JP2016035966A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016035966A JP2016035966A JP2014158092A JP2014158092A JP2016035966A JP 2016035966 A JP2016035966 A JP 2016035966A JP 2014158092 A JP2014158092 A JP 2014158092A JP 2014158092 A JP2014158092 A JP 2014158092A JP 2016035966 A JP2016035966 A JP 2016035966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- switch element
- chip
- wiring
- functional block
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【課題】 より高い性能を有し、製造コストがより小さい半導体集積回路装置を提供する。【解決手段】 半導体集積回路装置(1)は、チップ上の機能ブロック(2)と、チップ上に設けられ、機能ブロックと接続された配線(3)と、チップ上の複数の端子(41)と、配線と複数の端子とを電気的に接続または切断する複数のスイッチ素子(4)と、複数のスイッチ素子のうちの少なくとも1つの電気的接続または切断を制御する制御部(6)と、を具備する。【選択図】 図5
Description
実施形態は、半導体集積回路装置に関する。
多数の半導体素子を含んだ半導体集積回路装置が知られている。半導体集積回路装置の動作の高速化によって、半導体集積回路装置がオフの間のスタンバイリーク電流が大きくなっている。半導体集積回路装置によっては、スタンバイリーク電流を抑制するための仕組みを含んでいる。そのような仕組みとして、半導体集積回路装置中のロジック回路へ電源を供給するための配線にスイッチ回路が設けられる場合がある。
より高い性能を有し、製造コストがより小さい半導体集積回路装置を提供しようとするものである。
一実施形態による半導体集積回路装置は、チップ上の機能ブロックと、前記チップ上に設けられ、前記機能ブロックと接続された配線と、前記チップ上の複数の端子と、前記配線と前記複数の端子とを電気的に接続または切断する複数のスイッチ素子と、前記複数のスイッチ素子のうちの少なくとも1つの前記電気的接続または切断を制御する制御部と、を具備することを特徴とする。
図1は、参考用の半導体集積回路装置のレイアウトを示している。装置101は1つのチップ上に設けられている。装置101は、中央において機能回路ブロック102を有する。機能回路ブロック102は、ロジック回路を含んでいる。機能回路ブロック102の周囲には、電源配線103が設けられている。電源配線103は、装置101の外部から受け取られた電源電位(VDD)を機能回路ブロック102へ供給するための経路である。電源配線103は、内部配線1031を含んでいる。内部配線1031は、機能回路ブロック102の周囲において網状に広がっており、機能回路ブロック102の電源電位ノードに接続される配線を含んでいる。例えば、内部配線1031は、機能回路ブロック102を取り囲む外周部分1031aを有している。電源配線103はさらに、接続部1032を含んでいる。接続部1032は、内部配線1031の外周部分1031aと電源端子105とを接続する。電源端子105は、装置101の縁に設けられている。
装置101はさらに、スイッチ素子111を含んでいる。スイッチ素子111は、入力端子112、および出力端子113を含んでいる。入力端子112は、装置101の外部からノード121を介して電源電位を受け取る。スイッチ素子111は、制御部107の制御に基づいて、入力端子112と出力端子113との間を電気的に接続または切断する。制御部107は、機能回路ブロック102が動作(オン)およびスタンバイ(オフ)の間、それぞれ、スイッチ素子111の制御を通じて、入力端子112と出力端子113とを電気的に接続および切断する。
出力端子113は、装置101の外部の配線115によって、装置101の外部において電源端子105と接続される。配線115は、上に装置101が配置される回路基板にプリントされた配線およびボンディングワイヤとして実現される。電源端子105はいずれも、出力端子113から電源電位を受け取る。すなわち、いずれの電源端子105への電源電位の供給および停止も、1つのスイッチ素子111により制御される。
図2は、図1の装置101の動作の間の電流の流れを示している。図2はまた、比較のために、スイッチ素子111を含まない半導体集積回路装置(装置101がスイッチ素子111を含まない場合)の動作を示している。図2の左側の2つの列は、機能回路ブロック102がオンの間の状態を示しており、左から順にスイッチ素子111の無しおよび有りのケースをそれぞれ示している。スイッチ素子111はオンしており、スイッチ無しおよび有りのいずれのケースでも、電源電位ノード(外部からの電源電位VDDを受け取るノード)VDDは、機能回路ブロック102を介して接地(共通)電位ノードVSSに接続される。この結果、機能回路ブロック102を介して動作電流117が流れる。
一方、図2の右側の2つの列は、機能回路ブロック102がオフの間の状態を示しており、左から順にスイッチ素子111の無しおよび有りのケースをそれぞれ示している。機能回路ブロック102がオフの間、スイッチ素子111の無しのケースでは、機能回路ブロック102の電源電位VDDを受け取るノード118は、ノードVDDと接続されている。このため、機能回路ブロック102がオフであっても、機能回路ブロック102をリーク電流119が流れる。一方、スイッチ素子111の有りのケースでは、スイッチ素子111はオフしている。このため、ノード118はノードVDDから分離されており、よって機能回路ブロック102を介するリーク電流119は流れない。
スイッチ素子111は、例えばn型のMOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)であり、このトランジスタのゲート電圧に対する、ドレインおよびソース間の電圧の特性のうちの線形領域が利用される。トランジスタによるスイッチ動作に際し、トランジスタは制御部107からゲートにおいてオンの間は高電位を受け取り、オフの間は0V(=VSS)を受け取る。トランジスタのオン抵抗は低いことが好ましい。例えば、数100mAオーダーの動作電流の想定の下で、トランジスタのオン抵抗による電圧降下の量を微小にするようにトランジスタが設計されるとすると、トランジスタのサイズは装置101のチップの面積の10%程度である。このようなサイズのトランジスタは、装置101のチップのサイズの非常に多くの部分を占有する。また、トランジスタが巨大である故に、トランジスタ中を実効的に電流が流れる部分が特定の箇所に集中する。すなわち、図3に示されているように、実効的に電流が流れる領域が、トランジスタ(スイッチ素子111)のソースおよびドレイン、すなわち入力端子112と出力端子113との間の最短経路に集中する。図3は、スイッチ素子111を流れる電流の経路を示しており、電流を示す線121がより太いほど、より高い電流密度を意味する。電流経路の集中により、図3から分かるように、スイッチ素子111の全体に対して使用される面積の効率が低い。
また、上記のように、装置101内に入力端子112から取り込まれた電流が装置101の外部を経由して、電源端子105に流れ込む。このため、電流が装置101の外へまた装置101の中へと流れる際に、電源端子105と外部配線115の間の入出力抵抗R1を通過する。このことは、抵抗成分による電圧降下を引き起こし、電源電流の伝送ロスを引き起こす。
さらに、図4に示されているように、機能回路ブロック102中の位置により電流の消費量に違いあると、電流消費量の違いに基づいて機能回路ブロック102中の配線抵抗による電圧降下の量に差が生じる。すなわち、図4の左側では、機能回路ブロック102中での消費電流は位置によらず均一である。よって、位置によらず、電源電位VDDの大きさは等しい。一方、図4の右側に示されているように、消費電流のより大きい部分はより小さい電源電位VDDを受け取ることになる。このことは、一般に、機能回路ブロック102中での相違する位置での動作タイミングの相違を引き起こし、機能回路ブロック102の高速動作に対して不利に働く。
以下に実施形態が図面を参照して説明される。以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素は同一符号を付され、繰り返しの説明は省略される場合がある。また、ある実施形態についての記述はすべて、明示的にまたは自明的に排除されない限り、別の実施形態の記述としても当てはまる。さらに、各実施形態は、明示的にまたは自明的に排除されない限り、別の一または複数の実施形態と組み合わせられることが可能である。
(第1実施形態)
図5は、第1実施形態に係る半導体集積回路装置1のレイアウトを示している。図5は、装置1はチップとして構成されており、半導体基板(図示せず)上に設けられている。装置1、すなわち装置1のチップは、例えば矩形の平面形状を有する。
図5は、第1実施形態に係る半導体集積回路装置1のレイアウトを示している。図5は、装置1はチップとして構成されており、半導体基板(図示せず)上に設けられている。装置1、すなわち装置1のチップは、例えば矩形の平面形状を有する。
装置1は、中央において機能ブロック2を有する。機能ブロック2は、半導体装置上に形成されるあらゆる機能ブロックであることが可能であり、例えばロジック回路部である。ロジック回路部は、種々のロジック回路を含み、ロジック回路は多数の論理ゲートを含んでいる。論理ゲートは、半導体基板上の導電膜、絶縁膜、不純物拡散層の1または複数の組み合わせにより実現される。
機能ブロック2の周囲には、電源配線3が設けられている。電源配線3は、例えば基板の上方の導電性材料により実現される。電源配線3は、装置1の外部から受け取られた電源(電位)を機能ブロック2へ供給するための経路である。電源配線3は、内部配線31を含んでいる。内部配線31は、機能ブロック2の周囲において網状に広がっており、機能ブロック2の種々の位置に接続される配線を含んでいる。機能ブロック2は、その電源電位VDDを受け取るべきノード(内部電源電位ノード)において内部配線31と接続され、接続された内部配線31から電源電位(電源電流)を受け取り、受け取られた電源電位を使用して動作する。内部配線31は、例えば機能ブロック2を取り囲む外周部分31aを含んでいる。外周部分31aは、機能ブロック2の縁に沿って延びている。
電源配線3はさらに、複数の接続部32(32_1、32_2、32_3、32_4)を含んでいる。
装置1は、少なくも2以上のスイッチ素子4を含んでいる。スイッチ素子4は、装置1のチップの1つまたは複数または全ての縁に設けられる。スイッチ素子4は、また、1つまたは複数または全ての縁の中央近傍に設けられる。スイッチ素子4は、装置1のチップの4つの辺の各々の中央近傍に設けられることが可能である。図5は、スイッチ素子4(4_1、4_2、4_3、4_4)がそれぞれ装置1のチップの下辺、右辺、上辺、左辺の中央に設けられる例を示している。
各スイッチ素子4は2つの端子を含んでおり、これら2つの端子の1つは電源端子41と称され、他方は出力ノード42(42_1、42_2、42_3、42_4)と称される。電源端子41は、装置1の表面に設けられるパッドの形態を有する。各スイッチ素子4は、電源端子41と出力ノード42との間を電気的に接続または切断する。各スイッチ素子4は、スイッチ素子4の外部から後述の制御信号を受け取り、制御信号に基づいて電源端子41と出力ノード42との間の導通または非導通にする。
各電源端子41は、装置1の外部の電源電位ノード11と接続され、ノード11から電源電位VDDを受け取る。すなわち、例えば装置1は回路基板上に搭載され、回路基板上のノード11から電源電位VDDを受け取る。ノード11は、例えば配線やボンディングワイヤ等に相当する。装置1は、受け取られた電源電位VDDを使用して動作する。すなわち、装置1は、受け取られた電源電位を電源配線3を介して機能ブロック2に供給し、機能ブロック2は電源配線3から受け取られた電源電位VDDを使用して動作する。
各出力ノード42は、対応する接続部32により内部配線31の外周部分31aに接続されている。すなわち、接続部32_1、32_2、32_3、32_4は、出力ノード出力ノード42_1、42_2、42_3、42_4をそれぞれ内部配線31の外周部分31aに接続する。各接続部32は、対応する出力ノード42と外周部分31aとの間の最短経路に一致する。
装置1は、さらに制御部6を含んでいる。制御部6は、制御信号線7を介して全てのスイッチ素子4と接続されている。制御部6は、機能ブロック2の状態を監視し、機能ブロック2の状態に基づいて、制御信号線7上の信号を用いてスイッチ素子4を制御する。すなわち、制御部6は、機能ブロック2(または装置1)が動作している間、各スイッチ素子4を制御して、各スイッチ素子4での電源端子41と出力ノード42との間を電気的に接続する。一方、制御部6は、機能ブロック2(または装置1)がスタンバイの間、各スイッチ素子4を制御して、各スイッチ素子4での電源端子41と出力ノードとの間を電気的に切断する。制御部6は、全てのスイッチ素子4の導通および非導通を一括して制御する。機能ブロック2のスタンバイの間、全てのスイッチ素子4が非導通とされ、これにより全ての出力ノード42が電源電位ノード11から切断される。この結果、機能ブロック2の内部電源電位ノードは、ノード11から電気的に切り離される。よって、スタンバイの間、機能ブロック2中の種々の要素(例えばトランジスタ)をリーク電流が流れることが阻止される。
構成要素9は接地電源(電位)端子である。電源端子9は、装置1の外部から接地電源電位VSSを受け取り、受け取られた接地電源電位VSSを電源配線10を介して機能ブロック2に供給する。機能ブロック2は、電源配線10から受け取られた接地電源電位VSSを使用する。
次に、スイッチ素子4の具体的な例が、図6を参照して記述される。図6は、第1実施形態のスイッチ素子4とその周辺の回路を示している。スイッチ素子4の少なくとも1つまたは全てが、図6の要素および接続を有する。図6に示されているように、各スイッチ素子4は、電源端子41と出力ノード42との間にn型のMOSFET4tを有している。トランジスタ4tのゲートは基板上のゲート絶縁膜上のゲート電極を備え、トランジスタ4tのソースおよびドレインは基板の表面においてゲート電極を挟む1対の拡散層を備える。各トランジスタ4tは、例えば同じサイズ、すなわち電流駆動能力を有する。別々のトランジスタ4tが、相違するサイズを有していてもよい。
スイッチ素子4としての動作のために、トランジスタ4tのゲート電圧に対するドレインおよびソース間の(ソース・ドレイン間)電圧の特性のうちの線形の領域が利用される。トランジスタ4tがオンしている間およびオフしている間は、制御信号線7を介して、ゲートに、それぞれ高い電位および0V(接地電源電位VSS)が印加される。例えば、装置1は単一の電源電位で動作することが想定されている。そのような場合、装置1の外部からの電源電位が1.2Vであれば、トランジスタ4tがオンしている間に電源端子41すなわちトランジスタ4tのドレインもゲートも外部電源電位と同じ電位1.2Vを受け取る。
以上記述されたように、第1実施形態の装置1は、電源電位ノード11と機能ブロック2との間に複数のスイッチ素子4を含んでいる。このことに基づき、以下の少なくとも1つの利点を得られる。
参考用の装置101が1つのスイッチ素子111を有するのに対し、装置1は2つ以上のスイッチ素子4を含んでいる。このため、各スイッチ素子4は、装置1の外部の電源から装置1に流入する電源電流の一部のみを受け持つ。例えば、図5のように4つのスイッチ素子4の例では、各スイッチ素子4は全電源電流の4分の1を流せれば、その要求される機能を果たせる。これに応じて、各スイッチ素子4が有すべきサイズ(電流駆動能力)も、スイッチ素子が1つの例(図1等)でのスイッチ素子4(トランジスタ4t)のサイズの4分の1よりさらに小さい。単純に4分の1でない理由は、スイッチ素子4での電流経路の分散と抵抗成分の減少に基づく。すなわち、第1に、図7に示されているように、複数のスイッチ素子4への分散により、各スイッチ素子4の大きさは、図1の例での大きさより小さい。図7は、第1実施形態のスイッチ素子4を流れる電流の経路を示しており、電流を示す線20がより太いほど、より高い電流密度を意味する。図7に示されているように、スイッチ素子4が小さいことに起因して、電流経路は、電源端子41と出力ノード42との間の最短経路に集中せず、分散する。このため、各スイッチ素子4でのオン抵抗が減少し、オン抵抗の減少の寄与により、各スイッチ素子4の必要なサイズは、スイッチ素子が1つの場合でのそのサイズの4分の1を下回る。
第2に、第1実施形態では、図1の例と異なり、装置1の外部からの電源電流が装置1内を経由して装置1の外部に流れ出ない。このこと等に基づいて、装置1において電流電源が経験する抵抗成分は図1での抵抗成分より小さい。よって、装置1が外部からの電源電位ノード11と機能ブロック2との間で図1でのものと同じオン抵抗を有するようにする場合、スイッチ素子4が寄与する抵抗成分が大きくてもよい。このことが図8を参照してさらに記述される。
図8は、第1実施形態の装置1での抵抗成分を示しており、電源電位ノード11から、内部配線31の外周部分31aまでの抵抗成分をシンボルにより示している。図8に示されているように、装置1は、ノード11と電源端子41との間の入出力抵抗R1、スイッチ素子4のオン抵抗R2、および接続部32の配線抵抗R3を、各所において含んでいる。よって、ノード11と外周部分31aとの間のオン抵抗Rは、R=入出力抵抗R1+(スイッチ素子4のオン抵抗R2)/4+(配線抵抗R3)/4である。
一方、図1の例では、装置101は、ノード121と入力端子112との間、出力端子113と外部配線115との間、および外部配線115と電源端子105との間において個別の入出力抵抗R1を含んでいる。さらに、装置101は、スイッチ素子111のオン抵抗R11、および接続部1032の配線抵抗R3を各所において含んでいる。よって、ノード121と外周部分1031aとの間のオン抵抗R100は、R100=入出力抵抗R1+(スイッチ素子111のオン抵抗R11)+入出力抵抗R1+(入出力抵抗R1)/4+(配線抵抗R3)/4である。以上より、抵抗R100とR1を等しくするためのスイッチ素子4のオン抵抗R2は、R2=(スイッチ素子111のオン抵抗R11)×4+入出力抵抗R1×8である。例として、入出力抵抗R1=1Ω、スイッチ素子111の抵抗R11=2Ω、配線抵抗R3=1Ωであれば、抵抗Rが抵抗R100と同じであるための抵抗R11は16Ωである。よって、スイッチ素子111の個数とスイッチ素子4との比が4であるのに対して、スイッチ素子111でのオン抵抗とスイッチ素子4でのオン抵抗との比は8である。すなわち、装置1では、スイッチ素子4の個数の比を上回る、スイッチ素子4のオン抵抗が得られる。スイッチ素子4のサイズはオン抵抗に反比例し、よってスイッチ素子111の個数とスイッチ素子4の個数の比を上回る比で、スイッチ素子4がスイッチ素子111から小さくされることが可能である。
一方、参考例と第1実施形態との間でオン抵抗R、R101を維持することが求められるなら、小サイズのスイッチ素子4によってスイッチ素子4が装置1に占める割合を低下できる。すなわち、装置1の小型化が可能である。一方、スイッチ素子4のサイズをスイッチ素子111のサイズと同じにすれば、装置1での抵抗Rを装置101での抵抗R100より小さくできる。すなわち、装置1において、ノード11と外周部分31aとの間での良好な電圧降下特性、つまり抑制された電圧降下を実現できる。
また、小サイズのスイッチ素子4により、スイッチ素子4および他の種々の機能ブロックが装置1のチップ中で高い自由度で配置されることが可能である。このことは、装置1の空きスペースの削減につながり、ひいては装置1のサイズを減少できる。
また、図1および図5の比較から分かるように、第1実施形態での入出力端子の数は、参考例での入出力端子の数より少ない。これに応じて、装置1と共に用いられる外部のボンディングワイヤおよび配線の数、ならびに装置1と共に用いられる装置の入出力ピンの数も、参考例での数より少ない。
ここまでの記述では、各スイッチ素子4が1つの電源端子41を含む例に関する。しかしながら、図9に示されるように、あるスイッチ素子4が2つ以上の電源端子41を含んでいてもよい。図9は、第1実施形態の第2例に係る半導体集積回路装置1のレイアウトを示しており、装置1が3つのスイッチ素子4を含む例に関する。図9の例では、装置1は、スイッチ素子4_4を含んでいない。また、スイッチ素子4_3は、図5のように電源端子41に加え、さらなる電源端子41_2を含んでいる。電源端子41、41_2は、いずれも電源電位ノード11と接続される。電源端子41、41_2は、例えば装置1の縁に設けられ、スイッチ素子4_3の左右の端に位置する。スイッチ素子4_3は、制御信号線7上の信号に基づいて、電源端子41、41_2と出力ノード42_2とを電気的に接続または切断する。換言すれば、図9のスイッチ素子4_3は、図5のスイッチ素子4_3、4_4が1つに統合された形態に概ね相当する。スイッチ素子4_4が設けられていないことに応じて、装置1は、接続部32_4を含んでいない。第2例によっても、第1実施形態の利点を得られる。
さらに、2つ以上のスイッチ素子4が、電源端子41を共有していてもよい。図10は、そのような例を示しており、第1実施形態の第3例に係る半導体集積回路装置1のレイアウトを示している。図10に示されているように、例えば2つのスイッチ素子4、例えばスイッチ素子4_3、4_4は、それぞれの電源端子41を含んでいない。代わりに装置1は、電源端子41_1および電源配線3の内部配線31_1、31_2をさらに含んでいる。内部配線31_1、31_2は、電源端子41_1から、スイッチ素子4_3、4_4の各々の、出力ノード42と反対のノードまでに亘る。電源端子41_1は、電源電位ノード11と接続され、例えば装置1のスイッチ素子4_3、4_4の間である左上の角に設けられる。第3例によっても、第1実施形態の利点を得られる。
(第2実施形態)
図11は、第2実施形態に係る半導体集積回路装置1のレイアウトを示している。装置1は、制御信号線7_2をさらに含んでいる。制御信号線7、7_2は、独立しており、スイッチ素子4の別々の組に接続されている。制御信号線7は例えばスイッチ素子4_1、4_3、4_4に接続されており、制御信号線7上の信号はスイッチ素子4_1、4_3、4_4の導通および非導通を一括して制御する。他方、制御信号線7_2は例えばスイッチ素子4_2に接続されており、制御信号線7_2上の信号はスイッチ素子4_2の導通および非導通を制御する。制御信号線7、7_2はまた制御部6に接続されており、制御部6は制御信号線7、7_2上の信号を独立して生成する。このように、装置1は、スイッチ素子4のオンまたはオフの制御のための2系統の仕組みを含んでいる。相違する系統に属するスイッチ素子4の組み合わせはあらゆる形が可能であり、さらに3つ以上の相違する制御系統が設けられてもよい。
図11は、第2実施形態に係る半導体集積回路装置1のレイアウトを示している。装置1は、制御信号線7_2をさらに含んでいる。制御信号線7、7_2は、独立しており、スイッチ素子4の別々の組に接続されている。制御信号線7は例えばスイッチ素子4_1、4_3、4_4に接続されており、制御信号線7上の信号はスイッチ素子4_1、4_3、4_4の導通および非導通を一括して制御する。他方、制御信号線7_2は例えばスイッチ素子4_2に接続されており、制御信号線7_2上の信号はスイッチ素子4_2の導通および非導通を制御する。制御信号線7、7_2はまた制御部6に接続されており、制御部6は制御信号線7、7_2上の信号を独立して生成する。このように、装置1は、スイッチ素子4のオンまたはオフの制御のための2系統の仕組みを含んでいる。相違する系統に属するスイッチ素子4の組み合わせはあらゆる形が可能であり、さらに3つ以上の相違する制御系統が設けられてもよい。
第2実施形態の装置1は、第1実施形態と同じく、電源電位ノード11と機能ブロック2との間に複数のスイッチ素子4を含んでいる。このため、第1実施形態の利点の1つ以上と同じ利点を得られる。
さらに、第2実施形態によれば、2系統のスイッチ素子4の制御により、以下の利点を得られる。図4を参照して記述されたように、機能ブロック2中の相違する位置が相違する電流を消費する場合がある。このような場合に、電流消費量の相違する領域に相違する電流を供給することにより、機能ブロック2の複数の内部電源電位ノードにおける電位を機能ブロック2の全体に亘って均一にするまたは近づけることができる。具体的には、例えば、機能ブロック2の右側の一部の領域が他の領域よりも少ない電流を消費する場合、機能ブロック2の右側への電源電流の供給を遮断することが可能である。その目的で、制御部6は、機能ブロック2の動作の間、制御信号線7上の信号をスイッチ素子4_1、4_3、4_4をオンするための電位にし、他方制御信号線7_2上の信号をスイッチ素子4_2をオフに維持するための電位とする。この結果、スイッチ素子4_1、4_3、4_4がオンし、スイッチ素子4_2はオフし、電源電流は全スイッチ素子4のうちのスイッチ素子4_1、4_3、4_4のみを介して機能ブロック2に流入する。このような制御は、機能ブロック2での消費電流の量の分布に基づいた機能ブロック2中の内部電源電位ノードでの電位の分布を均一に近づけ、機能ブロック2の動作の特性(例えばタイミングの一致)を向上させることができる。さらに、このような内部電源電位分布の調整が可能であることを考慮して機能ブロック2での内部電源電位分布が最適になるように機能ブロック2を設計することにより、機能ブロック2のより安定した高速動作を実現できる。
(第3実施形態)
第3実施形態は、スイッチ素子4の例に関する。
第3実施形態は、スイッチ素子4の例に関する。
図12は、第3実施形態のスイッチ素子とその周辺の回路を示している。スイッチ素子4の要素および接続は、第1実施形態のものと同じである。一方、第3実施形態では、スイッチ素子4としてのトランジスタ4tは、ゲートにおいて、電位VDDHを受け取る。電位VDDHは、電位VDDより高い。制御部6は、そのような高い電位VDDHを、スイッチ素子4をオンさせるために制御信号線7上で供給する。例えば、ノード11上での電位VDDが1.2Vであれば、スイッチ素子4はゲートにおいて、オンの間、3Vの電位VDDHを受け取る。オフの間にゲートが受け取る電位は第1実施形態と同じであり、例えば接地電源電位(0V、VSS)である。
制御信号線7上に供給される高電位VDDHは、ノード11上で供給される電位と独立して供給される。例えば、図13に示されているように、装置1は、相違する複数の電源電位を受け取る。図13は、第3実施形態の半導体集積回路装置1のレイアウトを示している。複数の電源電位のうちの1つは、電位VDDであり、ノード11上で供給される。別の電位VDDHは、装置1の電源端子21に、電源電位ノード22上で装置1の外部から供給される。装置1は電源端子21で受け取られた電位を制御部6に供給し、制御部6は受け取られた電位を制御信号線7に供給する。
第3実施形態の装置1は、第1実施形態と同じく、電源電位ノード11と機能ブロック2との間に複数のスイッチ素子4を含んでいる。このため、第1実施形態の利点の1つ以上と同じ利点を得られる。
さらに、第3実施形態によれば、スイッチ素子4が、さらに高い電源電位VDDHを受け取る。このことに基づいて、以下の利点を得られる。n型のMOSFETのドレイン・ソース間のオン抵抗は、ゲート・ソース間の電圧が大きいほど、小さい。このため、第3実施形態のように、スイッチ素子4のゲートに、高い電源電位VDDHを印加することにより、スイッチ素子4のオン抵抗が減じることが可能である。または、スイッチ素子4のゲートに高電位を印加することを用いれば、より小さなスイッチ素子4で、低い電位(例えば電位VDDH)での場合と同じスイッチ素子4のオン抵抗を実現できる。
(第4実施形態)
第4実施形態は、スイッチ素子4が挿入される電流経路の点で、第1〜第3実施形態と異なる。
第4実施形態は、スイッチ素子4が挿入される電流経路の点で、第1〜第3実施形態と異なる。
図14は、第4実施形態の半導体集積回路装置1のレイアウトを示している。第4実施形態では、スイッチ素子4は、機能ブロック2のうちの接地電源電位VSSを受け取るべきノード(内部接地電源電位ノード)と、装置1に接地電位を供給するノードとの間に設けられる。この違いは、装置1の要素および接続自体を第1実施形態のものから変更することを要求しない。よって、第4実施形態の装置1のレイアウトは、第1実施形態のもの(図5)と同じである。一方、第4実施形態の装置1は、後述の1点を除いて、各要素に印加される電位の点、すなわち使用のされ方の点で、第1実施形態の装置1と異なる。具体的には、以下の通りである。
第4実施形態では、ノード11は接地電源電位を伝送する。また、電源配線3は、ノード11からスイッチ素子4を介して接地電源電位を受け取り、接地電源電位を伝送する。一方、第4実施形態は、以下の点で第1実施形態と異なる。すなわち、電源配線3は、機能ブロック2の接地電位を受け取るべきノード(内部接地電源電位ノード)に接続されている。また、電源端子9は、電源電位VDDを受け取り、電源電位VDDは電源配線10を介して機能ブロック2に供給され、電源配線10は機能ブロック2の内部電源電位ノードに接続されている。機能ブロック2は、電源配線10から電源電位VDDを受け取り、電源配線10から接地電源電位VSSを受け取り、これらの電位VDD、VSSを使用して動作する。スイッチ素子4のオフにより、機能ブロック2の内部接地電源電位ノードは、ノード11から電気的に切断される。
第4実施形態の装置1は、電源電位ノード11と機能ブロック2との間に複数のスイッチ素子4を含んでいる。第4実施形態の電源電位ノードと接地電源電位ノードとの間でのスイッチ素子4の位置は、第1実施形態のものと異なる。しかしながら、第4実施形態でのスイッチ素子4のオフによる電源電位ノードと接地電源電位ノードとの間の電流経路の切断は、第1実施形態でのものと同じである。このため、第4実施形態によっても第1実施形態と同じ利点を得られる。さらに、第4実施形態は、第2および第3実施形態の1つ以上と組み合わせられることが可能であり、組み合わせられた実施形態による利点をさらにもたらすことが可能である。
(第5実施形態)
第5実施形態は、複数のチップの例に関する。
第5実施形態は、複数のチップの例に関する。
図15は、第5実施形態の半導体集積回路装置1_2のレイアウトを示している。半導体集積回路装置1_2は、2つのチップ51_1、51_2を含んでいる。チップ51_1、51_2は、例えば半導体基板を含んでいる。チップ51_1は、チップ51_2の上に設けられており、例えばチップ51_1、51_2は積層され、一体化されている。チップ51_1は、第1実施形態の装置1に含まれている要素のうちの一部を含んでおり、例えば機能ブロック2、電源配線3、および電源配線10を含んでいる。機能ブロック2、電源配線3、および電源配線10は、チップ51_1の基板上に設けられている。
チップ51_2は、装置1に含まれている要素のうちの残りのものを含んでおり、例えばスイッチ素子4、制御部6、制御信号線7、および電源端子9を含んでいる。スイッチ素子4、制御部6、制御信号線7、および電源端子9は、チップ51_2の基板上に設けられている。
このように、装置1中の要素が、チップ51_1、51_2に亘って分散されている。
チップ51_1、51_2上での諸要素の位置は、装置1での位置と同じであることが可能である。すなわち、チップ51_1は、中央において機能ブロック2を有しており、機能ブロック2の周囲において電源配線3を有している。チップ51_2は、縁においてスイッチ素子4、制御部6、および電源端子9を有しており、スイッチ素子4と制御部6とに間において制御信号線7を有している。
チップ51_1、51_2は、導電材料からなるチップ間配線52(52_1、52_2、52_3、52_4、52_5)により電気的に接続されている。例えば、チップ間配線52_1は、チップ51_1の電源配線3の接続部32_1の一端を、チップ51_2のスイッチ素子4_1の出力ノード42に接続する。同様に、チップ間配線52_N(Nは2、3、または4)は、チップ51_1の電源配線3の接続部32_Nの一端を、チップ51_2のスイッチ素子4_Nの出力ノードに接続する。チップ間配線52_5は、チップ51_2の電源端子9をチップ51_1の電源配線10に接続する。
第5実施形態の装置1(1_2)は、第1実施形態と同じく、電源電位ノード11と機能ブロック2との間に複数のスイッチ素子4を含んでいる。このため、第1実施形態の利点の1つ以上と同じ利点を得られる。
また、第5実施形態によれば、装置1中の要素が複数のチップ51_1、51_2に亘って分散している。機能ブロック2とスイッチ素子4は、それらの中の半導体素子に対して相違する特性を要求される場合がある。例えば、機能ブロック2はロジック回路を含んでおり、ロジック回路を構成する微細な半導体素子を含んでいる。他方、スイッチ素子4は、高電流を扱うパワー向けの半導体素子を含んでいる。これらの半導体素子は、相違する特性を要求され得る。このため、機能ブロック2とスイッチ素子4が別々のチップとして製造されれば、それぞれの製造のための工程をそれぞれのチップに対して特化できる。このことは、素子の特性の調整に役立ち、また相違する特性の半導体素子を並行して製造するためにのみ必要な工程や要素を必要としない。すなわち、チップ51_1、51_2の製造工程が簡略化され、製造のための総コストが抑制されることが可能である。
(第6実施形態)
第6実施形態は、第1〜第5実施形態の具体例に関し、第1〜第5実施形態に適用され得る。
第6実施形態は、第1〜第5実施形態の具体例に関し、第1〜第5実施形態に適用され得る。
第1〜第5実施形態の機能ブロック2は、例えばイメージセンサ装置に適用される。このイメージセンサ装置は、例えば1つまたは複数のチップとして構成される。図16は、第6実施形態のイメージセンサ装置61の機能ブロックを示している。第6実施形態の装置61は、例えば、センサーコア62、ロジック回路63、インターフェイス64等のブロックを含んでいる。装置61は、第1〜第4実施形態の装置1に相当する。第1〜第4実施形態の装置1についての記述は、装置61に当てはまる。
センサーコア62は、被写体からの光信号を捕捉して電気信号を生成し、画素のアレイ62a、制御および処理回路62bを含んでいる。画素62aは、装置61の外部からの光を、その特性に基づいて電気信号に変換する。制御および処理回路62bは、画素62aを制御し、また、画素からの電気信号を処理する。電気信号の処理は、例えば種々のアナログ処理、およびアナログの電気信号をディジタル形式に変換することを含む。ディジタル形式の画素信号は、制御および処理回路62bによって、センサーコア62の外部に出力される。
ロジック回路63は、センサーコア62からディジタル形式の画素信号を受け取り、画素信号に対して種々のディジタル処理を施す。その目的で、ロジック回路63は、種々のロジックゲートを含んでいる。ロジック回路63が、第1〜第5実施形態の機能ブロック2に相当し、第1〜第5実施形態において記述された特徴を有する。インターフェイス64は、装置61と、外部との信号の送受を制御する。
装置61は、装置1に相当し、したがって、装置61に含まれる要素を含んでいる。すなわち、装置61は、電源配線3、スイッチ素子4、制御部6、制御信号線7、電源端子9、電源配線10を含んでいる。
第6実施形態が第5実施形態のような要素の複数チップへの分散に適用される場合、分散には、種々のバリエーションが考えられる。図17は、第6実施形態での要素の分散の例を示している。半導体集積回路装置1_3は、2つのチップ71_1、71_2を含んでいる。チップ71_1、71_2は、例えば半導体基板を含んでいる。チップ71_1は、チップ71_2の上に設けられており、例えばチップ71_1、71_2は積層され、一体化されている。チップ71_1、71_2は、第5実施形態のチップ51_1、51_2と同様にチップ間配線72により相互に接続される。図17の第1行は、チップ71_1に含まれる要素を示しており、チップ71_2に含まれる要素を示している。
第1列(一般)は、汎用の例であり、チップ71_1、71_2がイメージセンサを含め任意の形態である例について示しており、第5実施形態での例に相当する。すなわち、機能ブロック2がチップ71_1に設けられ、スイッチ素子4および電源配線3の組がチップ71_2に設けられる。図の矢印は、矢印の根元のスイッチ素子4が矢尻の機能ブロックの内部電源電位ノードとの間の電気的接続および切断を制御することを示している。
第2〜7列中の例1〜6は、装置61のようなイメージセンサ装置への適用の例である。例1では、チップ71_1は、第1実施形態の装置1のように、スイッチ素子4および機能ブロック2の両方を含んでおり、機能ブロック2としてロジック回路63を含んでいる。このことに基づいて、チップ71_1は電源配線3も含んでいる。チップ71_2も、第1実施形態の装置1のように、スイッチ素子4および機能ブロック2の両方を含んでおり、機能ブロック2として制御および処理回路62bを含んでいる。このことに基づいて、チップ71_2は電源配線3も含んでいる。画素62aは、チップ71_1に設けられている。
例2は例1に類似し、ロジック回路63がチップ71_1、71_2に亘って分散されている。スイッチ素子4は、チップ71_2上にのみ設けられ、チップ71_1、71_2のそれぞれのロジック回路63の一部への電源電位ノード11の電気的接続および切断を制御する。これに基づいて、チップ71_2は、第1実施形態の装置1のように、スイッチ素子4と機能ブロック2の一部との両方を含み、さらに電源配線3を含んでいる。機能ブロック2は例えばロジック回路63である。また、チップ71_1は、第5実施形態のチップ51_1のように、機能ブロック2としてロジック回路63を含んでおり、また電源配線3を含んでいる。チップ71_1は、さらに、画素62a、制御および処理回路62bを含んでおり、しかしスイッチ素子4を含んでいない。
例3では、チップ71_2は、第1実施形態の装置1に相当し、機能ブロック2としてロジック回路63を含んでいる。また、チップ71_2は、制御および処理回路62bを含んでいる。チップ71_1は、画素62aを含んでいる。
例4では、チップ71_1は、第1実施形態の装置1に相当し、機能ブロック2としてロジック回路63を含んでいる。また、チップ71_1は、画素62a、制御および処理回路62bを含んでいる。チップ71_2は、その他の回路を含んでいる。
例5では、スイッチ素子4が2系統で設けられる。チップ71_2は、図18に示されているように、チップ51_2と同様に、スイッチ素子4、制御部6、制御信号線7、7_2を含んでおり、一方、機能ブロック2を含んでいない。制御部6は、例えば第2実施形態のように、スイッチ素子4のうちの1または複数、例えばスイッチ素子4_1、4_3、4_4を制御信号線7で制御する。また、制御部6は、残りのスイッチ素子4_2を制御信号線7_2で制御する。
一方、チップ71_1は、2つの独立した機能ブロック2_1、2_2を含んでいる。機能ブロック2_1は例えば制御および処理回路62bであり、機能ブロック2_2は例えばロジック回路63である。チップ71_1は電源配線3を有しており、電源配線3は2つの機能ブロック2_1、2_2用に電源配線3_1、3_2へと分割されている。電源配線3_1は、機能ブロック2_1およびチップ間配線72_1、72_3、72_4と接続されている。電源配線3_2は、機能ブロック2_2およびチップ間配線72_2と接続されている。画素62aは、例えばチップ71_1に設けられている。
このように、電源電位ノード11から機能ブロック2_1、2_2へ2つの選択的電源供給のための仕組みが設けられ、スイッチ素子4は一方のチップ71_1に設けられる。
例6では、例5と同じように、選択的電源供給のための仕組みが2つ設けられ、スイッチ素子4はチップ71_2に設けられる。すなわち、図19に示されているように、チップ71_1は、例5(図18)と異なり、機能ブロック2_2(ロジック回路)および電源配線3_2を含んでいない。代わりに、機能ブロック2_2および電源配線3_2は、チップ71_2に設けられている。機能ブロック2_2は、スイッチ素子4_2を介して選択的に電源電位を受け取る。機能ブロック2_1は、スイッチ素子41_1、41_3、41_4を介して選択的に電源電位を受け取る。
第6実施形態は、第1〜第5実施形態に適用され、よって、適用された実施形態による利点と同じ利点を得られる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1…半導体集積回路装置、2…機能ブロック、3…電源配線、31…内部配線、31a…外周部分、32…接続部、4…スイッチ素子、9、21、41…電源端子、42…出力ノード、6…制御部、7…制御信号線、9…電源端子、10…電源配線、11、22…電源電位ノード、20…電流経路、51、71…チップ、52、72…チップ間配線、61…イメージセンサ装置、62…センサーコア、62a…画素、62b…制御および処理回路、63…ロジック回路、64…インターフェイス。
Claims (5)
- チップ上の機能ブロックと、
前記チップ上に設けられ、前記機能ブロックと接続された配線と、
前記チップ上の複数の端子と、
前記配線と前記複数の端子とを電気的に接続または切断する複数のスイッチ素子と、
前記複数のスイッチ素子のうちの少なくとも1つの前記電気的接続または切断を制御する制御部と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記配線が、複数の接続部を有し、
前記複数のスイッチ素子はそれぞれ第1端において前記複数の接続部とそれぞれ接続されており、
前記複数のスイッチの各々が、接続された1つの接続部と記複数の端子の1つまたは複数とを電気的に接続または切断する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記配線が複数の接続部を有し、
前記複数のスイッチ素子のうちの1つの第1スイッチ素子が、前記複数の端子のうちの1つの第1端子と前記複数の接続部のうちの1つの第1接続部とを電気的に接続または切断し、
前記複数のスイッチ素子のうちの1つの第スイッチ素子が、前記第1端子と前記複数の接続部のうちの1つの第2接続部とを電気的に接続または切断する、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記制御部が、第1制御信号線および第2制御信号線を具備し、
前記第1制御信号線が、前記複数のスイッチ素子のうちの第1スイッチ素子を制御する制御端子と接続されており、
前記第2制御信号線が、前記複数のスイッチ素子のうちの第2スイッチ素子を制御する制御端子と接続されている、
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 前記複数のスイッチ素子の少なくとも1つはn型のMOSFETであり、
前記複数の端子は第1電位を受け取り、
前記制御部は、前記MOSFETのゲートに前記第1電位またはそれ以上の電位を供給する、
ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014158092A JP2016035966A (ja) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014158092A JP2016035966A (ja) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016035966A true JP2016035966A (ja) | 2016-03-17 |
Family
ID=55523669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014158092A Pending JP2016035966A (ja) | 2014-08-01 | 2014-08-01 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016035966A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020065916A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
WO2023054600A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
WO2023054601A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
WO2023054602A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
-
2014
- 2014-08-01 JP JP2014158092A patent/JP2016035966A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020065916A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2020-04-02 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
JPWO2020065916A1 (ja) * | 2018-09-28 | 2021-08-30 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
JP7160105B2 (ja) | 2018-09-28 | 2022-10-25 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
WO2023054600A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
WO2023054601A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
WO2023054602A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社ソシオネクスト | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10170919B2 (en) | Battery protecting apparatus | |
US7683696B1 (en) | Open-drain output buffer for single-voltage-supply CMOS | |
US7707521B2 (en) | Layout architecture having high-performance and high-density design | |
CN107579062B (zh) | 电子开关和反极性保护电路 | |
US20190139880A1 (en) | Semiconductor Arrangement with Reliably Switching Controllable Semiconductor Elements | |
US10211205B2 (en) | Field effect transistor structure for reducing contact resistance | |
TWI628447B (zh) | Semiconductor integrated circuit device | |
CN108292629B (zh) | 半导体集成电路装置 | |
JP2016035966A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
US9374074B2 (en) | Voltage selection circuit and semiconductor integrated circuit device having the same | |
JP2006049846A (ja) | 半導体装置 | |
US11450656B2 (en) | Anti-parallel diode device | |
US8072033B2 (en) | Semiconductor device having elongated electrostatic protection element along long side of semiconductor chip | |
US10665532B2 (en) | Power apparatus | |
JP5050628B2 (ja) | 半導体装置 | |
EP3336888B1 (en) | Semiconductor device | |
US10218352B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US10084441B2 (en) | Electronic switching and reverse polarity protection circuit | |
KR102082644B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US20090284287A1 (en) | Output buffer circuit and integrated circuit | |
US20240096876A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2023190001A1 (ja) | 半導体装置 | |
KR101053539B1 (ko) | 출력 드라이버를 구비한 데이터 출력 회로 | |
US20150097597A1 (en) | Common well bias design for a driving circuit and method of using same | |
JP2009253191A (ja) | 電流負荷駆動回路 |