JP2015518179A - 電気光学単結晶素子、その作成方法、及びそれを用いるシステム - Google Patents
電気光学単結晶素子、その作成方法、及びそれを用いるシステム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015518179A JP2015518179A JP2015504738A JP2015504738A JP2015518179A JP 2015518179 A JP2015518179 A JP 2015518179A JP 2015504738 A JP2015504738 A JP 2015504738A JP 2015504738 A JP2015504738 A JP 2015504738A JP 2015518179 A JP2015518179 A JP 2015518179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal element
- electro
- optic
- coefficient
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 0 *C1C*CCC1 Chemical compound *C1C*CCC1 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2012年4月4日に出願された米国特許仮出願(No. 61/686,350)並びに2013年3月18日に出願された米国特許仮シリーズ出願(No. 61/802,796)に基づく優先権を主張するものであり、その全内容が参照によって本出願に完全に取り込まれている。
・P. Han, W. L. Yan, J. Tian, X. L. Huang, and H. X. Pan、“Cut directions for the optimization of piezoelectric coefficients of lead magnesium niobate- lead-titanateferroelectric crystals”. Discovery of d36 shear mode, Appl. Phys, Letter. 86, No.1, 2466, (2005); 及び
・P. Han, J. Tian, and W. Yan, "Bridgman growth and properties of PMN-PT single crystals," in Advanced dielectric, piezoelectric and ferroelectric materials: Synthesis, characterization and applications, Z. G. Ye, Ed., 1st Ed: WoodheadPublishing Ltd., 2008, p. 600-632 (ブリッジマン(Bridgman)修正法及び特性化による大型のPMN−PT結晶成長の概要)
・Yu Lu, Z. Y. Cheng, S. E. Park, S,.F Liu and Q. M. "Zhang "linear Electro-Optic effect of 0.88Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 single crystal", Jpn. J Appl. Phys Vol. 39 No.1, January 2000
・X. M. Wan, D. Y. Wang, X. Y. Zhao, HaosuLuo, H. L.W.Chan and C. L. Choy."Electro-Optic characterization of tetragonal (1-x)Ob(Mg1/3Nb2/3)O3 single crystals by a method Senarmont Setup" Slid state communications Vol. 134 547-551 (2005).
・L. S. Kamzina, RuanWei, G. Li, J. Zeng and A. Ding. "Electro-Optical properties of PMN-PT compounds: single crystals and transparent ferroelectric ceramics".
Physics of solid state, Vol. 52.No. 10 2142-2146 (2010).(原文ロシア語)
・Enwei Sun, Zhu Wang, Rui Zhang and Wenwu Cao."Reduction of electro-optic half-wave voltage of 0.93Pb(Zn1/3Nb2/3)3-0.07PbTiO3 single crystal through large piezoelectric strain". Optical Materials Vol. 33.m 549-552 (2011).
(1)優れたE−O特性及び極めて低い半波電圧Vπ
(2)−30℃から最高110℃の広い動作温度範囲
(3)再ポーリング能による高い信頼性、及び
(4)費用効率の高い作成方法
γT C :80℃で1160pm/V、20℃で527pm/V,−8℃で436pm/V及び−21℃で 395pm/V
VT π:80℃で87.5V、20℃で87.5V、−8℃で119V。VT πデータは、比l/d=1に規格化され、そこで、
VT C :(横有効E−O係数):VT π:横モード半波長電圧である。
(I)Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTix式中xは0.22〜0.38として定義、
若しくは
(II)Pb(Zn1/3Nb2/3)1-YTiYO3式中yは0.04〜0.11として定義され、
全ての結晶素子は、最大6%(質量%)のランタン(La)、アンチモン(Sb)、最大8%(質量%)のタンタル(Ta)、最大31%(質量%)のインジウム(In)、最大5%(質量%)のジルコニウム(Zr)及びセリウム(Ce)、エルビウム(Er).テルビウム(Tb),スカンジウム(Sc)並びにネオジム(Nd)からなる群から選択された最大8%(質量%)の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープされる工程と、(011)に結晶素子をスライスし、ウェハースを形成する工程と、95℃以下の温度範囲で2倍の保磁力(Ec)の下で<011>方向に結晶素子をポーリングすることによってmm2対称構造に偏光する工程とを含む。
(III) y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
式中xは、0.00〜0.35として定義、
yは0.00〜0.35として定義され、
結晶素子を(011)ウェハースにスライスする工程と、
95℃以下の温度範囲で2倍以下の保磁力(Ec)で<011>方向に結晶素子をポーリングすることによってmm2対称構造に偏光する工程とを含む。
表1は、商業用E−O結晶のリストである。
γC 有効E−O係数、 pm/V
γC * 明白なE−O係数、pm/V、補正済み圧電効果 γC.
Vl π 縦半波電圧
VT π(l=d) 横半波電圧(l=d に規格化)
表2.発明のE−O結晶の極わめて低い半波長電圧 Vπ
*本発明
以下の組成を持つ横モードE−O結晶素子:67.5%PMN−32.5%PT 単結晶素子カット方向、ポーリング方向及び入射光の構造並びに結晶方向は図2Aに示す。試験結果は以下の通りである。
異なる温度における試験データ
γT C :有効横直線E−O係数
VT π :l/d=1に規格化された半波電圧
以下の組成を持つ縦モードE−O結晶素子:67.5%PMN−32.5%PT単結晶素子。カット方向、ポーリング方向及び入射光の構造並びに結晶方向は図2Bに示す。試験の結果は以下の通り、300V以下の非常に低い半波電圧Vl πを具備する20℃で450pm/Vの高さの有効縦直線E−O係数γl Cである。
以下の組成を持つ縦モードE−O結晶素子:24%PIN52.4%PMN−23.6%PT単結晶素子。カット方向、ポーリング方向及び入射光の構造並びに結晶方向は図2Aに示す。試験結果は以下の通り、315V以下の非常に低い半波電圧Vl πを具備する20℃で500pm/Vの高さの有効縦直線E−O係数γl C である。
以下の組成を持つ横モードE−O結晶素子:24%PIN52.4%PMN−23.6%PT単結晶素子。カット方向、ポーリング方向及び入射光の構造並びに結晶方向は図2Aに示す。試験結果は以下の通り、 95V以下の非常に低い半波電圧VT πを具備する20℃で527pm/Vの以上の有効横直線E−O係数γT Cである。
Claims (16)
- 下記化学式の一つによって表わされる化学組成物を有する強誘電体を作成する工程であって、
(I) Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3 ここでxは0.22〜0.38として定義、
若しくは
(II) Pb(Zn1/3Nb2/3)1-y TiyO3 ここでy は0.04〜0.11として定義され、
全ての前記結晶素子は、最大6%(質量%)のランタン(La)、アンチモン(Sb)、最大8%(質量%)のタンタル(Ta)、最大31%(質量%)のインジウム(In)、最大5%(質量%)のジルコニウム(Zr)及びセリウム(Ce)、エルビウム(Er).テルビウム(Tb),スカンジウム(Sc)並びにネオジム(Nd)からなる群から選択された最大8%(質量%)の少なくとも一つの希土類元素と一緒にドープ又は共ドープする工程と、
(011)に前記結晶素子をスライスし、ウェハースを形成する工程と、
95℃以下の温度範囲で2倍以下の保磁力(Ec)で<011>方向に前記結晶素子をポーリングことによってmm2対称構造に偏光化する工程とを含む、電気光学結晶素子を製造する製造方法。 - 前記偏光化工程が単一ドメイン及びマルチナノドメイン構造の一つをもたらす、請求項1に記載の電気光学素子を製造する製造方法。
- 前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子を研磨し、光学的仕上げを行う工程と、
それによって前記電気光学結晶素子を形成する工程とを含む、請求項1に記載の製造方法。 - 前記結晶素子を電極化する工程を含む、請求項3に記載の製造方法。
- 横モード結晶素子を提供する工程と、
前記横モード結晶素子が、<011>偏光を提供し、室温20°Cで527 pm/Vより大きな横有効E−O係数γT C及び87.5V(l/d=1)よりも低い半波電圧VT π を与える工程とを含む、請求項1に記載の製造方法。 - 縦モード結晶素子を提供する工程と、
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程とを含み、
前記縦モード結晶素子が、室温20°Cで427pm/Vより大きな縦有効E−O係数γl C及び300V よりも低いVl πの<011>偏光を提供する、請求項1に記載の製造方法。 - 下記化学式の一つで表わされる化学組成物を有する強誘電体を作成する工程であって、
(III) y*[Pb(In1/2Nb 1/2)O3]-(1-y)*[Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3]
ここでxは、0.0〜0.35として定義、
Y は0.0〜0.35として定義され、
(011)ウェハースに前記結晶素子をスライスする工程と、
95℃以下の温度範囲で2倍以下の保磁力(Ec)で<011>方向に前記結晶素子をポーリングすることによってmm2対称構造に偏光化する工程とを含む、電気光学結晶素子を製造する方法。 - 前記偏光化工程が単一ドメイン及びマルチナノドメイン構造をもたらす、請求項7に記載の電気光学素子を製造する方法。
- 前記作成された結晶素子をさいの目にすることを行う工程と、
前記結晶素子を研磨し、光学的仕上げを行う工程と、
それによって前記電気光学結晶素子を形成する工程とを含む、請求項7に記載の製造方法。 - 前記結晶素子を電極化する工程を含む、請求項9に記載の製造方法。
- 横モード結晶素子を提供する工程を含み、
前記横モード結晶素子が、<011>偏光を提供し、室温20℃で500pm/Vより大きな横有効E−O係数γT C及び12V(l/d=7)よりも低い半波電圧VT πを与える、請求項7に記載の製造方法。 - 縦モード結晶素子を提供する工程と、
前記縦モード結晶素子上に透明電極をコーティングする工程とを含み、
前記縦モード結晶素子が、室温20℃で427pm/Vより大きな縦有効E−O係数γl C及び300Vよりも低いVl πの<011>偏光を提供する、請求項7に記載の製造方法。 - 振幅変調器及び位相変調器の一つである前記システムであって、
請求項7に記載の方法によって製造された縦モード電気光学結晶素子を含み、
前記縦モード結晶素子が、室温20℃で427pm/Vより大きい縦有効E−O係数γl C 及び300Vよりも低いVl πの<011>偏光を提供するための手段を含む、電気光学システム。 - 振幅変調器及び位相変調器の一つである前記システムであって、
請求項1に記載の方法によって製造された横モード電気光学結晶素子を含み、
横モード電気光学結晶素子が、<011>偏光を提供し、室温20℃で5pm/Vより大きな横有効E−O係数γT C 及び87.5V(l/d=1)よりも低い半波電圧VT πを与えるための手段を含む、電気光学システム。 - 振幅変調器及び位相変調器の一つである前記システムであって、
請求項7に記載の方法によって製造された縦モード電気光学結晶素子を含み、
前記横モード電気光学結晶素子が、<011>偏光を提供し、室温20℃で500pm/Vより大きな横有効E−O係数γT C及び12V(l/d=7)よりも低い半波電圧VT πを与えるための手段を含む、電気光学システム。 - 光学電気結晶素子の(011)表面のマッハツエンダー干渉計変調器と、
請求項1及び請求項7の一つに記載の方法によって製造された前記光学電気結晶素子とを含む、レーザービーム用電気光学変調器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261686350P | 2012-04-04 | 2012-04-04 | |
US61/686,350 | 2012-04-04 | ||
PCT/US2013/035343 WO2013152241A1 (en) | 2012-04-04 | 2013-04-04 | Electro-optical single crystal element, method for the preparation thereof, and systems employing the same |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016253907A Division JP2017097368A (ja) | 2012-04-04 | 2016-12-27 | 電気光学単結晶素子、その作成方法、及びそれを用いるシステム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015518179A true JP2015518179A (ja) | 2015-06-25 |
JP2015518179A5 JP2015518179A5 (ja) | 2018-09-13 |
JP6420234B2 JP6420234B2 (ja) | 2018-11-07 |
Family
ID=53531888
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015504738A Expired - Fee Related JP6420234B2 (ja) | 2012-04-04 | 2013-04-04 | E−o結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法 |
JP2016253907A Pending JP2017097368A (ja) | 2012-04-04 | 2016-12-27 | 電気光学単結晶素子、その作成方法、及びそれを用いるシステム |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016253907A Pending JP2017097368A (ja) | 2012-04-04 | 2016-12-27 | 電気光学単結晶素子、その作成方法、及びそれを用いるシステム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP6420234B2 (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001313997A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-09 | Agilent Technol Inc | カットされた単結晶からなる超音波変換器 |
JP2003270602A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Fujitsu Ltd | 亜鉛ニオブ酸鉛−チタン酸鉛混晶系強誘電体単結晶を用いた電気光学効果素子及びそれを用いた光スイッチ |
JP2004004194A (ja) * | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Mitsui Chemicals Inc | 90度分極界面を利用した光偏向素子 |
JP2005119944A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Tdk Corp | 圧電磁器組成物の製造方法 |
WO2005073788A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Gifu University | リラクサー強誘電体固溶体単結晶、デバイス及びデバイスの使用方法 |
JP2005322673A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Jfe Mineral Co Ltd | 圧電単結晶素子およびその製造方法 |
JP2007108515A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
WO2011098130A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Apparatus and method for guiding optical waves |
WO2013152241A1 (en) * | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Pengdi Han | Electro-optical single crystal element, method for the preparation thereof, and systems employing the same |
JP2014501058A (ja) * | 2010-10-13 | 2014-01-16 | エイチ シー マテリアルズ コーポレーション | 高周波用圧電性結晶複合体、装置、及びそれらの製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060012270A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Pengdi Han | Piezoelectric crystal elements of shear mode and process for the preparation thereof |
JP2011215260A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Tdk Corp | 光学素子及び可変光モジュール |
-
2013
- 2013-04-04 JP JP2015504738A patent/JP6420234B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-12-27 JP JP2016253907A patent/JP2017097368A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001313997A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-11-09 | Agilent Technol Inc | カットされた単結晶からなる超音波変換器 |
JP2003270602A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-25 | Fujitsu Ltd | 亜鉛ニオブ酸鉛−チタン酸鉛混晶系強誘電体単結晶を用いた電気光学効果素子及びそれを用いた光スイッチ |
JP2004004194A (ja) * | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Mitsui Chemicals Inc | 90度分極界面を利用した光偏向素子 |
JP2005119944A (ja) * | 2003-09-24 | 2005-05-12 | Tdk Corp | 圧電磁器組成物の製造方法 |
WO2005073788A1 (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Gifu University | リラクサー強誘電体固溶体単結晶、デバイス及びデバイスの使用方法 |
JP2005322673A (ja) * | 2004-05-06 | 2005-11-17 | Jfe Mineral Co Ltd | 圧電単結晶素子およびその製造方法 |
JP2007108515A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 光学素子及びその製造方法 |
WO2011098130A1 (en) * | 2010-02-11 | 2011-08-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Apparatus and method for guiding optical waves |
JP2014501058A (ja) * | 2010-10-13 | 2014-01-16 | エイチ シー マテリアルズ コーポレーション | 高周波用圧電性結晶複合体、装置、及びそれらの製造方法 |
WO2013152241A1 (en) * | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Pengdi Han | Electro-optical single crystal element, method for the preparation thereof, and systems employing the same |
Non-Patent Citations (5)
Title |
---|
CHONGJUN HE, WEIPING JING, KONGJUN ZHU, AND JINHAO QIU: "Linear Electro-Optic Properties of Orthorhombic PZN-8%PT Single Crystal", IEEE TRANSACTIONS ON ULTRASONICS, FERROELECTRICS, AND FREQUENCY CONTROL, vol. 58, no. 6, JPN6017036933, June 2011 (2011-06-01), pages 1118 - 1121, XP011368793, ISSN: 0003648404, DOI: 10.1109/TUFFC.2011.1919 * |
CHUANWEN CHEN,ET.AL.: "Orientation dependence of coupling between Lamb and shear horizontal waves in (1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-", 2009 18TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, JPN6016024439, 23 August 2009 (2009-08-23), pages 1 - 4, XP031558750, ISSN: 0003346272 * |
L.C.LIM,ET.AL.: "Flux-grown PZN-PT Single Crystals for High-performance Piezo Devices", 2007 16TH IEEE INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON THE APPLICATIONS OF FERROELECTRICS, JPN6016024440, 27 May 2007 (2007-05-27), pages 568 - 571, XP031167422, ISSN: 0003346273 * |
SHUJUN ZHANG,ET.AL.: "Evaluation of PMN-PT based Crystals for Various Applications", 2011 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON APPLICATIONS OF FERROELECTRICS AND 2011 2011 INTERNATIONAL SYMPOSIUM, JPN6016024442, 24 July 2011 (2011-07-24), pages 1 - 4, XP032050916, ISSN: 0003346274, DOI: 10.1109/ISAF.2011.6014098 * |
YU LU, ZHONG-YANG CHENG, SEUNG-EEK PARK, SHI-FANG LIU, AND QIMING ZHANG: "Linear Electro-optic Effect of 0.88Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.12PbTiO3 Single Crystal", JPN. J. APPL. PHYS., vol. 39, JPN6017036934, 2000, pages 141 - 145, ISSN: 0003648405 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6420234B2 (ja) | 2018-11-07 |
JP2017097368A (ja) | 2017-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10082687B2 (en) | Electro-optical single crystal-element, method for the preparation thereof, and systems employing the same | |
Liu et al. | Ferroelectric crystals with giant electro-optic property enabling ultracompact Q-switches | |
CN103257462B (zh) | 基于偏振控制器及波导光栅的动态可调谐滤波器及调谐方法 | |
JP2012042900A (ja) | 偏光無依存可変焦点レンズ | |
JP2010026079A (ja) | 光デバイス | |
CN103424894B (zh) | 偏振无关电光强度调制器 | |
Zhao et al. | Thermal annealing and single–domain preparation in tetragonal Pb (In1/2Nb1/2) O3–Pb (Mg1/3Nb2/3) O3–PbTiO3 crystal for electro–optic and non–linear optical applications | |
Zhang et al. | Switching effects of spontaneously formed superlattices in relaxor ferroelectrics | |
CN102593705A (zh) | 一种基于周期极化晶体实现固体激光器高重频电光调q的方法 | |
He et al. | Anisotropy electric and optical properties of PIMNT single crystal | |
Hu et al. | La-doped PMN-PT transparent ceramics with ultra-high electro-optic effect and its application in optical devices. | |
JP2015504403A (ja) | 圧電材料及び特性制御方法 | |
JP6420234B2 (ja) | E−o結晶装置に用いるための電気光学結晶素子を製造する方法 | |
Hu et al. | Achieve single domain state in (111)-oriented rhombohedral phase PMN-PT relaxor ferroelectric single crystals for electro-optical application | |
US9291874B2 (en) | Optical deflection element and optical deflection device | |
Sun et al. | Reduction of electro-optic half-wave voltage of 0.93 Pb (Zn1/3Nb2/3) O3–0.07 PbTiO3 single crystal through large piezoelectric strain | |
JPH0511227A (ja) | 音響光学素子 | |
Li et al. | Large-Size Crystal Growth and a Fiber-Coupled Acousto-Optic Device of TiTe3O8 | |
Chauvet et al. | Electrically switched photoinduced waveguide in unpoled strontium barium niobate | |
JP2015518179A5 (ja) | ||
Zhou et al. | Huge piezoelectricity and electro-optic effects in rhombohedral relaxor ferroelectric single crystals by Sm3+ doping | |
JP2019516135A (ja) | 四元モリブデン/タングステンテルル酸塩結晶の使用及びデバイス | |
US3782806A (en) | Bistable optical switch utilizing lead phosphate or lead strontium phosphate crystals | |
Suraj et al. | Silicon-loaded waveguide in sputter-deposited PZT-on-MgO platform for on-chip electro-optic applications | |
Selvaraja | DFT analysis and demonstration of enhanced clamped Electro-Optic tensor by strain engineering in PZT |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160404 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160404 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20160404 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160510 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160628 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20160923 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170307 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170707 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170714 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20170929 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20180605 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20180726 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181011 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6420234 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |