JP2016004174A - プロキシミティ露光用フォトマスク - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 108
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 14
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
Description
遮光膜によって露光光を遮光する遮光部と遮光膜及び半透過膜が除去されて透明基板が露出した透光部とが直接接する部分がない場合が含まれることを特徴とする。
図1(A)は、第1の実施形態に係るプロキシミティ露光用フォトマスクのパターンを示す図であり、図1(B)は、従来のプロキシミティ露光用フォトマスクのパターンを示す図である。
(i) 位相差50度、透過率60.0%
(ii) 位相差72度、透過率40.0%
(iii)位相差90度、透過率31.7%
(iv) 半透過膜なし(従来)
本実施形態では、低位相半透過膜を先に形成する、いわゆるボトムハーフ型フォトマスクの製造方法について説明する。製造方法が変わっても得られたフォトマスクのパターンを平面からみた際の透光部、半透過部、遮光部の配置や大きさは、第1の実施形態と同様である。ただし、遮光膜と低位相半透過膜の積層順序が異なり、低位相半透過膜の上に遮光膜が形成されているため、低位相半透過膜の上に遮光膜が形成されている部分は、遮光部となる。
図6(A)は、上述した本実施形態のプロキシミティ露光用フォトマスクの効果を検証するために作成した、プロキシミティ露光用フォトマスク50を図示したものである。フォトマスク50の中央部分が露光エリア51でその外側が非露光エリア52である。露光エリア51には、テスト用に作成した種々のパターン(孤立ラインパターン、ライン・アンド・スペース、矩形(正方形)ホールパターン、孤立した矩形パターン)が設けられたパターン形成領域53が複数設けられている。一方、非露光エリア52には、アライメントマーク54や図示しないフォトマスクの識別記号などが設けられている。
10 透明基板
10a 透光部のパターン
11a 遮光膜のパターン
12 半透過膜
12a 半透過膜のパターン
20a 2層目(半透過膜)に対するレジストパターン
100 従来のプロキシミティ露光用フォトマスク
110a 透光部のパターン
111a 遮光部のパターン
Claims (8)
- 表面に遮光膜が形成された透明基板上に前記遮光部の一部が除去されて前記透明基板が露出した透光部のパターンと、前記透光部のパターンの両側の縁に帯状に形成された位相をシフトさせる半透過膜のパターンとを具備しており、かつ、パターン形成領域においては
遮光膜によって露光光を遮光する遮光部と遮光膜及び半透過膜が除去されて透明基板が露出した透光部とが直接に接する部分がない場合が含まれることを特徴とする、プロキシミティ露光用フォトマスク。 - 前記低位相半透過膜は、位相差10〜90度かつ透過率が30〜70%の範囲であることを特徴とする請求項1記載のプロキシミティ露光用フォトマスク。
- 前記低位相半透過膜は、位相差20〜80度かつ透過率が40〜60%の範囲であることを特徴とする請求項2記載のプロキシミティ露光用フォトマスク。
- 前記低位相半透過膜の材質は、クロム酸化膜、クロム窒化膜のいずれかを含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプロキシミティ露光用フォトマスク。
- 前記パターンの幅は6μm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のプロキシミティ露光用フォトマスク。
- 前記遮光部に隣接する半透過膜の幅は、0.3〜3.0μmであることを特徴とする請求項5記載のプロキシミティ露光用フォトマスク。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のプロキシミティ露光用フォトマスクの製造方法であって、
透明基板の表面に遮光膜のパターンを形成する工程と、
前記遮光膜のパターンを含む前記透明基板上に半透過膜を形成する工程と、
前記半透過膜をパターニングして前記遮光膜のパターンに隣接して半透過膜のパターンを形成すると共に、前記遮光膜及び前記半透過膜が除去されて前記透明基板が露出した透光部のパターンを形成する工程とを含む、プロキシミティ露光用フォトマスクの製造方法。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のプロキシミティ露光用フォトマスクの製造方法であって、
透明基板の表面に半透過膜と遮光膜とをこの順に形成する工程と、
前記工程により得られた半透過膜及び遮光膜からなる積層膜における上層の遮光膜に対して選択的にパターニングを行って、遮光膜のパターンを形成する工程と、
前記半透過膜に対してパターニングを行って、前記遮光膜に隣接する半透過膜のパターンを形成すると共に、前記遮光膜及び前記半透過膜が除去されて前記透明基板が露出した透過部のパターンを形成する工程とを含む、プロキシミティ露光用フォトマスクの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014124833A JP5668168B1 (ja) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | プロキシミティ露光用フォトマスク |
TW103146112A TWI499861B (zh) | 2014-06-17 | 2014-12-29 | Close exposure mask |
KR1020150010706A KR101593366B1 (ko) | 2014-06-17 | 2015-01-22 | 근접 노광용 포토 마스크 |
CN201520328358.7U CN204790305U (zh) | 2014-06-17 | 2015-05-20 | 接近式曝光用光掩膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014124833A JP5668168B1 (ja) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | プロキシミティ露光用フォトマスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5668168B1 JP5668168B1 (ja) | 2015-02-12 |
JP2016004174A true JP2016004174A (ja) | 2016-01-12 |
Family
ID=52569528
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014124833A Active JP5668168B1 (ja) | 2014-06-17 | 2014-06-17 | プロキシミティ露光用フォトマスク |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5668168B1 (ja) |
KR (1) | KR101593366B1 (ja) |
CN (1) | CN204790305U (ja) |
TW (1) | TWI499861B (ja) |
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-
2014
- 2014-06-17 JP JP2014124833A patent/JP5668168B1/ja active Active
- 2014-12-29 TW TW103146112A patent/TWI499861B/zh active
-
2015
- 2015-01-22 KR KR1020150010706A patent/KR101593366B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-20 CN CN201520328358.7U patent/CN204790305U/zh active Active
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JP7475209B2 (ja) | 2020-06-15 | 2024-04-26 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | プロキシミティー露光用フォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI499861B (zh) | 2015-09-11 |
TW201531794A (zh) | 2015-08-16 |
JP5668168B1 (ja) | 2015-02-12 |
CN204790305U (zh) | 2015-11-18 |
KR20150144684A (ko) | 2015-12-28 |
KR101593366B1 (ko) | 2016-02-11 |
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Legal Events
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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