JP2015502902A - 合成ガスの水素含量を増加させる方法 - Google Patents
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Abstract
水素、酸化炭素及び蒸気を含み、0.6以下のR=(H2−CO2)/(CO+CO2)として定義される比R及び1.8未満の蒸気対一酸化炭素比を有する、1種または複数の硫黄化合物を含む合成ガスの水素含量を増加させる方法であって、(i)合成ガスの温度を調節する工程と、(ii)温度調節した合成ガスを、12500時間−1超の空間速度で耐硫黄水−ガスシフト触媒床を含む断熱プレシフト容器に通過させて、プレシフトガス流を形成する工程と、(iii)プレシフトガス流の少なくとも一部分を、水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階に供する工程とを含む、方法が記載される。
Description
本発明は、合成ガスの水素含量を増加させる、特に炭素質供給原料から生成した合成ガスの水素含量を増加させる方法に関する。
水素及び酸化炭素(CO及びCO2)を含む、シンガスとも呼ばれる合成ガスは、高温及び高圧で酸素もしくは空気及び蒸気を使用した、石炭、石油コークスまたは他の炭素に富む供給原料などの炭素質供給原料のガス化により生成され得る。一般的に、得られる合成ガスは水素欠乏であり、水素濃度を増加させるために、粗合成ガスを、高温及び高圧で蒸気の存在下、適当な水−ガスシフト触媒上を通過させることにより水−ガスシフト反応に供することが必要である。次いで、形成したCO2を下流ガス洗浄装置で除去して水素に富む製品ガスを得ることができる。合成ガスは、一般的に1種または複数の硫黄化合物を含有するので、「サワーシフト(sour shift)」触媒として知られている耐硫黄触媒を使用して処理しなければならない。反応は以下の通り示され得る;
H2O+CO⇔H2+CO2
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この反応は発熱性であり、従来、供給ガス入口温度及び組成により支配される出口温度を制御して断熱的に行われてきた。さらに、標的ガス組成を得るためにわずかなシフト変換が必要とされる場合、これは従来、合成ガスのいくらかを反応器の周りにバイパスすることにより達成される。
通常は望ましくない副反応、特にメタン化が起こり得る。これを回避するために、シフト反応は相当量の蒸気を添加して、最小の追加のメタン形成で所望の合成ガス組成が得られることを確保することを要する。蒸気を生成するコストが相当なものとなり得るので、可能な限り蒸気添加を減少させることが望ましい。
WO2010/106148は、ハロゲン含有ガス混合物を150〜250℃の間の温度の水と接触させてハロゲンに乏しく0.2:1〜0.9:1の間の蒸気対一酸化炭素モル比を有するガスを得ることと、前記ハロゲンに乏しいガス混合物を、一酸化炭素の一部分または全部が1つの固定床反応器または一連の2つ以上の固定床反応器中に存在する触媒の存在下で蒸気により水素及び二酸化炭素に変換され、ガス混合物が反応器に入る際の温度が190〜230℃の間である水−ガスシフト反応に供することとにより、水素及び乾燥量基準で少なくとも50体積%の一酸化炭素を含むハロゲン含有ガス混合物から水素に富むガス混合物を調製するプロセスを開示している。水−ガスシフト反応器中の空間速度は、好ましくは6000〜9000時間−1である。1つの実施例では、8000時間−1の空間速度が使用された。このプロセスは、低い蒸気対CO比及び低い入口温度で作動するので、比較的高い触媒体積を要する。そのため、必要とする触媒が少ない、低い蒸気対CO比で作動するプロセスが必要とされている。さらに、その寿命にわたって生じる触媒活性の変動を考慮するプロセスが必要とされている。
CN101955153Aは、原材料プロセスガスの15〜40体積%を前変換(pre−converting)反応器に導入し、次いで、前変換プロセスガスを残っている原材料プロセスガスと混合し、混合ガスを主変換反応器に導入して変換反応を行う、水/ガス体積比が0.8〜3.0であり、乾燥ガス空間速度が1000〜10000m3/時間であり、入口温度が220〜320℃である、水−ガスシフトプロセスを開示している。種々の例で、バイパス流の不随意蒸気の全てがシフト反応に使用されるわけではなく、余分な蒸気を、予備的シフト反応器を通過する流れに添加しなければならない。
本発明者らは、驚くべきことに、高いガス毎時空間速度(GHSV)で作動させるプレシフト段階を使用することにより、以前のプロセスの欠点を克服することができることを発見した。
したがって、本発明は、水素、酸化炭素及び蒸気を含み、0.6以下のR=(H2−CO2)/(CO+CO2)として定義される比R及び1.8以下の蒸気対一酸化炭素比を有する、1種または複数の硫黄化合物を含む合成ガスの水素含量を増加させる方法であって、(i)合成ガスの温度を調節する工程と、(ii)温度調節した合成ガスを、12500時間−1以上の空間速度で耐硫黄水−ガスシフト触媒床を含む断熱プレシフト容器に通過させて、プレシフトガス流を形成する工程と、(iii)プレシフトガス流の少なくとも一部分を、水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階に供する工程とを含む、方法を提供する。
本発明では、水素及び酸化炭素を含み、1種または複数の硫黄化合物を含む合成ガスを任意の方法で製造することができるが、合成ガスを高温及び高圧での炭素質供給原料のガス化により製造することが特に適している。任意の既知のガス化技術を使用することができる。炭素質供給原料は、石炭、石油コークスまたは別の炭素に富む供給原料であり得る。好ましくは、炭素質供給原料は石炭である。石炭ガス化では、石炭粉末または水性スラリーを、酸素または空気を使用して、蒸気の存在下、最大約85bar絶対圧力及び最大約1450℃、好ましくは最大約1400℃の出口温度で、非触媒プロセスによりガス化装置中で部分的に燃焼させて、水素及び酸化炭素(一酸化炭素及び二酸化炭素)を含み、硫化水素及び硫化カルボニルなどの1種または複数の硫黄化合物を含有する粗合成ガスを生成することができる。
合成ガスのR=(H2−CO2)/(CO+CO2)として定義されるR比は0.6以下であり、好ましくは0.1〜0.6、より好ましくは0.2〜0.6の範囲にある。Rは供給する合成ガス中の成分のモル量から容易に計算することができる。
合成ガスを水−ガスシフト反応に供する前に、合成ガスを好ましくは冷却し、任意選択により濾過し、次いで、洗浄して石炭灰などの微粒子を除去する。
合成ガスは硫化水素などの1種または複数の硫黄化合物を含む。水−ガスシフト触媒が適当に硫化されたままであるように、水−ガスシフト触媒に供給される合成ガスの硫黄含量は望ましくは250ppmより大きい。
合成ガスが水−ガスシフトプロセスに十分な蒸気を含有しない場合、例えば、生蒸気添加もしくは飽和またはこれらの組み合わせにより、蒸気を合成ガスに添加することができる。蒸気は、温度調節前または後に合成ガスに添加することができる。プレシフト段階で水−ガスシフト触媒に供給される合成ガス混合物の蒸気対一酸化炭素比(すなわち、モル比)は1.8以下であり、好ましくは0.2〜1.8、より好ましくは0.7〜1.8の範囲にある。いくつかの実施形態では、0.95〜1.8の範囲の比で作動させることが望ましいだろう。
水−ガスシフト段階のいずれかで使用する水−ガスシフト触媒は、任意の適当に安定な及び活性の水−ガスシフト触媒であり得る。合成ガスは1種または複数の硫黄化合物を含有するので、水−ガスシフト触媒はこれらの化合物の存在下で有効なままでなければならない。特に、活性成分が金属硫化物であるいわゆる「サワーシフト」触媒を使用することができる。好ましくは、水−ガスシフト触媒は、合成ガス流中に存在する硫化水素との反応によりその場で硫化モリブデンを形成する担持コバルト−モリブデン触媒を含む。Co含量は好ましくは2〜8重量%であり、Mo含量は好ましくは5〜20重量%である。アルカリ金属促進剤も1〜10重量%で存在し得る。適当な担体は、アルミナ、マグネシア、アルミン酸マグネシウムスピネル及びチタニアの1種または複数を含む。触媒は酸化物型で供給されてもよく(この場合、これらは硫化工程を要する)、または前硫化物型(pre−sulphided form)で供給されてもよい。特に好ましいサワーシフト触媒は、マグネシア及びアルミナを含有する微粒子担体上に担持された約3重量%のCoO及び約10重量%のMoO3を含む、Johnson Matthey PLCから市販されているKATALCO(商標)K8−11などの担持モリブデン酸コバルト触媒である。
プレシフト段階の水−ガスシフト容器内の温度が適当な作動条件内に維持されるように合成ガスの温度を調節する、すなわち、加熱または冷却することが望ましい。例えば、合成ガスを洗浄し、それによってこれを有意に冷却した後、プレシフト段階容器を通過する合成ガスを予熱することが有利となり得る。適当な熱交換器を供給合成ガス流上に配置することができる。プロセスの特定の詳細によると、入口ガスとの熱交換に適した媒体は、例えば、異なる温度の別のガス流、蒸気または水であり得る。さらに、周りにバイパスを備えた前記熱交換器を使用することにより、他のパラメータの変動と独立して入口温度を制御する能力が触媒床に与えられる。
プレシフト段階での水−ガスシフト触媒の床の入口温度は、190〜350℃、好ましくは200〜330℃の範囲にあり得る。
前記CN101955153Aに開示されているプロセスとは異なり、本発明では、好ましくは合成ガスの全部をプレシフト段階に供給する。しかしながら、所望であれば、合成ガスをプレシフト段階の前に第1及び第2の流れに分割することができ、第1の流れは水−ガスシフト触媒床を含む断熱プレシフト容器に供給され、バイパス流と呼ぶことができる第2の流れは1つまたは複数の水−ガスシフト段階をバイパスする。バイパス流を使用する場合、合成ガスの少なくとも60体積%をプレシフト段階に供給すべきである、すなわち、合成ガスの40体積%以下、好ましくは30%以下、より好ましくは20%以下がプレシフト段階をバイパスし得る。バイパス流は、温度調節前または後に合成ガスからとることができる。バイパス流は1つまたは複数の水−ガスシフト段階をバイパスし得る。
バイパス流をプレシフトガス流、1つまたは複数のその後の水−ガスシフト段階からのシフトガス流の1つまたは複数に、または下流プロセスに別々に供給することができる。プレシフト段階及び1つまたは複数のその後の水−ガスシフト段階の周り、例えば、第2のシフト段階の周りの容器バイパスを利用することは、CO変換の全体の程度を正確に制御することが望ましい場合に好ましい。
所望であれば、バイパス流を、適当な容器中に配置されている微粒子アルミナまたはチタニア系触媒などの硫化カルボニル(COS)加水分解触媒上に通過させることによりCOS加水分解工程に供することができる。この工程では、バイパス流中のCOSを蒸気により加水分解してH2Sを形成し、これは下流プロセスで除去することが容易となり得る。前記COS加水分解工程では、水−ガスシフト反応が本質的に全く起こらない。
所望であれば、並列に配置した2つのプレシフト容器を使用してプレシフト段階を作動させることができる。プレシフト容器の一方を作動中にしながら、他方を停止して、例えば、合成ガス中に存在する触媒毒により毒されたかもしれない使用済みまたは失活触媒を交換することができるので、これにより作動柔軟性が改善する。したがって、合成ガスの一部分を、任意の温度調節及び蒸気添加後に、12500時間−1以上の空間速度で作動される、各々が耐硫黄水−ガスシフト触媒床を含む断熱プレシフト容器を含む第1及び第2の水−ガスシフト装置に並列に供給して、第1及び第2のプレシフトガス流を形成することができる。並列の第2のプレシフト容器に供給され得る合成ガスの一部分は、プレシフト段階に供給される合成ガスの15〜50体積%の範囲にあり得る。第2のプレシフトガス流を第1のプレシフトガス流と合わせる、または1つもしくは複数のその後の水−ガスシフト段階に通過させて第2のシフトガス流を生成させることができる。第2のシフトガス流を第1のプレシフトガス流、第1のプレシフトガス流に行った1つもしくは複数の水−ガスシフト段階から得たシフトガス流及び/またはシフト容器バイパス流と合わせることができる。
プレシフト段階では、蒸気を含有する温度調節した合成ガスを、高温及び高圧、好ましくは190〜420℃、より好ましくは200〜400℃の範囲の温度及び最大約85bar絶対圧力で、断熱プレシフト容器中の水−ガスシフト触媒床上に通過させる。蒸気を含有する合成ガスの流速は、ガス毎時空間速度(GHSV)が12500時間−1以上となるように、好ましくは15500時間−1以上、より好ましくは17500時間−1以上、最も好ましくは20000時間−1以上となるようにすべきである。
プレシフト段階において、水−ガスシフト反応は、一酸化炭素及び蒸気を消費し、二酸化炭素及び水素を形成して起こる。条件下では、一酸化炭素の一部分のみ及び蒸気を消費し、したがってプレシフトガス流が水素、一酸化炭素、二酸化炭素及び蒸気を含み、これを1つまたは複数のさらなる段階の水−ガスシフトでさらに反応させることができる。反応条件下では、水−ガスシフト触媒の床上で合成ガス中に存在する一酸化炭素の10〜40%(モル)を二酸化炭素に変換することが望ましい。
プレシフト段階反応容器は、冷却を施すことなく断熱的に作動するので、反応しているガスは、1つまたは複数のプレシフト反応容器を通過すると加熱される。したがって、プレシフトガス流を水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階に通過させる前に、プレシフトガスをいくらか冷却することが望ましいだろう。
プレシフト合成ガスの少なくとも一部分を1つまたは複数の追加の水−ガスシフト段階に供給する。好ましくは、プレシフトガス流を、直列または並列の水−ガスシフトの1つ、2つまたは3つのさらなる段階に供給してシフトガス流を生成する。所望であれば、水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階の前に、追加の蒸気をプレシフトガス流に添加することができる。水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階は、従来の断熱サワーシフト段階とすることができる。前記段階に使用するシフト容器は、軸流及び/または半径流とすることができる。その後の水−ガスシフト段階は、互いに同じまたは異なる条件下で作動させることができる。水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階は、190〜440℃、好ましくは190〜420℃の範囲の温度及び5000時間−1以上、好ましくは6000時間−1以上、より好ましくは6000〜12000時間−1、最も好ましくは6000〜10000時間−1のガス毎時空間速度で作動させることができる。
所望であれば、プレシフト合成ガスの一部分は、その後の水−ガスシフト段階の1つまたは複数をバイパスすることができる。
本発明は、従来技術のプロセスに対するいくつかの明確な利点を有する。ここでは発熱が第1の2つのシフト段階の各々の間で分けられる。そのため、各段階での発熱が少なく、各床のピーク温度を制御すること、したがって副産物の形成を最小化することが容易である。本発明の方法は、理論平衡CO変換及び関連する温度上昇を制限するために供給ガスの極めて低いH2O/CO比を有することに頼らない。この方法は放射冷却及びクエンチセクションを有する、それゆえより高い不随意の水含量を有し、上記WO2010/106148に提示されている「蒸気欠乏」シフト方法論を利用するのに適さないものを含む、広範囲のガス化装置型にも適用可能である。
水素に富む合成ガスを生成するために、該方法は、好ましくは
(i)水−ガスシフトの1つもしくは複数のさらなる段階から得られたシフトガス流、またはシフトガス流とバイパス流の混合物を、露点未満に冷却して水を凝縮する工程と、
(ii)そこから得られた凝縮物を分離して乾燥ガス流を形成する工程と、
(iii)向流溶媒流を用いて乾燥ガス流を作動しているガス洗浄装置に供給して製品合成ガスを製造する工程と、
(iv)洗浄装置から製品合成ガスを回収する工程と
をさらに含む。
(i)水−ガスシフトの1つもしくは複数のさらなる段階から得られたシフトガス流、またはシフトガス流とバイパス流の混合物を、露点未満に冷却して水を凝縮する工程と、
(ii)そこから得られた凝縮物を分離して乾燥ガス流を形成する工程と、
(iii)向流溶媒流を用いて乾燥ガス流を作動しているガス洗浄装置に供給して製品合成ガスを製造する工程と、
(iv)洗浄装置から製品合成ガスを回収する工程と
をさらに含む。
シフトガス流を、乾燥シフトガス流を形成するために単独で、またはバイパス流との混合物としてこれらの工程に供することができる。あるいは、バイパス流をこれらの工程に別々に供して乾燥未シフトバイパス流を形成し、このバイパス流を同一または別々のガス洗浄装置に供給することができる。乾燥未シフトガスを同一ガス洗浄装置に供給する場合、好ましくはこの未シフト流を、前記装置を流れる溶媒が最初に乾燥未シフト合成ガスと、次いで乾燥シフトガス流と接触するようにガス洗浄装置に供給する。
冷却工程を、例えば、冷水を用いた熱交換により行って、ガスを蒸気が凝縮する露点未満に冷却することができる。水及びいくらかの汚染物質を含む得られた凝縮物を分離する。
ガスを、例えば、冷却溶媒を用いてさらに冷却及び乾燥し、次いで、向流溶媒流を用いて作動しているガス洗浄装置に供給することができる。酸性ガス除去(AGR)装置としても知られているガス洗浄装置では、二酸化炭素の溶解/吸収に適した溶媒が、装置を流れるガスに対して向流に流れ、ガス流中に存在する二酸化炭素を溶解/吸収する。ガス流中の少量の他のガス成分、特に一酸化炭素も共吸収される。下流触媒を毒するおそれがあるガス流中に存在する汚染物質、例えば、H2S及びCOSなどの硫黄化合物も異なる程度に除去することができる。AGRを使用すると、CO2レベルを、乾燥ガス量基準で5モル%未満に減少させることができる。
CO2を吸収するのに適した溶媒は、メタノール、他のアルコールまたはグリコール製品、例えば、グリコールまたはポリエチレングリコールエーテル、及び炭酸プロピレンを含む物理溶媒、ならびに活性化アルカノールアミンなどの化学溶媒である。下流触媒を使用している場合、メタノールが好ましい溶媒である。メタノールは、−30〜−70℃の範囲の温度及び最大約75bar絶対圧力の高圧で使用することができる。
ガス洗浄装置は、例えば、上部近くの溶媒入口及びその下に二酸化炭素の溶解/吸収に適した溶媒が1つまたは複数の穿孔処理トレイまたはパッキング上を流れる底部近くの溶媒出口を有するカラムを含むことができる。カラムを上に通過するガスは溶媒と接触し、二酸化炭素が溶解/吸収される。ガスは、合成ガス出口を通して上部近くのカラムを出ることができる。合成ガスを冷却し、渦巻き式熱交換器などの適当な熱交換手段を使用してガス洗浄装置への供給ガスを冷却するために使用することができる。一実施形態では、乾燥バイパス合成ガス混合物及び乾燥シフトガス流を装置に別々に供給し、別々の供給は、溶媒が最初に乾燥バイパス合成ガス混合物、次いで乾燥シフトガス流と接触するように配置される。これは、溶媒が一段階でガス混合物と接触するように合成ガス混合物をガス洗浄装置に供給する以前のプロセスと対照的である。本発明者らは、溶媒が最初に乾燥ガス混合物、次いで乾燥シフトガス流と接触するように、2つの異なるガス流を装置に別々に供給することにより、プロセスの効率が改善し、これによりCO共吸収を減少させる能力及び所与の量の合成ガスからのメタノールもしくは液体炭化水素製造の能力の増加がもたらされることを発見した。
該方法は、望ましくは、ガス洗浄装置から回収した合成ガスがメタノールもしくはジメチルエーテル(DME)製造、フィッシャー−トロプシュ(FT)炭化水素製造または合成天然ガス(SNG)製造などの下流使用に適したR比を有するように操作される。メタノールまたは炭化水素を製造するために、製品合成ガスの望ましい化学量論比Rは、好ましくは1.4〜2.5の範囲にある。SNGを製造するためには、この範囲は好ましくは2.8〜3.3の範囲にある。あるいは、サワーシフト反応器、追加の下流サワーシフト段階(複数可)及びガス洗浄段階を、望ましい場合には、ガス洗浄装置から回収した合成ガスが水素に富み、CO及びCO2含量が最小となるように作動させることができる。前記水素に富むガス流を、アンモニア合成に、水素化目的のために、化学合成または追加の炭化水素燃料を用いるもしくは用いないガスタービン中での燃焼による発電のために使用することができる。
本発明を付随する図面を参照することによりさらに説明する。
図1では、水−ガスシフト装置100で、水素及び酸化炭素を含み、硫化水素を含有する合成ガス110を、熱交換器112中で加熱し、次いで、蒸気114と混合し、得られた合成ガスを、ライン116を通して熱交換器118に供給し、ここでその温度を所望の入口温度に調節する。温度調節した合成ガスを熱交換器118からライン120を通して微粒子硫化Co/Mo耐硫黄水−ガスシフト触媒の第1の固定床124を含むプレシフト容器122に供給する。触媒の第1の床の空間速度が12500時間−1超になるように、蒸気を含有する合成ガスの流れを制御する。蒸気を含有する合成ガスは、触媒上で反応して二酸化炭素及び水素を形成する。得られるプレシフトガス流を、ライン126を通して容器122から回収し、熱交換器128に通過させ、ここで冷却する。次いで、冷却したプレシフトガス流を、ライン130を通して微粒子硫化Co/Mo耐硫黄水−ガスシフト触媒の第2の固定床134を含む第2の水−ガスシフト容器132の入口に供給する。所望であれば、追加の蒸気をライン136を通して容器132の上流のプレシフトガス混合物130に添加してもよい。プレシフトガス混合物を水−ガスシフト触媒134上でさらに反応させて合成ガスの水素含量をさらに増加させる。水素に富むシフトガス流を、ライン138を通して第2の容器132から回収する。シフトガス流を水−ガスシフトのさらなる段階に供する、または冷却、縮合物の分離及び水素流へのさらなる処理に送ることができる。
合成ガスが蒸気の添加を必要としない場合、蒸気ライン114及び熱交換器112は必要とされない。
さらに、図示していないが、所望であれば、合成ガス110の一部分(例えば、最大40体積%)はプレシフト及び第2のシフト容器(122、132)をバイパスし、第2の容器132から回収したシフトガス流138と合わせることができる、またはプレシフトガス130の一部分は第2のシフト容器132をバイパスし、シフトガス流138と合わせることができる。
図2では、図1の水−ガスシフト装置100が、シフトガス流を第2のシフト容器132に供給する追加の並列水−ガスシフト装置200(点線で囲まれている)、及び合成ガスの一部分を第2のシフト容器132から回収したシフト合成ガスに供給するバイパス流202を有する。
したがって、図2では、交換器112から回収した加熱された合成ガスの一部分を、ライン204を通して装置200に供給する。装置200では、加熱された合成ガスの一部分をライン206からの蒸気と混合し、ライン208を通して熱交換器210に供給し、ここで合成ガス温度を調節する。次いで、温度調節した合成ガスを交換器210からライン212を通して微粒子硫化Co/Mo耐硫黄水−ガスシフト触媒の第3の固定床216を含む第2のプレシフト容器214に供給する。触媒の第3の床中の空間速度が12500時間−1超になるように蒸気を含有する合成ガスの流れを制御する。蒸気を含有する合成ガスは、触媒上で反応して二酸化炭素及び水素を形成する。得られた第2のプレシフトガス流を、ライン218を通して容器214から回収し、熱交換器220に通過させ、ここで冷却する。次いで、冷却したプレシフトガス流を、ライン222を通して微粒子硫化Co/Mo耐硫黄水−ガスシフト触媒の第4の固定床226を含む第4の水−ガスシフト容器224に供給する。所望であれば、追加の蒸気を容器224の上流の第2のプレシフトガス混合物222に添加することができる。第2のプレシフトガス混合物を水−ガスシフト触媒226上でさらに反応させて、合成ガスの水素含量をさらに増加させる。水素に富む第2のシフトガス流を、ライン228を通して第4の容器224から回収する。次いで、水素に富む第2のシフトガス流228を熱交換器230に通過させ、ここでライン232を通してプレシフトガス流130に供給する前に冷却し、合わせた流れを第2のシフト容器132に供給する。
バイパス流202を合成ガス供給110からとり、製品流138と合わせて合わせた製品流234を形成する。好ましくは、熱交換器236を用意して、バイパス流202と合わせる前に製品合成ガス138を冷却する。所望であれば、COS加水分解装置(図示せず)をバイパスライン202に含めて、合成ガス中に存在する任意のCOSを硫化水素に変換することができる。
全てシフトガスを第2のシフト容器132に供給する、追加の並列プレシフト装置を含めてもよいことが理解されるだろう。
さらに、製品シフト合成ガス138または合わせた製品流234をガス洗浄装置に供給してCO2及びH2Sを回収し、水素に富むガス流製品を生成することができることが理解されるだろう。前記方法から回収した二酸化炭素を、炭素回収貯留(CCS)プロセスまたは石油増進回収(EOR)プロセスに使用することができる。
本発明を以下の計算実施例を参照することによりさらに説明する。
(比較)
WO2010/106148A1の実施例1に類似の水−ガスシフトプロセスをモデル化した。水−ガスシフト触媒の第1の床の入口及び出口での温度、圧力及びガス組成は以下の通りであった。
WO2010/106148A1の実施例1に類似の水−ガスシフトプロセスをモデル化した。水−ガスシフト触媒の第1の床の入口及び出口での温度、圧力及びガス組成は以下の通りであった。
この例では、低いH2O/CO比(0.32)がシフト反応からの最大発熱を制限するので、高いCO及び低い蒸気にもかかわらず温度を低く保つことができる。しかしながら、低温、低蒸気含量及び比較的近いWGS平衡近似がシフト反応速度を制約するので、触媒必要量が比較的高い(SV=8000/時間)。
中程度のCO変換のために比較的高い触媒体積を要するという欠点に加えて、この手法は、そうでなければシフト発熱が大きくなりメタン化及び触媒失活の危険性をもたらすので、極めて低い蒸気:CO比にしか適用できず、そのため、ガス化装置型のほんの一部、例えば、大きな熱回収及び低温スクラバーを有する乾燥供給ガス化装置にのみ適切である。さらに、さらなるシフト反応を下流反応器中で促進する前に追加の蒸気を添加する必要がある。
(比較)
より高い蒸気:CO比(1.1)及び従来の入口温度であるが、上記WO2010/106148A1に近い空間速度で、水−ガスシフトプロセスをモデル化した。水−ガスシフト触媒の第1の床の入口及び出口での温度、圧力及びガス組成は以下の通りであった。
より高い蒸気:CO比(1.1)及び従来の入口温度であるが、上記WO2010/106148A1に近い空間速度で、水−ガスシフトプロセスをモデル化した。水−ガスシフト触媒の第1の床の入口及び出口での温度、圧力及びガス組成は以下の通りであった。
この例は、9000/時間の空間速度を有する従来の断熱シフト反応器を表す。大量の触媒がより高いCO変換をもたらすが、出口温度が極めて高く、これにより高度発熱メタン化反応が容認できない程度まで起こる有意な安全性の危険をもたらす。
1.1の蒸気:CO比及び従来の入口温度であるが、本発明によるはるかに高い空間速度のプレシフト段階を使用して、実施例2と同じ乾燥ガス組成を用いた水−ガスシフトプロセスをモデル化した。水−ガスシフト触媒の第1の床の入口及び出口での温度、圧力及びガス組成は以下の通りであった。
この方法は、従来の断熱反応器(実施例2)についての課題を克服する。少ない触媒体積及び極めて高い空間速度=21700/時間のために、触媒が新しいか、使用を通して部分的に失活しているかにかかわらず、または反応器が低速で作動している場合、入口温度を制御することにより、出口温度があまりに高くなりすぎるのを防ぐことができる。蒸気レベルが高いために、CO変換もWO2010106148の「蒸気欠乏」例よりもわずかに高い。本発明のこの例では、出口温度は400℃に制限され、メタン化反応の可能性が回避される。供給中のCOレベルがここでははるかに低下しており、下流の従来のシフト反応器(複数可)のいずれでもメタン化が起こる可能性が大いに低下しているので、このプレシフト段階後に、ガスを冷却し、これらの反応器に送ることができる。
本発明のプレシフトプロセスは、放射冷却及びクエンチセクションを有し、それゆえより高い不随意の水含量を有する(及び、上記のように、「蒸気欠乏」シフト方法論を利用するのに適していない)ものを含む、広範囲のガス化装置型にも適用することができる。この方法は、理論平衡CO変換及び関連する温度上昇を制限するために供給ガスの極めて低いH2O/CO比を有することに頼らない。
(比較)
特許出願CN101955153の教示によりガスの36%を前変換反応器に通過させ、64%はこれをバイパスする、実施例2及び3と同じ乾燥ガス組成を用いた水−ガスシフトプロセスをモデル化した。(プレシフトガス及びバイパスガスを混合した後)ほぼ同じ組成が主シフト反応器に入るようにするために、蒸気をプレシフト供給ガスに添加した。
特許出願CN101955153の教示によりガスの36%を前変換反応器に通過させ、64%はこれをバイパスする、実施例2及び3と同じ乾燥ガス組成を用いた水−ガスシフトプロセスをモデル化した。(プレシフトガス及びバイパスガスを混合した後)ほぼ同じ組成が主シフト反応器に入るようにするために、蒸気をプレシフト供給ガスに添加した。
実施例3と比較して、この例は、大量の蒸気を添加すること及びプレシフト反応器中のより大きな触媒体積を要する。
Claims (20)
- 水素、酸化炭素及び蒸気を含み、0.6以下のR=(H2−CO2)/(CO+CO2)として定義される比R及び1.8以下の蒸気対一酸化炭素比を有する、1種または複数の硫黄化合物を含む合成ガスの水素含量を増加させるための方法であって、
(i)合成ガスの温度を調節する工程と、
(ii)温度調節した合成ガスを、12500時間−1以上の空間速度で耐硫黄水−ガスシフト触媒床を含む断熱プレシフト容器に通過させて、プレシフトガス流を形成する工程と、
(iii)プレシフトガス流の少なくとも一部分を、水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階に供してシフト合成ガス流を形成する工程と
を含む、方法。 - 1種または複数の硫黄化合物を含む合成ガスが、高温及び高圧で炭素質供給原料をガス化し、引き続いて得られたガス流を冷却し、任意選択により濾過し、洗浄して、微粒子物質を除去することにより形成される、請求項1に記載の方法。
- ガス化が、酸素または空気を使用して、蒸気の存在下、最大約85bar絶対圧力及び最大約1450℃の出口温度で、ガス化装置中で石炭粉末または水性スラリーに対して実施される、請求項2に記載の方法。
- 蒸気対一酸化炭素比が0.2〜1.8、好ましくは0.7〜1.8の範囲にある、請求項2または請求項3に記載の方法。
- R比が0.1〜0.6、好ましくは0.2〜0.6の範囲にある、請求項2から4のいずれか一項に記載の方法。
- プレシフト段階での耐硫黄水−ガスシフト触媒の床を流れる合成ガスの空間速度が15500時間−1以上、好ましくは17500時間−1以上、より好ましくは20000時間−1以上である、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- プレシフト段階での水−ガスシフト触媒の床の入口温度が190〜350℃の範囲にある、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 合成ガスを担持コバルト−モリブデン水−ガスシフト触媒を含むプレシフト容器において水−ガスシフト反応に供する、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- プレシフト段階での水−ガスシフト触媒の床上の水−ガスシフト反応が190〜420℃の範囲の温度で行われる、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 合成ガスが第1及び第2の流れに分割され、第1の流れがプレシフト段階の耐硫黄水−ガスシフト触媒床上を通過し、第2の流れがシフト触媒をバイパスし、それによってバイパス流を形成し、合成ガスの40体積%以下、好ましくは30体積%以下、より好ましくは20体積%以下がプレシフト段階をバイパスする、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- バイパス流がプレシフトガス流、1つまたは複数のその後の水−ガスシフト段階からのシフトガス流の1つまたは複数に、または下流プロセスに別々に供給される、請求項10に記載の方法。
- 合成ガスの一部分を、12500時間−1以上の空間速度で、各々が耐硫黄水−ガスシフト触媒床を含む第1及び第2のプレシフト容器に並列に供給して、それぞれ第1のプレシフトガス流及び第2のプレシフトガス流を形成する、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 第2のプレシフトガス流を第1のプレシフトガス流と合わせる、または1つもしくは複数のその後の水−ガスシフト段階に通過させて第2のシフト合成ガス流を生成させる、請求項12に記載の方法。
- 第2のシフト合成ガス流を第1のプレシフトガス流、または第1のプレシフトガス流に行った1つもしくは複数の水−ガスシフト段階から得たシフトガス流及び/またはバイパス流と合わせる、請求項13に記載の方法。
- 水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階の各々が担持コバルト−モリブデン水−ガスシフト触媒を含む容器中で行われる、請求項1から14のいずれか一項に記載の方法。
- 水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階の各々が軸流容器または半径流容器中で行われる、請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。
- 水ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階が190〜440℃、好ましくは190〜420℃の範囲の温度で行われる、請求項1から16のいずれか一項に記載の方法。
- 水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階が5000時間−1以上、好ましくは6000時間−1以上、より好ましくは6000〜12000時間−1、最も好ましくは6000〜10000時間−1のガス毎時空間速度で行われる、請求項1から17のいずれか一項に記載の方法。
- 水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階が断熱的に行われる、請求項1から18のいずれか一項に記載の方法。
- (i)水−ガスシフトの1つまたは複数のさらなる段階から得られたシフトガス流またはシフトガス流とバイパス流の混合物を、露点未満に冷却して水を凝縮する工程と、
(ii)そこから得られた凝縮物を分離して乾燥シフトガス流を形成する工程と、
(iii)向流溶媒流を用いて乾燥シフトガス流を作動しているガス洗浄装置に供給して、水素に富む製品合成ガスを製造する工程と、
(iv)洗浄装置から製品合成ガスを回収する工程と
をさらに含む、請求項1から19のいずれか一項に記載の方法。
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