JP2016018734A

JP2016018734A - Display device and method of manufacturing the same

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Publication number: JP2016018734A
Application number: JP2014142371A
Authority: JP
Inventors: 石井　良典; Yoshinori Ishii; 良典石井; 佐藤　敏浩; Toshihiro Sato; 敏浩佐藤; 利雄東條; Toshio Tojo
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2014-07-10
Filing date: 2014-07-10
Publication date: 2016-02-01
Also published as: KR20160007359A; CN105261631A; US9559154B2; US20160013254A1; CN105261631B

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device capable of suppressing generation of display unevenness.SOLUTION: A display device according to one embodiment of the present invention includes: a first substrate; a pixel electrode provided to each pixel above the first substrate; a first partition wall which is arranged so as to cover an edge of the pixel electrode; a second partition wall which is arranged so as to cover the other edge of the pixel electrode and is lower than the first partition wall; a solid filler which is arranged above the first partition wall and the second partition wall; and a second substrate which faces the first substrate and is spaced apart by the first partition wall, the second partition wall and the filler.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に関し、開示される一実施形態は貼り合せられた基板間の構造に関する。 The present invention relates to a display device and a method for manufacturing the display device, and one disclosed embodiment relates to a structure between bonded substrates.

近年、モバイル用途の発光表示装置において、高精細化や低消費電力化に対する要求が強くなってきている。モバイル用途の表示装置としては、液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display Device）や、有機ＥＬ表示装置等の自発光素子（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode）を利用した表示装置や、電子ペーパー等が採用されている。 In recent years, there is an increasing demand for high definition and low power consumption in light emitting display devices for mobile use. Examples of mobile display devices include liquid crystal display devices (LCD), display devices using organic light-emitting diodes (OLEDs) such as organic EL display devices, and electronic paper. It has been adopted.

その中でも、有機ＥＬ表示装置や電子ペーパーは液晶表示装置で必要であったバックライトや偏光板が不要であり、さらに発光素子の駆動電圧が低いため、低消費電力かつ薄型発光表示装置として非常に注目を集めている。特に、発光素子として白色の発光素子を使用し、カラーフィルタを使用することでフルカラーを実現する上面出射型（トップエミッション型ともいう）の有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。上記のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、画素の開口率の向上と高精細化とを両立することができるため、非常に注目を集めている。 Among them, the organic EL display device and electronic paper do not require a backlight or polarizing plate, which is necessary for a liquid crystal display device, and the driving voltage of the light emitting element is low. It attracts attention. In particular, development of an organic EL display device of a top emission type (also referred to as a top emission type) that achieves full color by using a white light emitting element as a light emitting element and using a color filter is in progress. The above-mentioned top emission type organic EL display device has attracted a great deal of attention because it can achieve both improvement in the aperture ratio of the pixel and high definition.

高精細のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、発光層と対向基板との距離が異なると、光路長の差に起因した表示ムラが発生することが知られている。したがって、上記の表示ムラを抑制するために、発光層やトランジスタ層が配置されたアレイ基板と対向基板との間にスペーサを配置する技術が進められている（例えば、特許文献１）。ここで、スペーサの高さがアレイ基板と対向基板との間に充填される充填材の厚さと同等又は高い場合は、アレイ基板と対向基板との間隔はスペーサの高さで制御することができる。 In a high-definition top emission type organic EL display device, it is known that display unevenness due to a difference in optical path length occurs when the distance between the light emitting layer and the counter substrate is different. Therefore, in order to suppress the display unevenness, a technique for arranging a spacer between an array substrate on which a light emitting layer and a transistor layer are arranged and a counter substrate has been advanced (for example, Patent Document 1). Here, when the height of the spacer is equal to or higher than the thickness of the filler filled between the array substrate and the counter substrate, the distance between the array substrate and the counter substrate can be controlled by the height of the spacer. .

一方で、高精細な表示装置では、アレイ基板と対向基板の間の充填材が厚いと、発光層から放出された光が隣接する画素から外部に放出されてしまう現象が問題となる。特に、対向基板側にカラーフィルタが配置された構造では、隣接する画素間の光漏れによる混色が発生してしまう。混色を抑制するためには発光層とカラーフィルタの距離を短くする必要があり、例えば、従来使用されていたスペーサの代わりに画素を画定する隔壁及び充填材をスペーサとする構造が開発されている。この構造においては、アレイ基板と対向基板との間隔はスペーサの高さとスペーサ上の充填材の厚さとを基板面内で均一に制御する必要がある。 On the other hand, in a high-definition display device, if the filler between the array substrate and the counter substrate is thick, the phenomenon that light emitted from the light emitting layer is emitted to the outside from adjacent pixels becomes a problem. In particular, in a structure in which a color filter is disposed on the counter substrate side, color mixture due to light leakage between adjacent pixels occurs. In order to suppress color mixing, it is necessary to shorten the distance between the light emitting layer and the color filter. For example, instead of the conventionally used spacer, a structure using partition walls and fillers to define pixels as spacers has been developed. . In this structure, the distance between the array substrate and the counter substrate needs to be controlled uniformly within the substrate surface with respect to the height of the spacer and the thickness of the filler on the spacer.

特開２００６−２５２９８８号公報JP 2006-252988 A

本発明は、表示ムラの発生を抑制することができる表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 An object of this invention is to provide the display apparatus which can suppress generation | occurrence | production of display nonuniformity, and its manufacturing method.

本発明の一実施形態による表示装置は、第１基板と、第１基板の上方において各々の画素に配置された画素電極と、画素電極の端部を覆うように配置された第１隔壁と、画素電極の端部を覆うように配置され、第１隔壁よりも低い第２隔壁と、第１隔壁及び第２隔壁の上方に配置された固体の充填材と、第１基板に対向し、第１隔壁、第２隔壁、及び充填材によって間隔を保持された第２基板と、を有する。 A display device according to an embodiment of the present invention includes a first substrate, a pixel electrode disposed on each pixel above the first substrate, a first partition disposed to cover an end of the pixel electrode, A second partition wall lower than the first partition wall, a solid filler disposed above the first partition wall and the second partition wall, and a first substrate facing the first substrate; 1 partition, a 2nd partition, and the 2nd board | substrate by which the space | interval was hold | maintained with the filler.

また、別の好ましい態様において、第２隔壁上の充填材は、第１隔壁上の充填材に比べて厚くてもよい。 In another preferred embodiment, the filler on the second partition may be thicker than the filler on the first partition.

また、別の好ましい態様において、第１隔壁は、第２隔壁によって囲まれた領域の内側及び外側の領域に配置されていてもよい。 Moreover, in another preferable aspect, the 1st partition may be arrange | positioned in the area | region inside and the outer side of the area | region enclosed by the 2nd partition.

また、別の好ましい態様において、第２隔壁は、環状に配置されていてもよい。 Moreover, in another preferable aspect, the 2nd partition may be arrange | positioned cyclically | annularly.

また、別の好ましい態様において、充填材の周囲に配置されたシール材をさらに有してもよい。 Moreover, in another preferable aspect, you may further have the sealing material arrange | positioned around the filler.

また、別の好ましい態様において、第２隔壁は、シール材に沿って配置されていてもよい。 Moreover, in another preferable aspect, the 2nd partition may be arrange | positioned along the sealing material.

また、別の好ましい態様において、充填材と第２基板との間に、画素に対応して配置された、特定波長の光を透過するカラーフィルタと、をさらに有し、隣接するカラーフィルタの透過する光の波長は異ってもよい。 Moreover, in another preferable aspect, it further has a color filter that is arranged corresponding to the pixel and transmits light of a specific wavelength between the filler and the second substrate, and is transmitted through the adjacent color filter. The wavelength of the light to be emitted may be different.

また、別の好ましい態様において、隣接する画素間には遮光層が配置されていてもよい。 In another preferred embodiment, a light shielding layer may be disposed between adjacent pixels.

また、別の好ましい態様において、発光層は白色光を放出してもよい。 In another preferred embodiment, the light emitting layer may emit white light.

本発明の一実施形態による表示装置の製造方法は、第１基板の上方に各々の画素に配置された画素電極を形成し、画素電極の端部を覆うように、第１隔壁と、第１隔壁よりも低い第２隔壁とを形成し、第２基板の上方に充填材を形成し、第１隔壁、第２隔壁、及び充填材によって間隔が保持されるように、第１基板と第２基板とを貼り合せる。 According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display device, wherein a pixel electrode disposed in each pixel is formed above a first substrate, and a first partition is formed to cover an end portion of the pixel electrode. A second partition wall lower than the partition wall is formed, a filler is formed over the second substrate, and the first substrate and the second substrate are spaced by the first partition wall, the second partition wall, and the filler material. Bond the substrate.

また、別の好ましい態様において、第１隔壁及び第２隔壁は、同一工程で形成されてもよい。 In another preferred embodiment, the first partition and the second partition may be formed in the same process.

また、別の好ましい態様において、第１隔壁及び第２隔壁は、多階調マスクを使用して形成されてもよい。 In another preferred embodiment, the first partition and the second partition may be formed using a multi-tone mask.

また、別の好ましい態様において、第１基板及び第２基板を貼り合せたときに、第２隔壁の配置された位置の充填材が第１隔壁の配置された位置の充填材よりも厚くなるように充填材を形成する位置を調整してもよい。 In another preferred embodiment, when the first substrate and the second substrate are bonded together, the filler at the position where the second partition is disposed is thicker than the filler at the position where the first partition is disposed. The position where the filler is formed may be adjusted.

本発明の実施形態１における表示装置の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置のＡ−Ｂ断面図を示す図である。It is a figure which shows AB sectional drawing of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法のフローチャートを示す図である。It is a figure which shows the flowchart of the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、アレイ基板上にトランジスタ層及び画素電極を形成する工程を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a process of forming a transistor layer and a pixel electrode on an array substrate in the display device manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、多階調マスクを使用して樹脂層を露光する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of exposing a resin layer using a multi-tone mask in the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、隔壁を形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of forming a partition in the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、発光層及び共通電極を形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of forming a light emitting layer and a common electrode in the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、保護層を形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of forming a protective layer in the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、対向基板側に充填材を形成する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of forming a filler in the counter substrate side in the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、アレイ基板と対向基板とを貼り合せる工程を示す図である。It is a figure which shows the process of bonding an array board | substrate and a counter substrate in the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、対向基板上にシール材を塗布する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of apply | coating a sealing material on a counter substrate in the bonding process of the array board | substrate of a display apparatus and counter substrate in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、対向基板上に充填材を塗布する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of apply | coating a filler on a counter substrate in the bonding process of the array substrate of a display apparatus and counter substrate in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、アレイ基板と対向基板とを真空中で貼り合せる工程を示す図である。It is a figure which shows the process of bonding an array substrate and a counter substrate in a vacuum in the bonding process of the array substrate and counter substrate of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、アレイ基板を対向基板に押圧して充填材を伸延させる工程を示す図である。It is a figure which shows the process of pressing an array board | substrate to a counter substrate and extending a filler in the bonding process of the array board | substrate and counter substrate of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、アレイ基板と対向基板とを大気圧で押圧する工程を示す図である。It is a figure which shows the process of pressing an array substrate and a counter substrate by atmospheric pressure in the bonding process of the array substrate and counter substrate of a display apparatus in Embodiment 1 of this invention. 比較例における表示装置の平面図を示す図である。It is a figure which shows the top view of the display apparatus in a comparative example. 比較例における表示装置のＣ−Ｄ断面図を示す図である。It is a figure which shows CD sectional drawing of the display apparatus in a comparative example.

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate modifications while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. In addition, the drawings may be schematically represented with respect to the width, thickness, shape, and the like of each part in comparison with actual aspects for the sake of clarity of explanation, but are merely examples, and the interpretation of the present invention is not limited. It is not limited. In addition, in the present specification and each drawing, elements similar to those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description may be omitted as appropriate.

〈実施形態１〉
［実施形態１における表示装置１０の構成］
図１及び２を用いて、本発明の実施形態１における表示装置１０の構成を説明する。実施形態１の表示装置１０は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、隔壁及び充填材を使用してアレイ基板と対向基板との間隔を保持する構造について説明する。 <Embodiment 1>
[Configuration of Display Device 10 in Embodiment 1]
The configuration of the display device 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The display device 10 according to the first embodiment is a top emission type organic EL display device, in which a structure is described in which a partition and a filler are used to maintain a distance between an array substrate and a counter substrate.

図１は、本発明の実施形態１における表示装置の平面図を示す図である。図１に示すように、表示装置１０は、アレイ基板と対向基板とが貼り合せられた貼り合せ基板９００の周辺部にシール材１１０が配置され、シール材１１０の内側に充填材１２０が配置されている。換言すると、表示装置１０は、充填材１２０の周囲に配置されたシール材１１０を有する。ここで、充填材１２０は貼り合せ基板９００の内側から、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３に分けられる。図１では、第１乃至第３領域は境界線（点線）によって分離されているが、これらの領域間の境界は必ずしも明確である必要はない。上記の第１乃至第３領域の構造上の相違点について、図２を用いて詳細に説明する。 FIG. 1 is a diagram showing a plan view of a display device according to Embodiment 1 of the present invention. As shown in FIG. 1, in the display device 10, a sealing material 110 is disposed around a bonded substrate 900 in which an array substrate and a counter substrate are bonded, and a filler 120 is disposed inside the sealing material 110. ing. In other words, the display device 10 includes the sealing material 110 disposed around the filler 120. Here, the filler 120 is divided into a first region 121, a second region 122, and a third region 123 from the inside of the bonded substrate 900. In FIG. 1, the first to third regions are separated by a boundary line (dotted line), but the boundary between these regions does not necessarily have to be clear. The structural differences between the first to third regions will be described in detail with reference to FIG.

ここで、実施形態１で説明するように、シール材１１０及び充填材１２０をアレイ基板１００又は対向基板２００に形成してから、アレイ基板１００及び対向基板２００を貼り合せる製造方法で表示装置１０を作製する場合、第２領域１２２の充填材１２０が第１領域１２１及び第３領域１２３の充填材１２０に比べて厚く形成されてしまう。 Here, as described in Embodiment 1, the display device 10 is manufactured by a manufacturing method in which the sealant 110 and the filler 120 are formed on the array substrate 100 or the counter substrate 200 and then the array substrate 100 and the counter substrate 200 are bonded to each other. When manufactured, the filler 120 in the second region 122 is formed thicker than the filler 120 in the first region 121 and the third region 123.

図２は、本発明の実施形態１における表示装置のＡ−Ｂ断面図を示す図である。図２によると、表示装置１０は、アレイ基板１００と、アレイ基板１００の上方において各々の画素に配置されたトランジスタ層１３０及び画素電極１４０と、各々の画素を画定し、画素電極１４０のパターン端部を覆うように配置された隔壁１５０と、画素電極１４０及び隔壁１５０の上方に配置された光を放出する発光層１６０及び発光層１６０に電力を供給する共通電極３４０と、発光層１６０及び共通電極３４０の上方に配置された透湿性の低い保護層１７０と、保護層１７０上、つまり隔壁１５０の上方に配置された固体の充填材１８０と、アレイ基板１００に対向し、隔壁１５０及び充填材１８０によって間隔を保持された対向基板２００とを有する。図２において、対向基板２００は、隣接する画素間に配置された遮光層２１０と、各々の画素に対応して配置され、特定波長の光を透過するカラーフィルタ２３０と、遮光層２１０及びカラーフィルタ２３０を覆うオーバーコート層２５０とを有する。 FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AB of the display device according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIG. 2, the display device 10 defines an array substrate 100, a transistor layer 130 and a pixel electrode 140 disposed in each pixel above the array substrate 100, and each pixel, and a pattern end of the pixel electrode 140. A partition 150 disposed so as to cover the portion, a light emitting layer 160 that emits light disposed above the pixel electrode 140 and the partition 150, a common electrode 340 that supplies power to the light emitting layer 160, a light emitting layer 160, and a common A protective layer 170 having low moisture permeability disposed above the electrode 340, a solid filler 180 disposed on the protective layer 170, that is, above the partition 150, and the array substrate 100, the partition 150 and the filler. The counter substrate 200 is held at a distance by 180. In FIG. 2, the counter substrate 200 includes a light shielding layer 210 disposed between adjacent pixels, a color filter 230 disposed corresponding to each pixel and transmitting light of a specific wavelength, the light shielding layer 210, and the color filter. 230 and an overcoat layer 250 covering 230.

オーバーコート層２５０は、対向基板２００上（図２では、対向基板２００の紙面下方）に形成された、遮光層２１０と、カラーフィルタ２２０、２３０、２４０とによって形成された凹凸を緩和する。つまり、オーバーコート層２５０は、貼り合せ前の対向基板２００側の上面を平坦化する。 The overcoat layer 250 relieves unevenness formed by the light shielding layer 210 and the color filters 220, 230, and 240 formed on the counter substrate 200 (in FIG. 2, below the surface of the counter substrate 200). That is, the overcoat layer 250 planarizes the upper surface on the counter substrate 200 side before bonding.

ここで、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３のトランジスタ層１３０をそれぞれトランジスタ層１３１、１３２、１３３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３の画素電極１４０をそれぞれ画素電極１４１、１４２、１４３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３の隔壁１５０をそれぞれ隔壁１５１、１５２、１５３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３の発光層１６０をそれぞれ発光層１６１、１６２、１６３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３の共通電極３４０をそれぞれ共通電極３４１、３４２、３４３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３の保護層１７０をそれぞれ保護層１７１、１７２、１７３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３の充填材１８０をそれぞれ充填材１８１、１８２、１８３という。ここで、隔壁１５１の上方の充填材１８１の厚さを充填材厚さ１８４といい、隔壁１５２の上方の充填材１８２の厚さを充填材厚さ１８５といい、隔壁１５３の上方の充填材１８３の厚さを充填材厚さ１８６という。 Here, the transistor layers 130 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as transistor layers 131, 132, and 133, respectively. The pixel electrodes 140 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as pixel electrodes 141, 142, and 143, respectively. Further, the partition walls 150 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as partition walls 151, 152, and 153, respectively. The light emitting layers 160 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as light emitting layers 161, 162, and 163, respectively. The common electrodes 340 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as common electrodes 341, 342, and 343, respectively. The protective layers 170 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as protective layers 171, 172, and 173, respectively. The fillers 180 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as fillers 181, 182 and 183, respectively. Here, the thickness of the filler 181 above the partition 151 is referred to as filler thickness 184, the thickness of the filler 182 above the partition 152 is referred to as filler thickness 185, and the filler above the partition 153. The thickness of 183 is referred to as the filler thickness 186.

また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３の遮光層２１０をそれぞれ遮光層２１１、２１２、２１３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３のカラーフィルタ（Ｂ）２２０をそれぞれカラーフィルタ（Ｂ）２２１、２２２、２２３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３のカラーフィルタ（Ｇ）２３０をそれぞれカラーフィルタ（Ｇ）２３１、２３２、２３３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３のカラーフィルタ（Ｒ）２４０をそれぞれカラーフィルタ（Ｒ）２４１、２４２、２４３という。また、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３のオーバーコート層２５０をそれぞれオーバーコート層２５１、２５２、２５３という。 The light shielding layers 210 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as light shielding layers 211, 212, and 213, respectively. The color filters (B) 220 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as color filters (B) 221, 222, and 223, respectively. The color filters (G) 230 in the first area 121, the second area 122, and the third area 123 are referred to as color filters (G) 231, 232, and 233, respectively. The color filters (R) 240 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as color filters (R) 241, 242, and 243, respectively. The overcoat layers 250 in the first region 121, the second region 122, and the third region 123 are referred to as overcoat layers 251, 252, and 253, respectively.

ここで、隔壁１５２は、隔壁１５１及び隔壁１５３よりも低い。また、充填材厚さ１８５は、充填材厚さ１８４及び充填材厚さ１８６に比べて厚い。上記のように、第１乃至第３領域の隔壁の高さ及び充填材の厚さが異なることによって、充填材１８１、１８２、及び１８３の上面（オーバーコート層２５０と接する面）は、略一定の高さとなっている。 Here, the partition wall 152 is lower than the partition wall 151 and the partition wall 153. The filler thickness 185 is thicker than the filler thickness 184 and the filler thickness 186. As described above, the upper surfaces of the fillers 181, 182, and 183 (surfaces in contact with the overcoat layer 250) are substantially constant due to the height of the partition walls and the thickness of the filler in the first to third regions being different. It is the height of.

隔壁１５１及び１５３は、断面形状、平面形状共にほぼ同じであるので、両者を区別しないこともある。つまり、隔壁１５１及び１５３を併せて第１隔壁ということもある。一方、隔壁１５１及び１５３よりも低い隔壁１５２を第２隔壁ということもある。また、充填材１８１及び１８３は、ほぼ同じ厚さで形成されるので、両者を区別しないこともある。つまり、充填材１８１及び１８３を併せて第１充填材ということもある。一方、充填材１８１及び１８３よりも厚い充填材１８２を第２充填材ということもある。 The partition walls 151 and 153 have substantially the same cross-sectional shape and planar shape, and therefore may not be distinguished from each other. That is, the partition walls 151 and 153 may be collectively referred to as a first partition wall. On the other hand, the partition 152 lower than the partitions 151 and 153 may be referred to as a second partition. Moreover, since the fillers 181 and 183 are formed with substantially the same thickness, they may not be distinguished from each other. That is, the fillers 181 and 183 may be collectively referred to as the first filler. On the other hand, the filler 182 thicker than the fillers 181 and 183 may be referred to as a second filler.

ここで、アレイ基板１００とトランジスタ層１３０との間に、アレイ基板１００からの不純物がトランジスタ層１３０に拡散することを抑制するバリア層を配置してもよい。バリア層としては、窒化シリコン膜（ＳｉＮ_ｘ膜）、酸化ケイ素膜（ＳｉＯ_ｘ膜）、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ膜）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ_ｘ膜）、酸化アルミニウム膜（ＡｌＯ_ｘ膜）、窒化酸化アルミニウム膜（ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ膜）、酸化窒化アルミニウム膜（ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ膜）などを使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。 Here, a barrier layer that suppresses diffusion of impurities from the array substrate 100 into the transistor layer 130 may be disposed between the array substrate 100 and the transistor layer 130. As the barrier layer, a silicon nitride film (SiN _x film), a silicon oxide film (SiO _x film), a silicon nitride oxide film (SiN _x O _y film), a silicon oxynitride film (SiO _x N _y film), an aluminum nitride film (AlN _x film), aluminum oxide film (AlO _x film), aluminum nitride oxide film (AlO _x N _y film), aluminum oxynitride film (AlO _x N _y film), etc. can be used (x and y are Any). Further, a structure in which these films are stacked may be used.

また、トランジスタ層１３０に使用するトランジスタとして、一般的なものを使用することができ、例えば、トランジスタのチャネル層にアモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコン、酸化物半導体、有機半導体等を用いた、ボトムゲート型トランジスタやトップゲート型トランジスタを使用することができる。 In addition, a general transistor can be used as the transistor layer 130. For example, amorphous silicon, polysilicon, single crystal silicon, an oxide semiconductor, an organic semiconductor, or the like is used for a channel layer of the transistor. A bottom gate transistor or a top gate transistor can be used.

また、画素電極１４０に使用する導電層として、一般的な導電性材料を使用することができる。実施形態１に示す表示装置はトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であるので、画素電極１４０として反射率が高い材質を選択することができる。例えばアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、またはこれらの合金を使用することができる。また、上記の材料を使用した膜を積層させた構造であってもよい。 Further, a general conductive material can be used as the conductive layer used for the pixel electrode 140. Since the display device described in Embodiment 1 is a top emission type organic EL display device, a material having high reflectance can be selected for the pixel electrode 140. For example, aluminum (Al), titanium (Ti), molybdenum (Mo), chromium (Cr), nickel (Ni), silver (Ag), or an alloy thereof can be used. Alternatively, a structure in which films using the above materials are stacked may be used.

また、実施形態１では、説明の便宜上トランジスタ層１３０及び画素電極１４０が同じ形状を有するように描かれているが、トランジスタ層１３０及び画素電極１４０が同一の平面形状であることに限定するものではない。つまり、トランジスタ層１３０と画素電極１４０とが異なる平面形状を有していてもよく、例えば、トランジスタ層１３０が存在しない領域に画素電極１４０が形成されていてもよい。 In the first embodiment, the transistor layer 130 and the pixel electrode 140 are drawn so as to have the same shape for convenience of explanation. However, the transistor layer 130 and the pixel electrode 140 are not limited to the same planar shape. Absent. That is, the transistor layer 130 and the pixel electrode 140 may have different planar shapes. For example, the pixel electrode 140 may be formed in a region where the transistor layer 130 does not exist.

また、発光層１６０は白色光を放出する材料を使用し、発光層１６０から放出された白色光はカラーフィルタ（Ｂ）２２０、カラーフィルタ（Ｇ）２３０、カラーフィルタ（Ｒ）２４０を通過して、青色光、緑色光、赤色光として使用者に視認される。上記のように、表示装置１０において、隣接する画素のカラーフィルタの透過する光の波長は異なる。 The light emitting layer 160 uses a material that emits white light, and the white light emitted from the light emitting layer 160 passes through the color filter (B) 220, the color filter (G) 230, and the color filter (R) 240. It is visually recognized by the user as blue light, green light, and red light. As described above, in the display device 10, the wavelengths of light transmitted through the color filters of adjacent pixels are different.

また、白色光を放出する発光層１６０は、単層の有機ＥＬ層で構成されていてもよく、複数の有機ＥＬ層が積層されて構成されていてもよい。複数の有機ＥＬ層が積層された構造として、例えば、青色光と黄色光とを放出する有機ＥＬ層を積層させた構造や、青色光と緑色光と赤色光とを放出する有機ＥＬ層を積層させた構造を使用することができる。また、上記の構造に限定されず、複数の発光色の積層構造で白色光を放出する発光層を構成することができる。ここで、白色光とは、少なくとも青色光、緑色光、赤色光のそれぞれの波長を有する光であればよく、厳密な意味で白色であることに限定するものではない。 In addition, the light emitting layer 160 that emits white light may be configured by a single organic EL layer, or may be configured by stacking a plurality of organic EL layers. As a structure in which a plurality of organic EL layers are laminated, for example, a structure in which organic EL layers that emit blue light and yellow light are laminated, or an organic EL layer that emits blue light, green light, and red light is laminated. The structure made can be used. In addition, the present invention is not limited to the above structure, and a light emitting layer that emits white light can be configured with a stacked structure of a plurality of light emission colors. Here, the white light may be light having at least wavelengths of blue light, green light, and red light, and is not limited to white in a strict sense.

実施形態１に示すような、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置における共通電極３４０は、透光性が高い導電性材料を使用することができる。透光性が高い導電性材料として、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＩＺＯ（酸化インジウム・スズと酸化亜鉛の複合材料）などを使用することができる。 As the common electrode 340 in the top emission type organic EL display device as shown in the first embodiment, a conductive material having high translucency can be used. For example, ITO (indium tin oxide), ZnO (zinc oxide), IZO (composite material of indium tin oxide and zinc oxide), or the like can be used as the conductive material having high translucency.

また、保護層１７０は少なくとも発光層１６０を覆うように配置され、水分や不純物に対するブロッキング能力が高い材料を使用することができる。例えば、アレイ基板１００とトランジスタ層１３０との間に配置されるバリア層と同様に、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯ_ｘ膜、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ膜、ＡｌＮ_ｘ膜、ＡｌＯ_ｘ膜、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ膜、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ膜などを使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。 The protective layer 170 is disposed so as to cover at least the light emitting layer 160, and a material having a high blocking ability against moisture and impurities can be used. For example, similarly to the barrier layer disposed between the array substrate 100 and the transistor layer 130, a SiN _x film, a SiO _x film, a SiN _x O _y film, a SiO _x N _y film, an AlN _x film, an AlO _x film, An AlO _x N _y film, an AlO _x N _y film, or the like can be used (x and y are arbitrary). Further, a structure in which these films are stacked may be used.

また、遮光層２１０としては、Ｃｒなどの金属材料を用いてもよく、黒色に着色された樹脂材料を用いてもよい。遮光層２１０は画素が配置された表示領域及び駆動回路が配置された周辺領域に配置される。表示領域においては、各画素を画定する領域に、配線やトランジスタ等と重なるように配置される。また、周辺領域においては、表示領域とシール材との間の領域に配置される。 Further, as the light shielding layer 210, a metal material such as Cr may be used, or a resin material colored in black may be used. The light shielding layer 210 is arranged in a display area where pixels are arranged and a peripheral area where driving circuits are arranged. In the display area, the display area is arranged so as to overlap with a wiring, a transistor, or the like in an area defining each pixel. Further, in the peripheral area, it is arranged in an area between the display area and the sealing material.

また、上記では、各々の画素はＲＧＢの３色の光を使用者に視認させる構成を例示したが、この構成に限定されず、ＲＧＢの他に白色光Ｗを使用者に視認させる構成であってもよい。白色光Ｗを使用者に視認させる画素は、カラーフィルタ等を設けない構造であってもよく、また、白色の色度を調整するフィルタが設けられた構造であってもよい。また、図２では、カラーフィルタ２２０、２３０、２４０が互いに重畳しない構造を例示したが、この構造に限定されず、隣接するカラーフィルタが互いに重畳する構造であってもよい。例えば、カラーフィルタ２２０と２３０が遮光層２１０上でオーバーラップしていてもよい。 In the above description, each pixel has exemplified a configuration in which the user visually recognizes three colors of RGB light. However, the present invention is not limited to this configuration, and the configuration allows the user to visually recognize white light W in addition to RGB. May be. The pixel that allows the user to visually recognize the white light W may have a structure without a color filter or the like, or may have a structure with a filter for adjusting white chromaticity. 2 illustrates a structure in which the color filters 220, 230, and 240 do not overlap each other, the present invention is not limited to this structure, and a structure in which adjacent color filters overlap each other may be used. For example, the color filters 220 and 230 may overlap on the light shielding layer 210.

図２では、遮光層２１０の上にカラーフィルタ２２０、２３０、２４０が配置された構造について説明したが、これに限定されず、カラーフィルタ２２０、２３０、２４０の上に遮光層２１０が配置されてもよい。また、対向基板２００と遮光層２１０またはカラーフィルタ２２０、２３０、２４０との間に他の層が配置されてもよく、遮光層２１０とカラーフィルタ２２０、２３０、２４０との間に他の層が配置されてもよい。また、カラーフィルタ２２０、２３０、２４０は少なくともＲ、Ｇ、Ｂの３種類が配置されるが、３種類のカラーフィルタのいずれかの間に遮光層が配置されてもよい。例えば、対向基板２００上にカラーフィルタ（Ｒ）２４０、カラーフィルタ（Ｇ）２３０が配置され、これらの上に遮光層２１０が配置され、その上にカラーフィルタ（Ｂ）２２０が配置されてもよい。 In FIG. 2, the structure in which the color filters 220, 230, and 240 are disposed on the light shielding layer 210 has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the light shielding layer 210 is disposed on the color filters 220, 230, and 240. Also good. Further, another layer may be disposed between the counter substrate 200 and the light shielding layer 210 or the color filters 220, 230, and 240, and other layers may be disposed between the light shielding layer 210 and the color filters 220, 230, and 240. It may be arranged. The color filters 220, 230, and 240 are arranged in at least three types of R, G, and B, but a light shielding layer may be arranged between any of the three types of color filters. For example, the color filter (R) 240 and the color filter (G) 230 may be disposed on the counter substrate 200, the light shielding layer 210 may be disposed thereon, and the color filter (B) 220 may be disposed thereon. .

また、オーバーコート層２５０上に、発光素子の劣化の原因となるガスや水分をブロックする保護膜が配置されてもよい。保護膜としては、アレイ基板１００とトランジスタ層１３０との間に形成するバリア層と同様に、ＳｉＮ_ｘ膜、ＳｉＯ_ｘ膜、ＳｉＮ_ｘＯ_ｙ膜、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ膜、ＡｌＮ_ｘ膜、ＡｌＯ_ｘ膜、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ膜、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ膜などを使用することができる（ｘ、ｙは任意）。また、これらの膜を積層した構造を使用してもよい。 In addition, a protective film that blocks gas and moisture that cause deterioration of the light emitting element may be disposed on the overcoat layer 250. As the protective film, similarly to the barrier layer formed between the array substrate 100 and the transistor layer 130, a SiN _x film, a SiO _x film, a SiN _x O _y film, a SiO _x N _y film, an AlN _x film, an AlO _x film. A film, an AlO _x N _y film, an AlO _x N _y film, or the like can be used (x and y are arbitrary). Further, a structure in which these films are stacked may be used.

次に、図１及び図２の両方を参照して、隔壁１５１、１５２、及び１５３の配置について説明する。図１及び図２によると、隔壁１５１及び充填材１８１は、隔壁１５２及び充填材１８２が配置された第２領域１２２の内側の第１領域１２１に配置され、隔壁１５３及び充填材１８３は、第２領域１２２の外側の第３領域１２３に配置されている。ここで、上記のように隔壁１５１及び１５３を併せて第１隔壁、隔壁１５２を第２隔壁といい、充填材１８１及び１８３を併せて第１充填材、充填材１８２を第２充填材という場合は、第１隔壁及び第１充填材は、第２隔壁及び第２充填材が配置された第２領域１２２の内側及び外側の第１領域１２１及び第３領域１２３に配置されている、ともいう。 Next, the arrangement of the partition walls 151, 152, and 153 will be described with reference to both FIG. 1 and FIG. 1 and 2, the partition wall 151 and the filler 181 are disposed in the first region 121 inside the second region 122 where the partition wall 152 and the filler 182 are disposed, and the partition wall 153 and the filler 183 are disposed in the first region 121. It is arranged in the third region 123 outside the two regions 122. Here, as described above, the partitions 151 and 153 are collectively referred to as a first partition, the partition 152 is referred to as a second partition, the fillers 181 and 183 are collectively referred to as a first filler, and the filler 182 is referred to as a second filler. The first partition and the first filler are also disposed in the first region 121 and the third region 123 inside and outside the second region 122 where the second partition and the second filler are disposed. .

また、図１及び図２によると、隔壁１５２及び充填材１８２は、第２領域１２２に環状に配置されている、ということもできる。また、換言すると、隔壁１５２及び充填材１８２はシール材１１０に沿って配置されている、ということもできる。 Further, according to FIGS. 1 and 2, it can be said that the partition wall 152 and the filler 182 are annularly arranged in the second region 122. In other words, it can also be said that the partition wall 152 and the filler 182 are arranged along the sealing material 110.

以上のように、本発明の実施形態１に係る表示装置によると、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３において、発光層１６０と対向基板２００との距離が略一定に保たれる。つまり、光が発生する発光層１６０から表示装置１０の外部に放出される対向基板２００の裏面側までの光路長が面内で略一定となり、表示ムラを抑制することができる。上記の構成によって、混色を抑制するために隔壁と充填材でスペーサとする高精細な表示装置において、基板面内で充填材１８０の厚さに分布が発生してしまう場合であっても、その分布を緩和するように隔壁１５０の高さを調整することで、表示ムラを抑制することができる。 As described above, according to the display device according to the first embodiment of the present invention, the distance between the light emitting layer 160 and the counter substrate 200 is kept substantially constant in the first region 121, the second region 122, and the third region 123. It is. That is, the optical path length from the light emitting layer 160 where light is generated to the back side of the counter substrate 200 emitted to the outside of the display device 10 becomes substantially constant in the plane, and display unevenness can be suppressed. In the high-definition display device using the partition and the filler as a spacer in order to suppress color mixing, even if the distribution occurs in the thickness of the filler 180 within the substrate surface by the above configuration, By adjusting the height of the partition wall 150 so as to relax the distribution, display unevenness can be suppressed.

［実施形態１における表示装置１０の製造方法］
図３乃至１０を用いて、本発明の実施形態１における表示装置１０の製造方法について説明する。図３は、本発明の実施形態１における表示装置の製造方法のフローチャートを示す図である。また、図４乃至１０には、図３に示すステップＳ３０１乃至Ｓ３０６、Ｓ３１１乃至Ｓ３１５、及びＳ３２１の各々のプロセスにおける断面図を示す。以降、図３に示す各ステップについて、図４乃至１０を用いて説明する。 [Method of Manufacturing Display Device 10 in Embodiment 1]
A method for manufacturing the display device 10 according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 3 is a diagram showing a flowchart of the manufacturing method of the display device in Embodiment 1 of the present invention. 4 to 10 are cross-sectional views showing processes in steps S301 to S306, S311 to S315, and S321 shown in FIG. Hereinafter, each step shown in FIG. 3 will be described with reference to FIGS.

まず、図４乃至８を用いて、アレイ基板１００側の製造方法について説明する。図４は、発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、アレイ基板上にトランジスタ層及び画素電極を形成する工程を示す図である。図４に示すように、まずはアレイ基板１００を準備し（ステップＳ３０１）、アレイ基板１００上にトランジスタ層１３０を形成し（ステップＳ３０２）、トランジスタ層１３０上に画素電極１４０を形成する（ステップＳ３０３）。 First, a manufacturing method on the array substrate 100 side will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a diagram illustrating a process of forming a transistor layer and a pixel electrode on an array substrate in the method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the invention. As shown in FIG. 4, first, the array substrate 100 is prepared (step S301), the transistor layer 130 is formed on the array substrate 100 (step S302), and the pixel electrode 140 is formed on the transistor layer 130 (step S303). .

画素電極１４０は、導電層を全面に形成した後、残したい部分をレジストで覆い、それ以外の部分をエッチングして除去することで形成する。エッチングの方法は画素電極の材料によって適宜選択することができる。例えば、アルミニウムに対しては、リン酸、酢酸をベースとしたエッチャントによるウェットエッチングを使用することができる。また、チタンに対しては、塩素系ガスやフッ素系ガスを用いたドライエッチングを使用することができる。いずれのエッチング方法においても、画素電極１４０と画素電極１４０の下層との選択比が大きいエッチング条件で処理することが好ましい。ただし、エッチング条件は上記の選択比が大きい条件に限定されず、例えば上記の選択比が小さいエッチング条件を使用して、画素電極１４０の下層をオーバーエッチングする条件を使用してもよい。 The pixel electrode 140 is formed by forming a conductive layer on the entire surface, covering a portion to be left with a resist, and etching and removing the other portions. The etching method can be appropriately selected depending on the material of the pixel electrode. For example, for aluminum, wet etching with an etchant based on phosphoric acid or acetic acid can be used. For titanium, dry etching using a chlorine-based gas or a fluorine-based gas can be used. In any of the etching methods, it is preferable to perform the processing under an etching condition in which the selection ratio between the pixel electrode 140 and the lower layer of the pixel electrode 140 is large. However, the etching conditions are not limited to the above conditions with a large selection ratio. For example, the etching conditions with a small selection ratio may be used, and the conditions for over-etching the lower layer of the pixel electrode 140 may be used.

次に、隔壁１５０を形成する工程（ステップＳ３０４）について説明する。図５は、本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、多階調マスクを使用して樹脂層を露光する工程を示す図である。また、図６は、本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、隔壁を形成する工程を示す図である。図６に示すように、隔壁１５０は、トランジスタ層１３０及び画素電極１４０のパターン端部を覆うように形成される（ステップＳ３０４）。 Next, the process (step S304) for forming the partition 150 will be described. FIG. 5 is a diagram showing a process of exposing a resin layer using a multi-tone mask in the display device manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention. Moreover, FIG. 6 is a figure which shows the process of forming a partition in the manufacturing method of the display apparatus in Embodiment 1 of this invention. As shown in FIG. 6, the partition 150 is formed so as to cover the pattern ends of the transistor layer 130 and the pixel electrode 140 (step S304).

ここで、図５を用いて隔壁１５０の形成方法について詳細に説明する。まず、後に隔壁となる樹脂材料をスピンコート法などの方法で所望の厚さで形成する。樹脂材料は溶媒に溶けており、樹脂材料や添加剤の濃度調整によりその粘度を制御し、さらに塗布時の基板の回転速度を調整することで膜厚を制御することができる。樹脂材料をアレイ基板１００に塗布した後、加熱して溶媒を蒸発させることで、隔壁１５０の元となる樹脂層１５９が形成される。ここで、樹脂材料としては、例えば、感光性樹脂を使用することができる。ここでは、樹脂材料として感光性樹脂を使用した例について説明する。 Here, the formation method of the partition 150 is demonstrated in detail using FIG. First, a resin material to be a partition wall later is formed with a desired thickness by a method such as spin coating. The resin material is dissolved in a solvent, and the viscosity can be controlled by adjusting the concentration of the resin material and additives, and the film thickness can be controlled by adjusting the rotation speed of the substrate during application. After the resin material is applied to the array substrate 100, the resin layer 159 that forms the partition wall 150 is formed by heating to evaporate the solvent. Here, as the resin material, for example, a photosensitive resin can be used. Here, an example in which a photosensitive resin is used as the resin material will be described.

樹脂層１５９をパターニングして隔壁１５０を形成するために、フォトマスクを用いて露光・現像を行う。ここで、フォトマスクとして、多階調マスクを使用した例について説明する。多階調マスクとして、グレートーンマスクやハーフトーンマスクが挙げられる。グレートーンマスクは、露光機の解像度以下のスリットを作り、そのスリット部が光の一部を遮り、中間露光を実現する。一方、ハーフトーンマスクは「半透過」の膜を利用し、中間露光を行う。いずれも、１回の露光で「露光部分」、「中間露光部分」、及び「未露光部分」の３つの露光レベルを表現し、現像後に複数の種類の厚さの感光性樹脂を作ることができる。ここで、「中間露光部分」は、光が通過又は透過する量を調整することで複数の階調の露光を行うことができる。つまり、１回の露光で３つ以上の露光レベルを表現することができる。図５では、ハーフトーンマスクを使用してポジ型の感光性樹脂を露光した例について説明する。 In order to form the partition 150 by patterning the resin layer 159, exposure and development are performed using a photomask. Here, an example in which a multi-tone mask is used as a photomask will be described. Examples of the multi-tone mask include a gray tone mask and a half tone mask. The gray tone mask creates a slit below the resolution of the exposure machine, and the slit part blocks a part of the light, thereby realizing intermediate exposure. On the other hand, the halftone mask uses a “semi-transmissive” film and performs intermediate exposure. All can express three exposure levels of "exposed part", "intermediate exposed part", and "unexposed part" in one exposure, and can make photosensitive resin of multiple types of thickness after development it can. Here, the “intermediate exposure portion” can perform exposure of a plurality of gradations by adjusting the amount of light passing or transmitting. That is, three or more exposure levels can be expressed by one exposure. FIG. 5 illustrates an example in which a positive photosensitive resin is exposed using a halftone mask.

図５に示すように、ハーフトーンマスク１９０の開口部１９１に対応する領域の樹脂層１５９は、深さ方向に全て感光される。一方、ハーフトーンマスク１９０の半透過領域１９２に対応する樹脂層１５９は、照射される光の強度が弱いため、表面から一定の深さまでしか感光されない。その結果、樹脂層１５９よりも薄い、感光されない樹脂層１５７が形成される。ここで、樹脂層１５７の高さは、半透過領域１９２の透過率や露光条件によって制御される。また、ハーフトーンマスク１９０の遮光領域１９３に対応する樹脂層１５９は、光が照射されないため感光されず、樹脂層１５８が形成される。 As shown in FIG. 5, the resin layer 159 in the region corresponding to the opening 191 of the halftone mask 190 is completely exposed in the depth direction. On the other hand, the resin layer 159 corresponding to the semi-transmissive region 192 of the halftone mask 190 is exposed only to a certain depth from the surface because the intensity of the irradiated light is weak. As a result, a non-photosensitive resin layer 157 thinner than the resin layer 159 is formed. Here, the height of the resin layer 157 is controlled by the transmittance of the semi-transmissive region 192 and exposure conditions. In addition, the resin layer 159 corresponding to the light-shielding region 193 of the halftone mask 190 is not exposed to light, and thus the resin layer 158 is formed.

上記のように、ハーフトーンマスク１９０を使用して露光した樹脂層１５９を現像処理することで、感光されて現像液に対して可溶性に変化した樹脂層が除去され、感光されていない樹脂層１５７、１５８が残る。ここで、半透過領域１９２に対応する樹脂層１５９の上層部は感光されているので、現像処理によって除去される。その結果、現像処理後の樹脂層１５７と樹脂層１５８との高さは異なる。図５では、ハーフトーンマスクを使用して高さの異なる樹脂層を形成するプロセスを例示したが、このプロセスに限定されず、グレートーンマスクやその他の多階調マスクを使用して高さの異なる樹脂層を形成するプロセスであってもよい。 As described above, by developing the exposed resin layer 159 using the halftone mask 190, the resin layer that has been exposed to light and changed to be soluble in the developer is removed, and the resin layer 157 that is not exposed to light is removed. 158 remains. Here, since the upper layer portion of the resin layer 159 corresponding to the semi-transmissive region 192 is exposed, it is removed by development processing. As a result, the heights of the resin layer 157 and the resin layer 158 after the development processing are different. FIG. 5 illustrates a process of forming resin layers having different heights using a halftone mask. However, the present invention is not limited to this process, and the height of a resin layer using a gray-tone mask or other multi-tone masks is not limited to this process. It may be a process of forming different resin layers.

図５に示す方法で露光された樹脂層１５９を現像処理、熱処理を行うことで、図６に示すように、各々の画素を画定し、画素電極１４０のパターン端部を覆うように配置された隔壁１５０を得ることができる。ここで、樹脂層１５８は隔壁１５１、１５３に対応し、樹脂層１５７は隔壁１５２に対応する。つまり、隔壁１５２の高さは、半透過領域１９２の光の透過量によって決定される。このように、図５及び６に示す方法によると、高さが異なる隔壁１５１、１５３と、隔壁１５２とを多階調マスクを用いて同一工程で形成することができる。 The resin layer 159 exposed by the method shown in FIG. 5 is developed and heat-treated, so that each pixel is defined and arranged so as to cover the pattern end of the pixel electrode 140 as shown in FIG. A partition wall 150 can be obtained. Here, the resin layer 158 corresponds to the partition walls 151 and 153, and the resin layer 157 corresponds to the partition wall 152. That is, the height of the partition wall 152 is determined by the light transmission amount of the semi-transmissive region 192. Thus, according to the method shown in FIGS. 5 and 6, the partition walls 151 and 153 having different heights and the partition wall 152 can be formed in the same process using a multi-tone mask.

図７は、本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、発光層及び共通電極を形成する工程を示す図である。図７に示すように、隔壁１５０を形成した後、単数又は複数の膜から構成される発光層１６０及び共通電極３４０を表示領域に形成する（ステップＳ３０５）。白色発光素子の場合、発光層はパターニングする必要がなく、表示領域の全面に形成することができる。また、発光層１６０が低分子材料の場合は、表示領域に相当する部分が開口されたメタルマスクを用いた蒸着により形成することができる。 FIG. 7 is a diagram illustrating a process of forming a light emitting layer and a common electrode in the method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, after the partition wall 150 is formed, the light emitting layer 160 and the common electrode 340 made of one or more films are formed in the display region (step S305). In the case of a white light emitting element, the light emitting layer does not need to be patterned and can be formed over the entire display region. In the case where the light emitting layer 160 is a low molecular material, it can be formed by vapor deposition using a metal mask having an opening corresponding to the display region.

このとき、隔壁１５０はメタルマスクのスペーサ（突き当て部材）として使用しても良い。また、発光層１６０が高分子材料の場合はインクジェット方式等で形成することができる。また、各画素にＲＧＢの発光素子を形成する場合は、それぞれの画素に対してＲＧＢの発光色を有する発光層を形成する。発光層が低分子材料の場合は、微細パターンが加工されたメタルマスク等を用いて、それぞれの画素に異なる発光色を有する発光層を形成する。特に、画素毎に異なる発光層をメタルマスクを用いて形成する場合、隔壁１５０をメタルマスクと発光層を形成する基板とのスペーサとして使用することで、メタルマスクのパターンをより正確に反映した発光層を形成することができる。 At this time, the partition 150 may be used as a spacer (butting member) of the metal mask. In the case where the light emitting layer 160 is a polymer material, it can be formed by an ink jet method or the like. In the case where an RGB light emitting element is formed in each pixel, a light emitting layer having an RGB emission color is formed for each pixel. When the light emitting layer is a low molecular material, a light emitting layer having a different emission color is formed in each pixel using a metal mask or the like in which a fine pattern is processed. In particular, when a different light-emitting layer is formed for each pixel using a metal mask, the partition 150 is used as a spacer between the metal mask and the substrate on which the light-emitting layer is formed, so that light emission that more accurately reflects the pattern of the metal mask. A layer can be formed.

また、共通電極３４０を形成する際に、発光層にできるだけダメージを与えないように、プラズマが基板に直接触れないタイプのイオンプレーティング装置、又は対向ターゲット型スパッタ装置などを用いることができる。また、発光層上に薄い金属膜を蒸着し、その薄い金属膜の上に共通電極３４０をスパッタリング法によって形成してもよい。この場合、薄い金属膜が保護層として機能するため、共通電極３４０をスパッタリング法で形成しても反射層へのダメージを低減することができる。 Further, when forming the common electrode 340, an ion plating apparatus of a type in which plasma does not directly touch the substrate or an opposed target sputtering apparatus can be used so that the light emitting layer is not damaged as much as possible. Alternatively, a thin metal film may be deposited on the light emitting layer, and the common electrode 340 may be formed on the thin metal film by a sputtering method. In this case, since the thin metal film functions as a protective layer, damage to the reflective layer can be reduced even if the common electrode 340 is formed by a sputtering method.

図８は、本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、保護層を形成する工程を示す図である。図８に示すように、発光層１６０及び共通電極３４０を形成した後に、発光層１６０を覆うように保護層１７０を形成する（ステップＳ３０６）。ここで、保護層１７０の形成は発光層１６０の形成後に行われるため、発光層１６０に使用される有機ＥＬ層のガラス転移温度以下の温度で形成することが好ましい。 FIG. 8 is a diagram showing a process of forming a protective layer in the method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 8, after forming the light emitting layer 160 and the common electrode 340, the protective layer 170 is formed so as to cover the light emitting layer 160 (step S306). Here, since the protective layer 170 is formed after the light emitting layer 160 is formed, the protective layer 170 is preferably formed at a temperature lower than the glass transition temperature of the organic EL layer used for the light emitting layer 160.

また、上記のような無機材料による保護層１７０は、下地構造の段差部分（例えば、画素電極１４０と隔壁１５０との境界部）において密度が低い領域が形成されることがある。膜密度が低い領域は、そこから水分や不純物が混入し、トランジスタ特性の変動や、発光層の劣化などを引き起こすため、そのような箇所においても被覆性良く保護層１７０を形成することが重要である。 In addition, in the protective layer 170 made of an inorganic material as described above, a region having a low density may be formed in a step portion of the base structure (for example, a boundary portion between the pixel electrode 140 and the partition wall 150). In the region where the film density is low, moisture and impurities are mixed from the region, which causes fluctuations in transistor characteristics, deterioration of the light emitting layer, and the like. Therefore, it is important to form the protective layer 170 with good coverage even in such a part. is there.

次に、図９を用いて対向基板２００側の製造方法について説明する。図９は、本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、対向基板側に充填材を形成する工程を示す図である。図９に示すように、まずは対向基板２００を準備し（ステップＳ３１１）、対向基板２００上に光を遮断する遮光層２１０をそれぞれの画素を開口するように形成し（ステップＳ３１２）、対向基板２００及び遮光層２１０上にそれぞれの画素の色に対応したカラーフィルタ（Ｂ）２２０、カラーフィルタ（Ｇ）２３０、カラーフィルタ（Ｒ）２４０を形成し（ステップＳ３１２）、遮光層２１０及びカラーフィルタ２２０、２３０、２４０を覆うようにオーバーコート層２５０を形成する（ステップＳ３１３）。そして、図９では図示しないが、対向基板２００の周辺領域のオーバーコート層２５０上にシール材を形成し（ステップＳ３１４）、対向基板２００の表示領域のオーバーコート層２５０上に充填材２８０（充填材２８１、２８２、２８３）を形成する（ステップＳ３１５）。対向基板への充填材の形成方法及びアレイ基板と対向基板との貼り合せ方法については、後で詳細に説明する。 Next, a manufacturing method on the counter substrate 200 side will be described with reference to FIGS. FIG. 9 is a diagram illustrating a process of forming a filler on the counter substrate side in the method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 9, first, a counter substrate 200 is prepared (step S311), and a light blocking layer 210 that blocks light is formed on the counter substrate 200 so as to open each pixel (step S312). The color filter (B) 220, the color filter (G) 230, and the color filter (R) 240 corresponding to the color of each pixel are formed on the light shielding layer 210 (step S312), the light shielding layer 210 and the color filter 220, Overcoat layer 250 is formed so as to cover 230 and 240 (step S313). Then, although not shown in FIG. 9, a sealing material is formed on the overcoat layer 250 in the peripheral region of the counter substrate 200 (step S314), and the filler 280 (filling) is formed on the overcoat layer 250 in the display region of the counter substrate 200. The materials 281, 282, 283) are formed (step S 315). A method for forming the filler on the counter substrate and a method for bonding the array substrate and the counter substrate will be described in detail later.

図９では、遮光層２１０の上にカラーフィルタ２２０、２３０、２４０を形成する製造方法について説明したが、これに限定されず、先にカラーフィルタ２２０、２３０、２４０を形成し、その上に遮光層２１０を形成してもよい。また、対向基板２００と遮光層２１０またはカラーフィルタ２２０、２３０、２４０との間に他の層を形成してもよく、遮光層２１０とカラーフィルタ２２０、２３０、２４０との間に他の層を形成してもよい。また、カラーフィルタ２２０、２３０、２４０は少なくともＲ、Ｇ、Ｂの３種類を形成するが、３種類のカラーフィルタのいずれかの間に遮光層を形成してもよい。例えば、まず対向基板２００上にカラーフィルタ（Ｒ）２４０、カラーフィルタ（Ｇ）２３０を形成し、これらの上に遮光層２１０を形成し、その上にカラーフィルタ（Ｂ）２２０を形成してもよい。 In FIG. 9, the manufacturing method for forming the color filters 220, 230, and 240 on the light shielding layer 210 has been described. However, the present invention is not limited to this, and the color filters 220, 230, and 240 are formed first, and the light shielding is performed thereon. Layer 210 may be formed. Further, another layer may be formed between the counter substrate 200 and the light shielding layer 210 or the color filters 220, 230, and 240, and other layers may be formed between the light shielding layer 210 and the color filters 220, 230, and 240. It may be formed. The color filters 220, 230, and 240 form at least three types of R, G, and B, but a light shielding layer may be formed between any of the three types of color filters. For example, the color filter (R) 240 and the color filter (G) 230 are first formed on the counter substrate 200, the light shielding layer 210 is formed thereon, and the color filter (B) 220 is formed thereon. Good.

充填材２８０としては、樹脂材料を使用することができる。充填材２８０として使用する樹脂材料としては、紫外線や熱によって徐々に硬化する遅延硬化型の樹脂材料を使用することができる。例えば、図９に示した状態の充填材２８０に対して紫外線を照射し、充填材２８０が硬化する前にアレイ基板１００と対向基板２００とを貼り合せる（ステップＳ３２１）。 As the filler 280, a resin material can be used. As the resin material used as the filler 280, a delayed curable resin material that is gradually cured by ultraviolet rays or heat can be used. For example, the filler 280 in the state shown in FIG. 9 is irradiated with ultraviolet rays, and the array substrate 100 and the counter substrate 200 are bonded together before the filler 280 is cured (step S321).

図１０は、本発明の実施形態１における表示装置の製造方法において、アレイ基板と対向基板とを貼り合せる工程を示す図である。ステップＳ３２１の貼り合せによって、図９の塊状の未硬化状態の充填材２８０から図１０に示すような層状の硬化した充填材１８０を得ることができる。ここで、第２領域１２２の充填材１８２は、第１領域１２１及び第３領域１２３の充填材１８１及び１８３に比べて厚く形成される。しかし、第２領域１２２の隔壁１５２は第１領域１２１及び第３領域１２３の隔壁１５１及び１５３に比べて低く形成されているため、充填材１８２と充填材１８１、１８３との表面がほぼ同じ高さになる。つまり、第１領域１２１、第２領域１２２、第３領域１２３において、発光層１６０と対向基板２００との距離が略一定に保たれる。 FIG. 10 is a diagram illustrating a process of bonding the array substrate and the counter substrate in the display device manufacturing method according to Embodiment 1 of the present invention. By laminating in step S321, the layered cured filler 180 as shown in FIG. 10 can be obtained from the bulk uncured filler 280 of FIG. Here, the filler 182 in the second region 122 is formed thicker than the fillers 181 and 183 in the first region 121 and the third region 123. However, since the partition wall 152 in the second region 122 is formed lower than the partition walls 151 and 153 in the first region 121 and the third region 123, the surfaces of the filler 182 and the fillers 181 and 183 are almost the same height. It will be. That is, in the first region 121, the second region 122, and the third region 123, the distance between the light emitting layer 160 and the counter substrate 200 is kept substantially constant.

以上のように、多階調マスクを使用して高さの異なる隔壁を同一工程で作製することで、プロセスを短縮することができる。その結果、より低い製造コストで表示ムラが抑制された表示装置を作製することができる。 As described above, the process can be shortened by manufacturing partition walls having different heights in the same process using a multi-tone mask. As a result, a display device in which display unevenness is suppressed at a lower manufacturing cost can be manufactured.

［実施形態１における表示装置１０の貼り合せ方法］
図１１乃至１５を用いて、本発明の実施形態１における表示装置の貼り合せ方法について詳細に説明する。特に対向基板２００へのシール材１１０及び充填材１２０の形成方法、及びアレイ基板１００と対向基板２００との貼り合せ方法について詳細に説明する。図１１乃至１５において、各図面の紙面上方に平面図を示し、各図面の紙面下方に平面図におけるＥ−Ｆ断面図を示す。また、図１１乃至１５では、説明の便宜上、アレイ基板上のトランジスタ層、画素電極、発光層、及び保護層は省略されている。また、対向基板上の遮光層、カラーフィルタ、及びオーバーコート層は省略されている。 [Method of bonding display device 10 in embodiment 1]
With reference to FIGS. 11 to 15, a method for bonding a display device in Embodiment 1 of the present invention will be described in detail. In particular, a method for forming the sealing material 110 and the filler 120 on the counter substrate 200 and a method for bonding the array substrate 100 and the counter substrate 200 will be described in detail. 11 to 15, a plan view is shown above the drawing plane of each drawing, and an EF cross-sectional view in the plan view is shown below the drawing drawing. In FIG. 11 to FIG. 15, for convenience of explanation, the transistor layer, the pixel electrode, the light emitting layer, and the protective layer on the array substrate are omitted. Further, the light shielding layer, the color filter, and the overcoat layer on the counter substrate are omitted.

図１１は、本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、対向基板上にシール材を塗布する工程を示す図である。まず、アレイ基板１００と対向基板２００を接着させるためのシール材１１０を対向基板２００の周辺部に形成する。シール材１１０の厚さは、例えば５０μｍ以上３００μｍ以下の範囲で適宜調整することができる。ここで、シール材１１０はスペーサとなる粒子を有していてもよい。該粒子は直径が２μｍ以上１０μｍ以下の大きさのものを使用することができる。ただし、シール材１１０及び粒子は上記の範囲外であっても、目的に応じて適宜調整することができる。以降、シール材１１０の厚さを約１５０μｍ、粒子のサイズを約４．５μｍとした場合について説明する。 FIG. 11 is a diagram illustrating a process of applying a sealing material on the counter substrate in the bonding process between the array substrate and the counter substrate of the display device according to the first embodiment of the present invention. First, a sealing material 110 for bonding the array substrate 100 and the counter substrate 200 is formed on the peripheral portion of the counter substrate 200. The thickness of the sealing material 110 can be appropriately adjusted within a range of, for example, 50 μm or more and 300 μm or less. Here, the sealing material 110 may have particles that serve as spacers. The particles having a diameter of 2 μm or more and 10 μm or less can be used. However, the sealing material 110 and the particles can be appropriately adjusted according to the purpose even if they are out of the above range. Hereinafter, a case where the thickness of the sealing material 110 is about 150 μm and the particle size is about 4.5 μm will be described.

図１２は、本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、対向基板上に充填材を塗布する工程を示す図である。図１２に示すように、対向基板２００に形成される充填材２８０は、複数の領域に塊状で形成される。ここで、充填材２８０を塗布する位置は、アレイ基板１００及び対向基板２００を貼り合せたときに、第２領域１２２の隔壁１５２の配置された位置の充填材が第１領域１２１の隔壁１５１の配置された位置の充填材よりも厚くなるように調整されてもよい。例えば、隣接する塊状の充填材２８０を等間隔で配置してもよい。ここで、充填材２８０として使用する樹脂材料としては、紫外線や熱によって徐々に硬化する遅延硬化型の樹脂材料を使用することができる。ここでは、液滴滴下直後の塊状の充填材２８０の高さは約２００μｍである。 FIG. 12 is a diagram illustrating a process of applying a filler on the counter substrate in the bonding process between the array substrate and the counter substrate of the display device according to the first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 12, the filler 280 formed on the counter substrate 200 is formed in a lump shape in a plurality of regions. Here, the position where the filler 280 is applied is such that when the array substrate 100 and the counter substrate 200 are bonded together, the filler at the position where the partition 152 in the second region 122 is disposed is the partition 151 in the first region 121. You may adjust so that it may become thicker than the filler of the arrange | positioned position. For example, adjacent massive fillers 280 may be arranged at equal intervals. Here, as the resin material used as the filler 280, a delayed-curing resin material that is gradually cured by ultraviolet rays or heat can be used. Here, the height of the bulk filler 280 immediately after dropping the droplet is about 200 μm.

図１３は、本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、アレイ基板と対向基板とを真空中で貼り合せる工程を示す図である。貼り合せの前（図１２に示す状態）に充填材２８０に紫外線を照射し、充填材２８０が硬化する前にアレイ基板１００と対向基板２００とを位置合わせをして貼り合せる。ここで、アレイ基板１００と対向基板２００との貼り合せは真空中で行われる。また、図１３に示す状態でアレイ基板１００と対向基板２００との位置合わせを追加で行ってもよい。 FIG. 13 is a diagram showing a process of bonding the array substrate and the counter substrate in a vacuum in the process of bonding the array substrate and the counter substrate of the display device in Embodiment 1 of the present invention. Before the bonding (state shown in FIG. 12), the filler 280 is irradiated with ultraviolet rays, and the array substrate 100 and the counter substrate 200 are aligned and bonded before the filler 280 is cured. Here, the bonding of the array substrate 100 and the counter substrate 200 is performed in a vacuum. Further, in the state shown in FIG. 13, the alignment between the array substrate 100 and the counter substrate 200 may be additionally performed.

図１４は、本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、アレイ基板を対向基板に押圧して充填材を伸長させる工程を示す図である。図１３に示す状態から、アレイ基板１００と対向基板２００とを互いが近づく方向に押圧することで、図１３に示す充填材２８０及びシール材１１０は両基板の基板面方向に伸長される。その結果、両基板の周辺領域を封止するシール材１１０と、両基板及びシール材１１０によって囲まれた領域を充填する層状の充填材１８０とが形成される。図１４に示す両基板を押圧する工程も真空中で行われる。真空中で押圧することで、塊状の充填材２８０が伸長して層状の充填材１８０が形成される際に、両基板間に気泡が形成されることを抑制することができる。ここで、両基板の押圧によって、シール材１１０の厚さは約１５０μｍから約１００μｍに薄くなる。 FIG. 14 is a diagram illustrating a process of extending the filler by pressing the array substrate against the counter substrate in the bonding process of the array substrate and the counter substrate of the display device according to the first exemplary embodiment of the present invention. By pressing the array substrate 100 and the counter substrate 200 in a direction in which the array substrate 100 and the counter substrate 200 approach each other from the state illustrated in FIG. 13, the filler 280 and the sealing material 110 illustrated in FIG. 13 are extended in the substrate surface direction of both substrates. As a result, a sealing material 110 that seals the peripheral regions of both substrates and a layered filler 180 that fills the region surrounded by both the substrates and the sealing material 110 are formed. The process of pressing both substrates shown in FIG. 14 is also performed in a vacuum. By pressing in vacuum, it is possible to suppress the formation of bubbles between the two substrates when the bulk filler 280 expands and the layer filler 180 is formed. Here, the thickness of the sealing material 110 is reduced from about 150 μm to about 100 μm by pressing the two substrates.

図１５は、本発明の実施形態１における表示装置のアレイ基板と対向基板との貼り合せ工程において、アレイ基板と対向基板とを大気圧で押圧する工程を示す図である。図１４に示す状態の貼り合せ基板の雰囲気を真空から大気圧にすることで、アレイ基板１００及び対向基板２００が大気圧で押圧され、シール材１１０及び充填材１８０は圧縮されてさらに薄くなる。ここで、大気圧による押圧によって、シール材１１０は、シール材１１０に含まれる粒子によって支持されるまで薄くなる。つまり、シール材１１０の厚さは約１００μｍから約４．５μｍに薄くなる。 FIG. 15 is a diagram illustrating a process of pressing the array substrate and the counter substrate at atmospheric pressure in the bonding process of the array substrate and the counter substrate of the display device according to the first embodiment of the present invention. By changing the atmosphere of the bonded substrate in the state shown in FIG. 14 from vacuum to atmospheric pressure, the array substrate 100 and the counter substrate 200 are pressed at atmospheric pressure, and the sealing material 110 and the filler 180 are compressed and become thinner. Here, due to the pressure by atmospheric pressure, the sealing material 110 becomes thin until it is supported by the particles contained in the sealing material 110. That is, the thickness of the sealing material 110 is reduced from about 100 μm to about 4.5 μm.

上記のように、アレイ基板１００と対向基板２００との貼り合せ後の押圧に大気圧を利用することによって、基板面内を均一な力で押圧することができる。その結果、両基板を押圧する力の大きさの差に起因する充填材１８０の膜厚分布を抑制することができる。 As described above, by using atmospheric pressure for pressing after bonding the array substrate 100 and the counter substrate 200, it is possible to press the inside of the substrate with a uniform force. As a result, it is possible to suppress the film thickness distribution of the filler 180 due to the difference in the magnitude of the force pressing the two substrates.

〈比較例〉
ここで、図１６及び１７を用いて、本発明の実施形態１の比較例について説明する。図１６は、比較例における表示装置の平面図を示す図である。図１６は、図１と同様なので詳細な説明は省略するが、第２領域１２２の充填材１２０が第１領域１２１及び第３領域１２３の充填材１２０に比べて厚く形成されている。 <Comparative example>
Here, the comparative example of Embodiment 1 of this invention is demonstrated using FIG.16 and 17. FIG. FIG. 16 is a plan view of a display device in a comparative example. Since FIG. 16 is the same as FIG. 1 and detailed description is omitted, the filler 120 in the second region 122 is formed thicker than the filler 120 in the first region 121 and the third region 123.

図１７は、比較例における表示装置のＣ−Ｄ断面図を示す図である。図１７は、図２と類似するが、第２領域１２２の隔壁３５２の高さは第１領域１２１及び第３領域１２３の隔壁３５１及び３５３の高さと略同一である点において、図２とは相違する。隔壁３５１乃至３５３の高さが略同一であり、第２領域１２２の充填材３８２の充填材厚さ３８５が第１領域１２１及び第３領域１２３の充填材３８１及び３８３の充填材厚さ３８４及び３８６に比べて厚いため、充填材３８２の表面位置が充填材３８１及び３８３の表面位置に比べて高くなっている。つまり、光が発生する発光層１６０から表示装置１１の外部に放出される対向基板２００の裏面側までの光路長が、第２領域１２２と第１領域１２１及び第３領域１２３とで異なっている。その影響で、比較例における表示装置１１では、上記の光路長の違いに起因した表示ムラが発生してしまう。 FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line CD of the display device in the comparative example. FIG. 17 is similar to FIG. 2, but differs from FIG. 2 in that the height of the partition 352 in the second region 122 is substantially the same as the height of the partitions 351 and 353 in the first region 121 and the third region 123. Is different. The heights of the partitions 351 to 353 are substantially the same, the filler thickness 385 of the filler 382 in the second region 122 is the filler thickness 384 of the fillers 381 and 383 in the first region 121 and the third region 123, and Since it is thicker than 386, the surface position of the filler 382 is higher than the surface positions of the fillers 381 and 383. That is, the optical path length from the light emitting layer 160 where light is generated to the back side of the counter substrate 200 emitted to the outside of the display device 11 is different between the second region 122, the first region 121, and the third region 123. . As a result, in the display device 11 in the comparative example, display unevenness due to the difference in the optical path lengths occurs.

以上のように、比較例の表示装置によると、第２領域１２２と第１領域１２１及び第３領域１２３との充填材の厚さの違いによって、表示ムラが発生してしまう。一方、本発明に係る表示装置によると、実施形態１で説明したように、充填材の厚さの違いに応じて隔壁の高さを変化させることで表示ムラを抑制することができる。 As described above, according to the display device of the comparative example, display unevenness occurs due to the difference in the thickness of the filler in the second region 122, the first region 121, and the third region 123. On the other hand, according to the display device according to the present invention, as described in Embodiment 1, display unevenness can be suppressed by changing the height of the partition according to the difference in the thickness of the filler.

なお、本発明は上記の実施形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be modified as appropriate without departing from the spirit of the present invention.

１０、１１：表示装置
１００：アレイ基板
１１０：シール材
１２０：充填材
１２１：第１領域
１２２：第２領域
１２３：第３領域
１３０、１３１、１３２、１３３：トランジスタ層
１４０、１４１、１４２、１４３：画素電極
１５０、１５１、１５２、１５３、３５１、３５２、３５３：隔壁
１５７、１５８、１５９：樹脂層
１６０、１６１、１６２、１６３：発光層
１７０、１７１、１７２、１７３：保護層
１８０、１８１、１８２、１８３、２８０、２８１、２８２、２８３、３８１、３８２、３８３：充填材
１９０：ハーフトーンマスク
１９１：開口部
１９２：半透過領域
１９３：遮光領域
２００：対向基板
２１０、２１１、２１２、２１３：遮光層
２２０、２３０、２４０：カラーフィルタ
２５０、２５１、２５２、２５３：オーバーコート層
３４０、３４１、３４２、３４３：共通電極
９００：貼り合せ基板 10, 11: Display device 100: Array substrate 110: Sealing material 120: Filler 121: First region 122: Second region 123: Third regions 130, 131, 132, 133: Transistor layers 140, 141, 142, 143 : Pixel electrodes 150, 151, 152, 153, 351, 352, 353: partition walls 157, 158, 159: resin layers 160, 161, 162, 163: light emitting layers 170, 171, 172, 173: protective layers 180, 181, 182, 183, 280, 281, 282, 283, 381, 382, 383: Filler 190: Halftone mask 191: Opening 192: Transflective region 193: Light shielding region 200: Counter substrate 210, 211, 212, 213: Light shielding layers 220, 230, 240: Color filters 250, 251, 252, 253: Over Coat layer 340,341,342,343: common electrode 900: bonded substrate

Claims

第１基板と、
前記第１基板の上方において各々の画素に配置された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆うように配置された第１隔壁と、
前記画素電極の端部を覆うように配置され、前記第１隔壁よりも低い第２隔壁と、
前記第１隔壁及び前記第２隔壁の上方に配置された固体の充填材と、
前記第１基板に対向し、前記第１隔壁、前記第２隔壁、及び前記充填材によって間隔を保持された第２基板と、
を有することを特徴とする表示装置。 A first substrate;
A pixel electrode disposed in each pixel above the first substrate;
A first partition disposed to cover an end of the pixel electrode;
A second barrier rib disposed so as to cover an end of the pixel electrode and lower than the first barrier rib;
A solid filler disposed above the first partition and the second partition;
A second substrate facing the first substrate and spaced by the first partition, the second partition, and the filler;
A display device comprising:

前記第２隔壁上の前記充填材は、前記第１隔壁上の前記充填材に比べて厚いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the filler on the second partition is thicker than the filler on the first partition.

前記第１隔壁は、前記第２隔壁によって囲まれた領域の内側及び外側の領域に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。 3. The display device according to claim 2, wherein the first partition is disposed in a region inside and outside a region surrounded by the second partition.

前記第２隔壁は、環状に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。 The display device according to claim 3, wherein the second partition is arranged in an annular shape.

前記充填材の周囲に配置されたシール材をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。 The display device according to claim 4, further comprising a sealing material disposed around the filler.

前記第２隔壁は、前記シール材に沿って配置されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。 The display device according to claim 5, wherein the second partition wall is disposed along the sealing material.

前記充填材と前記第２基板との間に、前記画素に対応して配置された、特定波長の光を透過するカラーフィルタと、
をさらに有し、
隣接する前記カラーフィルタの透過する光の波長は異なることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一に記載の表示装置。 A color filter disposed between the filler and the second substrate so as to correspond to the pixels and transmitting light of a specific wavelength;
Further comprising
The display device according to claim 1, wherein wavelengths of light transmitted through the adjacent color filters are different.

隣接する前記画素間には遮光層が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。 The display device according to claim 7, wherein a light shielding layer is disposed between the adjacent pixels.

前記画素は白色光を放出することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。 The display device according to claim 8, wherein the pixel emits white light.

第１基板の上方に各々の画素に配置された画素電極を形成し、
前記画素電極の端部を覆うように、第１隔壁と、前記第１隔壁よりも低い第２隔壁とを形成し、
第２基板の上方に充填材を形成し、
前記第１隔壁、前記第２隔壁、及び前記充填材によって間隔が保持されるように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せることを特徴とする表示装置の製造方法。 Forming a pixel electrode disposed on each pixel above the first substrate;
Forming a first partition and a second partition lower than the first partition so as to cover an end of the pixel electrode;
Forming a filler above the second substrate;
A method for manufacturing a display device, wherein the first substrate and the second substrate are bonded together so that a gap is maintained by the first partition, the second partition, and the filler.

前記第１隔壁及び前記第２隔壁は、同一工程で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。 The method according to claim 10, wherein the first partition and the second partition are formed in the same process.

前記第１隔壁及び前記第２隔壁は、多階調マスクを使用して形成されることを特徴とする請求項１１に記載の製造方法。 The method according to claim 11, wherein the first barrier rib and the second barrier rib are formed using a multi-tone mask.

前記第１基板及び前記第２基板を貼り合せたときに、前記第２隔壁の配置された位置の前記充填材が前記第１隔壁の配置された位置の前記充填材よりも厚くなるように前記充填材を形成する位置を調整することを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
When the first substrate and the second substrate are bonded together, the filler at the position where the second partition is disposed is thicker than the filler at the position where the first partition is disposed. The manufacturing method according to claim 12, wherein a position where the filler is formed is adjusted.