JP2016085670A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施形態に係る半導体記憶装置は、基板10と筐体とを備える。基板10は、データを記憶可能なメモリと、メモリを制御するコントローラが設けられている。筐体は、第1及び第2の筐体部品を含み、内部に基板10を保持する。第1の筐体部品は、弾性を有し且つ基板10に接する固定部3を備える。
【選択図】図3
Description
第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。
まず本実施形態に係るUSBメモリ装置の構成について、図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施形態に係るUSBメモリ装置の斜視図であり、図2は、図1に示すUSBメモリ装置を分解した図である。
但し、
・Wbo3は筐体部品2の内側の側面(図3のP2_1で示される面であり、以下「筐体部品2の第1面」と呼ぶ)から、固定部3の第2面P3_2の底部までの距離、
・Wti4は筐体部品1の内側の側面(図3のP1_1で示される面)から、支持部4の第1面(図3のP4_1で示される面)の先端部までの距離、及び、
・Wto3は、筐体部品2の第1面P2_1から、固定部3の第2面P3_2の先端部までの距離、
である。
本実施形態に係る構成によれば、筐体や基板10の寸法ばらつきによらず、基板10を固定することが出来る。以下、基板10の幅がばらついた場合を例として本効果について説明する。図5及び図6は、図3の領域Cを拡大した図であり、図5は基板10の幅が小さい場合、図6は基板10の幅が大きい場合をそれぞれ示している。図5及び図6に示すように、基板10の幅が変動しても、それに応じて固定部3が弾性変形することにより、常に基板10を押さえることが出来る。
次に、第2実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態における基板10の左右及び上下の位置を固定する構造に関するものである。本実施形態では具体的に4つの例を示す。以下では第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
まず、本実施形態の第1例に係る構成について図7を用いて説明する。本例は、第1実施形態における台座5を廃したものである。図示するように、本例では台座5が廃されており、基板10は、左右の固定部3と筐体部分2の内側の底面とにより、左右及び上下の位置が固定される。
次に、本実施形態の第2例に係る構成について図8を用いて説明する。本例は、第1実施形態における支持部4の構造が異なるものである。図示するように、本例における支持部4は、筐体部品1の内部の左右の隅に設けられ、三角形状をしている。そして、筐体組み立て時には、固定部3は、この支持部4に接触して基板側に変形する。この結果、基板10は、固定部3と台座5により、左右及び上下の位置が固定される。なお、本例において、台座5が廃されても良い。
次に、本実施形態の第3例に係る構成について図9を用いて説明する。本例は、第1実施形態における筐体部品1の内部の側面に固定部を有するものである。図示するように、筐体部品1の左右の側面に固定部6が設けられている。固定部6は、筐体部品1に設けられた固定部であり、弾性を有する例えば絶縁性の樹脂により形成される。また、固定部6は、筐体を組み立てた際、基板10と接触する位置に配置される。よって、筐体組み立て時には、固定部6は、基板10に押されて変形する。この結果、基板10は、固定部6と台座5により、左右及び上下の位置が固定される。従って本例では支持部が廃されている。なお、本例において、台座5が廃されても良い。
次に、本実施形態の第4例に係る構成について図10を用いて説明する。本例は、第1実施形態における筐体部品1の内側の底面に固定部を有するものである。図示するように、筐体部品1は、内側の底面の左右に1つずつ固定部6を有する。2つの固定部6の間隔と基板10の幅W10との関係は、次の関係が成立する。
但し、
・Wb6は2つの固定部6の向かい合う面(図10において参照符号P6_1で示される面であり、以下「固定部6の第1面」と呼ぶ)の底部の間隔、
・W10は基板10の幅、及び、
・Wt6は2つの固定部6の第1面の先端部の間隔、
である。
本実施形態に係る構成であっても、上記第1実施形態と同様の効果が得られる。
次に、第3実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。本実施形態は、上記第1及び第2実施形態における基板10の前後の位置を固定する構造に関するものである。本実施形態では、具体的に3つの例を示す。以下では第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
まず、本実施形態の第1例に係る構成について図11を用いて説明する。本例は、第1実施形態における封止部材20が支持部を有するものである。図示するように、封止部材20は、支持部7を有している。支持部7は、封止部材20に設けられた支持部であり、例えば絶縁性の樹脂により形成される。筐体を組み立てた際、支持部7は、基板10の後方に位置する固定部3を、基板側に押して変形させ、基板10に接触させる。この結果、基板10は、筐体部品2の前方に形成されたL部と、基板10の後方の固定部3により前後の位置が固定される。
次に、本実施形態の第2例に係る構成について図12を用いて説明する。本例は、第2実施形態の第4例と同様に、筐体部品1が基板10の後方に接触する固定部6を有しているものである。図示するように基板10は、筐体部品2の前方に形成されたL部と、基板10の後方の固定部6により前後の位置が固定される。従って本例では、支持部が廃されている。
次に、本実施形態の第3例に係る構成について図13を用いて説明する。本例は、第1実施形態における封止部材20が固定部を有するものである。図示するように、封止部材20は、固定部8を有している。固定部8は、封止部材20に設けられた固定部であり、弾性を有する例えば絶縁性の樹脂により形成される。筐体組み立ての際、固定部8は、基板10と接触し、変形する。この結果、基板10は、筐体部品2の前方に形成されたL部と、基板10の後方の固定部8により前後の位置が固定される。従って本例では、固定部8に対応する支持部4が廃されている。
本実施形態に係る構成であっても、上記第1及び第2実施形態と同様の効果が得られる。
上記実施形態に係る半導体記憶装置は、基板10(図3)と筐体(図3)とを備える。基板10は、データを記憶可能なメモリと、メモリを制御するコントローラが設けられている。筐体は、第1及び第2の筐体部品(図3の1と2)を含み、内部に基板10を保持する。第1の筐体部品(図3の2)は、弾性を有し且つ基板10に接する少なくとも1つの固定部3を備える。
第1変形例について説明する。上記実施形態において、USBメモリ装置の構成が異なっていても良い。図14及び図15は、本例に係るUSBメモリ装置の斜視図、及びUSBメモリ装置の分解図である。図示するように、本例におけるUSBメモリ装置は、基板10、筐体部品1及び2、挿入部40を備えている。挿入部40は、例えば金属で形成され、外部機器のUSBポートに差し込まれる。なお、本例では、筐体部品1及び2は、組み合わせた際にUSBメモリ装置の後方を封する形状を有しており、その結果、封止部材20は廃されている。更に、挿入部40は、筐体部品1及び2がUSBポートへの挿し込み形状を有することにより、廃しても良い。
上記実施形態では、基板10の左右の位置を固定するために、基板10の左右に固定部3または6を配置したが、基板右側または左側だけに配置しても良く、この場合、筐体部品2の側面と固定部3または6とにより左右の位置が固定されても良い。
Claims (10)
- データを記憶可能なメモリと、前記メモリを制御するコントローラとが設けられた基板と、
前記基板を内部に保持する筐体と
を具備し、前記筐体は、第1及び第2の筐体部品を含み、
前記第1の筐体部品は、弾性を有し且つ前記基板に接する少なくとも1つの固定部を備える
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記固定部は、前記基板に接触し、前記筐体の内部における前記基板の位置を固定する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記固定部は、前記基板の側面と上面とによる角部に接触する
ことを特徴とする請求項1及び2いずれか一項記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の筐体部品は、第1及び第2の固定部が設けられ、
前記第1の固定部は、前記基板の前記角部に接触し、
前記第2の固定部は、前記基板の上面において、前記第1の固定部に対向する端部の前記角部に接触する
ことを特徴とする請求項3記載の半導体記憶装置。 - 前記固定部は、変形して前記基板と接触する
ことを特徴とする請求項1乃至4いずれか一項記載の半導体記憶装置。 - 前記固定部は、樹脂により形成されている
ことを特徴とする請求項1乃至5いずれか一項記載の半導体記憶装置。 - 前記第2の筐体部品は、支持部を有し、
前記支持部は、前記固定部の前記基板と接触する面と反対側の面に接触する
ことを特徴とする請求項1乃至6いずれか一項記載の半導体記憶装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項記載の半導体記憶装置は、USBメモリ装置である。
- 前記基板は、プリント回路基板(PCB:printed circuit board)である
ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリと前記コントローラは異なる半導体チップで形成され、異なる前記半導体チップは、1つのパッケージに実装されたSiP(system in a package)である
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項記載の半導体記憶装置。
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