JP2016004937A - Method of producing connection member and method of manufacturing electronic apparatus - Google Patents
Method of producing connection member and method of manufacturing electronic apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016004937A JP2016004937A JP2014125263A JP2014125263A JP2016004937A JP 2016004937 A JP2016004937 A JP 2016004937A JP 2014125263 A JP2014125263 A JP 2014125263A JP 2014125263 A JP2014125263 A JP 2014125263A JP 2016004937 A JP2016004937 A JP 2016004937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- carbon nanotubes
- resin
- carbon nanotube
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、接続部材の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a connection member and a method for manufacturing an electronic device.
カーボンナノチューブは、その特性の一つに高熱伝導性がある。このような特性を利用した技術として、束状のカーボンナノチューブ(カーボンナノチューブ群)を備えた熱伝導シートを、回路基板上の半導体素子とヒートスプレッダ等の放熱体との間に介在させる技術が知られている。 One of the characteristics of carbon nanotubes is high thermal conductivity. As a technique using such characteristics, a technique is known in which a heat conductive sheet including bundled carbon nanotubes (carbon nanotube group) is interposed between a semiconductor element on a circuit board and a heat radiator such as a heat spreader. ing.
さらに、熱伝導シート内の、中央部よりも外側のカーボンナノチューブ群を、中央部のカーボンナノチューブ群よりも厚く、薄膜(被覆層)で被覆する技術が知られている。 Furthermore, a technique is known in which a carbon nanotube group outside the center part in the heat conductive sheet is coated with a thin film (coating layer) that is thicker than the carbon nanotube group in the center part.
上記のようにカーボンナノチューブを薄膜で被覆する際には、例えば、カーボンナノチューブ群の中央部の上方に遮蔽板を配置し、薄膜の原料ガスの、中央部への供給量が制御される。しかし、このような遮蔽板を用いる方法では、原料ガスが遮蔽板の下方に回り込み、中央部のカーボンナノチューブにも原料ガスが供給され、外側に、中央部に対して一定の膜厚差以上で薄膜を形成することができない場合がある。 When the carbon nanotubes are covered with a thin film as described above, for example, a shielding plate is disposed above the central part of the carbon nanotube group, and the supply amount of the raw material gas of the thin film to the central part is controlled. However, in the method using such a shielding plate, the raw material gas circulates below the shielding plate, the raw material gas is also supplied to the carbon nanotubes in the center, and outside, at a certain film thickness difference or more with respect to the central portion. In some cases, a thin film cannot be formed.
例えば、外側のカーボンナノチューブを、一定の強度が得られる程度の厚みの薄膜で被覆しようとすると、中央部のカーボンナノチューブも一定の厚みの薄膜で被覆されてしまい、十分な熱伝導性が得られなくなるおそれがある。中央部のカーボンナノチューブを被覆する薄膜を薄くするために、外側のカーボンナノチューブを被覆する薄膜を薄くしてしまうと、熱伝導シートに一定の強度を持たせることができなくなるおそれがある。 For example, if the outer carbon nanotubes are covered with a thin film having a thickness sufficient to obtain a certain strength, the central carbon nanotubes are also covered with a thin film having a certain thickness, and sufficient thermal conductivity is obtained. There is a risk of disappearing. If the thin film covering the outer carbon nanotubes is made thin in order to make the thin film covering the central carbon nanotube thin, there is a possibility that the heat conductive sheet cannot have a certain strength.
本発明の一観点によれば、基板の第1領域と前記第1領域の外側の第2領域とにカーボンナノチューブ群を成長する工程と、前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、を含む接続部材の製造方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, a step of growing a carbon nanotube group in a first region of a substrate and a second region outside the first region, and a tip portion of the carbon nanotube group in the first region are formed in a first portion. A step of coating with a resin layer, a step of depositing a first material on the group of carbon nanotubes in the second region using the first resin layer as a mask, and a step of covering the group of carbon nanotubes in the second region with the first material A method for manufacturing a connection member is provided.
また、本発明の一観点によれば、上記のようにして製造される接続部材を含む電子機器の製造方法が提供される。 Moreover, according to one aspect of the present invention, a method for manufacturing an electronic device including the connection member manufactured as described above is provided.
開示の技術によれば、第1領域のカーボンナノチューブ群に対し、その外側の第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する薄膜の膜厚を厚くしやすくする。所望の熱伝導性と強度を得ることのできる接続部材、そのような接続部材を用いた電子機器を実現することが可能になる。 According to the disclosed technique, the film thickness of the thin film covering the carbon nanotube group in the second region outside the first group of carbon nanotubes can be easily increased. It is possible to realize a connection member capable of obtaining desired thermal conductivity and strength, and an electronic apparatus using such a connection member.
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。
[第1の実施の形態]
まず、接続部材を含む電子機器について図1を用いて説明する。
Hereinafter, embodiments will be described with reference to the drawings.
[First Embodiment]
First, an electronic device including a connection member will be described with reference to FIG.
図1は、第1の実施の形態の電子機器の一例を示す図である。なお、図1は、電子機器10の断面を模式的に示している。
電子機器10は、回路基板20と、回路基板20上に配置されたCPU(Central Processing Unit)等の半導体素子30と、半導体素子30を覆い、有機シーラント60により回路基板20に接着された箱型のヒートスプレッダ50とを含む。さらに、電子機器10は、半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に接続部材40が挟まれて配置されている。
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of an electronic apparatus according to the first embodiment. FIG. 1 schematically shows a cross section of the
The
接続部材40は、半導体素子30から発生した熱をヒートスプレッダ50に効果的に伝導させるものである。このような接続部材40は、中央部の領域Aの複数のカーボンナノチューブ41と、領域Aの外側の領域Bの複数のカーボンナノチューブ43と、カーボンナノチューブ41,43の間を埋設する樹脂44とを有している。領域Bのカーボンナノチューブ43は、カーボンナノチューブを所定材料の薄膜で被覆したものである。領域Aのカーボンナノチューブ41は、カーボンナノチューブを所定材料の薄膜で被覆していない又は薄膜による被覆を抑えたものである。カーボンナノチューブ43の径は、薄膜で被覆されていない又は薄膜による被覆が抑えられたカーボンナノチューブ41の径よりも太く(厚く)なっている。
The connecting
次に、カーボンナノチューブ41を被膜する薄膜について、図2を用いて説明する。
図2は、カーボンナノチューブの変形率と接続部材の熱抵抗とを示すグラフである。
図2では、単原子蒸着(Atomic Layer Deposition:ALD)法により、カーボンナノチューブを酸化アルミニウムの薄膜で被覆した場合について示している。
Next, the thin film which coats the
FIG. 2 is a graph showing the deformation rate of the carbon nanotube and the thermal resistance of the connecting member.
FIG. 2 shows a case where carbon nanotubes are covered with an aluminum oxide thin film by a single atom deposition (ALD) method.
まず、図2(A)を用いて、薄膜の膜厚に対するカーボンナノチューブの変形率について説明する。
図2(A)は、横軸は薄膜の膜厚([nm])を、縦軸は薄膜で被覆されたカーボンナノチューブをその長さ方向に0.9MPaで荷重をかける前後のカーボンナノチューブの長さの変形率([%])をそれぞれ示している。
First, the deformation rate of the carbon nanotube with respect to the film thickness of the thin film will be described with reference to FIG.
In FIG. 2A, the horizontal axis represents the film thickness ([nm]) of the thin film, and the vertical axis represents the length of the carbon nanotube before and after the carbon nanotube coated with the thin film was loaded with 0.9 MPa in the length direction. The deformation rate ([%]) is shown.
このグラフによれば、カーボンナノチューブを被覆する薄膜の膜厚が厚くなるほど、カーボンナノチューブの変形率が減少していることが分かる。薄膜の膜厚が10nm位まで厚くなると、カーボンナノチューブの変形率は10%を下回り、殆ど変形しないようになる。すなわち、カーボンナノチューブは、それを被覆する薄膜の膜厚が厚くなるほど、曲がりにくくなると言うことができる。 According to this graph, it can be seen that the deformation rate of the carbon nanotubes decreases as the thickness of the thin film covering the carbon nanotubes increases. When the thickness of the thin film is increased to about 10 nm, the deformation rate of the carbon nanotube is less than 10% and hardly deforms. That is, it can be said that the carbon nanotube is less likely to bend as the thickness of the thin film covering the carbon nanotube increases.
次に、図2(B)を用いて、カーボンナノチューブを含む接続部材に荷重をかけた際の接続部材の熱抵抗について説明する。図2(B)の測定対象の接続部材は、複数のカーボンナノチューブが熱可塑性樹脂により埋設され、カーボンナノチューブを被覆する薄膜の厚さは均一としている。 Next, the thermal resistance of the connection member when a load is applied to the connection member including the carbon nanotube will be described with reference to FIG. In the connection member to be measured in FIG. 2B, a plurality of carbon nanotubes are embedded with a thermoplastic resin, and the thickness of the thin film covering the carbon nanotubes is uniform.
図2(B)は、横軸は接続部材に対する荷重([MPa])を、縦軸は接続部材の熱抵抗([℃/W])をそれぞれ示している。カーボンナノチューブを被覆する薄膜の膜厚が、0nm(なし)、2.5nm、5.0nm、7.5nm、10.0nmの場合の接続部材を測定対象としている。 In FIG. 2B, the horizontal axis represents the load ([MPa]) on the connecting member, and the vertical axis represents the thermal resistance ([° C./W]) of the connecting member. A connecting member in the case where the film thickness of the thin film covering the carbon nanotube is 0 nm (none), 2.5 nm, 5.0 nm, 7.5 nm, 10.0 nm is set as a measurement target.
このグラフによれば、接続部材に対する荷重が増加するにつれて、接続部材の熱抵抗が低下していることが分かる。荷重が0.5MPaを超えると、薄膜の膜厚が薄い程、熱抵抗が低くなっていることが分かる。例えば、接続部材に対する荷重が0.9MPaであって、薄膜の膜厚が10.0nmの場合の熱抵抗は、2.5nmの場合の熱抵抗の約1.6倍となる。このことから、図2(A)で示したように、薄膜の膜厚を厚くするとカーボンナノチューブの変形率は減少するものの、薄膜の膜厚を厚くし過ぎると、カーボンナノチューブの熱抵抗が増加してしまうと言うことができる。 According to this graph, it can be seen that the thermal resistance of the connecting member decreases as the load on the connecting member increases. It can be seen that when the load exceeds 0.5 MPa, the thermal resistance decreases as the thickness of the thin film decreases. For example, the thermal resistance when the load on the connecting member is 0.9 MPa and the thickness of the thin film is 10.0 nm is about 1.6 times the thermal resistance when the thickness is 2.5 nm. Therefore, as shown in FIG. 2A, when the thickness of the thin film is increased, the deformation rate of the carbon nanotube is reduced. However, when the thickness of the thin film is excessively increased, the thermal resistance of the carbon nanotube is increased. It can be said that.
また、接続部材に対する荷重を大きくし過ぎると、接続部材内のカーボンナノチューブが屈曲してしまい、接続部材の熱抵抗は増加してしまう。
次に、接続部材40(図1)について図3を用いて説明する。
Moreover, when the load with respect to a connection member is enlarged too much, the carbon nanotube in a connection member will bend, and the thermal resistance of a connection member will increase.
Next, the connection member 40 (FIG. 1) will be described with reference to FIG.
図3は、第1の実施の形態の電子機器が備える接続部材とその比較例とを説明するための図である。
図3(A)は、接続部材40と比較するための接続部材140を、図3(B)は、接続部材40を、それぞれ半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に配置した場合の要部を示している。
FIG. 3 is a diagram for explaining a connection member included in the electronic device of the first embodiment and a comparative example thereof.
3A shows a connecting
接続部材140は、薄膜で被覆されていない複数のカーボンナノチューブ41と、当該カーボンナノチューブ41を接続部材40と同様に埋設する樹脂44と備える。
半導体素子30の表面とヒートスプレッダ50の表面には数十μm程度の凹凸が存在している。半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に配置される接続部材140は、半導体素子30から発生された熱をヒートスプレッダ50に効率的に伝導させるためには、半導体素子30とヒートスプレッダ50とに密着して、それぞれの表面の凹凸を埋めることが好ましい。このため、接続部材140は、ある程度の弾性力を備えることが好ましい。
The
The surface of the
半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に配置された接続部材140は、これらから挟持されて受ける押圧力が大きくなると、半導体素子30とヒートスプレッダ50との密着性が向上する。しかし、接続部材140の樹脂44内では、図3(A)に示されるように、カーボンナノチューブ41が屈曲して、両端が半導体素子30とヒートスプレッダ50とに接触しないカーボンナノチューブ41が生じる。これは接続部材140の熱伝導を妨げるために接続部材140の熱抵抗の増加を引き起こす一因となり得る。また、押圧力が小さい場合、または、接続部材140の厚さが薄い場合には、接続部材140が半導体素子30とヒートスプレッダ50との表面の凹凸を十分に埋めることができずに、接続部材140と半導体素子30並びにヒートスプレッダ50との間に空気層が生じる。このような空気層により、カーボンナノチューブ41の先端部が半導体素子30(またはヒートスプレッダ50)に十分に接触されないために、接続部材140の熱抵抗が増加し得る。
The connection between the
一方、接続部材40は、中央部の領域Aの複数のカーボンナノチューブ41と、領域Aの外側の領域Bの複数のカーボンナノチューブ43と、カーボンナノチューブ41,43の間を埋設する樹脂44とを含む。
On the other hand, the
カーボンナノチューブ43は、カーボンナノチューブ41よりも厚い薄膜で被覆されているために、図2(A)で説明したように、長さ(接続部材40の厚さ)方向の荷重に対する変化率がカーボンナノチューブ41よりも小さく、曲がりにくい。
Since the
接続部材40は、このようなカーボンナノチューブ43を領域Aの外側の領域Bに備えるため、半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に配置されて押圧されても、図3(B)に示されるように、カーボンナノチューブ43が支えとなる。したがって、接続部材40は、その厚さが維持され、半導体素子30とヒートスプレッダ50との密着性の低下が抑制され、カーボンナノチューブ41の屈曲が抑制される。このため、樹脂44内でカーボンナノチューブ41のばらつき、偏りが起こらず、樹脂44内でカーボンナノチューブ41が半導体素子30とヒートスプレッダ50とを熱的に接続するため、接続部材40の熱抵抗の増加が抑制される。さらに、接続部材40は、薄膜で被覆されたカーボンナノチューブ43を含むために、図2(B)で説明したように、押圧力を受けても熱抵抗の増加が抑制される。
Since the connecting
したがって、上記接続部材40は、半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に設けられると、熱抵抗の増加が抑制されて、半導体素子30から発生した熱をヒートスプレッダ50に効率的に伝導させることができる。このような接続部材40を用いることで、冷却性能、信頼性に優れた電子機器10を実現することが可能になる。
Therefore, when the
次に、接続部材40を含む電子機器10の製造方法について、図4〜図11並びに図1を用いて説明する。
図4〜図11は、第1の実施の形態の電子機器の製造方法の一例を示す図である。なお、図4(B)、図5(B)、図6(B)、図7(B)、図8(B)及び図9(B)は、それぞれ、図4(A)、図5(A)、図6(A)、図7(A)、図8(A)、図9(A)の上面図である。
Next, a method for manufacturing the
4 to 11 are diagrams illustrating an example of a method of manufacturing the electronic device according to the first embodiment. 4B, FIG. 5B, FIG. 6B, FIG. 7B, FIG. 8B, and FIG. 9B are respectively shown in FIG. 4A and FIG. 10A is a top view of FIGS. 6A, 7A, 8A, and 9A. FIG.
まず、シリコン基板111を用意し、このシリコン基板111上に、300nm程度の厚さの熱酸化膜112を形成する。
熱酸化膜112を形成する基板として、ここではシリコン基板111を用いるが、一定の耐熱性を有するものであれば、酸化アルミニウム基板、サファイア基板、酸化マグネシウム基板、ガラス基板等、他の基板を用いてもよい。
First, a
Here, the
次いで、熱酸化膜112上の所定の領域に、スパッタ法で下地膜113として窒化チタン膜を約5nmの厚さに形成し、さらにその上に触媒金属膜114としてコバルト膜をスパッタ法で2.6nm程度の厚さに形成する(図4)。
Next, a titanium nitride film is formed as a
なお、下地膜113は、上記の窒化チタン膜に限定されない。下地膜113には、モリブデン、チタン、ハフニウム、ジルコニウム、ニオブ、バナジウム、チタンシリサイド、アルミニウム、タンタル、タングステン、銅、金、白金、パラジウムのいずれかの膜、またはこれらのうちの1種又は2種以上を含む膜を適用することができる。酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化チタン及び窒化タンタル等の酸化金属膜や窒化金属膜を下地膜113として用いることもできる。
Note that the
また、触媒金属膜114は、上記のコバルト膜に限定されない。触媒金属膜114には、鉄、コバルト、ニッケル、金、銀、白金のいずれかの膜、またはこれらのうちの1種又は2種以上を含む膜を適用することができる。
Further, the
さらに、触媒金属膜114に代えて、カーボンナノチューブ成長の触媒金属となる金属微粒子を下地膜113の上に付着させてもよい。この場合、金属微粒子は、微分型静電分級器等によって予め所定の直径のもののみが収集されて下地膜113の上に供給される。
Furthermore, instead of the
次に、触媒金属膜114の触媒作用を利用して、ホットフィラメントCVD(Chemical Vapor Deposition)法により触媒金属膜114の上に複数のカーボンナノチューブ41を選択的に成長させる(図5)。
Next, using the catalytic action of the
このとき、下地膜113が触媒金属膜114の触媒作用を活性化させるように機能するため、下地膜113がない場合と比較して多くの本数のカーボンナノチューブ41を形成できる。
At this time, since the
そのカーボンナノチューブ41は、触媒金属膜114の表面に対して垂直な方向に成長し易く、各カーボンナノチューブ41の延在方向がシリコン基板111の法線方向に平行となり易い。
The
カーボンナノチューブ41の成長条件は特に限定されない。例えば、第1の実施の形態では、原料ガスとしてアセチレンとアルゴンとをそれぞれ1:9の分圧比で混合した原料ガスを使用し、成膜室内の圧力を1kPa、ホットフィラメントの温度を250℃〜1000℃とすることによりカーボンナノチューブ41を成長させる。
The growth conditions of the
この成長条件によれば、カーボンナノチューブ41の面密度は約1×1011本/cm2となり、各カーボンナノチューブ41の直径は4nm〜8nmで平均直径は約6nmとなり、成長レートは4μm/minとなる。
According to this growth condition, the surface density of the
各カーボンナノチューブ41は、例えば、その中心軸から外側に向かって単層のグラフェンシートが3層〜6層程度積み重なり、その層数の平均値は4層程度となる。このように多層のグラフェンシートを積層してなるカーボンナノチューブは多層カーボンナノチューブとも呼ばれる。
Each
このような多層カーボンナノチューブに代えて単層のグラフェンシートを形成してもよい。
カーボンナノチューブ41の面密度やサイズは上記に限定されないが、カーボンナノチューブ41による放熱効果の実効を図るには、なるべく高い面密度、例えば1×1010本/cm2以上の面密度でカーボンナノチューブ41を形成するのが好ましい。また、カーボンナノチューブ41の長さは、最終的な電子機器の用途によっても異なるが、第1の実施の形態では、例えば、200μm〜300μm程度とする。
A single-layer graphene sheet may be formed instead of such multi-walled carbon nanotubes.
The surface density and size of the
次に、各カーボンナノチューブ41の先端部を樹脂115によってコーティングする(図6)。
樹脂115には、カーボンナノチューブ41を被膜する薄膜工程の加熱に耐え、レーザー等で剥離できる一定の耐熱性を有する材料を用いる。また、コーティングの方法は、樹脂115をカーボンナノチューブ41の先端部に塗布することができればよく、例えば、スピンコート法等を用いることができる。または、樹脂115は、フォトリソグラフィ技術で用いられるレジスト材を適用することも可能である。
Next, the tip of each
As the
次に、樹脂115の中央部を残して、その外側をレーザー照射により除去して、樹脂115をパターニングした樹脂115aを形成する(図7)。
レーザー照射で用いられるレーザー光は、特に限定されず、例えば、YAGレーザー、炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー等のガスレーザーを用いることができる。また、レーザー種、レーザー照射時間、レーザー出力は、樹脂115の材質が持つ吸収波長帯域、成膜する膜厚等に応じて、適宜選択することができる。例えば、連続照射型レーザーを使用する場合、照射時の走査の移動速度を変更することで、照射時間を変更することができる。また、パルス型レーザーの場合、発光時間を変更することで、照射時間を調整することができる。また、樹脂115にレジスト材を用いた場合には、フォトリソグラフィ技術で行われるように、樹脂115を加熱した後に、露光及び現像を行ってパターニングして、樹脂115aを形成することも可能である。
Next, the
The laser beam used for laser irradiation is not particularly limited, and for example, a gas laser such as a YAG laser, a carbon dioxide gas laser, or an excimer laser can be used. The laser type, laser irradiation time, and laser output can be appropriately selected according to the absorption wavelength band of the material of the
次に、パターニングされた樹脂115aをマスクとして、シリコン基板111の上側全面に、ALD法により、薄膜42として酸化アルミニウムの層を堆積する(図8)。
そのALD法においては、原料ガスとしてトリメチルアルミニウムと水との混合ガスを使用すると共に、成膜温度を200℃とすることにより、薄膜42の膜厚を10数nmの厚さに形成する。また、図2で説明したように、薄膜42の膜厚が10nm程度を超えると、カーボンナノチューブ43の変形率が10%未満まで低下するので、薄膜42の膜厚は10nm以上が好ましい。
Next, an aluminum oxide layer as a
In the ALD method, a mixed gas of trimethylaluminum and water is used as a raw material gas, and the film forming temperature is set to 200 ° C., so that the
この薄膜42は、樹脂115aの外側の各カーボンナノチューブ41の側面及び先端部を覆ってカーボンナノチューブ43を構成し、カーボンナノチューブ43を補強する機能の他に、後述の埋設用の樹脂に対する各カーボンナノチューブ43の濡れ性を向上させる機能を有する。
The
このような機能を有する膜には酸化アルミニウムの他に酸化亜鉛もあり、酸化亜鉛を薄膜42として形成してもよい。その場合は、原料ガスとしてジエチル亜鉛と水との混合ガスを使用すればよい。
A film having such a function includes zinc oxide in addition to aluminum oxide, and zinc oxide may be formed as the
さらに、銅、ルテニウム、プラチナ等の金属で薄膜42を形成してもよい。
次に、パターニングされた樹脂115aを加熱により溶解させて、樹脂115a上の薄膜42と共に除去する(図9(A))。
Further, the
Next, the patterned
これにより、中央部の領域Aにカーボンナノチューブ41が、領域Aの外側の領域Bに薄膜42で被覆されたカーボンナノチューブ43が、それぞれ配置されるようになる(図9(A),(B))。
As a result, the
次に、カーボンナノチューブ41,43の先端部に、熱可塑性の樹脂44を配置する(図10(A))。
この際、樹脂44を少し溶融させておくことで、配置された樹脂44にカーボンナノチューブ41,43の先端部が入り込む。
Next, a
At this time, the tips of the
樹脂44は、例えば、フィルム状であって、その厚さは、カーボンナノチューブ41,43の長さに応じて適宜設置する。例えば、カーボンナノチューブ41,43の長さと同程度、例えば200μm〜300μm程度が好適である。
The
フィルム状の樹脂44の熱可塑性樹脂としては、例えば、ホットメルト樹脂を適用することができる。ホットメルト樹脂としては、ポリアミド系ホットメルト樹脂、ポリエステル系ホットメルト樹脂、ポリウレタン系ホットメルト樹脂、ポリオレフィン系ホットメルト樹脂、エチレン共重合体ホットメルト樹脂、SBR系ホットメルト樹脂、EVA系ホットメルト樹脂、ブチルゴム系ホットメルト樹脂が挙げられる。
As the thermoplastic resin of the film-
次に、樹脂44を配置したシリコン基板111を、例えば195℃の温度で加熱しながら、樹脂44の押圧面44aをシリコン基板111側に押圧する。これにより、樹脂44の熱可塑性樹脂が溶解し、カーボンナノチューブ41,43の間隙に徐々に浸透していく。この際、樹脂44を、シリコン基板111(触媒金属膜114)の表面に達しない程度まで浸透させることが好ましい。
Next, while the
樹脂44を予めシート状に加工しておくことにより、そのシート膜厚でカーボンナノチューブ41,43に含浸させる量を制御することができる。これにより、加熱温度や加熱時間を制御して、樹脂44がシリコン基板111まで達しないようにすることができる。
By processing the
シリコン基板111に達しないところで樹脂44の浸透を停止するのは、後述するように、シリコン基板111と、熱酸化膜112と、下地膜113と、触媒金属膜114とをカーボンナノチューブ41,43から剥離するのを容易にするためである。カーボンナノチューブ41,43から容易に剥離できるような場合等は、シリコン基板111に達するまで樹脂44を浸透させるようにしてもよい。
The reason why the penetration of the
カーボンナノチューブ41,43の間隙に浸透させる樹脂44の量は、熱処理時間によって制御することができる。例えば、上記条件で成長した長さ200μmのカーボンナノチューブ41,43に対しては、195℃で数分間の熱処理を行うことにより、樹脂44を所定の位置まで浸透させることができる。
The amount of the
樹脂44の加熱時間は、カーボンナノチューブ41,43の長さ、樹脂44の融解時の粘度、樹脂44の膜厚等に応じて適宜設定することができる。
なお、樹脂44の形状は、フィルム状のほか、ペレット状や棒状でも構わない。
The heating time of the
In addition, the shape of the
次に、樹脂44を所定の位置まで浸透させた後、室温まで冷却し、樹脂44を固化する。これにより、カーボンナノチューブ41,43の間隙が樹脂44で埋設される(図10(B))。
Next, after infiltrating the
次に、樹脂44が含浸されたカーボンナノチューブ41,43から、シリコン基板111と、熱酸化膜112と、下地膜113と、触媒金属膜114とを剥離する。
剥離されたカーボンナノチューブ41,43に含浸させた樹脂44の押圧面44aをヒートスプレッダ50に接触させる。加熱しながら、シリコン基板111等が剥離された側のカーボンナノチューブ41,43を治具116によりヒートスプレッダ50側に押圧して、樹脂44の押圧面44aをヒートスプレッダ50に付着させる(図11)。
Next, the
The
その後、治具116を取り外し、樹脂44の押圧面44aの反対側のカーボンナノチューブ41,43の端部を、回路基板20上に実装された半導体素子30の上に積層する。加熱しながら、ヒートスプレッダ50を半導体素子30側に押圧すると、カーボンナノチューブ41,43が樹脂44内に入り込み、カーボンナノチューブ41,43の先端部がヒートスプレッダ50に接触する。さらに押圧してカーボンナノチューブ41,43が圧縮することで、接続部材40が圧縮する。そして、押圧したヒートスプレッダ50を、接続部材40の樹脂44で半導体素子30に接着すると共に、有機シーラント60で回路基板20に接着する。
Thereafter, the
半導体素子30とヒートスプレッダ50との間で押圧力を受けて、カーボンナノチューブ41,43及び樹脂44が圧縮されると、薄膜42で被覆されたカーボンナノチューブ43が支えとなり、カーボンナノチューブ41の屈折が抑制される。このため、カーボンナノチューブ41,43の弾性力により接続部材40はヒートスプレッダ50と半導体素子30との各表面に密着し、樹脂44内でカーボンナノチューブ41,43のばらつき、偏りが起こらずに、カーボンナノチューブ41,43はヒートスプレッダ50と半導体素子30とにそれぞれ熱的に接続する。したがって、接続部材40の熱抵抗の増加が抑制される。
When the
このような接続部材40を備えることで、冷却性能、信頼性に優れる電子機器10が製造される(図1)。
上記接続部材40の製造方法では、シリコン基板111の中央部の領域Aと領域Aの外側の領域Bとにカーボンナノチューブ41を成長させる。そして、カーボンナノチューブ41に薄膜42となる材料を堆積する。次に、領域Aのカーボンナノチューブ41の先端部を樹脂115aで被覆し、樹脂115aをマスクとして、薄膜42となる材料を堆積し、堆積後に樹脂115aを除去する。これにより、領域Aの外側の領域Bのカーボンナノチューブ43との膜厚を、領域Aのカーボンナノチューブ41の膜厚よりも厚くすることができるようになる。
By providing such a
In the method for manufacturing the
上記接続部材40の製造方法では、薄膜42を形成する際のマスクとなる樹脂115aが、カーボンナノチューブ41の先端部を覆うように形成される。このようにマスクを、カーボンナノチューブ41から離間させずに配置することで、マスク上方から薄膜42の材料を堆積する際、その材料が、マスク下、すなわち中央部の領域Aに存在するカーボンナノチューブ41に回り込むのを抑制することができる。そのため、マスク外、すなわち領域Aの外側の領域Bに存在するカーボンナノチューブ41に、薄膜42となる材料を、所望の膜厚で堆積し、所望の膜厚の薄膜42で被覆したカーボンナノチューブ43を得ることができる。上記製造方法によれば、中央部のカーボンナノチューブ41に対し、その外側のカーボンナノチューブ41(43)に所望の膜厚で薄膜42を形成することができ、中央部とその外側で薄膜42の膜厚の差が大きい接続部材40を得ることができる。
In the method for manufacturing the
中央部とその外側で薄膜42の膜厚の差が大きい接続部材40では、外側のカーボンナノチューブ43で効果的に補強を行い、中央部のカーボンナノチューブ41で効果的に熱伝導を行うことができる。このような接続部材40をヒートスプレッダ50と半導体素子30の間に設けることで、外側のカーボンナノチューブ43で接続部材40の過度な圧縮を効果的に抑制する。そして、中央部のカーボンナノチューブ41を、ヒートスプレッダ50と半導体素子30の双方に効果的に接触させる。これにより、半導体素子30で発生する熱を、接続部材40を介して効率的にヒートスプレッダ50に伝達し、半導体素子30の過熱を抑制することができる。
In the
なお、接続部材40は、箱型のヒートスプレッダ50に対して適用されるだけではなく、以下の図12に示す板状のヒートスプレッダを備える電子機器にも適用することができる。
Note that the connecting
図12は、第1の実施の形態の別の電子機器の一例を示す図である。
電子機器100は、電子機器10の箱型のヒートスプレッダ50に代わり、板状のヒートスプレッダ51が適用されている。
FIG. 12 is a diagram illustrating an example of another electronic device according to the first embodiment.
In the
電子機器100の厚さは、ヒートスプレッダ51が板状であるために、箱型のヒートスプレッダ50の場合よりも薄くすることも可能となる。
但し、ヒートスプレッダ51と半導体素子30との間隙は、接続部材40が圧縮されてカーボンナノチューブ43が屈折しない程度までとする。
Since the
However, the gap between the
電子機器100では、カーボンナノチューブ43が支えとなり、カーボンナノチューブ41の屈折が抑制され、樹脂44内でカーボンナノチューブ41は半導体素子30とヒートスプレッダ51とを熱的に接続する。電子機器100では、接続部材40の熱抵抗の増加を抑制して冷却性能を高めることができ、また、薄型化を図ることができる。
In the
[第2の実施の形態]
上記第1の実施の形態では、基板上のカーボンナノチューブ群のうち、中央部の外側のカーボンナノチューブを選択的に薄膜で被覆する場合を例示した。このほか、基板上のカーボンナノチューブ群を薄膜で被覆し、そのカーボンナノチューブ群に対し、さらにその中央部の外側のカーボンナノチューブを選択的に薄膜で被覆するようにしてもよい。ここでは、このような手法を、第2の実施の形態として、図13及び図14を用いて説明する。なお、第2の実施の形態では、第1の実施の形態と同様の製造工程が適用される場合には、それらの説明を簡略化する。
[Second Embodiment]
In the said 1st Embodiment, the case where the carbon nanotube outside a center part was selectively coat | covered with the thin film among the carbon nanotube groups on a board | substrate was illustrated. In addition, a group of carbon nanotubes on the substrate may be coated with a thin film, and the carbon nanotube group may be further coated with a thin film selectively on the outer side of the central portion of the carbon nanotube group. Here, such a method will be described as a second embodiment with reference to FIGS. 13 and 14. FIG. In the second embodiment, when the same manufacturing process as that of the first embodiment is applied, the description thereof is simplified.
図13及び図14は、第2の実施の形態の電子機器の製造方法の一例を示す図である。
まず、シリコン基板111上に熱酸化膜112と、下地膜113と、触媒金属膜114とを順に形成し、パターニングして所望の領域のみを残す(図4)。次いで、ホットフィラメントCVD法により触媒金属膜114の上に複数のカーボンナノチューブ41を選択的に成長させる(図5)。
13 and 14 are diagrams illustrating an example of a method of manufacturing the electronic device according to the second embodiment.
First, a
次に、シリコン基板111の上側の全てのカーボンナノチューブ41にALD法により、膜厚が2.5nm程度の酸化アルミニウムの薄膜45を堆積する(図13)。
この薄膜45により、シリコン基板111上の各カーボンナノチューブ41の側面及び先端部を覆う。これにより、カーボンナノチューブ41を薄膜45で被覆したカーボンナノチューブ46を得る。カーボンナノチューブ46の薄膜45は、補強する機能の他に、樹脂44に対する濡れ性を向上させる機能を有する。
Next, an aluminum oxide
The
次に、第1の実施の形態と同様に、カーボンナノチューブ46の先端部を樹脂115によりコーティングする。このようにコーティングされた樹脂115の中央部を残して、その外側をレーザー照射により除去して、樹脂115をパターニングして、樹脂115aを形成する(図6及び図7の工程に対応)。パターニングされた樹脂115aをマスクとして、シリコン基板111上の樹脂115aの外側の各カーボンナノチューブ46の側面及び先端部に、ALD法により、薄膜45にさらに酸化アルミニウムの層を堆積して、膜厚が10数nmの薄膜42を形成する(図8の工程に対応)。
Next, as in the first embodiment, the tip of the
次に、パターニングされた樹脂115aを加熱により溶解して、樹脂115a上の薄膜42と共に除去する(図14(A))。
これにより、中央部の領域Aに薄膜45で被覆されたカーボンナノチューブ46が、領域Aの外側の領域Bに薄膜42(薄膜45にさらに堆積を行ったもの)で被覆されたカーボンナノチューブ43が、それぞれ配置される(図14(B))。
Next, the patterned
As a result, the
以降の工程は、第1の実施の形態の図10、図11及び図1に対応する工程と同様である。
すなわち、カーボンナノチューブ46,43の先端部に熱可塑性の樹脂44を配置し(図10(A)の工程に対応)、加熱しながら樹脂44の押圧面44aをシリコン基板111側に押圧して、カーボンナノチューブ46,43の間隙に樹脂44が徐々に浸透する。カーボンナノチューブ46,43は、それぞれ薄膜45,42で被覆されているために樹脂44との濡れ性が向上し、樹脂44はカーボンナノチューブ46,43の間に広がりやすくなる。
The subsequent steps are the same as the steps corresponding to FIGS. 10, 11 and 1 of the first embodiment.
That is, the
次に、樹脂44を所定の位置まで浸透させた後、室温まで冷却し、樹脂44を固化することで、カーボンナノチューブ46,43の間隙が樹脂44で埋設される(図10(B)の工程に対応)。
Next, after infiltrating the
樹脂44が含浸されたカーボンナノチューブ46,43から、シリコン基板111と、熱酸化膜112と、下地膜113と、触媒金属膜114とを剥離し、カーボンナノチューブ46,43に含浸させた樹脂44の押圧面44aをヒートスプレッダ50に接触させる。加熱しながら、シリコン基板111等が剥離された側のカーボンナノチューブ46,43を治具116によりヒートスプレッダ50側に押圧して、樹脂44の押圧面44aをヒートスプレッダ50に付着させる(図11の工程に対応)。
From the
その後、治具116を取り外し、樹脂44の押圧面44aの反対側のカーボンナノチューブ46,43の端部を、回路基板20上に実装された半導体素子30の上に積層する。加熱しながらヒートスプレッダ50を半導体素子30側に押圧し、ヒートスプレッダ50を、接続部材40で半導体素子30に接着し、有機シーラント60を介して回路基板20と接着する。
Thereafter, the
第1の実施の形態と同様に、半導体素子30とヒートスプレッダ50との間で押圧力を受けて、カーボンナノチューブ46,43及び樹脂44が圧縮されると、薄膜42で被覆されたカーボンナノチューブ43が支えとなり、カーボンナノチューブ46の屈折が抑制される。このため、カーボンナノチューブ46,43の弾性力により接続部材40はヒートスプレッダ50と半導体素子30との各表面に密着して、樹脂44内でカーボンナノチューブ46,43のばらつき、偏りが起こらずに、カーボンナノチューブ46,43はヒートスプレッダ50と半導体素子30とにそれぞれ熱的に接続する。したがって、接続部材40の熱抵抗の増加が抑制される。
Similarly to the first embodiment, when the
これにより、カーボンナノチューブ46,43を含む接続部材40が半導体素子30とヒートスプレッダ50との間に配置されて、冷却性能、信頼性に優れる電子機器10が製造される(図1の工程に対応)。
Thereby, the
なお、第2の実施の形態の接続部材40は、第1の実施の形態の電子機器100に対しても適用することが可能である。
また、第1,第2の実施の形態で製造される接続部材40は、半導体素子30とヒートスプレッダ50との熱的接続に限らず、例えば、素子と回路との電気的接続にも適用することができる。
Note that the
Further, the
また、図14に示した構造は、先に、領域Bのカーボンナノチューブ41に薄膜の材料を堆積させた後、領域A,Bのカーボンナノチューブ41に薄膜の材料を堆積させても得ることができる。すなわち、第1の実施の形態と同様に、パターニングした樹脂層115aをマスクとして、領域Bのカーボンナノチューブ41を所定の膜厚の薄膜で被覆する。当該樹脂層115aの除去後、領域Aのカーボンナノチューブ41と、領域Bの薄膜で被覆されたカーボンナノチューブ41とにそれぞれ薄膜の材料を堆積させる。この際、領域Aのカーボンナノチューブ41を被覆する薄膜の膜厚が2.5nmとなり、領域Bのカーボンナノチューブ41にさらに材料が堆積されて、領域Bのカーボンナノチューブ41を被覆する薄膜の膜厚が10nmとなるようにすることで、図14の構造を得るこことができる。なお、この後の処理は、第1の実施の形態の図10及び図11を用いて説明した工程を経て半導体装置を製造することができる。
The structure shown in FIG. 14 can also be obtained by first depositing a thin film material on the
また、第1,第2の実施の形態のように、シリコン基板111上のカーボンナノチューブ41の先端部にコーティングした樹脂115のパターンに応じて、カーボンナノチューブ41の領域B(外側)に限らず、所望の領域のカーボンナノチューブ41を薄膜で被覆することができる。例えば、図5(B)において、左側半分のカーボンナノチューブ41を薄膜で被覆したい場合には、カーボンナノチューブ41の先端部に配置した樹脂115(図6)から左側半分のカーボンナノチューブ41の先端部の樹脂115をレーザー照射で除去する。そして、ALD法を行うことで、左側半分のカーボンナノチューブ41を薄膜42で被覆する。
Moreover, according to the pattern of the
以上説明した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
(付記1) 基板の第1領域と前記第1領域の外側の第2領域とにカーボンナノチューブ群を成長する工程と、
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。
Regarding the embodiment described above, the following additional notes are further disclosed.
(Appendix 1) Growing carbon nanotube groups in a first region of a substrate and a second region outside the first region;
Coating the tip of the carbon nanotube group in the first region with a first resin layer;
Using the first resin layer as a mask, depositing a first material on a group of carbon nanotubes in the second region, and covering the group of carbon nanotubes in the second region with the first material;
The manufacturing method of the connection member characterized by including.
(付記2) 前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程後、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離する工程と、
をさらに含むことを特徴とする付記1に記載の接続部材の製造方法。
(Supplementary Note 2) After the step of coating the carbon nanotube group in the second region with the first material,
Removing the first resin layer;
Embedding a group of carbon nanotubes on the substrate in a second resin layer;
Peeling the substrate;
The manufacturing method of the connection member of
(付記3) 前記基板上にカーボンナノチューブ群を成長する工程後、
前記基板上のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記基板上のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする付記1又は2に記載の接続部材の製造方法。
(Supplementary Note 3) After the step of growing the carbon nanotube group on the substrate,
Depositing a second material on the carbon nanotube groups on the substrate and coating the carbon nanotube groups on the substrate;
The manufacturing method of the connection member of
(付記4) 前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を前記第1樹脂層で被覆する工程では、
前記基板上の前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群の先端部に第3樹脂層を配置し、前記第2領域に対応する前記第3樹脂層の部分を除去して前記第1樹脂層を形成する、
ことを特徴とする付記1乃至3のいずれかに記載の接続部材の製造方法。
(Supplementary Note 4) In the step of covering the tip of the carbon nanotube group in the first region with the first resin layer,
A third resin layer is disposed at the tip of the carbon nanotube group in the first region and the second region on the substrate, and a portion of the third resin layer corresponding to the second region is removed to remove the first resin layer. Forming a resin layer,
The method for manufacturing a connection member according to any one of
(付記5) 前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する薄膜の膜厚の厚さは、10nm以上である、
ことを特徴とする付記1乃至4のいずれかに記載の接続部材の製造方法。
(Supplementary Note 5) The thickness of the thin film covering the carbon nanotube group in the second region with the first material is 10 nm or more.
The method for manufacturing a connection member according to any one of
(付記6) 前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程後、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記基板上のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする付記1に記載の接続部材の製造方法。
(Supplementary Note 6) After the step of coating the carbon nanotube group in the second region with the first material,
Removing the first resin layer;
Depositing a second material on the carbon nanotube groups on the substrate and coating the carbon nanotube groups on the substrate;
The manufacturing method of the connection member of
(付記7) 前記基板上のカーボンナノチューブ群を被覆する工程後、
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離する工程と、
をさらに含むことを特徴とする付記6に記載の接続部材の製造方法。
(Supplementary note 7) After the step of coating the carbon nanotube group on the substrate,
Embedding a group of carbon nanotubes on the substrate in a second resin layer;
Peeling the substrate;
The manufacturing method of the connection member according to
(付記8) 基板の第1領域と前記第1領域の外側の第2領域とにカーボンナノチューブ群を成長する工程と、
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離して、接続部材を形成する工程と、
前記接続部材を半導体素子と放熱部材との間に配置する工程と、
を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
(Supplementary Note 8) A step of growing a group of carbon nanotubes in a first region of a substrate and a second region outside the first region;
Coating the tip of the carbon nanotube group in the first region with a first resin layer;
Using the first resin layer as a mask, depositing a first material on a group of carbon nanotubes in the second region, and covering the group of carbon nanotubes in the second region with the first material;
Removing the first resin layer;
Embedding a group of carbon nanotubes on the substrate in a second resin layer;
Peeling the substrate to form a connection member;
Arranging the connecting member between the semiconductor element and the heat dissipation member;
The manufacturing method of the electronic device characterized by including.
(付記9) 前記放熱部材は板状であることを特徴とする付記8記載の電子機器の製造方法。
(付記10) 基板の第1領域と、前記第1領域とは異なる第2領域とにカーボンナノチューブ群を成長する工程と、
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。
(Additional remark 9) The said heat radiating member is plate shape, The manufacturing method of the electronic device of
(Supplementary Note 10) A step of growing a carbon nanotube group in a first region of a substrate and a second region different from the first region;
Coating the tip of the carbon nanotube group in the first region with a first resin layer;
Using the first resin layer as a mask, depositing a first material on a group of carbon nanotubes in the second region, and covering the group of carbon nanotubes in the second region with the first material;
The manufacturing method of the connection member characterized by including.
10,100 電子機器
20 回路基板
30 半導体素子
40,140 接続部材
41,43,46 カーボンナノチューブ
42,45 薄膜
44 樹脂
44a 押圧面
50,51 ヒートスプレッダ
60 有機シーラント
111 シリコン基板
112 熱酸化膜
113 下地膜
114 触媒金属膜
115,115a 樹脂
116 治具
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,100
Claims (6)
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする接続部材の製造方法。 Growing carbon nanotube groups in a first region of the substrate and a second region outside the first region;
Coating the tip of the carbon nanotube group in the first region with a first resin layer;
Using the first resin layer as a mask, depositing a first material on a group of carbon nanotubes in the second region, and covering the group of carbon nanotubes in the second region with the first material;
The manufacturing method of the connection member characterized by including.
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の接続部材の製造方法。 After the step of coating the second region of carbon nanotube groups with the first material,
Removing the first resin layer;
Embedding a group of carbon nanotubes on the substrate in a second resin layer;
Peeling the substrate;
The method for manufacturing a connection member according to claim 1, further comprising:
前記基板上のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記基板上のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の接続部材の製造方法。 After the step of growing the carbon nanotube group on the substrate,
Depositing a second material on the carbon nanotube groups on the substrate and coating the carbon nanotube groups on the substrate;
The manufacturing method of the connection member of Claim 1 or 2 characterized by the above-mentioned.
前記基板上の前記第1領域及び前記第2領域のカーボンナノチューブ群の先端部に第3樹脂層を配置し、前記第2領域に対応する前記第3樹脂層の部分を除去して前記第1樹脂層を形成する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の接続部材の製造方法。 In the step of covering the tip of the carbon nanotube group in the first region with the first resin layer,
A third resin layer is disposed at the tip of the carbon nanotube group in the first region and the second region on the substrate, and a portion of the third resin layer corresponding to the second region is removed to remove the first resin layer. Forming a resin layer,
The manufacturing method of the connection member in any one of Claims 1 thru | or 3 characterized by the above-mentioned.
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群に第2材料を堆積し、前記基板上のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
を含むことを特徴とする請求項1に記載の接続部材の製造方法。 After the step of coating the second region of carbon nanotube groups with the first material,
Removing the first resin layer;
Depositing a second material on the carbon nanotube groups on the substrate and coating the carbon nanotube groups on the substrate;
The manufacturing method of the connection member of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
前記第1領域のカーボンナノチューブ群の先端部を第1樹脂層で被覆する工程と、
前記第1樹脂層をマスクとして、前記第2領域のカーボンナノチューブ群に第1材料を堆積し、前記第1材料で前記第2領域のカーボンナノチューブ群を被覆する工程と、
前記第1樹脂層を除去する工程と、
前記基板上のカーボンナノチューブ群を第2樹脂層内に埋設する工程と、
前記基板を剥離して、接続部材を形成する工程と、
前記接続部材を半導体素子と放熱部材との間に配置する工程と、
を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。 Growing carbon nanotube groups in a first region of the substrate and a second region outside the first region;
Coating the tip of the carbon nanotube group in the first region with a first resin layer;
Using the first resin layer as a mask, depositing a first material on a group of carbon nanotubes in the second region, and covering the group of carbon nanotubes in the second region with the first material;
Removing the first resin layer;
Embedding a group of carbon nanotubes on the substrate in a second resin layer;
Peeling the substrate to form a connection member;
Arranging the connecting member between the semiconductor element and the heat dissipation member;
The manufacturing method of the electronic device characterized by including.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014125263A JP6344076B2 (en) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | Method for manufacturing connection member and method for manufacturing electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014125263A JP6344076B2 (en) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | Method for manufacturing connection member and method for manufacturing electronic device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016004937A true JP2016004937A (en) | 2016-01-12 |
JP6344076B2 JP6344076B2 (en) | 2018-06-20 |
Family
ID=55223999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014125263A Active JP6344076B2 (en) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | Method for manufacturing connection member and method for manufacturing electronic device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6344076B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018067581A (en) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 富士通株式会社 | Carbon nanotube structure, heat dissipation sheet, and method for producing carbon nanotube structure |
WO2018179668A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日立造船株式会社 | Filler-resin composite body, method for manufacturing filler-resin composite body, filler-resin composite layer, and method for using filler-resin composite body |
JP2021017647A (en) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | ハミルトン・サンドストランド・コーポレイションHamilton Sundstrand Corporation | Method of forming component, method of plate and frame heat exchanger, and heat exchange plate |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013098245A (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Fujitsu Ltd | Heat dissipation sheet and method for manufacturing the same |
JP2013239623A (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Fujitsu Ltd | Sheet-like structure, manufacturing method thereof, electronic equipment and manufacturing method thereof |
JP2014060252A (en) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing heat dissipation material |
-
2014
- 2014-06-18 JP JP2014125263A patent/JP6344076B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013098245A (en) * | 2011-10-28 | 2013-05-20 | Fujitsu Ltd | Heat dissipation sheet and method for manufacturing the same |
JP2013239623A (en) * | 2012-05-16 | 2013-11-28 | Fujitsu Ltd | Sheet-like structure, manufacturing method thereof, electronic equipment and manufacturing method thereof |
JP2014060252A (en) * | 2012-09-18 | 2014-04-03 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing heat dissipation material |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018067581A (en) * | 2016-10-17 | 2018-04-26 | 富士通株式会社 | Carbon nanotube structure, heat dissipation sheet, and method for producing carbon nanotube structure |
WO2018179668A1 (en) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 日立造船株式会社 | Filler-resin composite body, method for manufacturing filler-resin composite body, filler-resin composite layer, and method for using filler-resin composite body |
JP2018171809A (en) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | 日立造船株式会社 | Filler and resin composite, method for manufacturing filler and resin composite, filler and resin composite layer, and method for using filler and resin composite |
KR20190135481A (en) * | 2017-03-31 | 2019-12-06 | 히다치 조센 가부시키가이샤 | Filler / resin composite, method for producing filler / resin composite, filler / resin composite layer and filler / resin composite |
KR102570875B1 (en) * | 2017-03-31 | 2023-08-24 | 히다치 조센 가부시키가이샤 | Filler/resin composite, manufacturing method of filler/resin composite, filler/resin composite layer, and method of using filler/resin composite |
JP2021017647A (en) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | ハミルトン・サンドストランド・コーポレイションHamilton Sundstrand Corporation | Method of forming component, method of plate and frame heat exchanger, and heat exchange plate |
JP7319904B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-08-02 | ハミルトン・サンドストランド・コーポレイション | Methods of forming components, methods of forming plate and frame heat exchangers and heat exchange plates |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6344076B2 (en) | 2018-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101217204B1 (en) | Heat radiation material, electronic device and method of manufacturing electronic device | |
JP6065410B2 (en) | Sheet-like structure, method for producing sheet-like structure, electronic device, and method for producing electronic device | |
JP5212253B2 (en) | Manufacturing method of sheet-like structure | |
JP2012199335A (en) | Sheet-like structure, manufacturing method thereof, electronic equipment and manufacturing method thereof | |
JP5293561B2 (en) | Thermally conductive sheet and electronic device | |
US10770370B2 (en) | Electronic device and heat dissipating sheet | |
WO2014196006A1 (en) | Heat dissipation structure, production method therefor and electronic device | |
JP6344076B2 (en) | Method for manufacturing connection member and method for manufacturing electronic device | |
US10611941B2 (en) | Heat radiation sheet, method of manufacturing heat radiation sheet, and method of manufacturing electronic device | |
JP5928181B2 (en) | Electronic device manufacturing method and electronic device | |
US20160276246A1 (en) | Sheet-like structure, electronic equipment using the same, fabrication method of sheet-like structure and electronic equipment | |
JP2011035046A (en) | Sheet-like structure, and method of manufacturing the same | |
JP6244651B2 (en) | Sheet-like structure and manufacturing method thereof, and electronic device and manufacturing method thereof | |
JP6223903B2 (en) | Carbon nanotube sheet, electronic device, method of manufacturing carbon nanotube sheet, and method of manufacturing electronic device | |
JP6354235B2 (en) | Electronic device and assembly method thereof, and sheet-like structure and manufacturing method thereof | |
JP6748408B2 (en) | Heat dissipation sheet manufacturing method | |
JP6065724B2 (en) | Sheet-like structure, electronic device, method for manufacturing sheet-like structure, and method for manufacturing electronic device | |
JP5857830B2 (en) | Carbon nanotube sheet and method for producing the same | |
JP6156057B2 (en) | Nanostructure sheet, electronic device, method for producing nanostructure sheet, and method for producing electronic device | |
JP2012224507A (en) | Method for forming carbon nanotube and thermal diffusion apparatus | |
JP6826289B2 (en) | Thermally conductive structure, its manufacturing method and electronic device | |
JP2018129482A (en) | Heat radiation sheet, manufacturing method of the same, and electronic device | |
JP5864486B2 (en) | Sheet-like structure and method for producing the same | |
JP2010280528A (en) | Sheet-like structure and method for manufacturing the same | |
JP6056501B2 (en) | Manufacturing method of heat dissipation structure |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170309 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180424 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6344076 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |