JP2016025226A - 発光素子搭載用配線基板、及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子搭載用基板における反射効率を向上させること。【解決手段】絶縁層と、複数の接続端子と、反射膜とを備える。各接続端子は、絶縁層上において、発光素子の実装領域に形成される。反射膜は、絶縁層上に積層され、実装領域を取り囲んでキャビティを形成する周囲面として構成された部位を含む接続端子の外周面は、反射膜と接している。周囲面の少なくとも一部は、湾曲面として形成されている。湾曲面は、絶縁層の表面に対して垂直な方向に沿った切断面において、周囲面の任意の点から絶縁層から離れる側に向かう接線と、任意の点から絶縁層の表面と平行に接続端子から離れる側に向かう平行線と、の角度が０度よりも大きく９０度よりも小さい。【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子搭載用配線基板に関する。

ＬＥＤ等の発光素子は、配線基板に設けられたキャビティに実装されることがある。このようなキャビティを取り囲む周囲面（壁面）に反射膜を設けることによって、発光素子から直接、外部に放出される光に加え、その反射膜による反射光も外部に放出できる。このような反射膜が設けられた周囲面の形状として、湾曲したものが知られている（例えば特許文献１）。特許文献１の開示では、この湾曲した周囲面は、発光素子の接続端子に接触しないように配置されている。

特開２００６−２７００４６号公報

本願発明は、上記先行技術を踏まえ、反射効率の向上を解決課題とする。上記先行技術の場合、湾曲した周囲面が接続端子に接触しないように配置されているので、実装領域を取り囲む反射膜の面積がキャビティの面積に対して小さい。よって、反射膜以外の部位に照射される光の量が多くなり、この結果、反射効率が悪かった。

本発明は、上記課題を解決するためのものであり、以下の形態として実現できる。

（１）本発明の一形態によれば、絶縁層と；前記絶縁層上において、発光素子の実装領域に形成された複数の接続端子と；前記絶縁層上に積層され、前記実装領域を取り囲んでキャビティを形成する周囲面として構成された部位を含む反射膜とを備える発光素子搭載用配線基板が提供される。この発光素子搭載用配線基板は；前記接続端子の外周面は、前記反射膜と接しており；前記周囲面の少なくとも一部は、湾曲面として形成されており；前記絶縁層の表面に対して垂直な方向に沿った切断面において、前記湾曲面の任意の点から前記絶縁層から離れる側に向かう接線と、前記任意の点から前記絶縁層の表面と平行に前記接続端子から離れる側に向かう平行線と、の角度は０度よりも大きく９０度よりも小さいことを特徴とする。この形態によれば、反射効率を向上させることができる。この形態の場合、接続端子の外周面が反射膜と接しているので、キャビティの面積に対する反射膜の面積が大きくなる。この結果、上記効果を得ることができる。

（２）前記反射膜は、前記実装領域に配置された部位を含んでもよい。この形態によれば、反射効率を更に向上させることができる。この形態の場合、周囲面に加え、実装領域にも反射膜が配置されているからである。

（３）前記反射膜は、前記接続端子の外周面と接する部位において、前記絶縁層の表面に対して垂直な方向についての高さが、前記接続端子の高さと同じであってもよい。この形態によれば、接続端子を露出させつつ、反射膜を発光素子に近づけることができるので、反射効率を向上させることができる。

（４）別の形態として、上記形態の発光素子搭載用配線基板を製造する方法が提供される。この製造方法は；基材と、前記基材上に積層された第１金属シートと、前記第１金属シート上に積層された第２金属シートと、を有する金属シート付き基材を準備する工程と；前記第２金属シート上に、開口部を有するめっきレジスト層を形成する工程と；前記開口部内にめっきを実施することで、凸状の金属導体部を、前記第２金属シート上に形成する工程と；前記金属導体部をエッチングすることによって、前記金属導体部を、前記周囲面に対応した形状に加工する工程と；前記反射膜となる絶縁性樹脂層で前記金属導体部を被覆する工程と；前記第２金属シートから、前記第１金属シートを剥離する工程と；前記第２金属シートと前記金属導体部とを前記絶縁性樹脂層から除去する工程とを含む。上記形態の発光素子搭載用配線基板は、例えば、上記の方法で製造できる。

（５）別の形態として、上記形態の発光素子搭載用配線基板を製造する方法が提供される。この製造方法は；前記絶縁層上に前記複数の接続端子を形成する工程と；前記絶縁層と前記複数の接続端子とを、前記反射膜となる感光性の絶縁性樹脂層で被覆する工程と；前記感光性の絶縁性樹脂層に露光および現像を施すことによって、前記絶縁性樹脂層に凹みを形成する工程と；前記凹みが形成された絶縁性樹脂層に、熱硬化を施し、その後、光硬化を施すことで、前記凹みの壁面を前記湾曲面に変形させる工程とを含むことを特徴とする製造方法。上記形態の発光素子搭載用配線基板は、例えば、上記の方法で製造できる。

本発明は、上記以外の形態で実現できる。例えば、発光素子を搭載した発光装置として実現できる。

発光素子搭載用配線基板の断面図（以下、実施形態１）。 発光素子を実装した発光素子搭載用配線基板の断面図。 基板の製造工程図。 支持基板上に、複層金属シートを積層した様子を示す図（Ｐ２０５）。 めっきレジスト層を形成した様子を示す図（Ｐ２１０）。 複層金属シート上に金属導体部を形成した様子を示す図（Ｐ２１５）。 金属導体部から湾曲導体部を形成した様子を示す図（Ｐ２２０） 複層金属シート上に反射膜を形成した様子を示す図（Ｐ２３０）。 反射膜に第１ビア穴を形成した様子を示す図（Ｐ２３５）。 導体部を形成した様子を示す図（Ｐ２４５）。 絶縁層を形成した様子を示す図（Ｐ２５０）。 絶縁層に第２ビア穴を形成した様子を示す図（Ｐ２５５）。 接続端子を形成した様子を示す図（Ｐ２６５）。 反射膜を形成した様子を示す図（Ｐ２７０）。 反射膜に開口部を形成した様子を示す図（Ｐ２７５）。 積層体全体の両端を切り落とした様子を示す図（Ｐ２８０）。 銅箔と銅箔とを剥離させた様子を示す図（Ｐ２８５）。 発光素子搭載用配線基板の平面図（以下、実施形態２）。 発光素子搭載用配線基板の断面図。 発光素子を実装した発光素子搭載用配線基板の平面図。 発光素子を実装した発光素子搭載用配線基板の断面図。 基板の製造工程図。 銅箔付きコア基板を準備した様子を示す図（Ｐ４０５）。 コア基板に、ビア孔形成した様子を示す図（Ｐ４１０）。 ビア導体とめっき層とを形成した様子を示す図（Ｐ４２０）。 ドライフィルムをパターン成形した様子を示す図（Ｐ４２５）。 めっき層をエッチングした様子を示す図（Ｐ４３０）。 ドライフィルムを剥離した様子を示す図（Ｐ４３５）。 反射膜をコア基板にコートした様子を示す図（Ｐ４４０）。 外側領域となる反射膜を光硬化させた様子を示す図（Ｐ４４５）。 炭酸ナトリウム水溶液に浸漬させた様子を示す図（Ｐ４５０）。 反射膜を乳化させた様子を示す図（Ｐ４５５）。 膨潤および乳化した反射膜を除去した様子を示す図（Ｐ４６０）。 発光素子搭載用配線基板の断面図（実施形態３）。

実施形態１を説明する。図１は、発光素子搭載用配線基板１０（以下「基板１０」という）の断面図である。図２は、発光素子（ＬＥＤ）５００を実装した基板１０の断面図である。基板１０は、反射膜２１、絶縁層５０、反射膜２３が積層した構造を有する。これの断面は、図１，図２に示す絶縁層５０の表面に対して垂直な方向に沿っている。絶縁層５０の表面とは、反射膜２１又は反射膜２３との境界となる面のことである。発光素子５００は、図２に示すように、無色透明の封止樹脂Ｍによって封止されている。

基板１０には、キャビティ１５が設けられている。キャビティ１５は、発光素子５００用の実装領域を形成する。キャビティ１５内において、接続端子３４ａ，３４ｂが露出している。この露出した部位を、露出部Ｓ３と呼ぶ。キャビティ１５の外において、絶縁層５０の表面と平行な面を上面Ｓ１と呼ぶ。露出部Ｓ３と上面Ｓ１との間における反射膜２１の表面を、周囲面Ｓ２と呼ぶ。断面図において２つの露出部Ｓ３には挟まれた領域を、底面Ｓ４と呼ぶ。本実施形態における周囲面Ｓ２は、全体が湾曲している湾曲面として形成されている。接続端子３４ａ，３４ｂの外周面は、周囲面Ｓ２に、つまり反射膜２１と接している。

周囲面Ｓ２の湾曲形状は、次のように表現できる。周囲面Ｓ２上おける任意の点Ｔ１から、絶縁層５０に対して離れる側に向かう接線と、点Ｔ１から絶縁層５０の表面と平行に、接続端子３４ａから離れる側に向かう平行線との角度θは、０度＜θ＜９０度を満たす。

図１に示すように、接続端子３４ｂの外周面と接する部位Ｔ２において、絶縁層５０の表面に対して垂直な方向についての反射膜２１の高さを、高さＨ１とする。一方、図１に示すように、部位Ｔ２において、絶縁層５０の表面に対して垂直な方向についての接続端子３４ｂの高さを、高さＨ２とする。高さＨ１は、図１に示すように、高さＨ２に等しい。これによって、接続端子３４ｂを露出させつつ、できるだけ周囲面Ｓ２が高く配置される。この結果、周囲面Ｓ２が発光素子５００に近くなり、ひいては反射効率が向上する。このような高さの関係は、接続端子３４ａにも当てはまる。

さらに、基板１０による効果を述べる。下記の効果は、後述する実施形態２にも共通である。以下の説明において、実施形態２の場合を、括弧内に表記する。

接続端子３４ａ，３４ｂ（１０３ａ，１０３ｂ）の外周面が反射膜２１（１０５）と接していることによって、キャビティ１５（１１５）内における反射膜の面積が大きくなり、ひいては反射効率が向上する。
周囲面Ｓ２（Ｓ１２）が先述したように湾曲していることによって、図２（図２１）に示すように、特に平行光の反射効率が向上する。
実装領域内に配置された底面Ｓ４（Ｓ１４）における反射によって、反射効率が向上する。
発光素子５００からの光が絶縁層５０（コア基板１０１）に照射されないので、絶縁層５０（コア基板１０１）の劣化が抑制される。

以下、基板１０の製造方法を説明する。図３は、基板１０の製造工程図である。以下、製造工程の説明図として、図４〜図１７を参照する。

まず、支持基板５１を用意し、図４に示すように、支持基板５１上に複層金属シート５４を積層し、金属シート付き基材５９を形成する（工程Ｐ２０５）。支持基板５１は、ガラスエポキシ樹脂などによって形成される。複層金属シート５４は、互いに接着された２枚の銅箔５５，５６（第１金属シート，第２金属シート）から構成されている。銅箔５５，５６同士の接着は、後の工程で互いに剥離できる程度の接着力で行われる。具体的には、金属めっきによって接着される。さらに具体的には、クロムめっき、ニッケルめっき及びチタンめっき、並びにこれらの複合めっきの何れかによって接着される。

次に、図５に示すように、複層金属シート５４上に、めっきレジスト層５２を形成する（工程Ｐ２１０）。具体的には、無電解銅めっきによって、支持基板５１と複層金属シート５４とを覆う全面めっき層を形成する。そして、複層金属シート５４上に、ドライフィルムをラミネートし、このドライフィルムに対して露光および現像（以下「露光現像」という）を施すと、めっきレジスト層５２が形成される。めっきレジスト層５２には、所望のパターンの開口部が設けられている。

続いて、図６に示すように、複層金属シート５４上に金属導体部５７を形成する（工程Ｐ２１５）。具体的には、めっきレジスト層５２の開口部を利用し、電解銅めっきを実施する。その後、めっきレジスト層５２を剥離すると、図６に示す状態になる。金属導体部５７は、図６に示すように凸状である。

次に、図７に示すように、エッチングによって、金属導体部５７から湾曲導体部５８を形成する（工程Ｐ２２０）。図７に示すように、湾曲導体部５８は、断面形状が湾曲している。湾曲導体部５８の形状は、キャビティ１５の形状を転写するためのものである。エッチングには、例えば、塩化第二鉄水溶液を用いる。エッチング後の断面形状は、エッチングの条件によって変化する。エッチングの条件とは、水溶液の濃度等の変化に伴って変化するエッチングスピード等である。狙いの形状が得られるように、本実施形態ではエッチングの条件を、実験によって適宜、決定した。

続いて、湾曲導体部５８の表面を粗化する（工程Ｐ２２５）。粗化を実施すると、湾曲導体部５８と感光性の絶縁性樹脂層（後述）との密着性が高まる。

その後、図８に示すように、複層金属シート５４と湾曲導体部５８とを覆うように反射膜２１を形成する（工程Ｐ２３０）。反射膜２１の素材は、感光性の絶縁性樹脂層であり、具体的には白色のソルダーレジスト層である。用意したソルダーレジストフィルムをラミネートすることで、反射膜２１を形成する。

次に、図９に示すように、反射膜２１に第１ビア穴３３ａ，３３ｂを形成する（工程Ｐ２３５）。この形成は、めっきレジスト層５２と同様に、露光現像を利用して実施する。この後、第１ビア穴３３ａ，３３ｂ内のデスミア処理を実施する（工程Ｐ２４０）。デスミア処理とは、スミア（樹脂の付着物）を除去する処理のことである。デスミア処理には、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いる。後述するデスミア処理においても、同じ手法を用いる。

続いて、図１０に示すように、接続端子３４ａ，３４ｂを形成する（工程Ｐ２４５）。この形成は、無電解銅めっき及び電解銅めっきによって実行する。接続端子３４ａ，３４ｂは、第１ビア穴３３ａ，３３ｂ内に設けられたビア導体と、反射膜２１上に設けられる導体層とからなる。接続端子３４ａ，３４ｂは各々、湾曲導体部５８と導通する。

次に、図１１に示すように、接続端子３４ａ，３４ｂの導体層を覆うように、絶縁層５０を形成する（工程Ｐ２５０）。絶縁層５０は、樹脂製であり、反射膜２１とは異なる材料で形成される。

続いて、図１２に示すように、絶縁層５０に第２ビア穴３５ａ，３５ｂを形成する（工程Ｐ２５５）。この形成には、レーザ加工を用いる。第２ビア穴３５ａ，３５ｂは、接続端子３４ａ，３４ｂの導体層の一部を露出させる。次に、第２ビア穴３５ａ，３５ｂにデスミア処理を施す（工程Ｐ２６０）。

続いて、図１３に示すように、導体部３６ａ，３６ｂを形成する（工程Ｐ２６５）。この形成は、無電解銅めっき及び電解銅めっきによって実行する。導体部３６ａ，３６ｂは、第２ビア穴３５ａ，３５ｂ内に設けられたビア導体と、絶縁層５０上に設けられる導体層とからなる。導体部３６ａは、接続端子３４ａと導通する。導体部３６ｂは、接続端子３４ｂと導通する。

次に、図１４に示すように、導体部３６ａ，３６ｂの導体層を覆うように、反射膜２３を形成する（工程Ｐ２７０）。反射膜２３の素材は、反射膜２１のものと同じである。

続いて、図１５に示すように、反射膜２３に開口部３７ａ，３７ｂを形成する（工程Ｐ２７５）。この形成は、反射膜２１に形成した接続端子３４ａ，３４ｂと同様に、露光現像を利用して実施する。開口部３７ａは、導体部３６ａの導体層を露出させる。開口部３７ｂは、導体部３６ａの導体層を露出させる。

次に、図１６に示すように、これまでの工程によって形成した積層体全体の端を切り落とす（工程Ｐ２８０）。このように切り落とすことによって、図１６に示すように、複層金属シート５４の端が露出する。

続いて、図１７に示すように、銅箔５５と銅箔５６とを剥離させる（工程Ｐ２８５）。最後に、銅箔５５と湾曲導体部５８とを除去する（工程Ｐ２９０）。この除去には、エッチング液を用いる。この除去によって、図１に示す基板１０が完成する。

上記の製造方法による効果を述べる。下記の効果は、後述する実施形態２にも共通である。以下の説明において、実施形態２の場合を、括弧内に表記する。

周囲面Ｓ２（Ｓ１２）は、キャビティ１５（１１５）の形成に研磨（例えばバフ研磨）を用いる場合と比べ、表面粗さが小さくて滑らかである。このため、反射効率が向上する。

キャビティ１５（１１５）の形成に研磨を用いないので、微細化された配線パターンを傷つける虞が殆ど無い。

基板１０（１００）が樹脂製であるので、加工性に優れ、小型化が容易である。このため、基板１０（１００）は、例えば一辺が１ｍｍ以下の小型の発光素子搭載用配線基板に適している。

実施形態２を説明する。図１８及び図１９は、発光素子搭載用配線基板１００（以下「基板１００」という）の構成図である。図１８は、基板１００の平面図、図１９は、図１８の線分Ｘ−Ｘにおける基板１００の断面図である。

図２０及び図２１は、発光素子５００を実装した基板１００の構成図である。図２０は、発光素子５００及び基板１００の平面図、図２１は、図２０の線分Ｙ−Ｙにおける発光素子５００及び基板１００の断面図である。発光素子５００は、図２０及び図２１に示すように、無色透明の封止樹脂Ｍによって封止されている。

図１９に示すように、基板１００は、コア基板１０１と、導体層１０２と、導体層１０３と、複数のビア導体１０４ｂと、反射膜１０５とを備える。導体層１０２は、コア基板１０１の裏面側に形成される。導体層１０３は、コア基板１０１の表面側に形成される。表面側とは、発光素子が実装される側の面のことである。複数のビア導体１０４ｂの各々は、導体層１０２と導体層１０３とを接続する。反射膜１０５は、コア基板１０１の表面側に設けられる。

コア基板１０１は、絶縁性の耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状の樹脂製基板であり、絶縁層として機能する。

コア基板１０１は、補強材を含む。補強材は、本実施形態では、インバー（invar）である。インバーは、熱膨張率が小さいため、コア基板１０１内にインバーを含ませることで、温度変化に伴うコア基板１０１の熱膨張と熱収縮とを抑制できる。この結果、基板１００の信頼性が向上する。

導体層１０２は、複数の接続端子１０２ａ，１０２ｂと配線（図示しない）とを有する。配線は、接続端子１０２ａ，１０２ｂと接続される。導体層１０３は、複数の接続端子１０３ａ，１０３ｂと、配線（図示しない）を有する。接続端子１０３ａ，１０３ｂには、発光素子５００が実装される。配線は、接続端子１０３ａ，１０３ｂと接続される。

発光素子５００は、半田Ｐを介して、発光素子５００の接続端子５００ａを接続端子１３０ａ，１０３ｂに接続することによって、基板１００に実装される。導体層１０２及び導体層１０３は、コア基板１０１を貫通するビア導体１０４ｂによって電気的に接続されている。導体層１０２、導体層１０３及びビア導体１０４ｂは、電気伝導性の高い材料、例えば、銅で形成される。

基板１００には、キャビティ１１５が形成される。反射膜１０５は、キャビティ１１５内において、周囲面Ｓ１２と底面Ｓ１４とを形成する。反射膜１０５は、キャビティ１１５の外においてコア基板１０１の表面と平行な上面Ｓ１１を形成する。周囲面Ｓ１２は、発光素子５００の実装領域を取り囲む面である。本実施形態における周囲面Ｓ１２は、全体が湾曲面として形成されている。底面Ｓ１４は、実装領域内において複数の接続端子１０２ａ，１０２ｂの上端Ｓ１３よりも低く位置する平面である。接続端子１０３ａ，１０３ｂの外周面は、周囲面Ｓ１２に、つまり反射膜１０５に接している。

周囲面Ｓ１２の湾曲は、次のように表現できる。周囲面Ｓ１２上おける任意の点Ｔ１１から、絶縁層であるコア基板１０１に対して離れる側に向かう接線と、点Ｔ１１からコア基板１０１の表面と平行に、接続端子１０３ａから離れる側に向かう平行線との角度θは、０度＜θ＜９０度を満たす。

キャビティ１１５内において、接続端子１０３ａ，１０３ｂの上端Ｓ１３が、反射膜１０５の一部としての底面Ｓ１４や、周囲面Ｓ１２と接続端子１０３ａ，１０３ｂの接続部位よりも高い位置にあり、接続端子１０３ａ，１０３ｂの外周面の一部が反射膜１０５から露出する。この露出によって、発光素子５００によって発生する熱が放熱されやすい。

図２２は、基板１００の製造工程図である。以下、製造工程の説明図として、図２３〜図３３を参照する。

まず、図２３に示すように、板状の樹脂製基板の表面および裏面に銅箔Ｌ１，Ｌ２が貼り付けられたコア基板１０１を準備する（工程Ｐ４０５）。

次に、図２４に示すように、コア基板１０１に、ビア孔１０４ａ形成する（工程Ｐ４１０）。ビア孔１０４ａは、貫通孔であり、ドリルによって形成される。続いて、ビア孔１０４ａにデスミア処理を施す（工程Ｐ４１５）。

続いて、図２５に示すように、ビア孔１０４ａ内にビア導体１０４ｂを形成するとともに、コア基板１０１の表面および裏面にめっき層Ｍ１，Ｍ２を形成する（工程Ｐ４２０）。ビア導体１０４ｂとめっき層Ｍ１，Ｍ２との形成には、無電解銅めっき及び電解銅めっきを用いる。めっき層Ｍ１，Ｍ２は、先述した導体層１０２，１０３の元となる。銅箔Ｌ１，Ｌ２は、工程Ｐ４２０によって、めっき層Ｍ１，Ｍ２と一体となるので、めっき層Ｍ１，Ｍ２の一部として図示されている。

次に、図２６に示すように、めっき層Ｍ１，Ｍ２の表面において、感光性のドライフィルムＤＦ１，ＤＦ２を所望のパターンに成形する（工程Ｐ４２５）。具体的には、ドライフィルムＤＦ１，ＤＦ２をめっき層Ｍ１，Ｍ２の表面にラミネートした後、露光現像を施す。

続いて、図２７に示すように、パターン成形したドライフィルムＤＦ１，ＤＦ２をマスクとして、めっき層Ｍ１，Ｍ２をエッチングする（工程Ｐ４３０）。本実施形態では、微細化に対応するためにドライエッチングを用いる。

次に、図２８に示すように、ドライフィルムＤＦ１，ＤＦ２を剥離する（工程Ｐ４３５）。この結果、所望のパターンに成形された導体層１０２，１０３を得ることができる。

続いて、図２９に示すように、反射膜１０５となる感光性の絶縁性樹脂層をコア基板１０１の表面側にコートする（工程Ｐ４４０）。反射膜１０５の厚みＤ１が、導体層１０３の厚みＤ３よりも厚いものをラミネートする。感光性の絶縁性樹脂層は、本実施形態では、ソルダーレジスト層である。

次に、図３０に示すように、マスクＭＳを用い、キャビティ１２５の予定領域の外側に位置する絶縁性樹脂層を光硬化させる（工程Ｐ４４５）。キャビティ１２５とは、キャビティ１１５の元となる形状を有するキャビティである。

続いて、炭酸ナトリウム水溶液に、製造途中の基板１００を浸漬する（工程Ｐ４５０）。図３１は、膨潤した部位を、ハッチングで模式的に示す。浸漬させる時間は、短時間である。具体的には、未感光部の絶縁性樹脂層の表面が、若干膨潤する程度の時間である。水溶液の濃度は、本実施形態では１質量％に設定した。

その後、図３２に示すように、膨潤した絶縁性樹脂層を水洗によって乳化させる（工程Ｐ４５５）。上記の浸漬（工程Ｐ４５０）と水洗（工程Ｐ４５５）とを１回ずつ実施した場合に、導体層１０３の接続端子１０３ａ，１０３ｂが露出しないときがある。このようなときは、接続端子１０３ａ，１０３ｂが露出するまで、上記の浸漬と水洗とを繰り返す。

次に、膨潤および乳化した絶縁性樹脂層を製造途中の基板１００から除去する（工程Ｐ４６０）。これによって、図３３に示すように、キャビティ１２５が形成される。

その後、未感光の絶縁性樹脂層を熱硬化させる（工程Ｐ４６５）。具体的には、初めは低温で、その後、１００〜２００℃で３０〜６０分間、加熱する。本実施形態では、１５０℃、６０分間の条件を採用した。

続いて、熱硬化させた絶縁性樹脂層を、光硬化させる（工程Ｐ４７０）。光硬化には、紫外線を用いる。積算照射量は、０．５Ｊ／ｃｍ^２以上、２．５Ｊ／ｃｍ^２以下が好ましく、１Ｊ／ｃｍ^２以上、２Ｊ／ｃｍ^２以下が更に好ましい。

このように熱硬化、光硬化の順で絶縁性樹脂層に作用させると、壁面Ｓ１２ａが周囲面Ｓ１２（図１９）に変化した状態で硬化する。つまり、キャビティ１２５が、キャビティ１１５（図１９）に変形した状態で、反射膜１０５が硬化する。この結果、基板１００が完成する。

実施形態３を説明する。図３４は、発光素子搭載用配線基板２００（以下「基板２００」という）を示す。基板２００は、実装領域において、周囲面Ｓ１２の代わりに周囲面Ｓ２２を備える点において、基板１００と異なる。

周囲面Ｓ２２は、湾曲面Ｓ２２１と平面Ｓ２２２とから構成される。湾曲面Ｓ２２１は、平面Ｓ２２２と滑らかに接続される。平面Ｓ２２２は、コア基板１０１の表面と平行な平面であり、湾曲面Ｓ２２１と接続端子１０２ａ，１０３ａとを接続する。このような接続は「湾曲面Ｓ２２１と平面Ｓ２２２との接続部位において、エッジが立っていない」と表現することもできる。或いは、「周囲面Ｓ２２の断面形状は、任意の点で微分可能である」と表現することもできる。実施形態２で定義したθは、平面Ｓ２２２との接続部位においてθ＝０度である。

周囲面Ｓ２２の形成は、光硬化に用いるマスクの形状（工程Ｐ４４５）及びポスト硬化の条件（工程Ｐ４６５，Ｐ４７０）を、実施形態２から変更することによって実現される。

基板２００によれば、平面Ｓ２２２によってキャビティ内の反射膜の面積を広げることができる。さらに、湾曲面Ｓ２２１と平面Ｓ２２２とが滑らかに接続されているので、光の反射角を滑らかに変化させることができ、ひいては平行光の反射効率を向上させやすくなる。

本発明は、本明細書の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、先述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、先述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことができる。その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除できる。例えば、以下のものが例示される。

実施形態１についての変形例は、次のものが例示される。
ビア穴の形成に、レーザ加工を用いてもよい。レーザとしては、エキシマレーザ、ＵＶレーザ、ＣＯ_２レーザなどを用いてもよい。
デスミア処理には、Ｏ_２プラズマによるプラズマアッシングの処理を用いてもよい。
支持基板に複層金属シートを積層する工程（Ｐ２０５）は、実施しなくてもよい。この工程を実施しない場合、複層金属シートが積層された支持基板を準備してもよい。この準備として、例えば、購入をしてもよい。

実施形態１では銅箔として例示された第１金属シート自体が、複層構造を有してもよい。この場合、剥離工程（Ｐ２８５）において剥離される面が、第１金属シートと第２金属シートとの境界となる。第２金属シートについても同様に、それ自体が複層構造を有してもよい。
反射膜２１の高さＨ１は、導体部３６ａ，３６ｂの高さＨ２より低くてもよい。
周囲面は、実施形態３のように平面を含んでもよいし、接線が絶縁層の表面と直交する部位を含んでもよい。つまり、θ＝０度やθ＝９０度の部位を含んでもよい。

実施形態２についての変形例は、次のものが例示される。
ビア孔は、ドリル以外の加工方法、例えばレーザ加工によって形成してもよい。
めっき層のエッチングは、ウェットエッチングでもよい。
周囲面Ｓ１２は、接続端子１０３ａ，１０３ｂと接触する部位において、露出部Ｓ３と高さが同じでもよい。
周囲面は、コア基板の表面と直交する部位を含んでもよい。つまり、θ＝９０度の部位を含んでもよい。
多層基板の一部を、実施形態２として説明した構成にしてもよい。

１０…基板
１５…キャビティ
２１…反射膜
２３…反射膜
３３ａ…第１ビア穴
３３ｂ…第１ビア穴
３４ａ…接続端子
３４ｂ…接続端子
３５ａ…第２ビア穴
３５ｂ…第２ビア穴
３６ａ…導体部
３６ｂ…導体部
３７ａ…開口部
３７ｂ…開口部
５０…絶縁層
５１…支持基板
５２…めっきレジスト層
５４…複層金属シート
５５…銅箔
５６…銅箔
５７…金属導体部
５８…湾曲導体部
５９…金属シート付き基材
１００…基板
１０１…コア基板
１０２…導体層
１０２ａ…接続端子
１０２ｂ…接続端子
１０３…導体層
１０３ａ…接続端子
１０３ｂ…接続端子
１０４ａ…ビア孔
１０４ｂ…ビア導体
１０５…反射膜
１１５…キャビティ
１２５…キャビティ
１３０ａ…接続端子
２００…基板
５００…発光素子
５００ａ…接続端子
ＤＦ１…ドライフィルム
ＤＦ２…ドライフィルム
Ｌ１…銅箔
Ｌ２…銅箔
Ｍ…封止樹脂
ＭＳ…マスク
Ｐ…半田
Ｓ１…上面
Ｓ２…周囲面
Ｓ３…露出部
Ｓ４…底面
Ｓ１１…上面
Ｓ１２…周囲面
Ｓ１２ａ…壁面
Ｓ１３…上端
Ｓ１４…底面
Ｓ２２…周囲面
Ｓ２２１…湾曲面
Ｓ２２２…平面

Claims (5)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層上において、発光素子の実装領域に形成された複数の接続端子と、
   前記絶縁層上に積層され、前記実装領域を取り囲んでキャビティを形成する周囲面として構成された部位を含む反射膜と
   を備える発光素子搭載用配線基板であって、
   前記接続端子の外周面は、前記反射膜と接しており、
   前記周囲面の少なくとも一部は、湾曲面として形成されており、
   前記絶縁層の表面に対して垂直な方向に沿った切断面において、前記湾曲面の任意の点から前記絶縁層から離れる側に向かう接線と、前記任意の点から前記絶縁層の表面と平行に前記接続端子から離れる側に向かう平行線と、の角度は０度よりも大きく９０度よりも小さいこと
   を特徴とする発光素子搭載用配線基板。
2. 前記反射膜は、前記実装領域に配置された部位を含むこと
   を特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用配線基板。
3. 前記反射膜は、前記接続端子の外周面と接する部位において、前記絶縁層の表面に対して垂直な方向についての高さが、前記接続端子の高さと同じであること
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子搭載用配線基板。
4. 請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板を製造する方法であって、
   基材と、前記基材上に積層された第１金属シートと、前記第１金属シート上に積層された第２金属シートと、を有する金属シート付き基材を準備する工程と、
   前記第２金属シート上に、開口部を有するめっきレジスト層を形成する工程と、
   前記開口部内にめっきを実施することで、凸状の金属導体部を、前記第２金属シート上に形成する工程と、
   前記金属導体部をエッチングすることによって、前記金属導体部を、前記周囲面に対応した形状に加工する工程と、
   前記反射膜となる絶縁性樹脂層で前記金属導体部を被覆する工程と、
   前記第２金属シートから、前記第１金属シートを剥離する工程と、
   前記第２金属シートと前記金属導体部とを前記絶縁性樹脂層から除去する工程と
   を含むことを特徴とする製造方法。
5. 請求項１から請求項３までの何れか一項に記載の発光素子搭載用配線基板を製造する方法であって、
   前記絶縁層上に前記複数の接続端子を形成する工程と、
   前記絶縁層と前記複数の接続端子とを、前記反射膜となる感光性の絶縁性樹脂層で被覆する工程と、
   前記感光性の絶縁性樹脂層に露光および現像を施すことによって、前記絶縁性樹脂層に凹みを形成する工程と、
   前記凹みが形成された絶縁性樹脂層に、熱硬化を施し、その後、光硬化を施すことで、前記凹みの壁面を前記湾曲面に変形させる工程と
   を含むことを特徴とする製造方法。

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