JP2016004954A - 発光デバイス、波長変換部材及び波長変換部材の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】数種類の量子ドットを用いた発光デバイスであって、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る構成を有する発光デバイスを提供する。【解決手段】第1の波長変換ユニット21は、第1の基板21aと、第1の波長変換部21bとを有する。第1の波長変換部21bは、量子ドットを含む。第2の波長変換ユニット22は、第2の基板22aと、第2の波長変換部22bとを有し、第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとが対向するように配されている。第2の波長変換部22bは、第1の波長変換部21bに含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む。光源11は、第1及び第2の波長変換部21b、22bのそれぞれに対して量子ドットの励起光を出射するように構成されている。【選択図】図1
Description
本発明は、発光デバイス、波長変換部材及び波長変換部材の製造方法に関する。
近年、発光ダイオードを用いた発光デバイスの進歩が目覚しく、液晶のバックライト、大型ディスプレイ等に採用されている。特に、短波長光の発光素子の半導体材料の発展により、短波長の光を得られるようになってきたため、これを用いて蛍光体を励起してより多様な波長の光を得ることができるようになった。
従来より、量子ドットを用いた発光デバイスが知られている。例えば、特許文献1には、発光波長が相互に異なる2種の量子ドットが混合して分散してなる波長変換部材を備えた発光デバイスが開示されている。
特許文献1に記載のように、2種の量子ドットを混合して用いた発光デバイスからは、一の量子ドットの発光と、他の量子ドットの発光とを含む光が出射される。このような発光デバイスの出射光の色調は、量子ドットの配合割合や、各量子ドットの発光効率等により変化する。このため、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスにおいては、個々の発光デバイス間における出射光の色調のばらつきが生じ得るという、1種の量子ドットのみを用いた発光デバイスにおいては生じ得ない特有の問題が生じる。
本発明の主な目的は、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスであって、個々の発光デバイス間における出射光の色調のばらつきを小さくし得る構成を有する発光デバイスを提供することにある。
本発明に係る発光デバイスは、第1の基板と、第1の基板の上に設けられ、量子ドットを含む第1の波長変換部とを有する第1の波長変換ユニットと、第2の基板と、第2の基板の上に設けられ、第1の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第2の波長変換部とを有し、第1の波長変換部と第2の波長変換部とが対向するように配された第2の波長変換ユニットと、第1及び第2の波長変換部のそれぞれに対して前記量子ドットの励起光を出射する光源と、を備える。
本発明に係る発光デバイスでは、第1の波長変換部と第2の波長変換部とが異なる基板の上に設けられている。このため、第1の波長変換部からの発光波長及び発光強度と、第2の波長変換部からの発光波長及び発光強度を予め確かめた上で、第1及び第2の波長変換ユニットを組み立てることができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る。
本発明に係る発光デバイスは、第1の基板と第2の基板とを接続しており、第1及び第2の基板と共にセルを構成している側壁部をさらに備えていてもよい。第1及び第2の波長変換部は、セル内に配されていてもよい。この構成によれば、第1及び第2の波長変換部と、水分や酸素とが接触することを抑制することができる。よって、第1及び第2の波長変換部の水分や酸素に伴う劣化を抑制することができる。
また、本発明に係る波長変換部材は、第1の基板と、第1の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第1の波長変換部とを有する第1の波長変換ユニットと、第2の基板と、第2の基板の上に設けられており、第1の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第2の波長変換部とを有し、第1の波長変換部と第2の波長変換部とが対向するように配された第2の波長変換ユニットと、を備える。
本発明に係る波長変換部材では、第1の波長変換部と第2の波長変換部とが異なる基板の上に設けられている。このため、第1の波長変換部からの発光波長及び発光強度と、第2の波長変換部からの発光波長及び発光強度を予め確かめた上で、第1及び第2の波長変換ユニットを組み立てることができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る。
また、本発明に係る発光デバイスの製造方法は、波長変換部材と、波長変換部材に対して光を出射する光源とを備える発光デバイスの製造方法であって、第1の基板と、第1の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第1の波長変換部とを有する第1の波長変換ユニットを用意する工程と、第2の基板と、第2の基板の上に設けられており、第1の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第2の波長変換部とを有する第2の波長変換ユニットを用意する工程と、第1及び第2の波長変換ユニットを第1の波長変換部と第2の波長変換部とが対向するように配して、波長変換部材を作製する作製工程と、を備える。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、作製工程に先立って、第1及び第2の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、測定された発光強度に基づいて、複数の第1及び第2の波長変換ユニットのなかから、作製工程において組み合わせる第1及び第2の波長変換ユニットを決定する工程とをさらに備えていてもよい。この場合、所望する波長の出射光が得られる第1及び第2の波長変換ユニットを選択することができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制し得る。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、作製工程に先立って、少なくともひとつの波長変換ユニットのエージングを行う工程をさらに備えていてもよい。この場合、エージングに伴う波長変換部の発光波長や発光強度の変化に起因する個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制することができる。
本発明に係る発光デバイスの製造方法では、作製工程に先立って、第1及び第2の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、複数の波長変換ユニットの少なくともひとつに対してエージングを行う工程と、エージング工程の後に、各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、測定された発光強度に基づいて、複数の第1及び第2の波長変換ユニットの中から、作製工程において組み合わせる第1及び第2の波長変換ユニットを決定する工程とをさらに備えていてもよい。この場合、エージングに伴う波長変換部の発光波長や発光強度の変化に起因する個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをより効果的に抑制することができる。
本発明によれば、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスであって、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくし得る構成を有する発光デバイスを提供することができる。
以下、本発明を実施した好ましい形態について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る発光デバイス1の模式的断面図である。
図1は、第1の実施形態に係る発光デバイス1の模式的断面図である。
図1に示すように、発光デバイス1は、波長変換部材10と、光源11とを備えている。波長変換部材10は、励起光が入射したときに、励起光とは波長が異なる波長の光を出射する部材である。
波長変換部材10は、複数の波長変換ユニットを備えている。具体的には、波長変換部材10は、第1の波長変換ユニット21と、第2の波長変換ユニット22とを備えている。
第1の波長変換ユニット21と第2の波長変換ユニット22とは、互いに間隔をおいて対向している。第1の波長変換ユニット21は、第1の基板21aを有する。第1の基板21aは、例えば、ガラス板、セラミック板、樹脂板等により構成することができる。なかでも、第1の基板21aは、ガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板により構成されていることが好ましい。このように、第1の基板21aをガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板とすることで、光源11からの出射される光や外部の雰囲気に対して劣化しにくく、透明性が低下することを抑えることができ、長期間に亘って変換効率を維持することができる。
第1の基板21aの上には、層状の第1の波長変換部21bが配されている。具体的には、第1の基板21aの第2の波長変換ユニット22側の表面の上に第1の波長変換部21bが配されている。第1の波長変換部21bは、第1の基板21aの周縁部を除いた実質的に全体の上に配されている。第1の基板21aの周縁部は、第1の波長変換部21bから露出している。
第1の波長変換部21bには、少なくとも1種の量子ドットが含まれている。第1の波長変換部21bにおいて、量子ドットは、樹脂等の分散媒中に分散している。第1の波長変換部21bは、量子ドット及び分散媒に加え、光散乱剤等のフィラーをさらに含んでいてもよい。光散乱剤の具体例としては、例えば、アルミナ粒子、チタニア粒子、シリカ粒子などの高反射無機化合物粒子及び高反射白色樹脂粒子等が挙げられる。このように、第1の波長変換部21bに光散乱剤を含有させることで、波長変換部材10における発光強度の面内ばらつきを小さくすることができる。
第1の波長変換ユニット21の第1の波長変換部21bの上方には、第2の波長変換ユニット22が配されている。第2の波長変換ユニット22は、第2の基板22aを有する。第2の基板22aは、第1の基板21aと対向している。第2の基板22aは、例えば、ガラス板、セラミック板、樹脂板等により構成することができる。なかでも、第2の基板22aは、ガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板により構成されていることが好ましい。このように、第2の基板22aをガラス板又はセラミック板等の無機材料からなる板とすることで、光源11からの出射される光や外部の雰囲気に対して劣化しにくく、透明性が低下することを抑えることができ、長期間に亘って光の取り出し効率を維持することができる。
第2の基板22aの上には、第2の波長変換部22bが配されている。具体的には、第2の基板22aの第1の波長変換ユニット21側の表面の上に第2の波長変換部22bが配されている。従って、第1の基板21aと第2の基板22aとは、第1及び第2の波長変換部21b、22bを介して対向している。第2の波長変換部22bは、第2の基板22aの周縁部を除いた実質的に全体の上に配されている。第2の基板22aの周縁部は、第2の波長変換部22bから露出している。
本実施形態では、第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとは、相互に間隔をおいて設けられているが、本発明は、この構成に限定されない。第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとは、密着して設けられていてもよい。第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとを密着して設けることで、第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとの界面での反射を抑えることができ、光の取り出し効率を向上させることができる。
第2の波長変換部22bには、少なくとも1種の量子ドットが含まれている。第2の波長変換部22bは、第1の波長変換部21bに含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含んでいる。第2の波長変換部22bに含まれる量子ドットと、第1の波長変換部21bに含まれる量子ドットとでは、発光波長が相互に異なる。すなわち、第1の波長変換部21bには、第2の波長変換部22bに含まれるいずれの量子ドットとも発光波長が異なる量子ドットが含まれている。
なお、「量子ドット」とは、励起光が入射したときに、励起光とは異なる波長の光を出射する。量子ドットから出射される光の波長は、量子ドットの粒子径に依存する。すなわち、量子ドットの粒子径を変化させることにより得られる光の波長を調整することができる。このため、量子ドットの粒子径は、得ようとする光の波長に応じた粒子径とされている。量子ドットの粒子径は、通常、2nm〜10nm程度である。
例えば、波長300nm〜440nmの紫外〜近紫外の励起光を照射すると青色の可視光(波長440nm〜480nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が2.0nm〜3.0nm程度のCdSe/ZnSの微結晶などが挙げられる。波長300nm〜440nmの紫外〜近紫外の励起光や波長440nm〜480nmの青色の励起光を照射すると緑色の可視光(波長が500nm〜540nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が3.0nm〜3.3nm程度のCdSe/ZnSの微結晶などが挙げられる。波長300nm〜440nmの紫外〜近紫外の励起光や波長440nm〜480nmの青色の励起光を照射すると黄色の可視光(波長が540nm〜595nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が3.3nm〜4.5nm程度のCdSe/ZnSの微結晶などが挙げられる。波長300nm〜440nmの紫外〜近紫外の励起光や波長440nm〜480nmの青色の励起光を照射すると赤色の可視光(波長が600nm〜700nmの蛍光)を発する量子ドットの具体例としては、粒子径が4.5nm〜10nm程度のCdSe/ZnSの微結晶などが挙げられる。
発光デバイス1では、第1の基板21aと第2の基板22aとは、側壁部23により接続されている。側壁部23は、第1の基板21aの周縁部と、第2の基板22aの周縁部とを接続している。これら側壁部23並びに第1及び第2の基板21a、22aによってセル24が構成されている。第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとは、セル24内に配されている。具体的には、セル24の内部空間24a内に第1及び第2の波長変換部21b、22bが封止されている。このため、第1及び第2の波長変換部21b、22bと、酸素や水分との接触を抑制することができる。従って、第1及び第2の波長変換部21b、22bの劣化を抑制することができる。
側壁部23は、例えば、ガラス、セラミックス、金属、ガラスやセラミックスの表面を金属層等でコーティングすることにより構成することができる。
なお、側壁部23と、第1及び第2の基板21a、22bのそれぞれとは、溶接、陽極接合、半田等の無機接合材を用いた接合等により接合されていてもよい。
発光デバイス1は、光源11を備えている。光源11は、第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとに対して、第1及び第2の波長変換部21b、22bの対向方向における一方側に配されている。具体的には、光源11は、セル24の外側、より具体的には、セル24の第1の波長変換ユニット21の外表面側に配されている。光源11は、光源11から出射した光が第1の波長変換ユニット21を透過し、その後、第2の波長変換ユニット22に入射するように配されている。
光源11は、第1及び第2の波長変換部21b、22bのそれぞれに対して量子ドットの励起光を含む光を出射する。光源11は、第1及び第2の波長変換部21b、22bに含まれる量子ドットの励起波長の光に加え、他の波長の光を含んでいてもよい。
光源11は、例えば、LED(Light Emitting Diode)素子、LD(Laser Diode)素子等により構成することができる。
発光デバイス1においては、光源11から第1及び第2の波長変換部21b、22bに含まれる量子ドットの励起波長の光を含む光が第1及び第2の波長変換部21b、22bに対して出射される。このため、第1及び第2の波長変換部21b,22bにおいて、励起光が吸収され、励起波長よりも長い波長の光が出射される。
発光デバイス1は、第1の波長変換部21bに含まれる量子ドットの発光と、第2の波長変換部22bに含まれる量子ドットの発光との混合光を出射してもよいし、第1の波長変換部21bに含まれる量子ドットの発光と、第2の波長変換部22bに含まれる量子ドットの発光と、光源11から出射され、第1及び第2の波長変換部21b、22bを透過した光との混合光が出射されてもよい。
発光デバイス1の製造方法は、特に限定されない。発光デバイス1は、例えば、以下の要領で製造することができる。
まず、第1の波長変換ユニット21を用意する。具体的には、第1の基板21aの上に、第1の波長変換部21bを形成する。第1の波長変換部21bは、例えば、量子ドットを含むペーストを塗布し、乾燥させることにより形成することができる。
また、第2の波長変換ユニット22を用意する。具体的には、第2の基板22aの上に、第2の波長変換部22bを形成する。第2の波長変換部22bは、例えば、量子ドットを含むペーストを塗布し、乾燥させることにより形成することができる。
次に、第1の波長変換ユニット21と第2の波長変換ユニット22とを、第1の基板21aと第2の基板22aとが対向するように配して、波長変換部材10を作製する(作製工程)。
ところで、例えば、複数種類の量子ドットを用いた発光デバイスを作製する場合は、ひとつの波長変換部に全ての量子ドットを含ませることが考えられる。形成する波長変換部の数を少なくした方が波長変換部材の製造が容易となるためである。
しかしながら、本発明者らが鋭意研究した結果、ひとつの波長変換部材に全ての種類の量子ドットを含ませた場合は、個々の発光デバイス間における発光デバイスからの出射光の色調のばらつきが大きくなるという問題が生じ得ることが見出された。この原因としては、定かではないが、以下の理由が考えられる。複数種類の量子ドットを含む発光デバイスでは、各種ドットの発光効率が出射光の色調を大きく左右する。量子ドットは、エージングを行うことにより発光効率が変化する。エージングを行うことにより変化する発光効率の割合は、量子ドットの種類によって異なる。従って、複数種類の量子ドットを含む発光デバイスでは、エージングによる発光効率の変化割合をも考慮して複数種類の量子ドットの配合割合等を調整する必要がある。しかしながら、同種の量子ドットであっても、エージングによる発光効率の変化割合が異なる場合がある。従って、複数種類の量子ドットを含む発光デバイスから出射される光の色調を高精度に制御することは困難である。
発光デバイス1では、第1の波長変換部21bが第1の基板21aの上に設けられている一方、第2の波長変換部22bが第2の基板22aの上に設けられている。第1の波長変換部21bと、第2の波長変換部22bとが別体に設けられている。このため、第1の波長変換部21bから出射される光の色調及び強度を予め測定することができる。また、第2の波長変換部22bから出射される光の色調及び強度を予め推測し、調整することができる。従って、第1の波長変換ユニット21と第2の波長変換ユニット22とを組み立てて波長変換部材10を製造する前に、製造される波長変換部材10から出射される光の色調を予測することができる。その結果、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを小さくすることができる。
個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをより小さくする観点から、作製工程に先立って、第1及び第2の波長変換ユニット21,22の少なくとも一方を複数用意し、各波長変換ユニット21,22の発光強度を測定した後に、測定された発光強度に基づいて、複数の第1及び第2の波長変換ユニット21,22の中から、作製工程において組み合わせる第1の波長変換ユニット21と第2の波長変換ユニット22とを決定することが好ましい。そうすることによって、例えば、所望する色調の出射光に近い波長の出射光が得られる第1及び第2の波長変換ユニット21,22を選択することができる。その結果、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをより小さくすることができる。
作製工程に先立って、少なくともひとつの波長変換ユニット21,22のエージングを行うことが好ましい。予めエージングを行うことによって、波長変換部材10における波長変換ユニット21,22の発光の色調の経時変化を抑制することができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきをさらに小さくすることができる。
なお、「エージング」とは、波長変換ユニットに対して励起波長を含む光を所定の期間にわたって照射することを意味する。
出射光の色調の製造ばらつきをさらに小さくする観点からは、作製工程に先立って波長変換ユニット21,22の少なくとも一方を複数用意し、それらの波長変換ユニット21,22の少なくともひとつに対してエージング処理を行った後に、各波長変換ユニット21,22の発光強度を測定しておくことが好ましい。そうすることによって、発光波長が所望の発光波長域に属するような第1の波長変換ユニット21と第2の波長変換ユニット22との組み合わせを決定することができる。
以下、本発明の好ましい実施形態の他の例について説明する。以下の説明において、上記第1の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
(第2の実施形態)
図2は、第2の実施形態に係る発光デバイス1aの模式的断面図である。
図2は、第2の実施形態に係る発光デバイス1aの模式的断面図である。
第1の実施形態では、セル24の外側に光源11が配されている例について説明した。ただし、本発明において、光源の配置は、特に限定されない。光源11は、第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとのそれぞれに対して、第1及び第2の波長変換部21b、22bの対向方向における一方側に配されていればよい。図2に示すように、例えば、第2の実施形態に係る発光デバイス1aでは、光源11は、セル24内において、第1の基板21aと第1の波長変換部21bとの間に配されている。このような場合であっても、第1の波長変換部21bからの出射光の発光強度と、第2の波長変換部22bからの出射光の発光強度とを第1及び第2の波長変換ユニット21,22の組み立て前に予め検査することができる。従って、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制することができる。
(第3の実施形態)
図3は、第3の実施形態に係る発光デバイス1bの模式的断面図である。
図3は、第3の実施形態に係る発光デバイス1bの模式的断面図である。
発光デバイス1bでは、第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとが密着している。この場合であっても、第1及び第2の実施形態と同様に、個々の発光デバイス間における発光デバイスの出射光の色調のばらつきを抑制することができる。
また、第1の波長変換部21bと第2の波長変換部22bとの間に存在する界面の数を低減することができる。従って、不所望な反射光の発生を抑制できる。その結果、波長変換部材10からの光の取り出し効率を向上することができる。
1,1a,1b 発光デバイス
10 波長変換部材
11 光源
21 第1の波長変換ユニット
22 第2の波長変換ユニット
21a 第1の基板
21b 第1の波長変換部
22a 第2の基板
22b 第2の波長変換部
23 側壁部
24 セル
10 波長変換部材
11 光源
21 第1の波長変換ユニット
22 第2の波長変換ユニット
21a 第1の基板
21b 第1の波長変換部
22a 第2の基板
22b 第2の波長変換部
23 側壁部
24 セル
Claims (7)
- 第1の基板と、前記第1の基板の上に設けられ、量子ドットを含む第1の波長変換部とを有する第1の波長変換ユニットと、
第2の基板と、前記第2の基板の上に設けられ、前記第1の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第2の波長変換部とを有し、前記第1の波長変換部と前記第2の波長変換部とが対向するように配された第2の波長変換ユニットと、
前記第1及び第2の波長変換部のそれぞれに対して前記量子ドットの励起光を出射する光源と、
を備える、発光デバイス。 - 前記第1の基板と前記第2の基板とを接続しており、前記第1及び第2の基板と共にセルを構成している側壁部をさらに備え、
前記第1及び第2の波長変換部は、前記セル内に配されている、請求項1に記載の発光デバイス。 - 第1の基板と、前記第1の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第1の波長変換部とを有する第1の波長変換ユニットと、
第2の基板と、前記第2の基板の上に設けられており、前記第1の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第2の波長変換部とを有し、前記第1の波長変換部と前記第2の波長変換部とが対向するように配された第2の波長変換ユニットと、
を備える、波長変換部材。 - 波長変換部材と、前記波長変換部材に対して光を出射する光源とを備える発光デバイスの製造方法であって、
第1の基板と、前記第1の基板の上に設けられており、量子ドットを含む第1の波長変換部とを有する第1の波長変換ユニットを用意する工程と、
第2の基板と、前記第2の基板の上に設けられており、前記第1の波長変換部に含まれる量子ドットとは発光波長が異なる量子ドットを含む第2の波長変換部とを有する第2の波長変換ユニットを用意する工程と、
前記第1及び第2の波長変換ユニットを前記第1の波長変換部と前記第2の波長変換部とが対向するように配して、前記波長変換部材を作製する作製工程と、
を備える、発光デバイスの製造方法。 - 前記作製工程に先立って、前記第1及び第2の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、
前記各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、
前記測定された発光強度に基づいて、前記複数の第1及び第2の波長変換ユニットのなかから、前記作製工程において組み合わせる前記第1及び第2の波長変換ユニットを決定する工程と、
をさらに備える、請求項4に記載の発光デバイスの製造方法。 - 前記作製工程に先立って、少なくともひとつの前記波長変換ユニットのエージングを行う工程をさらに備える、請求項4又は5に記載の発光デバイスの製造方法。
- 前記作製工程に先立って、前記第1及び第2の波長変換ユニットの少なくとも一方を複数用意し、前記複数の波長変換ユニットの少なくともひとつに対してエージングを行う工程と、
前記エージング工程の後に、前記各波長変換ユニットの発光強度を測定する工程と、
前記測定された発光強度に基づいて、前記複数の第1及び第2の波長変換ユニットのなかから、前記作製工程において組み合わせる前記第1及び第2の波長変換ユニットを決定する工程と、
をさらに備える、請求項4に記載の発光デバイスの製造方法。
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