JP2016051826A

JP2016051826A - Manufacturing method of wiring board

Info

Publication number: JP2016051826A
Application number: JP2014176664A
Authority: JP
Inventors: 知治土田; Tomoharu Tsuchida
Original assignee: Kyocera Circuit Solutions Inc
Current assignee: Kyocera Circuit Solutions Inc
Priority date: 2014-08-30
Filing date: 2014-08-30
Publication date: 2016-04-11

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a wiring board that improves efficiency of manufacture.SOLUTION: A manufacturing method of a wiring board A includes the steps of: performing hot press of a separable metal foil 10 that is formed by separably adhering first and second metal foils 10a and 10b smaller than a principal surface of an uncured prepreg 8P, with the second metal foil 10b as a front side on a central part of the principal surface and forming a foundation 11 for lamination in which the separable metal foil 10 is buried on a principal surface of a support substrate 8 that is formed by thermally curing the prepreg 8P; and forming a build-up part 12 by alternately laminating a plurality of insulation layers 1 and wiring conductor layers 2 on the foundation 11 for lamination. The step of forming the foundation 11 for lamination includes: separably adhering a third metal foil S that is larger than the principal surface of the prepreg 8P at a side of the second metal foil 10b in such a manner that its outer peripheral part protrudes from the second metal foil 10b; and removing the third metal S after performing hot-press while covering an outer peripheral part of the principal surface of the prepreg 8P with the protruding portion.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、半導体集積回路素子などの半導体素子を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board used for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element.

近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の高機能化、薄型化が進む中、それらに使用される配線基板として、コアレス基板と呼ばれる薄型で高密度な配線基板がある。 In recent years, as electronic devices typified by portable game machines and communication devices are becoming highly functional and thin, there is a thin and high-density wiring substrate called a coreless substrate as a wiring substrate used for them.

このようなコアレス基板と呼ばれる従来の配線基板の一例を、図６に示す。
従来の配線基板Ｂは、例えば４層の絶縁層２１が積層されるとともに各絶縁層２１の間、および最表層の絶縁層２１の表面に配線導体層２２が形成されている。さらに最表層の絶縁層２１および配線導体層２２の表面にはソルダーレジスト層２３が形成されている。 An example of such a conventional wiring board called a coreless board is shown in FIG.
In the conventional wiring board B, for example, four insulating layers 21 are laminated, and wiring conductor layers 22 are formed between the insulating layers 21 and on the surface of the outermost insulating layer 21. Furthermore, a solder resist layer 23 is formed on the surfaces of the outermost insulating layer 21 and the wiring conductor layer 22.

それぞれの絶縁層２１には、ビアホール２４が複数形成されている。ビアホール２４の内部には、配線導体層２２と一体的に形成されたビア導体２５が被着されている。ビア導体２５は、各絶縁層２１に形成された配線導体層２２間の導通をとっている。最上層の配線導体層２２の一部は、半導体素子接続パッド２６を形成している。半導体素子接続パッド２６には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が接続される。最下層に形成された配線導体層２２の一部は、回路基板接続パッド２７を形成している。回路基板接続パッド２７には、この配線基板Ｂが搭載される回路基板の電極が接続される。これらの半導体素子接続パッド２６および回路基板接続パッド２７は、ソルダーレジスト層２３に設けられた開口部２３ａ、２３ｂ内に露出している。
そして、半導体素子と回路基板との間で配線導体層２２を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子が作動する。 A plurality of via holes 24 are formed in each insulating layer 21. A via conductor 25 formed integrally with the wiring conductor layer 22 is attached inside the via hole 24. The via conductor 25 establishes conduction between the wiring conductor layers 22 formed in each insulating layer 21. A part of the uppermost wiring conductor layer 22 forms a semiconductor element connection pad 26. An electrode of a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element is connected to the semiconductor element connection pad 26. A part of the wiring conductor layer 22 formed in the lowermost layer forms a circuit board connection pad 27. The circuit board connection pads 27 are connected to the electrodes of the circuit board on which the wiring board B is mounted. These semiconductor element connection pads 26 and circuit board connection pads 27 are exposed in openings 23 a and 23 b provided in the solder resist layer 23.
The semiconductor element operates by transmitting an electrical signal between the semiconductor element and the circuit board via the wiring conductor layer 22.

次に、従来の配線基板Ｂの製造方法における工程毎の実施形態の一例を図７〜図１０を基にして説明する。なお、図６と同一の個所には同一の符号を付して説明する。 Next, an example of an embodiment for each process in the manufacturing method of the conventional wiring board B will be described with reference to FIGS. In the following description, the same parts as those in FIG.

まず、図７（ａ）に示すように、２枚の未硬化のプリプレグ２８Ｐと、２枚の分離フィルム２９と、２枚の分離可能金属箔３０とを準備する。
プリプレグ２８Ｐの一方の主面は製品形成用主面Ｆとなり、他方の主面は分離用主面Ｇとなる。また、それぞれのプリプレグ２８Ｐは、中央部に製品形成用領域Ｘと、外周部に捨て代領域Ｙとを有している。
分離可能金属箔３０は、第１の金属箔３０ａと第２の金属箔３０ｂとが間に接着層（不図示）を介して互いに分離可能に小さな密着力で保持されたものである。第１の金属箔３０ａは、製品形成用領域Ｘよりも大きい。第２の金属箔３０ｂは、第１の金属箔３０ａよりも大きい。そして両者は、第２の金属箔３０ｂの外周部が第１の金属箔３０ａの外周からはみ出すように密着されている。 First, as shown in FIG. 7A, two uncured prepregs 28P, two separation films 29, and two separable metal foils 30 are prepared.
One main surface of the prepreg 28P serves as a product forming main surface F, and the other main surface serves as a separation main surface G. Each prepreg 28 </ b> P has a product forming region X in the center and a disposal margin region Y in the outer periphery.
The separable metal foil 30 is obtained by holding a first metal foil 30a and a second metal foil 30b with a small adhesive force so as to be separable from each other via an adhesive layer (not shown). The first metal foil 30a is larger than the product formation region X. The second metal foil 30b is larger than the first metal foil 30a. And both are closely_contact | adhered so that the outer peripheral part of the 2nd metal foil 30b may protrude from the outer periphery of the 1st metal foil 30a.

次に、図７（ｂ）に示すように、２枚のプリプレグ２８Ｐの間に２枚の分離フィルム２９を重ねて挟持するとともに、それぞれのプリプレグ２８Ｐの製品形成用主面Ｆ上の中央部に分離可能金属箔３０を第１の金属箔３０ａを製品形成用主面Ｆ側にして配置する。 Next, as shown in FIG. 7 (b), the two separation films 29 are sandwiched and sandwiched between the two prepregs 28P, and the center of the prepreg 28P on the main surface F for product formation is placed. The separable metal foil 30 is arranged with the first metal foil 30a facing the product forming main surface F side.

次に、図７（ｃ）に示すように、図７（ｂ）の状態に積層したものを平坦なプレス板により上下から加圧しながら加熱する熱間プレスを行う。 Next, as shown in FIG.7 (c), the hot press which heats what was laminated | stacked in the state of FIG.7 (b), pressurizing from the upper and lower sides with a flat press board is performed.

このような熱間プレスにより、図８（ｄ）に示すように、プリプレグ２８Ｐが硬化された２枚の支持基板２８が、間に２枚の分離フィルム２９を挟持して互いに接合されるとともに、それぞれの支持基板２８の製品形成用主面Ｆに分離可能金属箔３０が固着された基板の積層用土台３１が形成される。 By such hot pressing, as shown in FIG. 8 (d), the two support substrates 28 on which the prepreg 28P has been cured are bonded to each other with the two separation films 29 sandwiched therebetween, A base 31 for laminating the substrates having the separable metal foil 30 fixed to the product forming main surface F of each support substrate 28 is formed.

次に、図８（ｅ）に示すように、積層用土台３１両主面の第２の金属箔３０ｂ表面に配線導体層２２を形成する。配線導体層２２は、例えば周知のセミアディティブ法により形成される。 Next, as illustrated in FIG. 8E, the wiring conductor layer 22 is formed on the surface of the second metal foil 30 b on both main surfaces of the lamination base 31. The wiring conductor layer 22 is formed by a known semi-additive method, for example.

次に、図８（ｆ）に示すように、配線導体層２２が形成された積層用土台３１の両主面に絶縁層２１と配線導体層２２とを複数相互に積層するとともに、最表層の絶縁層２１および配線導体層２２の上にソルダーレジスト層２３を被着させることで配線基板用のビルドアップ部３２が形成される Next, as shown in FIG. 8F, a plurality of insulating layers 21 and a plurality of wiring conductor layers 22 are laminated on both main surfaces of the lamination base 31 on which the wiring conductor layers 22 are formed, and the outermost layer is formed. By depositing the solder resist layer 23 on the insulating layer 21 and the wiring conductor layer 22, the build-up portion 32 for the wiring board is formed.

次に、図９（ｇ）に示すように、積層用土台３１およびビルドアップ部３２を製品形成用領域Ｘと捨て代領域Ｙとの境界上で切断することで、製品形成用領域Ｘの積層用土台３１およびビルドアップ部３２を切り出す。 Next, as shown in FIG. 9G, the stacking of the product forming region X is performed by cutting the stacking base 31 and the buildup portion 32 on the boundary between the product forming region X and the disposal margin region Y. The base 31 and the buildup unit 32 are cut out.

次に、図９（ｈ）に示すように、切り出されたビルドアップ部３２が形成された積層用土台３１を分離フィルム２９の間から分離する。 Next, as shown in FIG. 9 (h), the stacking base 31 on which the cut-up buildup portion 32 is formed is separated from between the separation films 29.

次に、図１０（ｉ）に示すように、ビルドアップ部３２を第１の金属箔３０ａから分離する。これにより、ビルドアップ部３２の片面に第２の金属箔３０ｂが固着した配線基板用の積層体３３が形成される。 Next, as shown in FIG. 10I, the build-up part 32 is separated from the first metal foil 30a. Thereby, the laminated body 33 for wiring boards to which the 2nd metal foil 30b adhered to the single side | surface of the buildup part 32 is formed.

最後に、図１０（ｊ）に示すように、第２の金属箔３０ｂを全てエッチング除去した後、最下層の絶縁層２１および配線導体層２２の表面に、開口部２３ｂを有するソルダーレジスト層２３を形成することで図６に示すような従来の配線基板Ｂが形成される。 Finally, as shown in FIG. 10 (j), after all the second metal foil 30b has been removed by etching, a solder resist layer 23 having openings 23b on the surfaces of the lowermost insulating layer 21 and wiring conductor layer 22 is removed. As a result, a conventional wiring board B as shown in FIG. 6 is formed.

しかし、従来の方法においては上述の熱間プレスにおいて、第２の金属箔３０ｂの外周部に露出するプリプレグ２８Ｐと熱間プレス用のプレス板とが接着してしまい、プリプレグ２８Ｐが硬化して成る支持基板２８とプレス板とを容易に分離することができず支持基板２８が破損する場合がある。このため、配線基板を効率よく製造することができないという問題を有していた。 However, in the conventional method, in the above-described hot pressing, the prepreg 28P exposed on the outer peripheral portion of the second metal foil 30b and the press plate for hot pressing are bonded, and the prepreg 28P is cured. The support substrate 28 and the press plate cannot be easily separated, and the support substrate 28 may be damaged. For this reason, there was a problem that a wiring board cannot be manufactured efficiently.

特開２０１４−１３０８５６号公報JP, 2014-130856, A

本発明は、未硬化のプリプレグとプレス板とが直接に接触することを防止して支持基板とプレス板との接着を防止する。これにより、支持基板とプレス板とを容易に分離して効率よく配線基板を形成できる製造方法を提供することを課題とする。 The present invention prevents the uncured prepreg and the press plate from coming into direct contact with each other, thereby preventing adhesion between the support substrate and the press plate. Accordingly, an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of easily separating a support substrate and a press plate and efficiently forming a wiring substrate.

本発明における配線基板の製造方法は、未硬化のプリプレグの主面の中央部に、主面よりも小さな第１および第２の金属箔同士が互いに分離可能に密着されて成る分離可能金属箔を、第２の金属箔側が表側となるように熱間プレスで埋入させるとともにプリプレグを熱硬化させることでプリプレグが硬化して成る支持基板の主面に分離可能金属箔が埋入された状態で固着された積層用土台を形成する工程と、積層用土台の第２の金属箔上およびその周囲の支持基板上を含む領域に絶縁層と配線導体層とを交互に複数積層して絶縁層と配線導体層とから成るビルドアップ部を形成する工程とを行う配線基板の製造方法であって、積層用土台を形成する工程において、分離可能金属箔の第２の金属箔側にプリプレグの主面より大きな第３の金属箔をその外周部が第２の金属箔からはみ出すように分離可能に密着させるとともに、第３の金属箔のはみ出す部分によりプリプレグの主面の外周部を被覆した状態で熱間プレスを行い、熱間プレス後に第３の金属箔を積層用土台から除去する工程を含むことを特徴とするものである。 The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a separable metal foil in which first and second metal foils smaller than the main surface are in close contact with each other at the center of the main surface of the uncured prepreg. In a state where the separable metal foil is embedded in the main surface of the support substrate which is embedded by hot pressing so that the second metal foil side is the front side and the prepreg is cured by thermosetting the prepreg. A step of forming a fixed base for stacking, and a plurality of insulating layers and wiring conductor layers alternately stacked in a region including the second metal foil of the base for stacking and the surrounding support substrate; A method of manufacturing a wiring board that includes a step of forming a buildup portion comprising a wiring conductor layer, wherein the main surface of the prepreg is disposed on the second metal foil side of the separable metal foil in the step of forming a base for lamination. Larger third metal foil The outer peripheral part is detachably adhered so as to protrude from the second metal foil, and hot pressing is performed with the outer peripheral part of the main surface of the prepreg covered with the protruding part of the third metal foil. It includes a step of removing the third metal foil from the base for lamination later.

本発明の配線基板の製造方法によれば、積層用土台を形成する工程において、分離可能金属箔の第２の金属箔側にプリプレグの主面より大きな第３の金属箔をその外周部が第２の金属箔からはみ出すように分離可能に密着させるとともに、第３の金属箔のはみ出す部分によりプリプレグの主面の外周部を被覆した状態で熱間プレスを行う。
このため、未硬化のプリプレグと熱間プレス用のプレス板とが直接に接触することを防いで支持基板とプレス板との接着を防止できる。これにより、支持基板とプレス板とを容易に分離して効率よく配線基板を形成できる製造方法を提供することができる。 According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, in the step of forming the base for lamination, the third metal foil larger than the main surface of the prepreg is disposed on the second metal foil side of the separable metal foil. While being detachably adhered so as to protrude from the second metal foil, hot pressing is performed in a state where the outer peripheral portion of the main surface of the prepreg is covered with the protruding portion of the third metal foil.
For this reason, it can prevent that a non-hardened prepreg and the press board for hot press contact directly, and can prevent adhesion | attachment with a support substrate and a press board. Thereby, the manufacturing method which can isolate | separate a support substrate and a press board easily and can form a wiring board efficiently can be provided.

図１は、本発明の製造方法により製造される配線基板の一例を示す概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a wiring board manufactured by the manufacturing method of the present invention. 図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。2A to 2C are schematic cross-sectional views for explaining an example of an embodiment for each process in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. 図３（ｄ）〜（ｆ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。3D to 3F are schematic cross-sectional views for explaining an example of an embodiment for each process in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. 図４（ｇ）〜（ｉ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。4G to 4I are schematic cross-sectional views for explaining an example of an embodiment for each process in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. 図５（ｊ）、（ｋ）は、本発明の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。FIGS. 5J and 5K are schematic cross-sectional views for explaining an example of an embodiment for each process in the method for manufacturing a wiring board of the present invention. 図６は、従来の製造方法により製造される配線基板の一例を示す概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing an example of a wiring board manufactured by a conventional manufacturing method. 図７（ａ）〜（ｃ）は、従来の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。7A to 7C are schematic cross-sectional views for explaining an example of an embodiment for each process in a conventional method for manufacturing a wiring board. 図８（ｄ）〜（ｆ）は、従来の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。8D to 8F are schematic cross-sectional views for explaining an example of an embodiment for each process in the conventional method for manufacturing a wiring board. 図９（ｇ）、（ｈ）は、従来の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。9 (g) and 9 (h) are schematic cross-sectional views for explaining an example of an embodiment for each process in a conventional method for manufacturing a wiring board. 図１０（ｉ）、（ｊ）は、従来の配線基板の製造方法における工程毎の実施形態の一例を説明するための概略断面図である。FIGS. 10 (i) and 10 (j) are schematic cross-sectional views for describing an example of an embodiment for each process in a conventional method for manufacturing a wiring board.

まず、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例を、図１を基にして説明する。 First, an example of a wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board of the present invention will be described with reference to FIG.

図１に示すように、本発明の製造方法により製造される配線基板Ａは、例えば４層の絶縁層１が積層されるとともに各絶縁層１の間および最表層の絶縁層１の上下面に配線導体層２が形成されている。さらに最表層の絶縁層１および配線導体層２の表面にはソルダーレジスト層３が形成されている。 As shown in FIG. 1, the wiring board A manufactured by the manufacturing method of the present invention has, for example, four insulating layers 1 laminated thereon, and between the insulating layers 1 and on the upper and lower surfaces of the outermost insulating layer 1. A wiring conductor layer 2 is formed. Further, a solder resist layer 3 is formed on the surfaces of the outermost insulating layer 1 and the wiring conductor layer 2.

それぞれの絶縁層１には、ビアホール４が複数形成されている。ビアホール４の内部には、配線導体層２と一体的に形成されたビア導体５が被着されている。ビア導体５は、各絶縁層１に形成された配線導体層２間の導通をとっている。最上層の配線導体層２の一部は、半導体素子接続パッド６を形成している。半導体素子接続パッド６には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が接続される。最下層に形成された配線導体層２の一部は、回路基板接続パッド７を形成している。回路基板接続パッド７には、この配線基板Ａが搭載される回路基板の電極が接続される。これらの半導体素子接続パッド６および回路基板接続パッド７は、ソルダーレジスト層３に設けられた開口部３ａ、３ｂ内にそれぞれ露出している。
そして、半導体素子と回路基板との間で配線導体層２を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子が作動する。 A plurality of via holes 4 are formed in each insulating layer 1. A via conductor 5 formed integrally with the wiring conductor layer 2 is attached inside the via hole 4. The via conductor 5 is electrically connected between the wiring conductor layers 2 formed in each insulating layer 1. A part of the uppermost wiring conductor layer 2 forms a semiconductor element connection pad 6. An electrode of a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element is connected to the semiconductor element connection pad 6. A part of the wiring conductor layer 2 formed in the lowermost layer forms a circuit board connection pad 7. The circuit board connection pads 7 are connected to the electrodes of the circuit board on which the wiring board A is mounted. The semiconductor element connection pad 6 and the circuit board connection pad 7 are exposed in the openings 3a and 3b provided in the solder resist layer 3, respectively.
The semiconductor element operates by transmitting an electrical signal between the semiconductor element and the circuit board via the wiring conductor layer 2.

次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を、図２〜図５を基にして説明する。なお、図１と同一の個所は同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 Next, an example of an embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

まず、図２（ａ）に示すように、２枚の未硬化のプリプレグ８Ｐと、２枚の分離フィルム９と、２枚の分離可能金属箔１０と、２枚の第３の金属箔Ｓとを準備する。 First, as shown in FIG. 2 (a), two uncured prepregs 8P, two separation films 9, two separable metal foils 10, and two third metal foils S Prepare.

プリプレグ８Ｐは、配線基板Ａを製造する際に、製造途中の配線基板Ａを必要な平坦度を維持して支持するための支持基板８を形成するためのものである。プリプレグ８Ｐの一方の主面は製品形成用主面Ｆとなり、他方の主面は分離用主面Ｇとなる。また、それぞれのプリプレグ８Ｐは、中央部に製品形成用領域Ｘと、外周部に捨て代領域Ｙとを有している。製品形成用領域Ｘは四角形状の領域であり、この製品形成用領域Ｘ上に配線基板Ａが形成される。なお本例では、簡便のため、一つの配線基板Ａに対応する製品形成用領域Ｘのみを示しているが、実際には数十〜数千の配線基板Ａに対応する面積を有している。捨て代領域Ｙは、製品形成用領域Ｘを取り囲む四角枠状の領域である。
プリプレグ８Ｐは、厚みが０．１〜０．２ｍｍ程度であり、縦横の寸法が４００〜１０００ｍｍ程度の略四角形である。プリプレグ８Ｐには、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態とした板状のものが用いられる。 The prepreg 8P is for forming the support substrate 8 for supporting the wiring substrate A being manufactured while maintaining the necessary flatness when the wiring substrate A is manufactured. One main surface of the prepreg 8P is a product forming main surface F, and the other main surface is a separation main surface G. Each prepreg 8P has a product formation region X in the center and a disposal margin region Y in the outer periphery. The product formation region X is a rectangular region, and the wiring board A is formed on the product formation region X. In this example, for the sake of simplicity, only the product forming region X corresponding to one wiring board A is shown, but in actuality, it has an area corresponding to tens to thousands of wiring boards A. . The discard margin area Y is a rectangular frame-shaped area surrounding the product forming area X.
The prepreg 8P has a thickness of about 0.1 to 0.2 mm and a substantially rectangular shape with vertical and horizontal dimensions of about 400 to 1000 mm. As the prepreg 8P, for example, a plate-like material that is made into a semi-cured state by impregnating glass fiber with a thermosetting resin such as an epoxy resin is used.

分離フィルム９は、２枚のプリプレグ８Ｐ間に介挿されてプリプレグ８Ｐを硬化させた２枚の支持基板８同士を容易に分離させるためのものである。分離フィルム９は、厚みが１〜３５μｍ程度であり、縦横の寸法が４００〜１０００ｍｍ程度である。分離フィルム９の縦横の寸法は、捨て代領域Ｙにはみ出す大きさである。なお、分離フィルム９が捨て代領域Ｙにはみ出す部分には、直径が０．１〜１ｍｍ程度の多数の開口部Ｈが形成されていることが好ましい。
分離フィルム９は、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。 The separation film 9 is used to easily separate the two support substrates 8 inserted between the two prepregs 8P and cured from the prepregs 8P. The separation film 9 has a thickness of about 1 to 35 μm and a vertical and horizontal dimension of about 400 to 1000 mm. The vertical and horizontal dimensions of the separation film 9 are large enough to protrude into the disposal margin area Y. In addition, it is preferable that a large number of openings H having a diameter of about 0.1 to 1 mm are formed in a portion where the separation film 9 protrudes into the disposal margin region Y.
The separation film 9 is preferably made of, for example, a metal foil such as a copper foil or a heat-resistant film such as a polyethylene terephthalate (PET) film.

分離可能金属箔１０は、第１の金属箔１０ａと第２の金属箔１０ｂとが、間に接着層（不図示）を介して互いに分離可能に小さな密着力で保持されたものである。
第１の金属箔１０ａは、厚みが１０〜３０μｍ程度であり、製品形成用領域Ｘよりも大きい寸法をしている。第２の金属箔１０ｂは、厚みが１〜７μｍ程度であり、第１の金属箔１０ａと略同じ寸法をしている。
接着層は配線基板Ａの形成中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコン樹脂系、アクリル樹脂系等の耐熱性粘着材、あるいはニッケル系の金属層から成るのが好ましい。このような接着層は、後述するビルドアップ部１２を支持基板８から分離する際に第１の金属箔１０ａと第２の金属箔１０ｂとを分離するときに、相互に剥がれ残りなく分離する上で粘着力が１〜１０Ｎ／ｍ程度の小さな密着力であるのが好ましい。 The separable metal foil 10 is obtained by holding a first metal foil 10a and a second metal foil 10b with a small adhesive force so as to be separable from each other via an adhesive layer (not shown).
The first metal foil 10a has a thickness of about 10 to 30 μm and a size larger than that of the product forming region X. The second metal foil 10b has a thickness of about 1 to 7 μm and has substantially the same dimensions as the first metal foil 10a.
In order to withstand the heat load applied during the formation of the wiring board A, the adhesive layer is preferably made of, for example, a heat-resistant adhesive such as silicon resin or acrylic resin, or a nickel metal layer. Such an adhesive layer separates the first metal foil 10a and the second metal foil 10b from each other without being peeled off when separating the first metal foil 10a and the second metal foil 10b when separating the build-up portion 12 described later from the support substrate 8. It is preferable that the adhesive strength is a small adhesive strength of about 1 to 10 N / m.

第３の金属箔Ｓは、第２の金属箔１０ｂ側に配置されている。第３の金属箔Ｓは、厚みが１０〜３０μｍ程度であり、捨て代領域Ｙから２０〜３０ｍｍ程度はみ出す寸法をしている。第３の金属箔Ｓの製品形成用領域Ｘ側の面は、表面粗さが十点平均粗さＲｚにおいて０．５μｍ以下の平滑面であることが好ましい。
これらの金属箔は、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。 The third metal foil S is disposed on the second metal foil 10b side. The third metal foil S has a thickness of about 10 to 30 μm, and has a dimension that protrudes from the discard margin region Y by about 20 to 30 mm. The surface on the product forming region X side of the third metal foil S is preferably a smooth surface having a surface roughness of 0.5 μm or less at a 10-point average roughness Rz.
These metal foils are preferably made of a highly conductive metal such as copper.

次に、図２（ｂ）に示すように、２枚の未硬化のプリプレグ８Ｐの間に２枚の分離フィルム９を重ねて挟持するとともに、それぞれのプリプレグ８Ｐの製品形成用主面Ｆ上の中央部に、第３の金属箔Ｓが配置された分離可能金属箔１０を第１の金属箔１０ａが製品形成用主面Ｆ側になるように配置する。
このとき、プリプレグ８Ｐの製品形成用主面Ｆ側表面を、分離可能金属箔１０および第３の金属箔Ｓにより完全に被覆するように配置することが重要である。 Next, as shown in FIG. 2 (b), two separation films 9 are overlapped and sandwiched between two uncured prepregs 8P, and each prepreg 8P on the main surface F for product formation. In the center, the separable metal foil 10 on which the third metal foil S is arranged is arranged so that the first metal foil 10a is on the product forming main surface F side.
At this time, it is important to arrange the prepreg 8P so that the product-forming main surface F side surface is completely covered with the separable metal foil 10 and the third metal foil S.

次に、図２（ｃ）に示すように、図２（ｂ）の状態に積層したものを平坦なプレス板により上下から加圧しながら加熱する熱間プレスを行う。 Next, as shown in FIG.2 (c), the hot press which heats what laminated | stacked in the state of FIG.2 (b) while pressing from the upper and lower sides with a flat press board is performed.

このような熱間プレスにより、図３（ｄ）に示すように、プリプレグ８Ｐが硬化された２枚の支持基板８が、間に２枚の分離フィルム９を挟持して互いに接合される。
この熱間プレスにより、第１および第２の金属箔１０ａ、１０ｂは支持基板８に埋入される。このとき、第３の金属箔Ｓは第２の金属箔１０ｂを含む支持基板８の主面を完全に被覆している。したがって、支持基板８とプレス板との接着を防止することができる。
なお、分離フィルム９には、捨て代領域Ｙにはみ出す部分に直径が０．１〜１ｍｍ程度の開口部Ｈが多数形成されていることから、これらの開口部Ｈを介して支持基板８同士が接合されることで２枚の支持基板８同士が固定される。また、製品形成用領域Ｘでは、分離フィルム９同士は、互いに接着せずに重なりあったままの状態である。 By such hot pressing, as shown in FIG. 3D, the two support substrates 8 on which the prepreg 8P has been cured are bonded to each other with the two separation films 9 interposed therebetween.
By this hot pressing, the first and second metal foils 10 a and 10 b are embedded in the support substrate 8. At this time, the third metal foil S completely covers the main surface of the support substrate 8 including the second metal foil 10b. Therefore, adhesion between the support substrate 8 and the press plate can be prevented.
In addition, since a large number of openings H having a diameter of about 0.1 to 1 mm are formed in the separation film 9 at a portion protruding into the disposal margin area Y, the support substrates 8 are connected to each other through these openings H. The two support substrates 8 are fixed to each other by bonding. Further, in the product forming region X, the separation films 9 are not adhered to each other but are overlapped with each other.

次に、図３（ｅ）に示すように、支持基板８上下の第３の金属箔Ｓを剥離除去することにより積層用土台１１を形成する。なお、第３の金属箔Ｓと支持基板８とは、上述した第３の金属箔Ｓの平滑面と支持基板８とが密着しているだけなので、容易に剥離することができる。 Next, as shown in FIG. 3E, the base 11 for lamination is formed by peeling and removing the third metal foils S above and below the support substrate 8. The third metal foil S and the support substrate 8 can be easily separated because the smooth surface of the third metal foil S and the support substrate 8 are in close contact with each other.

次に図３（ｆ）に示すように、第２の金属箔１０ｂ表面に、配線導体層２を形成する。配線導体層２は、第２の金属箔１０ｂ表面に、無電解めっきおよび電解めっきから成る導体パターンを、例えば周知のセミアディティブ法により被着させることにより形成される。セミアディティブ法により用いられる無電解めっきおよび電解めっきには、例えば無電解銅めっきおよび電解銅めっき等の良導電性材料が好適に用いられる。 Next, as shown in FIG. 3F, the wiring conductor layer 2 is formed on the surface of the second metal foil 10b. The wiring conductor layer 2 is formed by depositing a conductive pattern made of electroless plating and electrolytic plating on the surface of the second metal foil 10b by, for example, a known semi-additive method. For electroless plating and electrolytic plating used by the semi-additive method, for example, a highly conductive material such as electroless copper plating and electrolytic copper plating is preferably used.

次に、図４（ｇ）に示すように、積層用土台１１の両主面に露出する第２の金属箔１０ｂおよび配線導体層２の表面に、絶縁層１と配線導体層２とを複数相互に積層するとともに、最表層の絶縁層１および配線導体層２の上にソルダーレジスト層３を被着させることで配線基板用のビルドアップ部１２が形成される。 Next, as shown in FIG. 4G, a plurality of insulating layers 1 and wiring conductor layers 2 are formed on the surfaces of the second metal foil 10b and the wiring conductor layer 2 exposed on both main surfaces of the base 11 for lamination. While being laminated together, the solder resist layer 3 is deposited on the outermost insulating layer 1 and the wiring conductor layer 2 to form the build-up portion 12 for the wiring board.

絶縁層１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。絶縁層１の形成は、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂組成物の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散して形成されたフィルムを、積層用土台１１の両主面の第２の金属箔１０ｂや下層の絶縁層１上に、真空状態で被覆した状態で熱圧着することで行われる。また、絶縁層１には層間の導通をとるためのビア導体５が充填されるビアホール４が、例えばレーザー加工により複数形成されている。 The insulating layer 1 is made of a thermosetting resin such as an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin. The insulating layer 1 is formed by using a film formed by dispersing an inorganic insulating filler in an uncured product of an epoxy resin or a bismaleimide triazine resin composition, and forming a second metal foil 10b on both main surfaces of the base 11 for lamination. Alternatively, it is performed by thermocompression bonding on the lower insulating layer 1 while being covered in a vacuum state. The insulating layer 1 is formed with a plurality of via holes 4 filled with via conductors 5 for electrical connection between layers, for example, by laser processing.

配線導体層２は、絶縁層１の表面およびビアホール４の内面に、無電解めっきおよび電解めっきから成る導体パターンを、例えば周知のセミアディティブ法により被着させることにより形成される。 The wiring conductor layer 2 is formed by depositing a conductive pattern made of electroless plating and electrolytic plating on the surface of the insulating layer 1 and the inner surface of the via hole 4 by, for example, a well-known semi-additive method.

ソルダーレジスト層３は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカ等の無機フィラーを分散させたペーストを、最表層の絶縁層１および配線導体層２の上にスクリーン印刷等で塗布した後、フォトリソグラフィー技術により所定のパターンに露光、現像したものを熱硬化することで形成される。ソルダーレジスト層３から露出する最表層の配線導体層２の一部は、半導体素子接続パッド６として機能する。 The solder resist layer 3 is formed by, for example, applying a paste in which an inorganic filler such as silica is dispersed in an acrylic-modified epoxy resin on the outermost insulating layer 1 and the wiring conductor layer 2 by screen printing or the like, and then using a photolithography technique. It is formed by thermally curing a predetermined pattern exposed and developed. A part of the outermost wiring conductor layer 2 exposed from the solder resist layer 3 functions as a semiconductor element connection pad 6.

次に、図４（ｈ）に示すように、積層用土台１１およびビルドアップ部１２を製品形成用領域Ｘと捨て代領域Ｙとの境界上で切断することで、製品形成用領域Ｘの積層用土台１１およびビルドアップ部１２を切り出す。切断には、例えばダイシング装置を用いればよい。 Next, as shown in FIG. 4H, the stacking of the product forming region X is performed by cutting the stacking base 11 and the buildup portion 12 on the boundary between the product forming region X and the disposal margin region Y. The base 11 and the buildup part 12 are cut out. For the cutting, for example, a dicing apparatus may be used.

次に、図４（ｉ）に示すように、切り出されたビルドアップ部１２が形成された積層用土台１１を分離フィルム９の間から分離する。この分離の際には、分離フィルム９同士が熱間プレスにより密着しているだけなので、容易に分離することができる。 Next, as shown in FIG. 4 (i), the base 11 for lamination on which the cut-up buildup part 12 is formed is separated from between the separation films 9. In this separation, since the separation films 9 are in close contact with each other by hot pressing, they can be easily separated.

次に、図５（ｊ）に示すように、ビルドアップ部１２を第１の金属箔１０ａから分離する。これにより、ビルドアップ部１２の下面に第２の金属箔１０ｂが固着した配線基板用の積層体１３が形成される。この分離の際には、第１の金属箔１０ａ上に第２の金属箔１０ｂが接着層を介して分離可能に小さな密着力で保持されているだけなので、第１の金属箔１０ａと第２の金属箔１０ｂとの間を引き剥がすだけで積層体１３を破損することなく、容易に分離することができる。 Next, as shown in FIG. 5J, the build-up part 12 is separated from the first metal foil 10a. Thereby, the laminated body 13 for wiring boards in which the second metal foil 10b is fixed to the lower surface of the buildup portion 12 is formed. In this separation, the second metal foil 10b is held on the first metal foil 10a with a small adhesion force so as to be separable via the adhesive layer. It is possible to easily separate the laminated body 13 without damaging it by simply peeling it off from the metal foil 10b.

最後に、図５（ｋ）に示すように、第２の金属箔１０ｂを全てエッチング除去した後、最下層の絶縁層１および配線導体層２の上に開口部３ｂを有するソルダーレジスト層３を形成することで図１に示すような配線基板Ａが形成される。 Finally, as shown in FIG. 5 (k), after all the second metal foil 10b is removed by etching, a solder resist layer 3 having an opening 3b on the lowermost insulating layer 1 and wiring conductor layer 2 is formed. As a result, a wiring board A as shown in FIG. 1 is formed.

上述したように、本発明の配線基板の製造方法によれば、積層用土台を形成する工程において、分離可能金属箔１０の第２の金属箔１０ｂ側にプリプレグ８Ｐの主面より大きな第３の金属箔Ｓをその外周部が第２の金属箔１０ｂからはみ出すように分離可能に密着させるとともに、第３の金属箔Ｓのはみ出す部分によりプリプレグ８Ｐの主面の外周部を被覆した状態で熱間プレスを行う。
このため、未硬化のプリプレグ８Ｐと熱間プレス用のプレス板とが直接に接触することを防いで支持基板８とプレス板との接着を防止できる。これにより、支持基板８とプレス板とを容易に分離して効率よく配線基板を形成できる製造方法を提供することができる。 As described above, according to the method for manufacturing the wiring board of the present invention, in the step of forming the base for lamination, the third metal foil 10 on the second metal foil 10b side of the separable metal foil 10 is larger than the main surface of the prepreg 8P. While the metal foil S is separably attached so that the outer peripheral portion protrudes from the second metal foil 10b, the outer periphery of the main surface of the prepreg 8P is covered with the protruding portion of the third metal foil S in a hot state. Press.
For this reason, it is possible to prevent the uncured prepreg 8P and the hot press press plate from coming into direct contact with each other, thereby preventing the support substrate 8 and the press plate from adhering to each other. Thereby, the manufacturing method which can isolate | separate the support substrate 8 and a press board easily and can form a wiring board efficiently can be provided.

１絶縁層
２配線導体層
８支持基板
８Ｐプリプレグ
１０分離可能金属箔
１０ａ第１の金属箔
１０ｂ第２の金属箔
１１積層用土台
１２ビルドアップ部
Ａ配線基板
Ｓ第３の金属箔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulation layer 2 Wiring conductor layer 8 Support substrate 8P Prepreg 10 Separable metal foil 10a 1st metal foil 10b 2nd metal foil 11 Base for lamination | stacking 12 Buildup part A Wiring board S 3rd metal foil

Claims

未硬化のプリプレグの主面の中央部に、該主面よりも小さな第１および第２の金属箔同士が互いに分離可能に密着されて成る分離可能金属箔を、前記第２の金属箔側が表側となるように熱間プレスで埋入させるとともに前記プリプレグを熱硬化させることで該プリプレグが硬化して成る支持基板の主面に前記分離可能金属箔が埋入された状態で固着された積層用土台を形成する工程と、
前記積層用土台の前記第２の金属箔上およびその周囲の支持基板上を含む領域に絶縁層と配線導体層とを交互に複数積層して前記絶縁層と前記配線導体層とから成るビルドアップ部を形成する工程と、を行う配線基板の製造方法であって、
前記積層用土台を形成する工程において、前記分離可能金属箔の前記第２の金属箔側に前記プリプレグの主面より大きな第３の金属箔をその外周部が前記第２の金属箔からはみ出すように分離可能に密着させるとともに、前記はみ出す部分により前記プリプレグの主面の外周部を被覆した状態で前記熱間プレスを行い、該熱間プレス後に前記第３の金属箔を前記積層用土台から除去する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 A separable metal foil in which a first metal foil and a second metal foil smaller than the main surface are in close contact with each other at the center of the main surface of the uncured prepreg, and the second metal foil side is the front side For laminating in which the separable metal foil is embedded in the main surface of the support substrate, which is embedded in a hot press so that the prepreg is cured and the prepreg is cured by thermosetting. Forming the foundation;
Build-up comprising the insulating layer and the wiring conductor layer by alternately laminating a plurality of insulating layers and wiring conductor layers in a region including the second metal foil and the surrounding support substrate of the stacking base. Forming a part, and a method of manufacturing a wiring board,
In the step of forming the base for lamination, the outer peripheral portion of the third metal foil larger than the main surface of the prepreg protrudes from the second metal foil on the second metal foil side of the separable metal foil. The hot pressing is performed with the protruding portion covering the outer peripheral portion of the main surface of the prepreg, and after the hot pressing, the third metal foil is removed from the stacking base. The manufacturing method of the wiring board characterized by including the process to do.