JP2016058821A - Semiconductor amplifier - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、半導体増幅器に関する。 Embodiments described herein relate generally to a semiconductor amplifier.
HEMT(High Electron Mobility Transistor)などの半導体増幅素子を用いると、マイクロ波半導体増幅器が可能となる。 When a semiconductor amplifying element such as a HEMT (High Electron Mobility Transistor) is used, a microwave semiconductor amplifier becomes possible.
また、高効率動作を実現するには、高調波を制御することが要求される。具体的には、半導体素子の端部において2倍波の負荷インピーダンスをほぼ開放とすることが好ましい。 Further, in order to realize high efficiency operation, it is required to control harmonics. Specifically, it is preferable to make the load impedance of the second harmonic wave almost open at the end of the semiconductor element.
HEMTなどの半導体増幅素子は、電極に直流電力を供給する必要がある。このため、半導体増幅器を収納するパッケージ内には、入力整合回路および出力整合回路のほかに、バイアス回路が設けられる。 A semiconductor amplifying element such as a HEMT needs to supply DC power to an electrode. For this reason, in addition to the input matching circuit and the output matching circuit, a bias circuit is provided in the package that houses the semiconductor amplifier.
このバイアス回路は、基本波において整合回路に影響を与えないことが好ましいため、整合回路との接続点において開放に近いインピーダンスをもつように構成する。具体的には、バイアス回路を基本波の中心周波数において電気長が90°となる線路とその先端に接続される接地キャパシタで構成することで実現される。 Since it is preferable that the bias circuit does not affect the matching circuit in the fundamental wave, the bias circuit is configured to have an impedance close to open at the connection point with the matching circuit. Specifically, the bias circuit is realized by a line having an electrical length of 90 ° at the center frequency of the fundamental wave and a grounded capacitor connected to the tip of the line.
基本波の中心周波数において電気長が概ね90°となる線路とその先端に接続される接地キャパシタで構成されたバイアス回路は、2倍波においては短絡に近いインピーダンスとなる。短絡に近いインピーダンスが接続されることで半導体増幅素子の端部での2倍波負荷インピーダンスに大きな影響を与える。バイアス回路が接続されても、半導体素子の端部において2倍波の負荷インピーダンスをほぼ開放とすることで、マイクロ波帯において、高効率動作が容易な半導体増幅器を提供する。 A bias circuit composed of a line having an electrical length of approximately 90 ° at the center frequency of the fundamental wave and a grounded capacitor connected to the tip of the line has an impedance close to a short circuit at the second harmonic. By connecting an impedance close to a short circuit, the second harmonic load impedance at the end of the semiconductor amplification element is greatly affected. Even when a bias circuit is connected, a semiconductor amplifier that can easily operate with high efficiency in the microwave band is provided by making the load impedance of the second harmonic wave almost open at the end of the semiconductor element.
実施形態の半導体増幅器は、半導体増幅素子と、外部負荷が接続される出力端子と、出力整合回路と、出力バイアス回路と、を有する。前記半導体増幅素子は、入力電極と出力電極とを有する。前記出力整合回路は、ボンディングワイヤと、第1特性インピーダンスおよび第1電気長を有する第1伝送線路と、第2特性インピーダンスおよび第2電気長を有する第2伝送線路と、を有する。前記ボンディングワイヤは、前記出力電極に接続された一方の端部と前記第1伝送線路の一方の端部に接続された他方の端部とを有する。前記第1伝送線路の他方の端部は、前記第2伝送線路の一方の端部に接続される。前記第2伝送線路の他方の端部は、前記出力端子に接続される。前記出力バイアス回路は、所定帯域内の中心周波数で電気長が概ね90°である第3伝送線路と、接地キャパシタと、電源端子と、を含む。前記第3伝送線路は、前記第2伝送線路において、前記一方の端部から前記他方の端部に向かって電気長が前記中心周波数で概ね45°である位置に接続された一方の端部と前記接地キャパシタに接続された他方の端部とを有する。前記電源端子は、前記第3伝送線路の前記他方の端部に接続される。前記第1電気長は、前記所定帯域の上限周波数において90°以下である。前記第2特性インピーダンスは、前記第1特性インピーダンスよりも大きい。 The semiconductor amplifier of the embodiment includes a semiconductor amplifying element, an output terminal to which an external load is connected, an output matching circuit, and an output bias circuit. The semiconductor amplifying element has an input electrode and an output electrode. The output matching circuit includes a bonding wire, a first transmission line having a first characteristic impedance and a first electric length, and a second transmission line having a second characteristic impedance and a second electric length. The bonding wire has one end connected to the output electrode and the other end connected to one end of the first transmission line. The other end of the first transmission line is connected to one end of the second transmission line. The other end of the second transmission line is connected to the output terminal. The output bias circuit includes a third transmission line having an electrical length of approximately 90 ° at a center frequency within a predetermined band, a ground capacitor, and a power supply terminal. In the second transmission line, the third transmission line has one end connected to a position where the electrical length is approximately 45 ° at the center frequency from the one end to the other end. And the other end connected to the ground capacitor. The power terminal is connected to the other end of the third transmission line. The first electrical length is 90 ° or less at the upper limit frequency of the predetermined band. The second characteristic impedance is greater than the first characteristic impedance.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。
図1は、第1の実施形態にかかる半導体増幅器の回路図である。
半導体増幅器5は、半導体増幅素子14と、入力整合回路12と、出力整合回路20と、出力バイアス回路34と、を有する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a circuit diagram of the semiconductor amplifier according to the first embodiment.
The
半導体増幅素子14は、HEMTやFET(Field Effect Transistor)などからなり、入力電極(たとえばゲート電極)、出力電極(たとえばドレイン電極)、接地電極(たとえばソース電極)などを有する。また、半導体増幅素子14は、窒化物系半導体または、AlxGa1−xAs(0≦x≦1)系半導体を含むことができる。
The semiconductor amplifying
出力整合回路20は、ボンディングワイヤ15と、第1特性インピーダンスZC1および第1電気長EL1を有する第1伝送線路16と、第2特性インピーダンスZC2および第2電気長(EL2a+EL2b)を有する第2伝送線路21と、を有する。ボンディングワイヤ15は、半導体増幅素子14の端部(出力電極)に接続された一方の端部15aと第1伝送線路16の一方の端部16aに接続された他方の端部16bとを有する。第1伝送線路16の他方の端部16bは、第2伝送線路21の一方の端部21aに接続される。また、第2伝送線路21の他方の端部21bは、半導体増幅器5の出力端子18に接続される。
The
第1電気長EL1は、上限周波数fHにおいて90°以下であるものとする。また、第2特性インピーダンスZC2は、第1特性インピーダンスZC1よりも高く、外部負荷50の抵抗値ZLよりも低いものとする。なお、半導体増幅素子14の出力電極14bからボンディングワイヤ15で接続される位置を基準面Q3とするので、第1電気長EL1は、第1伝送線路16の物理的な長さよりも僅かに短い。
The first electrical length EL1 is 90 ° or less at the upper limit frequency f H. The second characteristic impedance Z C2 is higher than the first characteristic impedance Z C1 and lower than the resistance value ZL of the
出力バイアス回路34は、中心周波数fCでの電気長EL3が概ね90°である第3伝送線路30と、接地キャパシタ32と、電源端子39と、を含む。第3伝送線路30は、第2伝送線路21において一方の端部21aから他方の端部21bに向かって中心周波数fCでの電気長EL2aが概ね45°となる位置に接続された一方の端部30aと、高周波信号を接地する接地キャパシタ32に接続された他方の端部30bと、を有する。
The
なお、本明細書において、概ね90°の電気長とは、81°以上かつ99°以下の角度に相当するものとする。また、概ね45°の電気長とは、40.5°以上かつ49.5°以下とする。 In this specification, the electrical length of approximately 90 ° corresponds to an angle of 81 ° or more and 99 ° or less. The electrical length of approximately 45 ° is set to 40.5 ° or more and 49.5 ° or less.
電源端子39は、他方の端部30bに接続される。半導体増幅素子14がHEMTである場合、ドレイン電極には直流電圧VDが供給される。
The
図2は、半導体増幅器の帯域を説明するグラフ図である。
半導体増幅器は、要求に対応した所定帯域を有する。帯域は、たとえば、電力付加効率がそのピーク値よりも所定量低下する下限周波数fLと上限周波数fHとの間として定義することができる。中心周波数fCは、略中心の周波数となる。基本波や高調波の負荷インピーダンスが所望の値から外れていく周波数では電力付加効率が低下する。
FIG. 2 is a graph illustrating the band of the semiconductor amplifier.
The semiconductor amplifier has a predetermined band corresponding to the request. Band may be, for example, power added efficiency is defined as between the lower limit frequency f L and upper frequency f H to decrease a predetermined amount than the peak value. The center frequency f C is a substantially center frequency. The power added efficiency decreases at a frequency at which the load impedance of the fundamental wave or the harmonic wave deviates from a desired value.
図3は、第1の実施形態にかかる半導体増幅器の模式平面図である。
半導体増幅器5は、入力端子10と、入力整合回路12と、出力端子18と、をさらに有することができる。半導体増幅器5は、たとえば、破線に表すパッケージ内に搭載される。接地面は、たとえば、パッケージの底面側に設けることができる。
FIG. 3 is a schematic plan view of the semiconductor amplifier according to the first embodiment.
The
図4は、基準面Q0からみた出力バイアス回路34単独の負荷インピーダンスを示すスミス図である。
基本波(ここでは2.7〜3.3GHzで設計)では開放に近いインピーダンス、2倍波では短絡に近いインピーダンスとなっていることがわかる。
以下の図5〜図8は、第1の実施形態をにおいて、それぞれの基準面からみた負荷インピーダンスを示すスミス図である。なお、第1伝送線路16は第1電気長EL1=90°(@fH)として説明するが、第1電気長EL1≦90°(@fH)であればよい。また、fL=2.7GHz、fC=3GHz、fH=3.3GHzとする。また、それぞれのスミス図は、基本波のインピーダンスと比較しやすいように基本波のインピーダンスに近い特性インピーダンスZoで正規化されている。
FIG. 4 is a Smith diagram showing the load impedance of the
It can be seen that the fundamental wave (designed here at 2.7 to 3.3 GHz) has an impedance close to open, and the double wave has an impedance close to a short circuit.
The following FIGS. 5 to 8 are Smith diagrams showing load impedances as viewed from the respective reference planes in the first embodiment. Note that the
図5は、出力バイアス回路が第2伝送線路に接続された位置である基準面Q1からみた基本波および2倍波の負荷インピーダンスを示すスミス図である。
バイアス回路34が2倍波では短絡に近いインピーダンスをもつ影響により、下限周波数fLの2倍の周波数2fL(=5.4GHz)におけるインピーダンスm4から上限周波数fHの2倍の周波数2fH(=6.6GHzにおけるインピーダンスm6までの負荷インピーダンスは、短絡インピーダンス(ゼロ)付近となっている。
FIG. 5 is a Smith diagram showing the load impedance of the fundamental wave and the second harmonic wave as seen from the reference plane Q1, which is the position where the output bias circuit is connected to the second transmission line.
Due to the influence of the
図6は、第1伝送線路と第2伝送線路との接続位置である基準面Q2からみた基本波および2倍波の負荷インピーダンスのスミス図である。
第2伝送線路21の第2電気長EL2aは45°(@fC)である。2倍波において、第2伝送線路21は、4分の1波長インピーダンス変換器として作用する。このため周波数2fL(=5.4GHz)〜2fH(=6.6GHz)の間で、2倍波インピーダンスは、開放インピーダンスの近傍に集まる。
FIG. 6 is a Smith diagram of the load impedance of the fundamental wave and the second harmonic wave viewed from the reference plane Q2, which is the connection position between the first transmission line and the second transmission line.
The second electrical length EL2a of the
なお、第3伝送線路30の特性インピーダンスZC3を第2伝送線路21の特性インピーダンスZC2よりも高くすると、基準面Q2からみた出力バイアス回路34の基本波インピーダンスを高くできるので好ましい。
It is preferable that the characteristic impedance Z C3 of the
図7は、ボンディングワイヤと第1伝送線路との接続位置である基準面Q3からみた基本波および2倍波の負荷インピーダンスを示すスミス図である。
第1電気長EL1≦90°(@fH)とすることで、2倍波の負荷インピーダンスは、誘導性かつ開放インピーダンス近傍とすることができる。このため、2倍波インピーダンスは、2fL〜2fHの範囲で開放インピーダンス近傍にすることができる。
FIG. 7 is a Smith diagram showing the load impedance of the fundamental wave and the second harmonic wave as seen from the reference plane Q3 which is the connection position between the bonding wire and the first transmission line.
By setting the first electrical length EL1 ≦ 90 ° (@f H ), the load impedance of the second harmonic can be inductive and close to the open impedance. Thus, second harmonic impedance may be an open impedance near a range of 2f L ~2f H.
図8は、ボンディングワイヤの一方の端部である基準面Q4からみた基本波および2倍波の負荷インピーダンスのスミス図である。
ボンディングワイヤ15の一方の端部15aは、半導体増幅素子14の出力電極(たとえばHEMTのドレイン電極)14bに接続される。基準面Q3における負荷インピーダンスにボンディングワイヤ15による誘導性リアクタンスが加算されるので、2倍波の負荷インピーダンスは開放インピーダンスの近傍にさらに集まる。この結果、高効率動作が容易となる。
FIG. 8 is a Smith diagram of the load impedance of the fundamental wave and the second harmonic wave viewed from the reference plane Q4 which is one end of the bonding wire.
One
図9(a)は、第1比較例の半導体増幅器の回路図、図9(b)は位置Nからみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図9(c)は基準面Q3からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図9(d)は基準面Q4からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、である。 9A is a circuit diagram of the semiconductor amplifier of the first comparative example, FIG. 9B is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the position N, and FIG. 9C shows the load impedance viewed from the reference plane Q3. FIG. 9D is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q4.
図9(a)に表すように、出力バイアス回路134を構成する第3伝送線路130の一方の端部130aは、第1伝送線路116の他方の端部116bと、第2伝送線路121の一方の端部121aと、の接続位置Nに接続される。
As shown in FIG. 9A, one
図9(b)に表すように、出力バイアス回路134が接続された位置Nからみた2倍波の負荷インピーダンス(@2fC)は、短絡近傍になる。
As shown in FIG. 9B, the load impedance (@ 2f C ) of the second harmonic viewed from the position N to which the
図9(c)は、ボンディングワイヤ115と第1伝送線路116との接続位置である基準面Q3からみた負荷インピーダンスを示すスミス図である。第1伝送線路116の端部116b(接続位置Nと同じ)において2倍波の負荷インピーダンスの軌跡が広がっているので、基準面Q3からみた2倍波の負荷インピーダンスは大きく変化しかつ帯域内のほとんどの周波数で開放インピーダンスから乖離する。
FIG. 9C is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q3, which is the connection position between the
図9(d)に表すように、基準面Q3における負荷インピーダンスにボンディングワイヤ15による誘導性リアクタンスが加算されても、2倍波の負荷インピーダンスはまとまらず、基準面Q4からみた2倍波インピーダンス(m4〜m6)は、大きく変化しかつ帯域内のほとんどの周波数で開放インピーダンスから乖離する。
As shown in FIG. 9 (d), even if the inductive reactance by the
基本波インピーダンス(m1〜m3)の変化は小さく、帯域内で半導体増幅素子114の容量性出力インピーダンスと整合が取れている。しかし、2倍波の負荷インピーダンスを開放インピーダンス付近に集めることができず電力付加効率が低下する。
Changes in the fundamental wave impedance (m1 to m3) are small and matched with the capacitive output impedance of the
図10(a)は第2比較例の半導体増幅器の回路図、図10(b)は基準面Q1からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図10(c)は基準面Q2からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図10(d)は基準面Q3からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図10(e)は基準面Q4からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、である。
図10(a)に表すように、出力バイアス回路134を構成する第3伝送線路130の一方の端部130aは、第2伝送線路121の他方の端部121bと出力端子118との接続位置Sに接続される。
10A is a circuit diagram of the semiconductor amplifier of the second comparative example, FIG. 10B is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q1, and FIG. 10C shows the load impedance viewed from the reference plane Q2. FIG. 10D is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q3, and FIG. 10E is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q4.
As shown in FIG. 10A, one
図10(b)は、出力バイアス回路134が接続された位置Sである基準面Q1からみた基本波および2倍波の負荷インピーダンス(@2fC)である。2倍波の負荷インピーダンスは、短絡近傍になる。
FIG. 10B shows the load impedance (@ 2f C ) of the fundamental wave and the second harmonic wave as seen from the reference plane Q1, which is the position S to which the
図10(c)は、第1伝送線路と第2伝送線路との接続位置である基準面Q2からみた負荷インピーダンスを示すスミス図である。また、図10(d)はボンディングワイヤと第1伝送線路との接続位置である基準面Q3からみた負荷インピーダンスを示すスミス図である。第1伝送線路116の端部116b(接続位置Nと同じ)において、2倍波の負荷インピーダンスの軌跡が広がっているので、基準面Q3からみた2倍波の負荷インピーダンスは大きく変化しかつ帯域内のほとんどの周波数で開放インピーダンスから乖離する。
FIG.10 (c) is a Smith figure which shows the load impedance seen from the reference plane Q2 which is a connection position of a 1st transmission line and a 2nd transmission line. FIG. 10D is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q3, which is the connection position between the bonding wire and the first transmission line. Since the locus of the load impedance of the second harmonic wave spreads at the
図10(e)に表すように、基準面Q3における負荷インピーダンスにボンディングワイヤ15による誘導性リアクタンスが加算されても、2倍波の負荷インピーダンスはまとまらず、基準面Q4からみた2倍波インピーダンス(m4〜m6)は、大きく変化しかつ帯域内のほとんどの周波数で開放インピーダンスから乖離する。
As shown in FIG. 10 (e), even if the inductive reactance by the
基本波インピーダンス(m1〜m3)の変化は小さく、帯域内で半導体増幅素子114の容量性出力インピーダンスと整合が取れている。しかし、2倍波の負荷インピーダンスを開放インピーダンス付近に集めることができず、電力付加効率が低下する。
Changes in the fundamental wave impedance (m1 to m3) are small and matched with the capacitive output impedance of the
図11(a)は第3比較例の半導体増幅器の回路図、図11(b)は基準面Q2からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図11(c)は基準面Q3からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図11(d)は基準面Q4からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、である。
図11(a)に表すように、出力バイアス回路134を構成する第3伝送線路130の一方の端部130aは、第1伝送線路116の一方の端部116aから他方の端部116bに向かって49.5°(@fH)離間した位置Tに接続される。
11A is a circuit diagram of the semiconductor amplifier of the third comparative example, FIG. 11B is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q2, and FIG. 11C shows the load impedance viewed from the reference plane Q3. FIG. 11D is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q4.
As shown in FIG. 11A, one
図11(b)は、出力バイアス回路134が接続された位置Tからみた基本波および2倍波の負荷インピーダンス(@2fC)を示すスミス図である。2倍波の負荷インピーダンスは、短絡インピーダンス近傍になる。
FIG. 11B is a Smith diagram showing the load impedance (@ 2f C ) of the fundamental wave and the second harmonic wave as seen from the position T to which the
図11(c)は、ボンディングワイヤと第1伝送線路との接続位置である基準面Q3からみた負荷インピーダンスを示すスミス図である。基準面Q2での2倍波の負荷インピーダンスの軌跡が広がっていたので、基準面Q3からみた2倍波の負荷インピーダンスは開放付近に近づくが、まとまらず、帯域内の多くの周波数で容量性のインピーダンスをもつ。
図11(d)は、半導体増幅素114子とボンディングワイヤ115との接続位置である基準面Q4からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、である。2倍波の負荷インピーダンスは、帯域内のほとんどの周波数で、開放インピーダンスから乖離する。
FIG. 11C is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q3, which is the connection position between the bonding wire and the first transmission line. Since the trajectory of the second harmonic load impedance at the reference plane Q2 has expanded, the second harmonic load impedance viewed from the reference plane Q3 is close to open, but it is not settled, and it is capacitive at many frequencies in the band. Has impedance.
FIG. 11D is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q4, which is the connection position between the
基本波インピーダンス(m1〜m3)の変化は小さく、帯域内で半導体増幅素子114の容量性出力インピーダンスと整合が取れている。しかし、2倍波の負荷インピーダンスを開放インピーダンス付近に集めることができず、電力付加効率が低下する。
Changes in the fundamental wave impedance (m1 to m3) are small and matched with the capacitive output impedance of the
このように、第1伝送線路116内で出力バイアス回路134の位置Tを変化させても2倍波の負荷インピーダンスを開放インピーダンス近傍に集めることは、困難である。
Thus, even if the position T of the
伝送線路の特性インピーダンスは、主として、基本波インピーダンスを整合するように決定される。外部負荷50のインピーダンスZLが50Ω、半導体増幅素子14の出力インピーダンスが、容量性かつその抵抗成分が数Ω以下と低い場合、ZC1<ZC2<50Ωのように設定すると、基本波整合が容易になる。
The characteristic impedance of the transmission line is mainly determined so as to match the fundamental impedance. 50 [Omega impedance Z L of the
バイアス回路の接続点からみた負荷インピーダンスは、接続点と出力端子間の整合回路とバイアス回路との並列回路となる。バイアス回路内のインピーダンスが短絡となる周波数においては2倍波の周波数では接続点と出力端子間の整合回路のインピーダンスに依らず短絡となるが、それ以外の周波数では接続点と出力端子間の整合回路の影響を受けて、負荷インピーダンスの軌跡に広がりが生じる。接続点と出力端子間の整合回路の特性インピーダンスが高い方が、その影響が小さくなる。すなわち、出力端子に最も近い伝送線路において、その一方の端部からの電気長が概ね45°となる位置と接地との間に出力バイアス回路34を設けることが好ましい。
The load impedance viewed from the connection point of the bias circuit is a parallel circuit of the matching circuit between the connection point and the output terminal and the bias circuit. At the frequency at which the impedance in the bias circuit is short-circuited, at the frequency of the second harmonic, the short-circuit occurs regardless of the impedance of the matching circuit between the connection point and the output terminal, but at other frequencies the matching between the connection point and the output terminal Under the influence of the circuit, the locus of the load impedance is expanded. The higher the characteristic impedance of the matching circuit between the connection point and the output terminal, the smaller the effect. That is, in the transmission line closest to the output terminal, it is preferable to provide the
図12(a)は第3伝送線路の特性インピーダンスが第2伝送線路の特性インピーダンスの3倍程度のときの半導体素子とボンディングワイヤとの接続位置である基準面Q4からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、図12(b)は第3伝送線路の特性インピーダンスが第2伝送線路の特性インピーダンス程度のときの基準面Q4からみた負荷インピーダンスを示すスミス図、である。
第3伝送線路30の第3特性インピーダンスZC3は、半導体増幅素子14に電流を供給可能かつ細い線路幅を加工可能な範囲内で高くすることが好ましい。
FIG. 12A is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q4 which is the connection position between the semiconductor element and the bonding wire when the characteristic impedance of the third transmission line is about three times the characteristic impedance of the second transmission line. FIG. 12B is a Smith diagram showing the load impedance viewed from the reference plane Q4 when the characteristic impedance of the third transmission line is about the characteristic impedance of the second transmission line.
The third characteristic impedance Z C3 of the
本実施形態によれば、基本波整合を保ちつつ、2倍波の負荷インピーダンスを開放インピーダンス近傍とする出力バイス回路および出力整合回路を有する半導体増幅器が提供される。バイアス回路が接続されても、半導体増幅素子の端部において2倍波の負荷インピーダンスをほぼ開放とすることで、半導体増幅器の高効率動作が容易となる。このような半導体増幅器は、レーダー装置やマイクロ波通信機器に広く用いることができる。 According to the present embodiment, there is provided a semiconductor amplifier having an output vice circuit and an output matching circuit in which the second harmonic load impedance is in the vicinity of an open impedance while maintaining fundamental wave matching. Even when the bias circuit is connected, the high-efficiency operation of the semiconductor amplifier is facilitated by making the load impedance of the second harmonic wave almost open at the end of the semiconductor amplifier. Such a semiconductor amplifier can be widely used in radar devices and microwave communication equipment.
本発明の2段のインピーダンス変換からなる整合回路について実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。2段以外のインピーダンス変換からなる整合回路についても実施可能である。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although the embodiments of the matching circuit including the two-stage impedance conversion of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. The present invention can also be implemented for a matching circuit including impedance conversion other than two stages. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
5 半導体増幅器、15、15a、15b ボンディングワイヤ、16、16a、16b 第1伝送線路、18 出力端子、20 出力整合回路、21、21a、21b 第2伝送線路、30 第3伝送線路、32 接地キャパシタ、34 出力バイアス回路、50 外部負荷、ZC1、ZC2、ZC3 (伝送線路の)特性インピーダンス、EL1、EL2、EL3 (伝送線路の)電気長、fL 下限周波数、fC 中心周波数、fH 上限周波数、Q1、Q2、Q3、Q4 基準面、m1、m2、m3 基本波インピーダンス、m4、m5、m6 2倍波インピーダンス
DESCRIPTION OF
Claims (3)
外部負荷が接続される出力端子と、
ボンディングワイヤと、第1特性インピーダンスおよび第1電気長を有する第1伝送線路と、第2特性インピーダンスおよび第2電気長を有する第2伝送線路と、を有する出力整合回路であって、前記ボンディングワイヤは前記出力電極に接続された一方の端部と前記第1伝送線路の一方の端部に接続された他方の端部とを有し、前記第1伝送線路の他方の端部は前記第2伝送線路の一方の端部に接続され、前記第2伝送線路の他方の端部が前記出力端子に接続された、出力整合回路と、
所定帯域内の中心周波数で電気長が概ね90°である第3伝送線路と、接地キャパシタと、電源端子と、を含む出力バイアス回路であって、前記第3伝送線路は前記第2伝送線路において前記一方の端部から前記他方の端部に向かって電気長が前記中心周波数で概ね45°である位置に接続された一方の端部と前記接地キャパシタに接続された他方の端部とを有し、前記電源端子は前記第3伝送線路の前記他方の端部に接続された、出力バイアス回路と、
を備え、
前記第1電気長は、前記所定帯域の上限周波数において90°以下であり、
前記第2特性インピーダンスは、前記第1特性インピーダンスよりも大きい、半導体増幅器。 A semiconductor amplifying element having an input electrode and an output electrode;
An output terminal to which an external load is connected;
An output matching circuit having a bonding wire, a first transmission line having a first characteristic impedance and a first electric length, and a second transmission line having a second characteristic impedance and a second electric length, wherein the bonding wire Has one end connected to the output electrode and the other end connected to one end of the first transmission line, and the other end of the first transmission line is the second end. An output matching circuit connected to one end of the transmission line and connected to the output terminal at the other end of the second transmission line;
An output bias circuit including a third transmission line having an electrical length of approximately 90 ° at a center frequency within a predetermined band, a grounding capacitor, and a power supply terminal, wherein the third transmission line is connected to the second transmission line. From one end to the other end, there is one end connected to a position where the electrical length is approximately 45 ° at the center frequency and the other end connected to the ground capacitor. The power supply terminal is connected to the other end of the third transmission line, and an output bias circuit;
With
The first electrical length is 90 ° or less at the upper limit frequency of the predetermined band,
The semiconductor amplifier, wherein the second characteristic impedance is larger than the first characteristic impedance.
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