JP2016051826A - Manufacturing method of wiring board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体集積回路素子などの半導体素子を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。 The present invention relates to a method of manufacturing a wiring board used for mounting a semiconductor element such as a semiconductor integrated circuit element.
近年、携帯型のゲーム機や通信機器に代表される電子機器の高機能化、薄型化が進む中、それらに使用される配線基板として、コアレス基板と呼ばれる薄型で高密度な配線基板がある。 In recent years, as electronic devices typified by portable game machines and communication devices are becoming highly functional and thin, there is a thin and high-density wiring substrate called a coreless substrate as a wiring substrate used for them.
このようなコアレス基板と呼ばれる従来の配線基板の一例を、図6に示す。
従来の配線基板Bは、例えば4層の絶縁層21が積層されるとともに各絶縁層21の間、および最表層の絶縁層21の表面に配線導体層22が形成されている。さらに最表層の絶縁層21および配線導体層22の表面にはソルダーレジスト層23が形成されている。
An example of such a conventional wiring board called a coreless board is shown in FIG.
In the conventional wiring board B, for example, four
それぞれの絶縁層21には、ビアホール24が複数形成されている。ビアホール24の内部には、配線導体層22と一体的に形成されたビア導体25が被着されている。ビア導体25は、各絶縁層21に形成された配線導体層22間の導通をとっている。最上層の配線導体層22の一部は、半導体素子接続パッド26を形成している。半導体素子接続パッド26には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が接続される。最下層に形成された配線導体層22の一部は、回路基板接続パッド27を形成している。回路基板接続パッド27には、この配線基板Bが搭載される回路基板の電極が接続される。これらの半導体素子接続パッド26および回路基板接続パッド27は、ソルダーレジスト層23に設けられた開口部23a、23b内に露出している。
そして、半導体素子と回路基板との間で配線導体層22を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子が作動する。
A plurality of
The semiconductor element operates by transmitting an electrical signal between the semiconductor element and the circuit board via the
次に、従来の配線基板Bの製造方法における工程毎の実施形態の一例を図7〜図10を基にして説明する。なお、図6と同一の個所には同一の符号を付して説明する。 Next, an example of an embodiment for each process in the manufacturing method of the conventional wiring board B will be described with reference to FIGS. In the following description, the same parts as those in FIG.
まず、図7(a)に示すように、2枚の未硬化のプリプレグ28Pと、2枚の分離フィルム29と、2枚の分離可能金属箔30とを準備する。
プリプレグ28Pの一方の主面は製品形成用主面Fとなり、他方の主面は分離用主面Gとなる。また、それぞれのプリプレグ28Pは、中央部に製品形成用領域Xと、外周部に捨て代領域Yとを有している。
分離可能金属箔30は、第1の金属箔30aと第2の金属箔30bとが間に接着層(不図示)を介して互いに分離可能に小さな密着力で保持されたものである。第1の金属箔30aは、製品形成用領域Xよりも大きい。第2の金属箔30bは、第1の金属箔30aよりも大きい。そして両者は、第2の金属箔30bの外周部が第1の金属箔30aの外周からはみ出すように密着されている。
First, as shown in FIG. 7A, two
One main surface of the
The
次に、図7(b)に示すように、2枚のプリプレグ28Pの間に2枚の分離フィルム29を重ねて挟持するとともに、それぞれのプリプレグ28Pの製品形成用主面F上の中央部に分離可能金属箔30を第1の金属箔30aを製品形成用主面F側にして配置する。
Next, as shown in FIG. 7 (b), the two
次に、図7(c)に示すように、図7(b)の状態に積層したものを平坦なプレス板により上下から加圧しながら加熱する熱間プレスを行う。 Next, as shown in FIG.7 (c), the hot press which heats what was laminated | stacked in the state of FIG.7 (b), pressurizing from the upper and lower sides with a flat press board is performed.
このような熱間プレスにより、図8(d)に示すように、プリプレグ28Pが硬化された2枚の支持基板28が、間に2枚の分離フィルム29を挟持して互いに接合されるとともに、それぞれの支持基板28の製品形成用主面Fに分離可能金属箔30が固着された基板の積層用土台31が形成される。
By such hot pressing, as shown in FIG. 8 (d), the two
次に、図8(e)に示すように、積層用土台31両主面の第2の金属箔30b表面に配線導体層22を形成する。配線導体層22は、例えば周知のセミアディティブ法により形成される。
Next, as illustrated in FIG. 8E, the
次に、図8(f)に示すように、配線導体層22が形成された積層用土台31の両主面に絶縁層21と配線導体層22とを複数相互に積層するとともに、最表層の絶縁層21および配線導体層22の上にソルダーレジスト層23を被着させることで配線基板用のビルドアップ部32が形成される
Next, as shown in FIG. 8F, a plurality of
次に、図9(g)に示すように、積層用土台31およびビルドアップ部32を製品形成用領域Xと捨て代領域Yとの境界上で切断することで、製品形成用領域Xの積層用土台31およびビルドアップ部32を切り出す。
Next, as shown in FIG. 9G, the stacking of the product forming region X is performed by cutting the
次に、図9(h)に示すように、切り出されたビルドアップ部32が形成された積層用土台31を分離フィルム29の間から分離する。
Next, as shown in FIG. 9 (h), the
次に、図10(i)に示すように、ビルドアップ部32を第1の金属箔30aから分離する。これにより、ビルドアップ部32の片面に第2の金属箔30bが固着した配線基板用の積層体33が形成される。
Next, as shown in FIG. 10I, the build-
最後に、図10(j)に示すように、第2の金属箔30bを全てエッチング除去した後、最下層の絶縁層21および配線導体層22の表面に、開口部23bを有するソルダーレジスト層23を形成することで図6に示すような従来の配線基板Bが形成される。
Finally, as shown in FIG. 10 (j), after all the
しかし、従来の方法においては上述の熱間プレスにおいて、第2の金属箔30bの外周部に露出するプリプレグ28Pと熱間プレス用のプレス板とが接着してしまい、プリプレグ28Pが硬化して成る支持基板28とプレス板とを容易に分離することができず支持基板28が破損する場合がある。このため、配線基板を効率よく製造することができないという問題を有していた。
However, in the conventional method, in the above-described hot pressing, the
本発明は、未硬化のプリプレグとプレス板とが直接に接触することを防止して支持基板とプレス板との接着を防止する。これにより、支持基板とプレス板とを容易に分離して効率よく配線基板を形成できる製造方法を提供することを課題とする。 The present invention prevents the uncured prepreg and the press plate from coming into direct contact with each other, thereby preventing adhesion between the support substrate and the press plate. Accordingly, an object of the present invention is to provide a manufacturing method capable of easily separating a support substrate and a press plate and efficiently forming a wiring substrate.
本発明における配線基板の製造方法は、未硬化のプリプレグの主面の中央部に、主面よりも小さな第1および第2の金属箔同士が互いに分離可能に密着されて成る分離可能金属箔を、第2の金属箔側が表側となるように熱間プレスで埋入させるとともにプリプレグを熱硬化させることでプリプレグが硬化して成る支持基板の主面に分離可能金属箔が埋入された状態で固着された積層用土台を形成する工程と、積層用土台の第2の金属箔上およびその周囲の支持基板上を含む領域に絶縁層と配線導体層とを交互に複数積層して絶縁層と配線導体層とから成るビルドアップ部を形成する工程とを行う配線基板の製造方法であって、積層用土台を形成する工程において、分離可能金属箔の第2の金属箔側にプリプレグの主面より大きな第3の金属箔をその外周部が第2の金属箔からはみ出すように分離可能に密着させるとともに、第3の金属箔のはみ出す部分によりプリプレグの主面の外周部を被覆した状態で熱間プレスを行い、熱間プレス後に第3の金属箔を積層用土台から除去する工程を含むことを特徴とするものである。 The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a separable metal foil in which first and second metal foils smaller than the main surface are in close contact with each other at the center of the main surface of the uncured prepreg. In a state where the separable metal foil is embedded in the main surface of the support substrate which is embedded by hot pressing so that the second metal foil side is the front side and the prepreg is cured by thermosetting the prepreg. A step of forming a fixed base for stacking, and a plurality of insulating layers and wiring conductor layers alternately stacked in a region including the second metal foil of the base for stacking and the surrounding support substrate; A method of manufacturing a wiring board that includes a step of forming a buildup portion comprising a wiring conductor layer, wherein the main surface of the prepreg is disposed on the second metal foil side of the separable metal foil in the step of forming a base for lamination. Larger third metal foil The outer peripheral part is detachably adhered so as to protrude from the second metal foil, and hot pressing is performed with the outer peripheral part of the main surface of the prepreg covered with the protruding part of the third metal foil. It includes a step of removing the third metal foil from the base for lamination later.
本発明の配線基板の製造方法によれば、積層用土台を形成する工程において、分離可能金属箔の第2の金属箔側にプリプレグの主面より大きな第3の金属箔をその外周部が第2の金属箔からはみ出すように分離可能に密着させるとともに、第3の金属箔のはみ出す部分によりプリプレグの主面の外周部を被覆した状態で熱間プレスを行う。
このため、未硬化のプリプレグと熱間プレス用のプレス板とが直接に接触することを防いで支持基板とプレス板との接着を防止できる。これにより、支持基板とプレス板とを容易に分離して効率よく配線基板を形成できる製造方法を提供することができる。
According to the method for manufacturing a wiring board of the present invention, in the step of forming the base for lamination, the third metal foil larger than the main surface of the prepreg is disposed on the second metal foil side of the separable metal foil. While being detachably adhered so as to protrude from the second metal foil, hot pressing is performed in a state where the outer peripheral portion of the main surface of the prepreg is covered with the protruding portion of the third metal foil.
For this reason, it can prevent that a non-hardened prepreg and the press board for hot press contact directly, and can prevent adhesion | attachment with a support substrate and a press board. Thereby, the manufacturing method which can isolate | separate a support substrate and a press board easily and can form a wiring board efficiently can be provided.
まず、本発明の配線基板の製造方法により製造される配線基板の一例を、図1を基にして説明する。 First, an example of a wiring board manufactured by the method for manufacturing a wiring board of the present invention will be described with reference to FIG.
図1に示すように、本発明の製造方法により製造される配線基板Aは、例えば4層の絶縁層1が積層されるとともに各絶縁層1の間および最表層の絶縁層1の上下面に配線導体層2が形成されている。さらに最表層の絶縁層1および配線導体層2の表面にはソルダーレジスト層3が形成されている。
As shown in FIG. 1, the wiring board A manufactured by the manufacturing method of the present invention has, for example, four insulating
それぞれの絶縁層1には、ビアホール4が複数形成されている。ビアホール4の内部には、配線導体層2と一体的に形成されたビア導体5が被着されている。ビア導体5は、各絶縁層1に形成された配線導体層2間の導通をとっている。最上層の配線導体層2の一部は、半導体素子接続パッド6を形成している。半導体素子接続パッド6には、半導体集積回路素子等の半導体素子の電極が接続される。最下層に形成された配線導体層2の一部は、回路基板接続パッド7を形成している。回路基板接続パッド7には、この配線基板Aが搭載される回路基板の電極が接続される。これらの半導体素子接続パッド6および回路基板接続パッド7は、ソルダーレジスト層3に設けられた開口部3a、3b内にそれぞれ露出している。
そして、半導体素子と回路基板との間で配線導体層2を介して電気信号の伝送をすることで半導体素子が作動する。
A plurality of via holes 4 are formed in each insulating
The semiconductor element operates by transmitting an electrical signal between the semiconductor element and the circuit board via the
次に、本発明の配線基板の製造方法における実施形態の一例を、図2〜図5を基にして説明する。なお、図1と同一の個所は同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 Next, an example of an embodiment of the method for manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS. The same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
まず、図2(a)に示すように、2枚の未硬化のプリプレグ8Pと、2枚の分離フィルム9と、2枚の分離可能金属箔10と、2枚の第3の金属箔Sとを準備する。
First, as shown in FIG. 2 (a), two
プリプレグ8Pは、配線基板Aを製造する際に、製造途中の配線基板Aを必要な平坦度を維持して支持するための支持基板8を形成するためのものである。プリプレグ8Pの一方の主面は製品形成用主面Fとなり、他方の主面は分離用主面Gとなる。また、それぞれのプリプレグ8Pは、中央部に製品形成用領域Xと、外周部に捨て代領域Yとを有している。製品形成用領域Xは四角形状の領域であり、この製品形成用領域X上に配線基板Aが形成される。なお本例では、簡便のため、一つの配線基板Aに対応する製品形成用領域Xのみを示しているが、実際には数十〜数千の配線基板Aに対応する面積を有している。捨て代領域Yは、製品形成用領域Xを取り囲む四角枠状の領域である。
プリプレグ8Pは、厚みが0.1〜0.2mm程度であり、縦横の寸法が400〜1000mm程度の略四角形である。プリプレグ8Pには、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態とした板状のものが用いられる。
The
The
分離フィルム9は、2枚のプリプレグ8P間に介挿されてプリプレグ8Pを硬化させた2枚の支持基板8同士を容易に分離させるためのものである。分離フィルム9は、厚みが1〜35μm程度であり、縦横の寸法が400〜1000mm程度である。分離フィルム9の縦横の寸法は、捨て代領域Yにはみ出す大きさである。なお、分離フィルム9が捨て代領域Yにはみ出す部分には、直径が0.1〜1mm程度の多数の開口部Hが形成されていることが好ましい。
分離フィルム9は、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。
The
The
分離可能金属箔10は、第1の金属箔10aと第2の金属箔10bとが、間に接着層(不図示)を介して互いに分離可能に小さな密着力で保持されたものである。
第1の金属箔10aは、厚みが10〜30μm程度であり、製品形成用領域Xよりも大きい寸法をしている。第2の金属箔10bは、厚みが1〜7μm程度であり、第1の金属箔10aと略同じ寸法をしている。
接着層は配線基板Aの形成中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコン樹脂系、アクリル樹脂系等の耐熱性粘着材、あるいはニッケル系の金属層から成るのが好ましい。このような接着層は、後述するビルドアップ部12を支持基板8から分離する際に第1の金属箔10aと第2の金属箔10bとを分離するときに、相互に剥がれ残りなく分離する上で粘着力が1〜10N/m程度の小さな密着力であるのが好ましい。
The
The
In order to withstand the heat load applied during the formation of the wiring board A, the adhesive layer is preferably made of, for example, a heat-resistant adhesive such as silicon resin or acrylic resin, or a nickel metal layer. Such an adhesive layer separates the
第3の金属箔Sは、第2の金属箔10b側に配置されている。第3の金属箔Sは、厚みが10〜30μm程度であり、捨て代領域Yから20〜30mm程度はみ出す寸法をしている。第3の金属箔Sの製品形成用領域X側の面は、表面粗さが十点平均粗さRzにおいて0.5μm以下の平滑面であることが好ましい。
これらの金属箔は、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。
The third metal foil S is disposed on the
These metal foils are preferably made of a highly conductive metal such as copper.
次に、図2(b)に示すように、2枚の未硬化のプリプレグ8Pの間に2枚の分離フィルム9を重ねて挟持するとともに、それぞれのプリプレグ8Pの製品形成用主面F上の中央部に、第3の金属箔Sが配置された分離可能金属箔10を第1の金属箔10aが製品形成用主面F側になるように配置する。
このとき、プリプレグ8Pの製品形成用主面F側表面を、分離可能金属箔10および第3の金属箔Sにより完全に被覆するように配置することが重要である。
Next, as shown in FIG. 2 (b), two
At this time, it is important to arrange the
次に、図2(c)に示すように、図2(b)の状態に積層したものを平坦なプレス板により上下から加圧しながら加熱する熱間プレスを行う。 Next, as shown in FIG.2 (c), the hot press which heats what laminated | stacked in the state of FIG.2 (b) while pressing from the upper and lower sides with a flat press board is performed.
このような熱間プレスにより、図3(d)に示すように、プリプレグ8Pが硬化された2枚の支持基板8が、間に2枚の分離フィルム9を挟持して互いに接合される。
この熱間プレスにより、第1および第2の金属箔10a、10bは支持基板8に埋入される。このとき、第3の金属箔Sは第2の金属箔10bを含む支持基板8の主面を完全に被覆している。したがって、支持基板8とプレス板との接着を防止することができる。
なお、分離フィルム9には、捨て代領域Yにはみ出す部分に直径が0.1〜1mm程度の開口部Hが多数形成されていることから、これらの開口部Hを介して支持基板8同士が接合されることで2枚の支持基板8同士が固定される。また、製品形成用領域Xでは、分離フィルム9同士は、互いに接着せずに重なりあったままの状態である。
By such hot pressing, as shown in FIG. 3D, the two
By this hot pressing, the first and second metal foils 10 a and 10 b are embedded in the
In addition, since a large number of openings H having a diameter of about 0.1 to 1 mm are formed in the
次に、図3(e)に示すように、支持基板8上下の第3の金属箔Sを剥離除去することにより積層用土台11を形成する。なお、第3の金属箔Sと支持基板8とは、上述した第3の金属箔Sの平滑面と支持基板8とが密着しているだけなので、容易に剥離することができる。
Next, as shown in FIG. 3E, the
次に図3(f)に示すように、第2の金属箔10b表面に、配線導体層2を形成する。配線導体層2は、第2の金属箔10b表面に、無電解めっきおよび電解めっきから成る導体パターンを、例えば周知のセミアディティブ法により被着させることにより形成される。セミアディティブ法により用いられる無電解めっきおよび電解めっきには、例えば無電解銅めっきおよび電解銅めっき等の良導電性材料が好適に用いられる。
Next, as shown in FIG. 3F, the
次に、図4(g)に示すように、積層用土台11の両主面に露出する第2の金属箔10bおよび配線導体層2の表面に、絶縁層1と配線導体層2とを複数相互に積層するとともに、最表層の絶縁層1および配線導体層2の上にソルダーレジスト層3を被着させることで配線基板用のビルドアップ部12が形成される。
Next, as shown in FIG. 4G, a plurality of insulating
絶縁層1は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。絶縁層1の形成は、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂組成物の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散して形成されたフィルムを、積層用土台11の両主面の第2の金属箔10bや下層の絶縁層1上に、真空状態で被覆した状態で熱圧着することで行われる。また、絶縁層1には層間の導通をとるためのビア導体5が充填されるビアホール4が、例えばレーザー加工により複数形成されている。
The insulating
配線導体層2は、絶縁層1の表面およびビアホール4の内面に、無電解めっきおよび電解めっきから成る導体パターンを、例えば周知のセミアディティブ法により被着させることにより形成される。
The
ソルダーレジスト層3は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカ等の無機フィラーを分散させたペーストを、最表層の絶縁層1および配線導体層2の上にスクリーン印刷等で塗布した後、フォトリソグラフィー技術により所定のパターンに露光、現像したものを熱硬化することで形成される。ソルダーレジスト層3から露出する最表層の配線導体層2の一部は、半導体素子接続パッド6として機能する。
The solder resist
次に、図4(h)に示すように、積層用土台11およびビルドアップ部12を製品形成用領域Xと捨て代領域Yとの境界上で切断することで、製品形成用領域Xの積層用土台11およびビルドアップ部12を切り出す。切断には、例えばダイシング装置を用いればよい。
Next, as shown in FIG. 4H, the stacking of the product forming region X is performed by cutting the stacking
次に、図4(i)に示すように、切り出されたビルドアップ部12が形成された積層用土台11を分離フィルム9の間から分離する。この分離の際には、分離フィルム9同士が熱間プレスにより密着しているだけなので、容易に分離することができる。
Next, as shown in FIG. 4 (i), the
次に、図5(j)に示すように、ビルドアップ部12を第1の金属箔10aから分離する。これにより、ビルドアップ部12の下面に第2の金属箔10bが固着した配線基板用の積層体13が形成される。この分離の際には、第1の金属箔10a上に第2の金属箔10bが接着層を介して分離可能に小さな密着力で保持されているだけなので、第1の金属箔10aと第2の金属箔10bとの間を引き剥がすだけで積層体13を破損することなく、容易に分離することができる。
Next, as shown in FIG. 5J, the build-up
最後に、図5(k)に示すように、第2の金属箔10bを全てエッチング除去した後、最下層の絶縁層1および配線導体層2の上に開口部3bを有するソルダーレジスト層3を形成することで図1に示すような配線基板Aが形成される。
Finally, as shown in FIG. 5 (k), after all the
上述したように、本発明の配線基板の製造方法によれば、積層用土台を形成する工程において、分離可能金属箔10の第2の金属箔10b側にプリプレグ8Pの主面より大きな第3の金属箔Sをその外周部が第2の金属箔10bからはみ出すように分離可能に密着させるとともに、第3の金属箔Sのはみ出す部分によりプリプレグ8Pの主面の外周部を被覆した状態で熱間プレスを行う。
このため、未硬化のプリプレグ8Pと熱間プレス用のプレス板とが直接に接触することを防いで支持基板8とプレス板との接着を防止できる。これにより、支持基板8とプレス板とを容易に分離して効率よく配線基板を形成できる製造方法を提供することができる。
As described above, according to the method for manufacturing the wiring board of the present invention, in the step of forming the base for lamination, the
For this reason, it is possible to prevent the
1 絶縁層
2 配線導体層
8 支持基板
8P プリプレグ
10 分離可能金属箔
10a 第1の金属箔
10b 第2の金属箔
11 積層用土台
12 ビルドアップ部
A 配線基板
S 第3の金属箔
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記積層用土台の前記第2の金属箔上およびその周囲の支持基板上を含む領域に絶縁層と配線導体層とを交互に複数積層して前記絶縁層と前記配線導体層とから成るビルドアップ部を形成する工程と、を行う配線基板の製造方法であって、
前記積層用土台を形成する工程において、前記分離可能金属箔の前記第2の金属箔側に前記プリプレグの主面より大きな第3の金属箔をその外周部が前記第2の金属箔からはみ出すように分離可能に密着させるとともに、前記はみ出す部分により前記プリプレグの主面の外周部を被覆した状態で前記熱間プレスを行い、該熱間プレス後に前記第3の金属箔を前記積層用土台から除去する工程を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。 A separable metal foil in which a first metal foil and a second metal foil smaller than the main surface are in close contact with each other at the center of the main surface of the uncured prepreg, and the second metal foil side is the front side For laminating in which the separable metal foil is embedded in the main surface of the support substrate, which is embedded in a hot press so that the prepreg is cured and the prepreg is cured by thermosetting. Forming the foundation;
Build-up comprising the insulating layer and the wiring conductor layer by alternately laminating a plurality of insulating layers and wiring conductor layers in a region including the second metal foil and the surrounding support substrate of the stacking base. Forming a part, and a method of manufacturing a wiring board,
In the step of forming the base for lamination, the outer peripheral portion of the third metal foil larger than the main surface of the prepreg protrudes from the second metal foil on the second metal foil side of the separable metal foil. The hot pressing is performed with the protruding portion covering the outer peripheral portion of the main surface of the prepreg, and after the hot pressing, the third metal foil is removed from the stacking base. The manufacturing method of the wiring board characterized by including the process to do.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
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