JP2016044971A - Optical detection device, and manufacturing method for the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光検知装置及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a light detection device and a method for manufacturing the same.
従来技術による、同一の画素において相異なる2種の波長の赤外線をそれぞれ検知する2波長赤外線センサとしては、非特許文献1等で開示されているような1バンプ切り替え駆動方式のものがある。冷却型の2波長赤外線センサは、感光部を化合物半導体で駆動回路をSi−LSIで構築することが一般的である。この2波長赤外線センサは、液体窒素温度程度まで冷却して使用するため、その動作時には、材料ごとの熱膨張係数の違いを吸収すべく、材料同士をInバンプで接続している。
As a conventional two-wavelength infrared sensor for detecting infrared rays having two different wavelengths in the same pixel, there is a one-bump switching drive type as disclosed in
イメージセンサの高密度化を実現するうえでは、Inバンプの数を減らすことが有効である。非特許文献1では、1つの画素につき1つのInバンプで接続することができるため、高密度化に有利となる。
It is effective to reduce the number of In bumps in realizing a high density image sensor. In
図10は、上記した従来の2波長赤外線センサの基本構成を示す模式図である。ここでは、2画素分の光検知素子及びその駆動回路を示す。
この2波長赤外線センサは、画素100ごとに検知波長の相異なる2つの光検知素子である第1及び第2のQWIP101,102を備えている。各画素100には、第1のQWIP101に共通に接続された第1の共通配線103と、複数の画素100の第2のQWIP102に共通に接続された第2の共通配線104とが設けられている。第1及び第2のQWIP101,102間(電位VDET)には、入力トランジスタ105及び積分容量106を備えた駆動回路110が接続されている。
FIG. 10 is a schematic diagram showing a basic configuration of the above-described conventional two-wavelength infrared sensor. Here, a photodetecting element for two pixels and its driving circuit are shown.
The two-wavelength infrared sensor includes first and
図10において、第1のQWIP1を動作させるには、第1の共通配線103の電位VCOM1を接地電位(GND)に、第2の共通配線104の電位VCOM2を電位VDETと同一に設定する。
第1のQWIP101の信号の積分開始前に、不図示の回路を利用して積分容量106に正電荷を蓄積させる。その後入力トランジスタ105のゲート電極に電圧VTrを印加し、積分容量106から第1の共通配線103側にQWIP101を通して電流を流す。第1のQWIP101に入射する検知波長の光の光量に応じて第1のQWIP101の抵抗は変化するため、一定時間電流を流した後の積分容量106の電圧を不図示の回路により測定することで第1のQWIP101への入射光量を測定することができる。
In FIG. 10, to operate the first QWIP1, the potential V COM1 of the first
Before the integration of the signal of the
入力トランジスタ105は、図11に示すようなI−V特性を有している。そのため、積分容量106の電位や第1及び第2のQWIP101,102の抵抗変化に対して電位VDETは殆ど変化することがない。従って、VCOM2=VDETとすることでQWIP102には電流が流れず、選択的に第1のQWIP101を利用することができる。同様にして、VCOM1=VDETとすることで第1のQWIP101には電流が流れず、選択的に第2のQWIP102を利用することができる。
The
しかしながら、1バンプ切り替え駆動方式による2波長赤外線センサでは、以下のような諸問題がある。 However, the two-wavelength infrared sensor using the one-bump switching drive system has the following problems.
(1)第1の問題
図12に示すように、特定の画素(画素100Aとする。)に強い光が入射する場合がある。このとき、VCOM2=VDET及びVCOM1=GNDとすると、VDET1>VDET2となり、電流が第2の共通配線104(電位VCOM2)から第2のQWIP102を経由して第1のQWIP101に流れ込む。そのため、第1及び第2のQWIP101,102で混信が生じ、2種の検知波長の分離が困難となる。
(1) First Problem As shown in FIG. 12, strong light may enter a specific pixel (referred to as a
(2)第2の問題
図13に示すように、特定の画素(画素100Bとする。)が欠陥画素として第1及び第2のQWIP101,102が短絡状態となる場合がある。このとき、VCOM2=VDET及びVCOM1=GNDとすると、第1及び第2の共通配線103,104を大電流が流れる結果、配線抵抗に応じて、画素100Bの近傍の第1及び第2のQWIP101,102の両端の電圧がVCOM1,VCOM2からずれる。そのため、第1及び第2のQWIP101,102で混信が生じ、2種の検知波長の分離が困難となる。
(2) Second Problem As shown in FIG. 13, the first and
(3)第3の問題
図14に示すように、製造上のばらつきや結晶欠陥等に起因して、各画素100の特性にばらつきが生じることがある。このとき、VCOM2=VDET及びVCOM1=GNDとすると、VDET1<VDET2となる可能性がある。この場合、第1及び第2のQWIP101,102の双方に電流が流れ込み、第1及び第2のQWIP101,102で混信が生じ、2種の検知波長の分離が困難となる。
(3) Third Problem As shown in FIG. 14, the characteristics of each
上記の諸問題に対処すべく、特許文献1の技術が案出されている。この2波長赤外線センサでは、各画素の中間電極前後にダイオード構造が組み込まれている。しかしながら、この2波長赤外線センサでは、第1及び第2の問題は解決することができるが、第3の問題には対処することができない。
また、この2波長赤外線センサでは、予めVDETの電圧値を正確に把握して共通配線の電位を適切に制御する必要があり、煩雑さに耐えないという問題がある。
In order to deal with the above problems, the technique of
Further, this two-wavelength infrared sensor has a problem that it is difficult to endure complexity because it is necessary to accurately grasp the voltage value of V DET in advance and appropriately control the potential of the common wiring.
本発明は、上記の諸問題に鑑みてなされたものであり、各画素内の第1及び第2の光検知素子をそれぞれ電気的に完全に分離したうえで、その駆動時に第1及び第2の光検知素子の電位を精密に制御する必要のない簡易で確実な駆動を、製造が比較的容易な構造で実現することができる信頼性の高い光検知装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and the first and second photodetecting elements in each pixel are electrically completely separated from each other, and the first and second are driven at the time of driving. To provide a highly reliable photodetection device capable of realizing simple and reliable driving with a structure that is relatively easy to manufacture without requiring precise control of the potential of the photodetection element, and a method for manufacturing the same. Objective.
光検知装置の一態様は、検知波長の相異なる第1の光検知素子及び第2の光検知素子をそれぞれ備えた複数の画素と、前記第1の光検知素子と前記第2の光検知素子との間に接続された電流源と、前記複数の画素それぞれの前記第1の光検知素子に共通に接続された第1の共通配線と、前記複数の画素それぞれの前記第2の光検知素子に共通に接続された第2の共通配線と、前記複数の画素それぞれにおいて、前記第1の光検知素子と前記第1の共通配線との間に接続された第1のスイッチング素子と、前記複数の画素それぞれにおいて、前記第2の光検知素子と前記第2の共通配線との間に接続された第2のスイッチング素子とを含む。 One aspect of the light detection device includes a plurality of pixels each having a first light detection element and a second light detection element having different detection wavelengths, the first light detection element, and the second light detection element. A current source connected between each of the plurality of pixels, a first common wiring commonly connected to the first light detection element of each of the plurality of pixels, and a second light detection element of each of the plurality of pixels. A second common wiring connected in common to each other, a first switching element connected between the first photodetecting element and the first common wiring in each of the plurality of pixels, and the plurality of the plurality of pixels. Each of the pixels includes a second switching element connected between the second photodetecting element and the second common wiring.
光検知装置の製造方法の一態様は、検知波長の相異なる第1の光検知素子及び第2の光検知素子をそれぞれ備えた複数の画素を含む光検知装置の製造方法であって、基板上に、複数層からなる第1の化合物半導体層と、複数層からなる第2の化合物半導体層と、複数層からなる第3の化合物半導体層と、複数層からなる第4の化合物半導体層とを有する積層構造を形成する工程と、前記積層構造をパターニングして、前記第1の化合物半導体層から第1のスイッチング素子を、前記第2の化合物半導体層から前記第1の光検知素子を、前記第3の化合物半導体層から前記第2の光検知素子を、前記第4の化合物半導体層から第2のスイッチング素子をそれぞれ形成する工程と、前記第1の光検知素子と前記第1のスイッチング素子を介して接続される第1の共通配線と、前記第2の光検知素子と前記第2のスイッチング素子を介して接続される第2の共通配線とを形成する工程とを含む。 One aspect of a method for manufacturing a photodetecting device is a method for manufacturing a photodetecting device including a plurality of pixels each having a first photodetecting element and a second photodetecting element having different detection wavelengths. A first compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, a second compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, a third compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, and a fourth compound semiconductor layer composed of a plurality of layers. Patterning the multilayer structure, patterning the multilayer structure, the first switching element from the first compound semiconductor layer, the first photodetecting element from the second compound semiconductor layer, Forming the second photodetecting element from the third compound semiconductor layer and forming the second switching element from the fourth compound semiconductor layer, and the first photodetecting element and the first switching element. Contact Is the comprising a first common wire, and forming a second common wiring connected through said second optical sensing element and said second switching element.
上記の諸態様によれば、各画素内の第1及び第2の光検知素子をそれぞれ電気的に完全に分離したうえで、その駆動時に第1及び第2の光検知素子の電位を精密に制御する必要のない簡易で確実な駆動を、製造が比較的容易な構造で得ることができる信頼性の高い光検知装置が実現する。 According to the above aspects, the first and second photodetecting elements in each pixel are electrically completely separated from each other, and the potentials of the first and second photodetecting elements are precisely set during driving. A highly reliable photodetection device capable of obtaining a simple and reliable drive that does not need to be controlled with a structure that is relatively easy to manufacture is realized.
以下、光検知装置である2波長赤外線センサ及びその製造方法の具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, specific embodiments of a two-wavelength infrared sensor that is a light detection device and a manufacturing method thereof will be described in detail with reference to the drawings.
(2波長赤外線センサの構成)
図1は、本実施形態による2波長赤外線センサの概略構成を示す模式図である。ここでは、2画素分の光検知素子及びその駆動回路を示す。
この2波長赤外線センサは、画素10ごとに検知波長の相異なる2つの光検知素子である第1及び第2のQWIP1,2を備えている。本実施形態では例えば、第1のQWIP1の検知波長が5μm、第2のQWIP2の検知波長が8.7μmとされる。
(Configuration of two-wavelength infrared sensor)
FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of the two-wavelength infrared sensor according to the present embodiment. Here, a photodetecting element for two pixels and its driving circuit are shown.
This two-wavelength infrared sensor includes first and second QWIPs 1 and 2 which are two light detection elements having different detection wavelengths for each
各画素10には、第1のQWIP1に共通に接続された第1の共通配線3と、複数の画素10の第2のQWIP2に共通に接続された第2の共通配線4と、第1及び第2のQWIP1,2に共通に接続されてGNDとされた第3の共通配線5とが設けられている。第1及び第2のQWIP1,2間(電位VDET)には、入力トランジスタ6及び積分容量7を備えた駆動回路11が接続されている。積分容量7には、積分容量7に電荷を蓄積する正電源(図示されない)が、トランジスタ(不図示)を介して接続されている。
Each
本実施形態では、各画素10において、第1のQWIP1と第1の共通配線3との間に、第1のスイッチング素子8として例えばnpn型のバイポーラトランジスタが挿入されている。第1のスイッチング素子8は、そのコレクタ端子が第1のQWIP1に、ベース端子が第1の共通配線3に、エミッタ端子が第3の共通配線5にそれぞれ接続されている。
同様に、第2のQWIP2と第2の共通配線4との間に、第2のスイッチング素子9として例えばnpn型のバイポーラトランジスタが挿入されている。第2のスイッチング素子9は、そのコレクタ端子が第2のQWIP2に、ベース端子が第2の共通配線4に、エミッタ端子が第3の共通配線5にそれぞれ接続されている。
In the present embodiment, for example, an npn-type bipolar transistor is inserted as the
Similarly, for example, an npn-type bipolar transistor is inserted as the
この2波長赤外線センサの動作について説明する。
第1のQWIP1を駆動するには、以下のようにする。第1のQWIP1側の第1のスイッチング素子8のベース端子に接続されている第1の共通配線3を正電位に、第2のQWIP2側の第2のスイッチング素子9のベース端子に接続されている第2の共通配線4をGNDに設定する。この場合、各画素10において、第1のQWIP1側の第1のスイッチング素子8はオンに、第2のQWIP2側の第2のスイッチング素子9はオフになる。その結果、積分容量7に予め正電源により蓄積された正電荷は入力トランジスタ6を通して第1のQWIP1を通ってGNDに設定された第3の共通配線5に流れる。その際、第2のQWIP2の第2のスイッチング素子9はベース端子とエミッタ端子との間の電位差がなく電流が流れないため、第2のQWIP2を通して第3の共通配線5へ電流が流れることはない。
The operation of this two-wavelength infrared sensor will be described.
The first QWIP1 is driven as follows. The first
同様に、第2のQWIP2を駆動するには、以下のようにする。第2のQWIP2側の第2のスイッチング素子9のベース端子に接続されている第2の共通配線4を正電位に、第1のQWIP1側の第1のスイッチング素子8のベース端子に接続されている第1の共通配線3をGNDに設定する。この場合、各画素10において、第2のQWIP2側の第2のスイッチング素子9はオンに、第1のQWIP1側の第1のスイッチング素子8はオフになる。その結果、積分容量7に蓄積された正電荷は入力トランジスタ6を通して第2のQWIP2を通ってGNDに設定された第3の共通配線5に流れる。その際、第1のQWIP1の第1のスイッチング素子8はベース端子とエミッタ端子との間の電位差がなく電流が流れないため、第1のQWIP1を通して第3の共通配線5へ電流が流れることはない。
Similarly, the second QWIP2 is driven as follows. The second
以上のように、検知波長の相異なる第1のQWIP1と第2のQWIP2とを切り替えて使用することができる。この構成では、各画素10で第1及び第2のQWIP1,2が第1及び第2のスイッチング素子8,9により分離して駆動される。従来技術では、特定の画素10に強い光が入射した場合、特定の画素10が欠陥画素として第1及び第2のQWIP1,2が短絡状態となった場合には第1及び第2のQWIPの混信を抑止できる。ところが、製造上のばらつきや結晶欠陥等に起因して、各画素10の特性にばらつきが生じた場合で混信が生じる。本実施形態では、これら3つの場合の全てについて、第1及び第2のQWIP1,2に同時に電流が流れて混信が生じる問題は抑止される。また、本実施形態では、電圧VDETの電圧値を予め予想して第1及び第2の共通配線3,4の電位を設定する必要もなく、高い動作確実性が実現する。
なお、上記実施形態による2波長赤外線センサにおいては、スイッチング素子8,9としてnpn型のバイポーラトランジスタが用いられているが、例えば、代わりに、pnp型のバイポーラトランジスタや、FET(Field Effect Transistor)が用いられても良い。
As described above, the first QWIP1 and the second QWIP2 having different detection wavelengths can be switched and used. In this configuration, the first and second QWIPs 1 and 2 are separately driven by the first and
In the two-wavelength infrared sensor according to the above-described embodiment, npn bipolar transistors are used as the
(2波長赤外線センサの製造方法)
以下、本実施形態による2波長赤外線センサの製造方法について説明する。
(Manufacturing method of two-wavelength infrared sensor)
Hereinafter, the manufacturing method of the two-wavelength infrared sensor according to the present embodiment will be described.
本実施形態による2波長赤外線センサを平面視した様子を図2に示す。2波長赤外線センサでは、複数の画素10がマトリクス状に配設された画素部分21と、第1及び第2の共通配線3,4が接続される共通配線接続部分22とが形成される。図2における小矩形内の番号は、図4における層番号の化合物半導体層へのコンタクト形成部分を表している。
以下、図2の線分I−I'に沿った断面について、図3,図5〜図9を用いて順次製造工程を説明する。
FIG. 2 shows a plan view of the two-wavelength infrared sensor according to the present embodiment. In the two-wavelength infrared sensor, a pixel portion 21 in which a plurality of
In the following, the manufacturing process of the cross section taken along the line II ′ in FIG. 2 will be sequentially described with reference to FIGS.
先ず、図3に示すように、例えば半絶縁性のGaAs基板31上に各化合物半導体層を積層して化合物半導体積層構造30を形成する。
化合物半導体積層構造30は、厚みが650μm程度のGaAs基板31上に、例えば分子線エピタキシー(MBE:Molecular Beam Epitaxy)法により、以下の各化合物半導体を順次成長することで形成される。MBE法の代わりに、有機金属気相成長(MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)法等を用いても良い。
First, as shown in FIG. 3, for example, a compound
The compound
GaAs基板31及び化合物半導体積層構造30を構成する各化合物半導体の詳細構成を図4に示す。各化合物半導体について、層番順に説明する。
InGaP1(図4でInGaP層41)は、100μm程度の厚みに形成され、後述するエッチングストッパーとして用いられる。不純物のドープはない。
GaAs2(図4でn−GaAs層42)は、1.5μm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが5×1018/cm3〜1×1019/cm3程度の濃度にドープされる。GaAs2は、第1のスイッチング素子の電極(及び第3の共通配線)として用いられる。
A detailed configuration of each compound semiconductor constituting the
InGaP1 (
GaAs 2 (n-
GaAs3(図4でn−GaAs層43)は、10nm〜100nm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが1×1017/cm3〜1×1018/cm3程度の濃度にドープされる。
GaAs4(図4でp−GaAs層44)は、100nm〜200nm程度の厚みに形成され、p型不純物としてBeが1×1018/cm3〜5×1018/cm3程度の濃度にドープされる。
GaAs5(図4でn−GaAs層45)は、0.5μm〜1μm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが1×1016/cm3〜5×1016/cm3程度の濃度にドープされる。
GaAs6は、500nm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが1×1018/cm3〜1×1019/cm3程度の濃度にドープされる。
GaAs3〜6は、第1のスイッチング素子のnpn型バイポーラトランジスタとして用いられる。GaAs3(n−GaAs層43)がエミッタ層、GaAs4(p−GaAs層44)がベース層、GaAs5(n−GaAs層45)がコレクタ層となる。
GaAs 3 (n-
GaAs 4 (p-
GaAs 5 (n-
AlGaAs7は、50nm程度の厚みに形成され、Alの組成率は26%程度である。不純物のドープはない。
GaAs8は、厚みが5nm程度のGaAs層が例えば60層繰り返し積層されてなり、n型不純物としてSiが4×1017/cm3程度の濃度にドープされる。
AlGaAs9は、50nm程度の厚みに形成され、Alの組成率は26%程度である。不純物のドープはない。
AlGaAs7、GaAs8、及びAlGaAs9は、第1のQWIPとして用いられる。図4では、GaAs6、AlGaAs7、GaAs8、及びAlGaAs9を合わせて第1の積層体46として示す。
AlGaAs 7 is formed to a thickness of about 50 nm, and the Al composition ratio is about 26%. There is no impurity doping.
The
AlGaAs 9 is formed to a thickness of about 50 nm, and the Al composition ratio is about 26%. There is no impurity doping.
AlGaAs7, GaAs8, and AlGaAs9 are used as the first QWIP. In FIG. 4,
GaAs10(図4でn−GaAs層47)は、1μm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが1×1018/cm3〜1×1019/cm3程度の濃度にドープされる。GaAs10は、第1のスイッチング素子と第2のスイッチング素子との間の電極として用いられる。
GaAs 10 (n-
AlGaAs11は、40nm程度の厚みに形成され、Alの組成率は35%程度である。不純物のドープはない。
InGaAs12は、厚みが2.5nm程度のInGaAs層が例えば20層繰り返し積層されてなり、n型不純物としてSiが5×1018/cm3〜5×1018/cm3程度の濃度にドープされる。
AlGaAs13は、40nm程度の厚みに形成され、Alの組成率は35%程度である。不純物のドープはない。
AlGaAs11、InGaAs12、及びAlGaAs13は、第2のQWIPとして用いられる。
The
InGaAs 12 is formed by repeatedly laminating, for example, 20 InGaAs layers having a thickness of about 2.5 nm, and Si is doped to a concentration of about 5 × 10 18 /
The
AlGaAs 11,
GaAs14は、500nm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが5×1018/cm3〜1×1019/cm3程度の濃度にドープされる。
図4では、AlGaAs11、InGaAs12、AlGaAs13、及びGaAs14を合わせて第2の積層体48として示す。
The
In FIG. 4, AlGaAs 11,
GaAs15(図4でn−GaAs層49)は、0.5μm〜1μm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが1×1016/cm3〜5×1016/cm3程度の濃度にドープされる。
GaAs16(図4でp−GaAs層50)は、100nm〜200nm程度の厚みに形成され、p型不純物としてBeが1×1018/cm3〜5×1018/cm3程度の濃度にドープされる。
GaAs17(図4でn−GaAs層51)は、10nm〜100nm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが1×1017/cm3〜1×1018/cm3程度の濃度にドープされる。
GaAs14〜17は、第2のスイッチング素子のnpn型バイポーラトランジスタとして用いられる。GaAs15(n−GaAs層49)がコレクタ層、GaAs16(p−GaAs層50)がベース層、GaAs17(n−GaAs層51)がエミッタ層となる。
The GaAs 15 (n-
GaAs 16 (p-
GaAs 17 (n-
GaAs18(図4でn−GaAs層52)は、500nm程度の厚みに形成され、n型不純物としてSiが5×1018/cm3〜1×1019/cm3程度の濃度にドープされる。GaAs18は、第2のスイッチング素子の電極として用いられる。
GaAs19(図4でGaAs層53)は、700μm程度の厚みに形成され、光結合層として用いられる。不純物のドープはない。
The GaAs 18 (n-
GaAs 19 (
続いて、図5に示すように、化合物半導体積層構造30をパターニングする。
図5(a)では、GaAs層53をリソグラフィー及びドライエッチングで加工し、開口53aを形成する。
図5(b)では、n−GaAs層51,52、及びGaAs層53をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して分断する。
図5(c)では、第1の積層体48、n−GaAs層49、及びp−GaAs層50をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して分断する。
図5(d)では、n−GaAs層45、第1の積層体46、及びn−GaAs層47をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して分断する。
図5(e)では、n−GaAs層43及びp−GaAs層44をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して分断する。
Subsequently, as shown in FIG. 5, the compound
In FIG. 5A, the
In FIG. 5B, the n-
In FIG. 5C, the first
In FIG. 5D, the n-
In FIG. 5E, the n-
続いて、図6に示すように、絶縁膜を形成した後、各種のオーミックコンタクトを形成する。
図6(a)では、CVD法等により、全面を覆うようにSiON等の絶縁物を堆積して、絶縁膜54を形成する。
図6(b)では、絶縁膜54をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して、n−GaAs層47,52の表面の一部を露出する開口54a,54bを形成する。開口54a,54bを埋め込むように、蒸着法等によりAu−Ge/Pt/Au等の金属を形成し、n−GaAs層47,52とオーミックコンタクトするオーミック電極55を形成する。
図6(c)では、絶縁膜54をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して、p−GaAs層44,50の表面の一部を露出する開口54c,54dを形成する。開口54c,54dを埋め込むように、蒸着法等によりTi/Pt/Au等の金属を形成し、p−GaAs層44,50とオーミックコンタクトするオーミック電極56を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 6, after forming an insulating film, various ohmic contacts are formed.
In FIG. 6A, an insulating
In FIG. 6B, the insulating
In FIG. 6C, the insulating
続いて、図7に示すように、第1及び第2の共通配線の電極層を形成する。
図7(a)では、リソグラフィーによりレジストマスクを形成し、蒸着法等によりAu等の下地薄膜を形成する。蒸着法等によりTi/Pt等の金属を堆積した後、リフトオフによりレジストマスク及びその上の下地薄膜及び金属を除去して、p−GaAs層44のオーミック電極56と接続される電極層57を形成する。
図7(b)では、全面を覆うようにSiON等の絶縁物を堆積して、絶縁膜58を形成する。
図7(c)では、絶縁膜58をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して、p−GaAs層50のオーミック電極56の表面を露出する開口58aを形成する。
図7(d)では、リソグラフィーによりレジストマスクを形成し、蒸着法等によりAu等の下地薄膜を形成する。蒸着法等によりTi/Pt等の金属を堆積した後、リフトオフによりレジストマスク及びその上の下地薄膜及び金属を除去して、p−GaAs層50のオーミック電極56と接続される電極層59を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 7, electrode layers of the first and second common wirings are formed.
In FIG. 7A, a resist mask is formed by lithography, and a base thin film such as Au is formed by vapor deposition or the like. After depositing a metal such as Ti / Pt by vapor deposition or the like, the resist mask and the underlying thin film and metal are removed by lift-off to form an
In FIG. 7B, an insulating
In FIG. 7C, the insulating
In FIG. 7D, a resist mask is formed by lithography, and a base thin film such as Au is formed by vapor deposition or the like. After depositing a metal such as Ti / Pt by vapor deposition or the like, the resist mask and the underlying thin film and metal are removed by lift-off to form an
続いて、図8に示すように、引き出し配線及びInバンプを形成する。
図8(a)では、絶縁膜58をリソグラフィー及びドライエッチングで加工して、n−GaAs層47,52のオーミック電極55の表面を露出する開口58bを形成する。
図8(b)では、リソグラフィーによりレジストマスクを形成し、蒸着法等によりTi/Pt等の金属を堆積した後、リフトオフによりレジストマスク及びその上の金属を除去して、n−GaAs層47,52のオーミック電極55と接続される引き出し配線60を形成する。
図8(c)では、引き出し配線60上に、蒸着法等によりAu等の下地薄膜を形成した後、その上にInバンプ61を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 8, lead wires and In bumps are formed.
In FIG. 8A, the insulating
8B, after forming a resist mask by lithography and depositing a metal such as Ti / Pt by vapor deposition or the like, the resist mask and the metal thereon are removed by lift-off, and the n-
In FIG. 8C, a base thin film such as Au is formed on the
続いて、図9に示すように、Si−LSIを張り合わせ、GaAs基板31を除去する。
図9(a)では、FCB(フリップ・チップ・ボンディング)法により、GaAs基板31にInバンプ61によりSi−LSI62を張り合わせ、ハイブリッド素子を形成する。Si−LSI62は、入力トランジスタ及び積分容量を備えた駆動回路が形成されている。
図9(b)では、InGaP層41をエッチングストッパーとして、ウェットエッチングによりハイブリッド素子からGaAs基板31を除去する。
以上のようにして、本実施形態による2波長赤外線センサが形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 9, Si-LSIs are bonded together, and the
In FIG. 9A, a Si-
In FIG. 9B, the
As described above, the two-wavelength infrared sensor according to the present embodiment is formed.
以上説明したように、本実施形態によれば、各画素10内の第1及び第2のQWIP1,2をそれぞれ電気的に完全に分離したうえで、その駆動時に第1及び第2のQWIP1,2の電位を精密に制御する必要のない簡易で確実な駆動を、製造が比較的容易な構造で得ることができる信頼性の高い2波長赤外線センサが実現する。
As described above, according to the present embodiment, the first and second QWIPs 1 and 2 in each
本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下、光検知装置及びその製造方法について、付記としてまとめて記載する。
The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical features of the present invention are the same regardless of what has the same configuration as the technical idea described in the claims and exhibits the same effect. Included in the range.
Hereinafter, the light detection device and the manufacturing method thereof will be collectively described as additional notes.
(付記1)検知波長の相異なる第1の光検知素子及び第2の光検知素子をそれぞれ備えた複数の画素と、
前記第1の光検知素子と前記第2の光検知素子との間に接続された電流源と、
前記複数の画素それぞれの前記第1の光検知素子に共通に接続された第1の共通配線と、
前記複数の画素それぞれの前記第2の光検知素子に共通に接続された第2の共通配線と、
前記複数の画素それぞれにおいて、前記第1の光検知素子と前記第1の共通配線との間に接続された第1のスイッチング素子と、
前記複数の画素それぞれにおいて、前記第2の光検知素子と前記第2の共通配線との間に接続された第2のスイッチング素子と
を含むことを特徴とする光検知装置。
(Appendix 1) A plurality of pixels each provided with a first photodetecting element and a second photodetecting element having different detection wavelengths;
A current source connected between the first photodetecting element and the second photodetecting element;
A first common wiring connected in common to the first photodetecting element of each of the plurality of pixels;
A second common wiring connected in common to the second photodetecting element of each of the plurality of pixels;
A first switching element connected between the first photodetecting element and the first common wiring in each of the plurality of pixels;
Each of the plurality of pixels includes a second switching element connected between the second photodetecting element and the second common wiring.
(付記2)前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチング素子は、npn型のバイポーラトランジスタであることを特徴とする付記1に記載の光検知装置。
(Additional remark 2) The said 1st switching element and said 2nd switching element are npn type bipolar transistors, The optical detection apparatus of
(付記3)前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチング素子の開閉を相補的に切り替えることにより、前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチング素子のいずれかの出力を選択的に取得することを特徴とする付記1又は2に記載の光検知装置。
(Supplementary Note 3) By selectively switching the opening and closing of the first switching element and the second switching element, the output of either the first switching element or the second switching element is selectively acquired. The optical detection device according to
(付記4)前記複数の画素それぞれの前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチング素子の各エミッタ端子が接続され、接地電位とされた第3の共通配線を更に含み、
前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチング素子の一方のベース端子を正電位に、他方を接地することにより、前記一方と接続された前記第1の光検知素子又は前記第2の光検知素子を選択的に動作させることを特徴とする付記2に記載の光検知装置。
(Additional remark 4) Each emitter terminal of the 1st switching element of each of these pixels and the 2nd switching element is further connected, and further includes the 3rd common wiring made into ground potential,
By connecting one base terminal of the first switching element and the second switching element to a positive potential and grounding the other, the first photodetecting element or the second photodetecting element connected to the one is connected. The light detection device according to
(付記5)検知波長の相異なる第1の光検知素子及び第2の光検知素子をそれぞれ備えた複数の画素を含む光検知装置の製造方法であって、
基板上に、複数層からなる第1の化合物半導体層と、複数層からなる第2の化合物半導体層と、複数層からなる第3の化合物半導体層と、複数層からなる第4の化合物半導体層とを有する積層構造を形成する工程と、
前記積層構造をパターニングして、前記第1の化合物半導体層から第1のスイッチング素子を、前記第2の化合物半導体層から前記第1の光検知素子を、前記第3の化合物半導体層から前記第2の光検知素子を、前記第4の化合物半導体層から第2のスイッチング素子をそれぞれ形成する工程と、
前記第1の光検知素子と前記第1のスイッチング素子を介して接続される第1の共通配線と、前記第2の光検知素子と前記第2のスイッチング素子を介して接続される第2の共通配線とを形成する工程と
を含むことを特徴とする光検知装置の製造方法。
(Additional remark 5) It is a manufacturing method of the photon detection apparatus containing the some pixel each provided with the 1st photon detection element and the 2nd photon detection element from which detection wavelengths differ,
On the substrate, a first compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, a second compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, a third compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, and a fourth compound semiconductor layer composed of a plurality of layers Forming a laminated structure having:
The stacked structure is patterned so that the first switching element from the first compound semiconductor layer, the first photodetecting element from the second compound semiconductor layer, and the first switching element from the third compound semiconductor layer. Forming a second switching element from each of the fourth compound semiconductor layers; and
A first common line connected to the first photodetecting element via the first switching element; a second common line connected to the second photodetecting element via the second switching element; And a step of forming a common wiring.
(付記6)前記第1のスイッチング素子及び前記第2のスイッチング素子は、npn型のバイポーラトランジスタであることを特徴とする付記5に記載の光検知装置の製造方法。
(Additional remark 6) The said 1st switching element and said 2nd switching element are npn-type bipolar transistors, The manufacturing method of the optical detection apparatus of
1,101 第1のQWIP
2,102 第2のQWIP
3,103 第1の共通配線
4,104 第2の共通配線
5 第3の共通配線
6,105 入力トランジスタ
7,106 積分容量
8 第1のスイッチング素子
9 第2のスイッチング素子
10,100,100A,100B 画素
11,110 駆動回路
21 画素部分
22 共通配線接続部分
30 化合物半導体積層構造
31 GaAs基板
41 InGaP層
42,43,45,47,49,51,52 n−GaAs層
44,50 p−GaAs層
46 第1の積層体
48 第2の積層体
53 GaAs層
53a,54a,54b,54c,54d,58a,58b 開口
54,58 絶縁膜
55,56 オーミック電極
57,59 電極層
60 引き出し配線
61 Inバンプ
62 Si−LSI
1,101 first QWIP
2,102 Second QWIP
3, 103 First
Claims (5)
前記第1の光検知素子と前記第2の光検知素子との間に接続された電流源と、
前記複数の画素それぞれの前記第1の光検知素子に共通に接続された第1の共通配線と、
前記複数の画素それぞれの前記第2の光検知素子に共通に接続された第2の共通配線と、
前記複数の画素それぞれにおいて、前記第1の光検知素子と前記第1の共通配線との間に接続された第1のスイッチング素子と、
前記複数の画素それぞれにおいて、前記第2の光検知素子と前記第2の共通配線との間に接続された第2のスイッチング素子と
を含むことを特徴とする光検知装置。 A plurality of pixels each having a first photodetecting element and a second photodetecting element having different detection wavelengths;
A current source connected between the first photodetecting element and the second photodetecting element;
A first common wiring connected in common to the first photodetecting element of each of the plurality of pixels;
A second common wiring connected in common to the second photodetecting element of each of the plurality of pixels;
A first switching element connected between the first photodetecting element and the first common wiring in each of the plurality of pixels;
Each of the plurality of pixels includes a second switching element connected between the second photodetecting element and the second common wiring.
基板上に、複数層からなる第1の化合物半導体層と、複数層からなる第2の化合物半導体層と、複数層からなる第3の化合物半導体層と、複数層からなる第4の化合物半導体層とを有する積層構造を形成する工程と、
前記積層構造をパターニングして、前記第1の化合物半導体層から第1のスイッチング素子を、前記第2の化合物半導体層から前記第1の光検知素子を、前記第3の化合物半導体層から前記第2の光検知素子を、前記第4の化合物半導体層から第2のスイッチング素子をそれぞれ形成する工程と、
前記第1の光検知素子と前記第1のスイッチング素子を介して接続される第1の共通配線と、前記第2の光検知素子と前記第2のスイッチング素子を介して接続される第2の共通配線とを形成する工程と
を含むことを特徴とする光検知装置の製造方法。 A method of manufacturing a light detection device including a plurality of pixels each having a first light detection element and a second light detection element having different detection wavelengths,
On the substrate, a first compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, a second compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, a third compound semiconductor layer composed of a plurality of layers, and a fourth compound semiconductor layer composed of a plurality of layers Forming a laminated structure having:
The stacked structure is patterned so that the first switching element from the first compound semiconductor layer, the first photodetecting element from the second compound semiconductor layer, and the first switching element from the third compound semiconductor layer. Forming a second switching element from each of the fourth compound semiconductor layers; and
A first common line connected to the first photodetecting element via the first switching element; a second common line connected to the second photodetecting element via the second switching element; And a step of forming a common wiring.
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