶｐｐは経時変化しない。このように、チャンバ１０の壁がシリコンのプリコート膜でコーティングされていない場合、エッチング時のガス種及びウェハの材質により、Ｖｐｐが経時変化する場合が生じる。 On the other hand, in the case where the wall of the chamber 10 is not coated with a silicon film and the silicon oxide wafer is etched, the silicon oxide wafer and the plasma do not react during the etching and no reaction product is generated. For example, when hydrogen bromide gas is introduced during etching, the silicon oxide wafer and the plasma generated from the HBr gas do not react. As a result, the reaction product does not adhere to the wall, so the impedance of the wall does not change. Therefore, when etching a silicon oxide wafer, Vpp does not change with time. As described above, when the wall of the chamber 10 is not coated with the silicon precoat film, Vpp may change over time depending on the gas type and the material of the wafer during etching.

一方、図２の（ｂ）に示すように、チャンバ１０の壁がシリコン膜でコーティングされている状態において、エッチング時にポリシリコンのウェハとプラズマとが反応してバイプロダクトが生成された場合であってもＶｐｐは変動しない。これは、エッチング前に壁に成膜されたプリコート膜がコンデンサの役割を担うために、エッチング処理中にバイプロダクトが壁に付着しても壁のインピーダンスは変化しないと考えられる。つまり、エッチング前に壁にプリコート膜を成膜すると、エッチング時のガス種及びウェハの材質に依存せず、Ｖｐｐは変動しない。 On the other hand, as shown in FIG. 2B, when the wall of the chamber 10 is coated with a silicon film, a bi-product is generated by the reaction between the polysilicon wafer and the plasma during etching. However, Vpp does not change. This is presumably because the precoat film deposited on the wall before etching plays the role of a capacitor, so that the wall impedance does not change even if the biproduct adheres to the wall during the etching process. That is, if a precoat film is formed on the wall before etching, Vpp does not vary regardless of the gas type and wafer material during etching.

以上から、プリコート膜を予めチャンバ１０の壁に成膜することにより、チャンバ１０の壁のインピーダンスが安定し、チャンバ１０の内部のコンディションを整えることができる。これにより、製品ウェハのプロセス開始時とプロセス定常時のチャンバ１０の状態を定状態に維持し、製品ウェハのプラズマ処理を安定して行うことができ、製品ウェハの歩留まりを高めることができる。 From the above, by pre-depositing the precoat film on the wall of the chamber 10, the impedance of the wall of the chamber 10 can be stabilized and the condition inside the chamber 10 can be adjusted. Thereby, the state of the chamber 10 at the start of the process of the product wafer and the steady state of the process can be maintained at a constant state, the plasma treatment of the product wafer can be stably performed, and the yield of the product wafer can be increased.

[トリートメント工程]
本実施形態に係るプラズマ処理方法では、コーティング工程直後にトリートメント工程が実行される。トリートメント工程は、コーティング工程を行ったプラズマ処理装置１で行うことができる。トリートメント工程は、不活性ガス及び酸素ガスをチャンバ１０内に供給し、生成されたプラズマによりプリコート膜をトリートメントする。これにより、プリコート膜の表層が改質される。不活性ガスには、アルゴンガスやヘリウムガスを使用することができる。 [Treatment process]
In the plasma processing method according to the present embodiment, the treatment process is performed immediately after the coating process. The treatment process can be performed by the plasma processing apparatus 1 that has performed the coating process. In the treatment process, an inert gas and an oxygen gas are supplied into the chamber 10 to treat the precoat film with the generated plasma. Thereby, the surface layer of the precoat film is modified. Argon gas or helium gas can be used as the inert gas.

コーティング工程において、臭化水素ガス（ＨＢｒ）や炭素ガス（Ｃｌ_２）を含むガスでシリコン製のダミーウェハをスパッタした結果、チャンバ１０の壁にはＳｉやＳｉＯ_ｘに混じってＳｉＢｒやＳｉＢｒＯやＳｉＣｌＯのバイプロダクトが付着する。ＳｉＢｒやＳｉＢｒＯやＳｉＣｌＯは不揮発性であるから、チャンバ１０の壁に堆積し、ガス化しない。一方、腐食性の高いＳｉＢｒ、ＳｉＢｒＯ、ＳｉＣｌＯがプリコート膜内に混入していると、次の製品ウェハのエッチング工程においてプラズマ処理に悪い影響を及ぼす懸念がある。そこで、コーティング工程後にトリートメント工程を行い、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとから生成されるプラズマによりＳｉＣｌ_４等の揮発性のガスを生成し、これによりプリコート膜からＣｌやＢｒをガス化して除去する。 As a result of sputtering a silicon dummy wafer with a gas containing hydrogen bromide gas (HBr) or carbon gas (Cl ₂ ) in the coating process, the walls of the chamber 10 are mixed with Si or SiO _x and mixed with SiBr, SiBrO, or SiClO. Bi-product adheres. Since SiBr, SiBrO, and SiClO are non-volatile, they are deposited on the wall of the chamber 10 and are not gasified. On the other hand, if highly corrosive SiBr, SiBrO, or SiClO is mixed in the precoat film, there is a concern that the plasma processing may be adversely affected in the next product wafer etching process. Therefore, a treatment process is performed after the coating process, and volatile gas such as SiCl ₄ is generated by plasma generated from an inert gas such as argon gas and oxygen gas, thereby gasifying Cl and Br from the precoat film. To remove.

このようにしてトリートメント工程ではプリコート膜を改質し、プリコート膜の表層から臭素（Ｂｒ）や炭素（Ｃｌ）を除去する。この結果、最終的にチャンバ１０の壁に成膜されるプリコート膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）膜となる。酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）膜は、ＳｉＣｌ_３、ＳｉＣｌ_２、ＳｉＣｌよりも腐食性が低くなるため、プリコート膜として好ましい。 In this way, in the treatment process, the precoat film is modified to remove bromine (Br) and carbon (Cl) from the surface layer of the precoat film. As a result, the precoat film finally formed on the wall of the chamber 10 becomes a silicon oxide (SiO _x ) film. A silicon oxide (SiO _x ) film is preferable as a precoat film because it is less corrosive than SiCl ₃ , SiCl ₂ , and SiCl.

[ウェハレスドライクリーニング（ＷＬＤＣ）工程]
本実施形態に係るプラズマ処理方法では、プリコート膜を均一に成膜することが好ましい。そこで、コーティング工程直前にウェハレスドライクリーニング工程が実行される。ウェハレスドライクリーニング工程は、コーティング工程が行われるプラズマ処理装置１で行うことができる。 [Waferless dry cleaning (WLDC) process]
In the plasma processing method according to the present embodiment, it is preferable to form the precoat film uniformly. Therefore, a waferless dry cleaning process is performed immediately before the coating process. The waferless dry cleaning process can be performed by the plasma processing apparatus 1 in which the coating process is performed.

ウェハレスドライクリーニングでは、三フッ化窒素ガス（ＮＦ_３）を含むガスを導入し、チャンバ１０内をクリーニングする。これにより、チャンバ１０の壁に成膜した酸化シリコン膜とバイプロダクトとをチャンバ１０の壁から除去することができる。 In the waferless dry cleaning, a gas containing nitrogen trifluoride gas (NF ₃ ) is introduced to clean the inside of the chamber 10. Thereby, the silicon oxide film and the biproduct formed on the wall of the chamber 10 can be removed from the wall of the chamber 10.

ウェハレスドライクリーニング工程を実行した後、シリコン製のダミーウェハがチャンバ１０内に搬入され、チャンバ１０の壁にプリコート膜が成膜される。 After executing the waferless dry cleaning process, a silicon dummy wafer is carried into the chamber 10 and a precoat film is formed on the wall of the chamber 10.

[圧力制御]
本実施形態に係るプラズマ処理方法では、プリコート膜を薄く、かつ均一に成膜することが好ましい。そこで、薄くて均一なプリコート膜を成膜するために、チャンバ１０の内部は２０ｍＴｏｒｒ（２．６６６Ｐａ）以下の低圧に制御されることが好ましい。更に、チャンバ１０の内部は１０ｍＴｏｒｒ（１．３３３Ｐａ）以上２０ｍＴｏｒｒ（２．６６６Ｐａ）であることが好ましい。 [Pressure control]
In the plasma processing method according to the present embodiment, it is preferable to form the precoat film thinly and uniformly. Therefore, in order to form a thin and uniform precoat film, the inside of the chamber 10 is preferably controlled to a low pressure of 20 mTorr (2.666 Pa) or less. Further, the inside of the chamber 10 is preferably 10 mTorr (1.333 Pa) or more and 20 mTorr (2.666 Pa).

しかしながら、圧力を低圧にするとコーティング工程においてプラズマ着火が困難になり、所定の密度のプラズマが生成されないことが懸念される。そこで、コーティング工程においてプラズマ着火する方法の一例として、以下の二つの方法がある。 However, if the pressure is reduced, plasma ignition becomes difficult in the coating process, and there is a concern that plasma having a predetermined density is not generated. Therefore, there are the following two methods as an example of a method of plasma ignition in the coating process.

一つ目の方法では、コーティング工程は、最初、チャンバ１０の内部を１００ｍＴｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）〜１５０ｍＴｏｒｒ（２０．００Ｐａ）の高圧状態（第１の圧力）に保持し、そのチャンバ１０内に電磁波源として第１及び第２高周波電源から第１及び第２高周波電力を印加する。これにより、チャンバ１０内においてプラズマを着火させ、その後、チャンバ１０内を高圧状態（第１の圧力）から低圧状態（第２の圧力）にする方法である。低圧状態の第２の圧力は、２０ｍＴｏｒｒ以下であり、前述したとおり１０ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒが好ましい。 In the first method, in the coating process, first, the inside of the chamber 10 is maintained at a high pressure state (first pressure) of 100 mTorr (13.33 Pa) to 150 mTorr (20.00 Pa), and electromagnetic waves are contained in the chamber 10. First and second high frequency powers are applied from the first and second high frequency power sources as sources. Thus, the plasma is ignited in the chamber 10 and then the chamber 10 is changed from a high pressure state (first pressure) to a low pressure state (second pressure). The second pressure in the low pressure state is 20 mTorr or less, and preferably 10 mTorr to 20 mTorr as described above.

二つ目の方法では、コーティング工程の間、チャンバ１０内は１０ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒの圧力に保持される。また、コーティング工程は、最初、チャンバ１０内に電磁波源としてマイクロ波源からマイクロ波電力を印加し、第１及び第２高周波電源から第１及び第２高周波電力を印加する。これにより、チャンバ１０内においてマイクロ波電力を用いてプラズマを着火させ、その後、マイクロ波の出力を停止する。 In the second method, the chamber 10 is maintained at a pressure of 10 mTorr to 20 mTorr during the coating process. In the coating process, first, microwave power is applied from the microwave source as an electromagnetic wave source in the chamber 10, and first and second high-frequency power is applied from the first and second high-frequency power sources. Thereby, the plasma is ignited using the microwave power in the chamber 10, and then the output of the microwave is stopped.

以上のいずれの方法によっても、所望のプラズマを生成でき、生成されたプラズマにより均一なプリコート膜が成膜される。なお、チャンバ１０内を高圧状態にして高周波電力を印加し、プラズマ着火後にチャンバ１０内を低圧状態にする方法では、低圧で高周波電力を印加した場合、高圧で高周波電力を印加した場合よりもＶｐｐが下がり、チャンバ１０の壁へのスパッタ力が下がる。これにより、プリコート膜を薄く、かつ均一に成膜することができる。また、一つ目の方法では、マイクロ波源を必要としないためコストの面で有利である。また、二つ目の方法では、プラズマ着火後にマイクロ波電力の供給を停止することで、チャンバ１０の壁へのスパッタ力が下がり、均一なプリコート膜を成膜することができる。 Any of the above methods can generate a desired plasma, and a uniform precoat film is formed by the generated plasma. In addition, in the method of applying high-frequency power in the chamber 10 to a high pressure state and applying low-frequency power to the chamber 10 after plasma ignition, Vpp is higher when high-frequency power is applied at low pressure than when high-frequency power is applied at high pressure. Decreases and the sputtering force on the wall of the chamber 10 decreases. Thereby, the precoat film can be formed thinly and uniformly. The first method is advantageous in terms of cost because it does not require a microwave source. In the second method, by stopping the supply of microwave power after plasma ignition, the sputtering force on the wall of the chamber 10 is reduced, and a uniform precoat film can be formed.

以上、本実施形態に係るプラズマ処理装置１において実行されるプリコート膜の成膜について説明した。次に、本実施形態に係るプラズマ処理装置１において実行されるプラズマ処理について説明する。本実施形態に係るプラズマ処理では、ウェハレスドライクリーニング工程→コーティング工程→トリートメント工程→エッチング工程の順に工程が繰り返される。 The film formation of the precoat film performed in the plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment has been described above. Next, plasma processing executed in the plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment will be described. In the plasma processing according to the present embodiment, the steps are repeated in the order of waferless dry cleaning process → coating process → treatment process → etching process.

[プラズマ処理]
本実施形態に係るプリコート膜の成膜を含むプラズマ処理について、図３を参照しながら説明する。図３は、一実施形態に係るプリコート膜の成膜を含むプラズマ処理の一例を示すフローチャートである。本処理は主にレシピに従い制御部１００により制御される。 [Plasma treatment]
A plasma process including the formation of a precoat film according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of plasma processing including the formation of a precoat film according to an embodiment. This process is controlled by the control unit 100 mainly according to the recipe.

（ウェハレスドライクリーニング処理）
本処理がスタートすると、ステップＳ１０において、ウェハレスドライクリーニングが実行される。ウェハレスドライクリーニングでは、酸素ガスのプラズマによりチャンバ１０内がクリーニングされる。製品ウェハが静電チャック１０６上に載置され、プラズマ処理される際に静電チャック１０６の表面に付着物があると、製品ウェハと静電チャック１０６との間でアーキングが生じる。これに対して、ウェハレスドライクリーニング処理により静電チャック１０６の表面の付着物を除去することで、アーキングの発生を防止できる。 (Waferless dry cleaning process)
When this process starts, waferless dry cleaning is executed in step S10. In the waferless dry cleaning, the inside of the chamber 10 is cleaned by oxygen gas plasma. When a product wafer is placed on the electrostatic chuck 106 and is subjected to plasma processing, if there are deposits on the surface of the electrostatic chuck 106, arcing occurs between the product wafer and the electrostatic chuck 106. On the other hand, the occurrence of arcing can be prevented by removing the deposits on the surface of the electrostatic chuck 106 by the waferless dry cleaning process.

（コーティング処理）
次に、ステップＳ１２において、シリコン製のダミーウェハが搬入される。ダミーウェハは、ゲートバルブＧからチャンバ１０内に搬入され、載置台２０に載置される。 (Coating treatment)
Next, in step S12, a silicon dummy wafer is carried in. The dummy wafer is carried into the chamber 10 through the gate valve G and placed on the mounting table 20.

次に、ステップＳ１４において、ガス供給源１５は、アルゴンガス、臭化水素ガス及び酸素ガスを導入する。次に、ステップＳ１６において、チャンバ１０内の圧力が１００ｍＴｏｒｒ〜１５０ｍＴｏｒｒに制御され、第１及び第２の高周波電力が載置台２０に印加される。これにより、プラズマが着火され、アルゴンガス、臭化水素ガス及び酸素ガスの混合ガスからプラズマが生成される。 Next, in step S14, the gas supply source 15 introduces argon gas, hydrogen bromide gas, and oxygen gas. Next, in step S <b> 16, the pressure in the chamber 10 is controlled to 100 mTorr to 150 mTorr, and the first and second high frequency powers are applied to the mounting table 20. Thereby, the plasma is ignited, and plasma is generated from a mixed gas of argon gas, hydrogen bromide gas and oxygen gas.

プラズマ中の主にイオンは、シリコンのダミーウェハＤＷをスパッタする。その結果、チャンバ１０の壁にシリコンが付着する。また、プラズマ中のラジカルは、ダミーウェハＤＷと反応する。これにより、チャンバ１０の壁にシリコンや酸化シリコンを含むプリコート膜が成膜される。 Mainly ions in the plasma sputter a silicon dummy wafer DW. As a result, silicon adheres to the wall of the chamber 10. Further, radicals in the plasma react with the dummy wafer DW. As a result, a precoat film containing silicon or silicon oxide is formed on the wall of the chamber 10.

プラズマ着火後、ステップＳ１８において、チャンバ１０内の圧力が２０ｍＴｏｒｒ以下に制御される。制御部１００は、チャンバ１０内の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒにすることが好ましい。これにより、チャンバ１０の壁へのスパッタ力が下がり、より均一なプリコート膜を成膜することができる。 After the plasma ignition, in step S18, the pressure in the chamber 10 is controlled to 20 mTorr or less. The controller 100 preferably sets the pressure in the chamber 10 to 10 mTorr to 20 mTorr. Thereby, the sputtering force to the wall of the chamber 10 is reduced, and a more uniform precoat film can be formed.

（トリートメント処理）
次に、ステップＳ２０において、ガス供給源１５は、アルゴンガス及び酸素ガスを導入する。これにより、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとから生成されるプラズマによりＳｉＣｌ_４等の揮発性のガスが生成され、プリコート膜から塩素（Ｃｌ）を除去することができる。次に、ステップＳ２２において、ダミーウェハが搬出される。 (Treatment treatment)
Next, in step S20, the gas supply source 15 introduces argon gas and oxygen gas. Thus, volatile gas such as SiCl ₄ is generated by a plasma generated from an inert gas and oxygen gas, such as argon gas, it is possible to remove chlorine (Cl) from pre-coating film. Next, in step S22, the dummy wafer is unloaded.

（製品ウェハのプラズマ処理（エッチング））
次に、ステップＳ２４〜Ｓ３２において、製品ウェハのプラズマ処理の一例としてエッチング処理が実行される。なお、本実施形態では、エッチングを例に挙げて製品ウェハのプラズマ処理を説明するが、これに限らず、成膜処理、アッシング処理等のプラズマ処理を実行してもよい。 (Product wafer plasma treatment (etching))
Next, in steps S24 to S32, an etching process is performed as an example of the plasma process of the product wafer. In the present embodiment, plasma processing of a product wafer will be described by taking etching as an example. However, the present invention is not limited to this, and plasma processing such as film formation processing or ashing processing may be performed.

まず、ステップＳ２４において、製品ウェハが搬入される。次に、ステップＳ２６において、所望のエッチングガスの導入及び高周波電力の印加によりプラズマを生成し、製品ウェハをプラズマによりエッチングするエッチング工程が実行される。次に、ステップＳ２８において、エッチングが完了した製品ウェハがチャンバ１０から搬出される。次に、ステップＳ３０において、制御部１００は、予め定められた所定の枚数の製品ウェハをエッチング処理したかを判定する。ここで、所定の枚数は、１枚でもよいし、一ロット内の枚数であってもよい。これにより、コーティング工程は、一枚の製品ウェハがプラズマ処理される毎に実行されるか、一ロット内の製品ウェハがすべてプラズマ処理される毎に実行される。 First, in step S24, a product wafer is carried in. Next, in step S26, an etching process is performed in which plasma is generated by introducing a desired etching gas and applying high-frequency power, and the product wafer is etched by plasma. Next, in step S <b> 28, the product wafer that has been etched is unloaded from the chamber 10. Next, in step S30, the control unit 100 determines whether a predetermined number of product wafers have been etched. Here, the predetermined number may be one or may be within one lot. As a result, the coating process is executed every time one product wafer is plasma-processed or every time product wafers in one lot are plasma-processed.

ステップＳ３０において、制御部１００は、所定の枚数の製品ウェハが処理されていないと判定した場合、ステップＳ３２において、未処理の製品ウェハをチャンバ１０内に搬入し、ステップＳ２６に戻ってエッチング処理を実行する。このようにしてステップＳ３０において所定の枚数の製品ウェハが処理されたと判定されるまで、ステップＳ２６〜Ｓ３２が繰り返し実行され、ステップＳ３０において所定の枚数の製品ウェハが処理されたと判定されると、ステップＳ１０に戻り、再び、ウェハレスドライクリーニング工程（ステップＳ１０）→コーティング工程（ステップＳ１２〜Ｓ１８）→トリートメント工程（ステップＳ２０）が実行される。これにより、チャンバ１０の壁に新たなプリコート膜が成膜された状態で、次の製品ウェハがプラズマ処理される（ステップＳ２２〜Ｓ３２）。 In step S30, when the control unit 100 determines that a predetermined number of product wafers are not processed, in step S32, the unprocessed product wafer is loaded into the chamber 10, and the process returns to step S26 to perform the etching process. Run. In this manner, steps S26 to S32 are repeatedly executed until it is determined in step S30 that a predetermined number of product wafers have been processed. If it is determined in step S30 that a predetermined number of product wafers have been processed, Returning to S10, the waferless dry cleaning process (step S10) → the coating process (steps S12 to S18) → the treatment process (step S20) is executed again. Thus, the next product wafer is subjected to plasma processing in a state where a new precoat film is formed on the wall of the chamber 10 (steps S22 to S32).

以上に説明したように、本実施形態に係るプラズマ処理方法によれば、所定枚数の製品ウェハをプラズマ処理した後、チャンバ１０の壁面のプリコート膜を除去し、新たなプリコート膜をチャンバ１０の壁に成膜する。このようにして、本実施形態に係るプラズマ処理装置１では、所定の間隔毎に新たなプリコート膜を成膜してチャンバ１０の内部のコンディションを整えることで、製品ウェハに対して安定したプラズマ処理を行うことができる。 As described above, according to the plasma processing method according to the present embodiment, after a predetermined number of product wafers are subjected to plasma processing, the precoat film on the wall surface of the chamber 10 is removed, and a new precoat film is placed on the wall of the chamber 10. The film is formed. As described above, in the plasma processing apparatus 1 according to the present embodiment, a new precoat film is formed at predetermined intervals and the condition inside the chamber 10 is adjusted, so that stable plasma processing is performed on the product wafer. It can be performed.

[プラズマ処理：変形例]
本実施形態に係るプリコート膜の成膜を含むプラズマ処理の変形例について、図４を参照しながら説明する。図４は、一実施形態に係るプリコート膜の成膜を含むプラズマ処理の変形例を示すフローチャートである。本処理は主にレシピに従い制御部１００により制御される。 [Plasma treatment: modified example]
A modification of the plasma processing including the formation of the precoat film according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a flowchart showing a modified example of the plasma processing including the formation of a precoat film according to an embodiment. This process is controlled by the control unit 100 mainly according to the recipe.

（ウェハレスドライクリーニング処理）
本処理がスタートすると、ステップＳ１０において、ウェハレスドライクリーニングが実行される。ウェハレスドライクリーニングでは、酸素ガスのプラズマによりチャンバ１０内がクリーニングされる。 (Waferless dry cleaning process)
When this process starts, waferless dry cleaning is executed in step S10. In the waferless dry cleaning, the inside of the chamber 10 is cleaned by oxygen gas plasma.

（コーティング処理）
次に、ステップＳ１２において、シリコン製のダミーウェハが搬入される。次に、ステップＳ４０において、ガス供給源１５は、センター側のガス供給経路からアルゴンガス及び酸素ガスを供給し、チャンバ１０のセンター側に導入する。また、ステップＳ４０において、ガス供給源１５は、エッジ側のガス供給経路から塩素ガス、アルゴンガス及び酸素ガスを供給し、チャンバ１０のエッジ側に導入する。 (Coating treatment)
Next, in step S12, a silicon dummy wafer is carried in. Next, in step S <b> 40, the gas supply source 15 supplies argon gas and oxygen gas from the center-side gas supply path and introduces them into the center side of the chamber 10. In step S <b> 40, the gas supply source 15 supplies chlorine gas, argon gas, and oxygen gas from the edge side gas supply path, and introduces them to the edge side of the chamber 10.

次に、ステップＳ４２において、チャンバ１０内の圧力が２０ｍＴｏｒｒ以下に制御される。制御部１００は、チャンバ１０内の圧力を１０ｍＴｏｒｒ〜２０ｍＴｏｒｒに制御することが好ましい。この状態で、第１及び第２高周波電源３２，３４は、チャンバ１０内に第１及び第２の高周波電力を印加する。また、マイクロ波源は、チャンバ１０内にマイクロ波電力を印加する。高周波電力及びマイクロ波電力により、チャンバ内を低圧状態にしたままでもプラズマを着火することができる。この結果、塩化ガス、アルゴンガス及び酸素ガスの混合ガスからプラズマが生成される。プラズマ中の主にイオンは、シリコンのダミーウェハＤＷをスパッタする。また、プラズマ中のラジカルは、ダミーウェハＤＷと反応してバイプロダクトを生成する。これにより、チャンバ１０の壁にシリコンや酸化シリコンを含むプリコート膜が成膜される。 Next, in step S42, the pressure in the chamber 10 is controlled to 20 mTorr or less. The controller 100 preferably controls the pressure in the chamber 10 to 10 mTorr to 20 mTorr. In this state, the first and second high frequency power sources 32 and 34 apply the first and second high frequency powers into the chamber 10. The microwave source applies microwave power into the chamber 10. Plasma can be ignited by high-frequency power and microwave power even when the chamber is kept at a low pressure. As a result, plasma is generated from a mixed gas of chloride gas, argon gas and oxygen gas. Mainly ions in the plasma sputter a silicon dummy wafer DW. Further, radicals in the plasma react with the dummy wafer DW to generate a biproduct. As a result, a precoat film containing silicon or silicon oxide is formed on the wall of the chamber 10.

プラズマ着火後、ステップＳ４４において、マイクロ波源はマイクロ波電力の供給を停止する。これにより、チャンバ１０の壁へのスパッタ力が下がり、均一なプリコート膜を成膜することができる。 After plasma ignition, in step S44, the microwave source stops supplying microwave power. Thereby, the sputtering force to the wall of the chamber 10 is reduced, and a uniform precoat film can be formed.

（トリートメント処理）
次に、ステップＳ２０において、ガス供給源１５は、アルゴンガス及び酸素ガスを導入する。これにより、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとから生成されるプラズマによりＳｉＣｌ_４等の揮発性のガスが生成され、プリコート膜から臭素（Ｂｒ）を除去することができる。次に、ステップＳ２２において、ダミーウェハが搬出される。 (Treatment treatment)
Next, in step S20, the gas supply source 15 introduces argon gas and oxygen gas. Thus, volatile gas such as SiCl ₄ is generated by a plasma generated from an inert gas and oxygen gas, such as argon gas can be removed bromine (Br) from pre-coating film. Next, in step S22, the dummy wafer is unloaded.

（製品ウェハのプラズマ処理（エッチング））
次に、ステップＳ２４〜Ｓ３２において、製品ウェハのプラズマ処理としてエッチング処理が実行される。なお、ステップＳ２４〜Ｓ３２の処理は図３の同ステップと同じ処理であるためここでは説明を省略する。 (Product wafer plasma treatment (etching))
Next, in steps S24 to S32, an etching process is performed as a plasma process on the product wafer. In addition, since the process of step S24-S32 is the same process as the same step of FIG. 3, description is abbreviate | omitted here.

以上に説明したように、本変形例に係るプラズマ処理方法によっても、所定枚数の製品ウェハをプラズマ処理した後、チャンバ１０の壁のプリコート膜が除去される。そして、新たなプリコート膜を成膜した後、製品ウェハがプラズマ処理される。このようにして、本変形例に係るプラズマ処理装置１では、所定の間隔毎に新たなプリコート膜を成膜してチャンバ１０の内部のコンディションを整えることで、製品ウェハに対して安定したプラズマ処理を行うことができる。 As described above, also by the plasma processing method according to this modification, after the plasma processing is performed on a predetermined number of product wafers, the precoat film on the wall of the chamber 10 is removed. Then, after forming a new precoat film, the product wafer is subjected to plasma treatment. In this way, in the plasma processing apparatus 1 according to the present modification, a new precoat film is formed at predetermined intervals and the condition inside the chamber 10 is adjusted, so that stable plasma processing is performed on the product wafer. It can be performed.

以上に説明したように、本実施形態及び本変形例に係るプラズマ処理方法によれば、ウェハレスドライクリーニング工程→コーティング工程→トリートメント工程→所定枚数の製品ウェハのエッチング工程が繰り返し実行される。これにより、所定枚数の製品ウェハをプラズマ処理する度にチャンバ１０の壁に新たなプリコート膜が成膜される。この結果、チャンバ１０の内部のコンディションを整え、安定したプラズマ処理を行うことができる。 As described above, according to the plasma processing method according to this embodiment and this modification, the waferless dry cleaning process → the coating process → the treatment process → the etching process for a predetermined number of product wafers is repeatedly performed. Thus, a new precoat film is formed on the wall of the chamber 10 each time a predetermined number of product wafers are plasma processed. As a result, the internal condition of the chamber 10 can be adjusted and stable plasma processing can be performed.

また、チャンバ１０の壁の表面に被覆されたイットリア系の溶射膜へのイオン等の衝突によりイットリア系の溶射膜が削れてイットリア等のパーティクルがチャンバ１０の内部に飛散することを回避できる。 Further, it is possible to avoid the yttria-based sprayed film from being scraped by the collision of ions or the like with the yttria-based sprayed film coated on the surface of the chamber 10 and scattering of particles such as yttria into the chamber 10.

また、チャンバ１０の壁へのイオン等の衝突によりアルミニウム等の金属系のコンタミネーションが発生することを防止できる。また、チャンバ１０の壁及びチャンバ１０の内部に配置されたパーツをプリコート膜により保護することで、チャンバ１０及びチャンバ１０内のパーツの製品寿命を向上させることができる。 Further, it is possible to prevent the occurrence of metallic contamination such as aluminum due to collision of ions or the like with the wall of the chamber 10. Further, by protecting the wall of the chamber 10 and the parts disposed inside the chamber 10 with the precoat film, the product life of the chamber 10 and the parts in the chamber 10 can be improved.

ガス供給については、更に、変形例では、２系統のガス供給経路を用いて所望のガスが供給される。臭化水素や塩素等のハロゲン系ガスをセンター側のガス供給経路から導入すると、センター側のガス供給孔５５の近傍に過剰にプリコート膜が成膜され、ガス供給孔５５を塞いだり、狭めたりすることが懸念される。また、センター側に過剰にプリコート膜がコーティングされるとプリコート膜の厚さが不均一になる。更にセンター側にハロゲン系ガスのような腐食性ガスを導入すると、センター側のガス供給経路からコンタミネーションが発生したり、センター側のガス供給経路が劣化したりする。特にチャンバ１０内のセンター側のガス供給経路は、エッジ側のガス供給経路よりもプラズマに近いため腐食しやすい。 Regarding the gas supply, in a modified example, a desired gas is supplied using two gas supply paths. When a halogen-based gas such as hydrogen bromide or chlorine is introduced from the center-side gas supply path, an excessive precoat film is formed in the vicinity of the center-side gas supply hole 55 to close or narrow the gas supply hole 55. There is a concern to do. If the precoat film is excessively coated on the center side, the thickness of the precoat film becomes non-uniform. Further, when a corrosive gas such as a halogen-based gas is introduced to the center side, contamination occurs from the center-side gas supply path or the center-side gas supply path deteriorates. In particular, since the gas supply path on the center side in the chamber 10 is closer to the plasma than the gas supply path on the edge side, it tends to corrode.

そこで、本変形例にかかるコーティング工程では、ハロゲン系ガスを含むガスが、エッジ側のガス供給経路からチャンバ１０内のエッジ側に供給され、不活性ガス及び酸素ガスがセンター側のガス供給経路からチャンバ１０内のセンター側に供給される。これにより、チャンバ１０の壁により均一にプリコート膜を形成することができる。 Therefore, in the coating process according to this modification, a gas containing a halogen-based gas is supplied from the gas supply path on the edge side to the edge side in the chamber 10, and inert gas and oxygen gas are supplied from the gas supply path on the center side. It is supplied to the center side in the chamber 10. Thereby, the precoat film can be uniformly formed on the wall of the chamber 10.

以上、プラズマ処理方法を上記実施形態により説明したが、本発明に係るプラズマ処理方法は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。 As described above, the plasma processing method has been described in the above embodiment. However, the plasma processing method according to the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications and improvements can be made within the scope of the present invention. The matters described in the above embodiments can be combined within a consistent range.

例えば、本発明に係るプラズマ処理方法は、平行平板型のプラズマ処理装置（容量結合型プラズマ（ＣＣＰ:Capacitively Coupled Plasma)装置だけでなく、誘導結合型プラズマ(ＩＣＰ:Inductively Coupled Plasma)、ラジアルラインスロットアンテナを用いたＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置、ヘリコン波励起型プラズマ（ＨＷＰ：Helicon Wave Plasma）装置、電子サイクロトロン共鳴プラズマ（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Ｒesonance Plasma）装置等であってもよい。 For example, the plasma processing method according to the present invention includes a parallel plate type plasma processing apparatus (capacitively coupled plasma (CCP) apparatus, inductively coupled plasma (ICP), radial line slot). It may be a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus using an antenna, a Helicon Wave Plasma (HWP) apparatus, an Electron Cyclotron Resonance Plasma (ECR) apparatus, or the like.

また、本発明に係るプラズマ処理方法は、図５のプラズマ処理装置の変形例に示すように、ガスをチャンバ１０内のガスシャワーヘッド２５と、その下方であって載置台２０の上方に設けられたガス供給機構１５５とから導入するようにしてもよい。また、ガスをガス供給機構１５５のみから導入するようにしてもよい。 Further, in the plasma processing method according to the present invention, as shown in the modification of the plasma processing apparatus of FIG. 5, the gas is provided below the gas shower head 25 in the chamber 10 and below the mounting table 20. Alternatively, the gas may be introduced from the gas supply mechanism 155. Further, the gas may be introduced only from the gas supply mechanism 155.

また、本発明にかかるプラズマ処理装置によりプラズマ処理される基板は、ウェハに限られず、例えば、フラットパネルディスプレイ（Flat Panel Display)用の大型基板、ＥＬ素子又は太陽電池用の基板であってもよい。 The substrate to be plasma-processed by the plasma processing apparatus according to the present invention is not limited to a wafer, and may be, for example, a large substrate for a flat panel display, an EL element, or a substrate for a solar cell. .

１：プラズマ処理装置
１０：チャンバ
１５：ガス供給源
２０：載置台（下部電極）
２５：ガスシャワーヘッド（上部電極）
３２：第１高周波電源
３４：第２高周波電源
５０ａ：センター側の拡散室
５０ｂ：エッジ側の拡散室
５５：ガス供給孔
６５：排気装置
１００：制御部
１０４：支持体
１０６：静電チャック
１５５：ガス供給機構 1: Plasma processing apparatus 10: Chamber 15: Gas supply source 20: Mounting table (lower electrode)
25: Gas shower head (upper electrode)
32: First high frequency power supply 34: Second high frequency power supply 50a: Center side diffusion chamber 50b: Edge side diffusion chamber 55: Gas supply hole 65: Exhaust device 100: Control unit 104: Support 106: Electrostatic chuck 155: Gas supply mechanism

Claims

基板をチャンバ内の載置台に載置し、ガスを前記チャンバ内に供給し、前記載置台に電磁波源から電力を印加することで前記ガスからプラズマを生成し、前記基板に所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法であって、
ハロゲン系ガスを含むガスを前記チャンバ内に供給し、生成されたプラズマによりシリコン製のダミー基板をスパッタリング及びエッチングし、前記チャンバ内にコーティング膜を成膜するコーティング工程、
を含むプラズマ処理方法。 A substrate is mounted on a mounting table in a chamber, a gas is supplied into the chamber, a plasma is generated from the gas by applying power from an electromagnetic wave source to the mounting table, and a predetermined plasma treatment is performed on the substrate. A plasma processing method to be performed,
A coating step of supplying a gas containing a halogen-based gas into the chamber, sputtering and etching a silicon dummy substrate with the generated plasma, and forming a coating film in the chamber;
A plasma processing method comprising:

不活性ガス及び酸素ガスを前記チャンバ内に供給し、生成されたプラズマにより前記コーティング膜をトリートメントするトリートメント工程、
を更に含む請求項１に記載のプラズマ処理方法。 A treatment process of supplying an inert gas and an oxygen gas into the chamber and treating the coating film with the generated plasma;
The plasma processing method according to claim 1, further comprising:

前記コーティング工程は、
１００ｍＴｏｒｒ（１３．３３Ｐａ）以上の第１の圧力に保持された前記チャンバ内に前記電磁波源として高周波電源から高周波電力を印加した後、前記チャンバ内を前記第１の圧力よりも低い２０ｍＴｏｒｒ（２．６６６Ｐａ）以下の第２の圧力にする、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。 The coating process includes
After applying high-frequency power from a high-frequency power source as the electromagnetic wave source to the chamber held at a first pressure of 100 mTorr (13.33 Pa) or higher, the inside of the chamber is 20 mTorr (2.P) lower than the first pressure. 666 Pa) to a second pressure of less than
The plasma processing method according to claim 1 or 2.

前記コーティング工程は、
２０ｍＴｏｒｒ（２．６６６Ｐａ）以下の圧力に保持された前記チャンバ内に前記電磁波源としてマイクロ波源と高周波電源とからマイクロ波と電力高周波電力とを印加した後、前記マイクロ波の出力を停止する、
請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。 The coating process includes
After applying microwaves and power high frequency power from a microwave source and a high frequency power source as the electromagnetic wave source in the chamber held at a pressure of 20 mTorr (2.666 Pa) or less, the output of the microwave is stopped.
The plasma processing method according to claim 1 or 2.

前記コーティング工程は、
ハロゲン系ガスを含むガスを前記チャンバのエッジ側に形成されたガス供給経路から該チャンバ内のエッジ側に供給し、
不活性ガス及び酸素ガスを前記チャンバのセンター側に形成されたガス供給経路から該チャンバ内のセンター側に供給する、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 The coating process includes
Supplying a gas containing a halogen-based gas to the edge side in the chamber from a gas supply path formed on the edge side of the chamber;
Supplying an inert gas and an oxygen gas to a center side in the chamber from a gas supply path formed on the center side of the chamber;
The plasma processing method as described in any one of Claims 1-4.

前記コーティング工程は、
前記ハロゲン系ガスとして臭化水素ガス（ＨＢｒ）又は塩素ガス（Ｃｌ_２）を供給する、
請求項１〜５のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 The coating process includes
Supplying hydrogen bromide gas (HBr) or chlorine gas (Cl ₂ ) as the halogen-based gas;
The plasma processing method as described in any one of Claims 1-5.

前記コーティング工程は、
基板をプラズマ処理した前記チャンバ内をウェハレスドライクリーニングした後、シリコン製のダミー基板を搬入し、前記チャンバ内にコーティング膜を成膜する、
請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 The coating process includes
After the wafer-less dry cleaning inside the chamber in which the substrate is plasma-treated, a silicon dummy substrate is carried in, and a coating film is formed in the chamber.
The plasma processing method as described in any one of Claims 1-6.

前記コーティング工程は、
一枚の基板がプラズマ処理される毎又は一ロット内の基板がプラズマ処理される毎に実行され、前記コーティング膜を成膜する、
請求項１〜７のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。 The coating process includes
It is executed every time one substrate is plasma-treated or every time a substrate in one lot is plasma-treated, and the coating film is formed.
The plasma processing method as described in any one of Claims 1-7.