JP2016069684A

JP2016069684A - Film deposition device and each manufacturing method of laminate film and electrode substrate film

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Publication number: JP2016069684A
Application number: JP2014199885A
Authority: JP
Inventors: 大上　秀晴; Hideharu Ogami; 秀晴大上
Original assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Priority date: 2014-09-30
Filing date: 2014-09-30
Publication date: 2016-05-09
Anticipated expiration: 2034-09-30
Also published as: JP6277926B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film deposition device in which variation of characteristics hardly occurs even when a metal absorption film is continuously deposited by reactivity sputtering, and each manufacturing method of an electrode substrate film and a laminate film in which a circuit pattern is hardly visible even under high luminance illumination.SOLUTION: A film deposition device includes: first film deposition means provided along the vicinity of a can roll 116 and for forming a metal absorption film by reactivity sputtering by using a metal material and a reactive gas on a long resin film 112; second film deposition means for forming a metal film on the metal absorption film; and reactive gas supply means for supplying the reactive gas to the first film deposition means. A reflectance measurement means (reflectance measurement probe 133) for measuring spectral reflectance of the metal absorption film deposited by the first film deposition means is provided in the vicinity of a can roll outer peripheral surface between the first film deposition means and the second film deposition means, and a gas supply amount of the reactive gas supply means is controlled by comparing a measurement value and a target value of the spectral reflectance.SELECTED DRAWING: Figure 7

Description

本発明は、樹脂フィルムから成る透明基板と電極等の回路パターンを有しタッチパネル等に用いられる電極基板フィルムに係り、特に、高輝度照明下においても回路パターンが視認され難い電極基板フィルムの製造方法と該電極基板フィルムの製造に適用される積層体フィルムの製造方法および成膜装置の改良に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a transparent substrate made of a resin film and an electrode substrate film having a circuit pattern such as an electrode and used for a touch panel or the like, and in particular, a method for producing an electrode substrate film in which a circuit pattern is hardly visible even under high-intensity illumination. In addition, the present invention relates to a method for producing a laminate film applied to the production of the electrode substrate film and improvement of a film forming apparatus.

近年、携帯電話、携帯電子文書機器、自動販売機、カーナビゲーション等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表面に設置する「タッチパネル」が普及している。 In recent years, a “touch panel” installed on the surface of a flat panel display (FPD) such as a mobile phone, a portable electronic document device, a vending machine, and a car navigation system has become widespread.

上記「タッチパネル」には、大きく分けて抵抗型と静電容量型が存在する。「抵抗型のタッチパネル」は、樹脂フィルムから成る透明基板と該基板上に設けられたＸ座標（またはＹ座標）検知電極シート並びにＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートと、これ等シートの間に設けられた絶縁体スペーサーとで主要部が構成されている。そして、上記Ｘ座標検知電極シートとＹ座標検知電極シートは空間的に隔たっているが、ペン等で押さえられたときに両座標検知電極シートは電気的に接触してペンの触った位置（Ｘ座標、Ｙ座標）が判るようになっており、ペンを移動させればその都度座標を認識して、最終的に文字の入力が行なえる仕組みとなっている。他方、「静電容量型のタッチパネル」は、絶縁シートを介してＸ座標（またはＹ座標）検知電極シートとＹ座標（またはＸ座標）検知電極シートが積層され、これ等の上にガラス等の絶縁体が配置された構造を有している。そして、ガラス等の上記絶縁体に指を近づけたとき、その近傍のＸ座標検知電極、Ｙ座標検知電極の電気容量が変化するため、位置検知を行なえる仕組みとなっている。 The “touch panel” is roughly classified into a resistance type and a capacitance type. A “resistive touch panel” is a transparent substrate made of a resin film, an X coordinate (or Y coordinate) detection electrode sheet provided on the substrate, and a Y coordinate (or X coordinate) detection electrode sheet, and a space between these sheets The main part is comprised with the insulator spacer provided in this. The X-coordinate detection electrode sheet and the Y-coordinate detection electrode sheet are spatially separated from each other. However, when the X-coordinate detection electrode sheet is pressed with a pen or the like, the two coordinate detection electrode sheets are in electrical contact with each other and touched by the pen (X (Coordinates, Y-coordinates) are known, and when the pen is moved, the coordinates are recognized each time, and finally a character can be input. On the other hand, the “capacitance-type touch panel” has an X-coordinate (or Y-coordinate) detection electrode sheet and a Y-coordinate (or X-coordinate) detection electrode sheet laminated via an insulating sheet. It has a structure in which an insulator is disposed. When a finger is brought close to the insulator such as glass, the electric capacity of the X-coordinate detection electrode and the Y-coordinate detection electrode in the vicinity thereof changes so that the position can be detected.

そして、電極等の回路パターンを構成する導電性材料として、従来、ＩＴＯ（酸化インジウム−酸化錫）等の透明導電膜が広く用いられていた（特許文献１参照）。また、タッチパネルの大型化に伴い、特許文献２や特許文献３等に開示されたメッシュ構造の金属製細線（金属膜）が用いられ、更に、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）やグラフェン（Grapene）等で代替する取り組みもされ始めている。 Conventionally, a transparent conductive film such as ITO (indium oxide-tin oxide) has been widely used as a conductive material constituting a circuit pattern such as an electrode (see Patent Document 1). In addition, along with the increase in the size of touch panels, metal fine wires (metal films) with a mesh structure disclosed in Patent Document 2 and Patent Document 3 are used, and further replaced by carbon nanotubes (CNT), graphene, etc. Efforts are also being made.

ところで、上記透明導電膜と金属製細線（金属膜）を較べた場合、透明導電膜は、可視波長領域における透過性に優れるため電極等の回路パターンが殆ど視認されない利点を有するが、金属製細線（金属膜）より電気抵抗値が高いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化には不向きな欠点を有する。他方、金属製細線（金属膜）は、電気抵抗値が低いためタッチパネルの大型化や応答速度の高速化に向いているが、可視波長領域における反射率が高いため、例え微細なメッシュ構造に加工されたとしても高輝度照明下において回路パターンが視認されることがあり、製品価値を低下させてしまう欠点を有する。そして、この反射は、媒質（空気）と金属製細線（金属膜）の界面、金属製細線（金属膜）と樹脂フィルムの界面の屈折率差によるフレネル反射に起因している。 By the way, when the transparent conductive film is compared with a thin metal wire (metal film), the transparent conductive film has an advantage that the circuit pattern such as an electrode is hardly visually recognized because of its excellent transparency in the visible wavelength region. Since the electric resistance value is higher than that of the (metal film), there is a disadvantage that is not suitable for increasing the size of the touch panel and increasing the response speed. On the other hand, thin metal wires (metal films) are suitable for increasing the size of touch panels and increasing the response speed due to their low electrical resistance, but they have high reflectivity in the visible wavelength region, so they are processed into a fine mesh structure. Even if it is done, a circuit pattern may be visually recognized under high-intensity illumination, and it has the fault of reducing a product value. And this reflection originates in Fresnel reflection by the refractive index difference of the interface of a medium (air) and a metal fine wire (metal film) and the interface of a metal fine wire (metal film) and a resin film.

そこで、樹脂フィルムと金属膜との間に金属酸化物等から成る金属吸収膜（黒化膜と称され、金属窒化物で構成される場合もある）を設ける（特許文献４参照）等して樹脂フィルム側から観測される金属製細線の反射を低減させる方法が提案されている。 Therefore, a metal absorbing film made of a metal oxide or the like (referred to as a blackening film, which may be composed of a metal nitride) is provided between the resin film and the metal film (see Patent Document 4). There has been proposed a method for reducing the reflection of metal fine wires observed from the resin film side.

そして、金属酸化物等から成る金属吸収膜については、金属酸化物等の成膜効率を図る観点から、通常、金属ターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリング等により連続して成膜されているが、金属吸収膜を継続して連続成膜した場合、成膜環境の経時変化（例えば、真空チャンバー内における反応性ガスの濃度変化等）により、金属吸収膜の特性が変化してしまう問題があった。 The metal absorbing film made of metal oxide or the like is usually formed continuously by reactive sputtering using a metal target and a reactive gas from the viewpoint of film formation efficiency of the metal oxide or the like. However, when the metal absorption film is continuously formed, the characteristics of the metal absorption film may change due to changes in the film formation environment over time (for example, changes in the concentration of reactive gas in the vacuum chamber). was there.

この問題を解決するため、成膜直後における金属吸収膜の透過率若しくは反射率を計測するインライン透過率測定器若しくはインライン反射率測定器を真空チャンバー内に配置して所望とする特性が維持されるようフィードバック制御を行う方法（特許文献５〜７参照）が検討され、あるいは、図５のグラフ図に示すように金属吸収層（膜）の表面抵抗（図５のグラフ図中、ひし形マークで示す）は反射率（図５のグラフ図中、四角形マークで示す）と略反比例の関係を有することから、成膜直後における金属吸収膜の表面抵抗を計測する接触式表面抵抗測定器若しくは渦電流を応用した非接触式表面抵抗測定器を真空チャンバー内に配置して所望とする特性が維持されるようにフィードバック制御を行う方法が検討されている。 In order to solve this problem, an in-line transmittance measuring device or an in-line reflectance measuring device for measuring the transmittance or reflectance of the metal absorption film immediately after the film formation is arranged in the vacuum chamber to maintain desired characteristics. As shown in the graph of FIG. 5, the surface resistance of the metal absorption layer (film) (shown by rhombus marks in the graph of FIG. 5) is studied. ) Has a substantially inversely proportional relationship with the reflectance (indicated by a square mark in the graph of FIG. 5), a contact type surface resistance measuring instrument or eddy current measuring the surface resistance of the metal absorption film immediately after film formation is used. A method of performing feedback control so that a desired characteristic is maintained by arranging an applied non-contact type surface resistance measuring instrument in a vacuum chamber has been studied.

ところで、図１に示すように樹脂フィルム４２の片面側に金属吸収膜４１と金属膜４０が順次成膜される構造の積層体フィルムに対してインライン透過率測定器若しくはインライン反射率測定器により制御する方法は、樹脂フィルム４２側から金属吸収膜４１の光学特性を測定できるため以下に述べる不都合はないが、図２に示すように樹脂フィルム６２の両面に金属吸収膜６１、６３と金属膜６０、６４がそれぞれ成膜される構造の積層体フィルムに対してインライン透過率測定器若しくはインライン反射率測定器により制御する方法は、金属吸収膜６１と金属膜６０が成膜された樹脂フィルム６２側から金属吸収膜６３の光学特性を測定することが困難なため、金属吸収膜と金属膜を連続して成膜できなくなる不都合を生じさせる。すなわち、樹脂フィルム６２の片面側に金属吸収膜６１を成膜しながらインライン透過率測定器若しくはインライン反射率測定器による制御を行い、片面側における金属吸収膜６１の成膜が完了した後、樹脂フィルム６２の他方側に金属吸収膜６３を連続成膜しながらインライン透過率測定器若しくはインライン反射率測定器による制御を行う方法を採らざるを得ない。このため、樹脂フィルムに対して金属吸収膜と金属膜を連続して成膜することができなくなることから、成膜工程の増加によるコストアップを生じさせる問題が存在した。 By the way, as shown in FIG. 1, the laminate film having a structure in which the metal absorption film 41 and the metal film 40 are sequentially formed on one surface of the resin film 42 is controlled by an inline transmittance measuring device or an inline reflectance measuring device. Although the method described above can measure the optical characteristics of the metal absorption film 41 from the resin film 42 side, there is no inconvenience described below. However, as shown in FIG. 2, the metal absorption films 61 and 63 and the metal film 60 are formed on both surfaces of the resin film 62. , 64 is formed on the side of the resin film 62 on which the metal absorption film 61 and the metal film 60 are formed. Therefore, it is difficult to measure the optical characteristics of the metal absorption film 63, which causes a disadvantage that the metal absorption film and the metal film cannot be continuously formed. That is, after the metal absorption film 61 is formed on one side of the resin film 62 and controlled by an in-line transmittance measuring device or an in-line reflectance measuring device, There is no choice but to adopt a method in which the metal absorbing film 63 is continuously formed on the other side of the film 62 and controlled by an inline transmittance measuring device or an inline reflectance measuring device. For this reason, since it becomes impossible to form a metal absorption film and a metal film continuously with respect to a resin film, there existed a problem which caused the cost increase by the increase in the film-forming process.

尚、成膜直後における金属吸収膜の表面抵抗を接触式表面抵抗測定器で計測する上述の制御方法は金属吸収膜に傷をつけてしまう問題があり、渦電流を応用した非接触式表面抵抗測定器により成膜直後における金属吸収膜の表面抵抗を計測する上述の制御方法はキャンロール（金属ロール）上での測定ができない不都合があり共に採用困難であった。 In addition, the above-mentioned control method of measuring the surface resistance of the metal absorption film immediately after film formation with a contact type surface resistance measuring device has a problem of scratching the metal absorption film, and is a non-contact type surface resistance applying eddy current. The above-described control method for measuring the surface resistance of the metal absorption film immediately after film formation by a measuring instrument has a disadvantage that it cannot be measured on a can roll (metal roll) and is difficult to employ.

特開２００３−１５１３５８号公報（請求項２参照）JP 2003-151358 A (refer to claim 2) 特開２０１１−０１８１９４号公報（請求項１参照）JP 2011-018194 A (refer to claim 1) 特開２０１３−０６９２６１号公報（段落0004参照）JP 2013-0669261 A (see paragraph 0004) 特開２０１３−２２５２７６号公報（請求項１、段落0041参照）JP 2013-225276 A (refer to claim 1, paragraph 0041) 特開２００８−０７０４３２号公報（請求項１参照）JP 2008-070432 A (refer to claim 1) 特開２０００−１７４３７号公報（段落0016参照）JP 2000-17437 A (see paragraph 0016) 特開２００５−３３８０４７号公報（請求項１参照）JP 2005-338047 A (refer to claim 1)

本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、金属酸化物等から成る金属吸収膜を反応成膜法により連続成膜してもその要求特性の変動が起こり難い成膜装置を提供し、かつ、高輝度照明下においても回路パターンが視認され難い電極基板フィルムの製造方法と該電極基板フィルムの製造に適用される積層体フィルムの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such problems, and the problem is that even if a metal absorption film made of a metal oxide or the like is continuously formed by a reactive film formation method, the required characteristics fluctuate. Provides a film forming apparatus in which a circuit pattern is difficult to be observed, and a method for producing an electrode substrate film in which a circuit pattern is hardly visible even under high-luminance illumination, and a method for producing a laminate film applied to the production of the electrode substrate film There is.

すなわち、本発明に係る第１の発明は、
長尺樹脂フィルムを巻き出す巻き出しロールと、長尺樹脂フィルムを巻き取る巻き取りロールと、巻き出しロールと巻き取りロール間に設けられた冷却キャンロールと、冷却キャンロールの外周面近傍に沿ってそれぞれ設けられかつ冷却キャンロールの外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム面に金属材と反応性ガスを用いた反応成膜法により金属吸収膜を形成する第一成膜手段並びに金属材を用いた成膜法により上記金属吸収膜上に金属膜を形成する第二成膜手段と、上記第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段を真空チャンバー内に備える成膜装置において、
第一成膜手段と第二成膜手段間における冷却キャンロールの外周面近傍部位に上記第一成膜手段で成膜された金属吸収膜の分光反射率を測定する反射率測定手段を設け、金属吸収膜における分光反射率の測定値と目標値とを比較して上記反応性ガス供給手段における反応性ガスの供給量を制御するようにしたことを特徴とし、
また、第２の発明は、
第１の発明に記載の成膜装置において、
酸素と窒素の単体ガス若しくはこれ等の混合ガス、または、酸素と窒素を主成分とする混合ガスにより上記反応性ガスが構成されていることを特徴とし、
第３の発明は、
第１の発明に記載の成膜装置において、
安定化光源と、該光源からの光を２光路に分配しその一方の光路を構成する測定光照射ファイバ束が真空チャンバー内に導入され他方の光路を構成する参照光照射ファイバ束が真空チャンバー外に配置されるＹ分岐光ファイバ束と、上記測定光照射ファイバ束と反射光受光ファイバ束から成りかつ冷却キャンロールの外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルムの金属吸収膜へ向けて測定光照射ファイバ束から測定光を照射し金属吸収膜からの反射光を反射光受光ファイバ束で受光して金属吸収膜の反射率を測定する反射率測定プローブと、該反射率測定プローブの反射光受光ファイバ束と上記参照光照射ファイバ束の各端部が真空チャンバー外において接続されかつ上記参照光照射ファイバ束の端部から出射される参照光と反射光受光ファイバ束の端部から出射される測定光を一定の時間毎に順次通過させる光切換器と、該光切換器を通過した参照光に基づき光源光量を測定しかつ測定された上記光源光量に基づき光切換器を通過した測定光の光量を補正して金属吸収膜の分光反射率を計測する分光器とで上記反射率測定手段が構成されていることを特徴とする。 That is, the first invention according to the present invention is:
Along with the unwinding roll for unwinding the long resin film, the winding roll for winding the long resin film, the cooling can roll provided between the unwinding roll and the winding roll, and the vicinity of the outer peripheral surface of the cooling can roll A first film forming means for forming a metal absorbing film by a reactive film forming method using a metal material and a reactive gas on a long resin film surface each provided and wound around the outer peripheral surface of the cooling can roll, and a metal material A film forming apparatus comprising: a second film forming means for forming a metal film on the metal absorption film by the film forming method used; and a reactive gas supply means for supplying a reactive gas to the first film forming means in the vacuum chamber. In the device
A reflectance measuring means for measuring the spectral reflectance of the metal absorption film formed by the first film forming means is provided in the vicinity of the outer peripheral surface of the cooling can roll between the first film forming means and the second film forming means, It is characterized by controlling the supply amount of the reactive gas in the reactive gas supply means by comparing the measured value and the target value of the spectral reflectance in the metal absorption film,
In addition, the second invention,
In the film forming apparatus according to the first invention,
The reactive gas is composed of a single gas of oxygen and nitrogen or a mixed gas thereof, or a mixed gas mainly composed of oxygen and nitrogen,
The third invention is
In the film forming apparatus according to the first invention,
A stabilizing light source and a measurement light irradiation fiber bundle that distributes light from the light source into two optical paths and constitutes one of the optical paths is introduced into the vacuum chamber, and a reference light irradiation fiber bundle that constitutes the other optical path is outside the vacuum chamber. Irradiating measurement light toward the metal absorption film of a long resin film comprising a Y-branch optical fiber bundle disposed on the outer periphery of the cooling can roll and comprising the measurement light irradiation fiber bundle and the reflected light receiving fiber bundle. A reflectance measurement probe that irradiates measurement light from a fiber bundle and receives reflected light from the metal absorbing film by the reflected light receiving fiber bundle and measures the reflectance of the metal absorbing film, and a reflected light receiving fiber of the reflectance measuring probe The bundle and each end of the reference light irradiation fiber bundle are connected outside the vacuum chamber, and the reference light and reflected light receiving fiber emitted from the end of the reference light irradiation fiber bundle are connected. A light switch for sequentially passing the measurement light emitted from the end of the bundle at regular intervals, and the light source light amount is measured based on the reference light that has passed through the light switch, and the light is measured based on the measured light source light amount. The reflectance measuring means is configured by a spectrometer that corrects the amount of measurement light that has passed through the switch and measures the spectral reflectance of the metal absorption film.

次に、第４の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面若しくは両面に設けられた積層膜とで構成され、かつ、上記積層膜が透明基板側から数えて１層目の金属吸収膜と２層目の金属膜から成る積層体フィルムの製造方法において、
目標とする分光反射率を有する金属吸収膜が、第１の発明〜第３の発明のいずれかに記載の成膜装置を用いて形成されることを特徴とし、
第５の発明は、
第４の発明に記載の積層体フィルムの製造方法において、
上記金属吸収膜が、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成る金属材を成膜材料とし、第１の発明〜第３の発明のいずれかに記載の成膜装置における第一成膜手段へ反応性ガスを導入する反応成膜法により形成されることを特徴とし、
第６の発明は、
樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面若しくは両面に設けられた金属製の積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムの製造方法において、
第４の発明に記載の積層体フィルムにおける上記積層膜をエッチング処理して、金属製の積層細線に加工することを特徴とするものである。 Next, the fourth invention is:
It is composed of a transparent substrate made of a resin film and a laminated film provided on one or both sides of the transparent substrate, and the laminated film is counted from the transparent substrate side as a first layer metal absorbing film and a second layer metal. In the method for producing a laminate film composed of a film,
A metal absorption film having a target spectral reflectance is formed using the film forming apparatus according to any one of the first to third inventions,
The fifth invention is:
In the method for producing a laminate film according to the fourth invention,
The metal absorption film is Ni simple substance, Ni-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, and Cu are added, or Cu simple substance Alternatively, a metal material made of a Cu-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, and Ni are added is used as a film formation material. It is formed by a reactive film forming method of introducing a reactive gas into the first film forming means in the film forming apparatus according to any one of the invention to the third invention,
The sixth invention is:
In a method for producing an electrode substrate film having a circuit pattern having a mesh structure composed of a transparent substrate composed of a resin film and a metal laminated thin wire provided on one or both surfaces of the transparent substrate,
The laminated film in the laminated film described in the fourth invention is etched to be processed into a metal laminated thin wire.

第１の発明〜第３の発明に記載の成膜装置によれば、
金属吸収膜を形成する第一成膜手段と金属膜を形成する第二成膜手段間における冷却キャンロールの外周面近傍部位に、上記第一成膜手段で成膜された金属吸収膜の分光反射率を測定する反射率測定手段を設けているため、長尺樹脂フィルムの両面側に金属吸収膜と金属膜がそれぞれ成膜される場合においても金属吸収膜の分光反射率を測定することが可能となり、かつ、金属吸収膜における分光反射率の測定値と目標値とを比較して第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段のガス供給量を制御するようになっているため、連続成膜される金属吸収膜の光学特性が変動し難い効果を有している。 According to the film-forming apparatus as described in 1st invention-3rd invention,
Spectroscopy of the metal absorbing film formed by the first film forming means in the vicinity of the outer peripheral surface of the cooling can roll between the first film forming means for forming the metal absorbing film and the second film forming means for forming the metal film. Since the reflectance measuring means for measuring the reflectance is provided, the spectral reflectance of the metal absorbing film can be measured even when the metal absorbing film and the metal film are respectively formed on both sides of the long resin film. It is possible to control the gas supply amount of the reactive gas supply means for supplying the reactive gas to the first film forming means by comparing the measured value of the spectral reflectance in the metal absorption film with the target value. Therefore, it has an effect that the optical characteristics of the metal absorption film continuously formed are not easily changed.

また、第４の発明〜第５の発明に記載の積層体フィルムの製造方法によれば、
第１の発明〜第３の発明に記載された成膜装置を用いて所望とする分光反射率を有する金属吸収膜が形成されており、かつ、
第６の発明に記載の電極基板フィルムの製造方法によれば、
所望とする分光反射率を有する金属吸収膜が形成された第４の発明〜第５の発明に記載の積層体フィルムを用いて電極基板フィルムが製造されているため、高輝度照明下においても回路パターンが視認され難い電極基板フィルムを安価にかつ安定して製造できる効果を有している。 Moreover, according to the manufacturing method of the laminated body film as described in 4th invention-5th invention,
A metal absorbing film having a desired spectral reflectance is formed using the film forming apparatus described in the first to third inventions, and
According to the electrode substrate film manufacturing method of the sixth invention,
Since the electrode substrate film is manufactured using the laminate film according to any one of the fourth to fifth inventions, on which a metal absorption film having a desired spectral reflectance is formed, a circuit is provided even under high-luminance illumination. It has the effect that the electrode substrate film in which the pattern is hardly visually recognized can be manufactured inexpensively and stably.

樹脂フィルムの片面側に金属吸収膜と金属膜が形成された積層体フィルムの概略断面説明図。The schematic cross-section explanatory drawing of the laminated body film in which the metal absorption film and the metal film were formed in the single side | surface side of the resin film. 樹脂フィルムの両面側に金属吸収膜と金属膜がそれぞれ形成された積層体フィルムの概略断面説明図。The schematic cross-section explanatory drawing of the laminated body film in which the metal absorption film and the metal film were each formed in the both surfaces side of the resin film. 樹脂フィルムの両面側に金属製の積層細線がそれぞれ形成された電極基板フィルムの概略断面説明図。The schematic cross-section explanatory drawing of the electrode substrate film in which the metal lamination | stacking thin wire | line was formed in the both surfaces side of the resin film, respectively. 酸素濃度（０％〜３０％）に起因する金属吸収膜の樹脂フィルム側からの分光反射特性を示すグラフ図。The graph which shows the spectral reflection characteristic from the resin film side of the metal absorption film resulting from oxygen concentration (0%-30%). 膜厚１Å当たりの酸素濃度［酸素濃度（％）/膜厚（Å）］に起因する金属吸収層（膜）の表面抵抗（ひし形マーク参照）と反射率（四角形マーク参照）をそれぞれ示すグラフ図。Graphs showing the surface resistance (see rhombus marks) and reflectivity (see square marks) of the metal absorption layer (film) due to oxygen concentration [oxygen concentration (%) / film thickness (Å)] per 1 mm thickness . 樹脂フィルム上に金属吸収膜と金属膜を形成する従来例に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）の構成説明図。Structure explanatory drawing of the film-forming apparatus (sputtering web coater) based on the prior art which forms a metal absorption film and a metal film on a resin film. 樹脂フィルム上に金属吸収膜と金属膜を形成する本発明に係る成膜装置（スパッタリングウェブコータ）の構成説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Structure explanatory drawing of the film-forming apparatus (sputtering web coater) based on this invention which forms a metal absorption film and a metal film on a resin film. 本発明に係る成膜装置を用いて製造された積層体フィルムにおける１０ｍ、５００ｍ、１０００ｍ、１４９０ｍの各位置でサンプリングされた積層体フィルムの分光反射特性を示すグラフ図。The graph which shows the spectral reflection characteristic of the laminated body film sampled in each position of 10m, 500m, 1000m, and 1490m in the laminated body film manufactured using the film-forming apparatus which concerns on this invention. 従来例に係る成膜装置を用いて製造された積層体フィルムにおける１０ｍ、５００ｍ、１０００ｍ、１４９０ｍの各位置でサンプリングされた積層体フィルムの分光反射特性を示すグラフ図。The graph which shows the spectral reflection characteristic of the laminated body sampled in each position of 10m, 500m, 1000m, and 1490m in the laminated body film manufactured using the film-forming apparatus which concerns on a prior art example.

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

（１）積層体フィルムと該積層体フィルムを用いて製造される電極基板フィルム
（1-1）片面構造を有する積層体フィルム
片面構造を有する積層体フィルムは、図１に示すように、樹脂フィルム４２から成る透明基板と、該透明基板の片面に設けられた金属吸収膜４１と金属膜４０から成る積層膜とで構成されている。 (1) Laminate film and electrode substrate film manufactured using the laminate film (1-1) Laminate film having a single-sided structure The laminate film having a single-sided structure is a resin film as shown in FIG. 42, and a laminated film composed of a metal absorption film 41 and a metal film 40 provided on one surface of the transparent substrate.

尚、図４のグラフ図は、金属酸化物から成る金属吸収膜を金属ターゲットと反応性ガスを用いた反応性スパッタリングにより成膜した際、酸素濃度（０％〜３０％）に起因する金属吸収膜の樹脂フィルム側からの分光反射特性を示している。 The graph of FIG. 4 shows the metal absorption caused by the oxygen concentration (0% to 30%) when a metal absorption film made of a metal oxide is formed by reactive sputtering using a metal target and a reactive gas. The spectral reflection characteristic from the resin film side of the film is shown.

そして、金属酸化物は酸化され過ぎると（２０％、３０％）黒色の金属吸収膜４１から透明な膜になってしまい、金属膜４０の反射が大きくなってしまう。一方、金属酸化物の酸化が不足していると（０％、５％）、黒化されずに金属吸収膜４１の吸収が僅かになって金属吸収膜４１の反射が大きくなってしまう。このため、反応性スパッタリングにより金属酸化物から成る金属吸収膜を成膜する場合、反応性スパッタリングにおける最適な酸化条件が必要となる。 If the metal oxide is excessively oxidized (20%, 30%), the black metal absorption film 41 becomes a transparent film, and the reflection of the metal film 40 is increased. On the other hand, if the oxidation of the metal oxide is insufficient (0%, 5%), the metal absorption film 41 is slightly absorbed without being blackened, and the reflection of the metal absorption film 41 is increased. For this reason, when forming the metal absorption film which consists of a metal oxide by reactive sputtering, the optimal oxidation conditions in reactive sputtering are needed.

そして、片面構造の積層体フィルムにおいては、上述したように樹脂フィルム４２側から金属吸収膜４１の光学特性を測定できるため、成膜直後における金属吸収膜４１の透過率若しくは反射率を計測するインライン透過率測定器若しくはインライン反射率測定器による制御方法に不都合は生じない。 In the single-sided laminated film, since the optical characteristics of the metal absorption film 41 can be measured from the resin film 42 side as described above, in-line for measuring the transmittance or reflectance of the metal absorption film 41 immediately after the film formation. There is no inconvenience in the control method using the transmittance measuring instrument or the in-line reflectance measuring instrument.

（1-2）両面構造を有する積層体フィルム
両面構造を有する積層体フィルムは、図２に示すように樹脂フィルム６２から成る透明基板と、該透明基板の両面にそれぞれ設けられた金属吸収膜６１、６３および金属膜６０、６４から成る各積層膜とで構成されている。 (1-2) Laminate film having a double-sided structure A laminated film having a double-sided structure comprises a transparent substrate made of a resin film 62 as shown in FIG. 2, and metal absorption films 61 provided on both sides of the transparent substrate. , 63 and metal films 60, 64, and each laminated film.

そして、両面構造を有する積層体フィルムにおいては、上述したように金属吸収膜６１と金属膜６０が成膜された樹脂フィルム６２側から金属吸収膜６３の光学特性を測定することが困難なため、成膜直後における金属吸収膜６１、６３の透過率若しくは反射率を計測するインライン透過率測定器若しくはインライン反射率測定器による制御方法を行うに際し不都合を生ずる。 And in the laminate film having a double-sided structure, it is difficult to measure the optical characteristics of the metal absorbing film 63 from the resin film 62 side on which the metal absorbing film 61 and the metal film 60 are formed as described above. Inconvenience occurs when performing a control method using an in-line transmittance measuring device or an in-line reflectance measuring device that measures the transmittance or reflectance of the metal absorbing films 61 and 63 immediately after film formation.

（1-3）電極基板フィルム
上記片面構造を有する積層体フィルム（図１参照）の積層膜（金属吸収膜４１と金属膜４０）をエッチング処理し、金属製の積層細線に加工することでメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムが得られ、また、両面構造を有する積層体フィルム（図２参照）の各積層膜（金属吸収膜６１と金属膜６０および金属吸収膜６３と金属膜６４）をそれぞれエッチング処理して金属製の積層細線（金属吸収膜５１と金属膜５０および金属吸収膜５３と金属膜５４）に加工することにより、図３に示すメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムが得られる。尚、上記積層細線の金属膜５０と金属膜５４上には、更に湿式めっき法若しくはスパッタリング法により金属吸収膜と同様な吸収膜（図示せず）が成膜されるため、積層細線における金属膜５０と金属膜５４の反射は問題とならない。 (1-3) Electrode substrate film The laminated film (metal absorption film 41 and metal film 40) of the laminate film (see FIG. 1) having the above-mentioned single-sided structure is etched and processed into a metal laminated fine wire. An electrode substrate film having a circuit pattern having a structure is obtained, and each laminated film (metal absorption film 61 and metal film 60 and metal absorption film 63 and metal film 64) of a laminate film (see FIG. 2) having a double-sided structure is obtained. 3 are processed into metal laminated thin wires (metal absorption film 51 and metal film 50 and metal absorption film 53 and metal film 54), respectively, thereby forming an electrode substrate film having a circuit pattern having a mesh structure shown in FIG. Is obtained. Note that an absorption film (not shown) similar to the metal absorption film is further formed on the metal thin film 50 and the metal film 54 by the wet plating method or the sputtering method. The reflection of 50 and the metal film 54 is not a problem.

（1-4）金属吸収膜
上記金属吸収膜の材料としては、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、および、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金が好ましい。 (1-4) Metal Absorbing Film The material of the metal absorbing film is Ni alone or one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, and Cu. Preferred is an added Ni-based alloy and Cu alone or a Cu-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, and Ni are added. .

また、金属吸収膜は、上記Ｎｉ単体若しくはＮｉ系合金、および、Ｃｕ単体若しくはＣｕ系合金から成る金属材を成膜材料とし、かつ、成膜装置内に反応性ガスを導入する反応成膜法により形成される。上記成膜法としては、マグネトロンスパッタ、イオンビームスパッタ、真空蒸着、イオンプレーティング、ＣＶＤ等があり、また、上記反応性ガスとしては、酸素と窒素の単体ガス若しくはこれ等の混合ガス、または、酸素と窒素を主成分としアルゴン等を含む混合ガスが挙げられる。 In addition, the metal absorption film is a reactive film forming method in which a reactive gas is introduced into a film forming apparatus using the above-described Ni simple substance or Ni-based alloy and a metal material made of Cu simple substance or Cu-based alloy as a film forming material. It is formed by. Examples of the film forming method include magnetron sputtering, ion beam sputtering, vacuum deposition, ion plating, CVD, and the like, and the reactive gas includes a single gas of oxygen and nitrogen or a mixed gas thereof, or A mixed gas containing oxygen and nitrogen as main components and containing argon or the like can be given.

そして、金属吸収膜の各波長における光学定数（屈折率、消衰係数）は、反応の度合い、すなわち酸化度あるいは窒化度に大きく影響され、金属吸収膜の構成材料だけで決定されるものではない。 The optical constant (refractive index, extinction coefficient) at each wavelength of the metal absorption film is greatly influenced by the degree of reaction, that is, the degree of oxidation or nitridation, and is not determined only by the constituent material of the metal absorption film. .

（1-5）金属膜
上記金属吸収膜上に成膜される形成される金属膜の構成材料（金属材）としては、電気抵抗値が低い金属であれば特に限定されず、例えば、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金、または、Ａｇ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＡｇ系合金が挙げられ、特に、Ｃｕ単体が、回路パターンの加工性や抵抗値の観点から望ましい。また、金属膜の膜厚は電気特性に依存するものであり、光学的な要素から決定されるものではないが、通常、透過光が測定不能なレベルの膜厚に設定される。 (1-5) Metal film The constituent material (metal material) of the metal film formed on the metal absorption film is not particularly limited as long as it is a metal having a low electric resistance value. Or Cu-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, and Ag are added, or Ag alone, or Ti, Al, V, W, and Ta An Ag-based alloy to which one or more elements selected from Si, Cr, and Cu are added is mentioned. In particular, Cu alone is desirable from the viewpoint of circuit pattern workability and resistance. The film thickness of the metal film depends on the electrical characteristics and is not determined from optical elements, but is usually set to a film thickness at which transmitted light cannot be measured.

（1-6）透明基板を構成する樹脂フィルム
上記積層体フィルムと電極基板フィルムに適用される樹脂フィルムの材質としては特に限定されることはなく、その具体例として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリオレフィン（ＰＯ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）およびノルボルネンの樹脂材料から選択された樹脂フィルムの単体、あるいは、上記樹脂材料から選択された樹脂フィルム単体とこの単体の片面または両面を覆うアクリル系有機膜との複合体が挙げられる。特に、ノルボルネン樹脂材料については、代表的なものとして、日本ゼオン社のゼオノア（商品名）やＪＳＲ社のアートン（商品名）等が挙げられる。 (1-6) Resin film constituting transparent substrate The material of the resin film applied to the laminate film and the electrode substrate film is not particularly limited. Specific examples thereof include polyethylene terephthalate (PET), poly A resin film selected from ether sulfone (PES), polyarylate (PAR), polycarbonate (PC), polyolefin (PO), triacetyl cellulose (TAC) and norbornene resin materials, or selected from the above resin materials And a composite of a single resin film and an acrylic organic film covering one side or both sides of the single unit. In particular, as for norbornene resin materials, representative examples include ZEONOR (trade name) manufactured by ZEON Corporation, Arton (trade name) manufactured by JSR Corporation, and the like.

尚、本発明に係る電極基板フィルムは「タッチパネル」等に使用するため、上記樹脂フィルムの中でも可視波長領域での透明性に優れるものが望ましい。 In addition, since the electrode substrate film which concerns on this invention is used for a "touch panel" etc., what is excellent in the transparency in a visible wavelength region among the said resin films is desirable.

（２）反応成膜法を実施する従来の成膜装置
（2-1）スパッタリングウェブコータ
成膜法の一例としてスパッタリング法を挙げ、従来の成膜装置について説明する。 (2) Conventional Film Forming Apparatus for Performing Reaction Film Forming Method (2-1) Sputtering Web Coater A conventional film forming apparatus will be described by taking a sputtering method as an example of a film forming method.

尚、この成膜装置はスパッタリングウェブコータと称され、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に効率よく成膜処理を施す場合に用いられる。 In addition, this film-forming apparatus is called a sputtering web coater, and is used when the film-forming process is continuously and efficiently performed on the surface of a long resin film conveyed by a roll-to-roll method.

具体的に説明すると、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルムの成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は、図６に示すように真空チャンバー１０内に設けられており、巻き出しロール１１から巻き出された長尺樹脂フィルム１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール２４で巻き取るようになっている。これら巻き出しロール１２から巻き取りロール２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンロール１６が配置されている。このキャンロール１６の内部には、真空チャンバー１０の外部で温調された冷媒が循環している。 More specifically, a film forming apparatus (sputtering web coater) for a long resin film conveyed by a roll-to-roll method is provided in a vacuum chamber 10 as shown in FIG. A predetermined film forming process is performed on the unrolled long resin film 12, and then the film is wound by a winding roll 24. A can roll 16 that is rotationally driven by a motor is disposed in the middle of the conveyance path from the unwind roll 12 to the take-up roll 24. Inside the can roll 16, a coolant whose temperature is adjusted outside the vacuum chamber 10 circulates.

真空チャンバー１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０^-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガスの導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じて更に酸素や窒素等のガスが添加される。真空チャンバー１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。また、真空チャンバー１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー１０にはドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置（図示せず）が組み込まれている。 In the vacuum chamber 10, for the sputtering film formation, the pressure is reduced to an ultimate pressure of about 10 ⁻⁴ Pa and the pressure is adjusted to about 0.1 to 10 Pa by introducing a sputtering gas thereafter. A known gas such as argon is used as the sputtering gas, and a gas such as oxygen or nitrogen is further added depending on the purpose. The shape and material of the vacuum chamber 10 are not particularly limited as long as they can withstand such a reduced pressure state, and various types can be used. In order to maintain the vacuum chamber 10 under reduced pressure, various devices (not shown) such as a dry pump, a turbo molecular pump, and a cryocoil are incorporated in the vacuum chamber 10.

巻き出しロール１１からキャンロール１６までの搬送経路には、長尺樹脂フィルム１２を案内するフリーロール１３と、長尺樹脂フィルム１２の張力の測定を行う張力センサロール１４とがこの順で配置されている。また、張力センサロール１４から送り出されてキャンロール１６に向かう長尺樹脂フィルム１２は、キャンロール１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール１５によってキャンロール１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンロール１６の外周面に長尺樹脂フィルム１２を密着させることができる。 A free roll 13 for guiding the long resin film 12 and a tension sensor roll 14 for measuring the tension of the long resin film 12 are arranged in this order on the conveyance path from the unwinding roll 11 to the can roll 16. ing. The long resin film 12 fed from the tension sensor roll 14 toward the can roll 16 is adjusted with respect to the peripheral speed of the can roll 16 by a motor-driven front feed roll 15 provided in the vicinity of the can roll 16. Thus, the long resin film 12 can be brought into close contact with the outer peripheral surface of the can roll 16.

キャンロール１６から巻き取りロール２４までの搬送経路も、上記同様に、キャンロール１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール２１、長尺樹脂フィルム１２の張力の測定を行う張力センサロール２２および長尺樹脂フィルム１２を案内するフリーロール２３がこの順に配置されている。 Similarly to the above, the conveyance path from the can roll 16 to the take-up roll 24 is a motor driven post-feed roll 21 that adjusts the peripheral speed of the can roll 16 and a tension sensor roll that measures the tension of the long resin film 12. 22 and a free roll 23 for guiding the long resin film 12 are arranged in this order.

上記巻き出しロール１１および巻き取りロール２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺樹脂フィルム１２の張力バランスが保たれている。また、キャンロール１６の回転とこれに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール１５、後フィードロール２１により、巻き出しロール１１から長尺樹脂フィルム１２が巻き出されて巻き取りロール２４に巻き取られるようになっている。 In the unwinding roll 11 and the winding roll 24, the tension balance of the long resin film 12 is maintained by torque control using a powder clutch or the like. In addition, the long resin film 12 is unwound from the unwinding roll 11 and wound around the winding roll 24 by the rotation of the can roll 16 and the motor-driven front feed roll 15 and the rear feed roll 21 that rotate in conjunction with the rotation. It has come to be taken.

キャンロール１６の近傍には、キャンロール１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンロール１６外周面の内の長尺樹脂フィルム１２が巻き付けられる領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード１７、１８、１９および２０が設けられ、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２が設置されている。 In the vicinity of the can roll 16, a film is formed at a position facing a conveyance path defined on the outer peripheral surface of the can roll 16 (that is, a region around which the long resin film 12 is wound on the outer peripheral surface of the can roll 16). Magnetron sputtering cathodes 17, 18, 19, and 20 are provided as means, and gas discharge pipes 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, and 32 for discharging reactive gas are installed in the vicinity thereof.

ところで、上記金属吸収膜と金属膜のスパッタリング成膜を実施する際、図６に示すように板状のターゲットを使用できるが、板状ターゲットを用いた場合、ターゲット上にノジュール（異物の成長）が発生することがある。これが問題になる場合は、ノジュールの発生がなくかつターゲットの使用効率も高い円筒形のロータリーターゲットを使用することが好ましい。 By the way, when performing the sputtering film formation of the metal absorption film and the metal film, a plate-like target can be used as shown in FIG. 6, but when a plate-like target is used, nodules (growth of foreign matter) are formed on the target. May occur. When this becomes a problem, it is preferable to use a cylindrical rotary target that generates no nodules and has high target use efficiency.

（2-2）反応性スパッタリング
金属酸化物若しくは金属窒化物から成る金属吸収膜を成膜する目的で酸化物ターゲット若しくは窒化物ターゲットを適用した場合、成膜速度が遅く量産に適さない。このため、高速成膜が可能な金属ターゲット（金属材）を用い、かつ、反応性ガスを制御しながら導入する反応性スパッタリング等の反応成膜法が採られている。 (2-2) Reactive sputtering When an oxide target or nitride target is applied for the purpose of forming a metal absorbing film made of metal oxide or metal nitride, the film formation rate is slow and not suitable for mass production. For this reason, a reactive film-forming method such as reactive sputtering is employed in which a metal target (metal material) capable of high-speed film formation is used and the reactive gas is introduced while being controlled.

そして、反応性ガスを制御する方法として以下の４つの方法が知られている。
（2-2-1）一定流量の反応性ガスを放出する方法。
（2-2-2）一定圧力を保つように反応性ガスを放出する方法。
（2-2-3）スパッタリングカソードのインピーダンスが一定になるように反応性ガスを放出する（インピーダンス制御）方法。
（2-2-4）スパッタリングのプラズマ強度が一定になるように反応性ガスを放出する（プラズマエミッション制御）方法。 And the following four methods are known as a method of controlling reactive gas.
(2-2-1) A method of releasing reactive gas at a constant flow rate.
(2-2-2) A method of releasing reactive gas to maintain a constant pressure.
(2-2-3) A method of releasing reactive gas (impedance control) so that the impedance of the sputtering cathode becomes constant.
(2-2-4) A method of releasing reactive gas (plasma emission control) so that the plasma intensity of sputtering is constant.

（2-3）フィードバック制御
次に、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルム表面に連続的に成膜処理を行うスパッタリングウェブコータにおいては、成膜時間が１０時間以上に及ぶことがある。このような長時間に亘る反応性スパッタリング処理の条件を一定に保つことは容易でない。なぜなら、真空チャンバー１０内壁に吸着したガス（水分）が徐々に放出され続けるからである。そこで、金属吸収膜に取り込まれる酸素若しくは窒素量を一定にするため上述したフィードバック制御が欠かせない。そして、酸化若しくは窒化の度合いを連続的に把握するには、金属吸収膜の分光光学特性や表面抵抗を測定することが有効である。 (2-3) Feedback control Next, in a sputtering web coater that continuously forms a film on the surface of a long resin film conveyed by a roll-to-roll method, the film formation time may take 10 hours or more. . It is not easy to keep the conditions of such reactive sputtering treatment for a long time constant. This is because the gas (water) adsorbed on the inner wall of the vacuum chamber 10 is gradually released. Therefore, the feedback control described above is indispensable in order to keep the amount of oxygen or nitrogen taken into the metal absorption film constant. And in order to grasp | ascertain the degree of oxidation or nitriding continuously, it is effective to measure the spectral optical characteristic and surface resistance of a metal absorption film.

但し、図２に示す両面構造を有する積層体フィルムにおいては、上述したように金属吸収膜６１と金属膜６０が成膜された樹脂フィルム６２側から金属吸収膜６３の光学特性を測定することはできない。このため、図６に示すように金属吸収膜を成膜する領域（マグネトロンスパッタリングカソード１８の終端領域）と金属膜を成膜する領域（マグネトロンスパッタリングカソード１９の始端領域）間におけるキャンロール１６上において唯一現れる金属吸収膜の表面抵抗による制御方法が考えられる。しかし、金属吸収膜の表面抵抗を接触式表面抵抗測定器で計測する方法は金属吸収膜に傷をつけてしまう問題があり、渦電流を応用した非接触式表面抵抗測定器で計測する方法もキャンロール（金属ロール）上での測定は不可能である。更に、キャンロール１６上において唯一現れる金属吸収膜の分光透過率を測定することもできないため、金属吸収膜の分光反射率を測定する方法のみが可能となる。 However, in the laminated film having the double-sided structure shown in FIG. 2, it is possible to measure the optical characteristics of the metal absorbing film 63 from the resin film 62 side on which the metal absorbing film 61 and the metal film 60 are formed as described above. Can not. Therefore, as shown in FIG. 6, on the can roll 16 between the region where the metal absorption film is formed (termination region of the magnetron sputtering cathode 18) and the region where the metal film is formed (starting region of the magnetron sputtering cathode 19). A control method based on the surface resistance of the metal absorbing film that appears only can be considered. However, the method of measuring the surface resistance of a metal absorbing film with a contact type surface resistance measuring instrument has a problem of scratching the metal absorbing film, and there is also a method of measuring with a non-contact type surface resistance measuring instrument applying eddy current. Measurement on a can roll (metal roll) is not possible. Further, since it is impossible to measure the spectral transmittance of the metal absorbing film that appears only on the can roll 16, only the method of measuring the spectral reflectance of the metal absorbing film is possible.

（３）反応成膜法を実施する本発明に係る成膜装置
（3-1）スパッタリングウェブコータ
次に、従来の装置と同様、成膜法の一例としてスパッタリング法を挙げ、本発明に係る成膜装置について説明する。 (3) Film forming apparatus according to the present invention for carrying out the reactive film forming method (3-1) Sputtering web coater Next, like the conventional apparatus, the sputtering method is given as an example of the film forming method, and the film forming apparatus according to the present invention is used. The membrane device will be described.

尚、本発明に係る成膜装置は、キャンロール上において唯一現れる金属吸収膜の分光反射率を測定し、この測定値と金属吸収膜の目標値とを比較してフィードバック制御を行う構成以外、従来の成膜装置と共通の構造を有している。 In addition, the film forming apparatus according to the present invention measures the spectral reflectance of the metal absorbing film that appears only on the can roll, and compares the measured value with the target value of the metal absorbing film to perform feedback control, It has the same structure as a conventional film forming apparatus.

（3-2）従来の成膜装置と共通の構造部分
従来の成膜装置と同様、ロールツーロール方式で搬送される長尺樹脂フィルムの成膜装置（スパッタリングウェブコータ）は、図７に示すように真空チャンバー１１０内に設けられており、巻き出しロール１１１から巻き出された長尺樹脂フィルム１１２に対して所定の成膜処理を行った後、巻き取りロール１２４で巻き取るようになっている。これ等巻き出しロール１１２から巻き取りロール１２４までの搬送経路の途中に、モータで回転駆動されるキャンロール１１６が配置されている。このキャンロール１１６の内部には、真空チャンバー１１０の外部で温調された冷媒が循環している。 (3-2) Structure part common to conventional film forming apparatus As with the conventional film forming apparatus, a film forming apparatus (sputtering web coater) for a long resin film conveyed by a roll-to-roll method is shown in FIG. As described above, the film is wound on the take-up roll 124 after a predetermined film forming process is performed on the long resin film 112 unwound from the unwind roll 111. Yes. A can roll 116 that is rotationally driven by a motor is disposed in the middle of the conveyance path from the unwind roll 112 to the take-up roll 124. Inside the can roll 116, a coolant whose temperature is adjusted outside the vacuum chamber 110 circulates.

真空チャンバー１１０内では、スパッタリング成膜のため、到達圧力１０^-4Ｐａ程度までの減圧と、その後のスパッタリングガスの導入による０.１〜１０Ｐａ程度の圧力調整が行われる。スパッタリングガスにはアルゴン等公知のガスが使用され、目的に応じてさらに酸素等のガスが添加される。真空チャンバー１１０の形状や材質は、このような減圧状態に耐え得るものであれば特に限定はなく種々のものを使用することができる。また、真空チャンバー１１０内を減圧してその状態を維持するため、真空チャンバー１１０にはドライポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオコイル等の種々の装置（図示せず）が組み込まれている。 In the vacuum chamber 110, for sputtering film formation, pressure reduction to an ultimate pressure of about 10 ⁻⁴ Pa and subsequent pressure adjustment of about 0.1 to 10 Pa by introduction of a sputtering gas are performed. A known gas such as argon is used as the sputtering gas, and a gas such as oxygen is further added depending on the purpose. The shape and material of the vacuum chamber 110 are not particularly limited as long as they can withstand such a reduced pressure state, and various types can be used. In addition, various devices (not shown) such as a dry pump, a turbo molecular pump, and a cryocoil are incorporated in the vacuum chamber 110 in order to reduce the pressure in the vacuum chamber 110 and maintain the state.

巻き出しロール１１１からキャンロール１１６までの搬送経路には、長尺樹脂フィルム１１２を案内するフリーロール１１３と、長尺樹脂フィルム１１２の張力測定を行う張力センサロール１１４がこの順で配置されている。また、張力センサロール１１４から送り出されてキャンロール１１６に向かう長尺樹脂フィルム１１２は、キャンロール１１６の近傍に設けられたモータ駆動の前フィードロール１１５によって、キャンロール１１６の周速度に対する調整が行われ、これによりキャンロール１１６の外周面に長尺樹脂フィルム１１２を密着させることができる。 On the conveyance path from the unwinding roll 111 to the can roll 116, a free roll 113 for guiding the long resin film 112 and a tension sensor roll 114 for measuring the tension of the long resin film 112 are arranged in this order. . Further, the long resin film 112 sent from the tension sensor roll 114 toward the can roll 116 is adjusted with respect to the peripheral speed of the can roll 116 by a motor-driven front feed roll 115 provided in the vicinity of the can roll 116. Accordingly, the long resin film 112 can be brought into close contact with the outer peripheral surface of the can roll 116.

キャンロール１１６から巻き取りロール１２４までの搬送経路も、上記同様に、キャンロール１１６の周速度に対する調整を行うモータ駆動の後フィードロール１２１、長尺樹脂フィルム１１２の張力測定を行う張力センサロール１２２、および、長尺樹脂フィルム１１２を案内するフリーロール１２３がこの順に配置されている。 Similarly to the above, the conveyance path from the can roll 116 to the take-up roll 124 is a motor driven post-feed roll 121 that adjusts the peripheral speed of the can roll 116, and a tension sensor roll 122 that measures the tension of the long resin film 112. And the free roll 123 which guides the elongate resin film 112 is arrange | positioned in this order.

上記巻き出しロール１１１および巻き取りロール１２４では、パウダークラッチ等によるトルク制御によって長尺樹脂フィルム１１２の張力バランスが保たれている。また、キャンロール１１６の回転とこれに連動して回転するモータ駆動の前フィードロール１１５、後フィードロール１２１により、巻き出しロール１１１から長尺樹脂フィルム１１２が巻き出されて巻き取りロール１２４に巻き取られるようになっている。 In the unwinding roll 111 and the winding roll 124, the tension balance of the long resin film 112 is maintained by torque control using a powder clutch or the like. Further, the long resin film 112 is unwound from the unwinding roll 111 and wound around the take-up roll 124 by the rotation of the can roll 116 and the motor-driven front feed roll 115 and the rear feed roll 121 that rotate in conjunction with the rotation. It has come to be taken.

キャンロール１１６の近傍には、キャンロール１１６の外周面上に画定される搬送経路（すなわち、キャンロール１１６外周面の内の長尺樹脂フィルム１１２が巻き付けられる領域）に対向する位置に、成膜手段としてのマグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８、１１９および１２０が設けられ、この近傍に反応性ガスを放出するガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０、１３１、１３２が設置されている。 In the vicinity of the can roll 116, a film is formed at a position facing a conveyance path defined on the outer peripheral surface of the can roll 116 (that is, a region around which the long resin film 112 is wound on the outer peripheral surface of the can roll 116). Magnetron sputtering cathodes 117, 118, 119 and 120 are provided as means, and gas discharge pipes 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131 and 132 for discharging reactive gases are installed in the vicinity thereof.

（3-3）反射率測定手段で計測した分光反射率によるフィードバック制御
本発明に係る成膜装置は、図７に示すようにキャンロール１１６外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム１１２面に金属吸収膜を成膜する第一成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１７とマグネトロンスパッタリングカソード１１８とで構成される）と、同じく長尺樹脂フィルム１１２面に金属膜を成膜する第二成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１９とマグネトロンスパッタリングカソード１２０とで構成される）間のキャンロール１１６上において唯一現れる金属吸収膜の分光反射率をキャンロール１１６近傍に設けられた反射率測定手段により測定し、測定された値（測定値）と金属吸収膜の目標値とを比較して上記第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段（ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８）における反応性ガスの供給量を制御するようにしたことを特徴としている。 (3-3) Feedback Control Based on Spectral Reflectance Measured by Reflectance Measuring Means The film forming apparatus according to the present invention has a metal on the surface of the long resin film 112 wound around the outer surface of the can roll 116 as shown in FIG. A first film forming means for forming an absorption film (consisting of a magnetron sputtering cathode 117 and a magnetron sputtering cathode 118) and a second film forming means for forming a metal film on the surface of the long resin film 112 (magnetron) The spectral reflectance of the metal absorbing film that appears only on the can roll 116 between the sputtering cathode 119 and the magnetron sputtering cathode 120 is measured by a reflectance measuring means provided in the vicinity of the can roll 116 and measured. Compare the value (measured value) and the target value of the metal absorption film to the first film forming means It is characterized in that the supply amount of the reactive gas in the reactive gas supply means (gas discharge pipes 125, 126, 127, 128) for supplying the reactive gas is controlled.

そして、キャンロール１１６の近傍に設けられる上記反射率測定手段は、図７に示すように白色（ハロゲン）光源等の安定化光源１３５と、該光源１３５からの光を２光路に分配しその一方の光路を構成する測定光照射ファイバ束が真空チャンバー１１０内に導入され他方の光路を構成する参照光照射ファイバ束が真空チャンバー１１０外に配置されるＹ分岐光ファイバ束１３４と、上記測定光照射ファイバ束と反射光受光ファイバ束から成りかつキャンロール１１６の外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム１１２の金属吸収膜へ向けて測定光照射ファイバ束から測定光を照射し金属吸収膜からの反射光を反射光受光ファイバ束で受光して金属吸収膜の反射率を測定する反射率測定プローブ１３３と、該反射率測定プローブ１３３の反射光受光ファイバ束と上記参照光照射ファイバ束の各端部が真空チャンバー１１０外において接続されかつ上記参照光照射ファイバ束の端部から出射される参照光と反射光受光ファイバ束の端部から出射される測定光を一定の時間毎に順次通過させる光切換器（光チョッパー）１３６と、該光切換器１３６を通過した参照光に基づき光源光量を測定しかつ測定された上記光源光量に基づき光切換器１３６を通過した測定光の光量を補正して金属吸収膜の分光反射率を計測する分光器１３７とでその主要部が構成されている。 The reflectance measuring means provided in the vicinity of the can roll 116 distributes the light from the stabilized light source 135 such as a white (halogen) light source and the light source 135 to two optical paths as shown in FIG. A Y-branching optical fiber bundle 134 in which a measurement light irradiation fiber bundle that constitutes the optical path is introduced into the vacuum chamber 110 and a reference light irradiation fiber bundle that constitutes the other optical path is disposed outside the vacuum chamber 110; Measurement light is irradiated from the measurement light irradiation fiber bundle toward the metal absorption film of the long resin film 112 which is composed of the fiber bundle and the reflected light receiving fiber bundle and is wound around the outer peripheral surface of the can roll 116, and is reflected from the metal absorption film. A reflectance measurement probe 133 that receives light with a reflected light receiving fiber bundle and measures the reflectance of the metal absorption film, and the reflection of the reflectance measurement probe 133 The light receiving fiber bundle and each end of the reference light irradiation fiber bundle are connected outside the vacuum chamber 110 and emitted from the end of the reference light and reflected light receiving fiber bundle emitted from the end of the reference light irradiation fiber bundle. A light switch (light chopper) 136 that sequentially passes the measurement light at regular intervals, and the light source light amount is measured based on the reference light that has passed through the light switch 136, and the light switch is performed based on the measured light source light amount. The main part is composed of a spectroscope 137 that corrects the amount of measurement light that has passed through the spectroscope 136 and measures the spectral reflectance of the metal absorption film.

尚、上記光切換器（光チョッパー）１３６で、分光器１３７に入射する測定光と参照光を切り替える理由は、長時間に亘る成膜中の光源や受光素子の温度変化、光ファイバにおけるカップリングの効率変化等によるドリフトを補正するためである。具体的には参照光の変化割合に応じて反射率を同様に補正している。 The reason for switching the measurement light and the reference light incident on the spectroscope 137 by the optical switch (optical chopper) 136 is that the temperature change of the light source and the light receiving element during the film formation over a long time, the coupling in the optical fiber. This is to correct the drift due to the efficiency change of the. Specifically, the reflectance is similarly corrected according to the change rate of the reference light.

そして、分光器１３７で計測された金属吸収膜の分光反射率データは、図７に示すように制御パソコン１３８に送信され、該制御パソコン１３８は反応性ガスの流量を制御する流量計１３９に流量設定値を送信する。そして、ガス導入チューブ１４０を経由して反応性ガスは上記ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８に導かれ、上記第一成膜手段への反応性ガスの供給量を制御するように構成されている。尚、上記流量計１３９については、各ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８にそれぞれ設置してもよい。 Then, the spectral reflectance data of the metal absorption film measured by the spectroscope 137 is transmitted to the control personal computer 138 as shown in FIG. 7, and the control personal computer 138 sends the flow rate to the flow meter 139 that controls the flow rate of the reactive gas. Send the set value. The reactive gas is guided to the gas discharge pipes 125, 126, 127, and 128 via the gas introduction tube 140, and the supply amount of the reactive gas to the first film forming unit is controlled. ing. The flow meter 139 may be installed in each gas discharge pipe 125, 126, 127, 128.

（3-4）本発明に係る成膜装置の効果
本発明に係る成膜装置によれば、金属吸収膜を形成する第一成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１７とマグネトロンスパッタリングカソード１１８とで構成される）と金属膜を形成する第二成膜手段（マグネトロンスパッタリングカソード１１９とマグネトロンスパッタリングカソード１２０とで構成される）間におけるキャンロール１１６の外周面近傍部位に、上記第一成膜手段で成膜された金属吸収膜の分光反射率を測定する反射率測定手段を設けているため、長尺樹脂フィルム１１２の両面側に金属吸収膜と金属膜がそれぞれ成膜される場合においても金属吸収膜の分光反射率を測定することが可能となり、かつ、金属吸収膜における分光反射率の測定値と目標値とを比較して第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段（ガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８）における反応性ガスの供給量を制御するように構成されているため、連続成膜される金属吸収膜の光学特性が変動し難い効果を有している。 (3-4) Effect of Film Forming Apparatus According to the Present Invention According to the film forming apparatus according to the present invention, the first film forming means for forming the metal absorbing film (consisting of the magnetron sputtering cathode 117 and the magnetron sputtering cathode 118). And the second film forming means for forming the metal film (consisting of the magnetron sputtering cathode 119 and the magnetron sputtering cathode 120), the first film forming means forms a film in the vicinity of the outer peripheral surface of the can roll 116. Since the reflectance measuring means for measuring the spectral reflectance of the metal absorption film formed is provided, even when the metal absorption film and the metal film are respectively formed on both sides of the long resin film 112, the metal absorption film The spectral reflectance can be measured, and the measured value of the spectral reflectance of the metal absorption film is compared with the target value to determine the first component. Since the reactive gas supply means (gas discharge pipes 125, 126, 127, 128) for supplying the reactive gas to the film means is configured to control the supply amount of the reactive gas, the metal is continuously formed. It has an effect that the optical characteristics of the absorption film are hardly changed.

そして、積層体フィルム並びに電極基板フィルムにおける金属吸収膜を本発明に係る成膜装置で成膜した場合、金属製の積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンが視認され難い効果を有している。 And when the metal absorption film in a laminated body film and an electrode board | substrate film is formed into a film with the film-forming apparatus which concerns on this invention, it has the effect that the circuit pattern of the mesh structure which consists of metal lamination | stacking thin wires is hard to be visually recognized.

以下、本発明の実施例について比較例を挙げて具体的に説明するが、本発明は以下の実施例により限定されるものではない。 Examples of the present invention will be specifically described below with reference to comparative examples, but the present invention is not limited to the following examples.

［実施例］
図７に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）を用い、反応性ガスには酸素ガスを用いると共に、キャンロール１１６は、直径６００ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。前フィードロール１１５と後フィードロール１２１は直径１５０ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。また、各マグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８、１１９、１２０の上流側と下流側にガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８、１２９、１３０、１３１、１３２を設置し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８には金属吸収膜用のＮｉ−Ｃｕターゲット、マグネトロンスパッタリングカソード１１９と１２０には金属膜用のＣｕターゲットを取り付けた。 [Example]
The film forming apparatus (sputtering web coater) shown in FIG. 7 is used, oxygen gas is used as the reactive gas, and the can roll 116 is made of stainless steel having a diameter of 600 mm and a width of 750 mm, and the surface of the roll body is subjected to hard chromium plating. Has been. The front feed roll 115 and the rear feed roll 121 are made of stainless steel having a diameter of 150 mm and a width of 750 mm, and hard chrome plating is applied to the surface of the roll body. Further, gas discharge pipes 125, 126, 127, 128, 129, 130, 131, 132 are installed on the upstream side and the downstream side of each magnetron sputtering cathode 117, 118, 119, 120, and the magnetron sputtering cathodes 117, 118 are installed. Are attached with a Ni-Cu target for a metal absorption film, and magnetron sputtering cathodes 119 and 120 with a Cu target for a metal film.

また、透明基板を構成する樹脂フィルムには幅６００ｍｍで長さ１５００ｍのＰＥＴフィルムを用い、キャンロール１１６は０℃に冷却制御した。また、真空チャンバー１１０を複数台のドライポンプにより５Ｐａまで排気した後、更に、複数台のターボ分子ポンプとクライオコイルを用いて３×１０^-3Ｐａまで排気した。 The resin film constituting the transparent substrate was a PET film having a width of 600 mm and a length of 1500 m, and the can roll 116 was controlled to be cooled to 0 ° C. The vacuum chamber 110 was evacuated to 5 Pa with a plurality of dry pumps, and further evacuated to 3 × 10 ⁻³ Pa using a plurality of turbo molecular pumps and cryocoils.

（１）片面構造を有する積層体フィルムの製造
そして、樹脂フィルムの搬送速度を４ｍ／分にした後、上記ガス放出パイプ１２９、１３０、１３１、１３２からアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ導入し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１１９、１２０については、膜厚８０ｎｍのＣｕ膜（金属膜）が得られる電力制御により成膜を行った。 (1) Manufacture of a laminate film having a single-sided structure Then, after the conveyance speed of the resin film is set to 4 m / min, 300 sccm of argon gas is introduced from the gas release pipes 129, 130, 131, and 132, and magnetron sputtering is performed. The cathodes 119 and 120 were formed by power control to obtain a Cu film (metal film) having a thickness of 80 nm.

一方、ガス放出パイプ１２５、１２６からアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ導入し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１１７、１１８については、膜厚２５ｎｍのＮｉ−Ｃｕの酸化膜（金属吸収膜）が得られる電力制御により成膜を行った。 On the other hand, 300 sccm of argon gas is introduced from the gas discharge pipes 125 and 126, and the magnetron sputtering cathodes 117 and 118 are formed by power control to obtain a Ni—Cu oxide film (metal absorption film) having a film thickness of 25 nm. Went.

また、反応性ガス（酸素ガス）はガス放出パイプ１２５、１２６、１２７、１２８へ混合ガスとして導入した。更に、インライン反射率測定器（反射率測定プローブ１３３）の波長５５０ｎｍにおける反射率が２０％になるように制御パソコン１３８でＰＩＤ制御し、反応性ガス（酸素ガス）の流量を制御する流量計１３９に設定値を出力した。また、測定光と参照光を切り換える光切換器（光チョッパー）１３６の周期は１Ｈｚとした。尚、フィードバック制御の確実性を増すために２波長以上の反射率をモニターし、上記反応性ガス（酸素ガス）の流量を制御する方法を採ってもよい。 The reactive gas (oxygen gas) was introduced as a mixed gas into the gas discharge pipes 125, 126, 127, and 128. Further, a flow meter 139 for controlling the flow rate of the reactive gas (oxygen gas) by performing PID control with the control personal computer 138 so that the reflectance at a wavelength of 550 nm of the in-line reflectance measuring device (reflectance measuring probe 133) becomes 20%. The set value was output to. The period of the optical switch (optical chopper) 136 for switching between the measurement light and the reference light was 1 Hz. In order to increase the reliability of feedback control, a method of monitoring the reflectance of two or more wavelengths and controlling the flow rate of the reactive gas (oxygen gas) may be employed.

また、今回は成膜後における自記分光光度計評価のため、片面成膜を行った。 Moreover, this time, single-sided film formation was performed for self-recording spectrophotometer evaluation after film formation.

［比較例］
図６に示す成膜装置（スパッタリングウェブコータ）を用い、反応性ガスには酸素ガスを用いると共に、キャンロール１６は、直径６００ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。前フィードロール１５と後フィードロール２１は直径１５０ｍｍ、幅７５０ｍｍのステンレス製で、ロール本体表面にハードクロムめっきが施されている。また、各マグネトロンスパッタリングカソード１７、１８、１９、２０の上流側と下流側にガス放出パイプ２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２を設置し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１７、１８には金属吸収膜用のＮｉ−Ｃｕターゲット、マグネトロンスパッタリングカソード１９と２０には金属膜用のＣｕターゲットを取り付けた。 [Comparative example]
The film forming apparatus (sputtering web coater) shown in FIG. 6 is used, oxygen gas is used as the reactive gas, and the can roll 16 is made of stainless steel having a diameter of 600 mm and a width of 750 mm, and the surface of the roll body is subjected to hard chromium plating. Has been. The front feed roll 15 and the rear feed roll 21 are made of stainless steel having a diameter of 150 mm and a width of 750 mm, and hard chrome plating is applied to the surface of the roll body. Further, gas discharge pipes 25, 26, 27, 28, 29, 30, 31, 32 are installed on the upstream side and downstream side of each magnetron sputtering cathode 17, 18, 19, 20, and the magnetron sputtering cathodes 17, 18 are installed. Are attached with a Ni-Cu target for a metal absorption film, and magnetron sputtering cathodes 19 and 20 with a Cu target for a metal film.

また、透明基板を構成する樹脂フィルムには幅６００ｍｍで長さ１５００ｍのＰＥＴフィルムを用い、キャンロール１６は０℃に冷却制御した。また、真空チャンバー１０を複数台のドライポンプにより５Ｐａまで排気した後、更に、複数台のターボ分子ポンプとクライオコイルを用いて３×１０^-3Ｐａまで排気した。 The resin film constituting the transparent substrate was a PET film having a width of 600 mm and a length of 1500 m, and the can roll 16 was controlled to be cooled to 0 ° C. The vacuum chamber 10 was evacuated to 5 Pa with a plurality of dry pumps, and further evacuated to 3 × 10 ⁻³ Pa using a plurality of turbo molecular pumps and cryocoils.

（１）片面構造を有する積層体フィルムの製造
そして、樹脂フィルムの搬送速度を４ｍ／分にした後、上記ガス放出パイプ２９、３０、３１、３２からアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ導入し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１９、２０については、膜厚８０ｎｍのＣｕ膜（金属膜）が得られる電力制御により成膜を行った。 (1) Manufacture of a laminate film having a single-sided structure Then, after the conveyance speed of the resin film was set to 4 m / min, 300 sccm of argon gas was introduced from the gas release pipes 29, 30, 31, and 32, and magnetron sputtering was performed. The cathodes 19 and 20 were formed by power control that can obtain a Cu film (metal film) having a thickness of 80 nm.

一方、ガス放出パイプ２５、２６からアルゴンガスを３００ｓｃｃｍ導入し、かつ、マグネトロンスパッタリングカソード１７、１８については、膜厚２５ｎｍのＮｉ−Ｃｕの酸化膜（金属吸収膜）が得られる電力制御により成膜を行った。 On the other hand, 300 sccm of argon gas is introduced from the gas release pipes 25 and 26, and the magnetron sputtering cathodes 17 and 18 are formed by power control to obtain a Ni—Cu oxide film (metal absorption film) with a film thickness of 25 nm. Went.

また、反応性ガス（酸素ガス）は、ガス放出パイプ２５、２６、２７、２８へ酸素濃度１０％の混合ガスとして導入した。 The reactive gas (oxygen gas) was introduced into the gas discharge pipes 25, 26, 27, and 28 as a mixed gas having an oxygen concentration of 10%.

［評価］
次に、実施例と比較例でそれぞれ製造された全長１５００ｍの積層体フィルムについて１０ｍ、５００ｍ、１０００ｍ、１４９０ｍの各位置でサンプリングし、自記分光光度計を用いてサンプリングされた各積層体フィルムの分光反射率をＰＥＴフィルム側から測定した。図８に実施例に係る積層体フィルムの分光反射率を示し、図９に比較例に係る積層体フィルムの分光反射率を示す。 [Evaluation]
Next, the laminated films having a total length of 1500 m manufactured in the examples and comparative examples were sampled at respective positions of 10 m, 500 m, 1000 m, and 1490 m, and the spectrum of each laminated film sampled using a self-recording spectrophotometer. The reflectance was measured from the PET film side. FIG. 8 shows the spectral reflectance of the laminate film according to the example, and FIG. 9 shows the spectral reflectance of the laminate film according to the comparative example.

そして、図８と図９のグラフ図から、実施例に係る積層体フィルムの分光反射率が、比較例に係る積層体フィルムの分光反射率より変動幅が小さいことが確認される。 And it is confirmed from the graphs of FIGS. 8 and 9 that the spectral reflectance of the laminated film according to the example has a smaller fluctuation range than the spectral reflectance of the laminated film according to the comparative example.

実施例においてはインラインで反射率を測定し、金属吸収膜に取り込まれる酸素量についてフィードバック制御を行っているため、ロールツーロール方式による長時間のスパッタリング成膜に拘らず、比較例に較べて安定した電極基板フィルム用の積層体フィルムが得られることが分かる。 In the examples, the reflectivity is measured in-line, and feedback control is performed for the amount of oxygen taken into the metal absorption film, so that it is more stable than the comparative example regardless of long-time sputtering film formation by the roll-to-roll method. It turns out that the laminated body film for electrode substrate film which was made is obtained.

本発明に係る成膜装置を用いて積層体フィルム並びに電極基板フィルムの金属吸収膜を成膜した場合、金属製の積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンが視認され難いためＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）表面に設置する「タッチパネル」に利用される産業上の可能性を有している。 When the metal film of the laminate film and the electrode substrate film is formed using the film forming apparatus according to the present invention, it is difficult to visually recognize the circuit pattern of the mesh structure composed of metal laminated thin wires, so FPD (Flat Panel Display) It has industrial potential for use as a “touch panel” installed on the surface.

１０真空チャンバー
１１巻き出しロール
１２長尺樹脂フィルム
１３フリーロール
１４張力センサロール
１５前フィードロール
１６キャンロール
１７マグネトロンスパッタリングカソード
１８マグネトロンスパッタリングカソード
１９マグネトロンスパッタリングカソード
２０マグネトロンスパッタリングカソード
２１後フィードロール
２２張力センサロール
２３フリーロール
２４巻き取りロール
２５ガス放出パイプ
２６ガス放出パイプ
２７ガス放出パイプ
２８ガス放出パイプ
２９ガス放出パイプ
３０ガス放出パイプ
３１ガス放出パイプ
３２ガス放出パイプ
４０金属膜
４１金属吸収膜
４２樹脂フィルム
５０金属膜
５１金属吸収膜
５２樹脂フィルム
５３金属吸収膜
５４金属膜
６０金属膜
６１金属吸収膜
６２樹脂フィルム
６３金属吸収膜
６４金属膜
１１０真空チャンバー
１１１巻き出しロール
１１２長尺樹脂フィルム
１１３フリーロール
１１４張力センサロール
１１５前フィードロール
１１６キャンロール
１１７マグネトロンスパッタリングカソード
１１８マグネトロンスパッタリングカソード
１１９マグネトロンスパッタリングカソード
１２０マグネトロンスパッタリングカソード
１２１後フィードロール
１２２張力センサロール
１２３フリーロール
１２４巻き取りロール
１２５ガス放出パイプ
１２６ガス放出パイプ
１２７ガス放出パイプ
１２８ガス放出パイプ
１２９ガス放出パイプ
１３０ガス放出パイプ
１３１ガス放出パイプ
１３２ガス放出パイプ
１３３反射率測定プローブ
１３４Ｙ分岐光ファイバ束
１３５安定化光源
１３６光切換器（光チョッパー）
１３７分光器
１３８制御パソコン
１３９流量計
１４０ガス導入チューブ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Vacuum chamber 11 Unwinding roll 12 Long resin film 13 Free roll 14 Tension sensor roll 15 Front feed roll 16 Can roll 17 Magnetron sputtering cathode 18 Magnetron sputtering cathode 19 Magnetron sputtering cathode 20 Magnetron sputtering cathode 21 Post feed roll 22 Tension sensor roll 23 Free Roll 24 Winding Roll 25 Gas Release Pipe 26 Gas Release Pipe 27 Gas Release Pipe 28 Gas Release Pipe 29 Gas Release Pipe 30 Gas Release Pipe 31 Gas Release Pipe 32 Gas Release Pipe 40 Metal Film 41 Metal Absorption Film 42 Resin Film 50 Metal film 51 Metal absorption film 52 Resin film 53 Metal absorption film 54 Metal film 60 Metal film 61 Metal absorption Film 62 Resin film 63 Metal absorption film 64 Metal film 110 Vacuum chamber 111 Unwind roll 112 Long resin film 113 Free roll 114 Tension sensor roll 115 Front feed roll 116 Can roll 117 Magnetron sputtering cathode 118 Magnetron sputtering cathode 119 Magnetron sputtering cathode 120 Magnetron Sputtering Cathode 121 Rear Feed Roll 122 Tension Sensor Roll 123 Free Roll 124 Winding Roll 125 Gas Release Pipe 126 Gas Release Pipe 127 Gas Release Pipe 128 Gas Release Pipe 129 Gas Release Pipe 130 Gas Release Pipe 131 Gas Release Pipe 132 Gas Release Pipe 133 Reflectivity measurement probe 134 Y-branch optical fiber bundle 135 Stable Source 136 light switcher (light chopper)
137 Spectrometer 138 Control PC 139 Flow meter 140 Gas introduction tube

Claims

長尺樹脂フィルムを巻き出す巻き出しロールと、長尺樹脂フィルムを巻き取る巻き取りロールと、巻き出しロールと巻き取りロール間に設けられた冷却キャンロールと、冷却キャンロールの外周面近傍に沿ってそれぞれ設けられかつ冷却キャンロールの外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルム面に金属材と反応性ガスを用いた反応成膜法により金属吸収膜を形成する第一成膜手段並びに金属材を用いた成膜法により上記金属吸収膜上に金属膜を形成する第二成膜手段と、上記第一成膜手段へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段を真空チャンバー内に備える成膜装置において、
第一成膜手段と第二成膜手段間における冷却キャンロールの外周面近傍部位に上記第一成膜手段で成膜された金属吸収膜の分光反射率を測定する反射率測定手段を設け、金属吸収膜における分光反射率の測定値と目標値とを比較して上記反応性ガス供給手段における反応性ガスの供給量を制御するようにしたことを特徴とする成膜装置。 Along with the unwinding roll for unwinding the long resin film, the winding roll for winding the long resin film, the cooling can roll provided between the unwinding roll and the winding roll, and the vicinity of the outer peripheral surface of the cooling can roll A first film forming means for forming a metal absorbing film by a reactive film forming method using a metal material and a reactive gas on a long resin film surface each provided and wound around the outer peripheral surface of the cooling can roll, and a metal material A film forming apparatus comprising: a second film forming means for forming a metal film on the metal absorption film by the film forming method used; and a reactive gas supply means for supplying a reactive gas to the first film forming means in the vacuum chamber. In the device
A reflectance measuring means for measuring the spectral reflectance of the metal absorption film formed by the first film forming means is provided in the vicinity of the outer peripheral surface of the cooling can roll between the first film forming means and the second film forming means, A film forming apparatus, wherein a measured value of a spectral reflectance in a metal absorption film is compared with a target value to control a supply amount of the reactive gas in the reactive gas supply means.

酸素と窒素の単体ガス若しくはこれ等の混合ガス、または、酸素と窒素を主成分とする混合ガスにより上記反応性ガスが構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the reactive gas is composed of a single gas of oxygen and nitrogen or a mixed gas thereof, or a mixed gas containing oxygen and nitrogen as main components.

安定化光源と、該光源からの光を２光路に分配しその一方の光路を構成する測定光照射ファイバ束が真空チャンバー内に導入され他方の光路を構成する参照光照射ファイバ束が真空チャンバー外に配置されるＹ分岐光ファイバ束と、上記測定光照射ファイバ束と反射光受光ファイバ束から成りかつ冷却キャンロールの外周面に巻き付けられた長尺樹脂フィルムの金属吸収膜へ向けて測定光照射ファイバ束から測定光を照射し金属吸収膜からの反射光を反射光受光ファイバ束で受光して金属吸収膜の反射率を測定する反射率測定プローブと、該反射率測定プローブの反射光受光ファイバ束と上記参照光照射ファイバ束の各端部が真空チャンバー外において接続されかつ上記参照光照射ファイバ束の端部から出射される参照光と反射光受光ファイバ束の端部から出射される測定光を一定の時間毎に順次通過させる光切換器と、該光切換器を通過した参照光に基づき光源光量を測定しかつ測定された上記光源光量に基づき光切換器を通過した測定光の光量を補正して金属吸収膜の分光反射率を計測する分光器とで上記反射率測定手段が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。 A stabilizing light source and a measurement light irradiation fiber bundle that distributes light from the light source into two optical paths and constitutes one of the optical paths is introduced into the vacuum chamber, and a reference light irradiation fiber bundle that constitutes the other optical path is outside the vacuum chamber. Irradiating measurement light toward the metal absorption film of a long resin film comprising a Y-branch optical fiber bundle disposed on the outer periphery of the cooling can roll and comprising the measurement light irradiation fiber bundle and the reflected light receiving fiber bundle. A reflectance measurement probe that irradiates measurement light from a fiber bundle and receives reflected light from the metal absorbing film by the reflected light receiving fiber bundle and measures the reflectance of the metal absorbing film, and a reflected light receiving fiber of the reflectance measuring probe The bundle and each end of the reference light irradiation fiber bundle are connected outside the vacuum chamber, and the reference light and reflected light receiving fiber emitted from the end of the reference light irradiation fiber bundle are connected. A light switch for sequentially passing the measurement light emitted from the end of the bundle at regular intervals, and the light source light amount is measured based on the reference light that has passed through the light switch, and the light is measured based on the measured light source light amount. 2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the reflectance measuring means is configured by a spectrometer that corrects the amount of measurement light that has passed through the switch and measures the spectral reflectance of the metal absorption film. apparatus.

樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面若しくは両面に設けられた積層膜とで構成され、かつ、上記積層膜が透明基板側から数えて１層目の金属吸収膜と２層目の金属膜から成る積層体フィルムの製造方法において、
目標とする分光反射率を有する金属吸収膜が、請求項１〜３のいずれかに記載の成膜装置を用いて形成されることを特徴とする積層体フィルムの製造方法。 It is composed of a transparent substrate made of a resin film and a laminated film provided on one or both sides of the transparent substrate, and the laminated film is counted from the transparent substrate side as a first layer metal absorbing film and a second layer metal. In the method for producing a laminate film composed of a film,
A method for producing a laminate film, wherein a metal absorption film having a target spectral reflectance is formed using the film forming apparatus according to claim 1.

上記金属吸収膜が、Ｎｉ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｃｕより選ばれる１種以上の元素が添加されたＮｉ系合金、または、Ｃｕ単体、若しくは、Ｔｉ、Ａｌ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｎｉより選ばれる１種以上の元素が添加されたＣｕ系合金から成る金属材を成膜材料とし、請求項１〜３のいずれかに記載の成膜装置における第一成膜手段へ反応性ガスを導入する反応成膜法により形成されることを特徴とする請求項４に記載の積層体フィルムの製造方法。 The metal absorption film is Ni simple substance, Ni-based alloy to which one or more elements selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, and Cu are added, or Cu simple substance Or a metal material made of a Cu-based alloy to which at least one element selected from Ti, Al, V, W, Ta, Si, Cr, Ag, Mo, and Ni is added as a film forming material. The method for producing a laminate film according to claim 4, wherein the film is formed by a reactive film-forming method in which a reactive gas is introduced into the first film-forming means in the film-forming apparatus according to claim 3.

樹脂フィルムから成る透明基板と該透明基板の片面若しくは両面に設けられた金属製の積層細線から成るメッシュ構造の回路パターンを有する電極基板フィルムの製造方法において、
請求項４に記載の積層体フィルムにおける上記積層膜をエッチング処理して、金属製の積層細線に加工することを特徴とする電極基板フィルムの製造方法。 In a method for producing an electrode substrate film having a circuit pattern having a mesh structure composed of a transparent substrate composed of a resin film and a metal laminated thin wire provided on one or both surfaces of the transparent substrate,
The manufacturing method of the electrode substrate film characterized by etching the said laminated film in the laminated body film of Claim 4, and processing it into metal laminated fine wires.