JP2016009684A - モノクロメータ及びこれを備えた荷電粒子ビーム装置 - Google Patents
モノクロメータ及びこれを備えた荷電粒子ビーム装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016009684A JP2016009684A JP2015087380A JP2015087380A JP2016009684A JP 2016009684 A JP2016009684 A JP 2016009684A JP 2015087380 A JP2015087380 A JP 2015087380A JP 2015087380 A JP2015087380 A JP 2015087380A JP 2016009684 A JP2016009684 A JP 2016009684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particle beam
- charged particle
- lens
- monochromate
- electrostatic lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 215
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 21
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 20
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 18
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 241000219739 Lens Species 0.000 description 265
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 49
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 36
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 21
- 230000009471 action Effects 0.000 description 11
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 108010018961 N(5)-(carboxyethyl)ornithine synthase Proteins 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005430 electron energy loss spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- -1 helium ion Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 102000006391 Ion Pumps Human genes 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- 240000004322 Lens culinaris Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/05—Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
- G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
- H01J2237/057—Energy or mass filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/15—Means for deflecting or directing discharge
- H01J2237/151—Electrostatic means
- H01J2237/1516—Multipoles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24485—Energy spectrometers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Abstract
Description
ここで、Vcenterは、静電レンズの中心電極電圧、Vsideは、静電レンズの両側電極電圧、fcは、静電レンズの2番目の焦点距離、左方向矢印は、荷電粒子ビームの平行入射条件、右方向矢印は、荷電粒子ビームの平行出射条件である。
前焦点位置が、前記モノークロメイトの一構成である第2の静電レンズの後方で前記モノークロメイトの特定の隔離距離の1/2である距離の位置と一致し、後焦点位置で前記エミッターの像が結像するように配置され、相互直列に設けられるX方向フォーカシングの四重極子レンズ及びY方向フォーカシングの四重極子レンズとが、前記モノークロメイトの後方に備えられる。
本発明の1実施例によるモノクロメータについて、以下では、本発明の1実施例によるモノクロメータの構成と機能について説明する。
<実施例1>
図9及び図10に示しているように、本発明の他の実施例によるモノクロメータ(MC)では、第1の円筒状レンズ(CylL1)の前方焦点位置であるZe1の前後に、2段の偏向装置(Deflector1)を設けることを特徴とする。エミッターから第1の伝送レンズ(TL1)を介して出射された近軸軌道(Xγ)を、平行移動(Shift)、角度補正(Tilt)して、第1の伝送レンズ(TL1)の後方に位置した第1の円筒状レンズ(CylL1)の入射位置に、荷電粒子ビームの軌道を一致させることができる。例えば、時間経過による抽出電圧(extraction voltage)の上昇のようなエミッターの位置変化、使用条件の変化による軸ずれの微調整を可能とし、円筒状レンズのオフセットが変更する頻度を減少することができるという効果がある。
本発明の他の実施例によるモノクロメータ(MC)について、図13は、本発明の他の実施例によるモノクロメータを示す模式図である。図13に示しているように、本発明の他の実施例では、第1のマルチポール(Multipole 1)、第2のマルチポール(Multipole 2)の各位置に、対称に分割された電極又は磁極で構成されるマルチポールを直列に2つ配置することができる。このような第1のマルチポール(Multipole 1)と、第2のマルチポール(Multipole 2)とは、各極に対称に電磁場を加えて、幾何学的収差、色収差、及び機構的な誤差による寄生収差(parasitic aberration)を補正することを特徴とする。各マルチポール(Multipole)は、対称平面Zmに対称に電磁場が進行する荷電粒子ビームに加えて、最終の荷電粒子ビームへの影響を減らすことができる。このようなマルチポールは、前述した偏向装置と同様に利用可能である。
図13は、本発明の他の実施例によるモノクロメータを示す模式図であり、図14は、本発明の他の実施例によるマルチポールを示す模式図である。図13及び図14に示しているように、本発明の他の実施例では、第1のマルチポール(Multipole 1)、第2のマルチポール(Multipole 2)の各位置に、対称的に4分割された電極(a)又は磁極(b)を直列に2つ使用可能である。本発明の他の実施例によるマルチポールは、各電極又は磁極が2回転対称(180度回転すると、同一形態となる)になるように、電磁場をかけて、従来の顕微鏡に用いられる四重極子(QuadruPole、 スティグマトール)を構成して、円筒状レンズで生じる非点収差、2次のミックス収差、又は機械精度による寄生収差を補正することを特徴とする。各四重極子は、対称平面Zmに対称に電磁場が進行する荷電粒子ビームに加えて、最終の荷電粒子ビームへの影響を減らすことができる。
図15は、本発明の他の実施例によるマルチポールを示す模式図である。図13及び図15に示すように、本発明の他の実施例では、第1のマルチポール(Multipole 1)、第2のマルチポール(Multipole 2)の各位置に、対称に6分割電極、又は磁極を直列に2つ配置する。本発明の他の実施例によるマルチポールは、各極が3回転対称(120度回転すると、同一の形態となる)するように、電場又は磁場をかけて、六重極子(HexaPole)を構成し、エネルギー選択位置であるZmで、円筒状レンズを通過して生じる副次的なアパーチャ収差(α2)、1次の色収差(αk)を補正することになる。これより、本発明の他の実施例によると、電流をより大きく得る条件で、荷電粒子ビームの径を同一に維持して、同一のエネルギー分解能で、より大きい電流を得られる光学系が実現される。または、同じ電流条件で、荷電粒子ビーム径を縮小して、同一の電流量でエネルギー分解能を向上することができることになる。また、機械精度による寄生収差を補正することを特徴とする。各六重極子は、対称平面Zmに対して対称する電磁場を、進行する荷電粒子ビームに加えて、最終の荷電粒子ビームへの影響を減らすことができる。
図16は、本発明の他の実施例によるマルチポールを示す模式図である。 図13及び図16に示すように、本発明の他の実施例では、第1のマルチポール(Multipole 1)及び第2のマルチポール(Multipole 2)の各位置に、対称に8分割した電極又は磁極を用いることができる。本発明の他の実施例によるマルチポールは、各極が4回転対称(90度回転すると、同一の形態となる)するように、電場又は磁場をかけて磁極して、八重極子(OctaPole)を構成し、エネルギー選択位置であるZmで、円筒状レンズを通過して生じられる3次アパーチャ収差(α3)を補正する。本発明の他の実施例によると、より大電流の条件で、同一の荷電粒子ビーム径を維持して、同一のエネルギー分解能で更に大きい電流を得られる光学系が実現される。又は、同一の電流条件で荷電粒子ビーム径を縮小して、同一の電流量でエネルギー分解能を向上することができることになる。各八重極子は、対称平面Zmに対して対称される電磁場を、進行する荷電粒子ビームに加えて、最終の荷電粒子ビームへの影響を減らすことができる。
本発明の他の実施例では、第1のマルチポール(Multipole 1)及び第2のマルチポール(Multipole 2)の各位置に、対称に12分割する電極又は磁極で構成される十二重極子を直列に2つ配置することができる。十二重極子は、前記の四重極子、六重極子、八重極子と同様に構成することができる。本発明の他の実施例によると、十二重極子において、エネルギー選択位置Zmで、円筒状レンズで生じる各収差を補正することができる。本発明の他の実施例によると、電流をより大きく得る条件で、荷電粒子ビーム径を同一に維持して、同一のエネルギー分解能で更に大電流を得られる光学系が実現される。または、同一の電流条件でビーム径を縮小して、同一の電流量でエネルギー分解能を向上することができるようになる。各十二重極子は、対称平面Zmに対して対称される電磁場を、進行する荷電粒子ビームに加えて、最終の荷電粒子ビームへの影響を減らすことができる。
図17は、本発明の1実施例による荷電粒子ビーム装置を示す模式図である。図17に示しているように、本発明の1実施例による荷電粒子ビーム装置は、本発明の1実施例によるモノクロメータ(MC)の下に、複数のコンデンサレンズ(CL)、対物レンズ(OL)のような光学系4を配置して、試料表面を観察するか、加工する。本発明の1実施例による荷電粒子ビーム装置には、エミッターとして電子ソースを用い、静電レンズ(electro-static)又は磁気レンズ(magnetic)を用いる走査電子顕微鏡(SEM)、また、エミッターとして、イオンソース(Ga、In、Au、Biなど)を用い、静電レンズを用いる収束イオンビーム装置(FIB)、エミッターとして、イオンソース(He、Ne、H2、Ar、O2など)を用い、静電レンズを用いるヘリウムイオン顕微鏡(HIM)などが含まれる。
図20は、本発明の他の実施例による荷電粒子ビーム装置を示す模式図である。 図20に示しているように、本発明の1実施例によるモノクロメータ(MC)の第1の伝送レンズ(TL1)、第2の伝送レンズ(TL2)を、コンデンサレンズ、対物レンズなどとして用いる光学系は、特に、低い加速電圧で用いるSEM及びFIBに効果的である。本発明の他の実施例1によると、コラムでフォーカス地点を有さない光学系が実現可能であるため、空間電荷効果の影響を減らすことができる。また、本発明の他の実施例1によると、全体の光学要素を減らし、装備長さを小さくして、剛性を高め、耐振動性を向上することができる。この場合、第1の伝送レンズ(TL1)と第2の伝送レンズ(TL2)との焦点距離の割合が、f2/f1=0.05〜0.3となるように、エミッターを縮小して使用する。
図21は、本発明の他の実施例による荷電粒子ビーム装置を示す模式図である。図21に示しているように、本発明の1実施例によるモノクロメータ(MC)を電子銃の高圧部分に統合すると、特に、荷電粒子ビームエネルギーが高い透過電子顕微鏡(TEM)、走査透過電子顕微鏡(STEM)のような荷電粒子ビーム装置に効果的である。Zi位置の後段に加速管50を配置して、60〜300KeVのTEM又はSTEMとして使用することができる。この場合、モノクロメータ(MC)の荷電粒子のエネルギーは、エミッターの抽出電圧(extraction voltage)で決められる3−5keV程度であり、後段の加速管50により印加される加速電圧は、100〜300keVに加速される。 モノクロメータ(MC)のエネルギーが略一定であるため、モノクロメータ(MC)におけるエネルギー分解能も、一定となる。第1及び第2の円筒状レンズ(CylL1、CylL2)の中心電極電圧と共に、偏向装置(Deflector2)の偏向電圧、アパーチャ微調整用ピエゾ(piezo)電源を加速電圧に重なって提供する必要がある。
図22は、本発明の他の実施例による荷電粒子ビーム装置を示す模式図である。図22に示しているように、本発明の1実施例によるモノクロメータ(MC)を接地基準で使用する荷電粒子ビーム装置が提供される。2段の円筒状レンズ(CylL1、CylL2)の電極間隔を10mmとした場合、中心電極には、60kV程度が印加され、加速電圧を60keVまで使用することができる。しかし、モノクロメータ(MC)におけるエネルギー分解能は、加速電圧に反比例するため、低い加速でモノクロメータ(MC)の性能が向上し、エネルギー幅の狭い荷電粒子ビームを得られる構造となる。偏向装置(Deflector2)の偏向電圧、アパーチャの微調整用ピエゾ電源は、接地基準となるので、電気系統の製作が容易となるメリットがある。一方、2段の円筒状レンズ(CylL1、CylL2)の中心電極電圧の出力を高電圧にする必要があるため、電源の高い安定性、低ノイズ化が求められる。
図23は、本発明の他の実施例による荷電粒子ビーム装置を示す模式図である。 図23に示しているように、本発明の他の実施例では、第1の伝送レンズ(TL1)及び第2の伝送レンズ(TL2)にそれぞれ、2段の四重極子を用いることができる。四重極子は、図14に示しているような4分割された構造であり、荷電粒子ビームに対して、一方向は収束、他方向は、発散する作用を有する。Z方向に、このような四重極子を2段配置すると、X、Y方向に収束可能であり、X、Yの焦点距離を独立して設定することができる(f1x、f1y、f2x、f2y)。 このため、円筒状レンズのY方向の細かいフォーカシング作用によるX、Y焦点距離の差を補正することができるとう効果が生じる。また、設定の自由度を高めるために、第1の伝送レンズ(TL1)及び第2の伝送レンズ(TL2)に、3段の四重極子を用いることもできる。
図23は、本発明の他の実施例による荷電粒子ビーム装置を示す模式図である。図23に示しているように、本発明の他の実施例においては、第1の伝送レンズ(TL1)及び第2の伝送レンズ(TL2)に、2段の円筒状レンズ(Cylindrical lens)を用いることができる。円筒状レンズは、図1に示しているように、一方向に収束作用を有する構造であり、2段に配置することで、X、Yの2方向に収束作用を有することが可能となり、X、Y焦点距離を独立して設定することができるようになる(f1x、f1y、f2x、f2y)。それで、円筒状レンズのY方向の細かいフォーカシング作用によるX、Y焦点距離の差を補正することができるという効果が生じる。
本発明の1実施例によるモノクロメータ(MC)の構成は、走査電子顕微鏡(SEM)に効果的である。特に、半導体工程管理で用いられるCD-SEM、DR-SEMは、低い加速に主として用いられ、色収差の影響が大きいため、本発明の1実施例によるモノクロメータ(MC)を用いて、大きい性能向上が予想される。また、従来のSEMは、ほぼ一定の使用条件(加速電圧、電流)で用いられるため、光軸調整に時間がかかるという不都合があったが、本発明の1実施例によるモノクロメータ(MC)を適用すると、このような不都合が緩和される。
4: 光学系
5: 検出器
6: 試料
7: 真空チャンバ
8: 真空ポンプ
9: スクリーン
11: 電極
12: 絶縁材
20: 電子線損失分光(EELS)
31: ヨーク
32: コイル
33: ギャップ
34: ポールピース
40: 照明光学系
42: 投映光学系
50: 加速器
60: ステージ
X: 荷電粒子ビーム
Xd: オフセット
Xk: 他の中心軌道
Xα、Xγ: 近軸軌道
Yβ、Yδ: 近軸軌道
MC: モノクロメータ
TL1: 第1の伝送レンズ
TL2: 第2の伝送レンズ
CylL1: 第1の円筒状レンズ
CylL2: 第2の円筒状レンズ
OL: 対物レンズ
CL: コンデンサレンズ
Claims (28)
- エミッターで放出された荷電粒子ビームが入射され、前記荷電粒子ビームの軌道を屈折させ、複数の電極からなる第1の静電レンズと、
中心軸が前記第1の静電レンズの中心軸と同軸に配置され、前記第1の静電レンズと特定の隔離距離を設けて離隔し、前記第1の静電レンズで出射する前記荷電粒子ビームが入射され、前記荷電粒子ビームの軌道を屈折させ、複数の電極からなる第2の静電レンズと、を含み、
前記荷電粒子ビームは、前記静電レンズの前記中心軸から特定オフセット分ずれた軸外軌道を通過するように構成され、前記荷電粒子ビームが通過すると、前記荷電粒子ビームのエネルギー幅は減少することを特徴とするモノークロメイト。 - 前記荷電粒子ビームの前記軸外軌道は、前記中心軸と平行に前記第1の静電レンズに入射され、
前記第1の静電レンズは、入射された前記荷電粒子ビームの前記軸外軌道を、入射される軌道で前記中心軸を中心とする反対側に屈折させて出射し、
前記第1の静電レンズから出射した前記荷電粒子ビームの前記軸外軌道は、前記中心軸と平行に前記第2の静電レンズに入射され、
前記第2の静電レンズは、入射された前記荷電粒子ビームの前記軸外軌道を、前記第2の静電レンズに入射される軌道で前記中心軸を中心とする反対側に屈折して出射するように構成されることを特徴とする請求項1に記載のモノークロメイト。 - 前記第1の静電レンズと前記第2の静電レンズとの間に配置され、前記荷電粒子ビームから、特定のエネルギー範囲を有する成分を除去する第1のスリットと、
前記第1の静電レンズの前方で前記特定の隔離距離の1/2に相当する位置に配置され、前記荷電粒子ビームの入射角度を制限する第2のスリットと、を更に含むことを特徴とする請求項1に記載のモノークロメイト。 - 前記第1及び2の静電レンズはそれぞれ、3つの電極からなり、
前記3つの電極の中心電極には、高電圧が印加され、両側電極には、接地電圧が印加され、
それぞれの前記電極は、中心部に矩状の開口部が設けられ、
前記開口部の中心は、互いに一致し、
それぞれの前記電極の開口部の短辺方向は、互いに一致し、
前記開口部の中心は、前記第1及び第2の静電レンズの中心軸と同軸に形成されることを特徴とする請求項1に記載のモノークロメイト。 - 前記中心電極に印加される電圧、前記オフセット量、及び前記特定の隔離距離の1/2のうち、少なくとも1つの条件により、残りの条件が算出され、
算出した前記残りの条件が反映されることを特徴とする請求項4に記載のモノークロメイト。 - 前記第1の静電レンズと前記第2の静電レンズとの間に配置され、前記荷電粒子ビームから特定のエネルギー範囲を有する成分を除去する第1のスリットと、
前記第1の静電レンズの前方で前記特定の隔離距離の1/2に相当する位置に配置され、前記荷電粒子ビームの入射角度を制限する第2のスリットと、を更に含み、
前記第1及び第2の静電レンズを構成するそれぞれの前記電極は、中心部に矩状の開口部が設けられ、
前記開口部の中心は、互いに一致し、
それぞれの前記電極の開口部の短辺方向は、互いに一致し、
前記開口部の中心は、前記第1及び第2の静電レンズの中心軸と同軸をなし、
前記開口部の短辺方向及び前記軸外軌道方向を含む第1の平面上を進行する荷電粒子ビームにおいて、
前記第2のスリットで前記軸外軌道と平行に入射される第1の荷電粒子ビームは、前記第1の静電レンズを通過した後、前記第1のスリットで前記軸外軌道にフォーカシングされ、
前記第2のスリットで前記軸外軌道と特定の角度をもって入射される第2の荷電粒子ビームは、前記第1の静電レンズを通過した後、前記第1のスリットで前記軸外軌道に平行に進行され、前記第2の静電レンズを通過した後、前記第2の静電レンズの後方の前記特定の隔離距離の1/2の位置で、前記軸外軌道にフォーカシングされることを特徴とする請求項1に記載のモノークロメイト。 - 後焦点位置が前記第2のスリットの位置と一致するように、前記モノークロメイトの前方に配置される第1の軸対称レンズと、
前焦点位置が、前記第2の静電レンズの後方で前記特定の隔離距離の1/2である距離の位置と一致し、後焦点位置に前記エミッターの像が結像するように配置される第2の軸対称レンズと、を更に含み、
前記エミッターは、前記第1の軸対称レンズの前焦点位置に配置されることを特徴とする請求項6に記載のモノークロメイト。 - 前記第1及び2の静電レンズの前記開口部の長辺は、前記第1及び2の静電レンズの前記開口部の短辺の10倍以上であり、
前記短辺方向では、前記荷電粒子ビームに対する収束作用があり、
前記長辺方向では、前記荷電粒子ビームに対する収束作用がなく、
前記エミッターで第2の静電レンズの後方でフォーカシングされないことを特徴とする請求項6に記載のモノークロメイト。 - 前記第2の静電レンズの後方で前記特定の隔離距離の1/2である距離の位置に設けられる第1の2段偏向装置と、
前記第2のスリットの位置を基に設けられる第2の2段偏向装置と、を更に含むことを特徴とする請求項6に記載のモノークロメイト。 - 前記第1及び第2の2段偏向装置は、四重極子であることを特徴とする請求項9に記載のモノークロメイト。
- 前記第1及び第2の2段偏向装置は、六重極子であることを特徴とする請求項9に記載のモノークロメイト。
- 前記第1及び第2の2段偏向装置は、十二重極子であることを特徴とする請求項9に記載のモノークロメイト。
- 前記第1の静電レンズ及び前記第2の静電レンズの2番目の焦点距離であるfcは、前記軸外軌道に平行に入射される前記荷電粒子ビームの軌道が、前記軸外軌道で2番目に収束される位置から、前記静電レンズの中心までの距離として定義され、
前記第1の静電レンズと前記第2の静電レンズとの間の距離は、2fcであることを特徴とする請求項1に記載のモノークロメイト。 - 前記第1の静電レンズ及び前記第2の静電レンズの2番目の焦点距離であるfcは、前記軸外軌道に平行に入射される前記荷電粒子ビームの軌道が、前記軸外軌道に2番目に収束される位置から、前記静電レンズの中心までの距離として定義され、
前記特定のオフセットは、Xdであり、
前記Xdと、前記第1の静電レンズ及び前記第2の静電レンズの中心電極電圧と両側電極電圧の電圧比との関係は、下記のように設定されることを特徴とする請求項1に記載のモノークロメイト。
ここで、Vcenterは、静電レンズの中心電極電圧、Vsideは、静電レンズの両側電極電圧、fcは、静電レンズの2番目の焦点距離、左方向矢印は、荷電粒子ビームの平行入射条件、右方向矢印は、荷電粒子ビームの平行出射条件である。 - 荷電粒子ビームを放出するエミッターと、
前記荷電粒子ビームが通過され、前記荷電粒子ビームのエネルギー幅を減少する機能を有する請求項1乃至14のいずれか一項によるモノークロメイトと、
前記荷電粒子ビームが照射される試料と、
前記試料を維持及び移動するステージと、
前記試料で前記荷電粒子ビームから生成された二次粒子ビームを検出する検出器と、
前記エミッター、前記光学係、前記ステージ、及び前記検出器の機能を駆動する電気システムと、
前記電気システムを制御する制御システムとを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム装置。 - 前記モノークロメイトの後方に配置される少なくとも1つの軸対称レンズと、を更に含み、
前記試料に前記荷電粒子ビームを走査することにより、前記試料の表面を観察又は加工することを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記エミッターは、電子ソースであることを特徴とする請求項16に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記エミッターは、イオンソースであることを特徴とする請求項16に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記試料の表面から放出された前記二次粒子ビームのエネルギーを分光する電子線損失分光機能を有する電子線損失分光スペクトロスコピーと、を更に含むことを特徴とする請求項16に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記モノークロメイトの後方、前記試料の前方、及び前記試料の後方の少なくとも1つに配置される少なくとも1つの軸対称レンズと、
前記荷電粒子ビームが透過されるスクリーンと、
透過される前記荷電粒子ビームを検出する検出器と、を更に含み、
前記スクリーンを透過して検出された荷電粒子を用いて、試料を観察することを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前記エミッターは、電子ソースであることを特徴とする請求項20に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記試料の表面から放出された二次粒子ビームのエネルギーを分光する電子線損失分光機能を有する電子線損失分光スペクトロスコピーと、を更に含むことを特徴とする請求項20に記載の荷電粒子ビーム装置。
- 前記モノークロメイトの後方に設けられ、前焦点位置が前記モノークロメイトの一構成である第2の静電レンズの後方で、前記モノークロメイトの特定の隔離距離の1/2である距離の位置と一致し、後焦点位置で前記エミッターの像が結像するように配置される第2の軸対称レンズと、
前記第2の軸対称レンズの後方に配置される複数の第3の軸対称レンズと、を更に含み、
前記第2の軸対称レンズの後焦点位置に結像された前記エミッターの像は、前記第3の軸対称レンズにより、前記試料に縮小結像されることを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 更に、前記モノークロメイトの後方に設けられ、前焦点位置が前記モノークロメイトの一構成である第2の静電レンズの後方で、前記モノークロメイトの特定の隔離距離の1/2である距離の位置と一致し、後焦点位置で前記エミッターの像が結像するように配置される第2の軸対称レンズを含み、
前記第2の軸対称レンズは、前記試料上に、前記荷電粒子ビームをフォーカシングすることを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 電子銃の高電圧部上に配置され、
前記電気システムは、前記電子銃の高電圧部上に浮遊することを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 接地部上に配置され、
前記電気システムは、接地基準に構成されることを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前焦点位置が前記エミッターの位置と一致するように配置され、後焦点位置が前記モノークロメイトの一構成である第2のスリットの位置と一致するように配置され、前記モノークロメイトの前方に相互直列に設けられるX方向フォーカシングの四重極子レンズ及びY方向フォーカシングの四重極子レンズと、
前焦点位置が、前記モノークロメイトの一構成である第2の静電レンズの後方で前記モノークロメイトの特定の隔離距離の1/2である距離の位置と一致し、後焦点位置で前記エミッターの像が結像するように配置され、前記モノークロメイトの後方で相互直列に設けられるX方向フォーカシングの四重極子レンズ及びY方向フォーカシングの四重極子レンズと、を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。 - 前焦点位置が前記エミッターの位置と一致するように配置され、後焦点位置が前記モノークロメイトの一構成である第2のスリットの位置と一致するように配置され、 前記モノークロメイトの前方に相互直列に設けられるX方向フォーカシングの円筒状レンズ及びY方向フォーカシングの円筒状レンズと、
前焦点位置が、前記モノークロメイトの一構成である第2の静電レンズの後方で前記モノークロメイトの特定の隔離距離の1/2である距離の位置と一致し、後焦点位置で前記エミッターの像が結像するように配置され、前記モノークロメイトの後方で相互直列に設けられるX方向フォーカシングの円筒状レンズ及びY方向フォーカシングと、を更に含むことを特徴とする請求項15に記載の荷電粒子ビーム装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0075947 | 2014-06-20 | ||
KR1020140075947A KR101633978B1 (ko) | 2014-06-20 | 2014-06-20 | 모노크로메이터 및 이를 구비한 하전입자빔 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016009684A true JP2016009684A (ja) | 2016-01-18 |
JP5913682B2 JP5913682B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=54768045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015087380A Active JP5913682B2 (ja) | 2014-06-20 | 2015-04-22 | モノクロメータ及びこれを備えた荷電粒子ビーム装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9425022B2 (ja) |
JP (1) | JP5913682B2 (ja) |
KR (1) | KR101633978B1 (ja) |
DE (1) | DE102015109047B4 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017204375A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法 |
JP2018514050A (ja) * | 2016-03-23 | 2018-05-31 | 韓国標準科学研究院Korea Reserch Institute Of Standards And Science | モノクロメーターおよびこれを備えた荷電粒子線装置 |
JP2018518005A (ja) * | 2016-05-20 | 2018-07-05 | 韓国標準科学研究院Korea Reserch Institute Of Standards And Science | モノクロメーターを備えた電子線装置 |
JP2018190723A (ja) * | 2017-05-03 | 2018-11-29 | エフ イー アイ カンパニFei Company | 荷電粒子顕微鏡のガンレンズ設計 |
JP2019087337A (ja) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法 |
JP2019519063A (ja) * | 2016-05-25 | 2019-07-04 | 韓国標準科学研究院Korea Reserch Institute Of Standards And Science | モノクロメータの製造方法 |
KR20200045542A (ko) * | 2017-09-29 | 2020-05-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자의 빔 조건을 조정하기 위한 방법 및 장치 |
KR20220036349A (ko) * | 2020-09-15 | 2022-03-22 | 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 | 전극 배열부, 전극 배열부를 위한 접촉 조립체, 하전 입자 빔 디바이스, 및 전극 배열부에서 전기장 강도를 감소시키는 방법 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9905391B2 (en) * | 2015-04-29 | 2018-02-27 | Kla-Tencor Corporation | System and method for imaging a sample with an electron beam with a filtered energy spread |
US9754759B2 (en) * | 2015-11-20 | 2017-09-05 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, and method of manufacturing an electrostatic multipole device |
US9620329B1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-04-11 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of manufacturing an electrostatic multipole device |
US9620328B1 (en) * | 2015-11-20 | 2017-04-11 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Electrostatic multipole device, electrostatic multipole arrangement, charged particle beam device, and method of operating an electrostatic multipole device |
EP3203493B1 (en) * | 2016-02-02 | 2018-10-03 | FEI Company | Charged-particle microscope with astigmatism compensation and energy-selection |
KR102430822B1 (ko) * | 2016-10-06 | 2022-08-08 | 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 | 입자가속기 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013196929A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Jeol Ltd | 透過型電子顕微鏡の調整方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH583460A5 (ja) | 1974-09-30 | 1976-12-31 | Balzers Patent Beteilig Ag | |
NL1007902C2 (nl) | 1997-12-24 | 1999-06-25 | Univ Delft Tech | Wien-filter. |
DE10061798A1 (de) | 2000-12-12 | 2002-06-13 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Monochromator für geladene Teilchen |
JP2004327377A (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-18 | Jeol Ltd | モノクロメータ |
NL1025500C2 (nl) * | 2004-02-17 | 2005-08-19 | Fei Co | Deeltjesbron met selecteerbare bundelstroom en energiespreiding. |
DE102007024353B4 (de) | 2007-05-24 | 2009-04-16 | Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh | Monochromator und Strahlquelle mit Monochromator |
EP2128885A1 (en) * | 2008-05-26 | 2009-12-02 | FEI Company | Charged particle source with integrated energy filter |
EP2453461A1 (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-16 | FEI Company | Charged particle source with integrated electrostatic energy filter |
EP2681755B1 (en) * | 2011-03-04 | 2017-06-07 | PerkinElmer Health Sciences, Inc. | Electrostatic lenses and systems including the same |
US9111715B2 (en) * | 2011-11-08 | 2015-08-18 | Fei Company | Charged particle energy filter |
KR101410629B1 (ko) | 2012-12-11 | 2014-06-24 | 충남대학교산학협력단 | 인체 체표면의 4d 변화량을 고려한 3d 기능성 속옷 및 이의 제조 방법 |
-
2014
- 2014-06-20 KR KR1020140075947A patent/KR101633978B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-04-22 JP JP2015087380A patent/JP5913682B2/ja active Active
- 2015-04-27 US US14/696,569 patent/US9425022B2/en active Active
- 2015-06-09 DE DE102015109047.3A patent/DE102015109047B4/de active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013196929A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Jeol Ltd | 透過型電子顕微鏡の調整方法 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018514050A (ja) * | 2016-03-23 | 2018-05-31 | 韓国標準科学研究院Korea Reserch Institute Of Standards And Science | モノクロメーターおよびこれを備えた荷電粒子線装置 |
JP2017204375A (ja) * | 2016-05-11 | 2017-11-16 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法 |
JP2018518005A (ja) * | 2016-05-20 | 2018-07-05 | 韓国標準科学研究院Korea Reserch Institute Of Standards And Science | モノクロメーターを備えた電子線装置 |
JP2019519063A (ja) * | 2016-05-25 | 2019-07-04 | 韓国標準科学研究院Korea Reserch Institute Of Standards And Science | モノクロメータの製造方法 |
JP2018190723A (ja) * | 2017-05-03 | 2018-11-29 | エフ イー アイ カンパニFei Company | 荷電粒子顕微鏡のガンレンズ設計 |
JP7079135B2 (ja) | 2017-05-03 | 2022-06-01 | エフ イー アイ カンパニ | 荷電粒子顕微鏡のガンレンズ設計 |
KR20200045542A (ko) * | 2017-09-29 | 2020-05-04 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자의 빔 조건을 조정하기 위한 방법 및 장치 |
JP2020535585A (ja) * | 2017-09-29 | 2020-12-03 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子のビーム状態を調節するための方法及び装置 |
US11569060B2 (en) | 2017-09-29 | 2023-01-31 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatuses for adjusting beam condition of charged particles |
KR102634195B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2024-02-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자의 빔 조건을 조정하기 위한 방법 및 장치 |
JP7047076B2 (ja) | 2017-09-29 | 2022-04-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子のビーム状態を調節するための方法及び装置 |
US11948772B2 (en) | 2017-09-29 | 2024-04-02 | Asml Netherlands B.V. | Methods and apparatuses for adjusting beam condition of charged particles |
TWI828926B (zh) * | 2017-09-29 | 2024-01-11 | 荷蘭商Asml荷蘭公司 | 用於檢測之裝置及方法及相關非暫時性電腦可讀媒體 |
KR102460604B1 (ko) * | 2017-09-29 | 2022-10-31 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자의 빔 조건을 조정하기 위한 방법 및 장치 |
KR20220150420A (ko) * | 2017-09-29 | 2022-11-10 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 하전 입자의 빔 조건을 조정하기 위한 방법 및 장치 |
JP7029933B2 (ja) | 2017-11-02 | 2022-03-04 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法 |
JP2019087337A (ja) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 日本電子株式会社 | 電子顕微鏡および電子顕微鏡の制御方法 |
KR102444779B1 (ko) | 2020-09-15 | 2022-09-19 | 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 | 전극 배열부, 전극 배열부를 위한 접촉 조립체, 하전 입자 빔 디바이스, 및 전극 배열부에서 전기장 강도를 감소시키는 방법 |
KR20220036349A (ko) * | 2020-09-15 | 2022-03-22 | 아이씨티 인티그레이티드 써킷 테스팅 게젤샤프트 퓌어 할프라이터프뤼프테크닉 엠베하 | 전극 배열부, 전극 배열부를 위한 접촉 조립체, 하전 입자 빔 디바이스, 및 전극 배열부에서 전기장 강도를 감소시키는 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102015109047B4 (de) | 2018-05-30 |
US9425022B2 (en) | 2016-08-23 |
JP5913682B2 (ja) | 2016-04-27 |
KR101633978B1 (ko) | 2016-06-28 |
US20150371811A1 (en) | 2015-12-24 |
KR20150146079A (ko) | 2015-12-31 |
DE102015109047A1 (de) | 2015-12-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5913682B2 (ja) | モノクロメータ及びこれを備えた荷電粒子ビーム装置 | |
JP4378290B2 (ja) | 多重軸複合レンズ、その複合レンズを用いたビーム系、およびその複合レンズの使用方法 | |
JP5710061B2 (ja) | 高スループットsemツール | |
JP4988216B2 (ja) | 収差補正装置を搭載した荷電粒子線装置 | |
US9997326B2 (en) | Charged particle beam device | |
JP4368381B2 (ja) | 荷電粒子ビーム系用の荷電粒子ビームエネルギー幅低減系 | |
US8785879B1 (en) | Electron beam wafer inspection system and method of operation thereof | |
JP6389569B2 (ja) | モノクロメーターおよびこれを備えた荷電粒子線装置 | |
JP2010519697A (ja) | 高スループットsemツール | |
US10446361B2 (en) | Aberration correction method, aberration correction system, and charged particle beam apparatus | |
US8729466B1 (en) | Aberration-corrected and energy-filtered low energy electron microscope with monochromatic dual beam illumination | |
US7679054B2 (en) | Double stage charged particle beam energy width reduction system for charged particle beam system | |
US7361897B2 (en) | Imaging apparatus for high probe currents | |
CN113056806A (zh) | 电磁复合透镜和具有这样的透镜的带电粒子光学*** | |
JP2006277996A (ja) | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 | |
Ogawa | Evaluation of a monochromator with double cylindrical lenses for electron microscopy | |
US20220262592A1 (en) | Charged particle beam apparatus, scanning electron microscope, and method of operating a charged particle beam apparatus | |
Ogawa et al. | A novel monochromator with double cylindrical lenses | |
KR20170113491A (ko) | 모노크로미터 및 이를 구비한 전자선 손실분광 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160112 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160315 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5913682 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |