JP2016011912A - Probe, contact gauge and processing measuring apparatus - Google Patents

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和志 仲川
Kazuyuki Nakagawa
和志 仲川
幸宏 仲川
Yukihiro Nakagawa
幸宏 仲川
雄三 高羽
Yuzo Takahane
雄三 高羽
大助 石津
Daisuke Ishizu
大助 石津
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe for which arithmetic surface roughness of a probe top is minimal, and a contact gauge.SOLUTION: For the probe, a material 24 comprised of a polycrystal CVD diamond 20 in which a substrate 26 and a substrate surface 27 are grown by CVD as a growth initiation surface 21 and an outermost surface is used as a grown surface 22, is used as a raw material. A particle size of a crystallite 23 has a property of increase from the growth initiation surface 21 to the grown surface 22. The polycrystal CVD diamond 20 is separated from the substrate 26, a pre-crystal CVD diamond chip 14 is cut from the polycrystal CVD diamond 20, the polycrystal CVD diamond chip 14 is polished from the growth initiation surface 21, and the polycrystal CVD diamond chip 14 is configured in such a manner that a final polished surface 28 becomes a measuring surface 16.

Description

本発明は、対象物の寸法を計測する測定子（接触子とも云う）及びコンタクトゲージに関し、更に詳細には、対象物を測定しながら加工して所定の形状にまで正確に仕上げる加工測定装置に使用される測定子及びコンタクトゲージ関する。   The present invention relates to a measuring element (also referred to as a contactor) and a contact gauge for measuring a dimension of an object, and more particularly, to a processing measuring apparatus that processes an object while measuring the object and accurately finishes it to a predetermined shape. Concerning probe and contact gauge used.

従来のコンタクトゲージとしては、特開２００４−５３４１８（特許文献１）に記載される「ダイヤルゲージ用測定子及びその製造方法」が知られている。本願の図１０は当該ダイヤルゲージ用測定子の概略図である。
測定子１０１では、凹所を有した先端部材１０２を上面に突設した基部材１０３を配置し、他方、超硬合金層１０２ａの先端に人造ダイヤモンド層１０２ｂを一体形成した部材を配置し、前記部材の前記超硬合金層１０２ａを前記凹所に嵌合してロウ付けして、人造ダイヤモンド層１０２ｂが突出するように構成されている。 As a conventional contact gauge, “a dial gauge gauge and its manufacturing method” described in JP-A-2004-53418 (Patent Document 1) is known. FIG. 10 of the present application is a schematic view of the dial gauge probe.
In the probe 101, a base member 103 is provided with a tip member 102 having a recess projecting from the upper surface, and a member in which an artificial diamond layer 102b is integrally formed at the tip of a cemented carbide layer 102a is disposed. The cemented carbide layer 102a of the member is fitted into the recess and brazed so that the artificial diamond layer 102b protrudes.

特開２００４−５３４１８号公報JP 2004-53418 A

特許文献１では、人造ダイヤモンド層１０２ｂの先端面を湾曲に研磨して測定面とし、計測される対象物に当接する測定面トップを前記測定面の頂上とする測定子１０１が図示されている。
しかしながら、特許文献１のどこを見ても人造ダイヤモンド層１０２ｂの記載しかなく、人造ダイヤモンド層の特性については一切記載されていない。この特許文献１の出願日は２００２年７月１９日であり、この当時の人造ダイヤモンドは天然ダイヤモンドに替わる単結晶ダイヤモンドを目指して開発されており、上記人造ダイヤモンド層１０２ｂは単結晶ダイヤモンドから形成されると考えるのが当業者としての常識である。 In Patent Document 1, a measuring element 101 is illustrated in which the tip surface of the artificial diamond layer 102b is polished into a curved surface to be a measurement surface, and the measurement surface top that is in contact with the object to be measured is the top of the measurement surface.
However, everywhere in Patent Document 1, only the artificial diamond layer 102b is described, and the characteristics of the artificial diamond layer are not described at all. The filing date of this Patent Document 1 is July 19, 2002, and the artificial diamond at that time was developed with the aim of single crystal diamond replacing natural diamond, and the artificial diamond layer 102b is formed of single crystal diamond. It is common sense as a person skilled in the art to think that.

周知のように、単結晶ダイヤモンドは結晶の単位となる単位胞が規則正しく積み上げられて構成されている。この単結晶ダイヤモンドの表面を湾曲に研磨して測定面に加工する場合、単結晶の表面は大きく劈開しながら階段状に湾曲面が形成されることになる。階段の各ステップは劈開面からなり、無数の劈開面が階段状に連なって湾曲した測定面を構成する。ミクロにみれば劈開面の段差は結構大きく、単結晶ダイヤモンドの場合には劈開面の段差がかなり大きくなることは自明の理である。従って、単結晶ダイヤモンドの測定面の表面粗さはかなり大きい結果となる。本発明との比較例として後述するが、単結晶ダイヤモンドを本発明と同条件で研磨した場合、算術表面粗さＲａ＝０．３７３１（μｍ）であり、十点平均粗さＲｚ＝１．８５７７（μｍ）となった。   As is well known, single crystal diamond is configured by regularly stacking unit cells serving as crystal units. When the surface of the single crystal diamond is polished into a curved surface and processed into a measurement surface, the surface of the single crystal is greatly cleaved and a curved surface is formed in a stepped shape. Each step of the staircase consists of a cleavage plane, and an infinite number of cleavage planes form a measurement surface that is curved in a staircase pattern. When viewed microscopically, the level difference on the cleavage plane is quite large, and in the case of single crystal diamond, the level difference on the cleavage plane is quite large. Therefore, the surface roughness of the measurement surface of the single crystal diamond is considerably large. As will be described later as a comparative example with the present invention, when single crystal diamond is polished under the same conditions as the present invention, the arithmetic surface roughness Ra = 0.3731 (μm) and the ten-point average roughness Rz = 1.85777 (Μm).

対象物の表面に当接する測定面トップの表面粗さが小さい程、対象物の加工表面の精密測定が可能になることは当然である。上述したように、単結晶ダイヤモンドを測定子として用いると、測定面トップの算術表面粗さＲａが０．３（μｍ）を超えてしまい、精密測定用の測定子及びコンタクトゲージとしては弱点を有していると言わざるを得ない。   Of course, the smaller the surface roughness of the top of the measurement surface that is in contact with the surface of the object, the more precisely the processed surface of the object can be measured. As described above, when single crystal diamond is used as a measuring element, the arithmetic surface roughness Ra of the top of the measuring surface exceeds 0.3 (μm), and there is a weak point as a measuring element and a contact gauge for precision measurement. I must say that I am doing.

従って、本発明は、多結晶ＣＶＤダイヤモンドを測定子の素材として用い、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの結晶子の粒径が極めて小さいことを利用して研磨により形成される測定子トップの算術表面粗さＲａを０．１（μｍ）以下に設定できる測定子の開発に成功し、この測定子を使用したコンタクトゲージを提供することを目的とする。   Therefore, according to the present invention, the arithmetic surface roughness Ra of the probe top formed by polishing using polycrystalline CVD diamond as a material for the probe and utilizing the extremely small particle size of the crystallite of the polycrystalline CVD diamond. An object of the present invention is to provide a contact gauge using the measuring element.

本発明は、上記課題を解決するために為されたものであり、本発明の第１の形態は、対象物の測定に使用されるコンタクトゲージの測定子であり、対象物を測定する測定面が多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面から構成される測定子である。   The present invention has been made to solve the above problems, and a first aspect of the present invention is a contact gauge probe used for measuring an object, and a measurement surface for measuring the object. Is a measuring element composed of a measuring surface of a polycrystalline CVD diamond chip.

本発明の第２の形態は、前記測定面の中で対象物に当接する測定面トップの算術平均粗さＲａは０．１（μｍ）以下であり、且つ十点平均粗さＲｚは０．５（μｍ）以下である測定子である。   In the second embodiment of the present invention, the arithmetic average roughness Ra of the measurement surface top contacting the object in the measurement surface is 0.1 (μm) or less, and the ten-point average roughness Rz is 0.8. It is a measuring element which is 5 (μm) or less.

本発明の第３の形態は、基板とその基板面を成長開始面としてＣＶＤにより成長させて最外表面を成長面とする多結晶ＣＶＤダイヤモンドからなる素材を原料とし、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドを構成する結晶子の粒径は成長開始面から成長面に向けて次第に増大する特性を有し、前記基板から多結晶ＣＶＤダイヤモンドを分離し、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップは前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドから切り出され、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップをその成長開始面から研磨し、最終の研磨面が前記測定面になるように前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップを構成する測定子である。   According to a third aspect of the present invention, the polycrystalline CVD diamond is formed from a raw material made of polycrystalline CVD diamond which is grown by CVD with the substrate surface as the growth start surface and the outermost surface as the growth surface. The crystallite has a characteristic that the grain size of the crystallites gradually increases from the growth start surface to the growth surface, and separates the polycrystalline CVD diamond from the substrate, and the polycrystalline CVD diamond chip is cut from the polycrystalline CVD diamond. A measuring element that polishes the polycrystalline CVD diamond chip from its growth start surface and constitutes the polycrystalline CVD diamond chip so that the final polished surface becomes the measurement surface.

本発明の第４の形態は、前記測定面の測定面トップは結晶子の粒径が２０μｍ以下の領域に配置される測定子である。   According to a fourth aspect of the present invention, the measurement surface top of the measurement surface is a measurement element arranged in a region where the grain size of the crystallite is 20 μm or less.

本発明の第５の形態は、前記形態の測定子と、前記測定子をアーム先端部の側面に固定したアームから構成され、前記測定子では前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面が突設されているコンタクトゲージである。   According to a fifth aspect of the present invention, the measuring element of the above-described form and an arm in which the measuring element is fixed to a side surface of the tip of the arm are provided, and the measuring surface of the polycrystalline CVD diamond chip protrudes from the measuring element. It is a contact gauge.

本発明の第６の形態は、前記形態のコンタクトゲージを１本以上用意して、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面で計測するコンタクトゲージ装置と、前記コンタクトゲージ装置により測定されながら所定形状にまで加工される対象物と、前記対象物を所定形状に加工する加工装置と、前記加工装置による加工と前記コンタクトゲージ装置による測定を制御するコンピュータ装置と、前記コンピュータ装置は加工と測定を制御する加工測定制御プログラムを内蔵する加工測定装置である。   According to a sixth aspect of the present invention, at least one contact gauge of the above-described form is prepared, and a contact gauge device that measures on the measurement surface of the polycrystalline CVD diamond chip, and a predetermined shape while being measured by the contact gauge device. An object to be processed, a processing device for processing the object into a predetermined shape, a computer device for controlling processing by the processing device and measurement by the contact gauge device, and the computer device controlling processing and measurement This is a machining measurement device incorporating a machining measurement control program.

本発明の第１の形態によれば、対象物の測定に使用されるコンタクトゲージの測定子であり、対象物を測定する測定面が多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面から構成される測定子が提供される。
本発明では、測定子の測定突部を多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップで構成する。多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップは多結晶ＣＶＤダイヤモンドから切り出されて形成される。多結晶ＣＶＤダイヤモンドは、基板の基板面にＣＶＤ（化学気相成長法）により層状に形成される。基板面が成長開始面となり、成長開始面から上方へと積層形成され、最上面の成長面が上方へと成長しながら積層厚が順次増大する。多結晶ＣＶＤダイヤモンドは無数の単結晶からなる結晶子が積み上がって形成されてゆくが、成長開始面の結晶子粒径が最も小さくて０．１μｍ〜１μｍ程度であり、上方に行くに従って結晶子粒径が１μｍ〜５μｍ、５μｍ〜１０μｍ、１０μｍ〜２０μｍになり、更に上方に行くと結晶子粒径が２０μｍ〜１００μｍになり、積層厚がｍｍオーダーになると最上面である成長面の結晶子粒径が１００μｍ〜５００μｍにも達する。 According to the first aspect of the present invention, there is provided a contact gauge measuring element used for measuring an object, wherein the measuring surface for measuring the object is composed of a measuring surface of a polycrystalline CVD diamond chip. Provided.
In the present invention, the measurement protrusion of the probe is constituted by a polycrystalline CVD diamond tip. A polycrystalline CVD diamond tip is formed by cutting from polycrystalline CVD diamond. Polycrystalline CVD diamond is formed in layers on the substrate surface by CVD (chemical vapor deposition). The substrate surface serves as a growth start surface, and is stacked from the growth start surface upward, and the stack thickness increases sequentially while the uppermost growth surface grows upward. Polycrystalline CVD diamond is formed by accumulating innumerable single crystallites, but the crystallite grain size on the growth start surface is the smallest, about 0.1 μm to 1 μm. The grain size becomes 1 μm to 5 μm, 5 μm to 10 μm, 10 μm to 20 μm, and further upward, the crystallite grain size becomes 20 μm to 100 μm. The diameter reaches 100 μm to 500 μm.

本発明では、積層された多結晶ＣＶＤダイヤモンドを基板から分離し、分離された状態の多結晶ＣＶＤダイヤモンドは底面が成長開始面で上面が成長面である。そこで、この多結晶ＣＶＤダイヤモンドを上下反転させ、底面が成長面で上面が成長開始面であるように配置する。この多結晶ＣＶＤダイヤモンドから所定形状の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップを切り出すと、上面である成長開始面の結晶子粒径は極めて小さく、この多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの成長開始面を研磨して測定面にする。上に凸の様に研磨すると、中央の測定面トップが最も成長開始面に近いから、測定面トップの結晶子粒径が最も小さくなり、測定面トップの表面粗さを極限にまで小さく設定することができる。表面を研磨すると、結晶子が微細に劈開しながら測定面が形成されて行き、測定面の算術平均粗さＲａは極めて小さく設定でき、中でも上に凸面である頂上の測定面トップの算術平均粗さＲａ（μｍ）はもっとも小さく設定することが可能になる。   In the present invention, the stacked polycrystalline CVD diamond is separated from the substrate. In the separated polycrystalline CVD diamond, the bottom surface is the growth start surface and the top surface is the growth surface. Therefore, the polycrystalline CVD diamond is turned upside down so that the bottom surface is the growth surface and the top surface is the growth start surface. When a polycrystalline CVD diamond chip of a predetermined shape is cut out from this polycrystalline CVD diamond, the crystallite grain size of the growth start surface, which is the upper surface, is extremely small, and the growth start surface of this polycrystalline CVD diamond chip is polished to form a measurement surface. To do. When polished in a convex manner, the top of the measurement surface at the center is closest to the growth start surface, so the crystallite grain size of the measurement surface top is the smallest, and the surface roughness of the measurement surface top is set to the minimum. be able to. When the surface is polished, the measurement surface is formed while the crystallites are finely cleaved, and the arithmetic average roughness Ra of the measurement surface can be set to be extremely small, especially the arithmetic average roughness of the top of the measurement surface that is a convex surface. Ra (μm) can be set to the smallest value.

また、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの破砕靭性は８．２（ＭＰａｍ１／２）もあり、単結晶ダイヤモンドの破砕靭性が３．６（ＭＰａｍ１／２）であるのと比較すると、本形態の測定子は単結晶ダイヤモンドよりはるかに耐久性を有する特徴がある。
更に、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの２０℃熱伝導性及び２００℃熱伝導性は夫々１０５０〜１１５０（Ｗ／ｍＫ）及び９５０〜１０５０（Ｗ／ｍＫ）であるのに対し、単結晶ダイヤモンドで６５０〜２２５０（Ｗ／ｍＫ）及び６５０〜１１５０（Ｗ／ｍＫ）であり、熱伝導性は単結晶ダイヤモンドと殆ど同等であるから、本形態の測定子は回転状態にある対象物の表面に測定子トップを当接させても、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの熱伝導率が高いため熱の影響を受けにくい利点がある。
これらの特徴は、第１形態〜第４形態を通して本発明の測定子の利点として共通性を有する。 In addition, the fracture toughness of polycrystalline CVD diamond is 8.2 (MPam 1/2 ), which is compared with the single crystal diamond having a fracture toughness of 3.6 (MPam 1/2 ). Is much more durable than single crystal diamond.
Furthermore, the 20 ° C. and 200 ° C. thermal conductivities of polycrystalline CVD diamond are 1050 to 1150 (W / mK) and 950 to 1050 (W / mK), respectively, whereas 650 to 2250 for single crystal diamond. (W / mK) and 650 to 1150 (W / mK), and the thermal conductivity is almost the same as that of single crystal diamond, the measuring element of this embodiment has a measuring element top on the surface of the rotating object. Even if they are brought into contact with each other, there is an advantage that the polycrystalline CVD diamond has a high thermal conductivity and is hardly affected by heat.
These features have commonality as an advantage of the probe of the present invention through the first to fourth embodiments.

本発明の第２の形態によれば、前記測定面の中で対象物に当接する測定面トップの算術平均粗さＲａは０．１（μｍ）以下であり、且つ十点平均粗さＲｚは０．５（μｍ）以下である測定子である。
上述したように、本発明では、多結晶ＣＶＤダイヤモンドを基板から分離し、分離された状態の多結晶ＣＶＤダイヤモンドを上下反転させて底面が成長面で上面が成長開始面であるように配置する。この多結晶ＣＶＤダイヤモンドから所定形状の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップを切り出すと、上面である成長開始面側の結晶子粒径は、０．１μｍ〜１μｍ、下方に行くに従って１μｍ〜５μｍ、５μｍ〜１０μｍ、１０μｍ〜２０μｍになり、更に下方に行くと２０μｍ〜１００μｍ、最下部の成長面側では１００μｍ〜５００μｍに達する。そこで、上面の成長開始面側を上に凸状に研磨して測定面を形成すると、最頂部である測定面トップを上記のような結晶子粒径領域に調整することにより、測定面トップの算術表面粗さＲａを任意に調整することができる。従って、測定する対象物の表面と当接する測定面トップの算術平均粗さＲａを容易に０．１（μｍ）以下に設定でき、且つ十点平均粗さＲｚを０．５（μｍ）以下に調整することも可能であり、高精細度の測定子を提供することができる。 According to the second mode of the present invention, the arithmetic average roughness Ra of the measurement surface top that contacts the object in the measurement surface is 0.1 (μm) or less, and the ten-point average roughness Rz is It is a measuring element which is 0.5 (μm) or less.
As described above, in the present invention, the polycrystalline CVD diamond is separated from the substrate, and the separated polycrystalline CVD diamond is turned upside down so that the bottom surface is the growth surface and the top surface is the growth start surface. When a polycrystalline CVD diamond chip of a predetermined shape is cut out from this polycrystalline CVD diamond, the crystallite particle size on the growth start surface side which is the upper surface is 0.1 μm to 1 μm, and 1 μm to 5 μm, 5 μm to 10 μm as it goes downward, 10 μm to 20 μm, 20 μm to 100 μm when going further downward, and 100 μm to 500 μm on the bottom growth surface side. Therefore, when the measurement surface is formed by polishing the upper surface of the growth start surface side upward, the top of the measurement surface is adjusted to the crystallite grain size region as described above to adjust the top of the measurement surface. Arithmetic surface roughness Ra can be arbitrarily adjusted. Therefore, the arithmetic average roughness Ra of the top of the measurement surface contacting the surface of the object to be measured can be easily set to 0.1 (μm) or less, and the ten-point average roughness Rz is set to 0.5 (μm) or less. It is also possible to adjust, and a high-definition measuring element can be provided.

本発明の第３の形態によれば、基板とその基板面を成長開始面としてＣＶＤにより成長させて最外表面を成長面とする多結晶ＣＶＤダイヤモンドからなる素材を原料とし、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドを構成する結晶子の粒径は成長開始面から成長面に向けて次第に増大する特性を有し、前記基板から多結晶ＣＶＤダイヤモンドを分離し、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップは前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドから切り出され、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップをその成長開始面から研磨し、最終の研磨面が前記測定面になるように前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップを構成する測定子が提供できる。
前述したように、成長開始面側の結晶子粒径は、０．１μｍ〜１μｍ、更に１μｍ〜５μｍ、５μｍ〜１０μｍ、１０μｍ〜２０μｍへと増大し、更に離れると２０μｍ〜１００μｍになり、成長面側では１００μｍ〜５００μｍに達する。従って、成長開始面から研磨して測定面を形成すると、測定面全体の算術表面粗さを任意に小さくでき、特に、対象物の計測表面に当接する測定面トップは最も成長開始面に近い側に存在するから、測定面トップの算術表面粗さＲａを極限にまで小さくでき、高精細・高精度の測定子を提供することが可能になった。 According to the third aspect of the present invention, the polycrystalline CVD diamond is obtained by using as a raw material a polycrystalline CVD diamond which is grown by CVD using the substrate and its substrate surface as a growth start surface and having the outermost surface as a growth surface. The grain size of the crystallites constituting the film has a property of gradually increasing from the growth start surface toward the growth surface, separating the polycrystalline CVD diamond from the substrate, and the polycrystalline CVD diamond tip is separated from the polycrystalline CVD diamond. It is possible to provide a measuring element that is cut out and polished from the growth start surface of the polycrystalline CVD diamond chip so that the final polished surface becomes the measurement surface.
As described above, the crystallite grain size on the growth start surface side increases from 0.1 μm to 1 μm, further from 1 μm to 5 μm, from 5 μm to 10 μm, from 10 μm to 20 μm, and further from 20 μm to 100 μm. On the side, it reaches 100 μm to 500 μm. Therefore, when the measurement surface is formed by polishing from the growth start surface, the arithmetic surface roughness of the entire measurement surface can be arbitrarily reduced. In particular, the measurement surface top that contacts the measurement surface of the object is the side closest to the growth start surface. Therefore, the arithmetic surface roughness Ra at the top of the measurement surface can be reduced to the limit, and a high-definition and high-precision probe can be provided.

本発明の第４の形態によれば、前記測定面の測定面トップは結晶子の粒径が２０μｍ以下の領域に配置される測定子が提供できる。
上述のように、対象物の計測表面に当接する測定面トップは最も成長開始面に近い側に存在するように形成できる。成長開始面側の結晶子粒径は、０．１μｍ〜１μｍ、更に１μｍ〜５μｍ、５μｍ〜１０μｍ、１０μｍ〜２０μｍへと順次増大するから、結晶子粒径が２０μｍ以下の結晶子粒径領域に測定面トップを配置するように研磨すれば、測定面トップの算術平均粗さＲａを容易に０．１（μｍ）以下に設定でき、且つ十点平均粗さＲｚを０．５（μｍ）以下に調整することも可能であり、高精細度の測定子を実現することができる。 According to the 4th form of this invention, the measuring element arrange | positioned in the area | region whose particle size of a crystallite is 20 micrometers or less can provide the measuring surface top of the said measuring surface.
As described above, the measurement surface top that comes into contact with the measurement surface of the object can be formed so as to exist on the side closest to the growth start surface. The crystallite grain size on the growth start surface side is gradually increased from 0.1 μm to 1 μm, and further from 1 μm to 5 μm, 5 μm to 10 μm, and 10 μm to 20 μm, so that the crystallite grain size is 20 μm or less. If polishing is performed so that the measurement surface top is arranged, the arithmetic average roughness Ra of the measurement surface top can be easily set to 0.1 (μm) or less, and the ten-point average roughness Rz is 0.5 (μm) or less. Therefore, it is possible to realize a high-definition measuring element.

本発明の第５の形態によれば、前記形態の測定子と、前記測定子をアーム先端部に固定したアームから構成され、前記測定子では前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面が突設されているコンタクトゲージが提供できる。
本形態では、多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面が突設されており、測定される対象物の測定表面は多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面により計測されるから、対象物の測定が高精細度に実行できる利点を有する。特に、測定面の中でも最も突出した測定面トップが対象物の測定表面に当接するから、本発明のコンタクトゲージは、測定面トップの算術表面粗さＲａが極めて小さく形成されているため、対象物が高精細度に決定できる効果を有する。 According to the fifth aspect of the present invention, the measuring element of the above-described form and an arm in which the measuring element is fixed to an arm tip portion are formed, and the measuring surface of the polycrystalline CVD diamond chip protrudes from the measuring element. A contact gauge can be provided.
In this embodiment, the measurement surface of the polycrystalline CVD diamond chip is projected, and the measurement surface of the object to be measured is measured by the measurement surface of the polycrystalline CVD diamond chip. Has the advantage that can be implemented. In particular, since the measurement surface top that protrudes most among the measurement surfaces is in contact with the measurement surface of the object, the contact gauge of the present invention has an arithmetic surface roughness Ra of the measurement surface top that is extremely small. Has an effect that can be determined with high definition.

前述したように、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの破砕靭性は８．２（ＭＰａｍ１／２）もあり、単結晶ダイヤモンドの破砕靭性が３．６（ＭＰａｍ１／２）であるのと比較すると、本発明のコンタクトゲージは、単結晶ダイヤモンドよりはるかに耐久性を有する特徴がある。
また、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの２０℃熱伝導性及び２００℃熱伝導性は夫々１０５０〜１１５０（Ｗ／ｍＫ）及び９５０〜１０５０（Ｗ／ｍＫ）であるのに対し、単結晶ダイヤモンドで６５０〜２２５０（Ｗ／ｍＫ）及び６５０〜１１５０（Ｗ／ｍＫ）であり、熱伝導性は単結晶ダイヤモンドと殆ど同等であるから、本発明のコンタクトゲージは、回転状態にある対象物の表面に測定子トップを当接させても、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの熱伝導率が高いため熱の影響を受けにくい利点がある。 As described above, the crushing toughness of polycrystalline CVD diamond is 8.2 (MPam 1/2 ), and the crushing toughness of single crystal diamond is 3.6 (MPam 1/2 ). The contact gauge is characterized by being much more durable than single crystal diamond.
Further, the 20 ° C. thermal conductivity and 200 ° C. thermal conductivity of polycrystalline CVD diamond are 1050 to 1150 (W / mK) and 950 to 1050 (W / mK), respectively, whereas 650 to 2250 for single crystal diamond. (W / mK) and 650 to 1150 (W / mK), and the thermal conductivity is almost equal to that of single crystal diamond, the contact gauge of the present invention has a probe top on the surface of the object in a rotating state. Even if they are brought into contact with each other, the thermal conductivity of polycrystalline CVD diamond is high, so that there is an advantage that it is hardly affected by heat.

本発明の第６の形態によれば、前記形態のコンタクトゲージを１本以上用意して、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面で計測するコンタクトゲージ装置と、前記コンタクトゲージ装置により測定されながら所定形状にまで加工される対象物と、前記対象物を所定形状に加工する加工装置と、前記加工装置による加工と前記コンタクトゲージ装置による測定を制御するコンピュータ装置と、前記コンピュータ装置は加工と測定を制御する加工測定制御プログラムを内蔵する加工測定装置である。
本発明のコンタクトゲージ装置は、本発明である第５形態のコンタクトゲージを使用しているから、本発明のコンタクトゲージが有する利点を全て併有している。即ち、測定される対象物の測定表面は多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面により計測されるから、対象物の測定が高精細度に実行できる利点を有する。また、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの破砕靭性は８．２（ＭＰａｍ１／２）もあるから、本発明のコンタクトゲージ装置は、単結晶ダイヤモンドよりはるかに耐久性を有する特徴がある。更に、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの熱伝導性は単結晶ダイヤモンドと殆ど同等であるから、本発明のコンタクトゲージ装置は、回転状態にある対象物の表面に測定子トップを当接させても、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの熱伝導率が高いため熱の影響を受けにくい利点がある。 According to the sixth aspect of the present invention, one or more contact gauges of the above-mentioned form are prepared, a contact gauge device that measures on the measurement surface of the polycrystalline CVD diamond chip, and a predetermined while being measured by the contact gauge device An object to be processed into a shape, a processing device for processing the object into a predetermined shape, a computer device that controls processing by the processing device and measurement by the contact gauge device, and the computer device performs processing and measurement. It is a machining measurement device incorporating a machining measurement control program to be controlled.
Since the contact gauge device of the present invention uses the contact gauge of the fifth embodiment of the present invention, it has all the advantages of the contact gauge of the present invention. That is, since the measurement surface of the object to be measured is measured by the measurement surface of the polycrystalline CVD diamond tip, there is an advantage that the measurement of the object can be performed with high definition. In addition, since the fracture toughness of polycrystalline CVD diamond is 8.2 (MPam 1/2 ), the contact gauge device of the present invention is characterized by being much more durable than single crystal diamond. Furthermore, since the thermal conductivity of polycrystalline CVD diamond is almost the same as that of single crystal diamond, the contact gauge device of the present invention can be used even if the probe top is brought into contact with the surface of a rotating object. Since CVD diamond has a high thermal conductivity, it has the advantage of being hardly affected by heat.

本発明の加工測定装置は、加工と測定を制御する加工測定制御プログラムを内蔵するコンピュータ装置により制御されるから、加工測定を自動制御で行うことができる。
特に、加工測定制御プログラムが、対象物がセットされたかどうかの判別ステップと、加工してよいかどうかの判別ステップと、加工装置がオンされたときに加工時間が経過したかどうかの判別ステップと、コンタクトゲージ装置がセットされたときに加工が目的値に達したかどうかの判別ステップと、加工が目的値に達しないときにコンタクトゲージ装置をリセットして加工を継続するステップを少なくとも含むから、加工と測定を反復して加工測定を自動化することができる利点を有する。 Since the machining measurement apparatus of the present invention is controlled by a computer device having a machining measurement control program for controlling machining and measurement, machining measurement can be performed automatically.
In particular, the machining measurement control program determines whether or not the object has been set, determines whether or not to process, and determines whether or not the machining time has elapsed when the machining device is turned on. Since at least the step of determining whether or not the processing has reached the target value when the contact gauge device is set and the step of resetting the contact gauge device and continuing the processing when the processing does not reach the target value, It has an advantage that machining measurement can be automated by repeating machining and measurement.

図1は、本発明に係るコンタクトゲージの先端側の要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part on the tip side of a contact gauge according to the present invention. 図２は、本発明に係るコンタクトゲージの全体を示す側面図と平面図である。FIG. 2 is a side view and a plan view showing the entire contact gauge according to the present invention. 図３は、本発明に係る測定子を構成する多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの概略説明図である。FIG. 3 is a schematic explanatory view of a polycrystalline CVD diamond chip constituting the measuring element according to the present invention. 図４は、本発明において、多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップを切り出してホルダに接合して測定子を製造する工程説明図である。FIG. 4 is a process explanatory diagram for manufacturing a measuring element by cutting out a polycrystalline CVD diamond chip and bonding it to a holder in the present invention. 図５は、本発明において、多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの成長開始面をホルダと共に研磨することにより測定面を形成して測定子を完成し、コンタクトゲージを製造する工程説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a process for manufacturing a contact gauge by forming a measuring surface by polishing a growth start surface of a polycrystalline CVD diamond chip together with a holder in the present invention. 図６は、本発明において、一対のコンタクトゲージを有するコンタクトゲージ装置を用いて、対象物の内周面の直径を計測しながら対象物の内周面を所定値に到達するまで加工装置により加工する加工測定装置の加工測定部の概略構成図である。FIG. 6 shows a process using a contact gauge device having a pair of contact gauges according to the present invention, while measuring the diameter of the inner peripheral surface of the target object until the inner peripheral surface of the target object reaches a predetermined value. It is a schematic block diagram of the process measurement part of the process measurement apparatus to perform. 図７は、本発明に係る加工測定装置のブロック図である。FIG. 7 is a block diagram of the machining measurement apparatus according to the present invention. 図８は、本発明に係るコンタクトゲージ装置で計測しながら対象物を駆動しないで加工装置により加工する加工測定装置の加工制御プログラムのフロー図である。FIG. 8 is a flowchart of a machining control program of a machining measurement apparatus that performs machining using a machining apparatus without driving an object while measuring with the contact gauge apparatus according to the present invention. 図９は、本発明に係るコンタクトゲージ装置で計測しながら対象物を駆動させて加工装置により加工する加工測定装置の加工制御プログラムのフロー図である。FIG. 9 is a flowchart of a machining control program of a machining measurement apparatus that drives an object while machining with the machining apparatus while measuring with the contact gauge device according to the present invention. 図１０は、従来技術である特開２００４−５３４１８号公報（特許文献１）のダイヤルゲージ用測定子の概略図である。FIG. 10 is a schematic diagram of a dial gauge probe disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-53418 (Patent Document 1), which is a conventional technique.

以下に、本発明に係る測定子、コンタクトゲージ及び加工測定装置の実施形態を図面と表に従って詳細に説明する。
図1は、本発明に係るコンタクトゲージの先端側の要部断面図である。コンタクトゲージ１のアーム先端部３には嵌合孔４が開孔されており、この嵌合孔４の内周面に測定子１０が測定子接合層６により嵌着されている。前記測定子接合層６はロウ材によりロウ付け形成すれば強固な接合層になるが、接着剤等の他の接合手段やカシメ等の機械的手段を用いてもよい。測定子１０は、ホルダ１２の凹部１３に多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４を嵌合し、チップ接合層１８により多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４を凹部１３の内面に嵌着されている。前記チップ接合層１８はロウ材によりロウ付け形成すれば強固な接合層になるが、接着剤等の他の接合手段やカシメ等の機械的手段を用いてもよいことは云うまでもない。
多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４は、外方に突出して湾曲形成された測定面１６を有し、測定面１６の最頂点が測定面トップ１７であり、この測定面トップ１７が計測されるべき対象物の計測表面に当接されて前記対象物の計測表面を測定する。従って、測定面トップ１７を含めて測定面１６の表面粗さは極めて小さく形成され、特に測定面トップ１７の近傍の算術表面粗さＲａは０．１μｍ以下に設定され、且つ十点平均粗さＲｚも０．５（μｍ）以下に調整される。 Hereinafter, embodiments of a probe, a contact gauge, and a processing measurement apparatus according to the present invention will be described in detail according to the drawings and tables.
FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part on the tip side of a contact gauge according to the present invention. A fitting hole 4 is opened in the arm tip 3 of the contact gauge 1, and a measuring element 10 is fitted on the inner peripheral surface of the fitting hole 4 by a measuring element bonding layer 6. The probe bonding layer 6 becomes a strong bonding layer by brazing with a brazing material, but other bonding means such as an adhesive or mechanical means such as caulking may be used. In the measuring element 10, the polycrystalline CVD diamond chip 14 is fitted in the recess 13 of the holder 12, and the polycrystalline CVD diamond chip 14 is fitted on the inner surface of the recess 13 by the chip bonding layer 18. The chip bonding layer 18 becomes a strong bonding layer by brazing with a brazing material, but it goes without saying that other bonding means such as an adhesive or mechanical means such as caulking may be used.
The polycrystalline CVD diamond chip 14 has a measurement surface 16 that is curved to protrude outward. The highest vertex of the measurement surface 16 is a measurement surface top 17, and the measurement surface top 17 is an object to be measured. The measurement surface of the object is measured by contacting the measurement surface. Accordingly, the surface roughness of the measurement surface 16 including the measurement surface top 17 is extremely small, and in particular, the arithmetic surface roughness Ra in the vicinity of the measurement surface top 17 is set to 0.1 μm or less, and the ten-point average roughness. Rz is also adjusted to 0.5 (μm) or less.

図２は、本発明に係るコンタクトゲージの全体を示す側面図と平面図である。（２Ａ）はコンタクトゲージ１の側面図である。コンタクトゲージ１はアーム２とそのアーム先端部３に装着固定された測定子１０から構成され、測定子１０の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４の測定面１６が平面から突設されている。また、アーム２の後端部には連結孔７が開孔されており、後述するコンタクトゲージ装置Ｇに連結孔７を介して固定するように構成されている。
（２Ｂ）はコンタクトゲージ１の平面図であり、アーム２のアーム先端部３から多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４の測定面１６が突設されている。このコンタクトゲージ１は種々のコンタクトゲージ装置Ｇに連結固定される。 FIG. 2 is a side view and a plan view showing the entire contact gauge according to the present invention. 2A is a side view of the contact gauge 1. FIG. The contact gauge 1 is composed of an arm 2 and a measuring element 10 attached and fixed to the arm tip 3, and a measuring surface 16 of a polycrystalline CVD diamond tip 14 of the measuring element 10 is projected from a plane. Further, a connecting hole 7 is opened at the rear end portion of the arm 2 and is configured to be fixed to a contact gauge device G described later via the connecting hole 7.
(2B) is a plan view of the contact gauge 1, and a measurement surface 16 of a polycrystalline CVD diamond tip 14 protrudes from the arm tip 3 of the arm 2. The contact gauge 1 is connected and fixed to various contact gauge devices G.

図３は、本発明に係る測定子を構成する多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの概略説明図である。（３Ａ）は、基板２６の基板面２７にＣＶＤ（化学気相成長法）により多結晶ＣＶＤダイヤモンド２０を形成した素材２４の摸式図である。多結晶ＣＶＤダイヤモンド２０は、基板面２７側の成長開始面２１から上方に向けて成長し、最終的に最上面である成長面２２にまで成長する。多結晶ＣＶＤダイヤモンド２０は無数の単結晶粒子である結晶子２３が積層して形成されており、成長開始面２１から成長面２２に到るまで結晶子粒径は次第に増大する特性を有する。成長開始面２１の近傍では、結晶子粒径は０．１μｍ〜１μｍ程度であり、成長面２２の方へ近づくに従って、結晶子粒径は１μｍ〜５μｍ、５μｍ〜１０μｍ、５μｍ〜２０μｍへと増大し、更に離れると２０μｍ〜１００μｍになり、成長面側では１００μｍ〜５００μｍに達する。つまり、成長面２２に近づくほど単結晶になろうとするために結晶子の粒径は急激に増大してゆく。（３Ａ）には、結晶子粒径として２０μｍと５００μｍの領域が図示されている。   FIG. 3 is a schematic explanatory view of a polycrystalline CVD diamond chip constituting the measuring element according to the present invention. (3A) is a schematic diagram of the material 24 in which the polycrystalline CVD diamond 20 is formed on the substrate surface 27 of the substrate 26 by CVD (chemical vapor deposition). The polycrystalline CVD diamond 20 grows upward from the growth start surface 21 on the substrate surface 27 side, and finally grows to the growth surface 22 which is the uppermost surface. The polycrystalline CVD diamond 20 is formed by laminating crystallites 23 that are innumerable single crystal grains. The crystallite grain diameter gradually increases from the growth start surface 21 to the growth surface 22. In the vicinity of the growth start surface 21, the crystallite particle size is about 0.1 μm to 1 μm, and the crystallite particle size increases to 1 μm to 5 μm, 5 μm to 10 μm, and 5 μm to 20 μm as it approaches the growth surface 22. However, when further away, it becomes 20 μm to 100 μm, and reaches 100 μm to 500 μm on the growth surface side. That is, the closer to the growth surface 22, the more the crystallite grain size increases in order to become a single crystal. In (3A), regions of 20 μm and 500 μm as crystallite grain sizes are shown.

（３Ｂ）は、成長を終了した多結晶ＣＶＤダイヤモンド２０を基板２６から分離し、この多結晶ＣＶＤダイヤモンド２０から所定サイズに切り出された直後の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４が上下反転して図示されている。従って、多結晶ＣＶＤダイヤモンド２０と多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４の両者の符号が記載されている。上下反転しているため、上面が成長開始面２１であり、下面が成長面２２に対応する。成長開始面２１から成長面２２へと下方に行くに従って結晶子粒径は増大し、結晶子粒径が２０μｍと５００μｍが付記されている。   In (3B), the polycrystalline CVD diamond 20 that has been grown is separated from the substrate 26, and the polycrystalline CVD diamond chip 14 immediately after being cut out from the polycrystalline CVD diamond 20 to a predetermined size is shown upside down. Yes. Accordingly, the reference numerals of both the polycrystalline CVD diamond 20 and the polycrystalline CVD diamond tip 14 are described. Since the upper and lower sides are inverted, the upper surface corresponds to the growth start surface 21, and the lower surface corresponds to the growth surface 22. The crystallite particle size increases as it goes downward from the growth start surface 21 to the growth surface 22, and the crystallite particle sizes of 20 μm and 500 μm are appended.

本発明では、成長開始面２１から研磨を開始し、成長開始面２１側に凸になるように研磨され、研磨面２８が最終研磨面となり、この最終研磨面が測定面１６を形成する。特に、研磨面２８の頂点が対象物の測定表面に当接する測定面トップ１７になり、少なくとも測定面トップ１７ができるだけ成長開始面２１に近づくほど測定面トップ１７の近傍の算術表面粗さＲａと十点表面粗さＲｚは小さく設定できる。この実施形態では、測定面トップ１７が少なくとも結晶子粒径が２０μｍ以下の領域、即ち２０μｍ以内領域２９に入るように研磨を行う。その結果、測定面トップ１７の近傍の算術表面粗さＲａは０．１μｍ以下で、且つ十点表面粗さＲｚは０．５μｍ以下に設定することが可能になった。勿論、測定面トップ１７をできるだけ成長開始面２１に接近するように研磨すれば、更に測定面トップ１７の近傍の算術表面粗さＲａは０．１μｍよりかなり小さくでき、且つ十点表面粗さＲｚは０．５μｍよりかなり小さく設定することができることは云うまでもない。   In the present invention, polishing is started from the growth start surface 21 and polished so as to be convex toward the growth start surface 21, and the polishing surface 28 becomes the final polishing surface, and this final polishing surface forms the measurement surface 16. In particular, the apex of the polishing surface 28 becomes the measurement surface top 17 in contact with the measurement surface of the object, and the arithmetic surface roughness Ra in the vicinity of the measurement surface top 17 becomes closer to at least the measurement surface top 17 as close to the growth start surface 21 as possible. The ten-point surface roughness Rz can be set small. In this embodiment, polishing is performed so that the measurement surface top 17 enters at least a region having a crystallite grain size of 20 μm or less, that is, a region 29 within 20 μm. As a result, the arithmetic surface roughness Ra in the vicinity of the measurement surface top 17 can be set to 0.1 μm or less, and the ten-point surface roughness Rz can be set to 0.5 μm or less. Of course, if the measurement surface top 17 is polished as close to the growth start surface 21 as possible, the arithmetic surface roughness Ra in the vicinity of the measurement surface top 17 can be made considerably smaller than 0.1 μm and the ten-point surface roughness Rz. Needless to say, can be set considerably smaller than 0.5 μm.

図４は、本発明において、多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップを切り出してホルダに接合して測定子を製造する工程説明図である。
（４Ａ）は、多結晶ＣＶＤダイヤモンド２０から多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４を切り出す工程図を示し、この多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４が（３Ｂ）に図示されていると考えればよい。上面が成長開始面２１であり、下面が成長面２２である。
（４Ｂ）は、成長開始面２１を上面にして多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４をホルダ１２の凹部１３の中に嵌合する工程図である。多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４の形状はホルダ１２の凹部１３の形状より僅かに小さくなる寸法に形成されている。
（４Ｃ）は、ホルダ１２の凹部１３に多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４を嵌合し、上からロウ材粉３１を投入した工程図である。ロウ材粉３１の材質はホルダ１２の材質と多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４の材質に依存するが、例えばホルダ１２がステンレス製であればロウ材粉として銅合金などが利用できるが、他種のロウ材でも構わないことは云うまでもない。
（４Ｄ）は、加熱により多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４をホルダ１２の凹部１３にロウ付けした工程図であり、チップ接合層１８が多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４の外周面と底面を覆って凹部１３に固く接合される。 FIG. 4 is a process explanatory diagram for manufacturing a measuring element by cutting out a polycrystalline CVD diamond chip and bonding it to a holder in the present invention.
(4A) shows a process diagram of cutting the polycrystalline CVD diamond chip 14 from the polycrystalline CVD diamond 20, and it can be considered that the polycrystalline CVD diamond chip 14 is shown in (3B). The upper surface is the growth start surface 21, and the lower surface is the growth surface 22.
FIG. 4B is a process diagram for fitting the polycrystalline CVD diamond chip 14 into the recess 13 of the holder 12 with the growth start surface 21 as the upper surface. The shape of the polycrystalline CVD diamond tip 14 is formed to be slightly smaller than the shape of the recess 13 of the holder 12.
(4C) is a process diagram in which the polycrystalline CVD diamond chip 14 is fitted into the recess 13 of the holder 12 and the brazing material powder 31 is introduced from above. The material of the brazing material powder 31 depends on the material of the holder 12 and the material of the polycrystalline CVD diamond chip 14. For example, if the holder 12 is made of stainless steel, a copper alloy or the like can be used as the brazing material powder. It goes without saying that materials are acceptable.
FIG. 4D is a process diagram in which the polycrystalline CVD diamond chip 14 is brazed to the recess 13 of the holder 12 by heating, and the chip bonding layer 18 covers the outer peripheral surface and the bottom surface of the polycrystalline CVD diamond chip 14 and forms the recess 13. Tightly joined.

図５は、本発明において、多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの成長開始面をホルダと共に研磨することにより測定面を形成して測定子を完成し、コンタクトゲージを製造する工程説明図である。本発明のコンタクトゲージ１は以下の手順（５Ａ）〜（５Ｄ）に従って形成される。
（５Ａ）は、ホルダ１２を実線Ａに沿って切削し、多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４の成長開始面２１を一点鎖線Ｂになるまで研磨して測定子１０を形成する工程図である。
（５Ｂ）は、完成された測定子１０の概略図である。測定子１０はホルダ１２と、このホルダ１２の凹部１３にチップ接合層１８により固く結合された研磨完了済みの多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４から構成されている。
（５Ｃ）は、測定子１０をアーム先端部３の嵌合孔４に嵌合する工程図である。アーム先端部３は、コンタクトゲージ１のアーム２の先端部であり、コンタクトゲージ１やアーム２やアーム先端部３の形状は、コンタクトゲージの種類ごとに異なることは云うまでもない。
（５Ｄ）は、測定子１０がロウ付けにより測定子接合層６により嵌合孔４に接合されてコンタクトゲージ１が完成された工程図である。測定面１６がコンタクトゲージ１の平面から突設されており、測定面１６の頂点が測定面トップ１７であり、この測定面トップ１７が対象物の測定表面に当接されて計測が行われる。 FIG. 5 is an explanatory diagram of a process for manufacturing a contact gauge by forming a measuring surface by polishing a growth start surface of a polycrystalline CVD diamond chip together with a holder in the present invention. The contact gauge 1 of the present invention is formed according to the following procedures (5A) to (5D).
(5A) is a process diagram in which the measuring element 10 is formed by cutting the holder 12 along the solid line A and polishing the growth start surface 21 of the polycrystalline CVD diamond tip 14 until the alternate long and short dash line B is reached.
(5B) is a schematic diagram of the completed probe 10. The measuring element 10 includes a holder 12 and a polished polycrystalline CVD diamond chip 14 which is firmly bonded to a recess 13 of the holder 12 by a chip bonding layer 18.
FIG. 5C is a process diagram for fitting the probe 10 into the fitting hole 4 of the arm tip 3. The arm tip 3 is the tip of the arm 2 of the contact gauge 1, and it goes without saying that the shapes of the contact gauge 1, the arm 2 and the arm tip 3 are different for each type of contact gauge.
(5D) is a process diagram in which the contact gauge 1 is completed by joining the measuring element 10 to the fitting hole 4 by the measuring element bonding layer 6 by brazing. The measurement surface 16 protrudes from the plane of the contact gauge 1, and the vertex of the measurement surface 16 is a measurement surface top 17, and the measurement surface top 17 is brought into contact with the measurement surface of the object to perform measurement.

［実施例１〜６：各種の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ］
図４及び図５に従って、６種類の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４を作成し、夫々の測定面トップ１７の近傍の算術平均粗さＲａ（μｍ）と十点平均粗さＲｚ（μｍ）を測定した。６種類の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ１４を実施例１〜実施例６とし、夫々の平均（Ｘ）と全体の標準偏差（ｓ）及び９５％信頼区間（Ｘ±２ｓ）を算出した。それらの結果を、単結晶ダイヤモンドの一例を比較例として相互に比較検討した。 [Examples 1 to 6: Various polycrystalline CVD diamond chips]
According to FIGS. 4 and 5, six types of polycrystalline CVD diamond chips 14 were prepared, and the arithmetic average roughness Ra (μm) and ten-point average roughness Rz (μm) in the vicinity of each measurement surface top 17 were measured. . Six kinds of polycrystalline CVD diamond chips 14 were set as Examples 1 to 6, and the average (X), the overall standard deviation (s), and the 95% confidence interval (X ± 2 s) were calculated. These results were compared with each other as an example of a single crystal diamond.

Figure 2016011912
Figure 2016011912

実施例１〜６の算術平均粗さＲａは０．０４９８（μｍ）〜０．０９４３（μｍ）に分布し、平均値ＸはＸ＝０．０６９８（μｍ）であった。バラツキを与える標準偏差ｓはｓ＝０．０１７２（μｍ）であった。そのバラツキの９５％信頼区間ＩＴは２×ｓで算出され、２ｓ＝０．０３４４（μｍ）であるから、ＩＴ＝Ｘ±２ｓ＝０．０６９８±０．０３４４（μｍ）で与えられることが分かった。
また、十点平均粗さＲｚは０．２７４（μｍ）〜０．５２６（μｍ）に分布し、平均値ＸはＸ＝０．３８９（μｍ）であった。バラツキを与える標準偏差ｓはｓ＝０．０９４（μｍ）であった。そのバラツキの９５％信頼区間ＩＴは２×ｓで算出され、２ｓ＝０．１８８（μｍ）であるから、ＩＴ＝Ｘ±２ｓ＝０．３８９±０．１８８（μｍ）（μｍ）で与えられることが分かった。
他方、比較例として、単結晶ダイヤモンドの一例を、本発明の多結晶ＣＶＤダイヤモンドと同じ方法で研磨して、を測定したところ、Ｒａ＝０．３７３１（μｍ）、Ｒｚ＝１．８５８（μｍ）が得られた。
本発明の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの算術平均粗さＲａと十点平均粗さＲｚの値は、単結晶ダイヤモンドの夫々の測定値の約１／５に相当し、本発明の実施例が単結晶を使用したよりも格段に表面粗さが小さく、高精細度において特段に向上していることが分かった。 The arithmetic average roughness Ra of Examples 1 to 6 was distributed from 0.0498 (μm) to 0.0943 (μm), and the average value X was X = 0.0698 (μm). The standard deviation s giving the variation was s = 0.172 (μm). The 95% confidence interval IT of the variation is calculated by 2 × s, and since 2s = 0.0344 (μm), it is found that IT = X ± 2s = 0.0698 ± 0.0344 (μm). It was.
The ten-point average roughness Rz was distributed in the range of 0.274 (μm) to 0.526 (μm), and the average value X was X = 0.389 (μm). The standard deviation s giving the variation was s = 0.094 (μm). The 95% confidence interval IT of the variation is calculated by 2 × s, and since 2s = 0.188 (μm), IT = X ± 2s = 0.389 ± 0.188 (μm) (μm) is given. I understood that.
On the other hand, as a comparative example, an example of a single crystal diamond was polished by the same method as the polycrystalline CVD diamond of the present invention and measured to find Ra = 0.3731 (μm), Rz = 1.858 (μm). was gotten.
The arithmetic average roughness Ra and the ten-point average roughness Rz of the polycrystalline CVD diamond tip of the present invention correspond to about 1/5 of the respective measured values of the single crystal diamond. It was found that the surface roughness was much smaller than that of using and the remarkably improved high definition.

［比較：破砕靭性と２０℃熱伝導性と２００℃熱伝導性］
表面粗さとは異なる物理量として、破砕靭性（ＭＰａｍ１／２）と２０℃熱伝導性（Ｗ／ｍＫ）と２００℃熱伝導性（Ｗ／ｍＫ）について、本発明に係る多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップと従来の単結晶ダイヤモンドの値を比較した。 [Comparison: Crush toughness, 20 ° C thermal conductivity, and 200 ° C thermal conductivity]
As the physical quantities different from the surface roughness, the polycrystalline CVD diamond tip according to the present invention is used for crush toughness (MPam 1/2 ), 20 ° C. thermal conductivity (W / mK), and 200 ° C. thermal conductivity (W / mK). The values of conventional single crystal diamond were compared.

Figure 2016011912
Figure 2016011912

破砕靭性は、本発明に係る多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップが従来の単結晶ダイヤモンドに対して２．５倍もあり、耐久性が格段に向上することが分かった。他方、２０℃熱伝導性と２００℃熱伝導性については、本発明に係る多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップが従来の単結晶ダイヤモンドとほぼ同等の性能を有しており、測定される対象物が回転状態にあっても、測定面トップを対象物の測定表面に接触させた場合に発生熱の熱伝導が効率よくなされることが分かった。
従って、総合特性として本発明の多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップが従来の単結晶ダイヤモンドよりも格段に優れていることが証明された。 The fracture toughness of the polycrystalline CVD diamond tip according to the present invention is 2.5 times that of conventional single crystal diamond, and it has been found that the durability is remarkably improved. On the other hand, for 20 ° C. thermal conductivity and 200 ° C. thermal conductivity, the polycrystalline CVD diamond tip according to the present invention has almost the same performance as conventional single crystal diamond, and the object to be measured is in a rotating state. Even in this case, it has been found that when the top of the measurement surface is brought into contact with the measurement surface of the object, heat conduction of the generated heat is efficiently performed.
Therefore, it has been proved that the polycrystalline CVD diamond tip of the present invention is far superior to the conventional single crystal diamond in terms of overall characteristics.

図６は、本発明において、一対のコンタクトゲージを有するコンタクトゲージ装置を用いて、対象物の内周面の直径を計測しながら対象物の内周面を目的値に到達するまで加工装置により加工する加工測定装置の加工測定部の概略構成図である。
加工測定部ＭＭＰは、加工測定装置ＭＭＡからコンピュータ装置Ｃを省いた部分を意味する。加工測定部ＭＭＰは、コンタクトゲージ装置Ｇと加工測定される対象物Ｗと加工装置ＭＴから構成されている。
コンタクトゲージ装置Ｇは、一対のコンタクトゲージ１、１がその測定面トップ１７、１７が相互に反対方向を向くように腕３０、３０に連結して配置され、腕３０、３０はコンタクトゲージ駆動機構３２に駆動自在に連結されている。このコンタクトゲージ駆動機構３２は腕３０、３０を左右に伸縮自在に制御し、図示の状態でコンタクトゲージ１、１は対象物Ｗの内周面４０の直径を計測する状態、即ちコンタクトゲージ装置セットの状態にある。腕３０、３０を左方向に短縮すると、コンタクトゲージ１、１が内周面４０から離脱して、コンタクトゲージ装置リセットの状態に移行する。 FIG. 6 shows a process using a contact gauge device having a pair of contact gauges according to the present invention, where the inner peripheral surface of the object is processed by the processing device until the target value is reached while measuring the diameter of the inner peripheral surface of the object. It is a schematic block diagram of the process measurement part of the process measurement apparatus to perform.
The machining measurement unit MMP means a part in which the computer apparatus C is omitted from the machining measurement apparatus MMA. The machining measurement unit MMP includes a contact gauge device G, an object W to be machined and a machining device MT.
The contact gauge device G is arranged such that a pair of contact gauges 1 and 1 are connected to arms 30 and 30 so that their measurement surface tops 17 and 17 face in opposite directions, and the arms 30 and 30 are contact gauge driving mechanisms. 32 is drivably connected. The contact gauge drive mechanism 32 controls the arms 30 and 30 so that the arms 30 and 30 can be expanded and contracted horizontally. In the state shown in the figure, the contact gauges 1 and 1 measure the diameter of the inner peripheral surface 40 of the object W, that is, a contact gauge device set. It is in the state of. When the arms 30 and 30 are shortened in the left direction, the contact gauges 1 and 1 are detached from the inner peripheral surface 40, and the state shifts to the contact gauge device reset state.

この例では、対象物Ｗは内周面４０を研磨して直径が目的値となるまで研磨加工される素材であり、矢印Ｄ方向にゆっくりと回転される。加工装置ＭＴは、この例では砥石５０から構成され、矢印Ｃ方向に高速回転される。砥石５０が内周面４０に接触するように挿入されるときにはコンタクトゲージ１はリセットされて研磨が進行し、砥石５０が内周面４０から離脱するときにはコンタクトゲージ１がセットされて測定が行われる。研磨と測定が交互に進行することによって内周面４０の直径が目的値に達するまで研磨が進行し、目的値に到達すると研磨と測定が終了する。   In this example, the object W is a material that is polished until the diameter reaches a target value by polishing the inner peripheral surface 40, and is rotated slowly in the direction of arrow D. In this example, the processing device MT is composed of a grindstone 50 and is rotated in the direction of arrow C at a high speed. When the grindstone 50 is inserted so as to come into contact with the inner peripheral surface 40, the contact gauge 1 is reset and polishing proceeds, and when the grindstone 50 is detached from the inner peripheral surface 40, the contact gauge 1 is set and measurement is performed. . Polishing and measurement proceed alternately until the diameter of the inner peripheral surface 40 reaches the target value, and when the target value is reached, the polishing and measurement are terminated.

一対のコンタクトゲージ１、１は、測定面トップ１７、１７が相互に内方に向くように配置される場合もあり、このときには対象物Ｗの外周面を測定しながら研磨することができる。また、内周面４０を研削する場合には、加工装置ＭＴとしてバイトが選定され、対象物Ｗが平面である場合には、平面研削するために加工装置ＭＴとしてフライス盤が用いられる等種々の形態がある。   The pair of contact gauges 1 and 1 may be arranged so that the measurement surface tops 17 and 17 face each other inward, and at this time, the outer peripheral surface of the object W can be polished while being measured. Further, when grinding the inner peripheral surface 40, a cutting tool is selected as the processing device MT, and when the object W is a flat surface, a milling machine is used as the processing device MT for surface grinding. There is.

図７は、本発明に係る加工測定装置のブロック図である。本発明の加工測定装置ＭＭＡは加工測定部ＭＭＰと制御用のコンピュータ装置Ｃから構成されている。加工測定部ＭＭＰは、前述したように、コンタクトゲージ装置Ｇと対象物Ｗと加工装置ＭＴから構成される。他方、コンピュータ装置Ｃは、中央演算処理装置ＣＰＵと入力装置Ｉと出力装置ＯとメモリＭから構成され、一時データはランダムアクセスメモリＲＡＭに入出力可能に記憶され、加工測定制御プログラムはリードオンリメモリＲＯＭに出力可能に記憶される。
加工測定制御プログラムの各ステップに従って、ＣＰＵは加工測定部ＭＭＰに信号を入出力し、コンタクトゲージ装置Ｇのセットとリセットを行い、加工装置ＭＴのオンとオフを行い、対象物Ｗの駆動のオンとオフを行う。 FIG. 7 is a block diagram of the machining measurement apparatus according to the present invention. The machining measurement apparatus MMA according to the present invention includes a machining measurement unit MMP and a control computer apparatus C. As described above, the processing measurement unit MMP includes the contact gauge device G, the object W, and the processing device MT. On the other hand, the computer device C includes a central processing unit CPU, an input device I, an output device O, and a memory M. Temporary data is stored in a random access memory RAM so as to be input / output. A machining measurement control program is a read-only memory. It is stored in the ROM so that it can be output.
In accordance with each step of the machining measurement control program, the CPU inputs / outputs a signal to / from the machining measurement unit MMP, sets and resets the contact gauge device G, turns on and off the machining device MT, and turns on the drive of the object W. And do off.

図８は、本発明に係るコンタクトゲージ装置で計測しながら対象物を駆動しないで加工装置により加工する加工測定装置の加工制御プログラムのフロー図である。
ステップＳ１では対象物Ｗが所定の場所に配置、即ちセットされたかどうかが判定され、セットされた場合には、ステップＳ２で加工を実行してよいかどうかが判定され、加工してよい場合には、ステップＳ３で加工装置ＭＴがオン（駆動）される。ステップＳ４では、加工装置ＭＴが連続運転される加工時間が経過したかどうかが判定され、加工時間が経過した場合には、ステップＳ５で加工装置ＭＴがオフ（停止）され、ステップＳ６でコンタクトゲージ装置Ｇがセットされる。コンタクトゲージ装置Ｇの測定により、ステップＳ７で加工が目的値に到達したかどうかが判定され、目的値にまだ到達していない場合には、ステップＳ８でコンタクトゲージ装置がリセットされ、ステップＳ３で加工装置ＭＴがオンされる。
ステップＳ３〜ステップＳ８の反復により加工と測定が交互に行われ、その内にステップＳ７により加工が目的値に到達した場合には、ステップＳ９でコンタクトゲージ装置Ｇをリセットし、ステップＳ１０により対象物Ｗを加工位置から排出する。 FIG. 8 is a flowchart of a machining control program of a machining measurement apparatus that performs machining using a machining apparatus without driving an object while measuring with the contact gauge apparatus according to the present invention.
In step S1, it is determined whether or not the object W is placed at a predetermined location, that is, whether or not the object W is set. If it is set, it is determined whether or not the processing may be executed in step S2. In step S3, the processing device MT is turned on (driven). In step S4, it is determined whether or not the processing time during which the processing device MT is continuously operated has elapsed. If the processing time has elapsed, the processing device MT is turned off (stopped) in step S5, and the contact gauge is determined in step S6. Device G is set. Based on the measurement of the contact gauge device G, it is determined whether or not the processing has reached the target value in step S7. If the target value has not yet been reached, the contact gauge device is reset in step S8 and processed in step S3. The device MT is turned on.
Processing and measurement are alternately performed by repeating Step S3 to Step S8, and when the processing reaches the target value in Step S7, the contact gauge device G is reset in Step S9, and the object is processed in Step S10. W is discharged from the processing position.

図９は、本発明に係るコンタクトゲージ装置で計測しながら対象物を駆動させて加工装置により加工する加工測定装置の加工制御プログラムのフロー図である。
ステップＴ１では対象物Ｗが所定の場所に配置、即ちセットされたかどうかが判定され、セットされた場合には、ステップＴ２で加工を実行してよいかどうかが判定され、加工してよい場合には、ステップＴ３でまず対象物Ｗの駆動がオンされて対象物Ｗが所定の駆動状態に入り、ステップＴ４で加工装置ＭＴがオン（駆動）される。ステップＴ５では、加工装置ＭＴが連続運転される加工時間が経過したかどうかが判定され、加工時間が経過した場合には、ステップＴ６で加工装置ＭＴがオフ（停止）され、ステップＴ７でコンタクトゲージ装置Ｇがセットされる。コンタクトゲージ装置Ｇの測定により、ステップＴ８で加工が目的値に到達したかどうかが判定され、目的値にまだ到達していない場合には、ステップＴ９でコンタクトゲージ装置がリセットされ、ステップＴ４で加工装置ＭＴがオンされる。
ステップＴ４〜ステップＴ９の反復により加工と測定が交互に行われ、その内にステップＴ８により加工が目的値に到達した場合には、ステップＴ１０で対象物Ｗの駆動がオフされて対象物Ｗが停止し、ステップＴ１１でコンタクトゲージ装置Ｇをリセットし、ステップＴ１２により対象物Ｗを加工位置から排出する。 FIG. 9 is a flowchart of a machining control program of a machining measurement apparatus that drives an object while machining with the machining apparatus while measuring with the contact gauge device according to the present invention.
In step T1, it is determined whether or not the object W is placed, that is, set in a predetermined location. If it is set, it is determined whether or not the processing may be executed in step T2. In step T3, the drive of the object W is first turned on, and the object W enters a predetermined drive state, and the processing device MT is turned on (driven) in step T4. In step T5, it is determined whether or not the machining time during which the machining device MT is continuously operated has elapsed. If the machining time has elapsed, the machining device MT is turned off (stopped) in step T6, and the contact gauge is measured in step T7. Device G is set. The measurement of the contact gauge device G determines whether or not the machining has reached the target value in step T8. If the target value has not yet been reached, the contact gauge device is reset in step T9 and processed in step T4. The device MT is turned on.
Processing and measurement are alternately performed by repeating Step T4 to Step T9, and when the processing reaches the target value in Step T8, the driving of the object W is turned off in Step T10 and the object W is turned off. The contact gauge device G is reset at step T11, and the object W is discharged from the processing position at step T12.

本発明は、上記実施形態や実施例に限定されるものではなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲における種々変形例、設計変更などをその技術的範囲内に包含するものであることは云うまでもない。   The present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and includes various modifications and design changes within the technical scope without departing from the technical idea of the present invention. Needless to say.

以上詳述したように、本発明は、多結晶ＣＶＤダイヤモンドを測定子の素材として用い、多結晶ＣＶＤダイヤモンドの結晶子の粒径が極めて小さいことを利用して研磨により形成される測定子トップの算術表面粗さＲａを０．１（μｍ）以下に設定でき、且つ十点平均粗さＲｚを０．５（μｍ）以下に設定できる測定子の開発に成功し、この測定子を使用したコンタクトゲージを提供することを実現した。また、このコンタクトゲージを用いた加工測定装置を完成したものである。従って、コンタクトゲージ業界や加工測定業界に新技術を提供して産業の発展に貢献するものである。   As described above in detail, the present invention uses a polycrystalline CVD diamond as a material for the measuring element, and uses the fact that the crystal grain size of the polycrystalline CVD diamond is extremely small to make the top of the measuring element formed by polishing. Successful development of a probe that can set the arithmetic surface roughness Ra to 0.1 (μm) or less and the ten-point average roughness Rz to 0.5 (μm) or less, and contacts using this probe Realized to provide a gauge. Moreover, the processing measuring apparatus using this contact gauge is completed. Therefore, it contributes to the development of the industry by providing new technologies to the contact gauge industry and the processing measurement industry.

１ コンタクトゲージ
２ アーム
３ アーム先端部
４ 嵌合孔
６ 測定子接合層
７ 連結孔
１０ 測定子
１２ ホルダ
１３ 凹部
１４ 多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップ
１６ 測定面
１７ 測定面トップ
１８ チップ接合層
２０ 多結晶ＣＶＤダイヤモンド
２１ 成長開始面
２２ 成長面
２３ 結晶子
２４ 素材
２６ 基板
２７ 基板面
２８ 研磨面
２９ １０μｍ以内領域
３０ 腕
３１ ロウ材粉
３２ コンタクトゲージ駆動機構
４０ 内周面
５０ 砥石
１０１ 測定子
１０２ 先端部材
１０２ａ 超硬合金層
１０２ｂ 人造ダイヤモンド層
１０３ 基部材
Ｃ コンピュータ装置
ＣＰＵ 中央演算処理装置
Ｇ コンタクトゲージ装置
Ｉ 入力装置
Ｍ メモリ
ＭＭＡ 加工測定装置
ＭＭＰ 加工測定部
ＭＭＰ 加工測定部
ＭＴ 加工装置
Ｏ 出力装置
ＲＯＭ リードオンリメモリ
ＲＡＭ ランダムアクセスメモリ
Ｗ 対象物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Contact gauge 2 Arm 3 Arm front-end | tip 4 Fitting hole 6 Measuring element joining layer 7 Connecting hole 10 Measuring element 12 Holder 13 Concave part 14 Polycrystalline CVD diamond tip 16 Measuring surface 17 Measuring surface top 18 Chip joining layer 20 Polycrystalline CVD diamond DESCRIPTION OF SYMBOLS 21 Growth start surface 22 Growth surface 23 Crystallite 24 Material 26 Substrate 27 Substrate surface 28 Polishing surface 29 Area within 10 μm 30 Arm 31 Brazing material powder 32 Contact gauge drive mechanism 40 Inner peripheral surface 50 Grinding stone 101 Measuring element 102 Tip member 102a Carbide Alloy layer 102b Artificial diamond layer 103 Base member C Computer device CPU Central processing unit G Contact gauge device I Input device M Memory MMA Work measuring device MMP Work measuring unit MMP Work measuring unit MT Working device O Output device ROM Read only Li RAM random access memory W object

Claims (6)

対象物の測定に使用されるコンタクトゲージの測定子であり、対象物を測定する測定面が多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面から構成されることを特徴とする測定子。 A measuring element of a contact gauge used for measuring an object, wherein a measuring surface for measuring the object is composed of a measuring surface of a polycrystalline CVD diamond tip. 前記測定面の中で対象物に当接する測定面トップの算術平均粗さＲａは０．１（μｍ）以下であり、且つ十点平均粗さＲｚは０．５（μｍ）以下である請求項１に記載の測定子。 The arithmetic average roughness Ra of the measurement surface top contacting the object in the measurement surface is 0.1 (μm) or less, and the ten-point average roughness Rz is 0.5 (μm) or less. The measuring element according to 1. 基板とその基板面を成長開始面としてＣＶＤにより成長させて最外表面を成長面とする多結晶ＣＶＤダイヤモンドからなる素材を原料とし、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドを構成する結晶子の粒径は成長開始面から成長面に向けて次第に増大する特性を有し、前記基板から多結晶ＣＶＤダイヤモンドを分離し、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップは前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドから切り出され、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップをその成長開始面から研磨し、最終の研磨面が前記測定面になるように前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップを構成する請求項１又は２に記載の測定子。 The substrate and the substrate surface are grown as a growth start surface by CVD, and the raw material is polycrystalline CVD diamond whose outermost surface is the growth surface. The grain size of the crystallites constituting the polycrystalline CVD diamond starts to grow. A polycrystalline CVD diamond is separated from the substrate, the polycrystalline CVD diamond chip is cut from the polycrystalline CVD diamond, and the polycrystalline CVD diamond chip is separated from the substrate. The measuring element according to claim 1, wherein the polycrystalline CVD diamond tip is configured such that polishing is performed from a growth start surface and a final polished surface becomes the measurement surface. 前記測定面の測定面トップは結晶子の粒径が２０μｍ以下の領域に配置される請求項３に記載の測定子。 The measuring element according to claim 3, wherein the measuring surface top of the measuring surface is arranged in a region where the crystallite grain size is 20 μm or less. 請求項１〜４のいずれかに記載の測定子と、前記測定子をアーム先端部に固定したアームから構成され、前記測定子では前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面が突設されていることを特徴とするコンタクトゲージ。 It is comprised from the measuring element in any one of Claims 1-4, and the arm which fixed the said measuring element to the arm front-end | tip part, and the measuring surface of the said polycrystalline CVD diamond chip protrudes in the said measuring element. Contact gauge characterized by. 請求項５に記載のコンタクトゲージを１本以上用意して、前記多結晶ＣＶＤダイヤモンドチップの測定面で計測するコンタクトゲージ装置と、
前記コンタクトゲージ装置により測定されながら所定形状にまで加工される対象物と、
前記対象物を所定形状に加工する加工装置と、
前記加工装置による加工と前記コンタクトゲージ装置による測定を制御するコンピュータ装置と、
前記コンピュータ装置は加工と測定を制御する加工測定制御プログラムを内蔵することを特徴とする加工測定装置。 One or more contact gauges according to claim 5, and a contact gauge device for measuring on the measurement surface of the polycrystalline CVD diamond chip;
An object to be processed into a predetermined shape while being measured by the contact gauge device;
A processing apparatus for processing the object into a predetermined shape;
A computer device for controlling processing by the processing device and measurement by the contact gauge device;
The computer apparatus incorporates a machining measurement control program for controlling machining and measurement.
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